專利名稱：具防止靜電破壞的光罩的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，且特別涉及一種具防止靜電破壞的光罩。 #狄*
半導體加工過程中，微影加工過程是一關鍵性步驟，特別是在組件尺寸曰 趨微細化的集成電路時代，使微影加工過程面臨極大的挑戰(zhàn)。光罩，是在微影 加工過程中用以將所需要的圖案，定義在半導體芯片的光致抗蝕層上，然后半 導體芯片才進一步利用光致抗蝕層的圖案作為基礎，進行后續(xù)的蝕刻或離子布 值處理。因此，光罩若出現(xiàn)了問題，對后續(xù)的曝光、顯影、蝕刻等加工過程的 改善也都無法獲得所要的圖案而無法達到所要求的電路設計。
隨著半導體加工過程中圖案的縮小，光罩上由金屬鉻所構成的圖案的線寬
線距也越來越小，致使靜電電荷(electric static charge, ESC)容易導致光罩上的 金屬線因電場而產生靜電電荷放電(ESD)。在此情況之下，靜電荷通常會由光 罩上相鄰兩圖案的尖角之間，尤其是較大型的圖案尖角間，以點對點尖端放電 的方式來達到釋放靜電的效果。請參考圖1，圖1所示為現(xiàn)有技術的光罩上的金 屬線結構示意圖，相鄰兩金屬線10和20之間具有窄間隔30，在間隔30處會產 生靜電電荷放電。然而，在電放電瞬間將產生一足夠大的熱能而破壞電路圖案， 而使加工合格率下降。嚴重的話，甚至將造成光罩的損毀。上述的尖端放電現(xiàn) 象在光罩加工演進至更窄的線寬(linewidth)時，其情形將更加嚴重。
為了解決靜電所導致的光罩圖案破壞，在工業(yè)上已有許多方法。 一種是從 環(huán)境上著手，例如，在操作員的手套上加裝接地裝置以防止手接觸光罩時產生 靜電，或在光罩的放置位置以及移動的路線上噴灑離子以中和產生的靜電。但 是往往需要大量的設備以及成本。另一種則是由光罩盒的材料著手。但是，一 來是換材料的成本浩大，二來是步進機等用以處理光罩盒的機臺的接口都可能 要加以變更，也是成本的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明提出一種具防止靜電破壞的光罩，其能夠有效防止靜電電荷累積， 避免產生靜電電荷放電，從而保護光罩。
為了達到上述目的，本發(fā)明提出一種具防止靜電破壞的光罩，包括多個彼 此間隔的金屬線，其中，所述相鄰兩個金屬線之間通過至少一金屬導線連接。
進一步的，所述金屬導線的寬度小于曝光分辨率。
進一步的，所述金屬線為4^r屬層。 進一步的，所述4^r屬層下具有基底層。 進一步的，所述基底層的材料為二氧化硅玻璃。
本發(fā)明提出的具防止靜電破壞的光罩，在相鄰兩個金屬線之間通過至少一 寬度小于曝光分辨率的金屬導線連接，因此能夠有效防止靜電電荷累積，避免 產生靜電電荷放電，從而保護光罩，同時由于金屬導線的寬度小于曝光分辨率， 因此不會再后續(xù)的孩t影加工過程中將金屬導線定義到光致抗蝕層上。


圖l所示為現(xiàn)有技術的光罩上的金屬線結構示意圖。
圖2所示為本發(fā)明較佳實施例的具防止靜電破壞的光罩上的金屬線結構示 意圖。
具體實施例方式
為了更了解本發(fā)明的技術內容，特舉具體實施例并配合所附圖式說明如下。 本發(fā)明提出一種具防止靜電破壞的光罩，其能夠有效防止靜電電荷累積， 避免產生靜電電荷放電，從而保護光罩。
請參考圖2,圖2所示為本發(fā)明較佳實施例的具防止靜電破壞的光罩上的金 屬線結構示意圖。本發(fā)明提出的具防止靜電破壞的光罩，包括多個彼此間隔的 金屬線，其中，所述相鄰兩個金屬線之間通過至少一金屬導線連接。圖2中舉 例相鄰兩個金屬線100和200，兩者之間具有窄間隔300，金屬線100和200之 間通過至少一金屬導線400連接。所述金屬導線400的寬度小于曝光分辨率，所述金屬線100和200為銘金屬層，所述4l^r屬層下具有基底層，所述基底層 的材料為二氧化珪玻璃。
綜上所述，本發(fā)明提出的具防止靜電破壞的光罩，在相鄰兩個金屬線之間 通過至少一寬度小于曝光分辨率的金屬導線連接，因此能夠有效防止靜電電荷 累積，避免產生靜電電荷放電，從而保護光罩，同時由于金屬導線的寬度小于 曝光分辨率，因此不會再后續(xù)的微影加工過程中將金屬導線定義到光致抗蝕層 上。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各 種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種具防止靜電破壞的光罩，包括多個彼此間隔的金屬線，其特征在于所述相鄰兩個金屬線之間通過至少一金屬導線連接。
2. 根據(jù)權利要求1所述的具防止靜電破壞的光罩，其特征在于所述金屬導 線的寬度小于曝光分辨率。
3. 根據(jù)權利要求1所述的具防止靜電破壞的光罩，其特征在于所述金屬線 為M屬層。
4. 根據(jù)權利要求3所述的具防止靜電破壞的光罩，其特征在于所述鉻金屬 層下具有基底層。
5. 根據(jù)權利要求4所述的具防止靜電破壞的光罩，其特征在于所述基底層 的材料為二氧化硅玻璃。
全文摘要
本發(fā)明提出一種具防止靜電破壞的光罩，包括多個彼此間隔的金屬線，其中，所述相鄰兩個金屬線之間通過至少一金屬導線連接，所述金屬導線的寬度小于曝光分辨率。本發(fā)明提出一種具防止靜電破壞的光罩，其能夠有效防止靜電電荷累積，避免產生靜電電荷放電，從而保護光罩。
文檔編號G03F1/20GK101598893SQ20091005537
公開日2009年12月9日 申請日期2009年7月24日 優(yōu)先權日2009年7月24日
發(fā)明者于世瑞 申請人:上海宏力半導體制造有限公司