專利名稱：多模光纖組件的制作方法
多模光纖組件相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)要求2009年2月14日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No. 61/152，676的優(yōu)先權(quán)益， 該申請(qǐng)的內(nèi)容作為基礎(chǔ)并通過(guò)引用納入于此。背景本公開(kāi)總地涉及具有多模光纖的光纖組件。舉例來(lái)說(shuō)，本公開(kāi)涉及例如光纖尾纖和跳接器的組件，該組件具有至少一個(gè)高性能的多模光纖，由此實(shí)現(xiàn)之前未能達(dá)到的光學(xué)性能。隨著例如數(shù)據(jù)中心之類的光網(wǎng)絡(luò)部署的增加，已出現(xiàn)一種需要，即提高一般例如光纜、光纜組件和網(wǎng)絡(luò)部件的光纖組件的性能、可管理性、可操作性和靈活性。與長(zhǎng)距離傳輸應(yīng)用不同，數(shù)據(jù)中心等一般采用多模光纖而不是單模光纖。由于其相對(duì)大的內(nèi)芯，多模光纖比具有較小內(nèi)芯的單模光纖對(duì)造成光衰減的事件更為敏感。期待研發(fā)出表現(xiàn)更好、更耐用和對(duì)凹凸不平的安裝更為強(qiáng)健的多模組件和部件，由此節(jié)省時(shí)間和成本同時(shí)提高光學(xué)性能。傳統(tǒng)光纜、光纜組件、光纖硬件和其它網(wǎng)絡(luò)部件一般限定適應(yīng)并部分受空間的物理特性限制的結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，常見(jiàn)的情形是組件、硬件、路由等物理和性能約束部分地限定組件結(jié)構(gòu)以及與設(shè)計(jì)和安裝光網(wǎng)絡(luò)關(guān)聯(lián)的過(guò)程。例如，光網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)者必須將光網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)成對(duì)光網(wǎng)絡(luò)而言以可接受的預(yù)算損失維持光學(xué)性能。概述披露了光纖光纜、跳接器和在其中至少一部分內(nèi)具有多模光纖的其它組件的多個(gè)實(shí)施例。多模光纖組件提供光纖光纜、光纖硬件中的組件以及其它組件的改善性能，其中組件的物理和性能特征使其本身具備例如更緊的彎曲半徑公差的特征而沒(méi)有降低的性能，且放松了光纖路由和布置需求。例如，光纖尾纖、跳接器、光纜、模塊等允許光網(wǎng)絡(luò)的損耗預(yù)算的改善。另外，之前通過(guò)傳統(tǒng)多模光纖組件不可行的侵入式安裝技術(shù)也變得可能，同時(shí)仍然保持傳輸?shù)牟煌５墓鈱W(xué)性能?？箯澏嗄９饫w可包括折射率漸變的內(nèi)芯區(qū)和包圍且直接毗鄰該內(nèi)芯區(qū)的包層區(qū)， 該包層區(qū)包括折射率下陷的環(huán)形部分，其包括相對(duì)于包層的另一部分下陷的相對(duì)折射率。 包層的折射率下陷的環(huán)形部分優(yōu)選地與內(nèi)芯間隔開(kāi)。優(yōu)選地，該內(nèi)芯的折射率分布具有拋物線或基本彎曲的形狀。折射率下陷的環(huán)形部分可例如包括(a)具有多個(gè)孔隙的玻璃或 (b)摻雜有例如單獨(dú)的氟、硼或其混合物的一種或多種向下?lián)诫s物的玻璃。折射率下陷的環(huán)形部分可具有小于約-0. 2%的折射率德?tīng)査?△)以及至少約1微米的寬度，所述折射率下陷的環(huán)形部分與所述內(nèi)芯相隔至少約0. 5微米。將在以下詳細(xì)描述中闡述附加的特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)在某種程度上對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)根據(jù)該描述將是顯而易見(jiàn)的，或者通過(guò)實(shí)施包括以下詳細(xì)描述、權(quán)利要求書以及附圖的本文所述的發(fā)明可認(rèn)識(shí)到。應(yīng)當(dāng)理解的是，以上一般描述和以下詳細(xì)描述兩者給出示例性實(shí)施例，并旨在提供用于理解這些示例性實(shí)施例的本質(zhì)和特性的概觀或框架。包括的附圖提供了進(jìn)一步的理解，并結(jié)合在本說(shuō)明書中并構(gòu)成說(shuō)明書的一部分。附圖示出多個(gè)實(shí)施例，并與詳細(xì)說(shuō)明一起用來(lái)解釋其原理和操作。附圖簡(jiǎn)述
