專利名稱：硅類液晶取向劑、液晶取向膜及液晶顯示元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含將烷氧基硅烷 縮聚而得的聚硅氧烷的硅類液晶取向劑及由所述液晶取向劑得到的液晶取向膜以及具有該液晶取向膜的液晶顯示元件。
背景技術(shù)：
已知液晶顯示元件一般具有將在透明電極上設(shè)有以聚酰胺酸和/或聚酰亞胺為主要成分的液晶取向膜的2塊基板相對配置并在其間隙內(nèi)填充液晶物質(zhì)的結(jié)構(gòu)。最常見的方式為TN(扭轉(zhuǎn)向列，Twisted Nematic)型液晶顯示元件,還開發(fā)出了可實現(xiàn)比它更高的對比度的STN(超扭轉(zhuǎn)向列，Super Twisted Nematic)型、視角依賴性低的IPS(面內(nèi)切換， In-Plane Switching)型、垂直取向(VA:Vertical Alignment)型等。商業(yè)用途和家庭影院用的液晶投影儀的用途中，光源采用照射強度大的金屬鹵化物燈，所以需要既具有高耐熱性又具有高耐光性的液晶取向膜材料。在這樣的情況下，不僅是以往一直采用的聚酰亞胺等有機類的液晶取向膜材料， 無機類的液晶取向膜材料也受到關(guān)注。例如，作為涂布型的無機類取向膜的材料，提出有包含四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷與醇和乙二酸的反應(yīng)生成物的取向劑組合物，有報道稱其在液晶顯示元件的電極基板上形成垂直取向性、耐熱性和均勻性良好的液晶取向膜。(參照專利文獻I)此外，還提出有包含四燒氧基娃燒、特定的二燒氧基娃燒和與水的反應(yīng)生成物以及特定的二醇醚類溶劑的液晶取向劑組合物，有報道稱所形成的液晶取向膜可防止顯示缺陷，長時間驅(qū)動后殘像特性也很好，使液晶取向的能力不會下降，且對于光和熱的電壓保持率的下降少。(參照專利文獻2)此外，近年來以液晶電視機為代表的液晶顯示元件的技術(shù)革新非常迅猛，為了實現(xiàn)技術(shù)的進步，特別是元件的長期可靠性的提高比以往更加受到重視，成為一大課題。因此，需要在再現(xiàn)性良好地獲得均質(zhì)的液晶取向膜的同時，獲得長期穩(wěn)定的膜。特別是在制造液晶顯示元件的過程中，不受環(huán)境的影響，再現(xiàn)性良好地獲得均質(zhì)的液晶取向膜在確保元件的可靠性方面是非常重要的。此外，為了確保長期可靠性，對于從液晶顯示元件外部侵入的水分的耐受性也是很重要的。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I:日本專利特開平09-281502號公報專利文獻2:日本專利特開2005-250244號公報發(fā)明的概要發(fā)明所要解決的技術(shù)問題上述的無機類液晶取向膜在使用液晶取向劑成膜時如果殘存烷氧基或硅烷醇基， 則容易受到存在于空氣中的水分的影響。因此，一直以來難以獲得均質(zhì)的液晶取向膜，因而導(dǎo)致液晶顯示元件的可靠性下降，所以成為一大課題。另外，從液晶顯示元件外部侵入的水分、例如從密封構(gòu)件等侵入的水分也會對液晶取向膜造成影響，因此可能會導(dǎo)致液晶顯示元件的可靠性下降。因此，在使液晶顯示元件的可靠性提高方面，使液晶取向膜對于水分的耐受性提高是重要的課題。本發(fā)明的課題是提供可形成液晶取向性良好、膜的穩(wěn)定性高且不易受來自外部的水分影響、液晶顯示元件的電特性良好的液晶取向膜的硅類液晶取向劑、由該硅類液晶取向劑得到的液晶取向膜以及具有該液晶取向膜的液晶顯示元件。解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案 本發(fā)明可解決上述的課題，具有下述技術(shù)內(nèi)容。
[I]液晶取向劑，其特征在干，包含I種或2種以上的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基以及含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基，上述的前一種烴基和后一種烴基可都與同一聚硅氧烷結(jié)合，或者分別與不同的聚硅氧烷結(jié)合。[2]如[I]所述的液晶取向劑，其特征在于，包含同時具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基以及含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基的I種聚硅氧烷，或者包含分別具有前一種烴基和后一種烴基的2種聚硅氧烷。[3]如上述[I]或[2]所述的液晶取向劑，包含將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷和以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷(AB)；X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基，X2是碳原子數(shù)I 5的烷基，R1是碳原子數(shù)I 5的烷基，P表示O 2的整數(shù)；X3(Si(OR2)3)q ⑵X3是含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基，R2是碳原子數(shù)I 5的烷基，q表示I或2的整數(shù)。[4]如上述[I]或[2]所述的液晶取向劑，包含下述的聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)；聚硅氧烷(A)是將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷；X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基，X2是碳原子數(shù)I 5的烷基，R1是碳原子數(shù)I 5的烷基，P表示O 2的整數(shù)；聚硅氧烷(B)是將包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷；X3(Si(OR2)3)q ⑵X3是含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基，R2是碳原子數(shù)I 5的烷基，q表示I或2的整數(shù)。
[5]如上述[3]所述的液晶取向劑，所述聚硅氧烷(AB)是將還包括以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷；(X4)nSi (OR3) 4_n ⑶X4是氫原子或者可被鹵素原子、こ烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基，R3是碳原子數(shù)I 5的燒基，η表不O 3的整數(shù)。[6]如上述[4]所述的液晶取向劑，所述聚硅氧烷(A)是將包括以式⑴表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷；(X4)nSi (OR3) 4_n (3)X4是氫原子或者可被鹵素原子、こ烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基，R3是碳原子數(shù)I 5的 燒基，η表不O 3的整數(shù)。[7]如上述[4]或[6]所述的液晶取向劑，所述聚硅氧烷⑶是將包括以式⑵表不的燒氧基娃燒和以式(3)表不的燒氧基娃燒的燒氧基娃燒縮聚而得的聚娃氧燒；(X4)nSi (OR3) 4_n (3)X4是氫原子或者可被鹵素原子、こ烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基，R3是碳原子數(shù)I 5的燒基，η表不O 3的整數(shù)。[8]如上述[I] 上述[7]中的任一項所述的液晶取向劑，含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基是含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烷基或亞烷基。[9]如上述[8]所述的液晶取向劑，含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烷基或亞烷基是以式(SI)表示的基團；-P1-N-P2P3 (SI)式中，P1是可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的亞烷基，P2是氫原子或者可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的烷基，P3是可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的亞烷基或者可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 10的烷基。[10]如上述[I] [9]中的任一項所述的液晶取向劑，聚硅氧烷的含量以SiO2換算濃度計為O. 5 15質(zhì)量％。[11]如上述[5] [10]中的任一項所述的液晶取向劑，所述以式(3)表示的烷氧基娃燒是式(3)中的η為O的四燒氧基娃燒。[12]由上述[I] [11]中的任一項所述的液晶取向劑得到的液晶取向膜。[13]具備上述[12]所述的液晶取向膜的液晶顯示元件。[14]如上述[5]所述的液晶取向劑，所述聚硅氧烷(AB)通過包括下述エ序的方法制成使以式(I)表不的燒氧基娃燒和以式(3)表不的燒氧基娃燒在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷進行水解、縮合。[15]如上述[6]所述的液晶取向劑，所述聚硅氧烷(A)通過包括下述エ序的方法制成使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(I)表示的烷氧基硅烷進行水解、縮合。[16]如上述[7]所述的液晶取向劑，所述聚硅氧烷(B)通過包括下述エ序的方法制成使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷進行水解、縮合。發(fā)明的效果
