專利名稱：光學器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種使形成了光波導(dǎo)路的光學元件接合到基板上的光學器件。
背景技術(shù)：
光學元件等中所形成的光波導(dǎo)路，是使用在光波導(dǎo)路部分和其外圍之間的折射率差而將光局限在光波導(dǎo)路內(nèi)、且將光導(dǎo)入到必要位置的結(jié)構(gòu)體。光波導(dǎo)路中所使用的材料，折射率大，有時根據(jù)由溫度引起的熱膨脹或者熱光學效應(yīng)而會使其尺寸或者折射率等的特性發(fā)生變化。為此通常采用的對策是用于將光波導(dǎo)路的溫度保持恒定。在形成了光波導(dǎo)路的光學元件、特別是在二次諧波發(fā)生元件中，使用了鈮酸鋰 (LiNbO3 :LN)、鉭酸鋰(LiTaO3 LT)等晶體材料，而且為了使在該晶體內(nèi)具有波長變換功能，而實施了極化反轉(zhuǎn)。該器件通過與激光二極管(LD)進行組合來使用的情況很多。極化反轉(zhuǎn)周期根據(jù)要變換的波長來決定，當該極化反轉(zhuǎn)周期在溫度的影響下發(fā)生偏離時，波長的變換效率就會降低。因此，為了使光波導(dǎo)路的溫度成為恒定，采用了溫度控制的方法。例如如下述專利文獻I所示，通過在光波導(dǎo)路上形成薄膜加熱器且以該薄膜加熱器對光波導(dǎo)路進行加熱，從而控制為與周圍的環(huán)境無關(guān)地使光波導(dǎo)路的溫度成為恒定，從而防止二次諧波發(fā)生元件的波長的變換效率的降低。(現(xiàn)有技術(shù)文獻)(專利文獻)專利文獻I :日本特開平11-326966號公報(第6頁，圖I)(發(fā)明概要)(發(fā)明所要解決的技術(shù)問題)但是，在上述的現(xiàn)有技術(shù)中，存在以下這樣的問題。一般地，薄膜加熱器由在光學元件上所形成的導(dǎo)電膜構(gòu)成，通過將電流流到該導(dǎo)電膜且加熱光波導(dǎo)路，來進行溫度控制。因此，為了向薄膜加熱器供給電流，而需要在光學元件上形成電極、且另外設(shè)置用干與該電極導(dǎo)通連接的布線。此外，光學元件被安裝于基板等上而使用。因此，需要在光學元件上設(shè)置用于安裝的區(qū)域。根據(jù)上述，在現(xiàn)有技術(shù)中，存在如下問題使用了高價晶體材料的光學元件的面積會變大。此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，存在如下問題光學元件的安裝、薄膜加熱器的導(dǎo)通連接所用的エ序變得復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是為了解決上述技術(shù)問題提出的，其目的在于提供ー種光學器件，其通過消除光學元件上的冗余區(qū)域而使得能夠小型化，同時能夠簡化制造エ序。(解決技術(shù)問題的技術(shù)手段)為了解決上述技術(shù)問題和實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的光學器件采用以下記載的構(gòu)成。本發(fā)明的光學器件，是將形成了光波導(dǎo)路的光學元件與基板接合的光學器件，在與光學元件的基板對置的面上形成光波導(dǎo)路和用于加熱光波導(dǎo)路的薄膜加熱器，光學元件和基板通過由金屬材料構(gòu)成的第I接合部和第2接合部而接合，經(jīng)由第I接合部和第2接合部，薄膜加熱器與基板上的布線被導(dǎo)通連接。此外，第I接合部和第2接合部夾著光波導(dǎo)路而被定位。該第I及第2接合部成為光學器件和基板間之間的接合部位，并且成為用于給薄膜加熱器供給電流的電連接點。而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征在于，還包括在薄膜加熱器上所形成的第I電極和第2電極；以及在基板上所形成的第I金屬布線和第2金屬布線，使第I電極和第I金屬布線接合而形成第I接合部，使第2電極和第2金屬布線接合而形成第2接合部。
而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征在于，還包括多個第I電極；多個第2電極；多個第I金屬布線；和多個第2金屬布線,各個第I電極和各個第I金屬布線分別接合而形成第I接合部，各個第2電極和各個第2金屬布線分別接合而形成第2接合部。而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于多個薄膜加熱器被形成在光學兀件上，在各個薄膜加熱器上形成了任何ー個第I電極和任何ー個第2電極。第I接合部和第2接合部各自I個部位，向薄膜加熱器的電流供給會變成2個部位。因此，變成向薄膜加熱器全體的電流供給，從而不能夠向希望的位置進行電流供給。但是，通過具有多個接合部且從外部的規(guī)定位置供給電流，使得在希望的位置的溫度控制變成可能。而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于，用于形成本發(fā)明的光學器件的第I接合部和第2接合部的金屬材料是Au。由于接合部是Au和Au之間的金屬間接合，因此電導(dǎo)通變成可能。而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于，本發(fā)明的光學器件的第I接合部和第2接合部具有微型凸塊結(jié)構(gòu)。通過成為該微型凸塊結(jié)構(gòu)，由于不是面的接觸而是變成點的接觸，因此在接合時金屬間接合所需要的金屬的潔凈面容易出現(xiàn)，從而使得接合變得容易。本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于，通過接合部用表面活化接合來接合基板和光學元件。由于通過將該微型凸塊面和對置的面以等離子體進行活化來進行接合，因此不是如Au-Sn間的接合那樣通過施加熱的接合方法，而使得在低溫時的接合變成可能。而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于，本發(fā)明的光學器件的薄膜加熱器由透明電極形成。如果僅用作薄膜加熱器的功能來考慮，則沒有作為透明電極的必要性。但是，由于在薄膜加熱器的附近具有使光被引導(dǎo)的波導(dǎo)路，因此這里在照射了如激光那樣的強力的光的情況下，如果該薄膜加熱器對光不是透明的話，則吸收光的能量，從而存在受到損傷的可能性。而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于，本發(fā)明的光學器件的薄膜加熱器由氧化銦錫(ITO)、或者氧化鋅(ZnO)、氧化錫或者在這些氧化物中摻入雜質(zhì)后的膜形成。
