專利名稱：信號處理設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種信號處理設備，該信號處理設備具有主基片、和經(jīng)光波導連接的 單個或多個從屬基片，該光波導具有在導光單元的外周上形成的光輸入輸出表面，光透射 過該導光單元，其中，從輸入輸出表面的任意位置輸入的光在全周方向上在按照與輸入位 置的位置關系的等級下被輸出。更具體地說，通過由在主基片與連接到光波導上的從屬基 片之間的光波導發(fā)送和接收光，由當光從連接到光波導上的全部從屬基片輸出時在主基片 上的光輸入等級，根據(jù)主基片識別從屬基片的未知位置和數(shù)量，并且可分配從屬基片所固 有的識別信息。
背景技術：
至今，已經(jīng)提出了一種信號處理設備，在該信號處理設備中，多個電路基片經(jīng)光波 導連接，并且在相應基片之間通過光可發(fā)送和接收信號(例如，見日本未審查專利申請公 報 No. 10-123350)。在傳統(tǒng)信號處理設備中，多個基片連接器被設置到支撐基片，光波導安裝到該支 撐基片上，并且由于電路基片安裝到基片連接器上，所以多個電路基片連接到光波導上。而且，在支撐基片中，提供用于電信號傳輸?shù)碾姎獠季€，并且在電路基片之間還進 行電信號的發(fā)送和接收。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在常規(guī)信號處理設備中，沒有提供當電路基片連接到光波導上時用來識別 未知電路基片的技術，并且不容易進行電路基片的添加、刪除等。而且，在電路基片之間，除 光波導外，需要分開地制備用來允許一對一通信的電氣布線。為解決上述問題已經(jīng)形成本發(fā)明，并且目的是提供一種能夠基于通過光波導的信 號發(fā)送和接收來識別連接到光波導上的未知基片的信號處理設備。為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的一種信號處理設備包括光波導，具有在導光單 元的外周上形成的光輸入輸出表面，光透射過該導光單元，其中，從輸入輸出表面的任意位 置輸入的光在全周方向上在按照與輸入位置的位置關系的等級下被輸出；主基片，布置在 光波導的外周上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元、和用來將輸入 光轉換成電信號的光輸入單元；及單個或多個從屬基片，布置在沿光波導的外周的不同位 置處的多個安裝位置中的任意安裝位置上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光 輸出單元、和用來將輸入光轉換成電信號的光輸入單元，其中，在光從在光波導的外周上布 置的全部從屬基片的光輸出單元輸出時，主基片從按照從屬基片的排列輸入到主基片的光 輸入單元和透射過光波導的光的等級，識別從屬基片的安裝位置和數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明的信號處理設備，當主基片的光輸出單元被接通時，從主基片輸出的 光透射過光波導，并且輸入到按任意布置連接到光波導上的從屬基片上。根據(jù)這個，由于主基片接通其自己設備的光輸出單元，所以針對連接到光波導上的全部從屬基片，發(fā)出接通光輸出單元的指令。當光從連接到光波導上的全部從屬基片的光輸出單元輸出時，透射過光波導且輸入到主基片的光輸入單元的光的等級，依據(jù)從屬基片的安裝位置和數(shù)量而變化。為此，主基片透過光波導借助于連接到光波導上的從屬基片發(fā)送并接收光，并且 從輸入到光輸入單元的光的等級，識別從屬基片的安裝位置和數(shù)量。而且，根據(jù)本發(fā)明的一種信號處理設備包括光波導，具有在導光單元的外周上 形成的光輸入輸出表面，光透射過該導光單元，其中，從輸入輸出表面的任意位置輸入的光 在全周方向上在按照與輸入位置的位置關系的等級下被輸出；主基片，布置在光波導的外 周上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元、和用來將輸入光轉換成電 信號的光輸入單元；及單個或多個從屬基片，布置在沿光波導的外周的不同位置處的多個 安裝位置中的任意安裝位置上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元、 和用來將輸入光轉換成電信號的光輸入單元，其中，在其中在光波導的外周上布置的從屬 基片的位置和數(shù)量不同的情況下，主基片和從屬基片包括按一種排列的光輸入單元和光輸 出單元-其中在輸入到主基片和從屬基片的等級之間出現(xiàn)差別，并且主基片保存輸入等級 表-在該輸入等級表中按照從屬基片的排列輸入到主基片的光的光輸入單元的光的等級 與規(guī)定從屬基片的位置和數(shù)量的排列信息相關聯(lián)，并且在光從在光波導的外周上布置的全 部從屬基片的光輸出單元輸出時，基于主基片的光輸入單元的輸入值，搜索輸入等級表以 得到從屬基片的排列信息。根據(jù)本發(fā)明的信號處理設備，在其中連接到光波導上的從屬基片的位置和數(shù)量不 同的情況下，通過提供按一種排列的光輸入單元和光輸出單元-其中輸入到主基片的光的 等級設置成彼此不同，基于等級的量值，可識別從屬基片的位置和數(shù)量。然后，主基片保存輸入等級表，在該輸入等級表中，依據(jù)從屬基片的位置和數(shù)量變 化的等級與其中規(guī)定從屬基片的位置和數(shù)量的排列信息相關聯(lián)。根據(jù)這個，主基片基于當指令連接到光波導上的全部從屬基片的光輸出單元輸出 光時主基片自己的設備的光輸入單元的輸入值，搜索輸入等級表，并且識別從屬基片的安 裝位置和數(shù)量。此外，根據(jù)本發(fā)明的一種信號處理設備包括光波導，具有在導光單元的外周上形 成的光輸入輸出表面，光透射過該導光單元，其中，從輸入輸出表面的任意位置輸入的光在 全周方向上在按照與輸入位置的位置關系的等級下被輸出；主基片，布置在光波導的外周 上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元、和用來將輸入光轉換成電信 號的光輸入單元；及單個或多個從屬基片，布置在沿光波導的外周的不同位置處的多個安 裝位置中的任意安裝位置上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元、和 用來將輸入光轉換成電信號的光輸入單元，其中，主基片保存輸入等級表-在該輸入等級 表中按照從屬基片的排列輸入到主基片的光輸入單元的光的等級與規(guī)定從屬基片的位置 和數(shù)量的排列信息相關聯(lián)，并且在光從在光波導的外周上布置的全部從屬基片的光輸出單 元輸出時，基于主基片的光輸入單元的輸入值，搜索輸入等級表以得到從屬基片的排列信 息，從屬基片在光從另一個從屬基片的光輸出單元被輸出時，也保存其自己設備的光輸入 單元的輸入值，主基片預測在從屬基片中的光輸入單元的輸入值，該從屬基片的位置由相 應排列信息規(guī)定，以與識別信息一起從光輸出單元輸出，并且發(fā)送到在光波導的外周上布置的全部從屬基片，及當保存與從主基片接收的預測值相對應的輸入值時，從屬基片將從 主基片接收的識別信息設置為分配給其自己設備的識別信息。根據(jù)本發(fā)明的信號處理設備，當識別從屬基片的位置和數(shù)量時，主基片預測在相 應從屬基片中的光輸入單元的輸入值-這些相應從屬基片的位置被規(guī)定，并且輸出來自光 輸出單元的預測值、以及要發(fā)送到連接到光波導上的全部從屬基片的識別信息。
當在由主基片識別從屬基片的位置和數(shù)量的處理中光從全部從屬基片的光輸出 單元被輸出時，連接到光波導上的從屬基片保存其自己設備的光輸入單元的輸入值。然后， 當保存與從主基片接收的預測值相關的輸入值時，從主基片接收的識別信息設置為分配給 其自己設備的識別信息。根據(jù)本發(fā)明的信號處理設備，通過經(jīng)光波導在主基片與連接到光波導上的從屬基 片之間發(fā)送和接收光，主基片找出其安裝位置和數(shù)量未知的從屬基片，并且從輸入到主基 片的光輸入單元的光的等級，可識別相應從屬基片的位置和數(shù)量。根據(jù)這個，主基片不必預先識別從屬基片的位置和數(shù)量，并且當進行從屬基片的 添加或刪除時，關于從屬基片的位置和數(shù)量的信息不必設置在主基片中。而且，可任意設置 從屬基片的數(shù)量和安裝位置。因此，可以提供其中可容易地進行配置變化(如從屬基片的添加和刪除)的系統(tǒng)。而且，除在主基片與從屬基片之間的光波導外不必分離地準備另一根控制線，并 且減小了對于從屬基片的安裝位置和數(shù)量的限制，從而可簡化配置。此外，根據(jù)本發(fā)明的信號處理設備，由于主基片通過利用光等級的量值，識別關于 連接到光波導上的未知從屬基片的位置和數(shù)量，所以可以分配對于相應從屬基片固有的識 別信息。


圖IA是示意平面圖，表示根據(jù)第一實施例的信號處理設備的概要。圖IB是示意側視圖，表示根據(jù)第一實施例的信號處理設備的概要。圖IC是示意平面圖，表示在根據(jù)第一實施例的信號處理設備中的光輸入輸出單 元的排列的概要。圖2A是示意橫截面圖，表示構成根據(jù)本施例的信號處理設備的光波導的例子。圖2B是曲線圖，表示構成根據(jù)本施例的信號處理設備的光波導的衰減特性。圖3是功能方塊圖，表示主基片的控制系統(tǒng)的例子。圖4是時間圖，表示當電源接通時的處理。圖5是流程圖，表示當電源通時主基片3M的處理。圖6是時間圖，表示當電源通時在主基片3M中的激光二極管輸出和光電檢測器輸 入的等級變化。圖7是流程圖，表示當電源通時從屬基片3S的處理。圖8是時間圖，表示當電源通時在從屬基片3S中的激光二極管輸出和光電檢測器 輸入的等級變化。圖9是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。圖10是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。
圖11是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。圖12是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。圖13是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。圖14是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。圖15是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。圖16是方塊圖，表示用來計算光電檢測器的輸入值的微分值的微分電路的例子。圖17是時鐘的波形圖，表示在微分電路中的抽樣間隔。圖18是方塊圖，表示用來計算光電檢測器的輸入值的積分值的積分電路的例子。圖19是時鐘的波形圖，表示在積分電路中的抽樣間隔。圖20是方塊圖，表示用來計算光電檢測器的輸入值的積分值和計算這個積分值 的微分積分值的微分積分電路的例子。圖21是時鐘的波形圖，表示在微分積分電路中的抽樣間隔。圖22是流程圖，表示當電源是通時主基片3M的處理的細節(jié)。圖23是流程圖，表示當電源是通時從屬基片3S的處理的細節(jié)。圖24是時序圖，表示決定從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理。圖25是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的處理。圖26是時間圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時在主基片3M中的激光二 極管輸出和光電檢測器輸入的等級變化。圖27是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的處理。圖28是時間圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時在從屬基片3S中的激光 二極管輸出和光電檢測器輸入的等級變化。圖29是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的處理的細 節(jié)。圖30是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的處理的細 節(jié)。圖31是曲線圖，表示輸入到光電檢測器31M的光的等級。圖32是解釋圖，表示主基片3M和從屬基片3S的排列例子。圖33是解釋圖，表示表格的例子，在該表格中，在光電檢測器SlM1中的輸入等級 表tPDi與排列向量Wm相關聯(lián)。圖34是流程圖，表示由主基片3M計算從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理的例子。圖35是流程圖，表示搜索PD輸入等級表的處理的例子。圖36是流程圖，表示由多個候選對象決定排列向量的處理的例子。圖37是流程圖，表示決定從屬基片3S的數(shù)量的處理的例子。圖38是流程圖，表示決定從屬基片3S的排列的處理的例子。圖39是時序圖，表示將ID分配給從屬基片3S的處理。圖40是流程圖，表示當將ID分配給從屬基片3S時主基片3M的處理。圖41是流程圖，表示當將ID分配給從屬基片3S時從屬基片3S的處理。圖42是流程圖，表示當將ID分配給從屬基片3S時在考慮到測量誤差的同時主基 片3M的處理。
