專利名稱：液晶顯示面板、液晶顯示面板用基板的檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使一對基板隔開規(guī)定的間隔而重疊，在一對基板的間隙封入作為顯示介質(zhì)層的液晶層的液晶顯示面板、液晶顯示面板用基板的檢查方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為便攜電話等移動型終端、筆記本型計算機等各種電子設(shè)備的顯示面板，廣泛地使用了具有薄且輕，并且可以用低電壓來驅(qū)動且功耗較少的優(yōu)點的液晶顯示面板。一般地說，液晶顯示面板具備一對基板(即，TFT(Thin Film Transistor 薄膜晶體管)基板和CF(Color Filter 彩色濾光片)基板)，其相互相對配置；液晶層，其設(shè)置在一對基板之間；取向膜，其規(guī)定液晶層的取向；以及密封材料，其將一對基板相互粘接， 并且為了在兩基板之間封入液晶而設(shè)置成框狀。在此，一般地說，取向膜是通過用印刷法等涂敷聚酰亞胺樹脂，之后，進行燒結(jié)來形成，該取向膜形成于基板上的顯示區(qū)域及其外周所設(shè)置的密封材料的附近。此時，當(dāng)在密封材料的配置區(qū)域中形成有取向膜時，當(dāng)涂敷并形成密封材料時，在密封材料和基板之間存在取向膜，因此，發(fā)生密封材料的貼緊強度降低的問題。另外，例如，在取向膜由聚酰亞胺樹脂形成的情況下，由于該聚酰亞胺樹脂所具有的透濕性，發(fā)生向密封材料的外側(cè)露出的取向膜吸收外部的水分，在密封材料的內(nèi)部所配置的液晶層被污染的問題。因此，為了防止該缺陷，提出了除去在密封材料的配置區(qū)域中形成的取向膜的方法。更具體地說，例如，公開了在形成取向膜后，照射激光來除去在密封材料的配置區(qū)域中形成的取向膜的方法(例如，參照專利文獻1)。另外，公開了在形成取向膜后，通過用清洗工序進行純水清洗來進行水溶性抗蝕劑的除去的拔起方法，除去密封材料的配置區(qū)域中的取向膜的方法(例如，參照專利文獻2)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 特開2007-114361號公報專利文獻2 特開2009-8868號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，在上述專利文獻1、2所述的方法中，可以進行在密封材料的配置區(qū)域中形成的取向膜的除去，但是存在以下問題無法判斷密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜，確認(rèn)能否除去取向膜是困難的。另外，也可以考慮使用光學(xué)顯微鏡進行的目視確認(rèn)，但是在該方法中，存在以下問題在判斷有無取向膜上存在不同人之間的差異，并且非常費事和費時，而且需要破壞液晶顯示面板。因此，本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供可以判斷密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜，并且可以可靠地確認(rèn)能否除去在密封材料的配置區(qū)域中存在的取向膜的液晶顯示面板及液晶顯示面板用基板的檢查方法。用于解決問題的方案為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明液晶顯示面板的特征在于，具備第1基板；第2基板， 其與第1基板相對配置；液晶層，其設(shè)置在第1基板及第2基板之間；取向膜，其設(shè)置在第1 基板和第2基板的各自的液晶層側(cè)，規(guī)定液晶層的取向；以及密封材料，其被夾持在第1基板和第2基板之間，將第1基板和第2基板相互粘接，并且以圍繞液晶層的方式設(shè)置成框狀，在密封材料的配置區(qū)域中，設(shè)有金屬圖案，上述金屬圖案用于將從傅里葉變換紅外分光光度計出射的紅外光向傅里葉變換紅外分光光度計反射來判斷配置區(qū)域中有無取向膜。根據(jù)該構(gòu)成，作為判斷密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜的判斷用標(biāo)記，采用將從傅里葉變換紅外分光光度計出射的紅外光向傅里葉變換紅外分光光度計反射的金屬圖案設(shè)置于密封材料的配置區(qū)域的構(gòu)成。因此，可以使用傅里葉變換紅外分光光度計的顯微反射法，因此，基于由傅里葉變換紅外分光光度計所測量的紅外吸收光譜，可以判斷密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜，可以通過非接觸測量來判斷有無取向膜。特別是在除去在密封材料的配置區(qū)域中存在的取向膜后，可以判斷密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜，因此， 可以可靠地確認(rèn)能否除去在密封材料的配置區(qū)域中存在的取向膜。另外，與由使用光學(xué)顯微鏡進行的目視確認(rèn)不同，在有無取向膜的判斷上不產(chǎn)生不同人之間的差異，另外，可以不破壞液晶顯示面板地、迅速且容易地判斷有無取向膜。另外，可以通過非接觸測量來容易地判斷有無取向膜，因此，即使在密封材料的配置區(qū)域中存在取向膜的情況下，也可以迅速且容易地除去取向膜。因此，可以提高生產(chǎn)率和成品率。另外，設(shè)置金屬圖案，使用傅里葉變換紅外分光光度計的顯微反射法，由此可以以低成本來判斷有無取向膜。另外，在密封材料的配置區(qū)域中設(shè)有金屬圖案，因此，可以不損壞外觀地判斷有無取向膜。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，金屬圖案可以以金屬圖案的內(nèi)周面與配置區(qū)域的內(nèi)周面成為同一平面的方式配置。根據(jù)該構(gòu)成，使取向膜堵在金屬圖案的內(nèi)周面的位置，可以有效地抑制在密封材料的配置區(qū)域中形成取向膜。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，金屬圖案可以沿著配置區(qū)域的內(nèi)周面設(shè)置成框狀。根據(jù)該構(gòu)成，在密封材料的整個配置區(qū)域，可以通過非接觸測量來判斷有無取向膜。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，金屬圖案的寬度可以是50 μ m以上。根據(jù)該構(gòu)成，在傅里葉變換紅外分光光度計中，可以提高被金屬圖案的表面反射的紅外光的檢測精度。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，可以是以下構(gòu)成在將金屬圖案的厚度設(shè)為C，將液晶顯示面板的厚度方向上的第1基板和第2基板之間的距離設(shè)為D的情況下，C < D 的關(guān)系成立。根據(jù)該構(gòu)成，當(dāng)用密封材料貼合第1基板和第2基板時，可以避免因為金屬圖案的厚度而阻礙貼合的缺陷，可以不改變制造條件地生產(chǎn)液晶顯示面板。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，金屬圖案可以由從包括鉭、鉻、鉬、鎳、鈦、銅、 鋁的群中選擇的1種形成。根據(jù)該構(gòu)成，可以由低價且有通用性的金屬材料來形成金屬圖案。