專利名稱：光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備、與這種光刻設(shè)備一起使用的圖案形成裝置以及一種器 件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常應(yīng)用到所述襯底的目標(biāo)部分上) 的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選 地稱為掩模或掩模板的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？?以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分、一個(gè)或多個(gè)管 芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑) 層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括 所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè) 目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描 所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部 分。還可以通過將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到 所述襯底上。
在現(xiàn)有的光刻設(shè)備中，使用用于透射圖像檢測(cè)的裝置來將掩模板和晶片臺(tái)對(duì)準(zhǔn)。 所述用于透射圖像檢測(cè)的裝置由掩模板上的結(jié)構(gòu)(例如光柵)和透射圖像檢測(cè)器板上的互 補(bǔ)結(jié)構(gòu)構(gòu)成。所述結(jié)構(gòu)的圖像用所述透射圖像檢測(cè)器來掃描，以確定所述圖像的位置和聚 焦情況。所述透射圖像檢測(cè)器具有少量(典型地為4-8個(gè))的這種結(jié)構(gòu)。在每個(gè)結(jié)構(gòu)下面， 設(shè)置用于檢測(cè)光的光電二極管。所述透射圖像檢測(cè)器通常用于測(cè)量一階定位項(xiàng)，如掩模板 相對(duì)于晶片臺(tái)的平移、放大和旋轉(zhuǎn)。而更高階變形問題仍不能解決。這種更高階變形可能 由于掩模板升溫和/或透鏡升溫造成。任何變形，包括這些更高階變形，都可能導(dǎo)致重疊誤 差。對(duì)于高生產(chǎn)率的機(jī)器，這些更高階變形將是重疊度預(yù)計(jì)中的最大障礙之一。在采用光刻設(shè)備的器件制造方法中，重疊度是影響產(chǎn)率(即能夠正確制造出的器 件的百分比)的重要因素。重疊度是后形成的層在印刷時(shí)相對(duì)于之前已經(jīng)形成的層所需要 滿足的精度。重疊誤差通常預(yù)計(jì)為IOnm或更小，為了實(shí)現(xiàn)這種精度，襯底必須與掩模圖案 對(duì)準(zhǔn)以保證以高精度進(jìn)行轉(zhuǎn)印。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于削弱由于掩模板或透鏡升溫所導(dǎo)致的重疊誤差的影響。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備布置用于將圖案從 圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上，其中所述設(shè)備能夠操作用于測(cè)量所述圖案形成裝置的更高階 變形和/或像平面偏差，所述設(shè)備包括用于透射檢測(cè)的裝置；和處理器，所述處理器布置 用于使用從透射圖像檢測(cè)器接收的信號(hào)對(duì)所述圖案形成裝置的更高階變形進(jìn)行建模，其中 所述圖案形成裝置具有主成像場(chǎng)和周界，且所述設(shè)備能夠操作用于使用從對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的信號(hào)對(duì)所述更高階變形進(jìn)行建模，所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括在所述周界的至少三個(gè)側(cè)面中和/或 包括在所述像場(chǎng)中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種確定光刻設(shè)備的圖案形成裝置的更高階變形 的方法，所述方法包括步驟形成輻射束；用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面賦予 輻射束以形成圖案化的輻射束，所述圖案形成裝置包括主成像場(chǎng)、周界和多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)；檢 測(cè)透射通過所述圖案形成裝置的所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和進(jìn)入用于透射檢測(cè)的裝置的輻射的透射； 由所檢測(cè)到的輻射產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)；和使用得自透射通過對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的輻射的測(cè)量信號(hào)來確定 所述圖案形成裝置的更高階變形和/或像平面偏差，所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)被包括在所述周界的至 少三個(gè)側(cè)面中和/或被包括在所述像場(chǎng)中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于光刻設(shè)備中的圖案形成裝置，所述圖案 形成裝置具有主成像場(chǎng)和周界，其中所述圖案形成裝置設(shè)置有附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述附加 的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)用于對(duì)所述圖案形成裝置的變形和/或場(chǎng)平面偏差的改進(jìn)的測(cè)量。本發(fā)明的其它特征限定于所附的權(quán)利要求中。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附 圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示意性地示出根據(jù)當(dāng)前工藝水平的透射圖像檢測(cè)器；圖3示出根據(jù)當(dāng)前工藝水平的透射圖像檢測(cè)器的示例；圖4示出可以與圖2和圖3的透射圖像檢測(cè)器一起使用的掩模板的示例；圖5示出可以與圖2和圖3的透射圖像檢測(cè)器一起使用的第一增強(qiáng)型掩模板的示 例；圖6示出可以與圖2和圖3的透射圖像檢測(cè)器一起使用的第二增強(qiáng)型掩模板的示 例；和圖7示出可以與圖2和圖3的透射圖像檢測(cè)器一起使用的第三增強(qiáng)型掩模板的示 例。