圖43是流程圖，表示當將ID分配給從屬基片3S時在考慮到測量誤差的同時從屬 基片3S的處理。圖44是流程圖，表示當將ID分配給其排列被唯一決定的從屬基片3S時主基片3M 的處理的細節(jié)。圖45是流程圖，表示當將ID分配給其排列被唯一決定的從屬基片3S時從屬基片 3S的處理的細節(jié)。圖46A是曲線圖，表示PD輸入等級的分布。圖46B是曲線圖，表示PD輸入等級的分布。圖46C是曲線圖，表示PD輸入等級的分布。圖47A是解釋圖，表示相對于主基片3M的排列W(i)中和排列W(j)中的從屬基片 3S的排列例子。圖47B是解釋圖，表示相對于主基片3M的排列W (i)處和排列W (j)處從屬基片3S 的排列例子。圖48是流程圖，表示當將ID分配給其排列未被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的處理的細節(jié)。圖49A是示意平面圖，表示在根據(jù)第二實施例的信號處理設備中的光輸入輸出單 元的排列的例子。圖49B是曲線圖，表示在根據(jù)第二實施例的信號處理設備中的光電檢測器的輸入 等級的關系。圖50是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的另一個處理 例子。圖51是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的另一種處理的細節(jié)。圖52是配置圖，表示根據(jù)第三實施例的信號處理設備的概要。圖53是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的另一個處理 例子。圖54是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的另一個處 理例子。圖55是流程圖，表示計算用于從屬基片3S的排列候選對象的處理的例子。圖56是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的另一種處理的細節(jié)。圖57是流程圖，表示當對于其排列不被唯一決定的從屬基片3S決定排列時從屬 基片3S的另一種處理的細節(jié)。圖58是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時從屬基 片3S的另一種處理的細節(jié)。圖59是配置圖，表示根據(jù)第四實施例的信號處理設備的概要。圖60是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的另一個處理 例子。圖61是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的另一個處理例子。
圖62是流程圖，表示由多個候選對象決定排列向量的處理的例子。圖63是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的另一種處理的細節(jié)。圖64是流程圖，表示當對于其排列不被唯一決定的從屬基片3S決定排列時從屬 基片3S的另一種處理的細節(jié)。圖65是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時從屬基 片3S的另一種處理的細節(jié)。
具體實施例方式下文，參照附圖，將描述根據(jù)本發(fā)明的信號處理設備的實施例。<根據(jù)第一實施例的信號處理設備的配置例子>圖1A、1B、及IC表示根據(jù)第一實施例的信號處理設備的概要，其中，圖IA是根據(jù)第 一實施例的信號處理設備IA的示意平面圖，圖IB是根據(jù)第一實施例的信號處理設備IA的 示意側視圖，及圖IC是示意平面圖，表示在根據(jù)第一實施例的信號處理設備IA中的光輸入 輸出單元的排列的概要。根據(jù)第一實施例的信號處理設備IA設有光透過其的光波導2A、和連接到光波導 2A上的主基片3M和從屬基片3S。光波導2A例如設有盤形外周作為用于光的輸入輸出表面，并且具有在全周方向 上輸出從輸入輸出表面的任意位置輸入的光的功能。主基片3M例如設有激光二極管(LD) 30M，作為用來將輸入電信號轉換成要輸出的 光的光輸出單元，并且還設有光電檢測器(PD) 31M，作為用來將輸入光轉換成要輸出的電信 號的光輸入單元。從屬基片3S例如設有激光二極管(LD) 30S，作為用來將輸入電信號轉換成要輸出 的光的光輸出單元，并且還設有光電檢測器(PD) 31S，作為用來將輸入光轉換成要輸出的電 信號的光輸入單元。信號處理設備IA在與光波導2A的外周相對的安裝主基片3M和從屬基片3S的多 個位置處設有基片連接單元10?；B接單元10例如通過在用來將電源供給到主基片3M和從屬基片3S的電源 基片11上提供連接器而建造，主基片3M和從屬基片3S能可拆除地連結到連接器上。根據(jù)這個，在信號處理設備IA中，一片主基片3M、和按照希望要實現(xiàn)的功能的任 意片數(shù)的從屬基片3S安裝到基片連接單元10上。然后，從主基片3M的激光二極管30M輸出的光透射過光波導2A，以輸入到在基片 連接單元10的任意位置處安裝的從屬基片3S的光電檢測器31S。而且，從在基片連接單元10的任意位置處安裝的從屬基片3S的激光二極管30S 輸出的光透射過光波導2k,以輸入到主基片3M的光電檢測器31M。在這時，當光按恒定光量從連接到光波導2A上的從屬基片3S的激光二極管30S 輸出時，在光波導2A中，光按照從屬基片3S相對于主基片3M的安裝位置衰減，并且，由于 光按照從屬基片的數(shù)量添加，所以在主基片3M中，輸入到光電檢測器31M的光的等級(強度)會變化。類似地，當光按恒定光量從主基片3M的激光二極管30M和從屬基片3S的激光二 極管30S輸出時，在光波導2A中，光按照主基片3M和其它從屬基片3S相對于特定從屬基 片3S的安裝位置衰減，并且，由于光按照從屬基片的數(shù)量添加，所以在從屬基片3S中，輸入 到光電檢測器31S的光的等級會變化。鑒于以上，在信號處理設備IA中，通過利用輸入到主基片3M和從屬基片3S的光 的等級，主基片3M識別其排列是未知的從屬基片3S。就是說，主基片3M輸出按恒定光量來自連接到光波導2A上的全部從屬基片3S的 激光二極管30S的光。
在這時，主基片3M識別與其自己設備的激光二極管30M和從屬基片3S的激光二 極管30S相關的各種特性，例如波長、光發(fā)射量、及衰減特性。而且，主基片3M的光電檢測 器31M和各個從屬基片3S的光電檢測器31S彼此相同。為此，輸入到主基片3M的光電檢測器31M的光的等級和輸入到從屬基片3S的光 電檢測器31S的光的等級按照從屬基片3S的數(shù)量和排列被唯一地決定。根據(jù)這個，由于光按恒定光量從相應從屬基片3S輸出，所以主基片3M基于透射過 光波導2A且輸入到其自己設備的光電檢測器31M的光的等級，決定從屬基片3S的排列和數(shù)量。此外，相應從屬基片3S按照輸入到其自己設備的光電檢測器31S的光的等級保存 輸入值，并且主基片3M也得到輸入到在其排列被識別的相應從屬基片3S上的光電檢測器 31S的光的等級，并且將作為固有識別信息的ID分配給具有相關輸入值的從屬基片3S，以 標識相應從屬基片3S。順便說明，在光波導2A中，當在其中光波導2A被放入之間的基片的前正面位置被 設置為中心(0° )的同時給出考慮時，光在士 180°的范圍中大體對稱地衰減。根據(jù)這個， 在相對于主基片3M其中光波導2A被放入之間的在180°下的位置處，就是說，在其中主基 片3M的前正面設置為0°的情況下，來自在+ et°下的位置處的從屬基片3S的光的PD輸 入等級大體等于來自在_ θ t°下的位置處的從屬基片3S的光的PD輸入等級。而且，在0°至+180°的范圍與0°至-180°的范圍之間也存在其中PD輸入等級 彼此相等的位置。鑒于上文，在光波導2A中的光衰減的對稱性質被破壞的同時，在其中改變從屬基 片3S的排列、從而不具有輸入到主基片3M的相同等級的光的情況下，根據(jù)本例子，主基片 3M設有兩個光電檢測器，即光電檢測器3IM1和光電檢測器31M2。關于光電檢測器SlM1和光電檢測器31M2，為了當從相同方向輸入光時在等級中出 現(xiàn)差別，相對于面對光波導2A的中心的一個光電檢測器31M1;另一個光電檢測器31M2布置 成在表面方向上按預定角度α傾斜。而且，在其中改變排列、從而不具有相同等級的輸入光的從屬基片3S中，根據(jù)本 例子，從屬基片3S設有包括光電檢測器SlS1和光電檢測器31S2的兩件。關于光電檢測器SlS1和光電檢測器31S2，為了當從相同方向輸入光時在等級中出 現(xiàn)差別，相對于面對光波導2A的中心的一個光電檢測器31S”另一個光電檢測器31S2布置 成在表面方向上按預定角度α傾斜。
〈光波導的配置例子〉圖2A和2B表示構成根據(jù)本實施例的信號處理設備的光波導的例子和衰減特性， 其中，圖2A是示意橫截面圖，表示構成根據(jù)本施例的信號處理設備的光波導的例子，并且 圖2B是曲線圖，表示在相對于激光二極管的角度與光電檢測器的輸入等級之間的關系，該 關系代表構成根據(jù)本施例的信號處理設備的光波導的衰減特性。光波導2A是平面型光波導，用來在全周方向上輸出從任意方向上通過不規(guī)則反 射或散射輸入的光。這里，反射是這樣一種現(xiàn)象，其中，傳播波、或粒子等撞到與在傳播中 的介質不同的介質或具有不連續(xù)變化的邊界表面，而改變方向并在原介質中在新方向上前 進，并且如果邊界表面的凹度和凸度幾乎等于或大于波長則反射波在各個方向上前進。這 樣的反射稱作不規(guī)則反射或漫反射。另一方面，散射是這樣一種現(xiàn)象，其中，當波撞到不大于波長的障礙物時，產(chǎn)生繞 它向周圍散開的波。光波導2A設有第一導光單元20A，由在預定波長域中具有第一透光率的導光材 料形成；和第二導光單元21A，由具有與第一透光率不同的第二透光率的導光材料形成。根 據(jù)本例子，第一導光單元20A和第二導光單元21A都具有盤形狀，并且第二導光單元21A被 設置在第一導光單元20A的側方全周上。第一導光單元20A由在預定波長域中具有第一透光率的透明樹脂材料或空氣層 等形成。而且，第二導光單元21A由在預定波長域中具有第二透光率的透明樹脂材料等形 成。例如，根據(jù)其中第一導光單元20A和第二導光單元21A都由樹脂材料形成的配置， 第一導光單元20A的外周配置成在第一導光單元20A與第二導光單元21A之間的邊界表面 22處與第二導光單元21A的內(nèi)周相接觸。而且，根據(jù)其中第一導光單元20A由空氣層形成、第二導光單元21A由樹脂材料形 成的配置，第二導光單元21A的內(nèi)周配置成在第一導光單元20A與第二導光單元21A之間 的邊界表面22處與空氣層相接觸。這里，在上述配置的任一種中，在盤形第一導光單元20A的中心與第二導光單元 21A的中心相匹配的同時，第一導光單元20A大體布置在第二導光單元21A的中心處。光波導2A在第二導光單元21A的上和下表面上設有反射部件23A。反射部件23A 從兩側夾著第二導光單元21A，而第二導光單元21A的外周表面跨過全周暴露，并且用來反 射光的反射表面還與第二導光單元21A的平面表面相對。此外，光波導2A在第一導光單元20A的上和下表面上設有不規(guī)則反射部件24。不 規(guī)則反射部件24從兩側夾著第一導光單元20A，而用來不規(guī)則地反射光的不規(guī)則反射表面 例如與作為空氣層的第一導光單元20A相對。這里，根據(jù)在圖2A中的配置，不規(guī)則反射部件24配置成還夾著反射部件23A，該 反射部件23A夾著第二導光單元21A，并且不規(guī)則反射部件24的與第一導光單元20A相對 的不規(guī)則反射表面和反射部件23A的與第二導光單元21A相對的反射表面具有與反射部件 23A的厚度相一致的距離。應該注意，在不規(guī)則反射部件24的不規(guī)則反射表面與反射部件23A的反射表面之 間的距離不限于這個例子，并且可以設置得彼此更近，或者可以在同一表面上。而且，不規(guī)則反射部件24的不規(guī)則反射表面可以布置得比反射部件23A的反射表面更靠內(nèi)側。就是說，在不規(guī)則反射部件24的不規(guī)則反射表面與反射部件23A的反射表面之間的距離可以取任何值，只要這是滿足如下條件的預定距離當光從光波導2A的外周的任意 位置向第一導光單元20A輸出時，在光波導2A的外周中測到的不規(guī)則反射光具有足夠的強度。根據(jù)這個，在光波導2A中，第二導光單元21A的外周表面的任意位置成為光輸入 輸出表面，在該處光從第二導光單元21A的外周表面輸入和輸出，并且輸入到第二導光單 元21A的光也由反射部件23A反射，以透射過第二導光單元21A。而且，透射過第二導光單元21A的光，經(jīng)不規(guī)則反射部件24的不規(guī)則反射、和第一 導光單元20A與具有不同透光率的第二導光單元21A之間的邊界表面22的折射、反射等， 在全周方向上從第一導光單元20A輸出。此外，在全周方向上從第一導光單元20A輸出的光透射過第二導光單元21A，并且 從第二導光單元21A的外周表面輸出。因此，在光波導2A中，當光從在外周上的任意位置向第一導光單元20A輸入時，光 在全周方向上由第一導光單元20A輸出，并且光接收可在外周上的任意位置處進行。根據(jù)這個，在圖IA中表示的主基片3M和從屬基片3S布置在光波導2A的外周上， 而激光二極管30M和30S的未表示的光發(fā)射單元、和光電檢測器31M和31S的未表示的光 接收單元與第二導光單元21A的外周表面相對。在圖2B中，如在圖IC中表示的那樣，表示在另一個光電檢測器31M2相對于一個光 電檢測器SlM1的角度α設置為5°的同時、當相對于激光二極管30S的角度θ運動時PD 輸入值的變化。如圖2Β中所示，要理解，兩個光電檢測器3IM配置成具有傾斜度以產(chǎn)生PD輸入等 級的差別，并且對稱性質被破壞。