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一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法

文檔序號(hào):2792732閱讀:127來源:國知局
專利名稱:一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法。
背景技術(shù)
由于具有寬視角、高對比度、低功耗的顯示器越來越受到廣泛的關(guān)注。為了實(shí)現(xiàn)超 寬視角、提高顯示品質(zhì),設(shè)計(jì)了多種實(shí)現(xiàn)的方案。如圖I所示,為一種顯示器的陣列基板,其在一個(gè)亞像素結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)(或者三個(gè)及三個(gè)以上)像素電極的排布方向是不同的;其中,向兩像素電極對稱軸左側(cè)傾斜的像素電極稱為第一像素電極11,向兩像素電極對稱軸右側(cè)傾斜的像素電極稱為第二像素電極12。每個(gè)亞像素結(jié)構(gòu)中的第一像素電極11和第二像素電極12為凸起的條狀結(jié)構(gòu),即形成像素電極的陣列基板01表面是不平坦的,對該陣列基板01上的取向膜02進(jìn)行取向摩擦工藝,就會(huì)造成摩擦效果不均勻的問題首先,貼附在摩擦輥的摩擦布上的所有絨毛方向是一致的;當(dāng)貼附有摩擦布的摩擦輥和涂覆有PI(Polyimide,聚酰亞胺)取向膜02的陣列基板01接觸并相互摩擦的過程中,若絨毛在取向膜02上摩擦留下的溝痕方向與第一像素電極11的排布方向一致,則說明該陣列基板的第一像素區(qū)域21的凸起處和凹陷處都可被均勻地摩擦,但此時(shí)陣列基板的第二像素區(qū)域22的凸起處可以和絨毛接觸,而凹陷處則很難接觸到絨毛,這就導(dǎo)致了第二像素區(qū)域22摩擦不均勻,當(dāng)然整個(gè)陣列基板的取向膜摩擦也是不均勻的;同樣,若絨毛在取向膜02上摩擦留下的溝痕方向與第二像素電極12的排布方向一致,則也會(huì)導(dǎo)致整個(gè)陣列基板的取向膜摩擦效果不均勻。在液晶顯示面板中,取向摩擦不均勻的陣列基板會(huì)引起液晶分子在取向膜表面的定向效果降低,甚至還會(huì)造成液晶顯示面板在黑態(tài)下的漏光現(xiàn)象。所以,對設(shè)有至少兩個(gè)不同排布方向像素電極的陣列基板的取向膜進(jìn)行摩擦的過程中,會(huì)造成取向膜摩擦效果不均勻的這一問題亟待解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法,用以解決對設(shè)有至少兩種不同排布方向像素電極的陣列基板的取向膜進(jìn)行摩擦的過程中,所造成的取向膜摩擦效果不均勻的問題。為解決上述問題,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種取向膜摩擦裝置,包括至少一個(gè)摩擦輥,所述摩擦輥上有摩擦布;所述至少一個(gè)摩擦輥用于對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦;所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致,或與所述陣列基板上該像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。一種取向膜摩擦方法,包括利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕;所述摩擦輥上有摩擦布,所述陣列基板上設(shè)有至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極;
所述至少兩種溝痕的方向與所述至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極的排布方向
——對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法,通過利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,可以在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕,且至少兩種溝痕的方向與所述至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極的排布方向一一對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致;這就使得每一像素電極所在像素區(qū)域的取向膜的凸起處和凹陷處都可被均勻地摩擦,從而使得整個(gè)陣列基板的取向膜摩擦效果均勻。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為一種設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極的陣列基板示意圖;圖2為實(shí)施例一提供的一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法的示意圖;圖3為實(shí)施例二提供的一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法的示意圖;圖4為實(shí)施例三提供的一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法的示意圖;圖5為實(shí)施例四提供的一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法的示意圖。附圖標(biāo)記01_陣列基板,02-取向膜;11-第一像素電極,12-第二像素電極;21-第一像素區(qū)域,22-第二像素區(qū)域;31_摩擦輥;41、51、61_第一摩擦輥,42、52、62_第二摩擦輥。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種取向膜摩擦裝置,包括至少一個(gè)摩擦輥,所述摩擦輥上貼附有摩擦布;所述至少一個(gè)摩擦輥用于對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦;所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致,或與所述陣列基板上該像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。其中,在本發(fā)明所有實(shí)施例中所述摩擦輥是指貼附有摩擦布的摩擦輥,所述摩擦體為絨毛或其他具有摩擦特征的類似物;另外,摩擦輥在取向膜上留下一種溝痕所進(jìn)行的摩擦,稱為一次摩擦。所述像素電極的排布方向是指該像素電極長度的方向。進(jìn)一步的,所述取向膜摩擦裝置還包括控制器;所述控制器用于控制所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向;