如果采用本發(fā)明，則能夠獲得可形成顯示良好的液晶取向性且膜的穩(wěn)定性高的液晶取向膜、可得到電特性良好的液晶顯示元件的硅類液晶取向劑。此外，本發(fā)明的液晶取向膜不易受來自外部的水分影響，因此可獲得可靠性高的液晶顯示元件，特別是電特性的可Φ性聞、具備穩(wěn)定的聞畫質(zhì)液晶顯不兀件。對于通過使用本發(fā)明的液晶取向劑為何能夠獲得液晶取向性良好、特別是不易受來自外部的水分影響的可靠性高的液晶取向膜的機理并不清楚。但是，根據(jù)后述的本發(fā)明的實施例與比較例的對比可知，本發(fā)明的實施例中，即使在特定的條件下進行水處理的情況下，也可獲得與未進行該水處理的情況同等的高耐水性且電特性良好的液晶盒，因而認(rèn)為是由于本發(fā)明的液晶取向劑所含的聚硅氧烷同時具有特定的碳原子數(shù)的烴基和含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且含氧原子或硫原子的特定碳數(shù)的烴基。實施發(fā)明的方式本發(fā)明的液晶取向劑具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基(以下也稱第一特定有機基團)以及含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基(以下也稱第~■特定有機基團)。本發(fā)明的液晶取向劑包含具有上述第一特定有機基團和第二特定有機基團的I種或2種以上的聚硅氧烷，第一特定有機基團和第二特定有機基團可都與同一聚硅氧烷結(jié)合，或者分別與不同的聚硅氧烷結(jié)合。其中，本發(fā)明的液晶取向劑較好是包含同時具有第一特定有機基團和第二特定有機基團的I種聚硅氧烷，或者包含分別具有前一種烴基和后一種烴基的2種聚硅氧烷。其中，第一特定有機基團優(yōu)選可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)較好是8 22、更好是8 18的烴基。第一特定有機基團主要具有使液晶朝ー個方向取向的效果，作為其例子，可例舉烷基、氟代烷基、烯基、苯こ基、こ烯基苯基烷基、萘基、氟代苯基烷基等。第一特定有機基團所具有的氧原子、磷原子或硫原子中，較好是氧原子，作為其例子，可例舉烯丙氧基烷基、苯甲酰氧基烷基、烷氧基苯氧基烷基、環(huán)氧基環(huán)烷基等。特別是第一特定有機基團為烷基或氟代燒基的燒氧基娃燒由于價格便宜，容易作為市售品獲得，因此優(yōu)選。此外，第二特定有機基團優(yōu)選含ー個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子，碳原子數(shù)較好是2 12、更好是2 10的烴基。第二特定有機基團中，氮原子為伯氮原子是指像-NH2這樣氮原子與2個氫原子結(jié)合的情況。氮原子為仲氮原子是指像-NHR這樣氮原子與氫原子和R結(jié)合的情況。氮原子為叔氮原子是指像-NRR’這樣氮原子與R和R’結(jié)合的情況。在這里，R和R’表示可含氧原子或硫原子的I價烴基。第二特定有機基團較好是以下式(SI)表示的基團。-P1-N-P2P3 (SI)在這里，P1是可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)為I 5的亞烷基，P2是氫原子或者可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的烷基，P3是可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的亞烷基或者可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 10的烷基。作為以式(SI)表示的基團的具體例子，可以例舉以下基團氨基丙基、2-氨基こ基硫基こ基、N，N- ニこ基-3-氨基丙基、3-(N，N- ニ甲基氨基 丙基)、~■こ基氣基甲基、N-甲基氣基丙基、N-こ基氣基異丁基、正丁基氣基丙基、叔丁基氨基丙基、雙(2_輕基こ基)-3_氨基丙基、3-(N_烯丙基氨基)丙基、3_(叔丁氧基羰基氨基)丙基、3_(こ氧基羰基氨基)丙基、3-(4-羥基丁酰胺基)丙基、N-苯基氣基丙基、3_環(huán)己基氛基丙基、N-(3_甲基丙稀酸氧基-2_輕基丙基)-3_氛基丙基、N_(3_丙烯酰氧基-2_羥基丙基)-3-氨基丙基、3-((2-甲基丙烯酰氧基)こ氧基)羰基氨基)丙基、3-((こ烯氧基甲氧基)羰基氨基)丙基、(E)-3-(3-羧基丙烯酰胺基)丙基、-CH2-CH2-CH2-NH-CH2-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-N(CH3) -CH2-CH2-CH2-等。以下，對作為本發(fā)明的液晶取向劑的優(yōu)選形態(tài)的第一種形態(tài)和第二種形態(tài)進行說明。[本發(fā)明的第一種形態(tài)]包含將包括以下述的式(I)表示的烷氧基硅烷和以下述的式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷(AB)的液晶取向劑。X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)式(I)中的X1是第一特定有機基團，其定義包括優(yōu)選形態(tài)在內(nèi)如上所述。式(I)中的X2是碳原子數(shù)I 5、較好是I 3的烷基。更好是甲基或こ基。式(I)中的R1是碳原子數(shù)I 5、較好是I 3的烷基，更好是甲基或こ基。式
(I)中的P是O 2、較好是O I的整數(shù)。其中，以式⑴表示的烷氧基硅烷較好是以下述的式(1-1)表示的烷氧基硅烷。R4Si(OR5)3 (1-1)R4是可被氟原子取代的碳原子數(shù)8 30的烴基，R5表示碳原子數(shù)I 5的烷基。下面例舉上述以式(I)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于此。例如，可例舉辛基三甲氧基硅烷、辛基三こ氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三こ氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三こ氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三こ氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三こ氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三こ氧基硅烷、十九烷基三甲氧基硅烷、十九烷基三こ氧基硅烷、十一烷基ニこ氧基娃燒、十一燒基ニ甲氧基娃燒、21- 二十ニ碳稀基ニこ氧基娃燒、十ニ氣羊基ニ甲氧基硅烷、十三氟辛基三こ氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三こ氧基硅燒、異羊基ニこ氧基娃燒、苯こ基ニこ氧基娃燒、五氣苯基丙基ニ甲氧基娃燒、間こ稀基苯基こ基ニ甲氧基娃燒、對こ稀基苯基こ基ニ甲氧基娃燒、(1_蔡基)ニこ氧基娃燒、(1_蔡基)ニ甲氧基娃燒、稀丙氧基十一燒基ニこ氧基娃燒、苯甲酸氧基丙基ニ甲氧基娃燒、3-(4-甲氧基苯氧基)丙基ニ甲氧基娃燒、1-[ (2- ニこ氧基甲燒基)こ基]-3，4-環(huán)氧環(huán)己燒、2-( _■苯基勝基)こ基ニこ氧基娃燒、_■こ氧基甲基十八燒基娃燒、_■甲氧基甲基十八烷基硅烷、ニこ氧基十二烷基甲基硅烷、ニ甲氧基十二烷基甲基硅烷、ニこ氧基癸基甲基硅烷、ニ甲氧基癸基甲基硅烷、ニこ氧基辛基甲基硅烷、ニ甲氧基辛基甲基硅烷、こ氧基ニ甲基十八烷基硅烷、甲氧基ニ甲基十八烷基硅烷等。其中，較好是辛基三甲氧基硅烷、辛基三こ氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三こ氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三こ氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三こ氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三こ氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三こ氧基硅烷、十九烷基三甲氧基娃燒、十九燒基ニこ氧基娃燒、十一燒基ニこ氧基娃燒、十一燒基ニ甲氧基娃燒、_■こ氧基甲基十八烷基硅烷或ニこ氧基十二烷基甲基硅烷。上述具有第一特定有機基團的以式(I)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于獲得聚硅氧烷(AB)的全部烷氧基硅烷中低于O. I摩爾％時，可能會無法獲得良好的液晶取向性，因此較好是在O. I摩爾％以上，更好是在O. 5摩爾％以上，進ー步更好是在I摩爾％以上。