專利名稱：薄膜晶體管陣列基板、液晶顯示裝置及已修復的陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板、具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示裝置以及修復后的薄膜晶體管陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。在液晶顯示器的陣列基板上形成有TFT_LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)像素結(jié)構(gòu)。而在陣列基板的制備過程中，柵線或者數(shù)據(jù)線的斷線(Open)是一種常見的不良。針對斷線不良，現(xiàn)有技術(shù)中存在一種快速高效進行斷線維修的方案。如圖1所示， 在陣列基板上由柵線1和數(shù)據(jù)線2限定出多個像素單元，像素電極3形成在像素單元內(nèi)；每一個像素單元的四周設(shè)置有由第一公共電極線41、第二公共電極線42、第一擋光條51及第二擋光條52所形成的一體結(jié)構(gòu)；而且，相鄰兩行像素中，上一行像素的第二公共電極線42 與下一行像素的第一公共電極線41之間通過連接電極6連接。基于上述結(jié)構(gòu)，可以在柵線或者數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷線不良時，利用激光焊接技術(shù)將所述連接電極和一體結(jié)構(gòu)的第一公共電極線、第二公共電極線、第一擋光條及第二擋光條所形成的通路連接到所述柵線或者數(shù)據(jù)線上的斷線處的兩側(cè)，并將該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分通過激光切割技術(shù)進行分離，從而使通路以外的一體結(jié)構(gòu)部分仍能正常使用且達到了維修斷線的目的。不過，在實現(xiàn)上述斷線維修的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題從圖1中可以看到，一體結(jié)構(gòu)中的第一公共電極線41、第二公共電極線42、第一擋光條51及第二擋光條52都與像素電極3存在交疊部分。因此，在將所述通路部分與一體結(jié)構(gòu)的主體部分進行分離時，所述激光切割的操作在將所述通路部分與一體結(jié)構(gòu)的主體部分斷開(在切割點14處)的同時，還有可能將本來位于不同層的像素電極3與公共電極線 41/42或者擋光條51/52給熔接起來；這樣就會造成像素電極與公共電極線之間短路，進而影響到液晶顯示器的正常顯示。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供一種薄膜晶體管陣列基板、液晶顯示裝置及已修復的薄膜晶體管陣列基板，能夠避免像素電極與公共電極線之間短路而影響液晶顯示裝置的正常顯不。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案一種薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板上形成有由柵線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)形成有薄膜晶體管和像素電極；所述柵線的下側(cè)形成有第一公共電極線且所述柵線的上側(cè)形成有第二公共電極線，所述像素單元的左側(cè)形成有第一擋光條和所述像素單元的右側(cè)形成有第二擋光條；所述第一公共電極線、所述第二公共電極線、所述第一擋光條和所述第二擋光條呈一體結(jié)構(gòu)并在所述像素單元的周邊形成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其中，在所述像素電極的四條主邊上分別形成有至少一個維修區(qū)域，該維修區(qū)域凹向所述像素電極內(nèi)側(cè)；而且，在所述維修區(qū)域內(nèi)，所述像素電極與所述第一公共電極線、所述第二公共電極線、所述第一擋光條或所述第二擋光條之間不存在交疊部分。一種液晶顯示裝置，包括彩膜基板和陣列基板；其中，所述陣列基板采用上述薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)。