專利名稱：玻璃上芯片型液晶顯示器及其檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(IXD)，更具體地，涉及一種玻璃上芯片(COG)型IXD
及其檢查方法。
背景技術(shù)：
隨著信息科技的快速發(fā)展，提出并發(fā)展了厚度薄、重量輕且功耗低的平板顯示設(shè) 備(FPD)。在這些顯示設(shè)備中，液晶顯示器(LCD)由于具有高清晰度、高質(zhì)量、優(yōu)異的運動圖 像顯示和高對比率的優(yōu)點，被廣泛地應(yīng)用于筆記本電腦的監(jiān)視器、個人電腦的監(jiān)視器和電 視中。LCD包括兩個基板和插入在兩個基板之間的液晶層。電極形成在各個基板上，基板 設(shè)置為使電極彼此面對。當(dāng)提供電壓給電極時，就在電極之間產(chǎn)生電場。通過改變電場的 強(qiáng)度來控制液晶分子的排列方向，并改變通過液晶層的光的透射率以顯示圖像。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的IXD分解透視圖。如圖1所示，IXD包括陣列基板10、濾色 器基板20和液晶層30。陣列基板10和濾色器基板20彼此面對，液晶層30插入在兩者之 間。陣列基板10包括在透明基板12的內(nèi)側(cè)表面上的柵線14和數(shù)據(jù)線16。柵線14和 數(shù)據(jù)線16彼此交叉以將形成在柵線14和數(shù)據(jù)線16之間的區(qū)域界定為像素區(qū)P。薄膜晶體 管Tr形成在柵線14和數(shù)據(jù)線16的各個交叉部分，像素電極18形成在每個像素區(qū)P中并 且連接到薄膜晶體管Tr。濾色器基板20包括在面對陣列基板10的透明基板22的內(nèi)側(cè)表面上的黑矩陣25、 濾色器層26和公共電極28。黑矩陣25具有格子的形狀以覆蓋例如柵線14、數(shù)據(jù)線16、薄 膜晶體管Tr等的非顯示區(qū)。濾色器層26包括按順序重復(fù)排列的紅、綠和藍(lán)色濾色器圖案 26a、26b和26c。每個濾色器圖案26a、26b和26c與每個像素區(qū)P對應(yīng)。公共電極28形成 在黑矩陣25和濾色器層26上，并在基板22的整個表面的上方。密封劑(未示出)沿著陣列基板10和濾色器基板20的外圍形成以防止液晶層30 的液晶分子泄露。取向?qū)?未示出)形成在液晶層30和陣列基板10之間以及液晶層30 和濾色器基板20之間，以確定液晶分子的初始方向。偏振器(未示出)設(shè)置在陣列基板10 和濾色器基板20的至少一個的外側(cè)表面上。背光單元(未示出)設(shè)置在陣列基板10的外 側(cè)表面上方以提供光。將用于導(dǎo)通/截止薄膜晶體管Tr的掃描信號順序地提供給柵線14，將數(shù)據(jù)信號通 過數(shù)據(jù)線16提供給被選中的像素區(qū)域P內(nèi)的像素電極18。在像素電極18和公共電極28 之間產(chǎn)生垂直于基板12和22的電場。電場控制液晶分子的排列，通過改變液晶分子的排列來改變透光率從而顯示圖像。在IXD中，可以將陣列基板、濾色器基板和液晶層定義為液晶面板。IXD還包括在 液晶面板的外圍驅(qū)動液晶面板的驅(qū)動單元。驅(qū)動單元包括印刷電路板(PCB)和驅(qū)動集成電 路(IC)。PCB上安裝有產(chǎn)生控制信號和數(shù)據(jù)信號的元件，驅(qū)動IC連接到液晶面板和PCB并 給液晶面板的信號線提供信號。根據(jù)液晶面板上的驅(qū)動IC的封裝方式，可以將IXD分類為玻璃上芯片型(COG)、載 帶封裝型(TCP)和膜上芯片型(COF)。與TCP型和COF型相比，COG型具有簡單的結(jié)構(gòu)，并提高了液晶面板占據(jù)IXD的比 率。因此，近期以來，COG型廣泛地應(yīng)用于小尺寸的IXD。在COG型IXD中，驅(qū)動IC連接至陣列基板的非顯示區(qū)。在連接驅(qū)動IC之前，對 COG型LCD進(jìn)行檢查以檢測缺陷。因此，測試線和焊盤形成在陣列基板的非顯示區(qū)。圖2是示意性示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的COG型LCD的檢查結(jié)構(gòu)的示圖。圖2中示出了 測試線、測試焊盤和測試薄膜晶體管。在圖2中，現(xiàn)有技術(shù)COG型IXD 50包括顯示區(qū)DA和基本上包圍顯示區(qū)DA的非 顯示區(qū)。柵線GL和數(shù)據(jù)線DL形成在顯示區(qū)DA中。在圖中所示的情況下，柵連接線(link line)GLLU GLL2、GLL3和GLL4形成在顯示區(qū)DA的左側(cè)和右側(cè)的非顯示區(qū)中，并且柵連接 線GLL1、GLL2、GLL3和GLL4連接到柵線GL。在圖中所示的情況下，數(shù)據(jù)連接線DLL形成在 顯示區(qū)DA的下側(cè)的非顯示區(qū)中，并且數(shù)據(jù)連接線DLL連接到數(shù)據(jù)線DL。第一、第二和第三 測試晶體管ITrl、ITr2和ITr3與測試焊盤IPl至IP12形成在非顯示區(qū)中。第一、第二和 第三測試晶體管ITrl、ITr2和ITr3形成在柵連接線GLL1、GLL2、GLL3和GLL4與測試焊盤 IPl至IP12之間，或者形成在數(shù)據(jù)連接線DLL與測試焊盤IPl至IP12之間。在顯示區(qū)域DA內(nèi)的柵線GL包括奇數(shù)柵線GLl和GL3與偶數(shù)柵線GL2和GL4。奇 數(shù)柵線GLl和GL3交替地連接到在顯示區(qū)DA左側(cè)的非顯示區(qū)內(nèi)的第一柵連接線GLLl和第 二柵連接線GLL2。偶數(shù)柵線GL2和GL4交替地連接到在顯示區(qū)DA右側(cè)的非顯示區(qū)內(nèi)的第 三柵連接線GLL3和第四柵連接線GLL4。此處，第一測試薄膜晶體管ITrl分別連接到第一柵連接線GLLl和第二柵連接線 GLL2，第一柵使能線60連接到第一測試薄膜晶體管ITrl的柵電極并控制第一測試薄膜晶 體管ITrl的導(dǎo)通/截止。