專利名稱：具有凹陷槽的單模光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖傳輸領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及用于長距離應(yīng)用的線路光纖。
背景技術(shù)：
光纖常規(guī)上包括中央纖芯，其功能是傳輸光學(xué)信號并有可能放大光學(xué)信號；和 外部光學(xué)包層，其目的是將光學(xué)信號限制在中央纖芯內(nèi)。為此，中央纖芯的折射率η。和外 部光學(xué)包層的折射率ng為使得n。> ng。對于光纖，通常聯(lián)系將折射率與光纖半徑相關(guān)聯(lián)的函數(shù)的圖形表示來限定折射率 分布。常規(guī)地，沿著χ-軸示出到光纖中心的距離r，并且沿著y-軸示出折射率和光纖包層 的折射率之間的差。因此，對于具有相應(yīng)的階躍、梯形或三角形的圖形，折射率分布被稱為 “階躍”、“梯形”或“三角形”分布。這些曲線通常是光纖的理論或設(shè)置分布的表示，而光纖 的制造約束可能會引起稍微不同的分布。有兩種主要類型的光纖多模光纖和單模光纖。在多模光纖中，對于給定的波長， 幾種光模(optical mode)沿光纖同時傳播。在單模光纖中，信號以在光纖纖芯內(nèi)引導(dǎo)的基 模LPOl傳播，而更高級的模(例如模LP11)嚴重地衰減。作為光纖傳輸系統(tǒng)的線路光纖， 常規(guī)使用階躍折射率單模光纖(SMF)。光纖典型地由石英(天然或合成的)制備。為了在纖芯和包層之間獲得相對折射 率差，纖芯的折射率可通過摻雜合適的物質(zhì)(例如鍺)而增加，而包層保持為石英。一種可 選擇的方法包括使纖芯保留為石英，并且通過摻雜合適的物質(zhì)(例如氟)來使包層的折射 率降低。結(jié)果形成所謂的純石英纖芯的光纖(PSCF)-即，纖芯為未摻雜的石英的光纖。選擇兩種方法中的何種可取決于光纖的設(shè)想的用途。例如，在放射活性環(huán)境中，鍺 將結(jié)合氣氛中存在的氫，并且導(dǎo)致明顯的光纖缺陷，從而增加傳輸損耗。因此，具有摻雜的 包層的純石英纖芯的光纖優(yōu)選用在放射活性環(huán)境中。選擇以獲得折射率分布的方法也取決 于光纖所要求的性能。在長距離應(yīng)傳輸用的特定情況下，需要非常低水平的衰減，純石英纖 芯的光纖的衰減優(yōu)選小于0. 180dB/km@1550nm。實際上，光纖的摻雜的纖芯中存在的摻雜劑 有助于 Rayleigh 衍射( 0. 02dB/kmil550nm)。然而，難以獲得具有摻雜的包層的光纖。和具有純石英的包層的光纖相比，具有摻 雜的包層的光纖的制造成本更高。因此，人們努力使純石英纖芯的光纖中的摻雜的包層的 半徑最小化。一種方案包括圍繞純石英纖芯沉積摻雜的包層(稱為內(nèi)部包層)，并且將標準 石英用于稱為外部光學(xué)包層的一部分包層。然而，該方法是有局限性的，因為外部光學(xué)包層 的折射率和纖芯的折射率接近，其需要放置在距離后者足夠遠的地方。實際上，石英包層的 接近性(proximity)導(dǎo)致基本傳播模LPOl泄漏損耗的增加。已知使用凹陷槽來改善光纖的光學(xué)參數(shù)，所述凹陷槽包括在中央纖芯和外部光學(xué) 包層之間的內(nèi)部包層中。然而，事實是凹陷槽的添加引起另外的模(主要是LP11)的傳播， 這導(dǎo)致光纖的電纜截止波長增加。高電纜截止波長(超過1550nm)限制相對于光學(xué)信號的 波長的光纖的單模特征。
美國專利4，852，968在圖4中公開了一種光纖，其具有纖芯、第一內(nèi)部包層、凹陷 槽、第二內(nèi)部包層和外部包層。該文獻公開了通過存在凹陷槽來改善光纖的某些光學(xué)參數(shù)， 特別是基模的散射、密封和彎曲損耗方面的參數(shù)。但該文獻并沒有給出可以獲得基模的低 泄漏損耗和低截止波長的凹陷的內(nèi)部包層和凹陷槽的特性的細節(jié)。此外，涉及圖4的相對 纖芯半徑相對較小(在2.5 μ m和3.5 μ m之間)。因此，光纖的特性并不允許其提供最小化 的摻雜的包層半徑，同時保持低基模泄漏損耗和低電纜截止波長(小于1550nm)。美國專利5，044，724在圖4中公開了使用在上述文獻(US 4，852，968)中討論的 分布來獲得甚至更加凹陷的結(jié)構(gòu)的可能性，同時纖芯的折射率接近于石英的折射率。