一種包括上述薄膜晶體管陣列基板的已修復薄膜晶體管陣列基板，其中，出現(xiàn)有斷點的柵線與位于該柵線一側(cè)的所述第一公共電極線/第二公共電極線通過所述斷點兩側(cè)的搭橋結(jié)構(gòu)或者所述連接電極電連接形成通路，該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點處斷開；所述切割點中的至少一個位于所述維修區(qū)域內(nèi)。一種包括上述薄膜晶體管陣列基板的已修復薄膜晶體管陣列基板，其中，出現(xiàn)有斷點的數(shù)據(jù)線與位于該數(shù)據(jù)線一側(cè)的所述第一擋光條/第二擋光條通過位于所述斷點兩側(cè)的所述連接電極電連接形成通路，該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點處斷開；所述切割點中的至少一個位于所述維修區(qū)域內(nèi)。一種包括上述薄膜晶體管陣列基板的已修復薄膜晶體管陣列基板，其中，所述一體結(jié)構(gòu)中的第一公共電極線、第二公共電極線、第一擋光條或者第二擋光條與所述像素電極之間短路；短路部分與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點處斷開；所述切割點中的至少一個位于所述維修區(qū)域內(nèi)。利用本實用新型實施例提供的薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示裝置，在進行斷線維修或者短路維修時，可以在所述像素電極邊緣處的維修區(qū)域?qū)λ龉搽姌O線或者擋光條進行激光切割操作；由于在所述維修區(qū)域內(nèi)像素電極與所述公共電極線或者擋光條之間沒有交疊部分，因此在維修區(qū)域內(nèi)對所述公共電極線或者擋光條進行激光切割操作時， 也就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線或擋光條與像素電極之間短路的問題，能夠保證液晶顯示裝置的正常使用。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管陣列基板示意圖；圖2為本實用新型實施例一中的薄膜晶體管陣列基板示意圖；圖3為圖2中像素結(jié)構(gòu)沿A-A線的截面圖；圖4為圖2中像素結(jié)構(gòu)沿B-B線的截面圖；圖5為本實用新型實施例一中進行斷線維修的實例示意圖；[0026]圖6為本實用新型實施例一中進行短路維修的實例示意圖；圖7為本實用新型實施例二中的薄膜晶體管陣列基板示意圖；圖8為本實用新型實施例二中進行柵線斷線維修的實例示意圖；圖9為本實用新型實施例二中進行數(shù)據(jù)線斷線維修的實例示意圖；附圖標記1-柵線；2-數(shù)據(jù)線；3-像素電極；41-第一公共電極線；42-第二公共電極線；51-第一擋光條；52-第二擋光條；6-連接電極；7-維修區(qū)域；12-斷點；13-搭橋結(jié)構(gòu)；14、141、142-切割點。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例提供的薄膜晶體管陣列基板、液晶顯示裝置及已修復的薄膜晶體管陣列基板進行詳細描述。實施例一圖2為本實用新型實施例中的薄膜晶體管陣列基板的平面示意圖；圖3為圖2中薄膜晶體管陣列基板沿A-A線的截面圖；圖4為圖2中薄膜晶體管陣列基板沿B-B線的截面圖。結(jié)合圖2、圖3和圖4所示，本實用新型實施例中提供的薄膜晶體管陣列基板，包括由柵線1和數(shù)據(jù)線2限定的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)形成有薄膜晶體管和像素電極 3 ；所述柵線1的下側(cè)形成有第一公共電極線41且所述柵線1的上側(cè)形成有第二公共電極線42，所述像素單元的左側(cè)形成有第一擋光條51和所述像素單元的右側(cè)形成有第二擋光條52 ；所述第一公共電極線41、所述第二公共電極線42、所述第一擋光條51和所述第二擋光條52呈一體結(jié)構(gòu)并在所述像素單元的周邊形成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其中，在所述像素電極3的四條主邊上分別形成有至少一個維修區(qū)域7，該維修區(qū)域7凹向所述像素電極3內(nèi)側(cè)；而且，在所述維修區(qū)域7內(nèi)，所述像素電極3與所述第一公共電極線41、所述第二公共電極線42、所述第一擋光條51或所述第二擋光條52之間不存在交疊部分。