第一柵使能焊盤IP3連接到第一柵使能線60。第二測試薄膜晶 體管ITr2分別連接到第三柵連接線GLL3和第四柵連接線GLL4，第二柵使能線62連接到第 二測試薄膜晶體管ITr2的柵電極并控制第二測試薄膜晶體管ITr2的導(dǎo)通/截止。第二柵 使能焊盤IP4連接到第二柵使能線62。此外，第一柵測試線51和第二柵測試線52通過第一測試薄膜晶體管ITrl電連接 到第一柵連接線GLLl和第二柵連接線GLL2。第三柵測試線53和第四柵測試線54通過第 二測試薄膜晶體管ITr2電連接到第三柵連接線GLL3和第四柵連接線GLL4。第一、第二、 第三和第四柵測試焊盤IP1、IP2、IP5和IP6分別設(shè)置在第一、第二、第三和第四柵連接線 GLL1、GLL2、GLL3 和 GLL4 的末端。在圖中所示的情況下，在顯示區(qū)DA的下側(cè)的非顯示區(qū)中，第一數(shù)據(jù)測試線64通過 第三測試薄膜晶體管ITr3和數(shù)據(jù)連接線DLL電連接到與紅色子像素R連接的第一數(shù)據(jù)線 DL1，第一數(shù)據(jù)測試焊盤IP8連接到第一數(shù)據(jù)測試線64。第二數(shù)據(jù)測試線66通過第三測試薄膜晶體管ITr3和數(shù)據(jù)連接線DLL電連接到與綠色子像素G連接的第二數(shù)據(jù)線DL2，第二 數(shù)據(jù)測試焊盤IP9連接到第二數(shù)據(jù)測試線66。第三數(shù)據(jù)測試線68通過第三測試薄膜晶體 管ITr3和數(shù)據(jù)連接線DLL電連接到與藍(lán)色子像素B連接的第三數(shù)據(jù)線DL3，第三數(shù)據(jù)測試 焊盤IPlO連接到第三數(shù)據(jù)測試線68。數(shù)據(jù)使能線70連接到與第一、第二和第三數(shù)據(jù)線DL1、DL2和DL3電連接的第三測 試薄膜晶體管ITr3的柵電極，并控制第三測試薄膜晶體管ITr3的導(dǎo)通/截止。數(shù)據(jù)使能 焊盤IPll連接到數(shù)據(jù)使能線70。第一公共連接線71和第二公共連接線72形成在非顯示區(qū)中，以將公共電壓提供 給形成在濾色器基板(未示出)上的公共電極(未示出)。第一公共焊盤IP7和第二公共 焊盤IP12分別連接到第一公共連接線71和第二公共連接線72。此處，連接到數(shù)據(jù)連接線DLL的第三測試薄膜晶體管ITr3位于連接有驅(qū)動集成電 路(IC)的區(qū)域中。將電壓提供給測試焊盤IPl至IP12，并控制第一、第二和第三測試薄膜晶體管 ITrUITr2和ITr3的導(dǎo)通/截止。從而進(jìn)行檢查處理以檢測顯示區(qū)DA中的子像素R、G和 B的缺陷。然而，在現(xiàn)有技術(shù)COG型IXD 50中，當(dāng)根據(jù)驅(qū)動IC的隆起焊盤(bumppad)的布 置進(jìn)行檢查處理時，會連續(xù)地出現(xiàn)由顯示區(qū)DA中亮度的部分差異所導(dǎo)致的塊模糊(block dim)效應(yīng)。圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)COG型IXD的陣列基板的驅(qū)動IC區(qū)域的放大圖。具體地，如 圖3所示，若COG型LCD包括驅(qū)動IC，使得在用于連接驅(qū)動IC的區(qū)域中，中間部分的相鄰隆 起焊盤之間的間距比其它部分的間距大，則在壞點檢查(lighting inspection)過程中將 嚴(yán)重地產(chǎn)生塊模糊效應(yīng)。在圖3中，在中間部分顯示出不同于其它部分的約2mm的空閑空 間(vacant space)0在現(xiàn)有技術(shù)中，由于隆起焊盤之間的空間的負(fù)載作用，第一、第二和第三測試薄膜 晶體管被非均勻地干法刻蝕，并且第一、第二和第三測試薄膜晶體管可以具有不同的溝道 長寬比。因此，第一、第二和第三測試薄膜晶體管具有不同的特性，這導(dǎo)致了在COG型IXD 的壞點檢查過程中的塊模糊效應(yīng)。更具體地，為了連接用于壞點檢查的柵線和數(shù)據(jù)線，將柵線和數(shù)據(jù)線連接到設(shè)置 在驅(qū)動IC區(qū)域中并且連接到驅(qū)動IC的輸出隆起焊盤。測試線、測試焊盤以及第一、第二和 第三測試薄膜晶體管連接到輸出隆起焊盤并設(shè)置在輸出隆起焊盤和輸入隆起焊盤之間。此 時，在隆起焊盤之間的間距較寬的部分，第一、第二和第三測試薄膜晶體管之間的間距被改 變。由于非均勻地刻蝕，薄膜晶體管之間存在著差異。因此，很難精確地判斷塊模糊效應(yīng)是在連接驅(qū)動IC時產(chǎn)生的還是在連接驅(qū)動IC 之前進(jìn)行的壞點檢查過程中產(chǎn)生的。于是，即使在壞點檢查過程中存在塊模糊效應(yīng)，COG型 LCD仍被檢測為優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。隨后，在連接驅(qū)動IC之后出現(xiàn)塊模糊效應(yīng)時，COG型LCD被檢測 為劣質(zhì)產(chǎn)品并被舍棄。這增加了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種COG型IXD及其檢查方法，該COG型IXD及其檢查方法基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和不足導(dǎo)致的一個或多個問題。本發(fā)明的優(yōu)點在于提供一種具有在連接驅(qū)動IC之前檢測塊模糊效應(yīng)的測試線和 測試焊盤的COG型IXD及其檢查方法。