圖1示出本文中公開(kāi)的多模光纖的示例性實(shí)施例的玻璃部分的橫截面的折射率分布的示意圖(未按比例)，其中折射率下陷的環(huán)形部分偏離該內(nèi)芯而且被外環(huán)形部分包圍；圖2是圖1的光波導(dǎo)光纖的截面圖的示意圖(未按比例)；圖3-13是使用圖1和圖2的多模光纖的多模光纖組件的各個(gè)示圖；圖Ha-14d繪出包括多模光纖組件的解釋性模塊；圖15和圖16是繪出用于測(cè)試多模光纖組件的環(huán)繞通量(EF)投射條件的圖示；圖17是用于確定插入損耗的測(cè)試設(shè)置的圖示；圖18-20示出繞各個(gè)尺寸的心軸纏繞的多模光纖組件；圖21-23是表現(xiàn)出幾何形狀的多光纖箍的圖示。詳細(xì)描述以下將參照其中示出示例性實(shí)施例的附圖來(lái)更全面地描述實(shí)施例。然而，本公開(kāi)的實(shí)踐可以許多不同形式體現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng)解釋成對(duì)本文所述的實(shí)施例構(gòu)成限制。提供這些示例性實(shí)施例以使本公開(kāi)既透徹又完整，并完全傳達(dá)權(quán)利要求書的范圍并使本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員對(duì)其制造、使用和實(shí)踐。相同附圖標(biāo)記貫穿各附圖表示相同的要素。披露了具有抗宏彎曲的光纖的多模光纖組件。多模組件是優(yōu)選的，由于它們保持并提供傳統(tǒng)多模光纖組件所無(wú)法企及的光學(xué)性能。本文披露的多模光纖組件為即使在短長(zhǎng)度下也不穩(wěn)定的高階模提供穩(wěn)定性。一般來(lái)說(shuō)，通過(guò)多模光纖組件傳輸?shù)妮^高階模對(duì)宏彎曲和/或其它干擾更為敏感。例如，所披露的多模光纖組件與傳統(tǒng)多模光纖組件相比提供更好的性能。因而，本文描述的多模組件允許安裝、路由的侵入式彎曲、松弛貯存、更高的密度等，由此允許技術(shù)人員和未經(jīng)培訓(xùn)的個(gè)人都可以進(jìn)行凹凸不平的安裝。多模光纖組件 (即組件)包括多模光纖帶、例如單工或雙工跳接器的光纖跳接器以及較高光纖數(shù)跳接器組件、模塊、光纖尾纖、具有一個(gè)或多個(gè)硬質(zhì)連接器的組件等。圖1示出多模光纖100的一個(gè)實(shí)施例的玻璃部分的橫截面的折射率分布的示意圖，該多模光纖100包括玻璃內(nèi)芯20和玻璃包層200，該包層包括內(nèi)環(huán)形部分30、折射率下陷的環(huán)形部分50以及外環(huán)形部分60。圖2是圖1的光波導(dǎo)光纖的橫截面圖的示意圖(未按比例)。內(nèi)芯20具有外半徑Rl和最大折射率德?tīng)査?1ΜΑΧ。內(nèi)環(huán)形部分30具有寬度 W2和外半徑R2。折射率下陷的環(huán)形部分50具有最小折射率德?tīng)査俜直圈?ΜΙΝ、寬度W3 和外半徑R3。折射率下陷的環(huán)形部分50圖示為通過(guò)內(nèi)環(huán)形部分30從內(nèi)芯20偏離或與之隔開(kāi)。環(huán)形部分50圍繞并接觸內(nèi)環(huán)形部分30。外環(huán)形部分60圍繞并接觸環(huán)部50。包層 200被至少一個(gè)涂層210包圍，該涂層210在一些實(shí)施例中可包括低模量主涂層和高模量輔助涂層。內(nèi)環(huán)形部分30具有折射率分布Δ 2 (r)，其中最大相對(duì)折射率為Δ 2ΜΑΧ,最小相對(duì)折射率為Δ2ΜΙΝ，其中在某些實(shí)施例中Δ2ΜΑΧ= Δ 2ΜΙΝ。折射率下陷的環(huán)形部分50具有折射率分布^300,其最小相對(duì)折射率為Δ3ΜΙΝ。外環(huán)形部分60具有折射率分布Δ4(Γ)， 其最大相對(duì)折射率為Δ4ΜΑΧ，最小相對(duì)折射率為Δ4ΜΙΝ，其中在某些實(shí)施例中Δ 4ΜΑΧ =Δ4ΜΙΝ。優(yōu)選地，Δ IMAX > Δ 2ΜΑΧ > Δ 3ΜΙΝ。在一些實(shí)施例中，內(nèi)環(huán)形部分30具有基本恒定的折射率分布，如圖1所示具有常數(shù)Δ2(Γ)；在這些實(shí)施例中的一些中，Δ2(Γ)= 0%。在一些實(shí)施例中，外環(huán)形部分60具有基本恒定的折射率分布，如圖1所示具有常數(shù) Δ4(γ)；在這些實(shí)施例中的一些中，A4(r) =0%。內(nèi)芯20具有全部為正的折射率分布， 其中Δ1(Γ) >0%。Rl被定義為內(nèi)芯的折射率德?tīng)査趶闹行木€徑向地向外時(shí)第一次達(dá)到0. 05%的值的半徑。優(yōu)選的是，內(nèi)芯20基本不含氟，且優(yōu)選的是內(nèi)芯20不含氟。在某些實(shí)施例中，內(nèi)環(huán)形部分30優(yōu)選地具有最大絕對(duì)值小于0. 05%的相對(duì)折射率分布A2(r)，且 Δ2ΜΑΧ < 0. 05%且Δ2ΜΙΝ > -0. 05%，而且折射率下陷的環(huán)形部分50在包層的相對(duì)折射率在從中心線徑向地向外時(shí)第一次到達(dá)小于-0.05%的值的位置開(kāi)始。