該文 獻并沒有給出可以獲得基模的低泄漏損耗和低截止波長的凹陷的內(nèi)部包層和凹陷槽的特 性的細節(jié)。US-A-2005/0089289在圖6和8中公開了一種石英纖芯的光纖，其具有內(nèi)部包 層、構(gòu)成內(nèi)部凹陷的包層的外周的凹陷槽、和外部包層。如果電纜截止波長指定為低于 1330nm，該文獻并沒有給出可以獲得低基模泄漏損耗的凹陷的內(nèi)部包層和凹陷槽的特性的 細節(jié)。此外，對于槽在內(nèi)部包層的外周處這樣的構(gòu)造而言，纖芯和凹陷的內(nèi)部包層的半徑的 比值非常小(在1. 25至3. 34之間)。類似地，和外部包層相比，槽的折射率差相當(dāng)高(大 于-7. 3 口 ΙΟ"3)。因此，光纖的特性并不允許其提供最小化的摻雜的包層半徑，同時保持低 基模泄漏損耗。US-A-2008/0279517公開了一種光纖，具有纖芯、內(nèi)部包層、構(gòu)成凹陷的內(nèi)部包層 的外周的凹陷槽、和外部包層。如果電纜截止波長小于1530nm，提及非石英纖芯型凹陷的結(jié) 構(gòu)，結(jié)果凹陷的內(nèi)部包層和凹陷槽對基模泄漏損耗沒有影響。另外，位于內(nèi)部包層的外周的 槽的半徑相當(dāng)小(< ^ym),這使其不可能獲得低基模泄漏損耗。沒有一篇鑒定的現(xiàn)有技術(shù)的文獻看起來公開了下列內(nèi)容具有減小的摻雜的包 層半徑的光纖的折射率分布，其表現(xiàn)出低基模泄漏損耗和低截止波長，這使得可以在約 1550nm處維持單模特征。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要這樣的光纖，其具有最小化的摻雜的包層的半徑，同時不會增加基模 LPOl泄漏損耗，并且同時保持低截止波長。為此，提出通過在內(nèi)部包層中添加凹陷槽來減小摻雜的包層的半徑。凹陷槽的特 性使得可以限制LPOl傳播模中的泄漏損耗，所述泄漏損耗在折射率接近于石英的折射率 的外部光學(xué)包層靠近中央纖芯時顯著的增加。槽的結(jié)構(gòu)和位置被選擇為獲得最佳妥協(xié)效果ο更特別地，本發(fā)明提供根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖。實質(zhì)上，本發(fā)明的目的是添加凹陷槽，其折射率分布為中央纖芯具有低折射率-并因此具有泄漏損耗，以能夠使外部光學(xué)包層移動更接近中央纖芯-以降低生產(chǎn)成本 并為了和大量生產(chǎn)的相容性-但同時保持低電纜截止波長。在一個實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的外徑小于36 μ m。在另一個實施方案中，在波長1550nm處的總衰減小于0. 19dB/km，優(yōu)選小于 0.18dB/km。
在又一個實施方案中，由(Δη2-Δη3) * (r32-r22)定義的第二部分的面積在0. 8至 3. 6 μ m2 之間。在又一個實施方案中，比值r2/ri大于6。
在又一個實施方案中，其中凹陷的內(nèi)部包層還包括位于第二部分和外部光學(xué)包層 之間的第三部分，所述第三部分具有半徑1~4和與外部光學(xué)包層的折射率差Δη4，其中折射 率差A(yù)n4大于(換句話說不負于(negative than))第二部分與外部光學(xué)包層的折射率差 Δ η3。在又一個實施方案中，比值r2/ri在1. 5至3. 5之間。在又一個實施方案中，中央纖芯的半徑T1在3. 8至7 μ m之間。在又一個實施方案中，中央纖芯和凹陷的內(nèi)部包層的第一部分之間的折射率差 Δ η「Δ n2 在 3. 9 X 1(Γ3 至 6. 2 X 1(Γ3 之間。在又一個實施方案中，第二部分和外部光學(xué)包層之間的折射率差Δη3 在-16 X IO"3 至-7 X IO"3 之間。在又一個實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分和外部光學(xué)包層之間的折射率 差 Δ η2 在-7 X ΙΟ—3 至-2 X IO"3 之間。