而且，本發(fā)明的光學器件，除了上述的構(gòu)成之外，其特征還在于，本發(fā)明的光學器件中的光學元件是對用于引導(dǎo)光波導(dǎo)路的光進行波長變換的波長變換元件。例如作為ー個例子，還有如下情形使用近紅外區(qū)域的波長的激光；作為波長變換元件而使用二次諧波發(fā)生(SHG :二次諧波發(fā)生)元件。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在干，在所述基板上，沿著所述光波導(dǎo)路的光軸方向，設(shè)置激光二極管、用于引導(dǎo)從所述激光二極管射出的光的光波導(dǎo)路、對用于引導(dǎo)所述光波導(dǎo)路的光進行波長變換的波長變換元件、以及光纖布拉格光柵，光學器件還包括由熱傳導(dǎo)性良好的材料構(gòu)成的用于安裝所述基板的基礎(chǔ)基板，所述基礎(chǔ)基板與安裝了位于ー端側(cè)的所述激光二極管的基板接合，并且在從所述波長變換元件到所述光纖布拉格光柵之間，在與所述基板之間形成空間部，位于另一端側(cè)的所述光纖布拉格光柵的端部使用熱傳導(dǎo)性良好的支撐臺來支撐所述基板。這樣，通過僅將激光二極管所位于的部分的基板與基礎(chǔ)基板接合，就能夠?qū)⒓す舛O管的熱有效地散熱到基礎(chǔ)基板。此外，在波長變換元件和光纖布拉格光柵下部形成空間部，從而難以受到激光二極管的熱的 影響。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在于，所述波長變換元件上所設(shè)置的所述第I電極和所述第2電極，夾著所述光波導(dǎo)路，且分別位于所述波長變換元件的端部位置。根據(jù)該構(gòu)成，能夠增加對中央的光波導(dǎo)路的熱電阻。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在于，在所述基板上，在設(shè)置所述第I金屬布線和多個所述第2金屬布線的部分上，形成規(guī)定高度的氧化膜，從而提高了所述基板和所述波長變換元件之間的空間高度。根據(jù)該構(gòu)成，能夠提高基板和光學元件之間的空間的高度，能夠降低熱傳導(dǎo)性。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在于，在所述基板上，在設(shè)置所述第I金屬布線和多個所述第2金屬布線的部分上，設(shè)置將基板的材料加工成多孔狀的部位，從而降低了熱傳導(dǎo)性。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在干，將所述第I電極和所述第2電極以沿著所述光波導(dǎo)路分割的方式設(shè)置多個，在被分割的所述第I電極之間和所述第2電極之間，設(shè)置由與所述第I電極和所述第2電極相同的材質(zhì)構(gòu)成的且與所述第I電極和所述第2電極電氣絕緣的防侵入壁，通過所述防侵入壁，防止了在將所述波長變換元件固接在所述基板上時粘接劑向內(nèi)部的侵入。根據(jù)該構(gòu)成，盡管通過將第I電極和第2電極分割，從而使得與基板之間的接合面積減少，但是通過使用粘接劑而能夠粘接光學元件，且防侵入壁會防止該粘接劑向內(nèi)部的侵入。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在干，在所述基板的下表面上，形成了不貫通的多個溝槽。根據(jù)該構(gòu)成，能夠通過多個溝槽使基板的熱電阻提高。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在干，在所述基板的下表面上，保留該基板的邊部且開ロ形成了凹部。根據(jù)該構(gòu)成，能夠通過多個溝槽使基板的熱電阻提高。而且，本發(fā)明的光學器件，其特征在干，所述波長變換元件具有沿著所述光波導(dǎo)路平行地設(shè)置的加熱器；和從所述第I電極和所述第2電極起連接至所述加熱器的導(dǎo)出部，所述第I電極、所述第2電極和所述導(dǎo)出部由相同的材質(zhì)構(gòu)成，將所述第I電極和所述第2電極用于所述基板的所述第I金屬布線和所述第2金屬布線之間的接合，并且兼用作所述加熱器的電極。根據(jù)該構(gòu)成，能夠通過沿著光波導(dǎo)路設(shè)置加熱器來對光波導(dǎo)路進行溫度控制，而不需要単獨地導(dǎo)出加熱器的電極。(發(fā)明效果)本發(fā)明通過將基板和光學元件通過由金屬材料構(gòu)成的接合部進行接合、且經(jīng)由該接合部使薄膜加熱器導(dǎo)通連接，從而不需要另外設(shè)置導(dǎo)通連接用的布線，能夠消除光學元件上的冗余區(qū)域而實現(xiàn)小型化，從而能夠簡化制造エ序。