此外，高于30摩爾％時，所形成的液晶取向膜可能會無法充分固化，因此較好是在30摩爾％以下，更好是在22摩爾％以下，進ー步更好是在15摩爾％以下。 X3(Si(OR2)3)q (2)上述式(2)中的X3是第二特定有機基團，其定義包括優(yōu)選形態(tài)在內(nèi)如上所述。式(2)中的R2如上述所定義，較好是碳原子數(shù)為I 3的烷基，更好是甲基或こ基。以式⑵表示的烷氧基硅烷中，q為I時是以式(2-1)表示的烷氧基硅烷。X3Si(OR2)3(2-1)此外，q為2時是以式(2-2)表示的烷氧基硅烷。(R2O)3Si-X3-Si(OR2)3 (2-2)下面例舉以上述式(2-1)和式(2-2)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于這些例子。X3為伯胺時的具體例子2_氨基こ基三甲氧基硅烷、2-氨基こ基三こ氧基硅烷、Y _氛基丙基ニ甲氧基娃燒、Y _氛基丙基ニこ氧基娃燒、3_氛基丙基ニ甲氧基甲基娃燒、3-氨基丙基ニこ氧基甲基硅烷、3-氨基丙基ニ甲基こ氧基硅烷、3-氨基丙基ニ甲基甲氧基硅烷、2-(2-氨基こ基硫基こ基)三こ氧基硅烷、2-(2-氨基こ基硫基こ基)三甲氧基硅烷、2-氨基こ基氨基甲基三甲氧基硅烷、2-氨基こ基氨基こ基三こ氧基硅烷、2-氨基こ基氨基こ基三甲氧基硅烷、2-氨基こ基氨基こ基三こ氧基硅烷、Y -脲基丙基三こ氧基娃燒、3_(2_氛基こ基氛基丙基)ニ甲氧基娃燒、3_(2_氛基こ基氛基丙基)ニこ氧基娃燒、3-(2-氨基こ基氨基丙基)ニ甲氧基甲基硅烷、3-(2-氨基こ基氨基丙基)ニ甲氧基甲基硅烷、3-[2-(氨基こ基氨基こ基氨基)丙基]三甲氧基硅烷、3-[2-(氨基こ基氨基こ基氨基)丙基]ニこ氧基娃燒；X3為仲胺或叔胺時的具體例子(N，N-ニこ基-3-氨基丙基)三こ氧基硅烷、(N, N-ニこ基-3_氛基丙基)ニ甲氧基娃燒、3_(N, N-ニ甲基氛基丙基)ニこ氧基娃燒、3-(N, N- ニ甲基氨基丙基)三甲氧基硅烷、ニこ基氨基甲基三こ氧基硅烷、ニこ基氨基甲基ニ甲氧基娃燒、N-甲基氛基丙基ニこ氧基娃燒、N-甲基氛基丙基ニ甲氧基娃燒、N-こ基氛基異丁基ニこ氧基娃燒、N-こ基氛基異丁基ニ甲氧基娃燒、正丁基氛基丙基ニこ氧基娃燒、正丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、叔丁基氨基丙基三こ氧基硅烷、叔丁基氨基丙基三甲氧基娃燒、雙(2_輕基こ基)-3_氛基丙基ニこ氧基娃燒、雙(2_輕基こ基)-3_氛基丙基ニ甲氧基娃燒、3_ (N-稀丙基氛基)丙基ニこ氧基娃燒、3_(N_稀丙基氛基)丙基ニ甲氧基娃燒、(3-三こ氧基甲硅烷基丙基)叔丁基氨基甲酸酷、(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)叔丁基氨基甲酸酷、三こ氧基甲硅烷基丙基こ基氨基甲酸酷、三甲氧基甲硅烷基丙基こ基氨基甲酸酷、N-(3-三こ氧基甲硅烷基丙基)-4-羥基丁酸胺、N- (3- ニ甲氧基甲娃燒基丙基)-4-輕基丁酸胺、N-苯基氨基丙基ニこ氧基娃燒、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)己基氨基丙基三こ氧基硅烷、3-環(huán)己基氨基丙基三甲氧基硅烷、雙(三こ氧基甲硅烷基丙基)胺、雙(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺、雙(三こ氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、雙(三甲氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、雙(甲基ニこ氧基甲硅烷基丙基)胺、雙(甲基ニ甲氧基甲硅烷基丙基)胺、N-(3-甲基丙烯酰氧基-2-羥基丙基)_3_氛基丙基ニこ氧基娃燒、N- (3-甲基丙稀酸氧基-2-輕基丙基)-3-氛基丙基ニ 甲氧基娃燒、N- (3-丙稀酸氧基-2-輕基丙基)-3-氛基丙基ニこ氧基娃燒、N- (3-丙稀酸氧基_2_輕基丙基)-3_氛基丙基ニ甲氧基娃燒、O-(甲基丙稀酸氧基こ基)~N_ ( ニこ氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸こ酷、0-(甲基丙烯酰氧基こ基)-N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸こ酷、0-(こ烯氧基こ基)-N-(三こ氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸こ酷、0-(こ烯氧基こ基)-N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸こ酷、三こ氧基甲硅烷基丙基馬來酰胺酸、三甲氧基甲硅烷基丙基馬來酰胺酸等。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(AB)可分別使用以式⑴表示的烷氧基硅烷和以式(2)表不的燒氧基娃燒各I種，也可以使用多種。上述具有第二特定有機基團的以式(2)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于獲得聚硅氧烷(AB)的全部烷氧基硅烷中低于0.5摩爾％時，可能會無法獲得良好的對水的可靠特性，因此較好是在O. 5摩爾％以上，更好是在I摩爾％以上。高于50摩爾％時，聚硅氧烷溶液的穩(wěn)定性可能會較差，因此較好是在50摩爾％以下，更好是在40摩爾％以下。對于聚硅氧烷(AB)，以式(I)表示的烷氧基硅烷的含量在所用的全部烷氧基硅烷中較好是O. I 30摩爾％，特別好是O. 5 22摩爾％，且以式(2)表示的烷氧基硅烷的含量在所用的全部烷氧基硅烷中較好是O. 5 50摩爾％，特別好是I. O 30摩爾％。本發(fā)明的聚硅氧烷(AB)除了以式(I)和式(2)表示的烷氧基硅烷以外，還可優(yōu)選使用以下述式(3)表示的烷氧基硅烷來獲得。以式(3)表示的烷氧基硅烷可賦予聚硅氧烷(AB)各種特性，因此可根據(jù)所需特性選擇ー種或多種使用。(X4)nSi (OR3) 4_n (3)在這里，X4是氫原子或者可被鹵素原子、こ烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基(以下也稱第三特定有機基團)，R3是碳原子數(shù)I 5的烷基，η表示O 3的整數(shù)。X4為第三特定有機基團時，該第三特定有機基團可具有脂肪族烴、脂肪族環(huán)、芳香族環(huán)、雜環(huán)等環(huán)結(jié)構(gòu)或者分支結(jié)構(gòu)，還可含有不飽和鍵或氧原子、硫原子、磷原子等雜原子等。此外，第三特定有機基團可如上所述被鹵素原子、こ烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基、丙烯酰氧基等取代。式(3)中的R3如上述所定義，較好是碳原子數(shù)為I 3的烷基，更好是甲基或こ基。式(3)中的η如上述所定義，較好是表示O 2的整數(shù)。下面例舉 上述以式(3)表示的烷氧基硅烷的具體例子，但并不僅限于此。作為式(3)的烷氧基硅烷中X4為氫原子時的烷氧基硅烷的具體例子，可例舉三甲
氧基硅烷、三こ氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三丁氧基硅烷等。此外，作為式(3)的烷氧基硅烷中X4為第三特定有機基團時的烷氧基硅烷的具體例子，可例舉甲基三甲氧基硅烷、甲基三こ氧基硅烷、こ基三甲氧基硅烷、こ基三こ氧基硅燒、丙基ニ甲氧基娃燒、丙基ニこ氧基娃燒、甲基ニ丙氧基娃燒、3-疏基丙基ニこ氧基娃燒、疏基甲基ニ甲氧基娃燒、こ稀基ニこ氧基娃燒、こ稀基ニ甲氧基娃燒、稀丙基ニこ氧基娃烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三こ氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三こ氧基硅烷、3-異氰酸酯基丙基三こ氧基娃燒、ニ氣丙基ニ甲氧基娃燒、氣丙基ニこ氧基娃燒、漠丙基ニこ氧基娃燒、3_疏基丙基ニ甲氧基硅烷、ニ甲基ニこ氧基硅烷、ニ甲基ニ甲氧基硅烷、ニこ基ニこ氧基硅烷、ニこ基ニ甲氧基娃燒、~■苯基_■甲氧基娃燒、_■苯基_■こ氧基娃燒、間こ稀基苯基ニ甲氧基娃燒、對こ稀基苯基ニ甲氧基娃燒、ニ甲基こ氧基娃燒、ニ甲基甲氧基娃燒等。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(AB)以改善與基板的密合性、與液晶分子的親合性等為目的，只要不破壞本發(fā)明的效果，可具有ー種或多種上述的第三特定有機基團。作為式(3)的燒氧基娃燒中η為O的燒氧基娃燒,更好是四甲氧基娃燒、四こ氧基娃燒、四丙氧基娃燒或四丁氧基娃燒，特別好是四甲氧基娃燒或四こ氧基娃燒。四燒氧基娃烷容易與以式(I)和式(2)表示的烷氧基硅烷縮合，所以在獲得本發(fā)明的聚硅氧烷時優(yōu)選。并用以式(3)表示的烷氧基硅烷的情況下，以式(3)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于獲得聚硅氧烷(AB)的全部烷氧基硅烷中較好是20 99. 4摩爾％，更好是45 99. 4摩爾％。進ー步更好是以式(3)表示的烷氧基硅烷為50 99. 8摩爾％。[本發(fā)明的第二種形態(tài)]本發(fā)明的第二種形態(tài)是包含下述的聚硅氧烷(A)和下述的聚硅氧烷(B)的液晶取向劑。聚硅氧烷(A)是將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)ΑΧ2、! 1、？分別與上述的定義相同。聚硅氧烷(B)是將包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。X3(Si(OR2)3)q (2)X3、R2、q分別與上述的定義相同。[聚硅氧烷(A)]聚硅氧烷(A)是將包括以下述式(I)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)這里的式⑴的れ第一特定有機基團hX2、! 1和P與上述的定義相同，各自的優(yōu)選形態(tài)也與上述相同。