在所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致的情況下,所述控制器用于控制該一個(gè)摩擦棍繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致;從而使得所述一個(gè)摩擦輥在陣列基板的取向膜上摩擦留下的溝痕與所述其中一個(gè)像素電極的排布方向一致。在所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上該像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱的情況下,所述控制器用于控制該一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反;從而使得所述一個(gè)摩擦輥在陣列基板的取向膜上摩擦留下的溝痕與所該像素電極的排布方向一致。
進(jìn)一步的,上述取向膜摩擦裝置還可以用于對彩膜基板進(jìn)行摩擦;此時(shí),所述至少一個(gè)摩擦輥還用于對彩膜基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦。本發(fā)明還提供了使用上述取向膜摩擦裝置對取向膜進(jìn)行摩擦的方法,該方法包括利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕;所述摩擦輥上貼附有摩擦布,所述陣列基板上設(shè)有至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極;所述至少兩種溝痕的方向與所述至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極的排布方向
——對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致。優(yōu)選的,所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致;此時(shí),所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括所述一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致,該一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與所述其中一個(gè)像素電極的排布方向一致的溝痕。或者優(yōu)選的,所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱;此時(shí),所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括所述一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反,該一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與所述其中一個(gè)像素電極的排布方向一致的溝痕。另外,上述取向膜摩擦方法還包括利用至少一個(gè)摩擦輥對彩膜基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在彩膜基板的取向膜上留下至少兩種溝痕;其中,在彩膜基板的取向膜上
留下的至少兩種溝痕的方向與在陣列基板的取向膜上留下的至少兩種溝痕的方向--對
應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法,通過利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,可以在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕,且至少兩種溝痕的方向與所述至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極的排布方向一一對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致;這就使得每一像素電極所在像素區(qū)域的取向膜的凸起處和凹陷處都可被均勻地摩擦,從而使得整個(gè)陣列基板的取向膜摩擦效果均勻。實(shí)施例一下面將針對具體情況,對上述取向膜摩擦裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。所述具體情況如圖2所示,取向膜摩擦裝置包括一個(gè)摩擦輥31,該摩擦輥31對設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極的陣列基板01的取向膜02進(jìn)行摩擦。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,即第一像素電極11和第二像素電極12。如圖2所示的取向膜摩 擦示意圖中,取向膜摩擦裝置包括一個(gè)摩擦輥31,所述摩擦輥31上貼附有摩擦布;所述一個(gè)摩擦輥31用于對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行兩次摩擦。對于陣列基板上其中一個(gè)像素電極而言,所述摩擦輥上摩擦布的絨毛的傾斜方向與該像素電極的排布方向一致;或者,與該像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。圖2所示的取向膜摩擦示意圖中,對于陣列基板01上的第一像素電極11而言,所述摩擦輥31上摩擦布的絨毛的傾斜方向與該第一像素電極11的排布方向一致;另夕卜,由于在本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板上,第一像素電極11的排布方向和第二像素電極12的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱,故對于陣列基板01上的第二像素電極12而言,所述摩擦輥31上摩擦布的絨毛的傾斜方向與第二像素電極12的排布方向以該陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。如圖2所示,取向膜摩擦裝置還包括控制器;所述控制器用于控制所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向;對于第一像素電極11而言,所述摩擦輥上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第一像素電極11的排布方向一致,此時(shí),所述控制器用于控制該摩擦輥31繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向一致。在本發(fā)明所有實(shí)施例中,所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向是指,該摩擦輥繞其長軸旋轉(zhuǎn)在其與陣列基板接觸點(diǎn)的切線方向。