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，金屬圖案可以設(shè)于第1基板和第2基板中的至少一方。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，液晶顯示面板可以由簡單矩陣方式或有源矩陣方式來驅(qū)動。本發(fā)明的液晶顯示面板用基板的檢查方法的特征在于，上述液晶顯示面板用基板具備基板；取向膜，其設(shè)于基板，規(guī)定液晶層的取向；以及金屬圖案，其設(shè)于基板中的密封材料的配置區(qū)域，上述液晶顯示面板用基板的檢查方法至少包括照射步驟，由傅里葉變換紅外分光光度計對金屬圖案照射紅外光；測量步驟，由傅里葉變換紅外分光光度計接收被金屬圖案反射的紅外光，測量紅外吸收光譜；以及判斷步驟，基于紅外吸收光譜判斷配置區(qū)域中有無取向膜。根據(jù)該構(gòu)成，是以下構(gòu)成由傅里葉變換紅外分光光度計接收被金屬圖案反射的紅外光，測量紅外吸收光譜，由此檢查配置區(qū)域中有無取向膜。因此，可以通過使用傅里葉變換紅外分光光度計的顯微反射法來檢查密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜，可以通過非接觸測量來判斷有無取向膜。另外，可以通過非接觸測量容易地檢查有無取向膜，因此，即使在密封材料的配置區(qū)域中存在取向膜的情況下，也可以迅速且容易地除去取向膜。因此，可以提高生產(chǎn)率和成品率。另外，設(shè)置金屬圖案，使用傅里葉變換紅外分光光度計的顯微反射法，由此可以以低成本來判斷有無取向膜。另外，在密封材料的配置區(qū)域中設(shè)有金屬圖案，因此，可以不損壞外觀地判斷有無取向膜。而且，當(dāng)研究各種取向膜除去方法時，可以容易地確認(rèn)這些取向膜除去方法的有效性，因此，可以容易且在短時間內(nèi)進行取向膜除去方法的研究。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板用基板的檢查方法中，也可以是以下構(gòu)成在判斷步驟中，比較由傅里葉變換紅外分光光度計測量的紅外吸收光譜和預(yù)先存儲的其它紅外吸收光譜，由此判斷配置區(qū)域中有無取向膜。根據(jù)該構(gòu)成，比較由傅里葉變換紅外分光光度計測量的紅外吸收光譜和預(yù)先存儲的其它紅外吸收光譜，由此檢查有無取向膜，因此，可以用簡單的方法迅速且準(zhǔn)確地進行有無取向膜的檢查。另外，在本發(fā)明的液晶顯示面板用基板的檢查方法中，也可以是以下構(gòu)成在照射步驟中，使與入射面平行地偏振的紅外光以7 5°以上85°以下的入射角入射。根據(jù)該構(gòu)成，當(dāng)由傅里葉變換紅外分光光度計測量紅外吸收光譜時，可以用高靈敏度反射法(或反射吸收法)來測量紅外吸收光譜。因此，可以以非常高的靈敏度來檢測在金屬圖案的表面上存在的薄膜(取向膜)，因此，即使在取向膜的厚度非常薄的情況下， 也可以檢查密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以通過非接觸測量來判斷密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜。另外，可以可靠地確認(rèn)能否除去在密封材料的配置區(qū)域中存在的取向膜。另外，可以不破壞液晶顯示面板地迅速且容易地判斷有無取向膜。


圖1是示出本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的整體構(gòu)成的俯視圖。圖2是圖1的A-A截面圖。圖3是本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的等價電路圖。圖4是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的TFT基板的整體構(gòu)成的截面圖。圖5是示出本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的顯示部的整體構(gòu)成的截面圖。圖6是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的TFT基板的整體構(gòu)成的截面圖。圖7是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的CF基板的整體構(gòu)成的截面圖。圖8是用于說明本發(fā)明的實施方式的有無取向膜的判斷方法的圖。圖9是用于說明本發(fā)明的實施方式的有無取向膜的判斷方法的流程圖。圖10是示出用本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板用基板的檢查方法所測量的紅外吸收光譜的一個例子的圖。圖11是用于說明本發(fā)明的實施方式的有無取向膜的判斷方法的圖。圖12是示出用本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板用基板的檢查方法所測量的紅外吸收光譜的一個例子的圖。圖13是示出本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板中的金屬圖案的俯視圖。圖14是用于說明在本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板用基板的檢查方法中使用的傅里葉變換紅外分光光度計的紅外吸收光譜的測量方法的變形例的圖。圖15是用于說明在本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板用基板的檢查方法中使用的傅里葉變換紅外分光光度計的紅外吸收光譜的測量方法的變形例的圖。圖1 6是示出本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的金屬圖案的變形例的俯視圖。
具體實施例方式下面，基于附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實施方式。此外，本發(fā)明不限于下面的實施方式。圖1是是示出本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的整體構(gòu)成的俯視圖，圖2是圖 1的A-A截面圖。另外，圖3是本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的等價電路圖，圖4是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的TFT基板的整體構(gòu)成的截面圖。另外，圖5是示出本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的顯示部的整體構(gòu)成的截面圖，圖6是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的TFT基板的整體構(gòu)成的截面圖。另外，圖7是示出構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的液晶顯示面板的CF基板的整體構(gòu)成的截面圖。如圖1、圖2所示，液晶顯示面板1具備TFT基板10，其是第1基板(液晶顯示面板用基板)；CF基板20，其是與TFT基板10相對的第2基板(液晶顯示面板用基板)；以及液晶層25，其是設(shè)置在TFT基板10和CF基板20之間的顯示介質(zhì)層。