在某些實(shí)施例中， 外環(huán)形部分60具有最大絕對(duì)值小于0. 05%的相對(duì)折射率分布Δ4(ι·)，Δ4ΜΑΧ < 0. 05%且 Δ4ΜΙΝ > -0. 05%，而且折射率下陷的環(huán)形部分50在包層的相對(duì)折射率從出現(xiàn)Δ 3MIN的半徑處徑向地向外時(shí)第一次到達(dá)大于-0. 05%的值的位置結(jié)束?？箯澏嗄９饫w可包括折射率漸變的內(nèi)芯區(qū)和包圍且直接毗鄰該內(nèi)芯區(qū)的包層區(qū)， 該包層區(qū)包括折射率下陷的環(huán)形部分，其包括相對(duì)于包層的另一部分下陷的相對(duì)折射率。 包層的折射率下陷的環(huán)形部分優(yōu)選地與內(nèi)芯間隔開(kāi)。優(yōu)選地，該內(nèi)芯的折射率分布具有拋物線或基本彎曲的形狀。折射率下陷的環(huán)形部分可例如包括(a)具有多個(gè)孔隙的玻璃或 (b)摻雜有例如單獨(dú)的氟、硼或其混合物的一種或多種向下?lián)诫s物的玻璃。折射率下陷的環(huán)形部分可具有小于約-0. 2%的折射率德?tīng)査约爸辽偌s1微米的寬度，所述折射率下陷的環(huán)形部分與所述內(nèi)芯相隔至少約0. 5微米。在一些實(shí)施例中，抗彎多模光纖包括具有孔隙的包層，所述孔隙在一些優(yōu)選實(shí)施例中非周期性地設(shè)置在折射率下陷的環(huán)形部分中?！胺侵芷谛栽O(shè)置”表示如果對(duì)光纖取橫截面(例如垂直于縱軸的橫截面)，非周期性設(shè)置的孔隙在光纖的一部分上隨機(jī)或非周期性地分布(例如在折射率下陷的環(huán)形區(qū)域內(nèi))。沿光纖長(zhǎng)度的不同點(diǎn)處所取的類似橫截面將揭示不同的隨機(jī)分布的橫截面孔隙圖案，即各截面將具有不同的孔隙圖案，其中孔隙的分布和孔隙的大小對(duì)每個(gè)這樣的橫截面是不精確匹配的。也就是說(shuō)，孔隙是非周期性的，即它們非周期性地設(shè)置在光纖結(jié)構(gòu)內(nèi)。這些孔隙沿光纖的長(zhǎng)度(即大致平行于縱軸)伸展(延長(zhǎng))，但不會(huì)延伸過(guò)典型傳輸光纖長(zhǎng)度的整個(gè)光纖長(zhǎng)度。相信孔隙沿光纖長(zhǎng)度延伸的距離小于約20米，更優(yōu)選小于約10米，甚更優(yōu)選地小于約5米，并在一些實(shí)施例中小于1米。本文中披露的多模光纖表現(xiàn)出非常低的彎曲引起的衰減，特別是非常低的宏彎曲引起的衰減。在某些實(shí)施例中，通過(guò)內(nèi)芯內(nèi)的低最大相對(duì)折射率提供高帶寬，而且還提供低彎曲損耗。因而，多模光纖可包括折射率漸變的玻璃內(nèi)芯；以及包圍并接觸內(nèi)芯的內(nèi)包層；以及包含圍繞內(nèi)包層的折射率下陷的環(huán)形部分的第二包層，所述折射率下陷的環(huán)形部分具有小于約-0. 2%的折射率德?tīng)査约爸辽?微米的寬度，其中所述內(nèi)包層的寬度至少約為0. 5微米，且光纖進(jìn)一步表現(xiàn)出在850nm下小于或等于大約0. 4dB/匝的對(duì)于1匝、IOmm 直徑心軸纏繞衰減增量，大于0. 14、更優(yōu)選地大于0. 17、甚為更優(yōu)選地大于0. 18、最優(yōu)選地大于0. 185的數(shù)值孔徑(NA)，以及在850nm下大于1.5GHz-km的過(guò)充填帶寬。舉例來(lái)說(shuō)，多模光纖100的數(shù)值孔徑在大約0. 185和大約0. 215之間。可制備50微米直徑內(nèi)芯的多模光纖，它提供(a)在850nm波長(zhǎng)下大于1. 5GHZ_km、 更優(yōu)選地大于2. OGHz-km、甚至優(yōu)選地大于3. OGHz-km、最優(yōu)選地大于4. OGHz-km的過(guò)充填(OFL)帶寬。舉例來(lái)說(shuō)，可實(shí)現(xiàn)這些高帶寬，同時(shí)仍保持在850nm波長(zhǎng)下繞IOmm直徑心軸纏繞1匝的衰減增量小于0. 5dB、更優(yōu)選小于0. 3dB、甚至更優(yōu)選小于0. 2dB以及最優(yōu)選小于0. 15dB。還可實(shí)現(xiàn)這些高帶寬同時(shí)仍維持在850nm波長(zhǎng)下繞20mm直徑心軸纏繞1匝的衰減增量小于0. 2dB,更優(yōu)選地小于0. IdB,且最優(yōu)選地小于0. 05dB,以及在850nm波長(zhǎng)下繞15mm直徑心軸纏繞1匝的衰減增加小于0. 2dB,更優(yōu)選地小于0. IdB,且最優(yōu)選地小于
0.05dB。這類光纖還能夠提供大于0. 17，更優(yōu)選地大于0. 18以及最優(yōu)選地大于0. 185的數(shù)值孔徑(NA)。這類光纖還同時(shí)能表現(xiàn)出在1300nm下大于約500MHz-km、更優(yōu)選地大于約 600MHz-km、甚至更優(yōu)選地大于約700MHz-km的OFL帶寬。這類光纖還同時(shí)能表現(xiàn)出最小計(jì)算出的有效模態(tài)帶寬(Min EMBc)，該帶寬在850nm下大于約1. 5MHz-km,更優(yōu)選地大于約