具體實(shí)施例方式圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射、深紫外輻射 (DUV)或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，被配置以支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置 用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，被配置以保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與 配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，被配置用于將由圖案形成裝置MA賦予 輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐圖案形成裝置(即承載其重量)。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成 裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的 方式保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持 圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng) 的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在 這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模板”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同 義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器 件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如 二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩 模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地 傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡 矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使 用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這 里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模 臺(tái))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái) 上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。光刻設(shè)備也可以是以下類型的，其中襯底的至少一部分可以被具有相對(duì)高折射率 的液體(例如水)所覆蓋，以填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體也可以施加到光 刻設(shè)備中的其它空間，例如施加到掩模和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)可用于增加投影系統(tǒng)的 數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是公知的。此處所使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒”并不意味著諸如襯底等結(jié)構(gòu)必須 浸沒在液體中，而僅僅意味著在曝光期間液體處于例如投影系統(tǒng)和襯底之間。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可 以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成形成 光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫 助，將所述輻射從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè) 備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需 要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝置AD。 通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍 (一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它 部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面 中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述 輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將所述束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。 通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的 幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的 路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝 置PM和另一個(gè)位置傳感器(在圖1中未明確示出)可以用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑 精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗 定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所 述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在 步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺(tái)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固 定的。可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡 管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這 些公知為劃線對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所 掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所 述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述 輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的 速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描 模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜 止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo) 部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模 式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的 無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2示意性地示出用于透射圖像檢測(cè)的裝置，該裝置也稱為透射圖像檢測(cè)器或透 射圖像傳感器。透射圖像檢測(cè)器本身是本領(lǐng)域所公知的。投影束PB入射到掩模MA中的第
7一物體G0，例如光柵上。第一光柵GO包括設(shè)置用于通過投影束PB成像的多個(gè)開口。在第 一光柵GO中的這些開口每個(gè)發(fā)出源自投影束PB的輻射束。由GO中的所述多個(gè)開口所發(fā) 出的輻射束通過透鏡，例如投影透鏡系統(tǒng)PS。這種投影透鏡系統(tǒng)的光學(xué)性質(zhì)使得GO的像 GO’在投影透鏡系統(tǒng)PS下方的給定平面處形成。透射圖像檢測(cè)器TD位于投影透鏡系統(tǒng)PS 下方。透射圖像檢測(cè)器TD包括狹縫圖案Gl和光傳感器PH裝置。狹縫圖案Gl是位于光傳 感器PH裝置上方的開口，其具有狹縫或方形的形狀。有利地，將圖案施加于光傳感器PH裝 置上方的開口上，增加了邊沿?cái)?shù)量，這可以提升光傳感器PH的信號(hào)水平，并因此提高光傳 感器PH的信噪比。如圖1所示，透射圖像檢測(cè)器TD布置于襯底臺(tái)WT上。透射圖像傳感器TD允許晶 片相對(duì)于掩模MA和投影透鏡系統(tǒng)PS的位置在三個(gè)正交方向上進(jìn)行精確的定位。通過沿著 這三個(gè)方向掃描，像GO’的強(qiáng)度可以被映射為所述透射圖像傳感器的XYZ位置的函數(shù)，例如 在圖像映射(3D映射)中，所述圖像映射包括采樣位置的坐標(biāo)和在每個(gè)位置采樣的強(qiáng)度。根 據(jù)該3D映射，連接至透射圖像檢測(cè)器TD的計(jì)算機(jī)或處理器可以通過使用例如用最小二乘 擬合法對(duì)頂部位置進(jìn)行拋物線擬合來導(dǎo)出所述圖像的位置。使用時(shí)與上述設(shè)備相關(guān)的一個(gè)問題應(yīng)當(dāng)被考慮，即是否掩模MA(或掩模板)升溫。 處于其像場(chǎng)位置處的掩模MA將由于對(duì)輻射的吸收而升溫。在該像場(chǎng)外的區(qū)域?qū)⒕S持相對(duì) 低的溫度。這會(huì)造成掩模MA的變形和彎曲。這種變形和彎曲無(wú)法僅以場(chǎng)中的兩個(gè)測(cè)量位 置來進(jìn)行測(cè)量。圖3示出根據(jù)當(dāng)前工藝水平的透射圖像檢測(cè)器29的示例，其具有位于光刻層34 中的4個(gè)光柵30、31、32和33。光刻層34形成于石英窗口 35上。在每個(gè)光柵30、31、32、 和33下面，設(shè)置相關(guān)聯(lián)的光電二極管36、37、38和39。采用位于像場(chǎng)拐角處的僅僅四個(gè)測(cè) 量位置，從標(biāo)準(zhǔn)上講，意味著透射圖像檢測(cè)器29僅僅可以測(cè)量零階和一階項(xiàng)，如掩模板相 對(duì)于晶片臺(tái)的平移、放大、旋轉(zhuǎn)、聚焦和聚焦傾斜。被定義為大于1的多項(xiàng)式階(二階、三階 等)中的一些或全部的一些或全部的變形的更高階變形，通常不會(huì)被檢測(cè)，因?yàn)檫@些通常 需要在像場(chǎng)中或周圍的更多的獨(dú)立的測(cè)量位置。這種更高階變形可能由于掩模板升溫和/ 或透鏡升溫而產(chǎn)生，且可能增加重疊誤差。透射圖像檢測(cè)器可以用于測(cè)量掩模板的實(shí)際局部變形以降低重疊誤差，而不是測(cè) 量在像場(chǎng)的拐角處的僅僅少數(shù)幾個(gè)測(cè)量位置。依賴于所測(cè)量的重疊誤差所需要的精度，用 于以透射圖像檢測(cè)器測(cè)量掩模板的實(shí)際局部變形的測(cè)量位置的數(shù)量可以進(jìn)行調(diào)整。局部 的測(cè)量值可以被置于矩陣中，并通過使用前饋模型來預(yù)測(cè)掩模板的變形行為，包括更高階 的變形，以使得重疊誤差可以變得更小。這種前饋模型是具有附加的XY輸入的已知的“基 礎(chǔ)”掩模板對(duì)準(zhǔn)(RA)模型的延伸。通過使用更多的測(cè)量到的獨(dú)立的輸入，所述模型比已知 的“基礎(chǔ)”掩模板對(duì)準(zhǔn)(RA)模型對(duì)于模型假定敏感性更低。所述模型可以包括具有作為X和Y的函數(shù)的dX和dY項(xiàng)的三階模型，其意味著完 全分解需要20個(gè)參數(shù)，這也就需要20個(gè)獨(dú)立的測(cè)量來避免系統(tǒng)的不確定性。在實(shí)際中，一 些參數(shù)(或項(xiàng))可以被跳過或由其它參數(shù)進(jìn)行建模，以減少所需的輸入測(cè)量。然而，仍舊優(yōu) 選具有沿著頂/底側(cè)(X的函數(shù))和左/右側(cè)(Y的函數(shù))兩者的dX、dY測(cè)量。在實(shí)際中，由于機(jī)器的校正潛力(correction potential)(和可行的獨(dú)立輸入測(cè) 量的數(shù)量以及噪聲傳播考慮因素)，三階模型是最可行的，但是這不是根本原則，在一些情況下(例如當(dāng)載荷高度不對(duì)稱時(shí))或在將來，可能確實(shí)值得包括一些五階或更高階項(xiàng)。