技術(shù)編號：40623287
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及氧化亞硅生產(chǎn)相關(guān)，特別是涉及一種氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備。背景技術(shù)、國內(nèi)生產(chǎn)氧化亞硅的主流方法是氣相沉積法，將單質(zhì)硅和二氧化硅近同摩爾比例混合后研磨成微米量級的粉末，再在真空環(huán)境下加熱到℃以上的溫度進(jìn)行歧化反應(yīng)，并形成氧化亞硅以蒸氣的形式溢出，在壓力擴(kuò)散的作用下被帶溫度較低的地方并被冷凝成為氧化亞硅固體。、氧化亞硅生產(chǎn)過程中，對于設(shè)備不同區(qū)域的溫度需求不一樣，相應(yīng)的保溫需求也存在區(qū)別；目前的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備的保溫結(jié)構(gòu)大多無分區(qū)或只有兩個分區(qū)，導(dǎo)致設(shè)備不同區(qū)域的實(shí)際溫度無法滿足實(shí)際需...
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