例如,圖2中的陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰希蛔晕飨驏|看,所述控制器用于控制摩擦輥31繞其長軸為逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),且在其與陣列基板01接觸點(diǎn)的切線方向?yàn)樽员毕蚰?;此時(shí),該摩擦輥31繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與陣列基板01的行進(jìn)方向一致,使得摩擦輥31在陣列基板01的取向膜02上摩擦留下的溝痕與第一像素電極11的排布方向一致。對于第二像素電極12而言,所述摩擦輥31上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第二像素電極12的排布方向以該陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱,所述控制器用于控制該一個(gè)摩擦輥31繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向相反。例如,圖2中的陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰希蛔晕飨驏|看,所述控制器用于控制摩擦輥31繞其長軸為順時(shí)針旋轉(zhuǎn),且在其與陣列基板接觸點(diǎn)的切線方向?yàn)樽阅舷虮?;此時(shí),該摩擦輥31繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與陣列基板01的行進(jìn)方向相反,使得摩擦輥31在陣列基板01的取向膜02上摩擦留下的溝痕與第二像素電極12的排布方向一致。針對圖2中的取向膜摩擦裝置,本發(fā)明實(shí)施例還提供了與之相對應(yīng)的取向膜摩擦方法。在圖2所示的取向膜摩擦裝置中的摩擦輥31上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第一像素電極11的排布方向一致,且第一像素電極11的排布方向和第二像素電極12的排布方向以該陣列基板Ol的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱,也就是說,該摩擦輥31上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第二像素電極12的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。所述取向摩擦方法包括
(I)陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,控制器控制摩擦棍31繞其長軸的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),即該摩擦輥31的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽员毕蚰?;該摩擦輥對陣列基?1的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板01的取向膜02上留下一種與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕。(2)陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,控制器控制摩擦輥31繞其長軸的順時(shí)針旋轉(zhuǎn),即該摩擦輥31的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽阅舷虮保辉撃Σ凛亴﹃嚵谢?1的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板01的取向膜02上留下一種與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕。上述兩步驟,可以按照先步驟(I)再步驟(2)的順序,也可以按照先步驟(2)再步驟⑴的順序。本發(fā)明實(shí)施例提供的方案,利用一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行兩次摩擦,其中進(jìn)行一次摩擦,在該取向膜上留下與第一像素電極的排布方向一致的溝痕,進(jìn)行另一次摩擦,在該取向膜上留下與第二像素電極的排布方向一致的溝痕;從而使得第一像素區(qū)域21、第二像素區(qū)域22的凸起處和凹陷處都被均勻的摩擦,進(jìn)而使得整個(gè)取向膜摩擦效果均勻。需要說明的是,為使彩膜基板的取向膜和陣列基板的取向膜產(chǎn)生一致的摩擦效果,故上述取向膜摩擦裝置及摩擦方法也都適用于對彩膜基板的取向膜的摩擦。實(shí)施例二 本發(fā)明實(shí)施例提供另一種取向膜摩擦裝置及摩擦方法。如圖3所示,取向膜摩擦裝置包括兩個(gè)摩擦輥,分別為第一摩擦輥41和第二摩擦輥42 ;所述摩擦輥41、42對設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極的陣列基板01的取向膜02進(jìn)行摩擦。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,即第一像素電極11和第二像素電極12。如圖3所示的取向膜摩擦示意圖中,取向膜摩擦裝置包括兩個(gè)摩擦輥41、42,所述摩擦輥41、42上貼附有摩擦布;所述兩個(gè)摩擦輥41、42用于對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行兩次摩擦。其中,所述兩個(gè)摩擦輥41、42用于對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行兩次摩擦是指,第一摩擦輥41對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,第二摩擦輥42對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行另一次摩擦。本發(fā)明實(shí)施例中的這種設(shè)計(jì)是使用兩個(gè)摩擦輥41、42同時(shí)分別對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,相對于實(shí)施例一而言,本實(shí)施例中的方案有利于提高摩擦效率;當(dāng)然,需要說明的是,若是兩個(gè)摩擦輥41、42先后對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,也是可以的。圖3所示的取向膜摩擦示意圖中,第一摩擦輥41上摩擦布的絨毛的傾斜方向與該第一像素電極11的排布方向一致;第二摩擦輥42上摩擦布的絨毛的傾斜方向與第二像素電極12的排布方向一致。