在這時，另一個光電檢測器31Μ2相對于一個光電檢測器 SlM1的傾斜角，希望設置在其中另一個光電檢測器31Μ2的方向在光波導2Α中的第一導光 單元20Α的內(nèi)側中的范圍中。應該注意，光波導2Α不限于在圖2Α中表示的配置，而是可以采取任何配置，只要 滿足如下條件當光從光波導2Α的外周的任意位置輸出時，在光波導2Α的外周中測到的不 規(guī)則反射光具有足夠的強度。而且，光波導2Α可以是多邊形形狀，而不是圓形形狀。根據(jù)其中光波導具有多邊 形形狀的配置，除多邊形的角(頂點)之外的邊部分可以設置為光輸入輸出表面。<主基片的控制功能的例子>圖3是功能方塊圖，表示主基片的控制系統(tǒng)的例子。主基片3Μ設有PD輸入飽和 值檢測單元32a，用來檢測光電檢測器SlM1和31M2的輸入值；和從屬位置和數(shù)量計算單元 32b，用來根據(jù)PD輸入值來計算從屬基片3S的位置和數(shù)量。而且，主基片設有PD輸入值預 測單元32c，用來預測其位置被決定的從屬基片3S的PD輸入值；和從屬ID分配單元32d， 用來通過利用PD輸入值的預測值區(qū)分從屬基片3S，以分配ID。<根據(jù)第一實施例的信號處理設備的操作例子>1.用于主基片以識別從屬基片的存在的處理接下來，將描述當電源通時為了使主基片3M識別從屬基片3S的存在而由主基片3M和從屬基片3S執(zhí)行的處理的概要。圖4是時間圖，表示當電源通時的處理；圖5是流程圖，表示當電源通時主基片3M的處理；及圖6是時間圖，表示當電源通時在主基片3M中的激光二極管輸出和光電檢測器 輸入的等級變化。此外，圖7是流程圖，表示當電源通時從屬基片3S的處理，并且圖8是時 間圖，表示當電源通時在從屬基片3S中的激光二極管輸出和光電檢測器輸入的等級變化。(1-1)在圖5中的步驟SAl中，接通主基片3M的電源。在主基片3M中，當電源是 通時，在步驟SA2中，開始配置。(1-2)在圖5中的步驟SA3中，當電源通時，主基片3M接通其自己的設備的激光二 極管 30M(mLD)。光波導2A具有一種功能，借助于該功能，從在外周上的任意位置輸入的光在全周 方向上輸出，并因而在主基片3M中，從激光二極管30M輸出的光輸入到其自己設備的光電 檢測器31M(mLD)。根據(jù)這個，光電檢測器31M的輸入等級增大到圖6的等級LM1。而且，由于主基片3M的激光二極管30M接通，所以從主基片3M輸出的光透射過光 波導2A，并且輸入到從屬基片3S的光電檢測器31S(sPD)。根據(jù)這個，在圖7中的步驟SBl 中，在連接到光波導2A上的相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大到圖8的 等級LSI。當光電檢測器31S的輸入等級增大時，從屬基片3S在步驟SB2中接通電源，并且 在步驟SB3中，開始配置。(1-3)在圖7中的步驟SB4中，由于從主基片3M輸出的光透射過光波導2A且輸 入到光電檢測器31S，并且接通電源，所以相應從屬基片3S接通其自己設備的激光二極管 30S。響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當相應從屬基片3S的激光二極管30S 接通時，從相應從屬基片3S輸出的光透射過光波導2A，并且輸入到主基片3M的光電檢測器 31M。由于從相應從屬基片輸出的光輸入到主基片3M的光電檢測器31M，所以在主基片 3M中，光電檢測器3IM的輸入等級增大。在圖6中，表明其中連接兩片從屬基片3S的情況的例子，并且當?shù)谝粡膶倩?S 的激光二極管30S(slLD)接通時，在主基片3M中，光電檢測器31M的輸入等級增大到等級 LM2。此外，當?shù)诙膶倩?S的激光二極管30S(S2LD)接通時，光電檢測器31M的輸入等 級增大到等級LM3。以這種方式，在主基片3M中，當響應其自己設備的激光二極管30M的接通，在從屬 基片3S中接通激光二極管30S時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直到全部 從屬基片3S的激光二極管30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通 時成為恒定值。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為恒定值時，主基片3M在圖5中的步驟 SA4中檢查連接到光波導2A上的全部從屬基片3S的存在。應該注意，下面將描述主基片 3M檢查從屬基片3S的存在的處理的細節(jié)。而且，響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當光從相應從屬基片3S輸出時， 在相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大。
例如，在第一從屬基片3S中，當其自己設備(S1LD)的激光二極管30S接通時輸出 的光輸入到其自己設備的光電檢測器31S。根據(jù)這個，光電檢測器31S的輸入等級增大到圖 8的等級LS2。而且，響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當?shù)诙膶倩?S(S2LD)的激光 二極管30S接通時，在第一從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大到等級LS3。應 該注意，第二從屬基片側也具有類似操作。(1-4)當主基片3M檢查連接到光波導2A上的全部從屬基片3S的存在時，在圖5 中的步驟SA5中，其自己設備的激光二極管30M斷開。由于主基片3M的激光二極管30M斷開，所以在從屬基片3S中，光電檢測器31S的 輸入等級從圖8的等級LS3減小。以這種方式，在從屬基片3S中，響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當激光 二極管30S接通時，光電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二極管 30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。然后，當主基片3M檢查全部從屬基片3S的存在，并且激光二極管30M斷開時，相 應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。
鑒于上文，當光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小時，在圖7中的步驟SB5中， 從屬基片3S確定主基片3M檢查了全部從屬基片3S的存在。應該注意，下面將描述從屬基 片3S檢查主基片3M檢查了從屬基片3S的存在的處理的細節(jié)。(1-5)當相應從屬基片3S確定主基片3M完成對于全部從屬基片3S的存在的檢查 時，在圖7中的步驟SB6中，其自己設備的激光二極管30S斷開。由于相應從屬基片3S的激光二極管30S斷開，所以在主基片3M中，光電檢測器的 輸入等級減小。以這種方式，在主基片3M中，當響應其自己設備的激光二極管30M的斷開，在從屬 基片3S中斷開激光二極管30S時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級減小，直到全部 從屬基片3S的激光二極管30S都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都斷開 時成為“0”。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為0時，在圖5中的步驟SA6中，主基片 3M確定在全部從屬基片3S中完成處理，并且當電源通時的處理結束。應該注意，下面將描 述主基片3M檢查從屬基片3S完成了處理的處理的細節(jié)。接下來，在當電源通時的流程圖中，將給出以下處理的細節(jié)的描述主基片3M檢 查從屬基片3S的存在的處理、從屬基片3S檢查主基片3M檢查了從屬基片3S的存在的處 理、及主基片3M檢查從屬基片3S完成了處理的處理。圖9至15是流程圖，表示檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的例子。其中，T = 0、l、…t、…設置為X的抽樣間隔。而且，X的微分系數(shù)定義為如下表 達式(1)，并且X的積分值定義為如下表達式(2)。應該注意，ε是足夠小的正數(shù)。[表達式1]AXt = Xt-Xt_r..(l)
<formula>formula see original document page 17</formula>…⑵在圖9的流程圖中，在步驟SCla中，抽樣光電檢測器31M(光電檢測器31S)的PD 輸入值，并且在步驟SC2a中，計算APDt。然后，在步驟SC3a中，在確定Δ PDt > 0成立時，通過利用其中PD輸入值的微分 系數(shù)從正值成為0的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片3Μ和從屬基片3S中完 成了處理。在圖10的流程圖中，在步驟SClb中，抽樣光電檢測器31Μ(光電檢測器31S)的PD 輸入值，并且在步驟SC2b中，計算APDt。然后，在步驟SC3b中，在確定APDt <0成立時，通過利用其中PD輸入值的微分 系數(shù)從負值成為0的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片3M和從屬基片3S中完 成了處理。在圖11的流程圖中，在步驟SClc中，抽樣光電檢測器31M(光電檢測器31S)的PD 輸入值，并且在步驟SC2c中，計算APDt。然后，在步驟SC3c中，在確定I APDtI < ε成立時，通過利用其中PD輸入值的值 成為恒定(PD輸入值的微分系數(shù)成為0)的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片 3Μ和從屬基片3S中完成了處理。在圖12的流程圖中，在步驟SCld中，抽樣光電檢測器31Μ(光電檢測器31S)的PD 輸入值，并且在步驟SC2d中，計算SumPDt。然后，在步驟SC3d中，在確定SumPDt > 0成立時，通過利用其中PD輸入值的積分 值(平均值)的微分系數(shù)從正值成為0的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片3M 和從屬基片3S中完成了處理。在圖13的流程圖中，在步驟SCle中，抽樣光電檢測器31M(光電檢測器31S)的PD 輸入值，并且在步驟SC2e中，計算SumPDt。然后，在步驟SC3e中，在確定SumPDt < 0成立時，通過利用其中PD輸入值的積分 值(平均值)的微分系數(shù)從負值成為0的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片3M 和從屬基片3S中完成了處理。在圖14的流程圖中，在步驟SClf中，抽樣光電檢測器31M(光電檢測器31S)的PD 輸入值，并且在步驟SC2f中，計算SumPDt。然后，在步驟SC3f中，在確定ISumPDtI < ε成立時，通過利用其中PD輸入值的 積分值(平均值)成為恒定的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片3Μ和從屬基 片3S中完成了處理。在圖15的流程圖中，在步驟SClg中，抽樣光電檢測器31Μ(光電檢測器31S)的PD 輸入值。然后，在步驟SC2g中，在確定PDt< ε成立時，通過利用其中PD輸入值的值成為 0的變化，在當電源通時的流程圖中，檢查在主基片3Μ和從屬基片3S中完成了處理。應該注意，在當電源通時的流程圖中，作為檢查在主基片3Μ和從屬基片3S中完成 處理的方法，在圖9至15中的處理可以結合以被執(zhí)行。
其次，將描述用來實現(xiàn)檢查在主基片3M和從屬基片3S中完成處理的方法的電路