圖I是表示本發(fā)明實施例I的光學器件的構(gòu)成的說明圖。圖2是表示本發(fā)明實施例2的光學器件的構(gòu)成的說明圖。圖3是表示本發(fā)明實施例3的光學器件的構(gòu)成的說明圖。圖4是表示本發(fā)明實施例4的光學器件的構(gòu)成的正視圖。圖5是表不本發(fā)明實施例4的另一光學器件的構(gòu)成的正視圖。圖6是表不本發(fā)明實施例4的另一光學器件的構(gòu)成的正視圖。圖7-1是表示波長變換元件和基板之間的接合結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖7-2是表示波長變換元件和基板之間的接合結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖7-3是表示波長變換元件和基板之間的接合結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖8-1是表不本發(fā)明實施例5的光學器件的構(gòu)成的側(cè)視圖。圖8-2是圖8-1所示的光學器件的俯視圖。圖8-3是表不實施例5的另一光學器件的構(gòu)成的側(cè)視圖。圖9-1是表示實施例6的光學器件的構(gòu)成的正視圖。圖9_2是表不實施例6的另一光學器件的構(gòu)成的正視圖。圖9_3是表不實施例6的另一光學器件的構(gòu)成的正視圖。圖10-1是說明加熱器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖10-2是說明加熱器的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖10-3是表示極化反轉(zhuǎn)用的電極的側(cè)視圖。圖11-1是經(jīng)由被分割的多個電極來檢測加熱器的施加電壓的說明圖。圖11-2是經(jīng)由被分割的多個電極來檢測加熱器的施加電壓的說明圖。
具體實施方式
下面，基于附圖具體地說明用于實施本發(fā)明的方式。[實施例I:圖I]首先，說明本發(fā)明實施例I的光學器件的構(gòu)成。圖I是表示本發(fā)明實施例I的光學器件20的構(gòu)成的說明圖。圖1(a)是光學器件20的剖面圖。圖1(b)是光學器件20的平面圖，表示從圖1(a)的下方觀察的狀態(tài)。為了說明，在圖1(b)中僅示出構(gòu)成光學器件20的一部分的構(gòu)件。此外，圖1(a)示出由圖1(b)的A-A’所示的部位的剖面。如圖I所示，本發(fā)明實施例I的光學器件20，包括形成了用于引導(dǎo)光的光波導(dǎo)路8的光學元件6被接合到基板2上的構(gòu)成。下面，詳細說明各自的構(gòu)成。如圖I所示，光波導(dǎo)路8被形成在與光學元件6的基板2對置的面上。關(guān)于光波導(dǎo)路8，作為ー個例子，描述光學元件6由LiNbO3 (鈮酸鋰，LN)形成的情況。在該情況下，大多使用質(zhì)子交換(PE Proton Exchange)法之類的方法。在該情況下，在將希望實施PE法的位置(形成光波導(dǎo)路的部位)預(yù)先進行了開ロ的狀態(tài)下，通過使由LiNbO3構(gòu)成的光學元件浸潰到焦磷酸中，從而在LiNb03中的Li和焦磷酸中的質(zhì)子之間進行離子交換。通過在其后進行退火處理，使光學特性穩(wěn)定化。該離子交換區(qū)域的形狀由開ロ寬度或者退火處理時間等控制。這樣形成的光波導(dǎo)路8與周圍的LiNbO3相比，折射率變高，變成容易對光進行引導(dǎo)。此外，在該光學元件6是波長變換元件時，為了對作為基波而從元件的一端入射的光的波長進行變換，在光波導(dǎo)路8上形成了極化反轉(zhuǎn)區(qū)域。所謂極化反轉(zhuǎn)區(qū)域，就是形成使構(gòu)成光學元件6的LiNbO3的極化狀態(tài)在某個確定的周期相互呈180°的不同區(qū)域。該周期根據(jù)作為波長變換元件而使用的波長或者使用的溫度環(huán)境等而設(shè)計，并且以大約幾十微米的周期而形成。為了形成該區(qū)域，相對于自發(fā)極化而極化反轉(zhuǎn)為180°的不同方向。盡管 有若干種進行極化反轉(zhuǎn)的方法，但是作為代表已經(jīng)知道有施加高電場而使極化方向反轉(zhuǎn)的高電場施加法。此外，如圖I所示，在形成了光波導(dǎo)路8的面上，形成透明導(dǎo)電膜作為薄膜加熱器4。作為形成該薄膜加熱器4的透明導(dǎo)電膜，作為ー個例子，能夠使用氧化銦錫(ITO)膜。這里，通過對在光波導(dǎo)路8中引導(dǎo)的光以透明的導(dǎo)電膜形成薄膜加熱器4，即使是激光等的強光引導(dǎo)在光波導(dǎo)路8中從而由該強光照射薄膜加熱器4的情況下，也能夠抑制由吸收該光引起的薄膜加熱器4的損傷。作為形成薄膜加熱器4的透明導(dǎo)電膜，除了氧化銦錫(ITO)膜之外，即使以氧化鋅(ZnO)、氧化錫或者在這些氧化物中摻入雜質(zhì)后的膜，也能夠期待同樣的效果。而且，如圖I所示，在薄膜加熱器4之上，還形成相對于波導(dǎo)路8位于ー側(cè)的第I電極IOa和位于另一側(cè)的第2電極10b。此外,在基板2上形成第I金屬布線16a和第2金屬布線16b。對于第I金屬布線16a和第2金屬布線16b,在與光學兀件6所形成的第I電極10a、第2電極IOb相應(yīng)的位置上形成了微型凸塊(micro-bump) 18。例如，將金(Au)作為材料來分別形成在光學元件6上所形成的第I電極IOa和第2電極IOb以及在基板2上所形成的第I金屬布線16a和第2金屬布線16b。將該金(Au)作為材料而形成的第I電極IOa和第2電極IOb以及第I金屬布線16a和第2金屬布線16b，例如通過常溫活化接合而接合。該常溫活化接合，是通過使第I金屬布線16a和第2金屬布線16b上的微型凸塊18、以及第I電極IOa和第2電極IOb的表面暴露于氬(Ar)等離子體中進行活化，并且通過在低溫下施加壓力，將微型凸塊18壓毀，使?jié)崈裘媛冻觯瑥亩垢鱾€微型凸塊18與第I電極IOa及第2電極IOb進行金屬間接合的接合方法。這里，如圖I所示，由相對于波導(dǎo)路8位于ー側(cè)的第I電極IOa和第I金屬布線16a構(gòu)成第I接合部12,由相對于波導(dǎo)路8位于另ー側(cè)的第2電極IOb和第2金屬布線16b構(gòu)成第2接合部14。通過該第I接合部12和第2接合部14，光學元件6成為被接合到基板2上的狀態(tài)。此時，由于第I接合部12和第2接合部14不位于波導(dǎo)路8的正下方而位于波導(dǎo)路8的兩側(cè)部，因此能夠避免在常溫活化接合時在波導(dǎo)路8上增加載重。此外，第I金屬布線16a經(jīng)由第I接合部12與薄膜加熱器4電連接，第2金屬布線16b經(jīng)由第2接合部12與薄膜加熱器4電連接。因此，通過在第I金屬布線16a和第2金屬布線16b之間流過電流，如圖1(b)的施加電流27所示那樣，在薄膜加熱器4中流過電流而發(fā)熱，該熱傳遞到光波導(dǎo)路8而加熱光波導(dǎo)路8，從而使溫度控制變成可能。