取向膜摩擦裝置還包括控制器;所述控制器用于控制所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向;每個(gè)摩擦輥連接一個(gè)控制器或者所述兩個(gè)摩擦輥共同連接一個(gè)控制器,圖3所示以兩個(gè)摩擦輥41、42共同連接一個(gè)控制器為例,該控制器用于控制與其連接的兩個(gè)摩擦輥的繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向。所述第一摩擦輥41上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板上第一像素電極11的排布方向一致,此時(shí),所述控制器用于控制第一摩擦輥41繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向一致;所述第二摩擦輥42上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板上第二像素電極12的排布方向一致,此時(shí),所述控制器用于控制該第二摩擦輥42繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向一致。例如,圖3中的陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,所述控制器用于控制摩擦輥41、42繞其長軸為逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),且在摩擦輥41、42與陣列基板01接觸點(diǎn)的切線方向?yàn)樽员毕蚰?;此時(shí),摩擦輥41、42繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與陣列基板01的行進(jìn)方向一致,使得摩擦輥41、42在陣列基板01的取向膜02上摩擦留下的溝痕分別與第一像素電極11、第二像素電極12的排布方向一致。 針對圖3中的取向膜摩擦裝置,本發(fā)明實(shí)施例還提供了與之相對應(yīng)的取向膜摩擦方法。在圖3所示的取向膜摩擦裝置中的第一摩擦輥41上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第一像素電極11的排布方向一致,且第二摩擦輥42上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第二像素電極12的排布方向一致。所述取向摩擦方法包括所述第一摩擦輥41繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向一致,該第一摩擦輥41對陣列基板的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜02上留下一種方向與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕;例如,陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,控制器控制第一摩擦輥41繞其長軸的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),即第一摩擦輥41的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽员毕蚰?,使得第一摩擦?1在陣列基板的取向膜02上留下與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕。并且,所述第二摩擦輥42繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向一致,該第二摩擦輥42對陣列基板的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜02上留下一種方向與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕;例如,陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰希蛔晕飨驏|看,控制器控制第二摩擦輥42繞其長軸的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),即第二摩擦輥42的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽员毕蚰?,使得第二摩擦?2在陣列基板的取向膜02上留下與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕。本發(fā)明實(shí)施例提供的方案,利用兩個(gè)摩擦輥對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行兩次摩擦,第一摩擦輥41在該取向膜上留下與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕,同時(shí)第二摩擦輥42在該取向膜上留下與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕;從而使得第一像素區(qū)域21、第二像素區(qū)域22的凸起處和凹陷處都被均勻的摩擦,進(jìn)而使得整個(gè)取向膜摩擦效果均勻。需要說明的是,為使彩膜基板的取向膜和陣列基板的取向膜產(chǎn)生一致的摩擦效果,故上述取向膜摩擦裝置及摩擦方法也都適用于對彩膜基板的取向膜的摩擦。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例提供另一種取向膜摩擦裝置及摩擦方法。如圖4所示,取向膜摩擦裝置包括兩個(gè)摩擦輥,分別為第一摩擦輥51、第二摩擦輥52 ;所述摩擦輥對設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極的陣列基板的取向膜02進(jìn)行摩擦。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,即第一像素電極11和第二像素電極12。如圖4所示的取向膜摩擦示意圖中,取向膜摩擦裝置包括兩個(gè)摩擦輥51、52,所述摩擦輥51、52上貼附有摩擦布;所述兩個(gè)摩擦輥51、52用于對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行兩次摩擦。其中,所述兩個(gè)摩擦輥用于對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行兩次摩擦是指,第一摩擦輥51對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,第二摩擦輥52對陣列基板01的取向膜02進(jìn)行另一次摩擦。進(jìn)一步的,圖4所示的取向膜摩擦示意圖中,第一摩擦輥51上摩擦布的絨毛的傾斜方向與該第一像素電極11的排布方向一致;第二摩擦輥52上摩擦布的絨毛的傾斜方向與第二像素電極12的排布方向以該陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。