配置。圖16是方塊圖，表示用來計算光電檢測器的輸入值的微分值的微分電路的例子； 并且圖17是時鐘的波形圖，表示在微分電路中的抽樣間隔。微分電路300設有觸發(fā)器301和302和分頻器303。順便說明，可想到的是，光電檢測器31M(31S)的等級變化單調(diào)地增大和減小，在 光電檢測器中的等級增大基于激光二極管30S(30M)的接通，及在光電檢測器中的等級增 大在足夠短的時間段內(nèi)飽和。而且，基于在相應基片上的激光二極管的接通的光電檢測器中的等級增大的間隔 遵循當在相應基片上的電路的配置結束時的間隔。可以想到的是，在光電檢測器中等級增 大的這個間隔，與從激光二極管的接通到飽和的時間相比足夠長。因此，在微分電路300中，光電檢測器的輸入值的差值，與光電檢測器的輸入值的 抽樣間隔(CLK)相比可以在較長間隔中取得。圖18是方塊圖，表示用來計算光電檢測器的輸入值的積分值的積分電路的例子； 并且圖19是時鐘的波形圖，表示在積分電路中的抽樣間隔。積分電路310設有加法器311和分頻器312。加法器311在內(nèi)部具有寄存器，并且 保存通過求和輸入值得到的結果。然后，積分電路310通過來自未表示的PLL電路的脈沖 輸出而輸出求和結果，并且使值歸零。圖20是方塊圖，表示用來計算光電檢測器的輸入值的積分值和計算這個積分值 的微分積分值的微分積分電路的例子；并且圖21是時鐘的波形圖，表示在微分積分電路中 的抽樣間隔。微分積分電路320設置有加法器321和分頻器322，其構成積分電路；和觸發(fā)器 323及分頻器324，其構成用于對加法器321的輸出進行微分的微分電路。圖22是流程圖，示出了當電源通時主基片3M的處理的細節(jié)，接著，將描述當電源 通時主基片3M的處理的細節(jié)。應當注意，在圖22中，對于圖5的流程圖中描述的相同處理， 分配相同的處理步驟編號。如以上描述的那樣，在主基片3M中，當響應在圖5(圖22)的流程圖中的步驟SA3 中其自己設備的激光二極管30M的接通，在圖7中的步驟SB4中接通從屬基片3S的激光二 極管30S時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二 極管30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。鑒于上文，在圖22中的步驟SA4a中，主基片3M得到光電檢測器3IM的輸入值，并 且在步驟SA4b中，基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的處理從正變到0，確定光 電檢測器31M的輸入值成為恒定值。然后，當光電檢測器31M的輸入值的微分系數(shù)從正變到0時，主基片3M確定連接 到光波導2A上的全部從屬基片3S的存在被檢查，并且在圖5(圖22)中的步驟SA5中，其 自己設備的激光二極管30M斷開。而且，在主基片3M中，響應其自己設備的激光二極管30M的斷開，在圖7中的步驟 SB6中，當從屬基片3S的激光二極管30S斷開時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級 減小，直到全部從屬基片3S的激光二極管30S都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都斷開時成為“O”。鑒于上文，在圖22中的步驟SA6a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并 且在步驟SA6b中，例如通過圖15的流程圖的處理，確定光電檢測器31M的輸入值是否成為 O0然后，當光電檢測器31M的輸入值成為0時，主基片3M確定當電源通時的處理在 全部從屬基片3S中被完成，并且當電源通時的處理被結束。圖23是流程圖，表示當電源是通時從屬基片3S的處理的細節(jié)，并且其次，將給出 在從屬基片3S中當電源是通時的處理細節(jié)的描述。應該注意，在圖23中，對于在圖7的流 程圖中描述的相同處理，賦予相同的處理步驟標記。如以上描述的那樣，在從屬基片3S中，響應在圖5(圖22)中的步驟SA3中主基片 3M的激光二極管30M的接通，當在圖7(圖23)中的步驟SB4中接通激光二極管30S時，光 電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通，并且當全 部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。然后，主基片3M檢查全部從屬基片3S的存在，并且當斷開激光二極管30M時，在 步驟SA5中，相應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。鑒于上文，在圖23中的步驟SB5a中，從屬基片3S得到光電檢測器31S的輸入值， 并且在步驟SB5b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的處理從正變到0 和此后從0變到負，確定光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小。然后，當光電檢測器31S的輸入值的微分系數(shù)從正變到0和此后從0變到負時，從 屬基片3S確定主基片3M檢查了全部從屬基片3S的存在，并且在圖7 (圖23)中的步驟SB6 中，其自己設備的激光二極管30S斷開。2.主基片決定從屬基片的排列和數(shù)量的處理其次，為使主基片3M決定從屬基片3S的排列和數(shù)量，將描述在主基片3M和從屬 基片3S中執(zhí)行的處理的概要。圖24是時序圖，表示決定從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理；圖25是流程圖，表示 當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的處理；及圖26是時間圖，表示當決定從屬 基片3S的排列和數(shù)量時在主基片3M中的激光二極管輸出和光電檢測器輸入的等級變化。 而且，圖27是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的處理；圖28 是時間圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時在從屬基片3S中的激光二極管輸出和 光電檢測器輸入的等級變化。(2-1)在圖25中的步驟SDl中，主基片3M接通其自己設備的激光二極管 30M(mLD)。 如以上描述的那樣，在主基片3M中，從激光二極管30M輸出的光透射過光波導2A， 并且輸入到其自己設備的光電檢測器31M(mPD)。根據(jù)這個，光電檢測器31M的輸入等級增 大到圖26的等級LMl。 而且，由于主基片3M的激光二極管30M接通，所以從主基片3M輸出的光透射過光 波導2A，并且輸入到從屬基片3S的光電檢測器31S(sPD)。根據(jù)這個，在圖27的步驟SEl 中，在連接到光波導2A上的相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大到圖28 的等級LSI。
(2-2)在圖27中的步驟SE2中，由于從主基片3M輸出的光輸入到光電檢測器31S， 所以當光電檢測器31S的輸入等級增大到預定值(LSI)時，相應從屬基片3S接通其自己設 備的激光二極管30S。
響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當相應從屬基片3S的激光二極管30S 接通時，從相應從屬基片3S輸出的光透射過光波導2A，并且在圖25中的步驟SD2中，輸入 到主基片3M的光電檢測器31M。由于從相應從屬基片輸出的光輸入到主基片3M的光電檢測器31M，所以在主基片 3M中，光電檢測器3IM的輸入等級增大。在圖26中，也表明連接兩片從屬基片3S的情況的例子，并且當接通第一從屬基 片3S的激光二極管30S(slLD)時，在主基片3M中，光電檢測器31M的輸入等級增大到等級 LM2。此外，當接通第二從屬基片3S的激光二極管30S(S2LD)時，光電檢測器31M的輸入等 級增大到等級LM3。如以上描述的那樣，在主基片3M中，當響應其自己設備的激光二極管30M的接通， 在從屬基片3S中接通激光二極管30S時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直 到全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S 都接通時成為恒定值。鑒于上文，當光電檢測器3IM的輸入值成為恒定值時，在圖25中的步驟SD3中，主 基片3M檢查在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中執(zhí)行激光二極管30S的輸出。應 該注意，下面將描述主基片3M檢查在從屬基片3S中執(zhí)行激光二極管30S的輸出的處理的 細節(jié)。而且，響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當光從相應從屬基片3S輸出時， 在相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大。例如，在第一從屬基片3S中，當其自己設備(S1LD)的激光二極管30S接通時輸出 的光輸入到其自己設備的光電檢測器31S。根據(jù)這個，光電檢測器31S的輸入等級增大到圖 28的等級LS2。而且，響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當?shù)诙膶倩?S(S2LD)的激光 二極管30S接通時，在第一從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大到等級LS3。應 該注意，第二從屬基片側也具有類似操作。當主基片3M檢查在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中執(zhí)行激光二極管30S 的輸出時，在圖25中的步驟SD4中，計算從屬基片3S的排列和數(shù)量。應該注意，下面將描 述主基片3M計算從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理的細節(jié)。(2-3)當主基片3M計算連接到光波導2A上的從屬基片3S的排列和數(shù)量時，在圖 25中的步驟SD5中，其自己設備的激光二極管30M斷開。由于主基片3M的激光二極管30M斷開，所以在從屬基片3S中，光電檢測器31S的 輸入等級從圖28的等級LS3減小。如以上描述的那樣，在從屬基片3S中，響應主基片3M的激光二極管30M的接通， 當激光二極管30S接通時，光電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光 二極管30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。然后，主基片3M計算全部從屬基片3S的排列和數(shù)量，并且當激光二極管30M斷開時，相應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。鑒于上文，當光電檢測器3IS的輸入值從恒定值減小時，在圖27中的步驟SE3中，從屬基片3S確定主基片3M完成了對于從屬基片3S的排列和數(shù)量的計算。應該注意，下面 將描述處理的細節(jié)，該處理是從屬基片3S檢查由主基片3M完成對于從屬基片3S的排列和 數(shù)量的計算。(2-4)當相應從屬基片3S確定由主基片3M完成對于全部從屬基片3S的排列和數(shù) 量的計算時，在圖27中的步驟SE4中，其自己設備的激光二極管30S斷開。由于相應從屬基片3S的激光二極管30S斷開，所以在主基片3M中，光電檢測器的 輸入等級減小。如以上描述的那樣，在主基片3M中，當響應其自己設備的激光二極管30M的斷開， 在從屬基片3S中斷開激光二極管30S時，主基片3M的光電檢測器3IM的輸入等級減小，直 到全部從屬基片3S的激光二極管30S都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S 都斷開時成為“0”。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為0時，在圖25中的步驟SD6中，主基片 3M確定全部從屬基片3S都應答了，并且計算從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理結束。應該 注意，下面將描述主基片3M確定從屬基片3S應答的處理的細節(jié)。圖29是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的處理的細 節(jié)，并且其次，將給出當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時通過主基片3M的處理的細節(jié)。應 該注意，在圖29中，對于在圖25中的流程圖中描述的相同處理，賦予相同的處理步驟標記。如以上描述的那樣，在主基片3M中，當響應在圖25(圖29)的流程圖中在步驟SDl 中其自己設備的激光二極管30M的接通，從屬基片3S的激光二極管30S在圖27中的步驟 SE2中接通時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光 二極管30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。鑒于上文，在圖29中的步驟SD3a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并 且在步驟SD3b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變到 0，確定光電檢測器31M的輸入值成為恒定值。然后，當光電檢測器31M的輸入值的微分系數(shù)從正變到0時，主基片3M確定在連 接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管30S的輸出被檢查，并且在圖25 (圖 29)中的步驟SD4中，計算從屬基片3S的排列和數(shù)量。而且，在主基片3M中，響應其自己設備的激光二極管30M的斷開，在圖27中的步 驟SE4中，當從屬基片3S的激光二極管30S斷開時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等 級減小，直到全部從屬基片3S的激光二極管30S都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二 極管30S都斷開時成為“0”。鑒于上文，在圖29中的步驟SD6a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并 且在步驟SD6b中，例如通過圖15的流程圖的上述處理，確定光電檢測器31M的輸入值是否 成為0。然后，當光電檢測器3IM的輸入值成為0時，主基片3M確定全部從屬基片3S都應 答了，并且決定從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理被結束。圖30是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的處理的細節(jié)，并且其次，將給出當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的處理細節(jié)的描述。 應該注意，在圖30中，對于在圖27的流程圖中描述的相同處理，賦予相同的處理步驟標記。如以上描述的那樣，在從屬基片3S中，響應在圖25 (圖29)中的步驟SDl中主基 片3M的激光二極管30M的接通，當在圖27 (圖30)中的步驟SE2中接通激光二極管30S時， 光電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通，并且當 全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。然后，主基片3M決定全部從屬基片3S的排列和數(shù)量，并且在步驟SD5中，當斷開 激光二極管30M時，相應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。鑒于上文，在圖30中的步驟SE3a中，從屬基片3S得到光電檢測器31S的輸入值， 并且在步驟SE3b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變 到0和此后從0變到負，確定光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小。