1.8MHz-km，最優(yōu)選地大于 2. OMHz-km。優(yōu)選地，本文公開(kāi)的多模光纖表現(xiàn)出在850nm處小于3dB/km、優(yōu)選地在850nm處小于2. 5dB/km、更優(yōu)選地在850nm處小于2. 4dB/km和甚優(yōu)選地在850nm處小于2. 3dB/km的光譜衰減。優(yōu)選地，本文公開(kāi)的多模光纖表現(xiàn)出在1300nm處小于1. OdB/km，優(yōu)選地在1300nm 處小于0. 8dB/km,更優(yōu)選地在1300nm處小于0. 6dB/km的光譜衰減。在某些實(shí)施例中，內(nèi)芯從中心線徑向地向外延伸至半徑R1，其中10微米 ^ Rl ^ 40微米，更優(yōu)選地20微米< Rl ^ 40微米。在某些實(shí)施例中，22微米< Rl ^ 34 微米。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，內(nèi)芯的外半徑在大約22至觀微米之間。在另外一些優(yōu)選實(shí)施例中，內(nèi)芯的外半徑在大約28至34微米之間。在一些實(shí)施例中，內(nèi)芯具有小于或等于1. 2%并大于0. 5%、更優(yōu)選地大于0. 8% 的最大相對(duì)折射率。在其它實(shí)施例中，內(nèi)芯具有小于或等于1. 并大于0.9%的最大相對(duì)折射率。在某些實(shí)施例中，該光纖在800與1400nm之間的所有波長(zhǎng)下呈現(xiàn)不大于1. OdB, 優(yōu)選地不大于0. 6dB、更優(yōu)選地不大于0. 4dB、甚更優(yōu)選地不大于0. 2dB、還優(yōu)選不大于 0. IdB的繞IOmm直徑心軸1匝的衰減增量。在2008年10月14日提交的美國(guó)專利申請(qǐng) No. 12/250,987以及2008年12月12日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/333,833中也記載了這種光纖100，這兩篇文獻(xiàn)均通過(guò)援引納入于此。圖3-13是使用光纖100的解說(shuō)性多模光纖組件的各個(gè)示圖。圖3_13分別繪出光纖帶狀、單光纖光纜、例如從北卡羅來(lái)納州的?？吕目祵幑饫|系統(tǒng)購(gòu)得的MIC 族光纜的多光纖光纜、微模光纖光纜、帶狀光纖光纜、光纖尾纖和光纖跳接光纜。當(dāng)然，光纖100可用于任何其它適宜的多模光纖組件中，例如諸如干線光纜的具有預(yù)先構(gòu)造成連接器組件的組件、具有叉形腳的組件、輸送光纜、帶槽的內(nèi)芯光纜、混合式光纜(例如具有導(dǎo)電體和光纖 100的光纜)、分接光纜等。同樣，這里公開(kāi)的組件在一端或多個(gè)端可具有任何適宜的連接器。舉例來(lái)說(shuō)，本文描述的多模光纖組件可安裝在例如配線板、交叉連接框、模件之類的光纖硬件中。所披露的多模光纖組件在例如宏彎曲下降至先前的多模光纖組件無(wú)法企及的程度期間具有低插入損耗和/或保持光學(xué)衰減。任何多模光纖組件可具有本文描述的特性。圖3是多模光纖組件130的橫截面圖。多模光纖組件130是具有通過(guò)例如業(yè)內(nèi)已知的填質(zhì)材料之類的保護(hù)罩138連接在一起的多個(gè)多模光纖100的光纖帶。如所描述的那樣，多模光纖組件130是具有兩個(gè)帶狀子單元131的子單元設(shè)計(jì)，所述帶狀子單元具有連接于輔助填質(zhì)139的相應(yīng)保護(hù)罩138，但其它帶狀設(shè)計(jì)也是可行的。
圖4示出具有單光纖100的多模光纖組件140的橫截面圖。多模光纖組件140可視為單一光纖的光纜，因?yàn)樗痪哂幸桓饫w。總地來(lái)說(shuō)，光纖100被保持在例如緩沖層和 /或包套的至少一個(gè)保護(hù)罩內(nèi)。如圖所示，多模光纖光學(xué)組件140具有保護(hù)罩148，該保護(hù)罩148包括設(shè)置在光纖100周圍的緩沖層148a和可選用的包套148b。另外，多模光纖組件 140也可包括多個(gè)可選用的強(qiáng)化構(gòu)件143，該強(qiáng)化構(gòu)件143設(shè)置在緩沖層148a和包套148b 之間。緩沖層148a可以是任何適宜的材料，例如聚合物類PVC或UV可固化材料。此外，緩沖層148a可上覆于多模光纖100至任何適宜的尺寸，例如500微米、700微米、900微米或其它合需的尺寸。此外，多模光纖組件可僅為光纖100，該光纖100具有不帶強(qiáng)化構(gòu)件的緩沖層和包套，或者具有連接于端部的一個(gè)或多個(gè)連接器的裸露光纖。另外，對(duì)于緩沖層或包套，其它類型的尺寸和/或形狀等也是可能的。