取向膜摩擦裝置還包括控制器;所述控制器用于控制所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向;每個(gè)摩擦輥連接一個(gè)控制器或者所述兩個(gè)摩擦輥共同連接一個(gè)控制器,圖4所示以兩個(gè)摩擦輥51、52共同連接一個(gè)控制器為例,該控制器用于控制與其連接的兩個(gè)摩擦輥51、52的繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向。所述第一摩擦輥51上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第一像素電極11的排布方向一致,此時(shí),所述控制器用于控制該第一摩擦輥51繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致;所述第二摩擦輥52上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第二像素電極12的排布方向以該陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱,此時(shí),所述控制器用于控制該第二摩擦輥52繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向相反。例如,圖4中的陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?。自西向東看,所述控制器用于控制第一摩擦輥51繞其長軸為逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),且在第一摩擦輥51與陣列基板接觸點(diǎn)的切線方向?yàn)樽员毕蚰?;此時(shí),第一摩擦輥51繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與陣列基板01的行進(jìn)方向一致,使得第一摩擦輥51在陣列基板01的取向膜02上摩擦留下的溝痕與第一像素電極11的排布方向一致。同樣的,自西向東看,所述控制器用于控制第二摩擦輥52繞其長軸為順時(shí)針旋轉(zhuǎn),且在第二摩擦輥52與陣列基板接觸點(diǎn)的切線方向?yàn)樽阅舷虮?;此時(shí),第二摩擦輥52繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與陣列基板01的行進(jìn)方向相反,使得第二摩擦輥52在陣列基板的取向膜02上摩擦留下的溝痕與第二像素電極12的排布方向一致。針對圖4中的取向膜摩擦裝置,本發(fā)明實(shí)施例還提供了與之相對應(yīng)的取向膜摩擦方法。在圖4所示的取向膜摩擦裝置中的第一摩擦輥51上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板01上第一像素電極11的排布方向一致,且第二摩擦輥52上摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述陣列基板上第二像素電極12的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。所述取向摩擦方法包括
所述第一摩擦輥51繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向一致,該第一摩擦輥51對陣列基板的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜02上留下一種方向與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕;例如,陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,控制器控制第一摩擦輥51繞其長軸的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn),即第一摩擦輥51的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽员毕蚰?,使得第一摩擦?1在陣列基板的取向膜02上留下與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕。
并且,所述第二摩擦輥52繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反,該第二摩擦輥52對陣列基板的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜02上留下一種方向與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕;例如,陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,控制器控制第二摩擦輥52繞其長軸的順時(shí)針旋轉(zhuǎn),即第二摩擦輥52的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽阅舷虮?,使得第二摩擦?2在陣列基板OI的取向膜02上留下與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕。本發(fā)明實(shí)施例提供的方案,利用兩個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行兩次摩擦,第一摩擦輥在該取向膜上留下與第一像素電極的排布方向一致的溝痕,同時(shí)第二摩擦輥在該取向膜上留下與第二像素電極的排布方向一致的溝痕;從而使得第一像素區(qū)域21、第二像素區(qū)域22的凸起處和凹陷處都被均勻的摩擦,進(jìn)而使得整個(gè)取向膜摩擦效果均勻。 實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例提供又一種取向膜摩擦裝置及摩擦方法。如圖5所示,取向膜摩擦裝置包括兩個(gè)摩擦輥,分別為第一摩擦輥61、第二摩擦輥62 ;所述摩擦輥對設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極的陣列基板的取向膜02進(jìn)行摩擦。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,即第一像素電極11和第二像素電極12。并且,所述第一摩擦輥61上的摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述第一像素電極11的排布方向以陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱,所述第二摩擦輥62上的摩擦布的絨毛的傾斜方向與所述第二像素電極12的排布方向以陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。