利用上述薄膜晶體管陣列基板，在進行斷線維修或者短路維修時，可以在所述像素電極邊緣處的維修區(qū)域?qū)λ龉搽姌O線或者擋光條進行激光切割操作；由于在所述維修區(qū)域內(nèi)像素電極與所述公共電極線或者擋光條之間沒有交疊部分，因此在維修區(qū)域內(nèi)對所述公共電極線或者擋光條進行激光切割操作時，也就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線或擋光條與像素電極之間短路的問題，能夠保證液晶顯示裝置的正常使用。具體地，下面將以圖示來進一步說明基于上述薄膜晶體管陣列基板進行斷線維修或者短路維修的實現(xiàn)方式。(一)如圖5所示，在上述薄膜晶體管陣列基板上出現(xiàn)斷線不良，斷點12出現(xiàn)在柵線1上。此時，首先找出所述斷點12兩側(cè)與該斷點12最為接近且位于所述柵線同側(cè)的兩個維修區(qū)域；將這兩個維修區(qū)域所包圍的公共電極線(圖5中以柵線1下方的第一公共電極線41為例)與所述出現(xiàn)斷線不良的柵線1之間通過沉積維修材料的方式，例如化學氣相沉積，形成兩處搭橋結(jié)構(gòu)13以實現(xiàn)所述第一公共電極線41與柵線1之間的電連接；這樣， 通過所述出現(xiàn)斷線不良的柵線1下方的第一公共電極線41和上述兩處搭橋結(jié)構(gòu)13形成了一個通路來替代出現(xiàn)斷線不良的部分柵線。之后，采用激光切割技術(shù)，將上述通路中的部分第一公共電極線與一體結(jié)構(gòu)的第一公共電極線、第二公共電極線、第一擋光條和第二擋光條的主體部分斷開；而且，從圖5 中可以看出，切割點14全部位于維修區(qū)域7內(nèi)，這樣在進行激光切割操作時就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線與像素電極之間短路的問題，同時也完成了柵線的斷線維修。(二)如圖6所示，在上述薄膜晶體管陣列基板上出現(xiàn)公共電極線與像素電極之間的短路不良，例如圖6中虛線圈標注的位置。以圖6中的情況為例，需要在所述出現(xiàn)短路不良的像素電極周邊、與短路點最為接近的兩個維修區(qū)域內(nèi)，將第一公共電極線41以及第二擋光條52通過激光切割技術(shù)切斷；同時，將連接所述出現(xiàn)短路不良的像素及其右側(cè)像素的第一公共電極線41在兩個相鄰像素的間隙部分進行切斷。這樣，即可將出現(xiàn)短路不良的部分公共電極線與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分進行分離，從而解決公共電極線與像素電極之間短路的問題。如果在擋光條與像素電極之間出現(xiàn)短路不良，其維修方式與圖6中的維修方式類似，僅是進行切斷的位置不同；因此，在這里不再贅述。在本實施例中，圖5和圖6所展示的僅僅是斷線維修以及短路維修中的兩種情況； 在實際的應用中還可能存在其他多種斷線不良/短路不良的情形，也都可以利用上述薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)方便地進行維修，具體維修過程此處不再贅述。實施例二 本實施例中提供的薄膜晶體管陣列基板在實施例一的基礎(chǔ)上，對其又做了進一步的改進。具體地，如圖7所示，本實施例中的薄膜晶體管陣列基板在圖2中薄膜晶體管陣列基板的基礎(chǔ)上又添加了一連接電極6 ；位于同一柵線1上側(cè)的第二公共電極線42和位于該柵線1 下側(cè)的第一公共電極線41之間通過所述連接電極6進行連接。在設(shè)置了上述連接電極6之后，上下相鄰像素單元之間的公共電極線串接起來， 這樣可以使整個陣列基板上公共電極線上的電壓分布更為均勻，改善畫面顯示效果。而且，在設(shè)置了上述連接電極6后，在進行斷線維修時可以通過該連接電極6實現(xiàn)公共電極線與柵線之間的連接而無需進行維修材料沉積等操作；這樣的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)不只可以在維修過程中避免像素電極與公共電極線或擋光條之間短路而影響液晶顯示裝置的正常顯示，而且維修快捷高效、成功率高。具體地，下面將以圖示來進一步說明基于本實施例中的薄膜晶體管陣列基板進行斷線維修的實現(xiàn)方式。(一)如圖8所示，在所述薄膜晶體管陣列基板上出現(xiàn)斷線不良，斷點12出現(xiàn)在柵線1上。首先，找出所述斷點12兩側(cè)與該斷點12最為接近的兩個連接電極6，采用激光焊接技術(shù)將出現(xiàn)斷點的柵線1與所述斷點12兩側(cè)的連接電極6在其交疊處進行熔接；這樣，