本發(fā)明的其它的特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中列出，在說明書中這些特征和優(yōu) 點的一部分將是顯而易見的，并可以通過本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書和 所附附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并依照本發(fā)明的目的，如此處具體和廣泛描述的，一種 COG型IXD包括具有顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一基板，其中所述非顯示區(qū) 包括第一、第二、第三和第四非顯示區(qū)；在所述第一基板上的所述顯示區(qū)中并且彼此交叉以 界定像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線；在所述柵線和數(shù)據(jù)線的每個交叉部分處并且連接到所述柵線 和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管；在每個所述像素區(qū)中并且連接到所述開關(guān)薄膜晶體管的像素 電極；在所述第二非顯示區(qū)中并且連接到所述數(shù)據(jù)線的第一測試薄膜晶體管，所述第一測 試薄膜晶體管以固定的間距彼此隔開；通過所述第一測試薄膜晶體管連接到所述數(shù)據(jù)線的 一端的第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線，其中所述第一數(shù)據(jù)測試線連接到第3n-2數(shù)據(jù)線，所 述第二數(shù)據(jù)測試線連接到第3n-l數(shù)據(jù)線，所述第三數(shù)據(jù)測試線連接到第3η數(shù)據(jù)線，η是自 然數(shù)；分別連接到所述第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線的第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤；在 所述第一非顯示區(qū)中并且連接到所述數(shù)據(jù)線的另一端的數(shù)據(jù)連接線；在所述第一非顯示區(qū) 中并且連接到所述數(shù)據(jù)連接線的第二測試薄膜晶體管；連接到所述柵線的柵連接線；連接 到所述柵連接線的第三測試薄膜晶體管；通過所述第三測試薄膜晶體管連接到所述柵線的 柵測試線；連接到所述柵測試線的柵測試焊盤；在所述非顯示區(qū)中的公共測試線和公共焊 盤；與所述第一基板隔開的第二基板；順序地形成在所述第二基板的內(nèi)側(cè)表面上的濾色器 層和公共電極，其中所述公共電極連接到所述公共測試線；以及在所述第一和第二基板之 間的液晶層，其中驅(qū)動IC被連接在所述第一非顯示區(qū)中。另一方面，一種玻璃上芯片型液晶顯示器的檢查方法，其中所述顯示器包括具有 在像素區(qū)中的像素電極的第一基板、具有公共電極的第二基板以及在所述第一和第二基板 之間的液晶層，其中所述第一基板具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括第一、第二、 第三和第四非顯示區(qū)，所述檢查方法包括通過第一柵測試焊盤將電壓提供給柵線并導(dǎo)通 在所述顯示區(qū)中的開關(guān)薄膜晶體管；通過第一和第二公共焊盤之一將公共電壓提供給所述 公共電極；將第一電壓提供給第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤和通過第一、第二和第三數(shù)據(jù) 測試線以及數(shù)據(jù)線將第一像素電壓提供給所述像素電極，由此在所述像素電極和所述公共 電極之間產(chǎn)生第一電場，其中所述第一數(shù)據(jù)測試線連接到第3η-2數(shù)據(jù)線，所述第二數(shù)據(jù)測 試線連接到第3η-1數(shù)據(jù)線，所述第三數(shù)據(jù)測試線連接到第3η數(shù)據(jù)線，η是自然數(shù)；首次將 光提供到所述顯示器并根據(jù)所述第一電場引起的光的透射檢查所述像素區(qū)的缺陷；停止將 所述第一電壓提供給所述第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤；將第二電壓提供到第四數(shù)據(jù)測 試焊盤和通過數(shù)據(jù)連接線和所述數(shù)據(jù)線將第二像素電壓提供給所述像素電極，由此在所述 像素電極和所述公共電極之間產(chǎn)生第二電場；以及再次將光提供到所述顯示器并根據(jù)所述 第二電場引起的光的透射檢查所述數(shù)據(jù)連接線的斷開。顯而易見的是，所有前面的概括性描述和后面的具體描述都是示例性和解釋性 的，并意在于提供權(quán)利要求所保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解并組成本申請的一部分的附解了本發(fā)明 的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)IXD的分解透視圖。圖2是示意性表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的COG型LCD的檢查結(jié)構(gòu)的示圖。圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的COG型IXD的陣列基板的驅(qū)動IC區(qū)域的放大圖。圖4是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的COG型LCD的示圖。圖5是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的COG型LCD的檢查結(jié)構(gòu)的示圖。