取向膜摩擦裝置還包括控制器;所述控制器用于控制所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向;每個(gè)摩擦輥連接一個(gè)控制器或者所述兩個(gè)摩擦輥共同連接一個(gè)控制器,圖5所示以兩個(gè)摩擦輥61、62共同連接一個(gè)控制器為例,該控制器用于控制與其連接的兩個(gè)摩擦輥的繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向。例如,圖5所示的摩擦示意圖中,所述控制器用于控制第一摩擦輥61繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向相反,還用于控制第二摩擦輥62繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向相反。例如圖5所示的摩擦裝置進(jìn)行取向膜摩擦的方法包括所述第一摩擦輥61繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向相反,該第一摩擦輥61對陣列基板的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜02上留下一種方向與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕;例如,陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰希蛔晕飨驏|看,控制器控制第一摩擦輥61繞其長軸的順時(shí)針旋轉(zhuǎn),即第一摩擦輥61的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽阅舷虮?,使得第一摩擦?1在陣列基板的取向膜02上留下與第一像素電極11的排布方向一致的溝痕。并且,所述第二摩擦輥62繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板01的行進(jìn)方向相反,該第二摩擦輥62對陣列基板的取向膜02進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜02上留下一種方向與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕;例如,陣列基板01的行進(jìn)方向?yàn)樽员毕蚰?;自西向東看,控制器控制第二摩擦輥62繞其長軸的順時(shí)針旋轉(zhuǎn),即第二摩擦輥62的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)樽阅舷虮?,使得第二摩擦?2在陣列基板的取向膜02上留下與第二像素電極12的排布方向一致的溝痕。
本發(fā)明實(shí)施例提供的方案,利用兩個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行兩次摩擦,第一摩擦輥在該取向膜上留下與第一像素電極的排布方向一致的溝痕,同時(shí)第二摩擦輥在該取向膜上留下與第二像素電極的排布方向一致的溝痕;從而使得第一像素區(qū)域21、第二像素區(qū)域22的凸起處和凹陷處都被均勻的摩擦,進(jìn)而使得整個(gè)取向膜摩擦效果均勻。需要說明的是,為使彩膜基板的取向膜和陣列基板的取向膜產(chǎn)生相同的摩擦效果,故上述取向膜摩擦裝置及摩擦方法也都適用于對彩膜基板的取向膜的摩擦。上述實(shí)施例的取向膜摩擦裝置及摩擦方法適用于基板上具有至少兩個(gè)的不同區(qū)域的取向。以上所述,僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為 準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種取向膜摩擦裝置,其特征在于,包括至少一個(gè)摩擦輥,所述摩擦輥上有摩擦布;所述至少一個(gè)摩擦輥用于對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦; 所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致,或與所述陣列基板上該像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的取向膜摩擦裝置,其特征在于,還包括控制器;所述控制器用于控制所述摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向; 在所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致的情況下,所述控制器用于控制該一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致; 在所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上該像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱的情況下,所述控制器用于控制該一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的取向膜摩擦裝置,其特征在于,所述至少一個(gè)摩擦輥還用于對彩膜基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦。
4.一種取向膜摩擦方法,其特征在于,包括利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕;所述摩擦輥上有摩擦布,所述陣列基板上設(shè)有至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極; 所述至少兩種溝痕的方向與所述至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極的排布方向一一對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的取向膜摩擦方法,其特征在于,所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向一致; 所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括 所述一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致,該一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與所述其中一個(gè)像素電極的排布方向一致的溝痕。