舉例來(lái)說(shuō)，強(qiáng)化構(gòu)件143是芳族聚酰胺纖維、 玻璃纖維股束等。另外，強(qiáng)化構(gòu)件143也可包括可遇水膨脹的組件，用于在需要時(shí)阻擋水沿組件的滲透。圖5示出具有單光纖100的另一多模光纖組件150，該光纖組件150不包括強(qiáng)化構(gòu)件并因此如果包套壁厚度保持不變則具有例如約為4毫米的較小外徑。另外，由于省去了強(qiáng)化構(gòu)件，因此可在一個(gè)步驟中從光纖光纜中拆下緩沖層158a和包套158b。根據(jù)所披露理念的其它光纖光纜和/或其它組件設(shè)計(jì)也是可能的。圖6示出配置為多光纖光纜的又一多模光纖組件160。多模光纖組件160具有設(shè)置在包套168內(nèi)的多個(gè)緩沖的多模光纖和強(qiáng)化構(gòu)件167。光纖100各自包括相應(yīng)的緩沖層 162并繞中央股束161配置為兩個(gè)層。具體地說(shuō)，組件160包括緩沖光纖的內(nèi)層163和外層 165。盡管組件160將12個(gè)緩沖的光纖表現(xiàn)為兩個(gè)層，但組件也可具有任何數(shù)量的緩沖的光纖和/或?qū)?。中央股?61提供股束內(nèi)層163圍繞的一種結(jié)構(gòu)，但這不是必需的，并且外部股束165繞內(nèi)層163扭絞。此外，不同的層可逆螺旋方向地扭絞或具有其它適宜的扭絞形態(tài)。另外，組件160包括易于去除包套168的拉索169。圖7示出另一種多模光纖組件170，該多模光纖組件170包括扭絞在中央構(gòu)件171 周圍并設(shè)置在包套178內(nèi)的多個(gè)子單元172。如圖所示，每個(gè)子單元172包括在子單元包套 174內(nèi)的多個(gè)光纖束173。每個(gè)光纖束173包括設(shè)置在光纖束包套177內(nèi)的多個(gè)光纖100。 如有必要，組件170在光纖束173內(nèi)或沿光纖束173徑向向外的位置可包括強(qiáng)化構(gòu)件。另外，光纖束包套177和/或包套178可以是能輕易由技術(shù)人員用手指剝?nèi)サ谋∽o(hù)套，由此提供快速和便捷的訪問(wèn)。圖8繪出配置為光纖帶狀光纜的多模光纖組件180。組件180包括帶狀光纖181，該帶狀光纖具有多個(gè)多模光纖100、多個(gè)強(qiáng)化構(gòu)件184以及包套188。組件 180可具有與所披露的其它組件相同的任何適宜形狀和/或光纖數(shù)目。同樣，帶181可具有合需的光纖數(shù)目和/或結(jié)構(gòu)。多模光纖組件可在多模光纖100的一端或更多端包括任何適宜的光纖連接器，用于插/拔連接，由此引發(fā)許多可能的組合。作為解說(shuō)，組件可使用例如SC、FC、MT、MTP、MT-RJ 的相似或相異的連接器類型在一端或更多端上形成連接。在本文中，連接器表示任何已知或之后研發(fā)的連接器結(jié)構(gòu)，例如具有箍的連接器、不具有箍的連接器或僅為箍。連接器優(yōu)選地具有適宜的幾何形狀以提供所定義的最大光纖內(nèi)芯偏移。舉例來(lái)說(shuō)，最大光纖內(nèi)芯偏移為大約2 μ m或更小，但其它最大光纖內(nèi)芯偏移值也是可能的，例如大約1. 5 μ m或更小，或 Iym或更小。圖9示出各自配置成單個(gè)光纖尾纖(即僅在一端上具有連接器)的多模光纖組件190。具體地說(shuō)，多模光纖組件包括附連于光纖光纜193—端的光纖連接器191。圖 10示出分別配置為多光纖尾纖195和多光纖尾纖195’的多模光纖組件，所述多光纖引出端 195’包括多個(gè)強(qiáng)化構(gòu)件196和包套198?？稍诂F(xiàn)場(chǎng)將尾纖接合于光纖，由此提供工廠拋光的連接器以供插/拔連接。另外，多模光纖組件可具有設(shè)置在各端上的連接器。圖11示出一解說(shuō)性跳接器組件310，該跳接器組件310在設(shè)置在光纖光纜311中的多模光纖100的每一端具有連接器 312。例如，多模光纖100的每一端具有SC連接器12，例如可從北卡羅來(lái)納州的?？吕目祵幑饫|系統(tǒng)購(gòu)得的SC連接器12。圖12和圖13示出配置為在兩端具有雙工連接器的雙工跳接器組件的多模光纖組件320。具體地說(shuō)，光纖組件320包括具有兩個(gè)多模光纖100的光纖光纜321，每個(gè)多模光纖100各自具有附連于每端的雙工連接器312。圖13示出為清楚起見(jiàn)將一部分雙工連接器拆下的組件320。如圖所示，雙工連接器312包括保持在連接器外殼內(nèi)的兩個(gè)連接器，例如連接器可以是LC連接器。當(dāng)然，跳接器組件可包括任何長(zhǎng)度的光纖光纜，連接器的類型和/或光纖的數(shù)目可實(shí)現(xiàn)光網(wǎng)絡(luò)中的互連。多模光纖組件相比傳統(tǒng)多模光纖組件具有相對(duì)低的插入損耗。