然后，當光電檢測器31S的輸入值的微分系數(shù)從正變到0和此后從0變到負時，從 屬基片3S確定主基片3M決定全部從屬基片3S的排列和數(shù)量，以便用于下面將描述的ID 分配，在圖30中的步驟SE3c中，在其自己設備的光電檢測器31S的輸入值被保存之后，在 圖27 (圖30)的步驟SE4中，其自己設備的激光二極管30S斷開。其次，將描述用來計算全部從屬基片3S的排列和數(shù)量的PD輸入等級表。圖31是曲線圖，表示輸入到光電檢測器31M的光的等級，并且在圖31中，水平軸 代表光接收角θ (0°至180° )，并且豎直軸代表輸入等級。在主基片3Μ中，光電檢測器311^的等級分布按角θ劃分成N份，并且與角度Qi 相對應的輸入等級定義為PD10i。然后，關于全部劃分具有與角度Qi相對應的輸入等級 PD10i的向量PDl由如下表達式(3)定義。PDl = (Ρ 1θ1>Ρ 1θ2> ...PD10N、)…(3)根據(jù)這個，通過按角度θ i調(diào)節(jié)從屬基片3S的排列，當從屬基片3S布置在全部排 列的任一個處時，在可布置最大S個從屬基片3S并且在恒定光量下接通激光二極管30S的 場合，有可能預先從輸入到主基片SM1的光電檢測器31M的光的等級，計算輸入等級表tPDpS個從屬基片3S在0至360°的范圍中可取得2N_1個排列。就是說，由于0至 180°劃分成N份，所以在圓周上執(zhí)行劃分成2N。在這時，從屬基片3S的排列信息由在如下表達式(4)中的排列向量Wm代替。明 確地說，排列0至排列2N-1與向量的元素編號相關聯(lián)。Wm = (isNode( θ )，isNode( θ D，…，isNode ( θ )…(4)其中，m= 0、1、2、...，22Ν-1-1。此外，指示是否排列從屬基片3S(主基片3Μ)的信息與值1或0相關聯(lián)。就是說， isNode ( θ J = 1代表在位置θ i處存在從屬基片3S (主基片3M)，并且isNode ( θ ^= 0代 表在位置θ i處不存在從屬基片3S。應該注意，排列0代表主基片3M，并且這個元素經(jīng)常 設置為1。圖32是解釋圖，表示主基片3M和從屬基片3S的排列例子。在圖32中，排列0是 其中布置主基片3M的位置。而且，排列1、2、…、2N-1是其中可布置從屬基片3S的位置。例如，在圖32中，其中從屬基片3S布置在排列1和2和排列k處的狀態(tài)可在排列 向量Wm中由如下表達式(5)代表。
Wm = [1,1,1,0,…，0，1(排列 k)，0，...，0]…(5)相反，通過調(diào)查在排列向量Wm中其值等于1的元素編號，理解從屬基片3S布置在 與元素相對應的位置處。順便說明，如在如下表達式(6)中表示的那樣，通過取得排列向量Wm和向量PD1的 內(nèi)積，在其中從屬基片3S排列在由排列向量Wm識別的位置處的情況下，可得到輸入到主基 片SM1的光電檢測器3IM的輸入等級。tPDlwi = Wm · PD1... (6)關于其中布置一片從屬基片3S的位置的組合具有2N-1個位置，并且排列的存在 或缺少獨立地存在，并因此關于其中布置一片從屬基片3S的位置的組合具有22Μ種方式。就全部組合的這個向量W而論，通過取得與以上描述的PD1的內(nèi)積，可以計算在如 下表達式(7)中表示的輸入等級表tPDp[表達式2]
f tPDm^i、
/"W^iW ^
tPD”W0 PD10q W00 W01 ...... W02nhpdW0
...VV1 PD城 W10 Wu ...... W12nhΡ° ·θ,
* * *w 令·· · =· · ■···· 者· · ·麵* * *………..............................…
PD
1,22Ν_1-2 WPDW2nh W2nh ......W2^1PD
PDV J \ z^J VJ
I 1 廣1-ij
…(7)其中，輸入等級表tPDi指示22Μ X 1維向量，排列向量Wm指示22M X 2N維向量，及 向量PD1指示2NX1維向量。圖33是解釋圖，表示表的例子，在該表中，在光電檢測器3IM1中的輸入等級表IPD1 與排列向量Wm相關聯(lián)，并且主基片3M具有光電檢測器SlM1中在輸入等級表tPDi與排列向 量Wm之間的關系的表。關于光電檢測器3碰2也預先計算類似的表。根據(jù)這個，主基片3M基于其自己設備的光電檢測器SlM1和31M2的輸入值搜索該 表，從而可得到從屬基片3S的排列向量W。應該注意，在上述例子中，光波導2A的周向按相等間隔劃分成N份，并且在假定從 屬基片3S在2N-1個位置處可能存在的同時，創(chuàng)建輸入等級表。然而應該是，在周向上的相 等間隔位置不一定被設置為其中從屬基片3S可能存在的位置。就是說，即使其中從屬基片3S可能存在的位置不相等地間隔開，而是可能是不規(guī) 則排列，從在從屬基片3S的位置與光之間的關系，如以上描述的那樣，也有可能創(chuàng)建輸入 等級表。根據(jù)這個，即使其中從屬基片3S可能存在的位置是不規(guī)則排列，從輸入到主基片 3M的光電檢測器31M的光的等級，也有可能決定從屬基片3S的數(shù)量和位置。圖34是流程圖，表示由主基片3M計算從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理的例子， 并且其次，將給出在圖25 (圖29)中的步驟SD4中計算從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理的 細節(jié)的描述。
當主基片3M在圖25 (圖29)中的步驟SD3(a、b)中確定在連接到光波導2A上的 全部從屬基片3S中執(zhí)行激光二極管30S的輸出被檢查時，在圖34中的步驟SFl中得到光 電檢測器3IM1的PD輸入值PD1JN和光電檢測器3IM2的PD輸入值PD2_IN。
在圖34中的步驟SF2a中，從與排列向量W1相對應的上述PD輸入等級表IPD1-該 PD輸入等級表tPDi是輸入到光電檢測器SlM1的光的等級-該等級按照從屬基片3S的排 列和從屬基片3S的排列信息變化，基于光電檢測器SlM1的PD輸入值PD1JN,主基片3M搜 索從屬基片SS1的排列向量W。類似地，在圖34中的步驟SF2b中，從與排列向量W2相對應的PD輸入等級表tPD2-該PD輸入等級表tPD2是輸入到光電檢測器31M2的光的等級-該等級按照從屬基片 3S的排列和從屬基片3S的排列信息變化，基于光電檢測器31M2的PD輸入值PD2_IN，主基 片3M搜索從屬基片3S2的排列向量W。主基片3M在圖34中的步驟SF3中得到從屬基片3S的排列向量W，該排列向量W 由基于光電檢測器SlM1的輸入值的排列向量W1和基于光電檢測器31M2的輸入值的排列向 量W2唯一地決定。主基片3M在圖34中的步驟SF4中，基于從屬基片3S的排列向量W，計算從屬基片 3S的數(shù)量。主基片3M在圖34中的步驟SF5中，基于從屬基片3S的排列向量W，計算從屬基片 3S的位置。圖35是流程圖，表示搜索PD輸入等級表的處理的例子，并且其次，將給出在圖34 中的步驟SF2 (a、b)中搜索PD輸入等級表的處理的細節(jié)的描述。由于可連接到光波導2A上的從屬基片3S的數(shù)量是2N_1件，所以PD輸入等級表 tPDi按照其中根據(jù)本例子可布置從屬基片3S的位置，具有22Μ種方式的組合。為此，在圖35中的步驟SF21至SF23中，主基片3Μ計算在光電檢測器SlM1的PD 輸入值PD1JN與第i個PD輸入等級表tPDi, i之間的差，以搜索最接近光電檢測器SlM1的 PD輸入值PD1JN的元素。當在圖35中的步驟SF24中確定第i個PD輸入等級表IPD1,i足夠接近所述PD輸 入值時，主基片3M得到與第i個PD輸入等級表tPDi, i相對應的排列向量W1, 并且類似地 在圖35中的步驟SF25和SF26中搜索第(i+Ι)元素。而且，主基片3M關于全部PD輸入等級表tPD2搜索最接近光電檢測器31M2的PD 輸入值PD2_IN的元素，并且得到與最接近輸入值的元素相對應的排列向量W2, i。圖36是流程圖，表示從多個候選對象決定排列向量的處理的例子，并且其次，將 給出在圖34中的步驟SF3中決定排列向量的處理的細節(jié)的描述。主基片3M在圖36中的步驟SF31至SF36中，將從光電檢測器SlM1的PD輸入值 PDlIN得到的i個排列向量W1與從光電檢測器31M2的PD輸入值PD2_IN得到的j個排列 向量W2依次比較，并且在步驟SF37中，將其中排列向量W1與排列向量W2相匹配的一個設 置為最終排列向量W。圖37是流程圖，表示決定從屬基片3S的數(shù)量的處理的例子，并且其次，將給出在 圖34中的步驟SF4中決定從屬基片3S的數(shù)量的處理的細節(jié)的描述。主基片3M在步驟SF41、SF42、SF44、及SF45中，相對于除主基片之外的全部元素，執(zhí)行搜索其值是1的元素的數(shù)量的處理，1指示在圖37中的步驟SF43中在決定的排列向量 W中基片的存在。圖38是流程圖，表示決定從屬基片3S的排列的處理的例子，并且其次，將給出在 圖34中的步驟SF5中決定從屬基片3S的位置的處理的細節(jié)的描述。主基片311在步驟5 51工 52、5 55、及SF56中，相對于除主基片之外的全部元素， 執(zhí)行如下處理在圖38中的步驟SF53中，搜索其值是指示在決定的排列向量W中基片存在 的1的元素；和在步驟SF54中，識別其中從屬基片3S在與其值是1的元素相對應的角度θ 處存在的位置。在這時，由主基片3Μ計算從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理具有與當電源通時的 處理相同的對于LD的接通和斷開的控制，并因此，在當主基片3Μ找出未知從屬基片3S時 的同時，主基片可執(zhí)行計算從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理。3.由主基片3Μ將ID分配給從屬基片3S的處理其次，將描述由主基片3Μ和從屬基片3S執(zhí)行的、主基片3Μ將ID分配給從屬基片 3S的處理的概要。圖39是時序圖，表示將ID分配給從屬基片3S的處理；圖40是流程圖，表示當將 ID分配給從屬基片3S時主基片3Μ的處理；及圖41是流程圖，表示當將ID分配給從屬基 片3S時從屬基片3S的處理。主基片3Μ在圖40中的步驟SGl和SG2中，關于其位置被決定的全部從屬基片3S 依次執(zhí)行ID分配處理。一旦決定連接到光波導2Α上的從屬基片3S的位置和數(shù)量，在如以上描述的那樣 電源通時或通過決定位置和數(shù)量等的處理，當主基片3Μ和全部從屬基片3S接通激光二極 管時，主基片3Μ可得到輸入到相應從屬基片3S的光電檢測器SlS1和光電檢測器31S2的光 的等級。就是說，在圖40中的步驟SG3中，從全部從屬基片3S的位置，關于在第i排列處 的從屬基片3S，主基片3M得到主基片3M和其它從屬基片3S的排列信息(排列向量)，并 且然后，通過利用上述輸入等級表tPDi和tPD2，從排列信息，得到輸入到從屬基片SS1的第 i光電檢測器31S的光的輸入等級HiPD1、和輸入到光電檢測器31S2的光的輸入等級mPD2。在圖40中的步驟SG4中，主基片3M輸出關于從激光二極管30M起第i排列處的 從屬基片3S得到的PD輸入等級HiPD1和HiPD2和ID信息，以將ID分配給其中光電檢測器 SlS1和31S2的PD輸入等級是HiPD1和HiPD2的從屬基片3S。在圖41中的步驟SHl中，連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M接 收PD輸入等級IiiPD1和HiPD2和ID。在圖41中的步驟SH2中，在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理中，從屬基片3S 將在圖30的流程圖中的步驟SE3c中保存的光電檢測器SlS1的實際輸入值SPD1與HiPD1相 比較，并且還將光電檢測器31S2的實際輸入值SPD2與HiPD2相比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器SlS1和31S2的輸入值和從主基片3M得 到的PD輸入等級HiPD1和HiPD2匹配時，在圖41中的步驟SH3中，從屬基片3S確定ID分配 給其自己設備，并且在圖41中的步驟SH4中保存這個ID，并且在其中PD輸入值不匹配的情 況下，丟棄該ID。