具體實施例方式在下文中，將具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，附示了實施例的例子。圖4是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的COG型LCD的示圖。為了解釋的方便， 圖4主要表示了陣列基板的結(jié)構(gòu)。在圖4中，COG型IXD 100包括顯示區(qū)DA以及在顯示區(qū)DA外側(cè)的第一、第二、第三 和第四非顯示區(qū)NDAl、NDA2、NDA3和NDA4。第一、第二、第三和第四非顯示區(qū)NDAl、NDA2、 NDA3和NDA4包圍顯示區(qū)DA。在附圖所示的情況下，第一、第二、第三和第四非顯示區(qū)NDA1、 NDA2、NDA3和NDA4可以分別設(shè)置在顯示區(qū)DA的下側(cè)、上側(cè)、左側(cè)和右側(cè)。柵線GL和數(shù)據(jù)線DL形成在陣列基板上的顯示區(qū)DA中且彼此交叉以界定像素區(qū) P。作為開關(guān)元件的開關(guān)薄膜晶體管STr和像素電極120形成在每個像素區(qū)P處。開關(guān)薄 膜晶體管STr連接到柵線GL和數(shù)據(jù)線DL，并且包括柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極和 漏電極。像素電極120連接到開關(guān)薄膜晶體管STr的漏電極。驅(qū)動IC 190設(shè)置在第一非顯示區(qū)NDAl中。輸入隆起193a和輸出隆起193b形成 在連接有驅(qū)動IC 190的區(qū)域內(nèi)，在下文中將此區(qū)域稱為驅(qū)動IC區(qū)域。輸出隆起193b通過 柵連接線GLL和數(shù)據(jù)連接線DLL分別電連接到顯示區(qū)DA中的柵線GL和數(shù)據(jù)線DL。雖然沒有在圖中示出，但是第二測試薄膜晶體管形成在驅(qū)動IC區(qū)域中的輸入隆 起193a和輸出隆起193b之間。第二測試薄膜晶體管控制測試線的接通/斷開。連接到第 二測試薄膜晶體管的測試焊盤可以形成在驅(qū)動IC區(qū)域中或者可以形成在除了驅(qū)動IC區(qū)域 之外的第一非顯示區(qū)NDAl中。第一測試薄膜晶體管(未示出)形成在第二非顯示區(qū)NDA2中并且連接到顯示區(qū) DA中的數(shù)據(jù)線DL以及第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線(未示出)。連接到顯示區(qū)DA中的柵線 GL的柵連接線GLL以及第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線(未示出)形成在第三非顯示區(qū)NDA3 和第四非顯示區(qū)NDA4中。下面將參考附圖具體描述根據(jù)本發(fā)明的COG型LCD的檢查結(jié)構(gòu)。圖5是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的COG型LCD的檢查結(jié)構(gòu)的示圖。為了解 釋的方便，相比于顯示區(qū)而言非顯示區(qū)被放大表示。在圖5中，COG型IXD 100包括顯示區(qū)DA以及第一、第二、第三和第四非顯示區(qū) NDAU NDA2、NDA3和NDA4。在附圖所示的情況下，第一、第二、第三和第四非顯示區(qū)NDA1、 NDA2.NDA3和NDA4可以分別設(shè)置在顯示區(qū)DA的下側(cè)、上側(cè)、左側(cè)和右側(cè)。
柵連接線GLL、第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線IDL1、IDL2和IDL3以及第一數(shù)據(jù)使 能線DELl形成在第三非顯示區(qū)NDA3和第四非顯示區(qū)NDA4中。柵連接線GLL連接到形成 在顯示區(qū)DA中的柵線GL。第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線IDL1、IDL2和IDL3電連接到形成 在顯示區(qū)DA中的數(shù)據(jù)線DL。第一測試薄膜晶體管ITrl形成在第二非顯示區(qū)NDA2。第一測試薄膜晶體管ITrl 可以連接到數(shù)據(jù)線DL，并且按照與數(shù)據(jù)線DL相同的間距彼此隔開。第一測試薄膜晶體管 ITrl可以排列為兩行。測試焊盤IPl至IP14、數(shù)據(jù)連接線DLL、第二數(shù)據(jù)使能線DEL2和第四數(shù)據(jù)測試線 IDL4形成在第一非顯示區(qū)NDAl中。第一測試薄膜晶體管ITrl的每個都通過第一、第二和 第三數(shù)據(jù)測試線IDL1、IDL2和IDL3電連接到第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤IP1、IP2和 IP3的其中之一。測試焊盤IPl至IP14的其中一部分通過第二、第三和第四測試薄膜晶體 管ITr2、ITr3和ITr4電連接到柵連接線GLL和數(shù)據(jù)連接線DLL。數(shù)據(jù)連接線DLL連接到數(shù) 據(jù)線DL。第二數(shù)據(jù)使能線DEL2連接到與數(shù)據(jù)連接線DLL連接的第二測試薄膜晶體管ITr2 的柵電極。第四數(shù)據(jù)測試線IDL4連接到第二測試薄膜晶體管ITr2的源電極。本發(fā)明的COG型IXD具有比現(xiàn)有技術(shù)的COG型IXD更多的測試焊盤。在本發(fā)明中，測試焊盤包括第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤IP1、IP2和IP3，第一 和第二數(shù)據(jù)使能焊盤IP4和IP5，第一和第二柵使能焊盤IP6和IP7，第一、第二、第三和第 四柵測試焊盤IP8、IP9、IPlO和IP11，第一和第二公共焊盤IP12和IP13，以及第四數(shù)據(jù)測 試焊盤IP14。第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤IP1、IP2和IP3分別電連接到紅、綠和藍(lán)色 子像素R、G和B的數(shù)據(jù)線DL。