當(dāng)所述模型以附加的XY輸入擴(kuò)展時(shí)，在掩模板水平位置上待測(cè)量的附加的光柵 可以被非常小的鉻邊界(例如在劃線中)所包圍或甚至完全沒有鉻邊界。在這些情況下， 由于對(duì)于內(nèi)場(chǎng)光柵的有限的或缺失的鉻邊界所造成的寄生效應(yīng)可能出現(xiàn)，這些效應(yīng)應(yīng)當(dāng)被 抑制。在這些情況下，在測(cè)量和存儲(chǔ)/校準(zhǔn)用于后續(xù)的德爾塔(Δ)測(cè)量/校正的內(nèi)場(chǎng)光柵 時(shí)，僅僅使用用于實(shí)際的第一掩模板對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)RA光柵可能是有優(yōu)勢(shì)的。在這種情景中， 僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)RA光柵的低階校正模型將被用于第一掩模板對(duì)準(zhǔn)，而對(duì)于后續(xù)的晶片，可以 采用以絕對(duì)值方式(in anabsolute manner)的標(biāo)準(zhǔn)RA光柵測(cè)量值加上相對(duì)于該第一掩模 板對(duì)準(zhǔn)的附加的XY光柵測(cè)量值，來應(yīng)用相對(duì)高階的校正模型。圖4示出目前在例如如圖1所示的設(shè)備中與透射圖像檢測(cè)器結(jié)合使用的標(biāo)準(zhǔn)掩模 板。所述標(biāo)準(zhǔn)掩模板具有像場(chǎng)400和周界410。周界410設(shè)置有四組χ和y光柵420，在每 個(gè)拐角處設(shè)置一個(gè)，還設(shè)置有沿著頂部和底部布置的χ和y光柵420和沿著側(cè)面的多個(gè)單 向光柵430。常規(guī)地，拐角處的光柵用于基礎(chǔ)對(duì)準(zhǔn)，而其它的光柵用于掩模板形狀校正，以確 定像平面的偏差。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，圖4的掩模板可以以標(biāo)準(zhǔn)形式用于圖1和2所示的設(shè) 備，并采用上述擴(kuò)展的前饋模型，用于計(jì)算掩模板的局部變形。尤其，在掩模板的所有四個(gè) 側(cè)面(與頂部和底部相對(duì))上應(yīng)用光柵意味著可以計(jì)算更高階的變形，尤其是就y而言。圖5示出增強(qiáng)型掩模板。標(biāo)準(zhǔn)掩模板的一個(gè)缺點(diǎn)是沿著左手和右手側(cè)建立的光柵 是“y光柵”，所述“y光柵”被設(shè)計(jì)成沿著y軸進(jìn)行測(cè)量。盡管這是有用的，但是由于變形的 屬性趨向于在與拐角相對(duì)的側(cè)面的中點(diǎn)處變形更多(桶形失真(barrel distortion))，因 而，沿著χ軸的測(cè)量將更好。因此，另一個(gè)實(shí)施例采用如圖5所示的掩模板，該掩模板具有 沿著每個(gè)側(cè)面以及頂部和底部的附加的“X光柵” 500。這能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)χ的更高階項(xiàng)的更延 伸性的模型化。圖6示出另一個(gè)增強(qiáng)型掩模板，其具有設(shè)置在自身像場(chǎng)中的光柵600的矩陣。為 了不與圖像相干涉，如圖所示，設(shè)置這些像場(chǎng)光柵的最好的位置位于劃線610中。這種增強(qiáng) 型掩模板能夠產(chǎn)生更密集的矩陣、以允許更精確的局部校正。當(dāng)使用這種掩模板時(shí)，不僅可 以獲得更為細(xì)節(jié)的三階模型，而且還可以獲得作為χ和y的函數(shù)的dx和dy的更高階的建 模，包括χ-y交叉項(xiàng)，多項(xiàng)式的階依賴于重疊情況和/或校正潛力。圖7示出具有在像場(chǎng)劃線610中的光柵600的矩陣和在劃線外部的像場(chǎng)410中的 另外的光柵700的增強(qiáng)型掩模板。這在圖像已知時(shí)尤其可行，在這種情況下，光柵可以被置 于像場(chǎng)中不與圖像自身相干涉的任何位置處。掃描優(yōu)選在有規(guī)則的透射圖像檢測(cè)器對(duì)準(zhǔn)過程中進(jìn)行，以最小化對(duì)生產(chǎn)率的沖 擊。在每種情況下，如上所述，透射圖像檢測(cè)器包括布置在光刻層上的四個(gè)光柵(使用改進(jìn) 的透射圖像檢測(cè)器、通過增加光柵數(shù)目來增加生產(chǎn)率的方案落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi))。光 柵被定位成接收由放置在光刻設(shè)備的掩模臺(tái)MT上的掩模版上的標(biāo)準(zhǔn)RA光柵所產(chǎn)生的像， 如圖1所示。透射圖像檢測(cè)器還包括輻射敏感傳感器，所述輻射敏感傳感器布置用于接收 穿過所述光柵中的一個(gè)的輻射和產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)。所述光刻層例如可以是被布置成行的多個(gè) 光柵所圖案化的鉻層。所述測(cè)量信號(hào)被輸入到處理裝置，所述處理裝置布置用于確定投影 系統(tǒng)(即透鏡)和/或圖案形成裝置的更高階變形。這些變形可以被用于調(diào)整光刻設(shè)備的部件，而且它們可以被用于改善襯底臺(tái)相對(duì)于圖案形成裝置的對(duì)準(zhǔn)。盡管上述技術(shù)已經(jīng)描述使用對(duì)準(zhǔn)光柵，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不偏離 本發(fā)明的范圍的情況下，任何對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、圖案或結(jié)構(gòu)可以被使用。另外，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和劃線的 數(shù)量和布置以及掩模板的總體布置可以與所示的純示意性的示例顯著不同。而且，通過在 所述光柵周圍增加更多的鉻以減少雜散光，能夠提高精度。應(yīng)當(dāng)理解，任何類型的圖像傳感器或圖像檢測(cè)器可以被使用，且其不限于上述透 射圖像檢測(cè)器。例如，可以使用波前檢測(cè)器或干涉儀。而且，可以對(duì)透射圖像檢測(cè)器進(jìn)行改 進(jìn)，以便改進(jìn)擬合算法以更好地適應(yīng)于變化的信號(hào)環(huán)境。注意到，上述內(nèi)容僅僅考慮了重疊度項(xiàng)。然而，由于透射圖像檢測(cè)器在每次掃描 也給出聚焦結(jié)果，所以上述所公開的構(gòu)思也可以用作掩模板形狀校正的擴(kuò)展。