另外，液晶顯示面板 1具備密封材料沈，上述密封材料沈被夾持在TFT基板10和CF基板之間，為了使TFT基板10及CF基板20相互粘接并且封入液晶層25而設(shè)置成框狀。該密封材料沈以圍繞液晶層25的方式形成，TFT基板10和CF基板20隔著該密封材料沈而相互貼合。另外，如圖1所示，在液晶顯示面板1中，TFT基板10在其上邊比CF基板20突出，在該突出的區(qū)域中，引出后述的柵極線、源極線等多根配線36，并且構(gòu)成端子區(qū)域T，在上述端子區(qū)域T中設(shè)有與配線36連接并用于驅(qū)動液晶顯示面板1的多個端子37。另外，在液晶顯示面板1中，規(guī)定有在TFT基板10及CF基板20重疊的區(qū)域中進行圖像顯示的顯示區(qū)域(或中央?yún)^(qū)域)H。在此，顯示區(qū)域H是矩陣狀地排列多個作為圖像的最小單位的像素而構(gòu)成的。另外，在TFT基板10中，具有邊框區(qū)域F，上述邊框區(qū)域F形成在顯示區(qū)域H的周圍并且不參與顯示。該邊框區(qū)域F如圖1所示，在顯示區(qū)域H的周圍框狀地形成。此外，密封材料沈如圖1所示，設(shè)為包圍顯示區(qū)域H的整個周圍的矩形框狀。該密封材料沈的框?qū)抁沒有特別限定，例如可以設(shè)定為0. 5mm以上2. Omm以下。另外，液晶層25例如包括具有電光學(xué)特性的向列型液晶材料等。TFT基板10如圖3、圖4所示，具備玻璃基板、塑料基板等絕緣基板6 ；多個柵極線11，其在該絕緣基板6上相互平行地延伸設(shè)置；以及柵極絕緣膜12，其以覆蓋各柵極線 11的方式設(shè)置。另外，TFT基板10具備多根源極線14，其在柵極絕緣膜12上在與各柵極線11正交的方向上相互平行地延伸設(shè)置；多個TFT5，其分別設(shè)置在各柵極線11及各源極線14的每個交叉部分；以及層間絕緣膜38，其包括以覆蓋各源極線14及各TFT5的方式順序設(shè)置的第1層間絕緣膜15及第2層間絕緣膜16。另外，TFT基板10具有多個像素電極 19，其在第2層間絕緣膜16上矩陣狀地設(shè)置，分別與各TFT5連接；和取向膜9，其以覆蓋各像素電極19的方式設(shè)置。另外，TFT5如圖4所示，具備柵極電極17，其由各柵極線11向側(cè)方突出而形成； 柵極絕緣膜12，其以覆蓋柵極電極17的方式設(shè)置；半導(dǎo)體層13，其在柵極絕緣膜12上與柵極電極17重疊的位置島狀地設(shè)置；以及源極電極18及漏極電極46，其在半導(dǎo)體層13上以相互對峙的方式設(shè)置。在此，源極電極18是各源極線14向側(cè)方突出的部分。另外，漏極電極46如圖4所示，經(jīng)由形成于第1層間絕緣膜15及第2層間絕緣膜16的接觸孔30與像素電極19連接。另外，像素電極19如圖5所示，包括透明電極31，其設(shè)置在第2層間絕緣膜16上；和反射電極32，其層疊在透明電極31上，設(shè)置在透明電極31的表面上。另外， 半導(dǎo)體層13如圖4所示，具備下層的本征非晶硅層13a ；和其上層的摻雜有磷的η+非晶硅層13b，從源極電極18及漏極電極46露出的本征非晶硅層13a構(gòu)成溝道區(qū)域。此外，TFT基板10的構(gòu)成不限于此，例如，可以在柵極絕緣膜12的下層設(shè)置基底絕緣膜，另外，也可以在第1層間絕緣膜15和第2層間絕緣膜16的上層設(shè)置保護膜、有機絕緣膜。另外，在TFT基板10及具備其的液晶顯示面板1的顯示部中，如圖5所示，由反射電極3 2規(guī)定反射區(qū)域R，由從反射電極32露出的透明電極31規(guī)定透射區(qū)域T。另外，像素電極19的下層的第2層間絕緣膜16的表面如圖5所示，凹凸?fàn)畹匦纬桑?在第2層間絕緣膜16的表面隔著透明電極31所設(shè)置的反射電極32的表面也凹凸?fàn)畹匦纬?。此外，不一定必須?guī)定上述反射區(qū)域R，也可以是僅規(guī)定透射區(qū)域T的構(gòu)成。作為構(gòu)成第1層間絕緣膜15的材料，沒有特別限定，可以舉出例如氧化硅(SiO2)、 氮化硅(SiNx (χ是正數(shù)))等。另外，優(yōu)選第1層間絕緣膜15的厚度是600nm以上IOOOnm 以下。其原因是，在第1層間絕緣膜15的厚度不到600nm的情況下，有時發(fā)生使第1層間絕緣膜15實現(xiàn)平坦化變得困難的缺陷，在大于IOOOnm的情況下，有時發(fā)生通過蝕刻來形成接觸孔30變得困難的缺陷。CF基板20如圖5所示，具備玻璃基板、塑料基板等絕緣基板21 ；彩色濾光片層 22，其設(shè)置在絕緣基板21上；以及透明層23，其用于在彩色濾光片層22的反射區(qū)域R中補償反射區(qū)域R和透射區(qū)域T的光路差。另外，CF基板20具有共用電極M，其以覆蓋彩色濾光片層22的透射區(qū)域T及透明層23 ( S卩，反射區(qū)域R)的方式設(shè)置；光間隔物四，其在共用電極M上柱狀地設(shè)置；以及取向膜48，其以覆蓋共用電極M及光間隔物四的方式設(shè)置。 此外，在彩色濾光片層22中，包括相對于各像素設(shè)置的紅色層R、綠色層G以及藍(lán)色層B的著色層觀和作為遮光膜的黑矩陣27。黑矩陣27設(shè)置在相鄰的著色層觀之間，具有劃分該多個著色層觀的功能。另外，如圖5所示，黑矩陣27隔著光間隔物四與TFT基板10所具有的層間絕緣膜39相對配置。此外，光間隔物四例如包括丙烯酸類感光樹脂，由光刻法形成。另外，黑矩陣27由分散有Ta (鉭)、Cr (鉻)、Mo (鉬)、鎳(Ni)、Ti (鈦)、Cu (銅)、 Al (鋁)等金屬材料、碳等黑色顏料的樹脂材料，或?qū)盈B各自具有光透射性的多種顏色的著色層的樹脂材料等形成。此外，CF基板20的構(gòu)成不限于此，例如可以是在黑矩陣27的上層設(shè)置保護膜的構(gòu)成。另外，取向膜9、48如圖5所示，設(shè)置在TFT基板10和CF基板20的各自的液晶層 25側(cè)，用于規(guī)定液晶層25的取向。另外，該取向膜9、48例如包括聚酰亞胺樹脂，通過作為柔性法的柔版印刷(轉(zhuǎn)印法印刷)、旋涂法等印刷法、將液狀材料作為液滴而噴出的液滴噴出法來形成。另外，取向膜9、48的厚度在顯示區(qū)域H中是200nm左右，在顯示區(qū)域H以外的密封材料26的配置區(qū)域35附近是數(shù)nm 數(shù)十nm。上述構(gòu)成的半透射型液晶顯示面板1構(gòu)成為在反射區(qū)域R中用反射電極32反射從CF基板20側(cè)入射的光，并且在透射區(qū)域T中，透射從TFT基板10側(cè)入射的來自背光源 (未圖示)的光。液晶顯示面板1按每個像素電極構(gòu)成1個像素，在各像素中對液晶層25施加規(guī)定大小的電壓，由此改變液晶層25的取向狀態(tài)，并且例如通過調(diào)整從背光源入射的光的透射率來顯示圖像。