上述以式(I)表示的烷氧基硅烷的說明包括其優(yōu)選形態(tài)在內(nèi)與上述聚硅氧烷(AB)的項中的以式(I)表示的烷氧基硅烷的說明相同。此外，本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(A)可具有多種第一特定有機基團。具有第一特定有機基團的以式(I)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于獲得聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中低于0.2摩爾％時，可能會無法獲得良好的液晶取向性，因此較好是在O. 2摩爾％以上，更好是在O. 5摩爾％以上，進ー步更好是在I摩爾％以上。此夕卜，高于30摩爾％時，所形成的液晶取向膜可能會無法充分固化，因此較好是在30摩爾％以下，更好是在25摩爾％以下，進ー步更好是在20摩爾％以下。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(A)較好是將在包含以式(I)表示的烷氧基硅烷的同時包含至少I種以下述式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。以式(3)表示的烷氧基硅烷可賦予聚硅氧烷各種特性，因此可根據(jù)需要從以式(3)表示的烷氧基硅烷中選擇ー種或多種使用。(X4)nSi (OR3) 4_n (3) 這里的式(3)的X4和R3包括其優(yōu)選形態(tài)在內(nèi)與聚硅氧烷(AB)的項的式(3)中的記載相同，且對于以式(3)表示的烷氧基硅烷的具體例子，也與聚硅氧烷(AB)的項中的記載相同。本發(fā)明中的聚硅氧烷(A)以改善與基板的密合性、與液晶分子的親合性等為目的，只要不破壞本發(fā)明的效果，可具有ー種或多種第三特定有機基團。獲得聚硅氧烷(A)吋，并用以式(3)表示的烷氧基硅烷的情況下，在用于獲得聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中，以式(3)表示的烷氧基硅烷較好是70 99. 8摩爾％，更好是75 99. 8摩爾％，進ー步更好是80 99. 8摩爾％。本發(fā)明中，聚硅氧烷㈧較好是將以式⑴表示的烷氧基硅烷和選自以式(3)表示的烷氧基硅烷的至少I種化合物縮聚而得的聚硅氧烷。[聚硅氧烷(B)]聚硅氧烷(B)是將包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。X3 {Si (0R2)丄 (2)這里的式⑵的X3 (第二特定有機基團)、R2和q與上述的定義相同，各自的優(yōu)選形態(tài)也與上述相同。此外，以式⑵表示的烷氧基硅烷的說明與上述聚硅氧烷(AB)的項中記載的以式
(2)表示的烷氧基硅烷的說明相同，也包括其優(yōu)選形態(tài)在內(nèi)適用所有的說明。此外，本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(B)可具有多種第二特定有機基團。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(B)可具有多種以式(2)表示的烷氧基硅烷。具有第二特定有機基團的以式(2)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于獲得聚硅氧烷(B)的全部烷氧基硅烷中低于I摩爾％時，可能會無法獲得良好的對水的可靠特性，因此較好是在I摩爾％以上，更好是在2摩爾％以上。高于60摩爾％時，聚硅氧烷溶液的穩(wěn)定性可能會較差，因此較好是在60摩爾％以下，更好是在50摩爾％以下。此外，本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(B)可以將在包含以式(2)表示的烷氧基硅烷的同時包含至少I種以下述式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得。
(X4)nSi(OR3)4^n (3)這里的式(3)的X4、R3和η包括其優(yōu)選形態(tài)在內(nèi)如聚硅氧烷(AB)的項中所記載，且對于以式(3)表示的烷氧基硅烷的具體例子，也與聚硅氧烷(AB)的項中的記載相同。本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(B)以改善與基板的密合性、與液晶分子的親合性等為目的，只要不破壞本發(fā)明的效果，可具有ー種或多種第三特定有機基團。對于聚硅氧烷(B)，并用以式(3)表示的烷氧基硅烷的情況下，在用于獲得聚硅氧烷(B)的全部烷氧基硅烷中，以式(3)表示的烷氧基硅烷較好是40 99摩爾％，更好是50 99摩爾％。本發(fā)明中，聚硅氧烷⑶較好是將包括以式(2)表示的烷氧基硅烷和以式⑶表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷。[聚硅氧烷(AB)的制造方法] 獲得用于本發(fā)明的聚硅氧烷(AB)的方法無特別限定。本發(fā)明中，使將上述的式
(I)和式(2)作為必需成分的烷氧基硅烷在有機溶劑中縮合而得。通常，聚硅氧烷(AB)通過將上述烷氧基硅烷縮聚而作為均勻溶解于有機溶劑的溶液獲得。作為將烷氧基硅烷縮聚的方法，可例舉例如將烷氧基硅烷在醇或ニ醇等溶劑中進行水解、縮合的方法。這時，水解縮合反應(yīng)可以是部分水解和完全水解中的任ー種。完全水解的情況下，理論上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5倍摩爾的水即可，但通常較好是加入超過O. 5倍摩爾的過量的水。本發(fā)明中，上述反應(yīng)中使用的水量可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇，但通常較好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5 2. 5倍摩爾。此外，為了促進水解縮合反應(yīng)，通常可使用下述催化劑鹽酸、硫酸、硝酸、こ酸、甲酸、こニ酸、馬來酸、富馬酸等酸，氨、甲胺、こ胺、こ醇胺、三こ胺等堿，鹽酸、硫酸、硝酸等的金屬鹽等。除此之外，通過加熱溶解有烷氧基硅烷的溶液來進ー步促進水解縮合反應(yīng)也是常用的方法。這時，加熱溫度和加熱時間可根據(jù)需要適當(dāng)選擇。例如，可例舉在50°C加熱攪拌24小時的方法、在回流下加熱攪拌I小時的方法等。此外，作為其它方法，可例舉例如加熱烷氧基硅烷、溶劑和こニ酸的混合物來進行縮聚的方法。具體來說，是預(yù)先在醇中加入こニ酸而制成こニ酸的醇溶液后，在加熱該溶液的狀態(tài)下混合烷氧基硅烷的方法。這時，こニ酸的使用量相對于烷氧基硅烷所具有的全部烷氧基I摩爾較好是O. 2 2摩爾。該方法中的加熱可在50 180°C的液溫下進行。較好是在不發(fā)生液體的蒸發(fā)、揮散等的條件下在回流下加熱數(shù)十分鐘 十?dāng)?shù)小時的方法。獲得本發(fā)明的聚硅氧烷(AB)時，使用多種烷氧基硅烷的情況下，可作為烷氧基硅烷預(yù)先混合而得的混合物進行混合，也可以依次混合多種的烷氧基硅烷。將烷氧基硅烷縮聚是所用的溶劑(以下也稱聚合溶剤)只要是溶解烷氧基硅烷的溶劑即可，無特別限定。此外，即使烷氧基硅烷不溶解的情況下，只要是可在烷氧基硅烷的縮聚反應(yīng)進行的同時溶解的溶劑即可。通常，通過烷氧基硅烷的縮聚反應(yīng)生成醇，因此可使用醇類、ニ醇類、ニ醇醚類或與醇類的相容性良好的有機溶剤。作為上述聚合溶劑的具體例子，可例舉甲醇、こ醇、丙醇、丁醇、雙丙酮醇等醇類；こニ醇、ニこニ醇、丙ニ醇、ニ丙ニ醇、己ニ醇、1，3-丙ニ醇、1，2-丁ニ醇、1，3- 丁ニ醇、1，4- 丁ニ醇、2，3- 丁ニ醇、1，2-戊ニ醇、1，3-戊ニ醇、1，4-戊ニ醇、1，5-戊ニ醇、2，4-戊ニ