在又一個實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層包括位于中央纖芯和凹陷的內(nèi)部包層的第 一部分之間的至少一個另外的部分，所述至少一個另外的部分和所述外部光學(xué)包層的折射 率差在Δηι至An3之間。在又一個實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分和中央纖芯相鄰，S卩，中央纖芯 被凹陷的內(nèi)部包層的第一部分直接圍繞。在又一個實施方案中，在波長1550nm處的模場直徑(MFD)在9. 5μπι至14μπι之間。在又一個實施方案中，在波長1550nm處的色散在14至24ps/nm. km之間。在又一個實施方案中，在波長1550nm處的色散小于22ps/nm. km。在又一個實施方案中，在波長1550nm處是色散小于20ps/nm. km。在又一個實施方案中，在波長1550nm處的色散斜率在Ops/nm2. km至0. 070ps/nm2. km之間。在又一個實施方案中，中央纖芯由純石英制成。在又一個實施方案中，中央纖芯由鍺濃度小于3重量％的摻雜鍺的石英制成?！N光學(xué)傳輸系統(tǒng)，包括也由本發(fā)明提供的上述光纖的至少一部分。


在閱讀以下通過示例并參考附圖對本發(fā)明的一些實施方案的描述后，本發(fā)明的其 它特性和優(yōu)點將變得明顯，其示出圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的光纖的折射率分布。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案的光纖的折射率分布。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的光纖具有圍繞光學(xué)纖芯的外部光學(xué)包層。光學(xué)纖芯從中央向外周(即，從內(nèi)部到外部)包括i)中央纖芯，其具有半徑和與外部光學(xué)包層的折射率差，和ii) 凹陷的內(nèi)部包層。凹陷的內(nèi)部包層包括至少a)第一部分，其具有半徑和與外部光學(xué)包層 的折射率差，該第一部分優(yōu)選與中央纖芯相鄰；和b)與第一部分相鄰的第二部分；所述第 二部分構(gòu)成凹陷槽，所述第二部分具有半徑和與外部光學(xué)包層的折射率差。凹陷的內(nèi)部包 層的第一部分的折射率小于外部光學(xué)包層的折射率(即，相對于外部光學(xué)包層是負的)， 并且凹陷的內(nèi)部包層的第二部分的折射率小于(即，更負于)凹陷的內(nèi)部包層的第一部分 的折射率。本發(fā)明的光纖的凹陷的內(nèi)部包層的外徑在^ym至40μπι之間。光纖在波長 1550nm處的LPOl模泄漏損耗還小于0. 01dB/km,并且電纜截止波長小于1530nm。因此，本 發(fā)明的光纖具有最小化的凹陷的內(nèi)部包層的半徑，同時仍舊保持LPOl基模的低泄漏損耗 和低電纜截止波長。通過如權(quán)利要求1所指出的凹陷的內(nèi)部包層的特定結(jié)構(gòu)，獲得所述特 征的組合。根據(jù)本發(fā)明的光纖的折射率分布的兩個例子示于圖1和2中。在這些圖中，中央纖芯具有半徑巧和與外部光學(xué)包層的折射率差Δηι。中央纖芯 的半徑巧可以在3. 8 μ m至7 μ m之間。根據(jù)本發(fā)明的光纖的中央纖芯可以由石英(天然或 合成的)制備。特別地，根據(jù)本發(fā)明的光纖的中央纖芯可以由純石英(換言之不存在摻雜 劑)制備。然而，根據(jù)本發(fā)明的光纖的中央纖芯可稍微摻雜鍺，鍺的重量濃度小于3重量％， 優(yōu)選在1至3重量％之間，以增加中央纖芯的折射率，而光纖的特性保持基本上不變。摻雜 鍺的中央纖芯可共摻雜重量濃度小于1重量％的氟。氟被用于使中央纖芯的折射率降低并 且使其調(diào)節(jié)至期望的數(shù)值，折射率減小1 X 10_3對應(yīng)于氟重量濃度約0. 3重量％。凹陷的內(nèi)部包層是凹陷的，換言之其折射率小于(S卩，負于)外部光學(xué)包層的折射 率。凹陷的內(nèi)部包層的折射率減小至低于外部光學(xué)包層的折射率可以通過使用氟或任何其 他合適的化合物來摻雜凹陷的內(nèi)部包層而獲得。該凹陷的內(nèi)部包層包括第一部分，其具有半徑1~2和與外部光學(xué)包層的折射率差 Δη2。凹陷的內(nèi)部包層的該第一部分相鄰于凹陷的內(nèi)部包層的第二部分(或上面討論的 槽)_即，被凹陷的內(nèi)部包層的第二部分直接圍繞。