另外，在本實施方式中，如圖2、圖6、圖7所示，在密封材料沈的配置區(qū)域35中， 設(shè)有作為反射部件的金屬圖案2。該金屬圖案2是用于判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9、48的判斷用標(biāo)記，如后所述，將從傅里葉變換紅外分光光度計(FT4R裝置)出射的紅外光向傅里葉變換紅外分光光度計反射，由此用于判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9、48。作為形成金屬圖案2的材料，只要是反射紅外光的材料，則沒有特別限定，但是從低價且容易地形成金屬圖案2的觀點來看，例如可以使用Ta (鉭)、Cr (鉻)、Mo (鉬)、鎳 (Ni)、Ti (鈦)、Cu (銅)、Al (鋁)等形成上述柵極線11、源極線14的材料。另外，如圖1、圖2所示，該金屬圖案2與上述密封材料沈同樣地，以圍繞液晶層25 的方式形成，在密封材料26的寬度方向X上，金屬圖案2的內(nèi)周面(即，在寬度方向X上， 液晶層25側(cè)的面)2a的位置以與密封材料沈的內(nèi)周面(即，在寬度方向X上，液晶層25 側(cè)的面)26a的位置一致的方式配置。另外，如圖1、圖2所示，在密封材料沈的寬度方向X上，金屬圖案2的外周面(即， 在寬度方向χ上，與液晶層25側(cè)相反一側(cè)的面)2b配置在比密封材料沈的外周面(S卩，在寬度方向X上，與液晶層25側(cè)相反一側(cè)的面)26b靠內(nèi)側(cè)(液晶層25側(cè))的位置。S卩，金屬圖案2在密封材料沈的寬度方向X上，從密封材料沈的內(nèi)周面^a的位置朝向密封材料沈的外周面26b而延伸設(shè)置。換言之，如圖6、圖7所示，在隔著密封材料沈相互貼合前(即，形成密封材料沈前)的TFT基板10和CF基板20中，在密封材料沈的配置區(qū)域35的寬度方向(S卩，密封材料26的寬度方向)X上，金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置以與配置區(qū)域35的內(nèi)周面(S卩，在寬度方向X上，液晶層25側(cè)的面)35a的位置一致的方式配置。即，金屬圖案2在配置區(qū)域 35中，以金屬圖案2的內(nèi)周面加與配置區(qū)域35的內(nèi)周面3 成為同一平面的方式配置。另外，如圖1、圖2、圖6、圖7所示，金屬圖案2沿著配置區(qū)域35的內(nèi)周面3 設(shè)置成框狀。另外，如圖6、圖7所示，在配置區(qū)域35的寬度方向X上，金屬圖案2的外周面2b 配置在比配置區(qū)域35的外周面(即，在寬度方向X上，與液晶層25側(cè)相反一側(cè)的面)3 靠內(nèi)側(cè)(液晶層25側(cè))的位置。S卩，金屬圖案2在配置區(qū)域35的寬度方向X上，從配置區(qū)域35的內(nèi)周面35a的位置朝向配置區(qū)域35的外周面?zhèn)? 而延伸設(shè)置。金屬圖案2的厚度C從可以在金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置可靠地堵住取向膜 9、48的觀點來看，優(yōu)選比取向膜9、48的膜厚(例如是200nm)厚(例如是500nm左右)。一般地說，顯示區(qū)域以外的密封材料配置區(qū)域附近的取向膜的厚度比200nm薄(數(shù)nm 數(shù)十 nm)，因此，如果有500nm左右的厚度，就可以期待充分的效果。另外，當(dāng)用密封材料沈貼合TFT基板10和CF基板20時，從避免因為金屬圖案2 的厚度而阻礙貼合的缺陷的觀點來看，優(yōu)選金屬圖案2的厚度C只要比液晶顯示面板1的厚度方向Y的TFT基板10和CF基板20之間的距離D (—般約為3 μ m)薄即可。S卩，優(yōu)選 C < D的關(guān)系成立。另外，在傅里葉變換紅外分光光度計(FT4R裝置)中，從提高被金屬圖案2的表面反射的紅外光的檢測精度的觀點來看，優(yōu)選金屬圖案2的寬度P是50 μ m以上(即，從配置區(qū)域35的內(nèi)周面3 朝向外周面3 側(cè)是50 μ m以上)。另外，在本實施方式中，密封材料沈的配置區(qū)域35的寬度W與上述密封材料沈的框?qū)挦仆瑯拥?，例如可以設(shè)定為0. 5mm以上2. Omm以下。另外，從可靠地反射從傅里葉變換紅外分光光度計出射的紅外光的觀點來看，金屬圖案2在TFT基板10及CF基板20中均需要設(shè)置在最上層。因此，在如圖6所示的TFT 基板10中，在設(shè)有取向膜9的層間絕緣膜38上設(shè)有金屬圖案2，另外，同樣地，在圖7所示的CF基板20中，在設(shè)有取向膜48的黑矩陣27上設(shè)有金屬圖案2。下面，說明作為液晶顯示面板用基板的TFT基板10及CF基板20的檢查方法(即， 密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜的判斷方法)。圖8是用于說明本發(fā)明的實施方式的有無取向膜的判斷方法的圖，圖9是用于說明本發(fā)明的實施方式的有無取向膜的判斷方法的流程圖。此外，在此，舉例說明TFT基板10的密封材料的配置區(qū)域中有無取向膜的判斷方法。如圖8所示，本實施方式的液晶顯示面板1的判斷裝置40具備傅里葉變換紅外分光光度計4 ；A/D轉(zhuǎn)換器7，其與傅里葉變換紅外分光光度計4連接；以及光譜測量裝置8， 其與A/D轉(zhuǎn)換器7連接，并且用于測量形成取向膜9的樹脂(例如，聚酰亞胺樹脂)的紅外吸收光譜。另外，判斷裝置40具備取向膜判斷裝置41，其與光譜測量裝置8連接，并且用于判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9 ；和存儲裝置42，其與取向膜判斷裝置41 連接，并且存儲用于判斷有無取向膜9的規(guī)定的數(shù)據(jù)。并且，當(dāng)判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9時，首先，利用傅里葉變換紅外分光光度計4，向金屬圖案2的表面2c照射朝向金屬圖案2出射的紅外光43(步驟 Si)。此外，可以是以下構(gòu)成設(shè)置載置有TFT基板10并且支撐該TFT基板10的臺座 45，并且可自由移動地設(shè)置該臺座，將利用傅里葉變換紅外分光光度計4出射的紅外光43 可靠地向金屬圖案2的表面2c照射。并且，在金屬圖案2的表面2c上，紅外光43接近100%地被反射，被反射的紅外光 44再次投射到在傅里葉變換紅外分光光度計4中設(shè)置的檢測儀的受光面，利用傅里葉變換紅外分光光度計4接收被金屬圖案2反射的紅外光44(步驟S2)。更具體地說，是以下結(jié)構(gòu)由傅里葉變換紅外分光光度計4的光源出射的紅外光 43在通過設(shè)于傅里葉變換紅外分光光度計4并且集中在目標(biāo)區(qū)域(即，設(shè)有金屬圖案2的區(qū)域)的孔后，被金屬圖案2的表面2c反射，再次通過孔，由此除去衍射光。S卩，是按照孔、 金屬圖案2、孔的順序透射過的紅外光投射到檢測儀的受光面的構(gòu)成。接著，投射到檢測儀的受光面的紅外光44的數(shù)據(jù)通過A/D轉(zhuǎn)換器7從模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(步驟S3)。接著，被轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號被輸入光譜測量裝置8 (步驟S4)并且通過該光譜測量裝置8對所輸入的數(shù)字信號進行傅里葉變換，測量紅外吸收光譜(步驟 S5)。在此，如圖8所示，在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜9的情況下(即， 在取向膜9并未超過金屬圖案2的內(nèi)周面加進入密封材料沈的配置區(qū)域35的情況下)， 在紅外光43所照射的金屬圖案2的表面2c不存在取向膜9，因此，如圖10所示，在由光譜測量裝置8測量的紅外吸收光譜中，未出現(xiàn)取向膜9的成分(即，聚酰亞胺樹脂的成分)，測量到不存在峰值的紅外吸收光譜。