醇、2，3-戊ニ醇、1，6-己ニ醇等ニ醇類；こニ醇單甲醚、こニ醇單こ醚、こニ醇單丙醚、こニ醇單丁醚、こニ醇ニ甲醚、こニ醇ニこ醚、こニ醇ニ丙醚、こニ醇ニ丁醚、ニこニ醇單甲醚、ニこニ醇單こ醚、ニこニ醇單丙醚、ニこニ醇單丁醚、ニこニ醇ニ甲醚、ニこニ醇ニこ醚、ニこニ醇ニ丙醚、ニこニ醇ニ丁醚、丙ニ醇單甲醚、丙ニ醇單こ醚、丙ニ醇單丙醚、丙ニ醇單丁醚、丙ニ醇ニ甲醚、丙ニ醇ニこ醚、丙ニ醇ニ丙醚、丙ニ醇ニ丁醚等ニ醇醚類；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N- ニ甲基甲酰胺、N, N- ニ甲基こ酰胺、Y - 丁內(nèi)酷、ニ甲亞砜、四甲基脲、六甲基磷酰三胺、間甲酚等。本發(fā)明中，上述的聚合溶劑可多種混合使用。另外，作為用于獲得本發(fā)明的聚硅氧烷(AB)的其它方法，可例舉包括下述エ序的聚娃氧燒(AB)的制造方法使以式(I)表不的燒氧基娃燒和以式⑶表不的燒氧基娃燒在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷進行水解、縮合。 X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)X1, X2, R1和P分別與上述的定義相同。X3 {Si (0R2)丄 (2)X3、R2和q分別與上述的定義相同。(X4)nSi (OR3) 4_n (3)X4、R3和η分別與上述的定義相同。這時，以式(I)和式(3)表示的烷氧基硅烷的水解縮合反應(yīng)可以是部分水解和完全水解中的任ー種。完全水解的情況下，理論上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5倍摩爾的水即可，但通常較好是加入超過O. 5倍摩爾的過量的水。本發(fā)明中，上述反應(yīng)中使用的水量可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇，但通常較好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5 2. 5倍摩爾。此外，為了促進水解縮合反應(yīng)，通?？墒褂孟率龃呋瘎}酸、硫酸、硝酸、こ酸、甲酸、こニ酸、馬來酸、富馬酸等酸，氨、甲胺、こ胺、こ醇胺、三こ胺等堿，鹽酸、硫酸、硝酸等的金屬鹽等。除此之外，通過加熱溶解有烷氧基硅烷的溶液來進ー步促進水解縮合反應(yīng)也是常用的方法。這時，加熱溫度和加熱時間可根據(jù)需要適當(dāng)選擇。例如，可例舉在50°C加熱攪拌24小時的方法、在回流下加熱攪拌I小時的方法等。通過在將以上述的方法得到的以式(I)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷水解、縮合而得的溶液中加入以式(2)表示的烷氧基硅烷并持續(xù)攪拌，可制成聚硅氧烷(AB)的溶液。這時，也可通過加熱該溶液來進ー步促進水解縮合反應(yīng)。這時，加熱溫度和加熱時間可根據(jù)需要適當(dāng)選擇。例如，可例舉在50°C加熱攪拌24小時的方法、在回流下加熱攪拌I小時的方法等。將烷氧基硅烷縮聚時所用的溶劑(以下也稱聚合溶剤)與上述的[聚硅氧烷(AB)的制造方法]中記載的聚合溶劑相同，具體例子也相同，這些溶劑可使用多種。通過上述的方法得到的聚硅氧烷的聚合溶液(以下也稱聚合溶液)中，將作為原料加入的全部烷氧基硅烷的硅原子換算為SiO2而得的濃度(以下稱為SiO2換算濃度)較好是在20質(zhì)量％以下，更好是5 15質(zhì)量％。通過在該濃度范圍內(nèi)選擇任意的濃度，可抑制凝膠的生成，獲得均質(zhì)的溶液。
[聚硅氧烷(K)的制造方法]獲得用于本發(fā)明的聚硅氧烷(A)的方法無特別限定，本發(fā)明中，使將上述的式(I)的烷氧基硅烷作為必需成分的烷氧基硅烷在有機溶劑中縮合而得。通常，聚硅氧烷(A)通過將上述烷氧基硅烷縮聚而作為均勻溶解于有機溶劑的溶液獲得。作為本發(fā)明中的縮聚方法，可例舉例如將上述烷氧基硅烷在醇或ニ醇等溶劑中進行水解、縮合的方法。這時，水解縮合反應(yīng)可以是部分水解和完全水解中的任ー種。完全水解的情況下，理論上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5倍摩爾的水即可，但通常較好是加入超過O. 5倍摩爾的過量的水。本發(fā)明中，上述反應(yīng)中使用的水量可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇，但通常較好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5 2. 5倍摩爾。此外，獲得聚硅氧烷(A)時，使用多種烷氧基硅烷的情況下，可作為烷氧基硅烷預(yù) 先混合而得的混合物進行混合，也可以依次混合多種的烷氧基硅烷。用于獲得聚硅氧烷(A)的縮聚方法、聚合溶劑等與聚硅氧烷(AB)的制造方法的項中的記載相同，其優(yōu)選范圍也相同。作為制造聚硅氧烷(A)的其它方法，可例舉包括下述エ序的聚硅氧烷(A)的制造方法使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(I)表示的烷氧基硅烷進行水解、縮合。X1 (X2)pSi(OR1)3-P (I)X1, X2, R1和P分別與上述的定義相同。(X4)nSi (OR3) 4_n (3)X4、R3和η分別與上述的定義相同。這時，以式(3)表示的烷氧基硅烷的水解縮合反應(yīng)可以是部分水解和完全水解中的任ー種。完全水解的情況下，理論上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5倍摩爾的水即可，但通常較好是加入超過O. 5倍摩爾的過量的水，更好是O. 5倍 2. 5倍摩爾。此外，通常為了促進水解縮合反應(yīng)所用的催化劑或加熱的方法等與[聚硅氧烷(AB)的制造方法]中記載的催化劑或加熱的方法相同。通過在將以上述的方法得到的以式(3)表示的烷氧基硅烷水解、縮合而得的溶液中加入以式⑴表示的烷氧基硅烷并持續(xù)攪拌，可制成聚硅氧烷㈧的溶液。這時，可通過加熱該溶液來進ー步促進水解縮合反應(yīng)。這時，加熱溫度和加熱時間可根據(jù)需要適當(dāng)選擇。例如，可例舉在50°C加熱攪拌24小時或者在回流下加熱攪拌I小時等方法。通過上述的方法得到的聚硅氧烷(A)的聚合溶液(以下也稱聚合溶液)中，將作為原料加入的全部烷氧基硅烷的硅原子換算為SiO2而得的濃度(以下稱為SiO2換算濃度)通常在20質(zhì)量％以下，更好是5 15質(zhì)量％。通過在該濃度范圍內(nèi)選擇任意的濃度，可抑制凝膠的生成，獲得均質(zhì)的溶液。[聚硅氧烷⑶的制造方法]獲得本發(fā)明的聚硅氧烷(B)的方法無特別限定，本發(fā)明中與上述的[聚硅氧烷(A)的制造方法]相同。獲得聚硅氧烷(B)時，使用多種烷氧基硅烷的情況下，可作為烷氧基硅烷預(yù)先混合而得的混合物進行混合，也可以依次混合多種的烷氧基硅烷。
作為其它方法，可例舉包括下述エ序的聚硅氧烷(B)的制造方法使以式(3)表不的焼氧基娃焼在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(2)表不的焼氧基娃焼進行水解、縮
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ロ OX3(Si(OR2)3)q (2)X3、R2和q分別與上述的定義相同。(X4)nSi (OR3) 4_n (3)X4、R3和η分別與上述的定義相同?！み@時，以式(3)表示的烷氧基硅烷的水解縮合反應(yīng)可以是部分水解和完全水解中的任ー種。完全水解的情況下，理論上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5倍摩爾的水即可，但通常較好是加入超過O. 5倍摩爾的過量的水。本發(fā)明中，上述反應(yīng)中使用的水量可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇，但通常較好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的O. 5 2. 5倍摩爾。此外，通常為了促進水解縮合反應(yīng)所用的催化劑或加熱的方法等與[聚硅氧烷(AB)的制造方法]中記載的催化劑或加熱的方法相同。通過在將以上述的方法得到的以式(3)表示的烷氧基硅烷水解、縮合而得的溶液中加入以式⑵表示的烷氧基硅烷并持續(xù)攪拌，可制成聚硅氧烷⑶的溶液。這時，也可通過加熱該溶液來進ー步促進水解縮合反應(yīng)。這時，加熱溫度和加熱時間可根據(jù)需要適當(dāng)選擇。例如，可例舉在50°C加熱攪拌24小時或者在回流下加熱攪拌I小時等方法。將烷氧基硅烷縮聚時所用的溶劑(以下也稱聚合溶劑)與上述的[聚硅氧烷(A)的制造方法]中記載的聚合溶劑相同，具體例子也相同，這些溶劑可使用多種。[聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液]本發(fā)明中，可將通過上述的方法得到的聚合溶液直接作為聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液，也可以根據(jù)需要將通過上述的方法得到的溶液濃縮或者加溶劑稀釋或置換成其它溶劑后作為聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液。這時使用的溶劑(以下也稱添加溶剤)可與聚合溶劑相同，也可以是其它溶劑。該添加溶劑只要可均勻溶解聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)即可，無特別限定，可任意選擇ー種或多種使用。作為上述添加溶劑的具體例子，除了上述作為聚合溶劑的例子例舉的溶劑之外，還可以例舉丙酮、甲基こ基酮、甲基異丁基酮等酮類，こ酸甲酷、こ酸こ酷、乳酸こ酯等酯類。這些溶劑可實現(xiàn)液晶取向劑的粘度調(diào)整或者提聞通過旋涂、I父版印刷、噴墨等將液晶取向劑涂布于基板上時的涂布性。[其它成分]本發(fā)明的液晶取向劑中，只要不破壞本發(fā)明的效果，可包含聚硅氧烷(AB)、聚硅氧燒(A)和聚娃氧燒(B)以外的其它成分,例如無機微粒、金屬氧燒(metaloxane)低聚物、金屬氧烷聚合物、均平劑、表面活性劑等成分。作為無機微粒，較好是ニ氧化硅微粒、氧化鋁微粒、氧化鈦微?；蚍V微粒等微粒，特別好是呈膠體溶液狀態(tài)的微粒。該膠體溶液可以是將無機微粒分散于分散介質(zhì)而得的溶液，也可以是市售品的膠體溶液。本發(fā)明中，通過包含無機微粒，可賦予所形成的固化被膜的表面形狀及其它功能。作為無機微粒，其平均粒徑較好是O. OOl O. 2 μ m，更好是