優(yōu)選地，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分 的折射率差Δη2為使得八1!1-八1!2在3.9\10_3至6.2\10_3之間。中央纖芯的折射率差 Δ nr Δ η2和半徑Γι的數(shù)值優(yōu)選確保光纖在波長1550nm處的模場直徑(或MFD) 2ff02在9. 5m 至14 μ m之間，在波長1550nm處的色散在14ps/nm. km至Mps/nm. km之間，在波長1550nm 處的色散斜率在Ops/nm2. km至0. 070ps/nm2. km之間，在波長1550nm處的色散能夠小于 22ps/nm. km，甚至小于20pS/nm. km。優(yōu)選地，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分和外部光學(xué)包層的 折射率差Δ η2可在-7 X 10_3至-2 X 10_3之間。凹陷的內(nèi)部包層還包括第二部分(也稱為凹陷槽)，其具有半徑r3和與外部光學(xué) 包層的折射率差Δη3。凹陷槽是凹陷的內(nèi)部包層的第二部分，并且相鄰于第一部分。凹陷 的內(nèi)部包層的第二部分的折射率小于第一部分(具有半徑r2)的折射率。換言之，第二部分 的折射率更負于凹陷的內(nèi)部包層的第一部分的折射率。凹陷的內(nèi)部包層的第二部分的折射 率差八1!3優(yōu)選在-16\10-3至-7\10-3之間，由(Δη2-Δη3)Χ(Γ32-Γ22)定義的凹陷的內(nèi)部 包層的第二部分的面積優(yōu)選在0. 80 μ m2至3. 6 μ m2之間。這些數(shù)值使得可以使外部光學(xué)包 層更接近中央纖芯，換言之減小凹陷的內(nèi)部包層的半徑，而沒有實質(zhì)上劣化光纖參數(shù)(例 如基模LPOl泄漏損耗和電纜截止波長)。凹陷的內(nèi)部包層的第二部分的面積應(yīng)該足夠大以限制LPOl模泄漏損耗，但為了保持LPll模滲漏也不應(yīng)該太大，從而保證電纜截止波長小于 1530nmo應(yīng)該注意，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分還可以包括至少一個(即，1至7個)折射 率差在八叫至八叫之間的附加或另外的部分，例如在圖1和2中，折射率八~和Anb以及 半徑的部分。該另外的部分位于中央纖芯和凹陷的內(nèi)部包層的第一部分之間。在 另一個實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分直接圍繞(即，相鄰于)中央纖芯。因此，在光纖中，凹陷的內(nèi)部包層的外徑小于40 μ m。凹陷的內(nèi)部包層的半徑可小 于38 μ m，并且可以甚至小于36 μ m。該半徑對應(yīng)于凹陷的內(nèi)部包層的外徑，換言之包括至 少第一部分和第二部分。凹陷的內(nèi)部包層最小化的半徑，同時仍保持LPOl模泄漏損耗小于 數(shù)值0.01dB/km。然而，LPll模泄漏損耗保持足夠高以獲得電纜截止波長λ。。小于1530nm。 凹陷的內(nèi)部包層的外徑為至少^ym,以保持LPOl模的泄漏損耗的數(shù)值。根據(jù)本發(fā)明所述的光纖的LPOl模的泄漏損耗的數(shù)值為使得可以實現(xiàn)在波長 1550nm處的總衰減小于0. 19dB/km，優(yōu)選小于0. 18dB/km。在根據(jù)圖1中所示的本發(fā)明的第一實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的第二部分構(gòu)成 凹陷的內(nèi)部包層的外周。換言之，第二部分由外部光學(xué)包層直接圍繞。在圖1中，凹陷的內(nèi) 部包層的外徑在觀至40 μ m之間，或甚至在觀至38 μ m之間，或另外甚至在觀至36 μ m之 間，因此對應(yīng)于凹陷的內(nèi)部包層的第二部分的半徑r3。在該實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的 第一部分的半徑r2為使得比值r2/ri大于6。該數(shù)值確保電纜截止波長λ。。小于1530nm， 而不會導(dǎo)致基模泄漏損耗增加。