另一方面，如圖11所示，在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9的情況下 (即，在取向膜9超過金屬圖案2的內(nèi)周面加并進入密封材料沈的配置區(qū)域3 5的情況下)，在紅外光43所照射的金屬圖案2的表面2c存在取向膜9，因此，向金屬圖案2的表面 2c照射的紅外光43被取向膜9的成分(即，聚酰亞胺樹脂)吸收。因此，如圖12所示，在由光譜測量裝置8測量的紅外吸收光譜中，出現(xiàn)取向膜9的成分(即，聚酰亞胺樹脂的成分)，測量到存在峰值的紅外吸收光譜。此外，在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9的情況下，由傅里葉變換紅外分光光度計4出射的紅外光43透射過取向膜9，到達(dá)金屬圖案2的表面2c。并且，在金屬圖案2的表面2c上紅外光43接近100%地被反射，被反射的紅外光44再次透射過取向膜 9后，投射到在傅里葉變換紅外分光光度計4中設(shè)置的檢測儀的受光面。更具體地說，是以下結(jié)構(gòu)從傅里葉變換紅外分光光度計4的光源出射的紅外光 43在通過上述孔后，透射過取向膜9，被金屬圖案2的表面2c反射后，再次通過孔，由此除去衍射光。即，是按照孔、取向膜9、金屬圖案2、取向膜9、孔的順序透射過的紅外光投射到檢測儀的受光面的構(gòu)成。接著，向取向膜判斷裝置41輸入所測量的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)(步驟S6)。另外， 取向膜判斷裝置41連接有存儲裝置42，上述存儲裝置42存儲有形成取向膜9的樹脂(即， 聚酰亞胺樹脂)的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)。并且，取向膜判斷裝置41基于由傅里葉變換紅外分光光度計4測量的紅外吸收光譜，判斷在密封材料沈的配置區(qū)域35中是否存在取向膜9。更具體地說，取向膜判斷裝置41從存儲裝置42讀出形成取向膜9的樹脂(例如， 聚酰亞胺樹脂)的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)，并且比較所測量的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)和預(yù)先存儲的形成取向膜9的樹脂的紅外吸收光譜數(shù)據(jù)(步驟S7)。并且，判斷所測量的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)與從存儲裝置42讀出的形成取向膜9的樹脂的紅外吸收光譜數(shù)據(jù)是否一致(步驟 S8)。S卩，是以下構(gòu)成取向膜判斷裝置41比較由傅里葉變換紅外分光光度計4測量的紅外吸收光譜和在存儲裝置42中預(yù)先存儲的紅外吸收光譜，由此判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9。例如，如圖11所示，在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9的情況下，如圖 12所示，由傅里葉變換紅外分光光度計4測量的紅外吸收光譜成為聚酰亞胺樹脂的紅外吸收光譜，與從存儲裝置42讀出的形成取向膜9的樹脂(即，聚酰亞胺樹脂)的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)一致，因此，取向膜判斷裝置41判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9(步驟S9)。另一方面，如圖8所示，在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜9的情況下， 如圖10所示，由傅里葉變換紅外分光光度計4測量的紅外吸收光譜成為不存在峰值的紅外吸收光譜，與從存儲裝置42讀出的形成取向膜9的樹脂(即，聚酰亞胺樹脂)的紅外吸收光譜的數(shù)據(jù)不一致，因此，取向膜判斷裝置41判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜9 (步驟S10)。此外，在判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9的情況下，進行在密封材料26的配置區(qū)域35中存在的取向膜9的除去后，再次用上述步驟Sl 步驟SlO進行密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9的判斷(即，能否除去在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在的取向膜9的判斷)，確認(rèn)在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜9。另外，在本實施方式的傅里葉變換紅外分光光度計中，作為有機化合物分子的官能原子團易于吸收紅外線的波長，優(yōu)選在中紅外波長區(qū)域(波長為2.5μπι 25μπι)進行測量。另外，優(yōu)選波數(shù)值(波長的倒數(shù))是4000CHT1 650CHT1。在該波數(shù)值的范圍內(nèi)， 不僅是聚酰亞胺樹脂，還可以進行大部分有機物的鑒定，因此，可以說不需要低波數(shù)區(qū)域 (650CHT1 400CHT1)。而且，優(yōu)選在FT-IR的檢測儀中，使用靈敏度較高的MCT(碲鎘汞)檢測儀。此外，在MCT檢測儀中，能測量的波數(shù)區(qū)域是^OOcnr1 650CHT1，沒有對上述低波數(shù)區(qū)域側(cè) (650cm-1 400CHT1)的檢測能力，因此，即使在使用MCT檢測儀的情況下，也可以說不需要該低波數(shù)區(qū)域(65 OcnT1 400cm-1)。另外，作為測量時的分辨率，例如設(shè)為km1，累計次數(shù)設(shè)為32次，如圖1 3所示， 1次測量區(qū)域E可以設(shè)定為寬度50 μ mX長度50μπι。在該設(shè)定的情況下，測量時間約為2 分鐘，可以在非常短的時間內(nèi)進行測量。這樣，在本實施方式中，與密封材料沈同樣地，以將金屬圖案2沿著配置區(qū)域35 的內(nèi)周面3 設(shè)置成框狀并圍繞液晶層25的方式形成金屬圖案2，由此在密封材料沈的整個配置區(qū)域35中，在該配置區(qū)域35的任意位置可以判斷有無取向膜9的存在。下面，舉例說明本實施方式的液晶顯示面板的制造方法。此外，本實施方式的制造方法具備TFT基板制作工序、CF基板制作工序以及基板貼合工序。<TFT基板制作工序〉首先，在整個絕緣基板6中，用濺射法順序形成例如鈦膜、鋁膜以及鈦膜等，之后， 用光刻法進行圖案化，將柵極線11和柵極電極17的厚度形成為4000人左右。然后，在形成有柵極線11和柵極電極17的整個基板中，用等離子CVD(ChemiCal Vapor Deposition 化學(xué)氣體沉積)法例如形成氮化硅膜等，將柵極絕緣膜12的厚度形成為4000A左右。而且，在形成有柵極絕緣膜12的整個基板中，用等離子CVD法連續(xù)地形成例如本征非晶硅膜(厚度為2000A左右)及摻雜有磷的η+非晶硅膜(厚度為500Α左右)，之后，通過光刻在柵極電極17上島狀地進行圖案化，形成層疊本征非晶硅層及η+非晶硅層而得到的半導(dǎo)體形成層。