O.001 O. I μ mo無機微粒的平均粒徑大于O. 2 μ m的情況下,使用所制成的涂布液形成的固化被膜的透明性可能會下降。作為無機微粒的分散介質(zhì)，可例舉水和有機溶剤。作為膠體溶液，從被膜形成用涂布液的穩(wěn)定性的角度來看，較好是pH或pKa調(diào)整至I 10，更好是2 7。作為用于上述膠體溶液的分散介質(zhì)的有機溶劑，可例舉甲醇、丙醇、丁醇、こニ醇、丙ニ醇、丁ニ醇、戊ニ醇、己ニ醇、ニこニ醇、ニ丙ニ醇、こニ醇單丙醚等醇類，甲基こ基酮、甲基異丁基酮等酮類，甲苯、ニ甲苯等芳香烴類，ニ甲基甲酰胺、ニ甲基こ酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺類，こ酸こ酷、こ酸丁酷、Y - 丁內(nèi)酯等酯類，四氫呋喃、1，4- ニO*焼等醚類等。其中，較好是醇類或酮類。這些有機溶劑可單獨或者將2種以上混合后作為分散介質(zhì)使用。 作為上述金屬氧烷低聚物、金屬氧烷聚合物，可使用硅、鈦、鋁、鉭、銻、鉍、錫、銦、鋅等的単獨的氧化物前體或復(fù)合氧化物前體。作為金屬氧烷低聚物、金屬氧烷聚合物，可以是市售品，也可以是由金屬醇鹽、硝酸鹽、鹽酸鹽、羧酸等単體通過水解等常規(guī)方法得到的化合物。作為金屬氧烷低聚物及金屬氧烷聚合物的具體例子，可例舉作為市售品的柯爾扣特株式會社(コルコ一卜社)制的硅酸甲酯51、硅酸甲酯53A、硅酸こ酯40、硅酸こ酯48、EMS-485,SS-101等硅氧烷低聚物或硅氧烷聚合物，關(guān)東化學(xué)株式會社(閨東化學(xué)社)制的正丁氧基鈦四聚物等鈦氧烷低聚物。它們可単獨使用或2種以上混合使用。此外，上述均平劑和表面活性劑等可使用公知的試劑，特別是市售品因容易獲得而優(yōu)選。此外，在聚硅氧烷中混合上述的其它成分的方法可以是與聚硅氧烷同時混合，也可以在其后混合，無特別限定。[液晶取向劑]本發(fā)明的液晶取向劑是包含上述的聚硅氧烷(AB)或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)以及根據(jù)需要采用的其它成分的溶液。這時，作為溶劑，可使用選自上述的聚合溶劑和添加溶劑的至少I種溶剤。液晶取向劑中的聚硅氧烷(AB)的含量或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的總含量分別以聚硅氧烷(AB)的SiO2換算濃度或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的硅原子總量的SiO2換算濃度計較好是O. 5 15質(zhì)量％，更好是I 6質(zhì)量％。如果是上述的SiO2換算濃度的范圍，則容易通過一次涂布獲得所需的膜厚，易于獲得足夠的溶液的使用期限。本發(fā)明中，液晶取向劑中的聚硅氧烷(A)與聚硅氧烷(B)的混合比較好是相對于聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)所含的硅原子總量，聚硅氧烷(A)所含的硅原子總量在5摩爾％以上。聚硅氧烷(A)所含的硅原子總量少于5摩爾％吋，難以獲得良好的垂直取向性。此外，如果聚硅氧烷(A)所含的硅原子總量多于99. 5摩爾％，則聚硅氧烷(B)的含有比例降低，難以獲得良好的對于水的可靠性，因此較好是在99. 5摩爾％以下。制備本發(fā)明的液晶取向劑的方法無特別限定。只要是本發(fā)明中使用的聚硅氧烷(AB)或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)以及根據(jù)需要加入的其它成分均勻混合的狀態(tài)即可。通常，聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)在溶劑中縮聚，所以直接使用聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液或者根據(jù)需要在該溶液中添加其它成分的方法較為簡便。另外，直接使用所述的聚合溶液的方法最為簡便。此外，調(diào)整聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的含量時，可以使用選自上述的聚合溶劑和添加溶劑的至少I種溶剤。[液晶取向膜]本發(fā)明的液晶取向膜使用本發(fā)明的液晶取向劑得到。例如，也可以直接使用通過將本發(fā)明的液晶取向劑涂布于基板后進行干燥、燒成而得的固化膜作為液晶取向膜。此外，也可以對該固化膜進行摩擦處理，或照射偏振光或特定波長的光等，或進行離子束等的處理等，從而制成液晶取向膜。作為涂布液晶取向劑的基板，只要是透明性高的基板即可，無特別限定，較好是基板上形成有用于驅(qū)動液晶的透明電極的基板。若例舉具體例子，可例舉玻璃板或聚碳酸酷、聚(甲基)丙烯酸酷、聚醚砜、聚芳酷、聚氨酯、聚砜、聚醚、聚醚酮、三甲基戊烯、聚烯烴、聚對苯ニ甲酸こニ醇酯、(甲基)丙烯腈、三こ?；w維素、ニこ?；w維素、醋酸丁酸纖維素等的塑料板等上形成有透明電極的·基板。作為液晶取向劑的涂布方法，可例舉旋涂法、印刷法、噴墨法、噴涂法、輥涂法等，從生產(chǎn)性的角度來看エ業(yè)上廣泛采用轉(zhuǎn)印印刷法，本發(fā)明中也優(yōu)選使用。涂布液晶取向劑后的干燥エ序并不一定需要，但從涂布后到燒成為止的時間對于各基板不恒定或者涂布后不立即燒成的情況下，較好是包括干燥エ序。該干燥只要除去溶劑至涂膜形狀不會因基板搬運等而發(fā)生變形的程度即可，對于其干燥方法無特別限定。例如，可例舉在溫度為40°C 150°C、較好是60°C 100°C的熱板上干燥O. 5 30分鐘、較好是I 5分鐘的方法。通過上述的方法涂布液晶取向劑而形成的涂膜可進行燒成而制成固化膜。這時，燒成溫度可以是100°C 350°C的任意溫度，較好是140°C 300°C，更好是150°C 230°C，進ー步更好是160°C 220°C。燒成時間可以是5分鐘 240分鐘的任意時間。較好是10 90分鐘，更好是在20 90分鐘。加熱可以使用通常公知的方法，例如熱板、熱風(fēng)循環(huán)烘箱、IR爐、帶式爐等。液晶取向膜中的聚硅氧烷在燒成エ序中進行縮聚。但是，本發(fā)明中，只有不破壞本發(fā)明的效果，不需要使其完全縮聚。其中，較好是在比液晶盒制造エ序中所需的密封劑固化等的熱處理溫度高10°c以上的溫度下進行燒成。該固化膜的厚度可根據(jù)需要選擇，較好是5nm以上、更好是IOnm以上的情況下，易于獲得液晶顯示元件的可靠性，所以優(yōu)選。此外，固化膜的厚度較好是300nm以下、更好是150nm以下的情況下，液晶顯示元件的耗電量不會過高，所以優(yōu)選。上述固化膜也可直接用作液晶取向膜，但也能對該固化膜進行摩擦處理，或照射偏振光或特定波長的光等，或進行離子束等的處理等，從而制成液晶取向膜。[液晶顯示元件]本發(fā)明的液晶顯示元件可通過上述的方法在基板上形成液晶取向膜后以公知的方法制作液晶盒來獲得。若例舉液晶盒制作的一例，通常為將形成有液晶取向膜的I對基板夾著間隔物用密封劑固定后注入液晶并密封的方法。這時使用的間隔物的尺寸為I 30 μ m,較好是2 10 μ m。
注入液晶的方法無特別限定，可例舉使制成的液晶盒內(nèi)呈減壓狀態(tài)后注入液晶的真空法、滴加液晶后進行密封的滴加法等。作為用于液晶顯示元件的基板，只要是透明性高的基板即可，無特別限定，通常是基板上形成有用于驅(qū)動液晶的透明電極的基板。具體例子與上述[液晶取向膜]的項中記載的基板相同。此外，像TFT型元件等高功能元件中，采用在用于驅(qū)動液晶的電極與基板之間形成有如晶體管等元件的基板。透射型的液晶元件的情況下，一般采用如上所述的基板，而反射型的液晶顯示元件中，也可以僅單側(cè)的基板采用硅晶片等不透明的基板。這時，形成于基板的電極也可以采用反射光的鋁等材料。 此外，使用含聚合性化合物的液晶的PSA型顯示元件中，也可以通過在對液晶盒施加電壓的同時照射紫外線或偏振紫外線等能量射線來形成液晶的預(yù)傾角。
實施例以下，示出合成例以及實施例和比較例，對本發(fā)明進行具體說明，但本發(fā)明并不僅限于下述的實施例進行解釋。本實施例中的縮寫的說明如下。TEOS:四こ氧基硅烷TBC: (3-三こ氧基甲硅烷基丙基)叔丁基氨基甲酸酯BISA:雙(三甲氧基甲硅烷基丙基胺)
DMAPS :3_ (N，N-ニ甲基氨基丙基)三甲氧基硅烷C12:十_■燒基ニこ氧基娃燒C18:十八烷基三こ氧基硅烷F13:十三氟辛基三甲氧基硅烷MC18: ニこ氧基甲基十八烷基硅烷MTES:甲基三こ氧基硅烷Phe:苯こ基三甲氧基硅烷Ben:苯甲酰氧基丙基三甲氧基硅烷ACPS: (3-丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷MAPS:3-甲基丙烯酰氧基丙基三こ氧基硅烷HG:己ニ醇(別名2_甲基-2, 4-戊ニ醇)BCS: 丁基溶纖劑(別名こニ醇單丁醚)PGME:丙ニ醇單こ醚PB:丙ニ醇單丁醚EtOH:こ醇APS: Y-氨基丙基三こ氧基硅烷<合成例1>在裝有溫度計和回流管的200mL(毫升)的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 22. 52g、BCS:7. 51g,TE0S:39. 17g、C18:4. 17g和TBC:O. 64g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 26g、BCS:3. 75g、水10. 80g和作為催化劑的こニ酸0. 18g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 68g、BCS: 11. 32g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(Kl)。