當從屬基片3S由于PD輸入值匹配而被分配有ID時，在圖41中的步驟SH5中，由 激光二極管30S輸出指示ID被分配的信息，以通知主基片3M。當從從屬基片3S接收到指示ID被分配的信息時，在圖40中的步驟SG5中，主基 片3M檢查第i從屬基片3S分配有ID，如果第(i+Ι)從屬基片3S存在，則通過在步驟SG6 中和在步驟SG2中的類似處理執(zhí)行ID分配，并且如果ID應該分配給的下個從屬基片3S不 存在，則結束關于全部從屬基片3S的ID分配。圖42是流程圖，表示當將ID分配給從屬基片3S時在考慮到測量誤差的同時主基 片3M的處理；并且圖43是流程圖，表示當將ID分配給從屬基片3S時在考慮到測量誤差的 同時從屬基片3S的處理。 順便說明，在相應從屬基片3S中，基于由主基片3M保存的輸入等級表tPD2和tPD2 和由光電檢測器SlS1和31S2實際得到的輸入值的PD等級分布在某些情況下可能被認為具 有誤差。為此，對于相應光電檢測器中的每一個，通過按照誤差的量值添加估計值的權重， 改進ID分配的精度。就是說，在圖42中的步驟SIl和SI2中，由于主基片3M關于其位置被決定的全部 從屬基片3S執(zhí)行依次分配ID的處理，所以在步驟SI3中，通過利用上述輸入等級表tPDi和 tPD2，從排列信息，得到輸入到從屬基片3S的第i光電檢測器SlS1的光的輸入等級HiPD1和 輸入到光電檢測器31S2的光的輸入等級mPD2。在圖42中的步驟SI4中，主基片3M輸出關于在第i排列處的從屬基片3S得到的 PD輸入等級mPDjnmPD2、PD輸入等級的誤差允許范圍Δ、用來計算與光電檢測器SlS1相對 應的估計值的加權因數(shù)Ci1、用來計算與光電檢測器31S2相對應的估計值的加權因數(shù)α2、 及來自激光二極管30Μ的ID信息mID，以將這些信息發(fā)送到全部從屬基片3S。在圖43中的步驟SJl中，連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M接 收PD輸入等級HiPD1和mPD2、PD輸入等級的誤差允許范圍Δ、用來計算估計值的加權因數(shù) α 工禾口 ct 2、及 mID。在圖43中的步驟SJ2中，從屬基片3S確定在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處 理中保存的光電檢測器3IS1和3IS2的實際輸入值SPD1和SPD2相對于來自主基片3M的PD 輸入等級HiPD1和HiPD2是否在誤差允許范圍Δ內(nèi)。這里，以這樣一種方式進行比較，從而通過將在光電檢測器SlS1的實際輸入值 SPD1和HiPD1之間的差乘以加權因數(shù)α工得到的值和通過將在光電檢測器31S2的實際輸入 值SPD2和HiPD2之間的差乘以加權因數(shù)α 2得到的值的相加值小于誤差允許范圍Δ。當光電檢測器3戰(zhàn)和31S2的實際輸入值SPD1和sPD2相對于來自主基片3M的PD 輸入等級HiPD1和HiPD2在誤差允許范圍Δ內(nèi)時，在圖43中的步驟SJ3中，從屬基片3S將來 自主基片3Μ的mID設置為sID，作為其自己設備的ID。主基片3M在圖42中的步驟SI5中，發(fā)送用來從其ID是mID的從屬基片3S中讀 出sID的ID獲取命令。在圖43中的步驟SJ4中，當從屬基片3S從主基片3M接收到ID獲取命令時，在步 驟SJ5中，從激光二極管30S輸出保存的sID信息，以將sID發(fā)送到主基片3M。在圖42中的步驟SI6中，主基片3M得到來自從屬基片3S的sID，以在步驟SI7中 與mID相比較。
當可從從屬基片3S得到與mID相匹配的sID時，主基片3M檢查ID分配給相關從 屬基片3S，并且在圖42中的SI8和步驟SI2中，如果第(i+Ι)從屬基片3S存在，則通過類 似處理執(zhí)行ID分配，并且如果ID應該分配給的下個從屬基片3S不存在，則結束關于全部 從屬基片3S的ID分配。與此相對照，在其中不能從從屬基片3S得到與mID相匹配的sID的情況下，在圖 42中在步驟SI9中，主基片3M更新誤差允許范圍Δ，以將關于誤差的允許范圍設置成更 大，并且按類似處理執(zhí)行ID分配。圖44是流程圖，表示當將ID分配給其排列被唯一決定的從屬基片3S時主基片3Μ的處理的細節(jié)；并且圖45是流程圖，表示當將ID分配給其排列被唯一決定的從屬基片3S 時從屬基片3S的處理的細節(jié)。其次，在圖34的上述流程圖中，將描述在其中從屬基片3S 的排列被唯一決定的情況下用來將ID分配給從屬基片3S的處理的細節(jié)。主基片3Μ在圖44中的步驟SKl中，開始關于在排列i處的從屬基片3S的ID分 配處理。在這時，當包括主基片3M的節(jié)點數(shù)量設置為N件時，在圖44中的步驟SK2中，主 基片3M按除其自己設備的號碼之外的號碼從i = 0至i = N-1，依次關于從屬基片3S分配 ID。主基片3M在圖44中的步驟SK3至SK7中，得到從其它從屬基片3S的激光二極管 30S輸出到在排列i處的從屬基片3S的光電檢測器SlS1和31S2的光在哪個等級處。就是說，在圖44中的步驟SK6中，主基片3M計算在其中從在除排列i之外的排列 j處的從屬基片3S的激光二極管30S輸出的光輸入到在排列i處的從屬基片SS1的光電檢 測器31S的情況下的PD輸入值PD1 (i，j)、和在其中光輸入到光電檢測器31S2的情況下的 PD輸入值PD2 (i，j)，并且在步驟SK7中，求和計算的PD輸入值。然后，關于除排列i之外的全部從屬基片3S的LD輸出通過依次求和在排列i處 的從屬基片SS1的光電檢測器31S中的PD輸入值PD1G, j)而得到的PD輸入值的總和，成 為輸入到在排列i處的從屬基片SS1的光電檢測器31S的PD輸入值SumPDp類似地，通過依次求和在排列i處的從屬基片3S2的光電檢測器31S中的PD輸入 值PD2(i，j)而得到的PD輸入值的總和，成為輸入到光電檢測器31S2的PD輸入值SumPD2。在圖44中的步驟SK8中，主基片3M通過來自激光二極管30M的光將關于在排列 i處的從屬基片3S得到的PD輸入值SumPD1和SumPD2、和ID信息發(fā)送到全部從屬基片3S， 并且將ID分配到具有SumPD1和SumPD2的從屬基片3S作為PD輸入值。連接到光波導2A上的全部從屬基片3S在圖45中的步驟SLl中，從主基片3M接 收PD輸入等級SumPD1和SumPD2、和ID。在圖45中的步驟SL2中，從屬基片3S將在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理 中保存的光電檢測器SlS1的實際輸入值SPD1與SumPD1相比較，并且還將光電檢測器31S2 的實際輸入值SPD2與SumPD2相比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器SlS1和31S2的輸入值和從主基片3M得 到的PD輸入等級SumPD1和SumPD2匹配時，在圖45中的步驟SL3中，從屬基片3S確定ID 被分配給其自己設備，并且在圖45中的步驟SL4中，保存這個ID，而在其中PD輸入值不匹 配的情況下，丟棄該ID。當從屬基片3S由于PD輸入值匹配而被分配有ID時，在圖45中的步驟SL5中，由激光二極管30S輸出指示ID被分配的信息，以通知主基片3M。當從從屬基片3S接收到指示ID被分配的信息時，在圖44中的步驟SK9中，主基 片3M檢查ID被分配給在排列i處的從屬基3S，并且在步驟SKlO中和在步驟SK2中，如果 第(i+Ι)從屬基片3S存在，則通過類似處理執(zhí)行ID分配，而如果ID應該分配給的下個從 屬基片3S不存在，則結束關于全部從屬基片3S的ID分配。
應該注意，也在本例子中，如在圖43和43中的上述處理中那樣，通過按照用于光 電檢測器中的每一個的誤差大小求和用于估計值的權重，可改進ID分配的精度。圖46A、46B及46C表示PD輸入等級的分布，其中，圖46A是曲線圖，代表從主基片 3M看到的分布，并且圖46B和46C是曲線圖，代表從在排列W(i)處的從屬基片3S看到的分 布。而且，圖47A和47B是解釋圖，表示相對于主基片3M在排列W(i)處和在排列W (j)處 從屬基片3S的排列例子。其次，將描述由主基片3M計算輸入到從屬基片3S的光的等級的處理的細節(jié)。在 這時，指定在排列W(i)處的從屬基片3S相對于主基片3M在角θ 的位置處，并且在排列 W(J)處的從屬基片3S相對于主基片3M在角θ j的位置處。在圖46A中，表示在如下情況下從角θ處布置的從屬基片3S輸入到主基片3Μ 的光電檢測器31Μ的光的等級分布，即，其中，在光波導2Α相對于主基片3Μ放在其之間的 180°處的位置，即主基片3Μ的前正面被設置為0°。主基片3Μ具有關于在圖46Α中表示 的PD輸入等級的分布的信息，作為在圖33中表示的表。與此相對照，當考慮從在排列W(j)處的從屬基片3S輸入到在W(i)處的從屬基片 3S的光的等級時，如圖47A中所示，在9i> θ j的情況下，在排列W(j)處的從屬基片3S 相對于在排列W(i)處的從屬基片3S在θ i- θ j的位置處。為此，當在排列W(i)處的從屬基片3S被認為布置在士 180°的位置處時，在排列 W(J)處的從屬基片3S在180° -(θ -θ j)的位置處。根據(jù)這個，從在排列W(j)處的從屬 基片3S的激光二極管30S輸入到在排列W(i)處的從屬基片3S的光電檢測器SlS1和31S2 的光的PD輸入值PD1(Lj)和PD2(i，j)成為在圖46B中由PDIN_W(i)指示的箭頭。另一方面，如圖47B中所示，在θ i < θ j的情況下，在排列W(j)處的從屬基片3S 相對于在排列W(i)處的從屬基片3S在θ j- θ i的位置處。為此，當在排列W(i)處的從屬基片3S被認為布置在士 180°的位置處時，在排列 W(j)處的從屬基片3S在-180° +(Θ j-0i)的位置處。根據(jù)這個，從在排列W(j)處的從屬 基片3S的激光二極管30S輸入到在排列W(i)處的從屬基片3S的光電檢測器SlS1和31S2 的光的PD輸入值PD1(Lj)和PD2(i，j)成為在圖46C中由PDIN_W(i)指示的箭頭。鑒于上文，當相對于主基片3M在排列W(i)和排列W(j)處存在的從屬基片3S的 角度分別設置為和時，在0i< θ j時，引入在如下表達式⑶中表示的函數(shù)F，并 且在θ i > θ j時，引入在如下表達式(9)中表示的函數(shù)F。F( θ i, θ j) = -180+( θ j- θ i)..· (8)F( θ i, θ j) = 180-( θ i-θ j)... (9)在這時，在排列W(j)處的從屬基片3S的LD輸出被輸入到在排列W(i)處的從屬 基片3S，作為下面描述的表達式(10)和表達式(11)的值。等級=PD( θ i，j)…(10)
θ i, j = F(W(i)，W(j))…(11)圖48是流程圖，表示當將ID分配給其排列被唯一決定的從屬基片3S時主基片3M 的處理的細節(jié)，并且其次，將給出在其中在圖34的上述流程圖中不能決定從屬基片3S的排 列的情況下將ID分配給從屬基片3S的處理的細節(jié)的描述。應該注意，關于從屬基片3S的 處理與圖45的流程圖相同。如以上描述的那樣，通過設置兩件光電檢測器，通過使一個相對于另一個傾斜，破 壞光衰減的對稱性質。然而應該是，如圖2B中所示，在0°與士 180°之間的范圍中，存在 其中PD輸入等級彼此相等的位置。為此，在PD輸入等級表中，元素具有相同的PD輸入等 級和不同的排列向量。在如下描述中，假定用于從屬基片3S的排列候選對象Wi具有N件。在用于從屬 基片3S的排列候選對象Wi (i = 0、1、…、N)中，如在如下表達式(12)中表示的那樣，包括 關于在全部候選對象中確認的從屬位置(在實線內(nèi))和未確認從屬位置(在雙點劃線內(nèi)) 的兩條信息。[表達式3]
<formula>formula see original document page 29</formula>
在這時，假定從屬基片3S在其值是1的位置處存在，1相對于用于從屬基片3S的 相應排列候選對象Wi指示基片的存在。然后，預測輸入到在其中假定從屬基片3S存在的特定位置處布置的從屬基片3S 的PD輸入等級。例如，根據(jù)本例子，預測在與第0元素相對應的位置處的從屬基片3S的PD 輸入等級，并且如果可分配ID，則確認從屬基片3S的排列。另一方面，如果不能分配ID，則 預測在與下個元素相對應的位置處的從屬基片3S的PD輸入等級，并且進行ID分配。這個 過程重復地執(zhí)行，直到可分配ID。就是說，主基片3M在圖48中的步驟SMl中，針對排列候選對象Wi的特定從屬基 片3S開始ID分配處理。在這時，當從屬基片3S的排列候選對象的數(shù)量設置為N時，在圖 48中的步驟SM2中，關于從i = 0至i = N的排列候選對象，執(zhí)行ID分配處理，直到可分配 ID。在圖48中的步驟SM3中，主基片3M通過在圖44的上述流程圖中的步驟SK3至SK7 中的處理，預測從其它從屬基片3S的激光二極管30S輸入到排列候選對象Wi的特定從屬基 片3S的光電檢測器31S，從屬基片3S的光電檢測器3IS1和3IS2，的光的PD輸入值SumPD1 和 SumPD2。在圖48中的步驟SM4中，主基片3M將相對于排列候選對象Wi的特定從屬基片3S 得到的PD輸入值SumPD1和SumPD2、和ID信息，通過來自激光二極管30M的光，發(fā)送到全部 從屬基片3S，并且將ID分配給具有作為PD輸入值的SumPD1和SumPD2的從屬基片3S。連接到光波導2A上的全部從屬基片3S在圖45中的步驟SLl中，從主基片3M接 收PD輸入等級SumPD1和SumPD2以及ID。