該擴(kuò)展可以 通過增加附加的聚焦測(cè)量點(diǎn)而用于空間域中，或者通過追蹤掩模板形狀校正隨時(shí)間的改變 (例如由于掩模板升溫造成)而用于時(shí)間域中。進(jìn)而，上述技術(shù)方案還可以用于測(cè)量由晶片臺(tái)的不足的平坦度所造成的像平面偏差。應(yīng)當(dāng)注意，上述技術(shù)方案不一定對(duì)每個(gè)晶片實(shí)施，這是因?yàn)樯鲜黾夹g(shù)方案會(huì)導(dǎo)致 生產(chǎn)率的損失，如果對(duì)于每個(gè)晶片都實(shí)施上述技術(shù)可能導(dǎo)致生產(chǎn)率損失太多而不可實(shí)用。 替代地，這些測(cè)量可以僅僅對(duì)預(yù)定數(shù)量的晶片進(jìn)行一次，所述數(shù)量依賴于計(jì)算/建模軟件 的誤差范圍，并將在重新校準(zhǔn)之間增加測(cè)量。替代地，這些測(cè)量可以離線進(jìn)行。在每種情況 下，所述結(jié)果可以存儲(chǔ)以供進(jìn)一步應(yīng)用。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當(dāng)理解這 里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖 案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情 況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或 “目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典 型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢 驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將此處公開的內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。 另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底” 也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻的情況中使用本發(fā)明的實(shí)施例，但 應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可以用于其他應(yīng)用中，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于 光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺?圖案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、 壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗 蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。此處使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包括全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例 如具有365、355、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有在5_20nm 范圍內(nèi)的波長(zhǎng))以及粒子束，例如離子束或電子束。在上下文允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任意一個(gè)或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與 上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明中用于處理的技術(shù)方案，可以采取包含用于描述上述公 開的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者采取具有在其中存 儲(chǔ)的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。上文的描述的意圖是說明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明 白，可以在不背離所附權(quán)利要求的范圍的情況下基于本發(fā)明的公開內(nèi)容對(duì)如所描述的本發(fā) 明進(jìn)行修改。綜上所述，本發(fā)明包括以下方面中的一個(gè)或多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的第一方面，公開了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備布置用于將圖案從 圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上，其中所述設(shè)備能夠操作用于測(cè)量所述圖案形成裝置的更高階 變形和/或像平面偏差，所述設(shè)備包括用于透射檢測(cè)的裝置；和處理器，所述處理器配置和布置用于使用從所述用于透射檢測(cè)的裝置接收的信號(hào) 對(duì)所述圖案形成裝置的更高階變形進(jìn)行建模，其中所述圖案形成裝置具有主成像場(chǎng)和周界，且所述設(shè)備能夠操作用于使用從對(duì) 準(zhǔn)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的信號(hào)對(duì)所述更高階變形進(jìn)行建模，所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括在所述周界的至少三個(gè) 側(cè)面中和/或包括在所述像場(chǎng)中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第一方面的第二方面，所述用于透射檢測(cè)的裝置包括透射 圖像檢測(cè)器。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二方面的第三方面，所述透射圖像檢測(cè)器包括多個(gè)對(duì)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)和多個(gè)輻射敏感傳感器，以使得所述輻射也被透射通過所述用于透射檢測(cè)的裝置的所 述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和被所述輻射敏感傳感器所接收以便產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第一方面的第四方面，所述用于透射檢測(cè)的裝置包括干涉 儀。