并且，在形成有上述半導(dǎo)體形成層的整個基板中，用濺射法形成例如鋁膜及鈦膜等，之后，通過光刻進行圖案化，將源極線14、源極電極18以及漏極電極46的厚度形成為 2000Α左右。然后，將源極電極18及漏極電極46作為掩模，蝕刻上述半導(dǎo)體形成層的η+非晶硅層，由此圖案化溝道區(qū)域，形成半導(dǎo)體層13及具備半導(dǎo)體層I3的TFT5。而且，在形成有TFT5的整個基板中，用等離子CVD法，例如形成氮化硅膜等，將第 1層間絕緣膜15的厚度形成為4000Α左右。并且，在形成有第1層間絕緣膜15的整個基板中，用旋涂法例如將正型感光樹脂的厚度涂敷為3 μ m左右，將所涂敷的感光樹脂經(jīng)通過第1光掩模以均勻且相對低的照度進行曝光，在上述第1光掩模中，多個圓形遮光部相互分開并隨機地形成。然后，對與漏極電極46上的接觸孔30對應(yīng)的位置，通過分別形成有開口部的第2光掩模，以均勻且相對高的照度進行曝光后，進行顯影。由此，上述高的照度的曝光部分的感光樹脂完全被除去，該低的照度的曝光部分的感光樹脂殘留涂敷厚度的40%左右，未曝光部分的感光樹脂殘留涂敷厚度的80%左右。而且，將感光樹脂已顯影的基板加熱到200°C左右，使感光樹脂熱疲軟， 由此形成反射區(qū)域R的表面成為平緩的凹凸?fàn)畹牡?層間絕緣膜16。之后，對從第2層間絕緣膜16露出的第1層間絕緣膜15進行蝕刻，形成接觸孔30。然后，在第2層間絕緣膜16上的整個基板中，用濺射法形成包括ITO膜等的透明導(dǎo)電膜，之后，通過光刻進行圖案化，在絕緣基板6中將透明電極31的厚度形成為1OOOA
左右O然后，在形成有透明電極31的整個基板中，用濺射法順序形成鉬膜(厚度為 750 A左右)及鋁膜(厚度為1000 A左右)。之后，通過光刻進行圖案化，在反射區(qū)域R 中，在透明電極31的表面上形成反射電極32，形成具備透明電極31及反射電極32的像素電極19。然后，在整個層間絕緣膜38上，用濺射法例如形成鈦膜、鋁膜，之后，通過光刻進行圖案化，在密封材料沈的配置區(qū)域35中框狀地以規(guī)定的厚度(例如，500nm左右)形成金屬圖案2。然后，清洗整個基板后，在形成有像素電極19的整個基板中，用印刷法等涂敷聚酰亞胺樹脂，之后，進行摩擦處理，將取向膜9的厚度形成為200nm左右。然后，用在上述步驟Sl 步驟SlO中說明的判斷方法進行密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9的判斷。此時，如在上述步驟SlO中所說明的，在取向膜判斷裝置41判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜9的情況下，TFT基板10的制作工序結(jié)束。另一方面，如在上述步驟S9中所說明的那樣，在取向膜判斷裝置41判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9的情況下，除去在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在的(即，在金屬圖案2的表面2c存在的)取向膜9。此外，作為取向膜9的除去方法，可以是任何方法，例如，可以使用激光除去法、等離子除去法、使用了水溶性抗蝕劑的拔起法。并且，進行在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在的取向膜9的除去后，再次用上述步驟Sl 步驟S10，進行密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9的判斷(即，判斷能否除去在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在的取向膜9)。 并且，確認(rèn)在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜9，TFT基板10的制作工序結(jié)束。另外，如上所述，在密封材料沈的配置區(qū)域35的寬度方向X上，以金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置與配置區(qū)域35的內(nèi)周面35a的位置一致的方式配置金屬圖案2 ( S卩，在配置區(qū)域35中，將金屬圖案2的內(nèi)周面加和配置區(qū)域35的內(nèi)周面3 配置于同一平面)，由此如圖6、圖8所示，在金屬圖案2的內(nèi)周面加(即，密封材料沈的配置區(qū)域35的內(nèi)周面 35a)的位置堵住取向膜9，可以有效地抑制在密封材料沈的配置區(qū)域35中形成取向膜9。如上所示，可以制作TFT基板10。<CF基板制作工序〉
首先，在玻璃基板等絕緣基板21的整個基板中，用旋涂法例如涂敷分散有碳微粒等黑色顏料的正型感光樹脂，隔著光掩模對所涂敷的感光樹脂進行曝光后，通過顯影及加熱將黑矩陣27的厚度形成為2. 0 μ m左右。然后，在形成有黑矩陣27的基板上，例如涂敷著色為紅、綠或藍(lán)的丙烯酸類感光樹脂，隔著光掩模使所涂敷的感光樹脂曝光后，通過顯影來進行圖案化，將所選顏色的著色層(例如，紅色層RU8的厚度形成為2.0 μ m左右。而且，對其它2種顏色也重復(fù)同樣的工序，將其它2種顏色的著色層(例如，綠色層G及藍(lán)色層B) 28的厚度形成為2. 0 μ m左右， 形成具備紅色層R、綠色層G以及藍(lán)色層B的彩色濾光片層22。接著，在形成有彩色濾光片層22的基板上，用旋涂法涂敷丙烯酸類感光樹脂，隔著光掩模使所涂敷的感光樹脂曝光后，進行顯影，由此將透明層23的厚度形成為2μπι左
右ο接著，在形成有透明層23的整個基板中，用濺射法形成例如ITO膜，之后，通過光刻進行圖案化，將共用電極M的厚度形成為1500Α左右。接著，在形成有共用電極M的整個基板中，用旋涂法，涂敷丙烯酸類感光樹脂，隔著光掩模使所涂敷的感光樹脂曝光后，進行顯影，由此將光間隔物四的厚度形成為4 μ m左
右ο接著，在整個黑矩陣27中，用濺射法例如形成鈦膜、鋁膜，之后，通過光刻進行圖案化，在密封材料沈的配置區(qū)域35中框狀地以規(guī)定的厚度(例如，500nm左右)形成金屬圖案2。接著，清洗整個基板后，在形成有共用電極M的整個基板中，用印刷法等涂敷聚酰亞胺樹脂，將取向膜48的厚度形成為200nm左右。接著，用在上述步驟Sl 步驟SlO中說明的判斷方法進行密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜48的判斷。此時，如在上述步驟SlO中所說明的，在取向膜判斷裝置41判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中不存在取向膜48的情況下，CF基板20的制作工序結(jié)束。另一方面，如在上述步驟S9中所說明的那樣，在取向膜判斷裝置41判斷為在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜48的情況下，用使用了上述激光除去法、等離子除去法、使用了水溶性抗蝕劑的拔起法等除去在密封材料26的配置區(qū)域35中存在的(即，在金屬圖案2的表面2c存在的)取向膜48。并且，進行取向膜48的除去后，再次用上述步驟 Sl 步驟S10，進行密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜48的判斷，確認(rèn)在密封材料 26的配置區(qū)域35中不存在取向膜48，CF基板20的制作工序結(jié)束。