6所述出現(xiàn)斷點的柵線上方的第二公共電極線42以及上述兩處連接電極6形成了一個通路來替代出現(xiàn)斷線不良的部分柵線。之后，采用激光切割技術(shù)，將上述通路中的部分第二公共電極線與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分進行分離斷開；而且，從圖8中可以看出，切割點14位于維修區(qū)域7內(nèi)或者柵線 1與其下方的第一公共電極線之間的間隙部分，這樣在進行激光切割操作時就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線與像素電極之間短路的問題，同時也完成了柵線的斷線維修。(二)如圖9所示，在所述薄膜晶體管陣列基板上出現(xiàn)斷線不良，斷點12出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線2上。首先，找出所述斷點12兩側(cè)與該斷點12最為接近的第一公共電極線41和第二公共電極線42，通過激光焊接技術(shù)將出現(xiàn)斷點12的數(shù)據(jù)線2與所述斷點12兩側(cè)的第一公共電極線41和第二公共電極線42在其交疊處進行熔接，這樣就可以通過所述出現(xiàn)斷點的數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第一擋光條或者第二擋光條(圖9中以第二擋光條52為例)來形成一個通路來替代出現(xiàn)斷線不良的部分數(shù)據(jù)線。之后，采用激光切割技術(shù)，將上述通路中的部分第二公共電極線與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分進行分離斷開；而且，從圖9中可以看出，切割點14位于維修區(qū)域7內(nèi)或者柵線 1與公共電極線41/42之間的間隙部分或者數(shù)據(jù)線2與擋光條51/52之間的間隙部分，這樣在進行激光切割操作時就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線與像素電極之間短路的問題。為了進一步地簡化斷線維修的過程，可以在圖9所示的薄膜晶體管陣列基板中再增設(shè)一個維修區(qū)域，該維修區(qū)域也位于像素電極的右側(cè)主邊上；這樣，在像素電極的右側(cè)主邊上就形成有兩個維修區(qū)域，其中一個靠近第一公共電極線41，例如圖9中橢圓線圈選定的位置，另一個靠近所述第二擋光條52。在增設(shè)了新的維修區(qū)域之后，原本需要進行激光切割操作的切割點141和142處就無需進行激光切割操作，而只需在新增的切割點處進行激光切割操作即可，從而可以省卻一次激光切割的操作，簡化維修過程。在本實施例中，圖8和圖9所展示的僅僅是斷線維修的兩種情況；在實際的應用中還可能存在其他多種斷線不良的情形，也都可以利用上述薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)方便地進行維修，具體維修過程此處不再贅述。在上述實施例一及實施例二中，均未對所述維修區(qū)域的形狀進行限定。在本實用新型實施例中，所述維修區(qū)域的形狀可以是矩形，且矩形區(qū)域的一條邊與像素電極的側(cè)邊重合，矩形區(qū)域的其余部分被所述像素電極包圍；所述維修區(qū)域也可以是半圓形或者半橢圓形，且圓弧部分朝向所述像素電極內(nèi)側(cè)；所述維修區(qū)域還可以是三角形，且該三角形的頂角朝向所述像素電極內(nèi)側(cè)。當然，上述三種情況是本實用新型實施例中的具體事例，實際實現(xiàn)方式并不限于此。實施例三基于上述實施例中的描述，本實用新型實施例中還提供了基于上述薄膜晶體管陣列基板進行斷線維修或者短路維修后得到的已修復的薄膜晶體管陣列基板；具體地，[0064]結(jié)合圖5和圖8所示，在本實施例提供的一種已修復薄膜晶體管陣列基板中，在所述柵線1上出現(xiàn)斷點；所述出現(xiàn)斷點的柵線1與位于該柵線1 一側(cè)的所述第一公共電極線41/第二公共電極線42通過所述斷點兩側(cè)的搭橋結(jié)構(gòu)13或者所述連接電極6進行電連接以形成通路， 該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點14處斷開；其中，所述切割點14中的至少一個位于所述維修區(qū)域7內(nèi)，同時為了盡量避免切割操作影響到像素電極3的正常工作，還可以將一部分切割點14設(shè)置在所述柵線1與所述第一公共電極線41/第二公共電極線42之間的間隙部分、或者所述數(shù)據(jù)線2與所述第一擋光條 51/第二擋光條52之間的間隙部分。