相對(duì)來(lái)說(shuō)，多模光纖組件可圍繞網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、安裝路由、松弛貯存等激進(jìn)地彎曲，而不會(huì)遭受顯著的德?tīng)査p，如圖所示。根據(jù)所披露理念的其它光纖跳接器組件也是可行的。多模光纖組件的又一實(shí)施例可包括硬質(zhì)插頭和/或插口作為連接器，例如從北卡羅來(lái)納州的?？吕目祵幑饫|系統(tǒng)購(gòu)得的Opti-Tap或Opti-Tip。多模光纖組件可具有任意合適的評(píng)級(jí)，例如氣門(riser)、強(qiáng)制通風(fēng)(plenum)、通用性、低煙無(wú)鹵(LSHZ)等。同樣，可對(duì)保護(hù)罩(即緩沖層或包套)采用任何適合類型的材料，例如聚氨基甲酸酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、UV可固化材料等， 這取決于所期望的結(jié)構(gòu)和特性。舉例來(lái)說(shuō)，多模光纖100可包括具有大約900微米外徑的強(qiáng)制通風(fēng)級(jí)緩沖層。本文中披露的多模光纖組件可用于其它組件和/或結(jié)構(gòu)。例如，圖Ha-14d示出包括一個(gè)或多個(gè)多模組件的多個(gè)模塊。例如，圖Ha示出一模塊340(為了清楚將其一部分除去)，該模塊340具有用于接納和配合一對(duì)光纖連接器的一個(gè)或多個(gè)適配器。總地來(lái)說(shuō)， 模塊340包括外殼341，外殼341具有附連在后部的一個(gè)或多個(gè)適配器342以及附連在前部的一個(gè)或多個(gè)適配器343。更具體地說(shuō)，適配器被安裝于外殼以使適配器的一部分位于外殼 341的空間S內(nèi)?？臻gS包括多模光纖組件A0，多模光纖組件AO具有插入到空間S內(nèi)的適配器342、343的光纖連接器(不可見(jiàn))。常見(jiàn)地，適配器覆蓋面積在前部和后部是不同的， 例如在后部具有一個(gè)或多個(gè)12光纖或M光纖適配器而在前部具有雙工適配器，由此為技術(shù)人員提供配線板。因此，多模光纖組件AO具有與模塊的適配器配合的連接器。此外，模塊340配置有安裝結(jié)構(gòu)344，用于將其固定于擱板、架子、連接器機(jī)架等。圖14b示出另一模塊；340，，該模塊340，具有外殼341，和與之附連的適配器342，、343，。如圖所示，模塊340， 具有從外側(cè)附連于適配器342’的多模光纖光纜Al。圖Hc和14d示出充當(dāng)互連裝置的另一模塊340”，該模塊340”類似于所描述的模塊但不完全相同。模塊340”具有外殼341”和光纜存貯盤346”，該光纜存貯盤346”可相對(duì)于外殼341”在開(kāi)啟位置和閉合位置之間移動(dòng)。 光纜存貯盤346”可如圖所示平移和轉(zhuǎn)動(dòng)。與其它模塊不同，模塊340”具有多模光纖組件， 該多模光纖組件具有延伸超過(guò)模塊340”并可通過(guò)從光纜存貯盤346”中去除松弛部分而調(diào)整成合需長(zhǎng)度的連接器端345”。模塊的其它變例也是可能的。
環(huán)繞通量(EF)投射用于測(cè)試本文披露的多模光纖組件的光學(xué)性能。多模光纖內(nèi)
芯內(nèi)的EF投射以特定分布填充光纖的內(nèi)芯(即距離光纖中心給定半徑內(nèi)的特定功率百分
比)。更具體地，EF是通過(guò)在光纖投射端處的光信號(hào)的近場(chǎng)測(cè)量確定的。測(cè)得的近場(chǎng)結(jié)果
是離開(kāi)內(nèi)芯的光心的半徑r的函數(shù)I(r)，該函數(shù)用來(lái)產(chǎn)生由下面等式(1)給出的EF函數(shù)。 f
權(quán)利要求
1.一種多模光纖組件，包括至少一個(gè)多模光纖，所述多模光纖包括內(nèi)芯區(qū)和圍繞所述內(nèi)芯區(qū)的包層區(qū)；以及至少一個(gè)連接器，所述連接器安裝在所述至少一個(gè)多模光纖的端部上，其中所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下具有大約0. 04dB或更小的插入損耗。
2.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞10毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. 20dB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
3.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件在1310納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞10毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. 70dB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