第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14電連接到數(shù)據(jù)連接線DLL。更具體地，第一數(shù)據(jù)測試焊盤IPl電連接到與紅色子像素R連接的第一數(shù)據(jù)線 DLl0第二數(shù)據(jù)測試焊盤IP2電連接到與綠色子像素G連接的第二數(shù)據(jù)線DL2。第三數(shù)據(jù)測 試焊盤IP3電連接到與藍(lán)色子像素B連接的第三數(shù)據(jù)線DL3。同時，與第一數(shù)據(jù)線DLl連接 的第一測試薄膜晶體管ITrl連接到與第一數(shù)據(jù)測試焊盤IPl連接的第一數(shù)據(jù)測試線IDLl。 與第二數(shù)據(jù)線DL2連接的第一測試薄膜晶體管ITrl連接到與第二數(shù)據(jù)測試焊盤IP2連接 的第二數(shù)據(jù)測試線IDL2。與第三數(shù)據(jù)線DL3連接的第一測試薄膜晶體管ITrl連接到與第 三數(shù)據(jù)測試焊盤IP3連接的第三數(shù)據(jù)測試線IDL3。第一測試薄膜晶體管ITrl的柵電極連接到與第一數(shù)據(jù)使能焊盤IP4連接的第一 數(shù)據(jù)使能線DELl。因為顯示區(qū)域DA中的數(shù)據(jù)線DL以固定的間距彼此隔開，所以與現(xiàn)有技術(shù)不同，設(shè) 置在第二非顯示區(qū)NDA2中且連接到數(shù)據(jù)線DL末端的第一測試薄膜晶體管ITrl可以具有 固定的間距且具有足夠的大小。因此，在進(jìn)行干法刻蝕工藝時，由負(fù)載作用導(dǎo)致的非均勻性 不再出現(xiàn)，可以形成具有一致的特性的薄膜晶體管。于是，在檢查過程中不會產(chǎn)生塊模糊效 應(yīng)。溝道的寬與長的比值(W/L)會影響薄膜晶體管的特性。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于所有的測 試薄膜晶體管都限制地形成在驅(qū)動IC區(qū)域中，所以間距和大小也會受到限制。另一方面， 在本發(fā)明中，第一測試薄膜晶體管ITrl可以形成在比驅(qū)動IC區(qū)域大的整個的第二非顯示 區(qū)NDA2中，因此第一測試薄膜晶體管ITrl可以具有比現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管大的尺寸。 從而，第一測試薄膜晶體管ITrl可以穩(wěn)定地形成為具有一致的特性。同時，在本發(fā)明中，在第一非顯示區(qū)NDAl中的數(shù)據(jù)連接線DLL連接到在顯示區(qū)DA中的數(shù)據(jù)線DL的末端。數(shù)據(jù)連接線DLL也連接到形成在驅(qū)動IC區(qū)域中輸出隆起(未示出) 和設(shè)置在輸出隆起(未示出)與輸入隆起(未示出)之間的第二測試薄膜晶體管ITr2。如上所述，第四數(shù)據(jù)測試線IDL4設(shè)置在第一非顯示區(qū)NDAl中。第四數(shù)據(jù)測試線 IDL4連接到第二測試薄膜晶體管ITr2和第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14。第四數(shù)據(jù)測試線IDL4 可以連接到第二測試薄膜晶體管ITr2的源電極。此外，第二數(shù)據(jù)使能線DEL2位于第一非顯示區(qū)NDAl中。第二數(shù)據(jù)使能線DEL2連 接到第二測試薄膜晶體管ITr2的柵電極和第二數(shù)據(jù)使能焊盤IP5。盡管第二測試薄膜晶體管ITr2示出為具有與第一測試薄膜晶體管ITrl類似的固 定的間距，然而在形成有輸出隆起(未示出)的區(qū)域的中間部分存在空閑空間時，在驅(qū)動IC 區(qū)域中的第二測試薄膜晶體管ITr2可以具有不同的間距。此處，第二測試薄膜晶體管ITr2不連接到分別用于紅、綠和藍(lán)色子像素R、G和B 的壞點檢查的第一、第二和第三測試線IDL1、IDL2和IDL3。第二測試薄膜晶體管ITr2連 接到與數(shù)據(jù)線DL電連接的第四數(shù)據(jù)測試線IDL4。第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14形成在第四數(shù)據(jù) 測試線IDL4的末端。第四數(shù)據(jù)測試線IDL4和第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14并不用于子像素R、 G和B的壞點檢查，而是用于檢查將數(shù)據(jù)線DL和與驅(qū)動IC (未示出)接觸的輸出隆起連接 起來的數(shù)據(jù)連接線DLL的斷開。因此，在利用第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14進(jìn)行壞點檢查時，即使第二測試薄膜晶體管 ITr2的特性改變并產(chǎn)生了塊模糊效應(yīng)，由于利用第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤IP1、IP2 和IP3檢測了實際存在的塊模糊效應(yīng)，所以將不會存在問題。此處，進(jìn)行利用第四測試焊盤IP14的壞點檢查以檢測將數(shù)據(jù)線DL和與驅(qū)動 IC(未示出)接觸的輸出隆起(未示出)連接起來的數(shù)據(jù)連接線DLL的缺陷。在現(xiàn)有技術(shù)中，因為利用連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)連接線進(jìn)行用于檢測紅、綠和藍(lán)色 子像素的缺陷的壞點檢查，所以除了塊模糊效應(yīng)以外，還檢查了數(shù)據(jù)連接線和數(shù)據(jù)線的缺 陷。