在根據(jù)圖2中所示的本發(fā)明的第二實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的第二部分不構(gòu) 成凹陷的內(nèi)部包層的外周。該凹陷的內(nèi)部包層還包括位于凹陷的內(nèi)部包層的第二部分和 外部光學(xué)包層之間的附加或另外的第三部分。在該實施方案中，該第三部分構(gòu)成凹陷的內(nèi) 部包層的外周。凹陷的內(nèi)部包層的該第三部分具有半徑1~4和與外部光學(xué)包層的折射率差 An4(大于凹陷的內(nèi)部包層的第二部分的折射率差Δη3)。第三部分的折射率大于(即，不 負于)凹陷的內(nèi)部包層的第二部分的折射率。在圖2中，凹陷的內(nèi)部包層的外徑在觀至 40 μ m之間，或甚至在28至38 μ m之間，或甚至在觀至36 μ m之間，因此對應(yīng)于該第三部分 的半徑r4。在該實施方案中，凹陷的內(nèi)部包層的第一部分的半徑r2，從而比值巧/巧在1.5 至3. 5之間。該數(shù)值范圍允許電纜截止波長λ。。小于1530nm，而不會導(dǎo)致基模泄漏損耗增 加。凹陷的內(nèi)部包層的第三部分的存在允許光纖設(shè)計具有更大的靈活性，并且使得可以使 凹陷的內(nèi)部包層的第二部分更接近中央纖芯。在根據(jù)本發(fā)明的光纖的例子中，光纖包括中央纖芯和與中央纖芯直接接觸的凹陷 的內(nèi)部包層，凹陷的內(nèi)部包層包括與中央纖芯相鄰的第一部分和與第一部分相鄰的第二部 分。在根據(jù)本發(fā)明的光纖的另一個例子中，光纖包括中央纖芯和與中央纖芯直接接觸 的凹陷的內(nèi)部包層，凹陷的內(nèi)部包層包括與中央纖芯相鄰的第一部分、與第一部分相鄰的 第二部分、和與第二部分相鄰的第三部分。借助于表I和II中給出的光纖的例子，將更好地理解上面給出的本發(fā)明的優(yōu)點和 數(shù)值范圍的重要性。表I示出對于幾個光纖例子的折射率分布，半徑和與外部光學(xué)包層的折射率差的數(shù)值。例子PSCF1、PSCF2和PSCF3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)具有純石英中央纖芯的光纖，其中凹陷 的內(nèi)部包層不包括凹陷槽。例子DT5、DT6和DT7是具有石英中央纖芯的光纖，其中凹陷的 內(nèi)部包層包括不符合本發(fā)明的特性的凹陷槽(DT)。例子DT1-4、DT8-16是根據(jù)本發(fā)明的光纖。表 I
權(quán)利要求
1.一種光纖，包括被外部光學(xué)包層圍繞的光學(xué)纖芯，所述光學(xué)纖芯從中央向外周包括 中央纖芯和凹陷的內(nèi)部包層，-所述中央纖芯具有半徑^和與所述外部光學(xué)包層的折射率差A(yù)n1 ；-所述凹陷的內(nèi)部包層包括至少第一部分和第二部分，-所述第一部分和所述中央纖芯相鄰，并且具有半徑r2和與所述外部光學(xué)包層的負折 射率差Δη2，-所述第二部分和所述第一部分相鄰，并且具有半徑r3和與所述外部光學(xué)包層的負折 射率差Δη3;以及其中所述折射率差Δη3小于所述折射率差A(yù)n2 ；其中所述凹陷的內(nèi)部包層的外徑在觀至40 μ m之間，其中在波長1550nm處的LPOl模泄漏損耗小于0. 01dB/km，和其中所述電纜截止波長小于1530nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其中所述凹陷的內(nèi)部包層的外徑小于36μπι。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的光纖，其中在波長1550nm處的總衰減小于 0. 19dB/km，優(yōu)選小于 0. 18dB/km。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光纖，其中由(Δη2-Δη3)* (r32-r22)定義的所 述凹陷的內(nèi)部包層的所述第二部分的面積在0. 8至3. 6 μ m2之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖，其中比值r2/ri大于6。