如上所述，本發(fā)明實施例I的光學器件20是通過由金屬材料構(gòu)成的第I接合部12和第2接合部14而將基板2和光學元件6進行接合，并且經(jīng)由這些接合部而使薄膜加熱器4導(dǎo)通連接的器件。由此，本發(fā)明實施例I的光學器件20由于不需要另外設(shè)置導(dǎo)通連接所用的布線，因此能夠消除光學元件6上的冗余區(qū)域而實現(xiàn)小型化，同時能夠簡化制造エ序。[實施例2:圖2]接著，說明本發(fā)明實施例2的光學器件的構(gòu)成。圖2是表示本發(fā)明實施例2的光學器件30的構(gòu)成的說明圖。圖2(a)是光學器件30的剖面圖。圖2(b)是光學器件30的平面圖，表示從圖2(a)的下方觀察的狀態(tài)。為了說明，在圖2(b)中僅示出構(gòu)成光學器件30 的一部分的構(gòu)件。此外，圖2(a)示出由圖2(b)的B-B’所示的部位的剖面。在圖2中，對與實施例I相同的構(gòu)成構(gòu)件賦予相同的序號，省略重復(fù)的說明。本發(fā)明實施例2的光學器件30包括形成了用于引導(dǎo)光的光波導(dǎo)路8的光學元件6被接合到基板2的構(gòu)成。對于實施例2的光學器件30,其在光學兀件6上所形成的電極和在基板2上所形成的金屬布線與實施例I的光學器件20的不同。對于實施例2的光學器件30，在基板2上形成多個第I金屬布線(在圖2(b)所示的例子中，為第I金屬布線16al、16a2、16a3)。此外,對于光學器件30,在基板2上形成多個第2金屬布線(在圖2 (b)所不的例子中，為第2金屬布線16bl、16b2、16b3)。此外，如圖2所示，對于光學器件30，在光學元件6的薄膜加熱器4上形成多個第I電極(在圖2(b)所示的例子中，為第I電極10al、10a2、10a3)。對于光學器件30，在光學元件6的薄膜加熱器4上還形成多個第2電極(在圖2(b)所示的例子中，為第2電極10bl、10b2、10b3)。對于第I金屬布線16al、16a2、16a3和第2金屬布線16bl、16b2、16b3,在與光學兀件6上所形成的第I電極10al、10a2、10a3和第2電極10bl、10b2、10b3相應(yīng)的位置上形成了微型凸塊18。第I 電極 10al、10a2、10a3、第 2 電極 10bl、10b2、10b3、第 I 金屬布線 16al、16a2、16a3和第2金屬布線16bl、16b2、16b3例如通過將金(Au)作為材料而形成,并且通過常溫活化接合而如圖2所示那樣進行接合。由第I電極10al、10a2、10a3和第I金屬布線16al、16a2、16a3構(gòu)成第I接合部12，由第2電極10bl、10b2、10b3和第2金屬布線16bl、16b2、16b3構(gòu)成第2接合部14。通過該第I接合部12和第2接合部14，光學元件6成為被接合到基板2上的狀態(tài)。此外，第I金屬布線16al、16a2、16a3經(jīng)由第I接合部12分別與薄膜加熱器4電連接，第2金屬布線16bl、16b2、16b3經(jīng)由第2接合部14分別與薄膜加熱器4電連接。通過這樣進行構(gòu)成，在實施例2的光學器件30中，使光波導(dǎo)路8的局部加熱變成可能。例如，如圖2(b)所示，通過在第I金屬布線16al和第2金屬布線16bl之間流過施加電流28a，從而使薄膜加熱器4的區(qū)域22發(fā)熱，光波導(dǎo)路8的該區(qū)域被重點加熱。同樣地，通過在第I金屬布線16a2和第2金屬布線16b2之間流過施加電流28b，光波導(dǎo)路8的區(qū)域24被重點加熱，通過在第I金屬布線16a3和第2金屬布線16b3之間流過施加電流28c，光波導(dǎo)路8的區(qū)域26被重點加熱。
此外，通過在全部的第I金屬布線16al、16a2、16a3和全部的第2金屬布線16bl、16b2、16b3之間流過施加電流28a，能夠加熱光波導(dǎo)路8的所有區(qū)域。而且，不是相鄰的金屬配置之間，而是在傾斜定位的金屬布線之間，例如，在第I金屬布線16al和第2金屬布線16b2之間流過電流，也可以加熱光波導(dǎo)路8的規(guī)定區(qū)域。這樣，實施例2的光學器件30通過流過電流的金屬布線的選擇、組合，能夠合適地進行光波導(dǎo)路8的局部加熱。如圖I和圖2所示，通過光波導(dǎo)路8位于與基板2對置的ー側(cè)且在該波導(dǎo)路8之上形成薄膜加熱器4，與光波導(dǎo)路8被形成在與基板2相反一側(cè)的構(gòu)成相比，能夠加大由基于薄膜加熱器的光波導(dǎo)路8的加熱引起的溫度控制的效果。通過光波導(dǎo)路8位干與基板2對置的ー側(cè)，能夠?qū)⒒?的上表面設(shè)為基準來調(diào)整光學元件的高度。因此，在與激光二極管等其他的發(fā)光元件之間的光耦合中，能夠容易地進行與發(fā)光元件之間的高度調(diào)整。[實施例3:圖3] 接著，說明本發(fā)明實施例3的光學器件的構(gòu)成。圖3是表示本發(fā)明實施例3的光學器件40的構(gòu)成的說明圖。實施例3的光學器件40的剖面圖由于變成與圖2(a)所示的實施例2的光學器件30的剖面圖相同，因此省略。圖3是光學器件40的平面圖，僅示出構(gòu)成光學器件40的一部分構(gòu)件。在圖3中，對與實施例I、2相同的構(gòu)成構(gòu)件賦予相同的序號，省略重復(fù)的說明。實施例3的光學器件40具有形成了用于引導(dǎo)光的光波導(dǎo)路8的光學元件6被接合到基板2上的構(gòu)成。對于實施例3的光學器件40，在光學元件6上所形成的薄膜加熱器4的形狀與實施例2的光學器件30的不同。對于實施例3的光學器件40，在基板2上，形成多個薄膜加熱器(在圖3所示的例子中，為薄膜加熱器4a、4b、4c)。在各個薄膜加熱器4a、4b、4c上分別形成用于形成第I接合部12的任何ー個第I電極IOa和用于形成第2接合部14的任何ー個第2電極10b。在圖3所示的例子中，在薄膜加熱器4a上形成第I電極IOal和第2電極10bl，在薄膜加熱器4b上形成第I電極10a2和第2電極10b2，在薄膜加熱器4c上形成第I電極10a3和第2電極10b3。根據(jù)上述，第I金屬布線16al經(jīng)由第I接合部12而與薄膜加熱器4a電連接，第2金屬布線16bl經(jīng)由第2接合部14而與薄膜加熱器4a電連接。