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第五方面，所述光刻設(shè)備還包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用于調(diào)節(jié)輻射束；圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以 形成圖案化的輻射束；襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)構(gòu)造成保持襯底，所述用于透射檢測(cè)的裝置被布置在所述襯 底臺(tái)上；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用于將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo) 部分上。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第六方面，所述圖案形成裝置設(shè)置有附加的對(duì) 準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)用于對(duì)所述圖案形成裝置的變形的改進(jìn)的測(cè)量。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第六方面的第七方面，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些 被設(shè)置在所述圖案形成裝置的所述周界中，所述結(jié)構(gòu)用于在X或y方向上對(duì)準(zhǔn)的擴(kuò)展的建 模。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第六方面或第七方面的第八方面，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中
11的至少一些被包括在所述圖案形成裝置的所述像場(chǎng)中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第八方面的第九方面，所述主成像場(chǎng)被劃線分開，且被包 括在所述像場(chǎng)中的所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些被包括在所述圖案形成裝置的所述 劃線中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第十方面，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括用于聚焦 測(cè)量的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十方面的第十一方面，所述光刻設(shè)備能夠操作用于進(jìn)行 對(duì)聚焦項(xiàng)或像平面偏差的擴(kuò)展建模。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十方面或第十一方面的第十二方面，所述光刻設(shè)備能夠 操作用于追蹤所述圖案形成裝置的形狀校正隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第十三方面，所述用于透射檢測(cè)的裝置是具有 少于10個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的常規(guī)裝置。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第十四方面，所述光刻設(shè)備能夠操作使得更高 階變形和/或像平面偏差通過預(yù)定數(shù)量的晶片僅僅一次地確定，并被存儲(chǔ)以供以后參考。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第十五方面，所述光刻設(shè)備能夠操作使得更高 階變形和/或像平面偏差在所述光刻設(shè)備離線時(shí)被確定，并被存儲(chǔ)以供以后參考。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述任一方面的第十六方面，所述光刻設(shè)備能夠操作用于確定 階次比三階更高的變形。根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，提供一種確定光刻設(shè)備的圖案形成裝置的更高階變形 的方法，所述方法包括用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面賦予輻射束以形成圖案化的輻射束，所 述圖案形成裝置包括主成像場(chǎng)、周界和多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)；檢測(cè)透射通過所述圖案形成裝置的所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和進(jìn)入用于透射檢測(cè)的裝置的 輻射的透射；由所檢測(cè)到的輻射產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)；和使用得自透射通過對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的輻射的測(cè)量信號(hào)來確定所述圖案形成裝置的更高 階變形和/或像平面偏差，所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)被包括在所述周界的至少三個(gè)側(cè)面中和/或被包 括在所述像場(chǎng)中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七方面的第十八方面，所述用于透射檢測(cè)的裝置包括 少于十個(gè)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七方面或第十八方面的第十九方面，所使用的圖案形 成裝置具有沿著其側(cè)面布置的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，用于在χ或y方向上對(duì)準(zhǔn)的擴(kuò)展的建模，所 述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)是在基礎(chǔ)的低階對(duì)準(zhǔn)所需要的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)上附加的。