<合成例2>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 21. 5g、BCS:7. 17g、TEOS:35. 42g, C18:4. 17g和TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 10. 75g、BCS:3. 58g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸0. 18g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。 將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 65g、BCS: 11. 35g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K2)。<合成例3>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 21. llg、BCS: 7. 04g、TEOS:38. 75g和C18:4. 17g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 10. 55g、BCS:3. 52g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸:0. 90g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流30分鐘后，加入BISA: I. 37g、l. 97HG:01. 97g、BCS:0. 66g的混合溶液。再在回流下加熱30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 65g、BCS: 11. 35g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K3)。<合成例4>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 21. 69g、BCS:7. 23g、TE0S:38. 75g和C18:4. 17g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 10. 85g、BCS:3. 62g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸:0. 9g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流30分鐘后，加入DMAPSiO. 83g、HG:0. 88g、BCS:0. 29g的混合溶液。再在回流下加熱30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 65g、BCS: 11. 35g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K4)。<合成例5>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 18. 88g、BCS:6. 29g、TEOS:27. 08g, C18:4. 17g和TBC: 19. 29g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG:9. 44g、BCS:3. 15g、水10. 8g和作為催化劑的こニ酸0. 90g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 57g、BCS: 11. 43g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K5)。
<合成例6>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 22. IOg, BCS: 7. 37g、TEOS:36. 67g、MC18:1. 55g和TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 05g、BCS:3. 68g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸0. 36g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 66g、BCS: 11. 34g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K6)。<合成例7>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG:22. IOg, BCS: 7. 37g、TEOS:35. 42g、Phe :2. 26g和TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 05g、BCS:3. 68g、水10. 8g和作為催化劑的こニ酸0. 90g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 66g、BCS: 11. 34g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K7)。<合成例8>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG:21. 81g、BCS:7. 27g、TEOS:35. 42g、Ben:2. 84g和TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 10. 90g、BCS:3. 63g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸O. 9g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 65g、BCS: 11. 35g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K8)。<合成例9>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 22. 29g、BCS:7. 43g、TEOS:37. 08g, F13:0.94g、TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 14g、BCS:3. 71g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸0. 18g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 67g、BCS: 11. 33g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K9)?！春铣衫?0>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 22. 16g、BCS:7. 39g、TEOS:32. 50g,ACPS:4. 69g、C18: L 67g和TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 08g、BCS:3. 69g、水10. 21g和作為催化劑的こニ酸0. 18g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷,獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30.0g、HG:26. 68g、BCS:4. 01g、PB:29. 32g 混合，獲得 SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(KlO)?！春铣衫?1>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 22. 02g、BCS:7. 34g、TEOS:32. 50g,MAPS:4. 97g和C18: L 67g,TBC:6. 43g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 01g、BCS:3. 67g、水10. 21g和作為催化劑的こニ酸0. 18g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷,獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 66g、BCS: 11. 34g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(κιι)。、< 合成例 12>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 21. 69g、BCS:7. 23g、TE0S:38. 75g和C18:4. 17g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 10. 85g、BCS:3. 62g、水:10. 80g和作為催化劑的こニ酸:0. 90g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流30分鐘后，加入APS:O. 89g、HG:0. 83g、BCS:0. 28g的混合溶液。再在回流下加熱30分鐘后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:48. 66g、BCS: 11. 34g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(K12)。<比較合成例1>在裝有溫度計和回流管的200mL的四ロ反應(yīng)燒瓶中，將HG: 22. 63g、BCS:7. 54g、TEOS:39. 58g和C18:4. 17g混合而制成烷氧基硅烷單體的溶液。在室溫下向該溶液中用30分鐘滴加預(yù)先將HG: 11. 32g、BS:3. 77g、水:10. Sg和作為催化劑的こニ酸:0. 18g混合而得的溶液。將該溶液攪拌30分鐘后使其回流I小時后放冷，獲得SiO2換算濃度為12質(zhì)量％的聚硅氧烷溶液。將所得的聚硅氧烷溶液30. 0g、HG:56. 04g、BCS :3. 96g混合，獲得SiO2換算濃度為4質(zhì)量％的液晶取向劑(LI)。合成例I 12和比較合成例I中的烷氧基硅烷的配比示于表I。[表 I]