同樣地,第I金屬布線16a2經(jīng)由第I接合部12而與薄膜加熱器4b電連接，第2金屬布線16b2經(jīng)由第2接合部14而與薄膜加熱器4b電連接。第I金屬布線16a3經(jīng)由第I接合部12而與薄膜加熱器4c電連接,第2金屬布線16b3經(jīng)由第2接合部14而與薄膜加熱器4c電連接。在具有這樣的構(gòu)成的光學器件40中，例如，如圖3所示，通過在第I金屬布線16al和第2金屬布線16bl之間流過電流，使施加電流28a僅在薄膜加熱器4的區(qū)域22中流動而發(fā)熱，從而僅加熱光波導(dǎo)路8的該區(qū)域。同樣地，通過在第I金屬布線16a2和第2金屬布線16b2之間流過電流，使施加電流28b僅在薄膜加熱器4的區(qū)域24中流動而發(fā)熱，從而 僅加熱光波導(dǎo)路8的該區(qū)域。而且，通過在第I金屬布線16a3和第2金屬布線16b3之間流過電流，使施加電流28c僅在薄膜加熱器4的區(qū)域26中流動而發(fā)熱，從而僅加熱光波導(dǎo)路8的區(qū)域26。此外,通過在全部的第I金屬布線16al、16a2、16a3和全部的第2金屬布線16bl、16b2、16b3之間流過施加電流28a，能夠加熱光波導(dǎo)路8的所有區(qū)域。這樣，實施例3的光學器件40，通過形成多個薄膜加熱器4a、4b、4c并且使各個薄膜加熱器4a、4b、4c分別連接到不同的第I金屬布線16a和第2金屬布線16b,與實施例2的光學器件30相比較,能夠可靠地進行光波導(dǎo)路8的局部加熱。在上述的各個實施方式的說明中，示出了由PE法形成的光波導(dǎo)路的例子，但是即使使用不同的光波導(dǎo)路的形成方法，也能夠期待同樣的效果。例如，作為ー個例子，具有脊型光波導(dǎo)路。這就成為下述結(jié)構(gòu)不是如PE法那樣將LiNbO3的一部分進行高折射率化，而是加工LiNbO3自身來生成光波導(dǎo)路，通過利用LiNbO3和周圍的空氣之間的折射率差來對光進行引導(dǎo)。 [實施例4-1:圖 4]接著，說明本發(fā)明實施例4的光學器件的構(gòu)成。圖4是表示本發(fā)明實施例4的光學器件50的構(gòu)成的正視圖。在實施例4中，說明光學元件的溫度控制的構(gòu)造。在基板2上作為多個光學兀件而安裝了激光二極管(LD) 51、波長變換兀件(PPLN) 52、光纖布拉格光柵(FBG)53。如圖示那樣，在波長變換元件52的下部設(shè)置了上述薄膜加熱器4。基板2例如由硅(Si)構(gòu)成。該基板2被設(shè)置在熱傳導(dǎo)特性良好的金屬制的基礎(chǔ)基板55上。圖4所示的溫度控制，I)為了使波長變換元件52的波長和FBG53的變換波長ー致，而使基板2上的光學元件成為恒定溫度。2)來自LD51的發(fā)熱通過散熱到外部而抑制到外部環(huán)境溫度+5°C。3)通過波長變換元件52的部分的薄膜加熱器4，直至最高環(huán)境溫度+5 °C為止進行常溫加熱。因此，基礎(chǔ)基板55在與基板2之間的接合上下了功夫。首先，安裝了 LD51的基板2的部分歷經(jīng)LD51的長度LI被接合到基礎(chǔ)基板55上。此外，從LD51起開頭的部分、即設(shè)置了波長變換元件52和FBG53的基板2的部分歷經(jīng)長度L2而在與基礎(chǔ)基板55之間形成空間部56以進行絕熱。具體地，通過磨削等在基礎(chǔ)基板55上形成凹部55a，不設(shè)置與基板2接合的位置。在FBG53的端部設(shè)置熱傳導(dǎo)性良好的支撐臺57，用該支撐臺57支撐FBG53。但是，該支撐臺57不局限于根據(jù)熱控制的設(shè)計而具有熱傳導(dǎo)性的支撐臺，還可以使用具有絕熱性的支撐臺。根據(jù)上述的構(gòu)成，LD51的發(fā)熱從基板2直接被散熱到基礎(chǔ)基板55，或者只在基板2上的長度方向上傳遞。因此，在LD51的發(fā)熱的過程中，基板2的長度方向(圖中水平方向)的溫度如圖示那樣具有溫度梯度。例如，假設(shè)在環(huán)境溫度為40°C吋，LD51通過散熱而控制在45°C。此時，來自LD51的熱在基板2的長度方向上傳遞，一點一點地使溫度下降。此外，通過薄膜加熱器4，始終進行加熱控制使得波長變換元件52的部分變成45°C，并且補償溫度梯度。根據(jù)上述的溫度控制的構(gòu)造，能夠以僅在基礎(chǔ)基板55上形成凹部55a的簡單結(jié)構(gòu)，將基板2上的多個光學元件(LD51、波長變換元件52、FBG53)以預(yù)先確定的溫度保持于恒定。[實施例4-2 圖 5]接著，說明本發(fā)明實施例4的另一光學器件的構(gòu)成。圖5是表示本發(fā)明實施例4的另一光學器件50的構(gòu)成的正視圖。圖5所示的光學器件的結(jié)構(gòu)是與圖4同樣的，溫度控制不同。在圖5所示的溫度控制中，
I)來自LD51的發(fā)熱通過散熱到外部而抑制到外部環(huán)境溫度+5°C。2)進行控制使得波長變換元件52和FBG53的溫度變成與LD+5°C相同。3)但是，以使FBG53的波長和波長變換元件52的變換波長一致的方式通過薄膜加熱器4對波長變換元件52進行補正加熱。以僅通過加熱而使FBG53的波長和波長變換元件52的變換波長一致的方式，預(yù)先選擇FBG53的波長。根據(jù)上述的溫度控制的構(gòu)造，能夠以僅在基礎(chǔ)基板55上形成凹部55a的簡單結(jié)構(gòu)，將基板2上的多個光學元件(LD51、波長變換元件52、FBG53)保持于恒定溫度。此外，能夠根據(jù)外部環(huán)境溫度使光學器件50的溫度變化。[實施例4-3:圖6、圖7-1 圖7-3]接著，說明本發(fā)明實施例4的另一光學器件的構(gòu)成。圖6是表示本發(fā)明實施例4的另ー光學器件50A的構(gòu)成的正視圖。在圖6所示的結(jié)構(gòu)中，使LD51的發(fā)熱盡可能地散熱到外部。在圖6的結(jié)構(gòu)中，與圖5所示的結(jié)構(gòu)不同之點在于，在波長變換元件52和FBG53的·下部設(shè)置上述薄膜加熱器4?；A(chǔ)基板55的下表面前面接合到處于環(huán)境溫度的散熱器58。