在圖45中的步驟SL2中，從屬基片3S將在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理中保存的光電檢測器SlS1的實際輸入值SPD1與SumPD1相比較，并且還將光電檢測器31S2 的實際輸入值SPD2與SumPD2相比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器SlS1和31S2的輸入值和從主基片3M得 到的PD輸入等級SumPD1和SumPD2匹配時，在圖45中的步驟SL3中，從屬基片3S確定ID 分配給其自己設備，并且在圖45中的步驟SL4中，保存這個ID，而在其中PD輸入值不匹配 的情況下，丟棄該ID。當從屬基片3S由于PD輸入值匹配而分配有ID時，在圖45中的步驟SL5中，由激 光二極管30S輸出指示ID被分配的信息，以通知主基片3M。主基片3M在圖48中的步驟SM5中，基于指示來自從屬基片3S的ID被分配的信 息的接收的存在或缺少，檢查ID被分配到排列候選對象Wi的特定從屬基片3S，并且當在圖 48中的步驟SM6中檢查到ID被分配到從屬基片3S時，在圖48中的步驟SM7中，將從屬基 片3S的排列決定為排列候選對象W”在決定從屬基片3S的排列之后，主基片3M通過圖44的流程圖的上述處理將ID 分配給全部從屬基片3S。而且，在圖48中的步驟SM6中，在其中檢查到ID不能分配給從屬基片3S的情況 下，主基片3M返回在圖48中的步驟SM2，并且執(zhí)行相對于排列候選對象Wi+1的特定從屬基 片3S的ID分配處理。<根據(jù)第二實施例的信號處理設備的配置例子>圖49A和圖49B表示根據(jù)第二實施例的信號處理設備的概要，其中圖49A是示意 平面圖，表示在根據(jù)第二實施例的信號處理設備IB中的光輸入輸出單元的排列，并且圖 49B是曲線圖，表示當激光二極管傾斜時光電檢測器的輸入等級的關系。如圖IA中所示，根據(jù)第二實施例的信號處理設備IB設有光透過其的光波導2A、和 連接到光波導2A上的主基片3M和從屬基片3S。主基片3M和從屬基片3S分別設有激光二極管30M和30S、和光電檢測器31M和 31S，并且為了破壞在光波導2A中光衰減的對稱性質，在相應基片中，如圖49A中所示，激光 二極管30M和30S布置成，相對于光波導2A的中心在表面方向上按預定角度β傾斜。應該注意，在相應基片中，光電檢測器31Μ和31S布置成朝向光波導2Α的中心，而 且，激光二極管布置成對于相應基片每個一件，并且光電檢測器布置成對于相應基片每個 一件。在這時，在連接到光波導2Α上的主基片3Μ和從屬基片3S中，激光二極管30Μ和 30S的傾斜方向配置成與周向相同。在圖49Β中，如在圖49Α中表示的那樣，當激光二極管30Μ和30S的角度β設置 為5°時，表明當激光二極管30Μ和30S的角度θ相對于光電檢測器31S和31Μ移動時PD 輸入等級的變化。應該注意，測量范圍是從0°至士 125°的范圍。如圖49Β中所示，由于激光二極管30Μ和30S具有傾斜，所以要理解，在從0°起的 正側和負側上產(chǎn)生PD輸入等級的差，并且破壞了對稱性質。<根據(jù)第二實施例的信號處理設備的操作例子>圖50是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3Μ的另一個處理例子，并且其次，將給出在一種配置中決定從屬基片3S的排列和數(shù)量的處理的描述，在這 種配置中，在相應基片中單個激光二極管傾斜。主基片3M執(zhí)行與在圖25的上述流程圖中的步驟SDl相類似的處理，并且在圖50 中的步驟Sm中，連接到光波導2A上的全部從屬基片3S的激光二極管30S接通。當主基片3M例如通過檢測其自己設備的光電檢測器31M的輸入值飽和等，確定全 部從屬基片3S的激光二極管30S接通時，在圖50中的步驟SN2中，得到輸入到其自己設備 的光電檢測器3IM的PD輸入值。類似地如在上述第一實施例中那樣，主基片3M識別與其自己設備的激光二極管 30M和從屬基片3S的激光二極管30S相關的各種特性，例如波長、發(fā)光量、及衰減特性。而 且，主基片3M的光電檢測器31M和相應從屬基片3S的光電檢測器31S彼此相同。然后，主基片3M按照從屬基片3S的排列保存PD輸入值的等級表。這個PD輸入 值表在與根據(jù)上述第一實施例的PD輸入等級表相類似的過程中創(chuàng)建。然而應該是，根據(jù)第 二實施例，激光二極管和光電檢測器提供成在相應基片中每個一件，并且在主基片3M中， 可以存儲按照光電檢測器31M的單個輸入等級創(chuàng)建的PD輸入等級表。主基片3M在圖50中的步驟SN3中，從其自己設備的光電檢測器31M的輸入值搜 索PD輸入等級表。在圖50中的步驟SN4中，主基片3M通過由來自從屬基片3S的PD輸入值搜索PD 輸入等級表來得到排列候選對象，并且計算從屬基片3S的位置和數(shù)量。主基片3M從PD輸 入等級表得到用于從屬基片3S的排列候選對象和計算從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理與 根據(jù)上述第一實施例利用PD輸入等級表的處理類似。圖51是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的另一種處理的細節(jié)。在如下描述中，L指示用于從屬基片3S的排列候選對象的數(shù)量，并且Wi指示在用 于第i從屬基片3S的排列候選對象中的排列向量。在圖51中的步驟SOl和S02中，主基片3M開始針對排列向量Wi的從屬基片3S依 次預測PD輸入值的處理，并且執(zhí)行處理，直到針對從i = 0至i = L的排列候選對象，PD輸 入值的預測值和實際測量值匹配。主基片3M在圖51中的步驟S03中，將在由排列向量Wi識別的第i從屬基片3S的 排列中的從屬基片3S的數(shù)量設置為N。在圖51中的步驟S04至S08中，主基片3M針對從j = 0至j = N的全部從屬基 片3S，通過在圖44的上述流程圖中的步驟SK3至SK7中的處理，預測從其它從屬基片3S的 激光二極管30S輸入到在排列向量Wi中的第j從屬基片3S的光電檢測器31S的光的PD輸 入值。主基片3M在圖51中的步驟S07中，將關于針對排列向量Wi的第j從屬基片3S得 到的PD輸入值的信息，通過來自激光二極管30M的光，發(fā)送到全部從屬基片3S。當連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M接收到關于PD輸入值的信 息時，進行與在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理中保存的光電檢測器31S的實際輸入 值的比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器31S的輸入值與從主基片3M得到的PD輸入值相匹配時，從屬基片3S通過激光二極管30S，輸出指示PD輸入值的預測值和實際測 量值匹配的信息，以通知主基片3M。 在由排列向量Wi識別的第i從屬基片3S的排列中，主基片3M在圖51中的步驟 S09中，確定全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值是否匹配。
然后，在排列向量Wi中，當全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值匹 配時，在圖51中的步驟SOlO中，從屬基片3S的排列被決定為由排列向量Wi識別的第i從 屬基片3S的排列。在決定從屬基片3S的排列之后，主基片3M通過圖44的流程圖的上述處理將ID 分配給全部從屬基片3S。而且，在圖51中的步驟SOll中，在排列向量化中，在其中全部從屬基片3S的PD輸 入值的預測值和實際測量值不匹配的情況下，針對在下個排列向量Wi+1中的從屬基片3S， 依次預測PD輸入值，以進行檢查與實際測量值的匹配的處理。<根據(jù)第三實施例的信號處理設備的配置例子>圖52是配置圖，表示根據(jù)第三實施例的信號處理設備的概要。根據(jù)第三實施例的信號處理設備IC設有光透過其的光波導2A、和連接到光波導 2A的主基片3M和從屬基片3S。主基片3M和從屬基片3S分別設有激光二極管(LD) 30M和30S、和光電檢測器 (PD) 3IM和31S，并且為了破壞在光波導2A中光衰減的對稱性質，在相應基片中，光電檢測 器31M和31S被布置成相對于光波導2A的中心在表面方向上按預定角度α傾斜。應該注意，在相應基片中，激光二極管30Μ和30S布置成朝向光波導2Α的中心，而 且，激光二極管布置成對于相應基片每個一件，并且光電檢測器布置成對于相應基片每個 一件。在這時，在連接到光波導2Α上的主基片3Μ和從屬基片3S中，光電檢測器31Μ和 31S的傾斜方向配置成與周向相同。<根據(jù)第三實施例的信號處理設備的操作例子>其次，在其中相對于光波導2Α的中心傾斜的一件光電檢測器被設置在相應基片 中的配置中，將描述由主基片3Μ計算從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理。圖53是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3Μ的另一個處理 例子；并且圖54是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的另一個 處理例子。主基片3Μ在圖53中的步驟SPl中，接通其自己設備的激光二極管30M(mLD)。由 于主基片3M的激光二極管30M接通，所以從主基片3M輸出的光透射過光波導2A，并且由從 屬基片3S的光電檢測器31S(sPD)接收。根據(jù)這個，在圖54中的步驟SQl中，在連接到光 波導2A上的相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大。在圖54中的步驟SQ2中，由于從主基片3M輸出的光由光電檢測器31S接收，所以 當光電檢測器31S的輸入等級增大到預定值時，相應從屬基片3S接通其自己設備的激光二 極管30S。響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當相應從屬基片3S的激光二極管30S 接通時，從相應從屬基片3S輸出的光透射過光波導2A，并且在圖53中的步驟SP2中，由主基片3M的光電檢測器3IM接收。由于從相應從屬基片輸出的光由主基片3M的光電檢測器31M接收，所以在主基片 3M中，光電檢測器3IM的輸入等級增大。根據(jù)這個，在主基片3M中，當響應其自己設備的激光二極管30M的接通，在從屬基 片3S中接通激光二極管30S時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直到全部從 屬基片3S的激光二極管30S都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時 成為恒定值。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為恒定值時，主基片3M檢查在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中執(zhí)行了激光二極管30S的輸出。就是說，在圖53中的步驟SP3a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并且 在步驟SP3b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變到0， 確定光電檢測器31M的輸入值成為恒定值。然后，當光電檢測器31M的輸入值的微分系數(shù)從正變到0時，主基片3M確定在連 接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管30S的輸出被檢查。當檢查到在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管30S的輸出 時，在圖53中的步驟SP4中，主基片3M計算從屬基片3S的位置和數(shù)量，以計算用于從屬基 片3S的排列候選對象。當計算用于連接到光波導2A上的從屬基片3S的排列候選對象時，在圖53中的步 驟SP5中，主基片3M斷開其自己設備的激光二極管30M。在從屬基片3S中，響應主基片3M的激光二極管30M的接通，當光從相應從屬基片 3S輸出時，光電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二極管30S都接 通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都接通時成為恒定值。然后，主基片3M計算用于從屬基片3S的排列候選對象，并且在步驟SP5中，當激 光二極管30M斷開時，相應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。鑒于上文，當光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小時，從屬基片3S確定主基片 3M完成了用于從屬基片3S的排列候選對象的計算。就是說，在圖54中的步驟SQ3a中，從屬基片3S得到光電檢測器31S的輸入值，并 且在步驟SQ3b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變到 0和此后從0變到負，確定光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小。然后，當光電檢測器31S的輸入值的微分系數(shù)從正變到0和此后從0變到負時，從 屬基片3S確定主基片3M完成了對用于從屬基片3S的排列候選對象的計算，并且為了在ID 分配中利用，在圖54中的步驟SQ3c中，在保存其自己設備的光電檢測器31S的輸入值之 后，在圖54的步驟SQ4中，其自己設備的激光二極管30S斷開。由于相應從屬基片3S的激光二極管30S斷開，所以在主基片3M中，光電檢測器的 輸入等級減小。