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七方面、十八方面或十九方面的第二十方面，所使用 的圖案形成裝置具有被包括在其像場(chǎng)中的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二十方面的第二十一方面，被包括在所述像場(chǎng)中的所述 附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些被包括在所述圖案形成裝置的劃線中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七至二十一方面中任一方面的第二十二方面，所述附 加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括用于聚焦測(cè)量的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述方法包括步驟對(duì)聚焦項(xiàng)或像平面偏差進(jìn)行擴(kuò)展建模以及追蹤所述圖案形成裝置的形狀校正隨時(shí)間的變化。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七至二十二方面中任一方面的第二十三方面，如所述 檢測(cè)步驟一樣，所述確定步驟僅僅針對(duì)預(yù)定數(shù)量的晶片一次性地完成，除了為正常的對(duì)準(zhǔn) 目的以外。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七至二十三方面中任一方面的第二十四方面，如所述 檢測(cè)步驟一樣，所述確定步驟在離線時(shí)完成，除了為正常的對(duì)準(zhǔn)目的以外。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七至二十四方面中任一方面的第二十五方面，所述用 于透射檢測(cè)的裝置包括多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和多個(gè)輻射敏感傳感器，以使得所述輻射也被透射通 過所述用于透射檢測(cè)的裝置的所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和被所述輻射敏感傳感器所接收以便產(chǎn)生測(cè) 量信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第十七至二十四方面中任一方面的第二十六方面，高于三 階的變形被確定。根據(jù)本發(fā)明的第二十七方面，公開了一種用于光刻設(shè)備中的圖案形成裝置，所述 圖案形成裝置具有主成像場(chǎng)和周界，其中所述圖案形成裝置設(shè)置有附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述 附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)用于對(duì)所述圖案形成裝置的變形和/或像平面偏差的改進(jìn)的測(cè)量。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二十七方面的第二十八方面，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的 至少一些設(shè)置在所述周界中，所述結(jié)構(gòu)用于除基礎(chǔ)的低階對(duì)準(zhǔn)所需要的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)之外的對(duì) 準(zhǔn)的擴(kuò)展建模。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二十七方面或第二十八方面的第二十九方面，所述附加 的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些被包括在其像場(chǎng)中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二十九方面的第三十方面，所述像場(chǎng)被劃線分開，且被 包括在所述像場(chǎng)中的所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些被包括在所述圖案形成裝置的所 述劃線中。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二十七方面至第三十方面中任一方面的第三十一方面， 所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括用于聚焦測(cè)量的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)上述第二十七方面至第三十一方面中任一方面的第三十二方 面，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括在其邊界周圍的附加的鉻。根據(jù)本發(fā)明的第三十三方面，公開了一種包括根據(jù)上述第二十七至三十二方面中 任一方面的圖案形成裝置中的任一種的對(duì)準(zhǔn)設(shè)備。
權(quán)利要求
一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備布置用于將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上，其中所述設(shè)備能夠操作用于測(cè)量所述圖案形成裝置的更高階變形和/或像平面偏差，所述設(shè)備包括用于透射檢測(cè)的裝置；和處理器，所述處理器配置和布置用于使用從所述用于透射檢測(cè)的裝置接收的信號(hào)對(duì)所述圖案形成裝置的更高階變形進(jìn)行建模，其中所述圖案形成裝置具有主成像場(chǎng)和周界，且所述設(shè)備能夠操作用于使用從對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的信號(hào)對(duì)所述更高階變形進(jìn)行建模，所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括在所述周界的至少三個(gè)側(cè)面中和/或包括在所述像場(chǎng)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中，所述用于透射檢測(cè)的裝置包括透射圖像檢 測(cè)器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻設(shè)備，其中，所述透射圖像檢測(cè)器包括多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和 多個(gè)輻射敏感傳感器，以使得所述輻射也被透射通過所述用于透射檢測(cè)的裝置的所述對(duì)準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)和被所述輻射敏感傳感器所接收以便產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中，所述用于透射檢測(cè)的裝置包括干涉儀。