結(jié)合圖9所示，在本實施例提供的另一種已修復薄膜晶體管陣列基板上，在所述數(shù)據(jù)線2上出現(xiàn)斷點；所述出現(xiàn)斷點的數(shù)據(jù)線2與位于該數(shù)據(jù)線2 —側(cè)的所述第一擋光條51/第二擋光條52通過位于所述斷點兩側(cè)的所述連接電極6進行電連接以形成通路，該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點14處斷開；其中，所述切割點14中的至少一個位于所述維修區(qū)域7內(nèi)，同時為了盡量避免切割操作影響到像素電極3的正常工作，還可以將一部分切割點14設(shè)置在所述柵線1與所述第一公共電極線41/第二公共電極線42之間的間隙部分、或者所述數(shù)據(jù)線2與所述第一擋光條 51/第二擋光條52之間的間隙部分。結(jié)合圖6所示，在本實施例提供的又一種已修復薄膜晶體管陣列基板上，所述一體結(jié)構(gòu)中的第一公共電極線41、第二公共電極線42、第一擋光條51或者第二擋光條52與所述像素電極3之間出現(xiàn)短路；短路部分與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點14處斷開；所述切割點14中的至少一個位于所述維修區(qū)域7內(nèi)，同時為了盡量避免切割操作影響到像素電極的正常工作， 還可以將一部分切割點14設(shè)置在所述柵線1與所述第一公共電極線41/第二公共電極線 42之間的間隙部分、或者所述數(shù)據(jù)線2與所述第一擋光條51/第二擋光條52之間的間隙部分。在上述修復后的薄膜晶體管陣列基板中，所有的切割點均位于所述維修區(qū)域內(nèi)、 或者所述柵線與所述第一公共電極線/第二公共電極線之間的間隙部分、或者所述數(shù)據(jù)線與所述第一擋光條/第二擋光條之間的間隙部分；這樣，在對所述公共電極線或者擋光條進行激光切割操作時，由于在所述維修區(qū)域內(nèi)像素電極與所述公共電極線或者擋光條之間沒有交疊部分，因此也就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線或者擋光條與像素電極之間短路的問題，能夠保證液晶顯示裝置的正常使用。此外，本實用新型實施例中還提供一種液晶顯示裝置，包括彩膜基板和陣列基板； 其中，所述陣列基板采用了上述實施例中所介紹的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)。在對本實用新型實施例中的液晶顯示裝置進行斷線維修或者短路維修時，可以在所述像素電極邊緣處的維修區(qū)域?qū)λ龉搽姌O線或者擋光條進行激光切割操作；由于在所述維修區(qū)域內(nèi)像素電極與所述公共電極線或者擋光條之間沒有交疊部分，因此在維修區(qū)域內(nèi)對所述公共電極線或者擋光條進行激光切割操作時，也就不會出現(xiàn)公共電極線或者擋光條與像素電極熔接而致使公共電極線或者擋光條與像素電極之間短路的問題，能夠保證液晶顯示裝置的正常使用。 以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應以權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板上形成有由柵線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)形成有薄膜晶體管和像素電極；所述柵線的下側(cè)形成有第一公共電極線且所述柵線的上側(cè)形成有第二公共電極線，所述像素單元的左側(cè)形成有第一擋光條和所述像素單元的右側(cè)形成有第二擋光條；所述第一公共電極線、所述第二公共電極線、所述第一擋光條和所述第二擋光條呈一體結(jié)構(gòu)并在所述像素單元的周邊形成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于，在所述像素電極的四條主邊上分別形成有至少一個維修區(qū)域，該維修區(qū)域凹向所述像素電極內(nèi)側(cè)；而且，在所述維修區(qū)域內(nèi)，所述像素電極與所述第一公共電極線、所述第二公共電極線、所述第一擋光條或所述第二擋光條之間不存在交疊部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于同一柵線上側(cè)的