4.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞20毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. IOdB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
5.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件在1310納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞20毫米直徑纏繞三匝時(shí)具有0. 30dB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
6.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件包括硬質(zhì)光纖連接器。
7.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件是模塊的一部分。
8.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件是從下組中選取的模塊、單工光纖跳接器、雙工光纖跳接器、跳接器組件以及尾纖。
9.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述組件包括多光纖箍。
10.如權(quán)利要求9所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有200納米或更小的平均共面度。
11.如權(quán)利要求9所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有帶公稱直徑的一對(duì)導(dǎo)向銷孔，所述導(dǎo)向銷孔具有離公稱直徑士0. 0005毫米的公差。
12.如權(quán)利要求9所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有在一對(duì)導(dǎo)向銷孔之間配置成直線陣列的多個(gè)光纖孔，其中任何個(gè)別光纖孔的最大徑向偏移在離公稱光纖孔位置士0. 001毫米的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述至少一個(gè)連接器具有大約2μ m或更小的最大光纖內(nèi)芯偏移。
14.一種多模光纖組件，包括至少一個(gè)多模光纖，所述多模光纖具有第一端和第二端；保護(hù)罩，所述保護(hù)罩圍繞所述至少一個(gè)彎曲性能光纖的至少一部分；第一連接器和第二連接器，所述第一連接器和第二連接器分別安裝在所述多模光纖的第一端和第二端上，其中所述組件在850納米基準(zhǔn)波長(zhǎng)下具有大約0. 04dB或更小的插入損^^ ο
15.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞10 毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. 20dB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
16.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件在1310納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞10 毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. 70dB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
17.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞20 毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. IOdB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
18.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件在1310納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞20毫米直徑纏繞三匝時(shí)具有0. 30dB或更小的平均彎曲德?tīng)査p。
19.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件包括硬質(zhì)光纖連接器。
20.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件是模塊的一部分。