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的取向膜摩擦方法,其特征在于,所述至少一個(gè)摩擦輥中的一個(gè)摩擦輥上摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述陣列基板上其中一個(gè)像素電極的排布方向以該陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱; 所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括 所述一個(gè)摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反,該一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與所述其中一個(gè)像素電極的排布方向一致的溝痕。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的取向膜摩擦方法,其特征在于,所述摩擦輥的個(gè)數(shù)為兩個(gè),分別為第一摩擦輥和第二摩擦輥;所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,分別為第一像素電極和第二像素電極;且所述第一摩擦輥上的摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述第一像素電極的排布方向一致,所述第二摩擦輥上的摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述第二像素電極的排布方向一致; 所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括 所述第一摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致,該第一摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與第一像素電極的排布方向一致的溝痕;并且, 所述第二摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致,該第二摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與第二像素電極的排布方向一致的溝痕。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的取向膜摩擦方法,其特征在于,所述摩擦輥的個(gè)數(shù)為兩個(gè),分別為第一摩擦輥和第二摩擦輥;所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,分別為第一像素電極和第二像素電極;且所述第一摩擦輥上的摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述第一像素電極的排布方向一致,所述第二摩擦輥上的摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述第二像素電極的排布方向以陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱; 所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括 所述第一摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向一致,該第一摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與第一像素電極的排布方向一致的溝痕;并且, 所述第二摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反,該第二摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與第二像素電極的排布方向一致的溝痕。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的取向膜摩擦方法,其特征在于,所述摩擦輥的個(gè)數(shù)為兩個(gè),分別為第一摩擦輥和第二摩擦輥;所述陣列基板上設(shè)有兩個(gè)不同排布方向的像素電極,分別為第一像素電極和第二像素電極;且所述第一摩擦輥上的摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述第一像素電極的排布方向以陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱,所述第二摩擦輥上的摩擦布的摩擦體的傾斜方向與所述第二像素電極的排布方向以陣列基板的行進(jìn)方向?yàn)檩S呈軸對稱; 所述利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕包括 所述第一摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反,該第一摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與第一像素電極的排布方向一致的溝痕;并且, 所述第二摩擦輥繞其長軸的旋轉(zhuǎn)方向與所述陣列基板的行進(jìn)方向相反,該第二摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行一次摩擦,使得在陣列基板的取向膜上留下一種方向與第二像素電極的排布方向一致的溝痕。
10.根據(jù)權(quán)利要求4 9所述的取向膜摩擦方法,其特征在于,還包括利用至少一個(gè)摩擦輥對彩膜基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在彩膜基板的取向膜上留下至少兩種溝痕;其中,在彩膜基板的取向膜上留下的至少兩種溝痕的方向與在陣列基板的取向膜上留 下的至少兩種溝痕的方向—對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種取向膜摩擦裝置和摩擦方法,涉及液晶顯示領(lǐng)域,用以解決對設(shè)有至少兩種不同排布方向像素電極的陣列基板的取向膜摩擦,所造成的取向膜摩擦效果不均勻的問題。所述取向膜摩擦方法,利用至少一個(gè)摩擦輥對陣列基板的取向膜進(jìn)行至少兩次摩擦,在陣列基板的取向膜上留下至少兩種溝痕;所述摩擦輥上有摩擦布,所述陣列基板上設(shè)有至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極;所述至少兩種溝痕的方向與所述至少兩個(gè)不同排布方向的像素電極的排布方向一一對應(yīng),且相對應(yīng)的兩方向一致。本發(fā)明提供的方案適用于液晶顯示面板生產(chǎn)過程中取向膜的摩擦工藝。
文檔編號(hào)G02F1/1337GK102629026SQ20111016082
公開日2012年8月8日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者劉文智, 宋省勳, 肖昂, 馬俊才, 高翔 申請人:北京京東方光電科技有限公司
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