此外，即使在該情況下，如上所述，在密封材料沈的配置區(qū)域35的寬度方向X上， 以金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置與配置區(qū)域35的內(nèi)周面35a的位置一致的方式配置金屬圖案2，由此如圖7所示，以金屬圖案2的內(nèi)周面加(S卩，密封材料沈的配置區(qū)域35的內(nèi)周面35a)的位置堵住取向膜48，可以有效地抑制在密封材料沈的配置區(qū)域35中形成取向膜 48。如上所示，可以制作CF基板20?！促N合工序〉首先，在例如使用分注器對在上述CF基板制作工序中制作的CF基板20的密封材料沈的配置區(qū)域35中，框狀地描畫由紫外線固化型樹脂構(gòu)成的密封材料26。此時，密封材料沈如圖1、圖2所示，以圍繞液晶層25的方式形成，并且在密封材料26的寬度方向X上，以形成于CF基板20的金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置與密封材料 26的內(nèi)周面^a的位置一致的方式，且以覆蓋金屬圖案2的方式形成。接著，向描畫有上述密封材料沈的CF基板20中的密封材料沈的內(nèi)側(cè)的區(qū)域滴下液晶材料。而且，在減壓下使上述滴下有上述液晶材料的CF基板20和在上述TFT基板制作工序中制作的TFT基板10貼合后，使該貼合的貼合體暴露在大氣壓中，由此對該貼合體的表面及里面加壓。此時，如圖1、圖2所示，密封材料沈以在密封材料沈的寬度方向X上形成于TFT 基板10的金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置與密封材料沈的內(nèi)周面^a的位置一致的方式， 且以覆蓋金屬圖案2的方式配置。接著，對被上述貼合體夾持的密封材料沈照射UV光后，通過加熱該貼合體來使密封材料沈固化。如上所述，可以制作在圖1中示出的液晶顯示面板1。此外，在貼合工序中，作為注入液晶材料的方法，在使用真空注入法的情況下，首先，在CF基板20的密封材料沈的配置區(qū)域35中，框狀地描畫包含熱固化型樹脂(例如， 環(huán)氧樹脂)的密封材料26。之后，在形成有密封材料沈的CF基板20上，以TFT基板10與 CF基板20的顯示區(qū)域H重合的方式來重合TFT基板10，隔著密封材料沈貼合TFT基板10 和CF基板20。接著，用加熱處理(例如，在使用了環(huán)氧樹脂的情況下，以200°C進行加熱處理)使密封材料沈固化。之后，在真空氛圍下，使在密封材料沈中形成的液晶材料注入口(未圖示)與液晶材料接觸，回到大氣氛圍，從液晶材料注入口向密封材料26的內(nèi)側(cè)注入液晶材料，由此在密封材料沈的內(nèi)側(cè)形成液晶層25，貼合TFT基板10與CF基板20。此外，注入液晶材料后，用紫外線固化型樹脂等密封材料密封液晶材料注入口。根據(jù)上面所說明的本實施方式，可以得到下面的效果。(1)在本實施方式中，為以下構(gòu)成在密封材料沈的配置區(qū)域35中設(shè)有金屬圖案 2，上述金屬圖案2用于向傅里葉變換紅外分光光度計4反射從傅里葉變換紅外分光光度計 4出射的紅外光43，判斷配置區(qū)域35中有無取向膜9、48。因此，可以使用傅里葉變換紅外分光光度計4的顯微反射法，因此，基于由傅里葉變換紅外分光光度計4所測量的紅外吸收光譜，可以判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9、48，可以通過非接觸測量來判斷有無取向膜9、48。(2)特別是在除去在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在的取向膜9、48后，可以判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9、48，因此，可以可靠地確認(rèn)能否除去在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在的取向膜9、48。(3)另外，與使用光學(xué)顯微鏡進行目視的確認(rèn)不同，在有無取向膜9、48的判斷上不產(chǎn)生不同人之間的差異，另外，可以不破壞液晶顯示面板1地判斷有無取向膜9、48。(4)另外，可以通過非接觸測量容易地判斷有無取向膜9、48，因此，即使在密封材料沈的配置區(qū)域35中存在取向膜9、48的情況下，也可以迅速且容易地除去取向膜9、48。因此，可以提高生產(chǎn)率和成品率。(5)另外，設(shè)置金屬圖案2，使用傅里葉變換紅外分光光度計4的顯微反射法，由此可以以低成本判斷有無取向膜9、48。(6)另外，在密封材料沈的配置區(qū)域35中設(shè)有金屬圖案2，因此，可以不損壞外觀地判斷有無取向膜9、48。(7)在本實施方式中，為以下構(gòu)成以金屬圖案2的內(nèi)周面加與配置區(qū)域35的內(nèi)周面3 成為同一平面的方式配置金屬圖案2。因此，以金屬圖案2的內(nèi)周面加的位置堵住取向膜9、48，可以有效地抑制在密封材料沈的配置區(qū)域35中形成取向膜9、48。(8)在本實施方式中，為以下構(gòu)成金屬圖案2沿著配置區(qū)域35的內(nèi)周面3 設(shè)置成框狀。因此，可以在密封材料沈的整個配置區(qū)域35中，通過非接觸測量來判斷有無取向膜9、48。(9)在本實施方式中，為以下構(gòu)成將金屬圖案2的寬度P設(shè)定為50μπι以上。因此，在傅里葉變換紅外分光光度計4中，可以提高被金屬圖案2的表面2c反射的紅外光的檢測精度。(10)在本實施方式中，為以下構(gòu)成在將金屬圖案2的厚度設(shè)為C，將液晶顯示面板1的厚度方向Y上的TFT基板10和CF基板20之間的距離設(shè)為D的情況下，C < D的關(guān)系成立。因此，當(dāng)用密封材料沈貼合TFT基板10和CF基板20時，可以避免因為金屬圖案 2的厚度而阻礙貼合的缺陷，可以不改變制造條件地生產(chǎn)液晶顯示面板1。(11)在本實施方式中，為以下構(gòu)成由從包括鉭、鉻、鉬、鎳、鈦、銅、鋁的群中選擇的1種形成金屬圖案2。因此，可以由低價且有通用性的金屬材料來形成金屬圖案2。(12)在本實施方式中，為以下構(gòu)成用傅里葉變換紅外分光光度計4接收被金屬圖案2反射的紅外光44，測量紅外吸收光譜，基于測量的紅外吸收光譜，判斷配置區(qū)域35中有無取向膜9、48。因此，當(dāng)研究各種取向膜除去方法時，可以容易地確認(rèn)這些取向膜除去方法的有效性，因此，可以容易且在短時間內(nèi)進行取向膜除去方法的研究。(13)在本實施方式中，為以下構(gòu)成比較由傅里葉變換紅外分光光度計4測量的紅外吸收光譜和預(yù)先存儲的其它紅外吸收光譜，由此判斷配置區(qū)域35中有無取向膜9、48。 因此，可以用簡單的方法迅速且準(zhǔn)確地進行取向膜9、48有無的檢查。此外，上述實施方式可以如下所示進行變更?？梢詾橐韵聵?gòu)成當(dāng)由傅里葉變換紅外分光光度計4測量紅外吸收光譜時，用高靈敏度反射法(或反射吸收法)測量作為分析對象的金屬圖案2的表面2c的紅外吸收光