21.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件是從下組中選取的模塊、單工光纖跳接器、雙工光纖跳接器、跳接器組件以及尾纖。
22.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述組件包括多光纖箍。
23.如權(quán)利要求22所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有200納米或更小的平均共面度。
24.如權(quán)利要求22所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有帶公稱直徑的一對(duì)導(dǎo)向銷孔，所述導(dǎo)向銷孔具有離公稱直徑士0. 0005毫米的公差。
25.如權(quán)利要求22所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有在一對(duì)導(dǎo)向銷孔之間配置成直線陣列的多個(gè)光纖孔，其中任何個(gè)別光纖孔的最大徑向偏移在離公稱光纖孔位置士0. 001毫米的范圍內(nèi)。
26.如權(quán)利要求14所述的組件，其特征在于，所述第一連接器和第二連接器具有大約 2 μ m或更小的最大光纖內(nèi)芯偏移。
27.一種光纖組件，所述組件包括多個(gè)多模光纖，所述多模光纖具有第一端和第二端；以及附連于所述多個(gè)多模光纖的多光纖箍，其中所述多光纖箍具有帶公稱直徑的一對(duì)導(dǎo)向銷孔，所述導(dǎo)向銷孔具有離公稱直徑士0. 0005毫米的公差。
28.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞10 毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. 20dB或更小的平均德?tīng)査p。
29.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述組件在1310納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞10 毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. 70dB或更小的平均德?tīng)査p。
30.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述組件在850納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞20 毫米直徑結(jié)構(gòu)纏繞三匝時(shí)具有0. IOdB或更小的平均德?tīng)査p。
31.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述組件在1310納米的基準(zhǔn)波長(zhǎng)下繞20 毫米直徑纏繞三匝時(shí)具有0. 30dB或更小的平均德?tīng)査p。
32.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述組件包括硬質(zhì)光纖連接器。
33.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述組件從下組中選取的跳接器組件和尾纖。
34.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有200納米或更小的平均共面度。
35.如權(quán)利要求27所述的組件，其特征在于，所述多光纖箍具有在一對(duì)導(dǎo)向銷孔之間配置成直線陣列的多個(gè)光纖孔，其中任何個(gè)別光纖孔的最大徑向偏移在離公稱光纖孔位置士0. 001毫米的范圍內(nèi)。
全文摘要
披露了一種光纖組件，該光纖組件包括具有改善性能的至少一個(gè)多模光纖。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)連接器被安裝在至少一個(gè)多模光纖的端部上，并且該組件在850納米基準(zhǔn)波長(zhǎng)下具有大約0.04dB或更小的插入損耗。另一實(shí)施例針對(duì)具有附連于多光纖箍的多個(gè)多模光纖的光纖組件。該多光纖箍具有一對(duì)導(dǎo)向銷孔，該導(dǎo)向銷孔具有一公稱直徑，其中該導(dǎo)向銷孔具有離公稱直徑±0.0005毫米的公差以改善性能。
文檔編號(hào)G02B6/028GK102349008SQ201080012665
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2010年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月14日
發(fā)明者D·馬, J·P·盧瑟, R·霍爾, S·R·比克漢姆 申請(qǐng)人:康寧光纜系統(tǒng)有限公司