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括 照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用于調(diào)節(jié)輻射束；圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成 圖案化的輻射束；襯底臺(tái)，所述襯底臺(tái)構(gòu)造成保持襯底，所述用于透射檢測(cè)的裝置被布置在所述襯底臺(tái) 上；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用于將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述圖案形成裝置設(shè)置有附加 的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)用于對(duì)所述圖案形成裝置的變形的改進(jìn)測(cè)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻設(shè)備，其中，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些被設(shè)置 在所述圖案形成裝置的所述周界中，所述結(jié)構(gòu)用于在χ或y方向上對(duì)準(zhǔn)的擴(kuò)展建模。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括用于 聚焦測(cè)量的結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述光刻設(shè)備能夠操作使得更 高階變形和/或像平面偏差通過預(yù)定數(shù)量的晶片僅僅一次地確定，并被存儲(chǔ)以供以后參考。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述光刻設(shè)備能夠操作使得更 高階變形和/或像平面偏差在所述光刻設(shè)備離線時(shí)被確定，并被存儲(chǔ)以供以后參考。
11.一種確定光刻設(shè)備的圖案形成裝置的更高階變形的方法，所述方法包括步驟用圖案形成裝置將圖案在輻射束的橫截面賦予輻射束以形成圖案化的輻射束，所述圖 案形成裝置包括主成像場(chǎng)、周界和多個(gè)對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)；檢測(cè)透射通過所述圖案形成裝置的所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和進(jìn)入用于透射檢測(cè)的裝置的輻射 的透射；由所檢測(cè)到的輻射產(chǎn)生測(cè)量信號(hào)；和使用得自透射通過對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的輻射的測(cè)量信號(hào)來確定所述圖案形成裝置的更高階變 形和/或像平面偏差，所述對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)被包括在所述周界的至少三個(gè)側(cè)面中和/或被包括在 所述像場(chǎng)中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所使用的圖案形成裝置具有沿著其側(cè)面布置 的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，用于在χ或y方向上對(duì)準(zhǔn)的擴(kuò)展建模，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)是在基礎(chǔ)的 低階對(duì)準(zhǔn)所需要的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)上附加的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，所使用的圖案形成裝置具有被包括在其 像場(chǎng)中的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包括用于 聚焦測(cè)量的附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述方法包括步驟對(duì)聚焦項(xiàng)或像平面偏差進(jìn)行擴(kuò)展建模以 及追蹤所述圖案形成裝置的形狀校正隨時(shí)間的變化。
15.一種用于光刻設(shè)備中的圖案形成裝置，所述圖案形成裝置具有主成像場(chǎng)和周界，其 中所述圖案形成裝置設(shè)置有附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)用于對(duì)所述圖案形成裝 置的變形和/或像平面偏差的改進(jìn)測(cè)量，其中，所述附加的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的至少一些設(shè)置在 所述周界中，所述結(jié)構(gòu)設(shè)置用于除基礎(chǔ)的低階對(duì)準(zhǔn)所需要的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)之外的對(duì)準(zhǔn)的擴(kuò)展建 模。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻設(shè)備和器件制造方法。本發(fā)明也公開了一種確定光刻設(shè)備的圖案形成裝置的更高階變形的方法以及相關(guān)設(shè)備。該更高階變形采用透射成像裝置來測(cè)量。在主實(shí)施例中，使用增強(qiáng)型掩模板，其可以具有位于周界中、像場(chǎng)的劃線中或像場(chǎng)自身中的附加的對(duì)準(zhǔn)光柵。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101995776SQ201010262288
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月20日
發(fā)明者H·V·考克, M·A·范德克爾克霍夫, W·M·考貝基 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司