權(quán)利要求
1.液晶取向劑，其特征在于，包含I種或2種以上的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基以及含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基，上述的前一種烴基和后一種烴基可都與同一聚硅氧烷結(jié)合，或者分別與不同的聚硅氧機 5口口
2.如權(quán)利要求I所述的液晶取向劑，其特征在于，包含同時具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基以及含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基的I種聚硅氧烷，或者包含分別具有前一種烴基和后一種烴基的2種聚硅氧烷。
3.如權(quán)利要求I或2所述的液晶取向劑，其特征在于，包含將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷和以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧烷(AB)； X1 (X2)pSi(OR1)3-P(I) X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基，X2是碳原子數(shù)I 5的烷基，R1是碳原子數(shù)I 5的烷基，p表示0 2的整數(shù)； X3(Si(OR2)3)q(2) X3是含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基，R2是碳原子數(shù)I 5的烷基，q表示I或2的整數(shù)。
4.如權(quán)利要求I或2所述的液晶取向劑，其特征在于，包含下述的聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷⑶； 聚硅氧烷(A)是將包括以式(I)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧燒; X1 (X2)pSi(OR1)3-P(I) X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8 30的烴基，X2是碳原子數(shù)I 5的烷基，R1是碳原子數(shù)I 5的烷基，p表示0 2的整數(shù)； 聚硅氧烷(B)是將包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷縮聚而得的聚硅氧燒; X3(Si(OR2)3)q(2) X3是含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基，R2是碳原子數(shù)I 5的烷基，q表示I或2的整數(shù)。
5.如權(quán)利要求3所述的液晶取向劑，其特征在于，所述聚硅氧烷(AB)是將還包括以式(3)表不的燒氧基娃燒的燒氧基娃燒縮聚而得的聚娃氧燒；(X4)nSi (OR3) 4_n(3) X4是氫原子或者可被鹵素原子、乙烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基，R3是碳原子數(shù)I 5的烷基，n表示0 3的整數(shù)。
6.如權(quán)利要求4所述的液晶取向劑，其特征在于，所述聚硅氧烷(A)是將包括以式(I)表不的燒氧基娃燒和以式(3)表不的燒氧基娃燒的燒氧基娃燒縮聚而得的聚娃氧燒；(X4)nSi (OR3) 4_n(3) X4是氫原子或者可被鹵素原子、乙烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基，R3是碳原子數(shù)I 5的烷基，n表示O 3的整數(shù)。
7.如權(quán)利要求4或6所述的液晶取向劑，其特征在于，所述聚硅氧烷(B)是將包括以式(2)表不的燒氧基娃燒和以式(3)表不的燒氧基娃燒的燒氧基娃燒縮聚而得的聚娃氧燒；(X4)nSi (OR3) 4_n(3) X4是氫原子或者可被鹵素原子、乙烯基、環(huán)氧丙氧基、巰基、甲基丙烯酰氧基、異氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含雜原子的碳原子數(shù)I 6的烴基，R3是碳原子數(shù)I 5的烷基，n表示0 3的整數(shù)。
8.如權(quán)利要求I 7中的任一項所述的液晶取向劑，其特征在于，含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烴基是含一個氮原子且該氮原子為仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子的碳原子數(shù)2 20的烷基或亞烷基。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶取向劑，其特征在于，含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2 20的烷基或亞烷基是以式(SI)表不的基團；-P1-N-P2P3 (SI) 式中，P1是可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的亞烷基，P2是氫原子或者可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的烷基，P3是可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 5的亞烷基或者可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)I 10的烷基。
10.如權(quán)利要求I 9中的任一項所述的液晶取向劑,其特征在于,聚娃氧燒的含量以SiO2換算濃度計為0. 5 15質(zhì)量％。
11.如權(quán)利要求5 10中的任一項所述的液晶取向劑，其特征在于，所述以式(3)表示的燒氧基娃燒是式(3)中的n為0的四燒氧基娃燒。
12.液晶取向膜，其特征在于，由權(quán)利要求I 11中的任一項所述的液晶取向劑得到。
13.液晶顯示元件，其特征在于，具備權(quán)利要求12所述的液晶取向膜。
14.如權(quán)利要求5所述的液晶取向劑，其特征在于，所述聚硅氧烷(AB)通過包括下述工序的方法制成使以式(I)表不的燒氧基娃燒和以式(3)表不的燒氧基娃燒在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷進行水解、縮合。
15.如權(quán)利要求6所述的液晶取向劑，其特征在于，所述聚硅氧烷(A)通過包括下述工序的方法制成使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(I)表不的燒氧基娃燒進行水解、縮合。
16.如權(quán)利要求7所述的液晶取向劑，其特征在于，所述聚硅氧烷(B)通過包括下述工序的方法制成使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有機溶劑中水解、縮合后，加入以式(2)表不的燒氧基娃燒進行水解、縮合。
全文摘要
本發(fā)明提供可形成液晶取向性良好、膜的穩(wěn)定性高的液晶取向膜和具有該液晶取向膜的不易受來自外部的水分影響、電特性良好的液晶顯示元件的硅類液晶取向劑。所述液晶取向劑的特征在于，包含1種或2種以上的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子數(shù)8～30的烴基以及含一個氮原子且該氮原子為伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子數(shù)2～20的烴基，上述的前一種烴基和后一種烴基可都與同一聚硅氧烷結(jié)合，或者分別與不同的聚硅氧烷結(jié)合。
文檔編號G02F1/1337GK102713744SQ20108006145
公開日2012年10月3日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月1日
發(fā)明者元山賢一, 軍司里枝, 坂本謙治 申請人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社