所述第二公共電極線與該柵線下側(cè)的所述第一公共電極線通過連接電極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在所述像素電極的右側(cè)主邊上形成有兩個維修區(qū)域；其中一個維修區(qū)域靠近所述第一公共電極線，另一個維修區(qū)域靠近所述第二擋光條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述維修區(qū)域呈矩形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述維修區(qū)域呈半圓形或者半橢圓形，且圓弧部分朝向所述像素電極內(nèi)側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述維修區(qū)域呈三角形，且該三角形的頂角朝向所述像素電極內(nèi)側(cè)。
7.一種液晶顯示裝置，包括彩膜基板和陣列基板；其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求1至6中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)。
8.一種包括權(quán)利要求1至6中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板的已修復薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，出現(xiàn)有斷點的柵線與位于該柵線一側(cè)的所述第一公共電極線/第二公共電極線通過所述斷點兩側(cè)的搭橋結(jié)構(gòu)或者所述連接電極電連接形成通路，該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點處斷開；其中，所述切割點中的至少一個位于所述維修區(qū)域內(nèi)。
9.一種包括權(quán)利要求1至6中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板的已修復薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，出現(xiàn)有斷點的數(shù)據(jù)線與位于該數(shù)據(jù)線一側(cè)的所述第一擋光條/第二擋光條通過位于所述斷點兩側(cè)的所述連接電極電連接形成通路，該通路與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點處斷開；其中，所述切割點中的至少一個位于所述維修區(qū)域內(nèi)。
10.一種包括權(quán)利要求1至6中任一項所述的薄膜晶體管陣列基板的已修復薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述一體結(jié)構(gòu)中的第一公共電極線、第二公共電極線、第一擋光條或者第二擋光條與所述像素電極之間短路；短路部分與所述一體結(jié)構(gòu)的主體部分在切割點處斷開；所述切割點中的至少一個均位于所述維修區(qū)域內(nèi)。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種薄膜晶體管陣列基板、液晶顯示裝置及已修復的陣列基板，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免像素電極與公共電極線之間短路而影響液晶顯示裝置的正常顯示。一種薄膜晶體管陣列基板，其上形成有由柵線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個像素單元內(nèi)形成有薄膜晶體管和像素電極；在所述像素電極四周設(shè)有由第一公共電極線、第二公共電極線、第一擋光條和第二擋光條所組成的一體結(jié)構(gòu)；在所述像素電極的四條主邊上分別形成有至少一個維修區(qū)域，該維修區(qū)域凹向所述像素電極內(nèi)側(cè)；而且，在所述維修區(qū)域內(nèi)，所述像素電極與所述第一公共電極線、所述第二公共電極線、所述第一擋光條或所述第二擋光條之間不存在交疊部分。
文檔編號G02F1/1362GK201984264SQ20102059216
公開日2011年9月21日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者謝振宇, 陳旭, 龍春平 申請人:北京京東方光電科技有限公司