因此，來自LD51的發(fā)熱經(jīng)由基板2而散熱到散熱器58，經(jīng)由散熱器58而散熱到外部環(huán)境。此外，圖7-1 圖7-3分別是表示波長變換元件52和基板2之間的接合結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。如這些圖所示，在波長變換元件52的正下方和基板2之間形成空間部以進行絕熱。通過這些圖7-1 圖7-3所示的結(jié)構(gòu)，使得波長變換元件52在高溫下保持于恒定溫度。在圖7-1所示的結(jié)構(gòu)中，形成第I電極IOa和第I金屬布線16a(第2電極IOb和第2金屬布線16b)的高度Hl的空間部71。在圖7-2所示的結(jié)構(gòu)中，在基板2上，在形成第I金屬布線16a、第2金屬布線16b的位置上分別形成氧化膜72。由此，能夠以氧化膜72的高度來提高形成空間部71的高度H2。在圖7-3所示的結(jié)構(gòu)中，在第I金屬布線16a和第2金屬布線16b之間的基板2上通過刻蝕等形成凹部74，能夠以該凹部74的凹陷來提高形成空間部71的高度H3。通過這些的結(jié)構(gòu)，變成能夠提高空間部71的高度，并且能夠與基板2(LD51)絕熱。[實施例5:圖8-1 圖8-31接著，使用圖8-1 圖8-3來說明本發(fā)明實施例5的光學器件的構(gòu)成。在實施例5中，對于波長變換元件52，設(shè)為用于增加對側(cè)部(將光波導(dǎo)路8設(shè)為中央的兩側(cè)部)的熱電阻Rw的構(gòu)成。通過這些圖8-1 圖8-3所示的結(jié)構(gòu)，使波長變換元件52在高溫下保持于恒定溫度。圖8-1是表不本發(fā)明實施例5的光學器件80的構(gòu)成的側(cè)視圖。如圖不那樣,將光學器件的固定部即第I電極IOa和第2電極IOb配置在波長變換元件52的兩端部，使第I電極IOa和第2電極IOb之間的距離L變長。此外，降低形成波長變換元件52的高度H。由此，使與在中心所設(shè)置的光波導(dǎo)路8部分之間的熱電阻增加，從而使光波導(dǎo)路8部分被熱絕緣。圖8-2是圖8-1所示的光學器件80的俯視圖。如圖示那樣，將波長變換元件52相對于基板2的接合部分進行分割。即，從上面觀察，在沿著光波導(dǎo)路8的長度方向的方向上，部分地形成第I電極IOa和第2電極10b。在圖示的例子中，將第I電極IOa和第2電極IOb形成為矩形形狀，在光波導(dǎo)路8的長度方向上被分別分離，并且分別連接到基板2 —側(cè)的第I金屬布線16a和第2金屬布線16b。通過將第I電極IOa和第2電極IOb進行分害I]，相對于基板2，減少了進行熱傳導(dǎo)的部位即接合部的面積。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于第I電極IOa和第2電極IOb相對于基板2的接合面積減少，因此使用低熱傳導(dǎo)性的粘接劑81在整個長度方向上使波長變換元件52的兩端粘接到基板2。由此，能夠補充波長變換元件52對基板2的固定強度。盡管第I電極IOa和第2電極IOb在波長變換元件52的長度方向上被分割，但是在被分割的多個第I電極IOa(多個第2電極IOb)之間分別設(shè)置由與這些第I電極IOa和第2電極IOb相同的金屬材料(Au)構(gòu)成的防侵入壁82。防侵入壁82自身以將各自進行電絕緣的狀態(tài)而 與第I電極IOa和第2電極IOb同時通過刻蝕等形成。通過設(shè)置該防侵入壁82，能夠防止粘接劑81向內(nèi)部(圖8-2所示的光波導(dǎo)路8方向)的侵入。該防侵入壁82為了不帶來熱影響，而要盡量薄地形成寬度W。作為實施例5的變形例，除了圖8-1、圖8-2所示的結(jié)構(gòu)之外，還可以設(shè)為如下構(gòu)成設(shè)置圖7-2所示的氧化膜72、提高波長變換元件52和基板2之間的高度、且增加熱電阻。圖8-3是表示實施例5的另一光學器件80的構(gòu)成的側(cè)視圖。在該圖所示的構(gòu)成中，將使硅被多孔狀地微結(jié)晶化在由硅構(gòu)成的基板2的上表面一側(cè)的納米晶體部83形成規(guī)定高度H (10微米左右)。在該納米晶體部83上形成第I金屬布線16a和第2金屬布線16b。通過該納米晶體部83，能夠增加熱電阻。[實施例6:圖9-1 圖9-3]接著，使用圖9-1 圖9-3來說明本發(fā)明實施例6的光學器件90的構(gòu)成。在實施例6中，設(shè)為用于增加基板2的長度方向(光波導(dǎo)路8的光軸方向)的熱電阻RL的構(gòu)成。圖9-1是表示實施例6的光學器件90的構(gòu)成的正視圖。在圖9-1所示的結(jié)構(gòu)中，與圖6說明同樣，安裝了 LD51的基板2的部分歷經(jīng)LD51的長度LI被接合到基礎(chǔ)基板55。從LD51起開頭的部分即設(shè)置了波長變換元件52和FBG53的基板2的部分歷經(jīng)長度L2而在與基礎(chǔ)基板55之間形成空間部56以進行絕熱。在FBG53的端部設(shè)置熱傳導(dǎo)性良好的支撐臺57，用支撐臺57支撐FBG53。此外，在基板2的端部位置的基礎(chǔ)基板55上，設(shè)置由熱絕緣性材料構(gòu)成的支撐部件91，以支撐基板2的端部。然后，基板2通過刻蝕等薄薄地形成。LD51部分從基板2經(jīng)由基礎(chǔ)基板55而直接散熱到散熱器58。但是，該支撐部件91不局限于根據(jù)熱控制的設(shè)計而具有熱傳導(dǎo)性的部件，還可以使用具有絕熱性的部件。圖9-2是表不實施例6的另一光學器件90的構(gòu)成的正視圖。為了方便,僅不出基板2部分。在該基板2的下表面上，開ロ形成多個溝槽92。該溝槽92為了維持基板2的強度而以不貫通到基板2的上部的方式設(shè)置。溝槽92的開ロ能夠成為圓形或者四邊形等任意的形狀。圖9-3是表不實施例6的另一光學器件90的構(gòu)成的正視圖。在該基板2的下表面上，開ロ形成凹部93。該凹部93為了維持基板2的強度而保留基板的邊部而挖空內(nèi)部來設(shè)置。通過以上說明的圖9-1 圖9-3所示的構(gòu)成，能夠提高基板2的熱電阻，能夠?qū)⒉ㄩL變換元件52在高溫下保持于恒定溫度。