然而，在本發(fā)明中，沒有利用數(shù)據(jù)連接線DLL，而是利用從數(shù)據(jù)線DL延伸并設(shè)置在 第二非顯示區(qū)NDA2中的部分檢測紅、綠和藍(lán)色子像素R、G和B的缺陷。因此，能夠檢測出 數(shù)據(jù)線DL的斷開，而不能檢測出將數(shù)據(jù)線DL和與驅(qū)動IC(未示出)連接的輸出隆起(未 示出)連接在一起的數(shù)據(jù)連接線DLL的缺陷。因此，附加地形成第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14和 第二數(shù)據(jù)使能焊盤IP5以檢測數(shù)據(jù)連接線DLL的例如斷開等的缺陷。這里，即使第二測試薄膜晶體管ITr2具有不同的特性，也不會存在問題。不同于 第一測試薄膜晶體管ITrl，第二測試薄膜晶體管ITr2可以具有相對較低的溝道寬與長的 比值，因此第二測試薄膜晶體管ITr2可以具有比現(xiàn)有技術(shù)小的尺寸。于是，與現(xiàn)有技術(shù) 相比，可以減小輸入隆起(未示出)和輸出隆起(未示出)之間的距離，也可以減小驅(qū)動 IC(未示出)的尺寸。同時，第一柵使能焊盤IP6以及第一柵測試焊盤IP8和第二柵測試焊盤IP9形成 在第一非顯示區(qū)NDAl的左側(cè)。第二柵使能焊盤IP7以及第三柵測試焊盤IPlO和第四柵測 試焊盤IPll形成在第一非顯示區(qū)NDAl的右側(cè)。第一柵測試焊盤IP8和第二柵測試焊盤 IP9通過在顯示區(qū)DA左側(cè)的第一柵連接線GLLl和第二柵連接線GLL2電連接到奇數(shù)柵線 GLl和GL3。第三柵測試焊盤IPlO和第四柵測試焊盤IPll通過在顯示區(qū)DA右側(cè)的第三柵
10連接線GLL3和第四柵連接線GLL4電連接到偶數(shù)柵線GL2和GL4。同時，第一柵測試焊盤 IP8和第二柵測試焊盤IP9通過未在圖中標(biāo)出的第一和第二柵測試線連接到第三測試薄膜 晶體管ITr3，第三柵測試焊盤IPlO和第四柵測試焊盤IPll通過未在圖中標(biāo)出的第三和第 四柵測試線連接到第四測試薄膜晶體管ITr4。第一柵連接線GLLl連接到第一奇數(shù)柵線GLl和第三測試薄膜晶體管ITr3，其中第 一奇數(shù)柵線GLl是第4n-3柵線，η是自然數(shù)。第二柵連接線GLL2連接到第二奇數(shù)柵線GL3 和第三測試薄膜晶體管ITr3，其中第二奇數(shù)柵線GL3是第4n_l柵線。第三柵連接線GLL3 連接到第一偶數(shù)柵線GL2和第四測試薄膜晶體管ITr4，其中第一偶數(shù)柵線GL2是第4n_2柵 線。第四柵連接線GLL4連接到第二偶數(shù)柵線GL4和第四測試薄膜晶體管ITr4，其中第二偶 數(shù)柵線GL4是第4η柵線。第一柵使能線GELl連接到與第一柵連接線GLLl或第二柵連接線GLL2連接的全 部第三測試薄膜晶體管ITr3的柵電極。第一柵使能焊盤IP6設(shè)置在第一柵使能線GELl的 末端。第二柵使能線GEL2連接到與第三柵連接線GLL3或第四柵連接線GLL4連接的全部 第四測試薄膜晶體管ITr4的柵電極。第二柵使能焊盤IP7設(shè)置在第二柵使能線GEL2的末端。此外，第一公共焊盤IP12和第二公共焊盤IP13設(shè)置在第一非顯示區(qū)NDAl中，以 將作為基準(zhǔn)電壓的公共電壓提供給形成在與陣列基板相對并相隔的濾色器基板(未示出) 上的公共電極(未示出)?？梢孕纬稍诜秋@示區(qū)中的第一和第二公共測試線(未示出)連 接到第一公共焊盤IP12和第二公共焊盤IP13。濾色器基板(未示出)包括在面對陣列基板的表面上的濾色器層(未示出)和公 共電極(未示出)。濾色器層具有順序地重復(fù)排列的紅、綠和藍(lán)色濾色器圖案以分別地對應(yīng) 于紅、綠和藍(lán)色子像素。公共電極與整個顯示區(qū)DA對應(yīng)。濾色器基板設(shè)置在陣列基板的上 方，液晶層(未示出)在兩者之間，從而構(gòu)成了根據(jù)本發(fā)明的COG型LCD 100。在根據(jù)本發(fā)明的COG型IXD中，在顯示區(qū)DA外側(cè)的非顯示區(qū)NDA1、NDA2、NDA3和 NDA4中，第一測試薄膜晶體管ITrl以固定的間距形成在與第一非顯示區(qū)NDAl相對的第二 非顯示區(qū)NDA2中，其中在第一非顯示區(qū)NDAl中將驅(qū)動IC(未示出)連接到顯示區(qū)DA。因 此，在進(jìn)行壞點檢查時，可以防止由連接到數(shù)據(jù)線DL的第一測試薄膜晶體管ITrl形成在驅(qū) 動IC區(qū)域中的驅(qū)動IC(未示出)設(shè)計導(dǎo)致的間距不同引起的薄膜晶體管的特征差異所造 成的塊模糊效應(yīng)。此外，在驅(qū)動IC區(qū)域中，相比于現(xiàn)有技術(shù)，可以減小形成在輸入隆起(未示出)和 輸出隆起(未示出)之間的薄膜晶體管的尺寸，從而可以減小輸入隆起和輸出隆起之間的 距離。因此，可以使用緊湊的驅(qū)動IC，而且可以降低制造成本。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的COG型IXD的檢查方法。將比第三測試薄膜晶體管ITr3的閾值電壓高的預(yù)定電壓通過第一柵使能焊盤 IP6提供給第三測試薄膜晶體管ITr3，第三測試薄膜晶體管ITr3導(dǎo)通。隨后，將比像素區(qū)P 中的開關(guān)薄膜晶體管的閾值電壓高的預(yù)定電壓提供給第一柵測試焊盤IP8，連接到與第一 柵連接線GLLl連接的第4n-3柵線GLl的開關(guān)薄膜晶體管導(dǎo)通。隨后，將比第一測試薄膜 晶體管ITrl的閾值電壓高的預(yù)定電壓通過第一數(shù)據(jù)使能焊盤IP4提供給第一測試薄膜晶 體管ITrl，設(shè)置在第二非顯示區(qū)NDA2中并且連接到數(shù)據(jù)線DL的末端的第一測試薄膜晶體管ITrl導(dǎo)通。通過第一公共焊盤IP12將公共電壓提供給濾色器基板(未示出)上的公共 電極(未示出)，并將預(yù)定電壓提供給第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤IP1、IP2和IP3。