專利名稱：顯示裝置以及顯示陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種能免受靜電放電損害的顯示裝置以及顯示陣列基板。
背景技術(shù)：
目前，顯示裝置例如液晶顯示器因具有高畫質(zhì)、環(huán)保、耗電低、輻 射小等優(yōu)勢(shì)而逐漸成為市場(chǎng)的主流。一般的液晶顯示器通常包括顯示陣列基板、共享電極基板以及設(shè)置于顯示陣列基板與共享電極基板之間的液晶顯示層。其中，顯示陣列基板上以半導(dǎo)體制程技術(shù)形成有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極以及多個(gè)像素晶體管等線路與元件；共享電極基板上形成有共享電極，以與像素電極一起驅(qū)動(dòng)液晶顯示層中的液晶分子。
目前液晶顯示器的靜電放電(ESD)擊傷大多數(shù)會(huì)發(fā)生在制造的過(guò)程中，如陣列 (array)、組立(cell)、模組(module)制程段等；雖然在基板上有設(shè)計(jì)ESD導(dǎo)通的線路盡量減少在陣列、組立制程段ESD電荷的聚集，但在模組制程段就靠機(jī)臺(tái)及操作人員的ESD防護(hù)，致使模組制程段時(shí)有發(fā)生集成電路芯片墊片(IC pad)或是兩顆IC之間ESD擊傷現(xiàn)象，造成良率下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠分散靜電的顯示裝置以及顯示陣列基板，以保護(hù)顯示裝置以及顯示陣列基板免受靜電放電損害。具體地，本發(fā)明實(shí)施例提出的一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示陣列基板、共享電極基板及顯示層。顯示陣列基板包括顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)芯片接合區(qū)。顯示層夾設(shè)于顯示陣列基板與共享電極基板之間。顯示陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電回路，導(dǎo)電回路穿過(guò)芯片接合區(qū)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的芯片接合區(qū)通過(guò)多條扇出(fan out)導(dǎo)線與顯示區(qū)域形成電性連接，導(dǎo)電回路不與這些扇出導(dǎo)線相連接。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的每一個(gè)芯片接合區(qū)內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)芯片與這些扇出導(dǎo)線電性連接，驅(qū)動(dòng)芯片可為柵極驅(qū)動(dòng)芯片或源極驅(qū)動(dòng)芯片。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的共享電極基板上形成有共享電極，導(dǎo)電回路與共享電極電性連接。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的顯示區(qū)域內(nèi)形成有儲(chǔ)存電容，共享電極通過(guò)銀膠與儲(chǔ)存電容電性連接，導(dǎo)電回路通過(guò)銀膠與共享電極形成電性相接。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的共享電極基板通過(guò)導(dǎo)電橡膠與顯示陣列基板相黏合，導(dǎo)電回路通過(guò)導(dǎo)電橡膠與共享電極形成電性相接。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電回路環(huán)繞顯示區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例提出的一種顯示陣列基板，包括顯示區(qū)域、周邊區(qū)域及導(dǎo)電回路。周邊區(qū)域環(huán)繞顯示區(qū)域設(shè)置，周邊區(qū)域具有至少一個(gè)芯片接合區(qū)。導(dǎo)電回路形成于周邊區(qū)域內(nèi)并穿過(guò)芯片接合區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置及顯示陣列基板通過(guò)在顯示陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電回路，并且導(dǎo)電回路穿過(guò)芯片接合區(qū)，以將累積于顯示陣列基板上某處的靜電導(dǎo)向整個(gè)顯示陣列基板并可均勻分布到整個(gè)顯示陣列基板上，從而可減少顯示陣列基板上IC及其它線路的靜電放電損害。此外，通過(guò)使導(dǎo)電回路進(jìn)一步電性耦接至共享電極基板，可將靜電進(jìn)一步導(dǎo)通到整片的共享電極上，由此可增加靜電保護(hù)效果。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。



圖I是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖I所示的顯示陣列基板的俯視示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示陣列基板上的芯片接合區(qū)內(nèi)設(shè)置驅(qū)動(dòng)芯片的俯視不意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的顯示裝置以及顯示陣列基板其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過(guò)具體實(shí)施方式