[實施例7 圖 10-1、圖 10-2]接著，說明本發(fā)明實施例7的光學器件100的構(gòu)成。在實施例7中，說明用加熱器對光波導(dǎo)路8的近前進行加熱的構(gòu)成。圖10-1是說明加熱器的結(jié)構(gòu)的平面圖，圖10-2是說明加熱器的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。由Au構(gòu)成的第I電極IOa和第2電極IOb分割成多個而設(shè)置(參考圖8-2)。并且，從該多個第I電極IOa —側(cè)分別向著光波導(dǎo)路8設(shè)置相同的由Au構(gòu)成的導(dǎo)出部101a，在導(dǎo)出部IOla的前端沿著光波導(dǎo)路8平行地設(shè)置由Au構(gòu)成的加熱器102a。同樣地,從多個第2電極IOb —側(cè)分別向著光波導(dǎo)路8設(shè)置由Au構(gòu)成的導(dǎo)出部IOlb,在導(dǎo)出部IOlb的前端沿著光波導(dǎo)路8平行地設(shè)置由Au構(gòu)成的加熱器102b。盡管在上述構(gòu)成中，設(shè)為將光波導(dǎo)路8設(shè)置在凸形狀的脊部分上的構(gòu)成，但是，光波導(dǎo)路8不限于設(shè)置在脊結(jié)構(gòu)部分上。由于在上述構(gòu)成中將導(dǎo)出部101a、IOlb形成為延長到脊部分的兩側(cè)部的凹部的位置，因此能夠?qū)⒓訜崞?02a、102b接近光波導(dǎo)路8而配置，并且能夠用加熱器102a、102b直接加熱光波導(dǎo)路8。上述構(gòu)成是將波長變換元件52的電極即第I電極10a、第2電極IOb共用作加熱器102a、102b的電極的構(gòu)成，以電極的材質(zhì)來構(gòu)成加熱器102a、102b，能夠有效地在近前加熱光波導(dǎo)路8，從而能夠?qū)⒐獠▽?dǎo)路8溫度控制為恒定。此外，由于能夠以相同的材質(zhì)(例如Au)容易地構(gòu)圖第I電極10a、第2電極10b、導(dǎo)出部101a、101b、加熱器102a、102b，且以 與接合的電極相同的材質(zhì)來兼用加熱器的功能，從而不需要単獨地導(dǎo)出加熱器102a、102b的電極。在該構(gòu)圖時，能夠通過調(diào)整圖案的尺寸而成為適合于例如5V等的脈沖寬度調(diào)制控制的電阻值。作為由上述的Au薄膜實現(xiàn)的加熱器102a、102b的特性，例如，當假設(shè)長度L = 1mm、剖面面積A = 2微米X0. 5微米時,變成加熱器電阻R=P L/A = 23. 5 Ω，Au的電阻率 P = 2. 35Xl(T8Qm,L = lXl(T3m,A = 2X0. 5Xl(T12m2。由此，當作為脈沖寬度調(diào)制而施加5V時，由于在235mA下變成I. 06W,因此導(dǎo)出部101a、101b的長度可以設(shè)為2mm左右。此外，圖10-3是表示極化反轉(zhuǎn)用的電極的側(cè)視圖。如圖示那樣，極化反轉(zhuǎn)用的電極105的寬度不是設(shè)置在波長變換元件52的全部寬度上，而與光波導(dǎo)路8的脊部分對應(yīng)設(shè)置為具有規(guī)定寬度W1。極化反轉(zhuǎn)用的電極105由ITO膜形成。106是粘接層。由此，能夠減少由ITO膜實現(xiàn)的在極化反轉(zhuǎn)用的電極105部分的熱傳導(dǎo)。接著，圖11-1、圖11-2是經(jīng)由被分別分割的多個電極來檢測加熱器的施加電壓的說明圖。使用上述多個第I電極10a、第2電極IOb以模塊方式進行溫度控制，但是此時的電極間的施加電壓能夠通過圖示那樣的一般的4端子法而正確地檢測出。以多個第I電極IOa為例子進行說明。例如，如圖11-1所示，在檢測加熱器102a2(R2)的施加電壓時，通過該加熱器102a2的ー對第I電極10a2、10a3來檢測電壓V。此時，只要從該ー對的電極10a2、10a3的兩相鄰電極IOal和10a4供給電流即可。同樣地，如圖11_2所示，在檢測加熱器102a3(R3)的施加電壓時，通過該加熱器102a3的ー對第I電極10a3、10a4來檢測電壓V。此時，只要從該ー對的電極10a3、10a4的兩相鄰電極10a2和10a5供給電流即可。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)由本發(fā)明實現(xiàn)的光學器件，由于是具有用來引導(dǎo)光的波導(dǎo)路且兼?zhèn)湟宰钚〉陌惭b面積進行安裝和溫度控制這兩個功能的元件，因此能夠適用于需要安裝和溫度控制的其他的元件，是使其尺寸小型化的結(jié)構(gòu)。附圖符號說明2 基板
4、4a、4b、4c 薄膜加熱器6光學元件8光波導(dǎo)路10a、IOal、10a2、10a3 第 I 電極
10b、10bl、10b2、10b3 第 2 電極12第I接合部14第2接合部16a、16al、16a2、16a3 第 I 金屬布線16b、16bl、16b2、16b3 第 2 金屬布線18微型凸塊20、30、40 光學器件22、24、26 區(qū)域27、28a、28b、28c 施加電流51 激光二極管(LD)52波長變換元件53光纖布拉格光柵(FBG)55基礎(chǔ)基板55a 凹部56空間部57支撐臺58散熱器IOlaUOlb 導(dǎo)出部102a、102b 加熱器
權(quán)利要求