這 樣，就通過第一、第二和第三數(shù)據(jù)線DL1、DL2和DL3將像素電壓提供給像素區(qū)中與第4n_3 柵線、即第一奇數(shù)柵線GLl連接的像素電極(未示出)?？梢皂樞虻靥峁┫袼仉妷?。因此，在濾色器基板(未示出)上的公共電極(未示出)與像素電極(未示出) 之間產(chǎn)生電場，在陣列基板和濾色器基板之間的液晶層(未示出)的液晶分子重新排列，由 此從檢查設(shè)備的發(fā)光裝置(未示出)發(fā)出的光被透過，從而顯示紅、綠和藍(lán)色的光。這里， 因為在有缺陷的子像素中沒有光透過，所以可以檢測出子像素的缺陷。此外，如果數(shù)據(jù)線或 者柵線斷開，連接到這些斷開的線的像素區(qū)中沒有光透過，所以也可以檢測出線的缺陷。通過重復(fù)相同的步驟，檢查連接到第二奇數(shù)柵線GL3的像素區(qū)P的缺陷、連接到第 一偶數(shù)柵線GL2和第二偶數(shù)柵線GL4的像素區(qū)P的缺陷以及線的斷開，完成第一次壞點檢 查。在檢測像素區(qū)P的缺陷的第一次壞點檢查之后，可以進(jìn)行第二次壞點檢查。在第 二壞點檢查中，通過第一柵使能焊盤IP6和第二柵使能焊盤IP7將預(yù)定電壓提供給第三測 試薄膜晶體管ITr3和第四測試薄膜晶體管ITr4，第三測試薄膜晶體管ITr3和第四測試薄 膜晶體管ITr4導(dǎo)通。通過第二數(shù)據(jù)使能焊盤IP5將預(yù)定電壓提供給第二測試薄膜晶體管 ITr2，第二測試薄膜晶體管ITr2導(dǎo)通。隨后，將預(yù)定電壓提供給第四數(shù)據(jù)測試焊盤IP14， 檢測連接到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)連接線DLL的斷開。這里，如果不存在斷開，則在顯示區(qū)DA的 所有像素區(qū)P中將會發(fā)出光。如果存在數(shù)據(jù)連接線DLL的斷開，則在與斷開的數(shù)據(jù)連接線 DLL連接的像素區(qū)P中將不會發(fā)出光。這樣，在根據(jù)本發(fā)明的COG型IXD中，進(jìn)行第一次和第二次壞點檢查，可以在連接 驅(qū)動IC之前在沒有塊模糊效應(yīng)的情況下精確地檢測出缺陷。在根據(jù)本發(fā)明的COG型LCD中，連接到數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)測試線的測試薄膜晶體管設(shè) 置在與連接顯示區(qū)的驅(qū)動IC區(qū)域相對的非顯示區(qū)中，而使測試薄膜晶體管無論驅(qū)動IC的 設(shè)計如何都具有固定的間距。因此，可以防止塊模糊效應(yīng)。此外，可以精確地判斷塊模糊效應(yīng)，并且可以防止由于誤判斷造成的制造成本增 加。此外，提供了檢測數(shù)據(jù)連接線的斷開的附加的測試線和焊盤，可以實現(xiàn)陣列基板 的更加詳細(xì)的檢查。此外，可以減少輸入隆起和輸出隆起之間的距離，并可以減小驅(qū)動IC的尺寸。因 此，可以降低制造成本。對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情 況下，在本發(fā)明的COG型LCD中可以進(jìn)行各種變化和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋由所附權(quán) 利要求及其等價物所保護(hù)的本發(fā)明的變化和變型。
權(quán)利要求
一種玻璃上芯片型液晶顯示器，包括具有顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一基板，其中所述非顯示區(qū)包括第一、第二、第三和第四非顯示區(qū)；在所述第一基板上的所述顯示區(qū)中并且彼此交叉以界定像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線；在所述柵線和數(shù)據(jù)線的每個交叉部分處并且連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管；在每個所述像素區(qū)中并且連接到所述開關(guān)薄膜晶體管的像素電極；在所述第二非顯示區(qū)中并且連接到所述數(shù)據(jù)線的第一測試薄膜晶體管，所述第一測試薄膜晶體管以固定的間距彼此隔開；通過所述第一測試薄膜晶體管連接到所述數(shù)據(jù)線的一端的第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線，其中所述第一數(shù)據(jù)測試線連接到第3n 2數(shù)據(jù)線，所述第二數(shù)據(jù)測試線連接到第3n 1數(shù)據(jù)線，所述第三數(shù)據(jù)測試線連接到第3n數(shù)據(jù)線，n是自然數(shù)；分別連接到所述第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試線的第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤；在所述第一非顯示區(qū)中并且連接到所述數(shù)據(jù)線的另一端的數(shù)據(jù)連接線；在所述第一非顯示區(qū)中并且連接到所述數(shù)據(jù)連接線的第二測試薄膜晶體管；連接到所述柵線的柵連接線；連接到所述柵連接線的第三測試薄膜晶體管；通過所述第三測試薄膜晶體管連接到所述柵線的柵測試線；連接到所述柵測試線的柵測試焊盤；在所述非顯示區(qū)中的公共測試線和公共焊盤；與所述第一基板隔開的第二基板；順序地形成在所述第二基板的內(nèi)側(cè)表面上的濾色器層和公共電極，其中所述公共電極連接到所述公共測試線；以及在所述第一和第二基板之間的液晶層，其中驅(qū)動IC被連接在所述第一非顯示區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述第一非顯示區(qū)與所述第二非顯示區(qū)關(guān)于所 述顯示區(qū)相對。