的說(shuō)明，可對(duì)本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效有一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說(shuō)明之用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。圖I是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示裝置立體結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖1，液晶顯示裝置包括兩相對(duì)設(shè)置的顯示陣列基板10與共享電極基板30、以及夾設(shè)于顯示陣列基板10與共享電極基板30之間的液晶顯示層20。共享電極基板30鄰近液晶顯示層20的一側(cè)設(shè)置有共享電極31。共享電極31可采用ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)或IZO(Zn Indium oxide,氧化鋅銦)等透明導(dǎo)電材料制成。液晶顯示層20可通過(guò)注入液晶材料而制成。在此需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例僅以液晶顯示裝置作為舉例說(shuō)明，并非用來(lái)限制本發(fā)明，例如可將液晶顯示裝置變更為電子紙顯示裝置，相應(yīng)地液晶顯示層20對(duì)應(yīng)變更為電子紙顯示層例如微膠囊型(micro-capsule type)、微杯型(micro-cup type)或電子粉流體型(liquid powder type)電子紙顯示層。圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示陣列基板的俯視示意圖。請(qǐng)參考圖2，顯示陣列基板10包括顯示區(qū)域(display region) 104以及顯示區(qū)域104外圍的周邊區(qū)域(periphery region)105。顯示區(qū)域104內(nèi)設(shè)置有多條柵極線GL、多條數(shù)據(jù)線SL、以及與柵極線GL和數(shù)據(jù)線SL電性耦接的多個(gè)像素P，柵極線GL與數(shù)據(jù)線SL交叉設(shè)置。圖2中僅示出一條柵極線GL、一條數(shù)據(jù)線SL以及一個(gè)像素P作為舉例。具體地，如圖2所示，像素P包括晶體管、儲(chǔ)存電容Cst以及液晶電容Clc。晶體管的柵極電性耦接至柵極線GL，晶體管的源/漏極電性耦接至數(shù)據(jù)線SL，晶體管的漏/源極電性耦接至儲(chǔ)存電容Cst與液晶電容Clc的一端，液晶電容Clc的另一端以接收共享電位Vcom，儲(chǔ)存電容Cst的另一端電性耦接至共享電極31以接收共享電位Vcom。周邊區(qū)域105內(nèi)設(shè)置有芯片接合區(qū)106以接合設(shè)置于芯片接合區(qū)106內(nèi)的芯片。本發(fā)明僅以兩個(gè)芯片接合區(qū)106作為舉例說(shuō)明，但并非用來(lái)限制本發(fā)明。芯片接合區(qū)106通過(guò)多條扇出導(dǎo)線1061與顯示區(qū)域104形成電性連接。周邊區(qū)域105內(nèi)還設(shè)置有導(dǎo)電回路102,其環(huán)繞顯示區(qū)域104設(shè)置并穿過(guò)(passing through)芯片接合區(qū)106,但不與扇出導(dǎo)線1061相連。在這里，扇出導(dǎo)線1061位于芯片接合區(qū)106與顯示區(qū)域104之間，并與柵極線GL及數(shù)據(jù)線SL分別電性連接。綜上所述，導(dǎo)電回路102穿過(guò)芯片接合區(qū)106并環(huán)繞顯示區(qū)域104，所以現(xiàn)有技術(shù)中累積于顯示陣列基板10上某處的靜電可通過(guò)導(dǎo)電回路102導(dǎo)向整個(gè)顯示陣列基板10并 可均勻分布到整個(gè)顯示陣列基板10上，而不會(huì)聚集在某處，從而可減少顯示陣列基板上IC及其它線路的靜電放電損害。圖3是圖I所示的顯示陣列基板上的芯片接合區(qū)內(nèi)設(shè)置驅(qū)動(dòng)芯片的俯視示意圖。請(qǐng)參考圖3，芯片接合區(qū)106內(nèi)設(shè)置有柵極驅(qū)動(dòng)芯片1062或源極驅(qū)動(dòng)芯片1063，但本發(fā)明并不以此為限，例如芯片接合區(qū)106內(nèi)也可設(shè)置其它驅(qū)動(dòng)芯片。柵極驅(qū)動(dòng)芯片1062或源極驅(qū)動(dòng)芯片1063分別與對(duì)應(yīng)的扇出導(dǎo)線1061相電性連接且不與導(dǎo)電回路102相連。導(dǎo)電回路102穿過(guò)芯片接合區(qū)106的部分(如圖3中的虛線部分)則位于柵極驅(qū)動(dòng)芯片1062或源極驅(qū)動(dòng)芯片1063的下方。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。請(qǐng)參考圖4，銀膠40通過(guò)形成在顯示陣列基板10上的導(dǎo)電體11與各個(gè)像素的儲(chǔ)存電容Cst電性耦接，并且銀膠40還電性耦接至共享電極31 ;因此，導(dǎo)電回路102可通過(guò)銀膠40與共享電極31形成電性相接(未示出)。圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。請(qǐng)參考圖5，共享電極基板30通過(guò)導(dǎo)電橡膠50與顯示陣列基板10相黏合，因此導(dǎo)電回路102可通過(guò)導(dǎo)電橡膠50與共享電極31形成電性相接(未示出)。在這里，導(dǎo)電橡膠50為具有導(dǎo)電特性的黏膠。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于導(dǎo)電回路102可通過(guò)導(dǎo)電橡膠50或者銀膠40電性耦接至共享電極31，這樣導(dǎo)電回路102可以將累積于顯示陣列基板10上的靜電荷經(jīng)由導(dǎo)電橡膠50或者銀膠40導(dǎo)通到整片共享電極31上，從而進(jìn)一步增加靜電保護(hù)效果?？偨Y(jié)來(lái)說(shuō)，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置及顯示陣列基板10通過(guò)在顯示陣列基板10的周邊區(qū)域105內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電回路102，并且導(dǎo)電回路102穿過(guò)芯片接合區(qū)106，以將累積于顯示陣列基板10上某處的靜電荷導(dǎo)向整個(gè)顯示陣列基板10并可均勻分布到整個(gè)顯示陣列基板10上，從而可減少顯示陣列基板上IC及其它線路的靜電放電損害。