1.ー種光學器件，是將形成了光波導(dǎo)路的光學元件與基板接合的光學器件，其特征在于， 在與所述光學元件的所述基板對置的面上形成所述光波導(dǎo)路和用于加熱所述光波導(dǎo)路的薄膜加熱器， 所述光學元件和所述基板，通過由金屬材料構(gòu)成的第I接合部和第2接合部而接合，經(jīng)由所述第I接合部和所述第2接合部，所述薄膜加熱器與所述基板上的布線被導(dǎo)通連接， 所述第I接合部和所述第2接合部，夾著所述光波導(dǎo)路而定位。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在于，包括 在所述薄膜加熱器上所形成的第I電極和第2電極；以及 在所述基板上所形成的第I金屬布線和第2金屬布線， 使所述第I電極和所述第I金屬布線接合而形成所述第I接合部， 使所述第2電極和所述第2金屬布線接合而形成所述第2接合部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學器件，其特征在于，包括 多個所述第I電極；多個所述第2電極；多個所述第I金屬布線；和多個所述第2金屬布線， 各個所述第I電極和各個所述第I金屬布線分別接合而形成所述第I接合部， 各個所述第2電極和各個所述第2金屬布線分別接合而形成所述第2接合部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學器件，其特征在干， 多個所述薄膜加熱器被形成在所述光學元件上， 在各個所述薄膜加熱器上形成了任何一個所述第I電極和任何一個所述第2電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 所述金屬材料是Au。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 所述接合部具有微型凸塊結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 通過所述接合部利用表面活化接合來接合所述基板和所述光學元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 所述薄膜加熱器由透明電極形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學器件，其特征在干， 所述薄膜加熱器由氧化銦錫(ITO)、或者氧化鋅(ZnO)、氧化錫或者在這些氧化物中摻入雜質(zhì)后的膜形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 所述光學元件是對用于引導(dǎo)所述光波導(dǎo)路的光進行波長變換的波長變換元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 在所述基板上，沿著所述光波導(dǎo)路的光軸方向，設(shè)置激光二極管、用于引導(dǎo)從所述激光二極管射出的光的光波導(dǎo)路、對用于引導(dǎo)所述光波導(dǎo)路的光進行波長變換的波長變換元件、以及光纖布拉格光柵， 所述光學器件還包括由熱傳導(dǎo)性良好的材料構(gòu)成的用于安裝所述基板的基礎(chǔ)基板，所述基礎(chǔ)基板與安裝了位于一端側(cè)的所述激光二極管的基板接合，并且在從所述波長變換元件到所述光纖布拉格光柵之間，在與所述基板之間形成空間部，位于另一端側(cè)的所述光纖布拉格光柵的端部使用熱傳導(dǎo)性良好的支撐臺來支撐所述基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學器件，其特征在干， 所述波長變換元件上所設(shè)置的第I電極和第2電極，夾著所述光波導(dǎo)路，且分別位于所述波長變換元件的端部位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學器件，其特征在干， 在所述基板上，在設(shè)置所述第I金屬布線和多個所述第2金屬布線的部分上形成規(guī)定高度的氧化膜，從而提高了所述基板和所述波長變換元件之間的空間高度。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學器件，其特征在干， 在所述基板上，在設(shè)置所述第I金屬布線和多個所述第2金屬布線的部分上，設(shè)置將基板的材料加工成多孔狀的部位，從而降低了熱傳導(dǎo)性。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學器件，其特征在干， 將所述第I電極和所述第2電極以沿著所述光波導(dǎo)路分割的方式設(shè)置多個， 在被分割的所述第I電極之間和所述第2電極之間，設(shè)置由與所述第I電極和所述第2電極相同的材質(zhì)構(gòu)成且與所述第I電極和所述第2電極電絕緣的防侵入壁， 通過所述防侵入壁，防止了在將所述波長變換元件固接在所述基板上時粘接劑向內(nèi)部的侵入。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 在所述基板的下表面上，形成了不貫通的多個溝槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學器件，其特征在干， 在所述基板的下表面上，保留該基板的邊部且開ロ形成了凹部。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學器件，其特征在干， 所述波長變換元件具有 沿著所述光波導(dǎo)路平行地設(shè)置的加熱器；和 從第I電極和第2電極起連接至所述加熱器的導(dǎo)出部， 所述第I電極、所述第2電極和所述導(dǎo)出部由相同的材質(zhì)構(gòu)成， 將所述第I電極和所述第2電極用于所述基板的第I金屬布線和第2金屬布線之間的接合，并且兼用作所述加熱器的電極。
全文摘要
本發(fā)明的光學器件(20)是使形成了光波導(dǎo)路(8)的光學元件(6)接合到基板(2)的器件，特征在于，在與光學元件(6)的基板(2)對置的面上，形成光波導(dǎo)路(8)和用于加熱光波導(dǎo)路(8)的薄膜加熱器(4)，光學元件(6)和基板(2)通過由金屬材料構(gòu)成的第1接合部(12)和第2接合部(14)接合，經(jīng)由第1接合部(12)和第2接合部(14)，薄膜加熱器(4)與基板(2)上的布線導(dǎo)通連接。通過設(shè)為這樣的構(gòu)成，不需要另外設(shè)置導(dǎo)通連接用的布線，從而能夠消除光學元件(6)上的冗余區(qū)域而實現(xiàn)小型化，且能夠簡化制造工序。
文檔編號G02F1/01GK102667578SQ20108005299
公開日2012年9月12日 申請日期2010年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日
發(fā)明者瀧澤亨, 野崎孝明, 阿部洋輔 申請人:西鐵城控股株式會社