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，還包括連接到所述第一測試薄膜晶體管的柵電極的第一數(shù)據(jù)使能線； 連接到所述第一數(shù)據(jù)使能線的第一數(shù)據(jù)使能焊盤； 連接到所述第二測試薄膜晶體管的柵電極的第二數(shù)據(jù)使能線； 連接到所述第二數(shù)據(jù)使能線的第二數(shù)據(jù)使能焊盤； 連接到所述第二測試薄膜晶體管的源電極的第四數(shù)據(jù)測試線；以及 連接到所述第四數(shù)據(jù)測試線的第四數(shù)據(jù)測試焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器，其中所述柵線包括第一和第二奇數(shù)柵線以及第一 和第二偶數(shù)柵線，其中所述第一奇數(shù)柵線對應(yīng)于第4m-3柵線，所述第二奇數(shù)柵線對應(yīng)于第 4m-l柵線，所述第一偶數(shù)柵線對應(yīng)于第4m-2柵線，所述第二偶數(shù)柵線對應(yīng)于第4m柵線，m 是自然數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其中所述柵連接線包括分別連接到所述第一奇數(shù)、第二奇數(shù)、第一偶數(shù)和第二偶數(shù)柵線的第一、第二、第三和第四柵連接線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器，還包括連接到所述柵連接線的第四測試薄膜晶體 管，其中所述第三測試薄膜晶體管連接到所述第一和第二柵連接線，所述第四測試薄膜晶 體管連接到所述第三和第四柵連接線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器，其中所述柵測試線包括通過所述第三和第四測試薄 膜晶體管分別連接到所述第一、第二、第三和第四柵連接線的第一、第二、第三和第四柵測 試線ο
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示器，其中所述柵測試焊盤包括分別連接到所述第一、第 二、第三和第四柵測試線的第一、第二、第三和第四柵測試焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示器，還包括連接到所述第三測試薄膜晶體管的柵電極的第一柵使能線； 連接到所述第一柵使能線的第一柵使能焊盤； 連接到所述第四測試薄膜晶體管的柵電極的第二柵使能線；以及 連接到所述第二柵使能線的第二柵使能焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器，其中所述第一、第二、第三和第四數(shù)據(jù)測試焊盤、所 述第一和第二數(shù)據(jù)使能焊盤、所述第一、第二、第三和第四柵測試焊盤、所述第一和第二柵 使能焊盤以及所述公共焊盤設(shè)置在所述第一非顯示區(qū)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器，其中所述第二測試薄膜晶體管設(shè)置在用于連接所 述驅(qū)動IC的區(qū)域中的輸出隆起和輸入隆起之間。
12.—種玻璃上芯片型液晶顯示器的檢查方法，所述顯示器包括具有在像素區(qū)中的 像素電極的第一基板、具有公共電極的第二基板以及在所述第一和第二基板之間的液晶 層，所述第一基板具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括第一、第二、第三和第四非顯 示區(qū)，所述檢查方法包括通過柵測試焊盤將電壓提供給柵線并導(dǎo)通在所述顯示區(qū)中的開關(guān)薄膜晶體管； 通過公共焊盤將公共電壓提供給所述公共電極；將第一電壓提供給第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤和通過第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試 線以及數(shù)據(jù)線將第一像素電壓提供給所述像素電極，由此在所述像素電極和所述公共電極 之間產(chǎn)生第一電場，其中所述第一數(shù)據(jù)測試線連接到第3n-2數(shù)據(jù)線，所述第二數(shù)據(jù)測試線 連接到第3n-l數(shù)據(jù)線，所述第三數(shù)據(jù)測試線連接到第3η數(shù)據(jù)線，η是自然數(shù)；首次將光提供到所述顯示器并根據(jù)所述第一電場引起的光的透射檢查所述像素區(qū)的 缺陷；停止將所述第一電壓提供給所述第一、第二和第三數(shù)據(jù)測試焊盤； 將第二電壓提供給第四數(shù)據(jù)測試焊盤和通過數(shù)據(jù)連接線和所述數(shù)據(jù)線將第二像素電 壓提供給所述像素電極，由此在所述像素電極和所述公共電極之間產(chǎn)生第二電場；以及再次將光提供到所述顯示器并根據(jù)所述第二電場引起的光的透射檢查所述數(shù)據(jù)連接 線的斷開。
全文摘要
一種玻璃上芯片型液晶顯示器，具有在連接驅(qū)動IC之前檢測塊模糊效應(yīng)的測試線和測試焊盤，可以精確地判斷塊模糊效應(yīng)，實現(xiàn)陣列基板的更加詳細(xì)的檢查并且可以防止由于誤判斷造成的制造成本增加。還公開一種玻璃上芯片型液晶顯示器的檢查方法，提供了檢測數(shù)據(jù)連接線的斷開的附加的測試線和焊盤。
文檔編號G02F1/1362GK101963709SQ20091026065
公開日2011年2月2日 申請日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月21日
發(fā)明者金可卿, 金炳究 申請人:樂金顯示有限公司