■i並曰O在該高靈敏度反射法中，如圖14、圖15所示，使與入射面(由相對于金屬圖案2的垂線51和作為入射光的紅外光50所形成的平面)平行地偏振的紅外光(P偏振光)50以規(guī)定的入射角(垂線51與紅外光50所成的角)θ (75° < θ <85° )入射到金屬圖案2 的表面2c。并且，在金屬圖案2的表面2c上發(fā)生了反射的紅外光50再次投射到在傅里葉變換紅外分光光度計4中設(shè)置的檢測儀的受光面，與上述步驟Sl SlO同樣地，判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9、48。在該高靈敏度測量法中，紅外光的電場矢量的振動方向(偏振方向)平行于入射面，因此，如圖15所示，入射光(即，紅外光50)的電場矢量V1與反射光(紅外光52)的電場矢量V2在金屬圖案2的表面2c彼此增強，可以形成垂直于金屬圖案2的表面2c的穩(wěn)定振動電場。另外，將紅外光50的入射角θ設(shè)定為75° ^ θ ^ 85°，因此，可以延長透射過取向膜9、48的內(nèi)部的紅外光50的距離，上述取向膜9、48在金屬圖案2的表面2c形成。因此，可以以非常高的靈敏度檢測在金屬圖案2的表面2c上存在的薄膜(即，取向膜9、48)，因此，即使在取向膜9、48的厚度非常薄(例如，數(shù)nm 數(shù)十nm)的情況下，也可以判斷密封材料沈的配置區(qū)域35中有無取向膜9、48。另外，如圖16所示，可以是以下構(gòu)成在金屬圖案2中，形成用于將柵極線、源極線等多根配線36向端子區(qū)域T引出的配線引出部2d。根據(jù)該構(gòu)成，可以可靠地避免金屬圖案 2與配線36的接觸，可以避免金屬圖案2與配線36的漏電。另外，在上述實施方式中，可以是以下構(gòu)成對TFT基板10及CF基板20雙方設(shè)置金屬圖案2，但是也可以是以下構(gòu)成對TFT基板10及CF基板20中的至少一方設(shè)置該金
屬圖案2。在上述實施方式中，可以是以下構(gòu)成用有源矩陣驅(qū)動方式對像素施加電壓，但是也可以采用以下方式在TFT基板10側(cè)設(shè)置第1電極并且在CF基板20側(cè)設(shè)置第2電極， 使第1電極與第2電極相互正交來配置，并且用將第1電極與第2電極交叉的部分作為像素的簡單矩陣驅(qū)動方式來對像素施加電壓。在上述實施方式中，作為顯示面板，舉例并說明了液晶顯示面板1，但是例如在有機EL顯示面板等其它的顯示面板中，也可以使用本發(fā)明。工業(yè)上的可利用性作為本發(fā)明的活用例，可以舉出隔開規(guī)定的間隔使一對基板重合，在一對基板的間隙中封入作為顯示介質(zhì)層的液晶層的液晶顯示面板、液晶顯示面板用基板的檢查方法。附圖標(biāo)記說明1 液晶顯示面板2 金屬圖案2a金屬圖案的內(nèi)周面4 傅里葉變換紅外分光光度計8 光譜測量裝置9 取向膜10 TFT基板(第1基板)20 CF基板(第2基板)25液晶層26密封材料35密封材料的配置區(qū)域35a密封材料的配置區(qū)域的內(nèi)周面41取向膜判斷裝置42存儲裝置43 紅外光44紅外光
48向膜C金屬圖案的厚度DTFT基板和CF基板之間的距離P金屬圖案的寬度
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，其特征在于，具備 第1基板；第2基板，其與上述第1基板相對配置；液晶層，其設(shè)置在上述第1基板和上述第2基板之間；取向膜，其設(shè)置在上述第1基板及第2基板的各自的上述液晶層側(cè)，規(guī)定上述液晶層的取向；以及密封材料，其被夾持在上述第1基板和上述第2基板之間，將上述第1基板和上述第2 基板相互粘接，并且以圍繞上述液晶層的方式設(shè)置成框狀，在上述密封材料的配置區(qū)域中，設(shè)有金屬圖案，上述金屬圖案用于將從傅里葉變換紅外分光光度計出射的紅外光向該傅里葉變換紅外分光光度計反射來判斷上述配置區(qū)域中有無上述取向膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，上述金屬圖案以該金屬圖案的內(nèi)周面與上述配置區(qū)域的內(nèi)周面成為同一平面的方式配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于， 上述金屬圖案沿著上述配置區(qū)域的內(nèi)周面設(shè)置成框狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任1項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 上述金屬圖案的寬度是50 μ m以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中的任1項所述的液晶顯示面板，其特征在于，在將上述金屬圖案的厚度設(shè)為C，將上述液晶顯示面板的厚度方向上的上述第1基板和上述第2基板之間的距離設(shè)為D的情況下，C < D的關(guān)系成立。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任1項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 上述金屬圖案由從包括鉭、鉻、鉬、鎳、鈦、銅、鋁的群中選擇的1種形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中的任1項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 上述金屬圖案設(shè)于上述第1基板和第2基板中的至少一方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中的任1項所述的液晶顯示面板，其特征在于， 由簡單矩陣方式或有源矩陣方式來驅(qū)動。
9.一種液晶顯示面板用基板的檢查方法，其特征在于， 上述液晶顯示面板用基板具備基板；取向膜，其設(shè)于上述基板，規(guī)定液晶層的取向；以及金屬圖案，其設(shè)于上述基板中的密封材料的配置區(qū)域， 上述液晶顯示面板用基板的檢查方法至少包括 照射步驟，由傅里葉變換紅外分光光度計對上述金屬圖案照射紅外光； 測量步驟，由上述傅里葉變換紅外分光光度計接收被上述金屬圖案反射的上述紅外光，測量紅外吸收光譜；以及判斷步驟，基于上述紅外吸收光譜判斷上述配置區(qū)域中有無上述取向膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板用基板的檢查方法，其特征在于，在上述判斷步驟中，比較由上述傅里葉變換紅外分光光度計測量的上述紅外吸收光譜和預(yù)先存儲的其它紅外吸收光譜，由此判斷上述配置區(qū)域中有無上述取向膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的液晶顯示面板用基板的檢查方法，其特征在于，在上述照射步驟中，使與入射面平行地偏振的上述紅外光以75°以上85°以下的入射角入射。
全文摘要
液晶顯示面板(1)具備TFT基板(10)；CF基板(20)，其與TFT基板(10)相對配置；液晶層(25)，其設(shè)置在TFT基板(10)和CF基板(20)之間；取向膜，其限制液晶層(25)的取向；以及密封材料(26)，其被夾持在TFT基板(10)和CF基板(20)之間，以圍繞液晶層(25)的方式設(shè)置成框狀。并且，在密封材料(26)的配置區(qū)域(35)中，設(shè)有金屬圖案(2)，其用于將從傅里葉變換紅外分光光度計出射的紅外光向該傅里葉變換紅外分光光度計反射，判斷配置區(qū)域(35)中有無取向膜。
文檔編號G02F1/1337GK102576167SQ201080042490
公開日2012年7月11日 申請日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月14日
發(fā)明者端山貴文 申請人:夏普株式會社