此夕卜，通過(guò)使導(dǎo)電回路102進(jìn)一步電性耦接至共享電極基板30，可將靜電荷進(jìn)一步導(dǎo)通到整片的共享電極31上，由此可增加靜電保護(hù)效果。另外需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的上述實(shí)施例是以導(dǎo)電回路102完全環(huán)繞顯示區(qū)域104作為舉例，但本發(fā)明并非以此為限，也可對(duì)導(dǎo)電回路102的分布區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)變更，例如僅將導(dǎo)電回路102設(shè)置于周邊區(qū)域105的大部分區(qū)域且穿過(guò)芯片接合區(qū)106但不完全環(huán)繞顯示區(qū)域104，只要其能達(dá)成將累積于顯示陣列基板10上某處的靜電荷適當(dāng)?shù)胤稚⒌哪康木?。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更 動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征是所述顯示裝置包括 顯示陣列基板，所述顯示陣列基板包括顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，所述周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少ー個(gè)芯片接合區(qū)； 共孕電極基板；以及 顯示層，夾設(shè)于所述顯示陣列基板與所述共享電極基板之間； 其中，所述顯示陣列基板的所述周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電回路，所述導(dǎo)電回路穿過(guò)所述至少ー個(gè)芯片接合區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征是所述至少一個(gè)芯片接合區(qū)通過(guò)多條扇出導(dǎo)線與所述顯示區(qū)域形成電性連接，所述導(dǎo)電回路不與所述這些扇出導(dǎo)線相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征是每ー個(gè)所述芯片接合區(qū)內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片與所述這些扇出導(dǎo)線電性連接，所述驅(qū)動(dòng)芯片為柵極驅(qū)動(dòng)芯片或源極驅(qū)動(dòng)芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征是所述共享電極基板上形成有共享電扱，所述導(dǎo)電回路與所述共享電極電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征是所述顯示區(qū)域內(nèi)形成有儲(chǔ)存電容，所述共享電極通過(guò)銀膠與所述儲(chǔ)存電容電性連接，所述導(dǎo)電回路通過(guò)所述銀膠與所述共享電極形成電性相接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征是所述共享電極基板通過(guò)導(dǎo)電橡膠與所述顯示陣列基板相黏合，所述導(dǎo)電回路通過(guò)所述導(dǎo)電橡膠與所述共享電極形成電性相接。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征是所述導(dǎo)電回路環(huán)繞所述顯示區(qū)域。
8.—種顯示陣列基板，其特征是所述顯示陣列基板包括 顯示區(qū)域； 周邊區(qū)域，環(huán)繞所述顯示區(qū)域設(shè)置，所述周邊區(qū)域具有至少ー個(gè)芯片接合區(qū)；以及 導(dǎo)電回路，形成于所述周邊區(qū)域內(nèi)并穿過(guò)所述芯片接合區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示陣列基板，其特征是所述至少一個(gè)芯片接合區(qū)通過(guò)多條扇出導(dǎo)線與所述顯示區(qū)域形成電性連接，所述導(dǎo)電回路不與所述這些扇出導(dǎo)線相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示陣列基板，其特征是每ー個(gè)所述芯片接合區(qū)內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片與所述這些扇出導(dǎo)線電性連接，所述驅(qū)動(dòng)芯片為柵極驅(qū)動(dòng)芯片或源極驅(qū)動(dòng)芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示陣列基板，其特征是所述導(dǎo)電回路環(huán)繞所述顯示區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，該顯示裝置包括顯示陣列基板、共享電極基板以及顯示層，顯示陣列基板包括顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域，周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)芯片接合區(qū)；顯示層夾設(shè)于顯示陣列基板與共享電極基板之間；顯示陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電回路，導(dǎo)電回路穿過(guò)芯片接合區(qū)。本發(fā)明還涉及一種顯示陣列基板。本發(fā)明顯示裝置以及顯示陣列基板能免受靜電放電損害。
文檔編號(hào)G02F1/1345GK102768422SQ20111013339
公開日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月2日
發(fā)明者周佩如, 陳家弘 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司