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光纖，其中所述凹陷的內(nèi)部包層包括位于所述 第二部分和所述外部光學(xué)包層之間的第三部分，所述第三部分具有半徑1~4和與所述外部光 學(xué)包層的折射率差Δη4，其中所述折射率差Δη4大于所述第二部分的所述折射率差Δη3。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖，其中所述比值r2/ri在1.5至3. 5之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的光纖，其中所述中央纖芯的半徑^在3.8至 7 μ m之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的光纖，其中所述中央纖芯和所述凹陷的內(nèi)部包 層的所述第一部分之間的折射率差Δ η「Δ n2在3. 9 X 10_3至6. 2 X 10_3之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的光纖，其中所述凹陷的內(nèi)部包層的第二部分和 所述外部光學(xué)包層之間的折射率差Δη3在-16Χ 10_3至-7Χ 10_3之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的光纖，其中所述凹陷的內(nèi)部包層的第一部分 和所述外部光學(xué)包層之間的折射率差Δη2在-7Χ 10_3至-2Χ 10_3之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的光纖，其中所述凹陷的內(nèi)部包層包括位于所 述中央纖芯和所述凹陷的內(nèi)部包層的所述第一部分之間的至少一個另外的部分，所述至少 一個另外的部分和所述外部光學(xué)包層的折射率差在八！^至An3之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的光纖，其中在波長1550nm處的模場直徑 (MFD)在 9. 5 μ m 至 14 μ m 之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的光纖，其中在波長1550nm處的色散在14至 24ps/nm. km之間，優(yōu)選小于22ps/nm. km,更優(yōu)選小于20ps/nm. km。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的光纖，其中在波長1550nm處的色散斜率在 Ops/nm2. km 至 0. 070ps/nm2. km 之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的光纖，其中所述中央纖芯由純石英、或鍺濃度 小于3重量％的摻雜鍺的石英制成。
17.一種光學(xué)傳輸系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的 光纖的至少一部分。
全文摘要
本發(fā)明提供具有凹陷槽的單模光纖。本發(fā)明涉及光纖，其包括外部光學(xué)包層和光學(xué)纖芯。光學(xué)纖芯從中央向外周包括中央纖芯，其具有半徑和與外部光學(xué)包層的折射率差；和凹陷的內(nèi)部包層。凹陷的內(nèi)部包層包括至少第一部分，其具有半徑和與外部光學(xué)包層的折射率差，第一部分優(yōu)選和中央纖芯相鄰；和第一部分相鄰并構(gòu)成凹陷槽的第二部分，其具有半徑和與外部光學(xué)包層的折射率差。內(nèi)部包層的第一部分的折射率低于外部光學(xué)包層的折射率，并且凹陷槽(即，第二部分)的折射率小于(即，更負于)凹陷的內(nèi)部包層的第一部分的折射率。光纖的凹陷的內(nèi)部包層的外徑在28μm至40μm之間，在波長1550nm處的LP01模泄漏損耗小于0.01dB/km，并且電纜截止波長小于1530nm。
文檔編號G02B6/036GK102043196SQ20101051806
公開日2011年5月4日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
發(fā)明者D·莫林, L-A·德蒙莫里永, M·比戈特-阿斯圖, P·賽拉德, S·理查德 申請人:德雷卡通信技術(shù)公司