在主基片3M中，當響應其自己設備的激光二極管30M的斷開，在從屬基片3S中斷 開激光二極管30S時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級減小，直到全部從屬基片3S 的激光二極管30S都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S都斷開時成為“0”。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為0時，主基片3M確定全部從屬基片3S都應答了。 就是說，在圖53中的步驟SP6a中，主基片3M得到光電檢測器3IM的輸入值，并且 在步驟SP6b中，例如通過圖15的流程圖的上述處理確定光電檢測器31M的輸入值是否成 為0。然后，當光電檢測器3IM的輸入值成為0時，主基片3M確定全部從屬基片3S都應 答了，并且結束決定用于從屬基片3S的排列候選對象的處理。圖55是流程圖，表示計算用于從屬基片3S的排列候選對象的處理的例子， 并且其 次，將給出在圖53中的步驟SP4中計算用于從屬基片3S的排列候選對象的處理的細節(jié)的 描述。根據(jù)本例子，由于主基片3M設有一件光電檢測器31M，所以主基片3M按照單個光 電檢測器3IM的輸入值保存PD輸入等級表tPD。在與在以上描述的圖33的PD輸入等級表相類似地計算的PD輸入等級表tPD中， 可連接到光波導2A上的從屬基片3S的數(shù)量是2N-1件，并因此根據(jù)本例子，存在種方 式的組合。為此，在圖55中的步驟SRl至SR3中，主基片3M計算在光電檢測器31M的PD輸 入值PD_in與第i個PD輸入等級表tPDi之間的差，以搜索最接近光電檢測器31M的PD輸 入值pd_in的元素。當在圖55中的步驟SR4中主基片3M確定第i個PD輸入等級表IPDi足夠接近PD 輸入值時，得到與第i個PD輸入等級表tPDi相對應的排列向量Wi,并且在圖55中的步驟 SR5和SR6中，對于第(i+Ι)元素類似地進行搜索。其次，在其中相對于光波導2A的中心傾斜的一件光電檢測器被設置在相應基片 中的配置中，將描述主基片3M決定其排列不能被唯一決定的從屬基片3S的排列和將ID分 配給從屬基片3S的處理。圖56是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的另一種處理的細節(jié)；圖57是流程圖，表示當對于其排列不被唯一決定的從屬基片3S 決定排列時從屬基片3S的另一種處理的細節(jié)；及圖58是流程圖，表示當將ID分配給其排 列不被唯一決定的從屬基片3S時從屬基片3S的另一種處理的細節(jié)。在如下描述中，L指示用于從屬基片3S的排列候選對象的數(shù)量，并且Wi指示在用 于第i從屬基片3S的排列候選對象中的排列向量。在圖56中的步驟SSl和SS2中，主基片3M開始針對排列向量Wi的從屬基片3S依 次預測PD輸入值的處理，并且執(zhí)行處理，直到針對從i = 0至i = L的排列候選對象，PD輸 入值的預測值和實際測量值匹配。主基片3M在圖56中的步驟SS3中，將在由排列向量Wi識別的第i從屬基片3S的 排列中的從屬基片3S的數(shù)量設置為N。在圖56中的步驟SS4至SS8中，主基片3M針對從j = 0至j = N的全部從屬基 片3S，通過在圖44的上述流程圖中的步驟SK3至SK7中的處理，預測從其它從屬基片3S的 激光二極管30S輸入到在排列向量Wi中的第j從屬基片3S的光電檢測器31S的光的PD輸 入值。主基片3M在圖56中的步驟SS7中，將關于針對在排列向量Wi中的第j從屬基片3S得到的PD輸入值的信息，通過來自激光二極管30M的光，發(fā)送到全部從屬基片3S。在圖57中的步驟STla中，當連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M 接收到PD預測值V時，在步驟ST2a中，進行與在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理中 保存的光電檢測器31S的實際輸入值的比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器31S的輸入值與從主基片3M得到的PD 輸入值相匹配時，在圖57中的步驟ST3a中，從屬基片3S通過激光二極管30S，輸出指示PD 輸入值的預測值V和實際測量值匹配的信息，以通知主基片3M。在由排列向量Wi識別的第i從屬基片3S的排列中，主基片3M在圖56中的步驟 SS9中，確定全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值是否匹配。在排列向量Wi中，在其中全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量 值不 匹配的情況下，在圖56中的步驟SSlO中，主基片3M針對下個排列向量Wi+1的從屬基片3S， 依次預測PD輸入值，以進行檢查與實際測量值的匹配的處理。而且，在排列向量Wi中，當全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值匹 配時，在圖56中的步驟SSll中，主基片3M將從屬基片3S的排列決定為由排列向量Wi識 別的第i從屬基片3S的排列。當決定從屬基片3S的排列時，在圖56中的步驟SS12至SS16中，主基片3M針對 從j = 0至j = N的全部從屬基片3S，通過在圖44的上述流程圖中的步驟SK3至SK7中的 處理，預測從其它從屬基片3S的激光二極管30S輸入到在排列向量Wi中的第j從屬基片 3S的光電檢測器3IS的光的PD輸入值。主基片3M在圖56中的步驟SS15中，將相對于在排列向量Wi中的第j從屬基片 3S得到的PD輸入值、和ID信息，通過來自激光二極管30M的光，發(fā)送到全部從屬基片3S。當在圖58中的步驟STlb中，連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M 接收到PD預測值V和ID信息時，在步驟ST2b中，進行與在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量 的處理中保存的光電檢測器31S的實際輸入值的比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器31S的輸入值與從主基片3M得到的PD 輸入值相匹配時，在圖58中的步驟ST3b中，從屬基片3S通過激光二極管30S，輸出指示ID 被分配給具有PD預測值V的從屬基片3S的信息，以通知主基片3M。<根據(jù)第四實施例的信號處理設備的配置例子>圖59是配置圖，表示根據(jù)第四實施例的信號處理設備的概要。根據(jù)第四實施例的信號處理設備ID設有光透過其的光波導2A、和連接到光波導 2A上的主基片3M和從屬基片3S。主基片3M和從屬基片3S分別設有激光二極管(LD) 30M和30S、和光電檢測器 (PD) 31M和31S，并且為了破壞在光波導2A中光衰減的對稱性質，主基片3M設有包括激光 二極管SOM1和激光二極管30M2的兩件。關于激光二極管SOM1和激光二極管30M2，為了使當按恒定光量輸出光時在PD輸 入等級中出現(xiàn)差別，一個激光二極管SOM1布置成面對光波導2A的中心，并且另一個激光二 極管30M2布置成相對于另一個激光二極管SOM1在表面方向上按預定角度β傾斜。類似地，從屬基片3S設有包括激光二極管SOS1和激光二極管30S2的兩件。關于激光二極管SOS1和激光二極管30S2，為了使當光按恒定光量輸出時在PD輸入等級中出現(xiàn)差別，一個激光二極管SOS1布置成面對光波導2A的中心，并且另一個激光二 極管30S2布置成相對于激光二極管SOS1按預定角度β傾斜。應該注意，在相應基片中，光電檢測器3IM和3IS布置成朝向光波導2Α的中心，而 且，光電檢測器布置成對于相應基片每個一件。在這時，在連接到光波導2Α上的主基片3Μ和從屬基片3S中，激光二極管30Μ2和 30S2的傾斜方向配置成與周向相同。<根據(jù)第四實施例的信號處理設備的操作例子>其次，在其中激光二極管的兩件提供給相應基片的配置中，將描述由主基片3M計 算從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理。圖60是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時主基片3M的另一個處理 例子；并且圖61是流程圖，表示當決定從屬基片3S的排列和數(shù)量時從屬基片3S的另一個 處理例子。主基片3M在圖60中的步驟SUl中，接通其自己設備的激光二極管SOM1 (ΜΙΑ)。由 于主基片3Μ的激光二極管SOM1接通，所以從主基片3M輸出的光透射過光波導2A，并且由 從屬基片3S的光電檢測器31S(sPD)接收。根據(jù)這個，在圖61中的步驟SVl中，在連接到 光波導2A上的相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大。在圖61中的步驟SV2中，由于從主基片3M輸出的光由光電檢測器31S接收，所以 當光電檢測器31S的輸入等級增大到預定值時，相應從屬基片3S接通其自己設備的激光二 極管30Si。響應主基片3M的激光二極管SOM1的接通，當相應從屬基片3S的激光二極管SOS1 接通時，從相應從屬基片3S輸出的光透射過光波導2A，并且在圖60中的步驟SU2中，由主 基片3M的光電檢測器3IM接收。由于從相應從屬基片輸出的光由主基片3M的光電檢測器31M接收，所以在主基片 3M中，光電檢測器3IM的輸入等級增大。根據(jù)這個，在主基片3M中，響應其自己設備的激光二極管SOM1的接通，當在從屬 基片3S中接通激光二極管SOS1時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直到全 部從屬基片3S的激光二極管SOS1都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管SOS1都接 通時成為恒定值。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為恒定值時，主基片3M檢查在連接到光 波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管SOS1的輸出。就是說，在圖60中的步驟SU3a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并且 在步驟SU3b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變到0， 確定光電檢測器31M的輸入值成為恒定值。然后，當光電檢測器31M的輸入值的微分系數(shù)從正變到0時，主基片3M確定在連 接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管SOS1的輸出被檢查。當檢查到在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管SOS1的輸出時，在圖60中的步驟SU4中，主基片3M計算從屬基片3S的位置和數(shù)量，以計算用于從屬 基片3S的排列候選對象。當計算用于連接到光波導2A上的從屬基片3S的排列候選對象時，在圖60中的步驟SU5中，主基片3M斷開其自己設備的激光二極管30Mi。在從屬基片3S中，響應主基片3M的激光二極管SOM1的接通，當光從相應從屬基片3S輸出時，光電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二極管SOS1都接 通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管SOS1都接通時成為恒定值。然后，當主基片3M計算用于從屬基片3S的排列候選對象，并且在步驟STO中斷開 激光二極管SOM1時，相應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。鑒于上文，當光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小時，從屬基片3S確定主基片 3M完成了用于從屬基片3S的排列候選對象的計算。就是說，在圖61中的步驟SV3a中，從屬基片3S得到光電檢測器31S的輸入值，并 且在步驟SV3b中，例如基于輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變到 0和此后從0變到負，確定光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小。然后，當光電檢測器31S的輸入值的微分系數(shù)從正變到0和此后從0變到負時，從 屬基片3S確定主基片3M完成了對用于從屬基片3S的排列候選對象的計算，并且為了在ID 分配中利用，在圖61中的步驟SV3c中，在保存其自己設備的光電檢測器31S的輸入值之 后，在圖61的步驟SV4中，其自己設備的激光二極管SOS1斷開。由于相應從屬基片3S的激光二極管SOS1斷開，所以在主基片3M中，光電檢測器 的輸入等級減小。在主基片3M中，響應其自己設備的激光二極管SOM1的斷開，當在從屬基片3S中斷 開激光二極管SOS1時，主基片3M的光電檢測器3IM的輸入等級減小，直到全部從屬基片3S 的激光二極管SOS1都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二極管SOS1都斷開時成為“0”。鑒于上文，當光電檢測器31M的輸入值成為0時，主基片3M確定全部從屬基片3S 都應答了。就是說，在圖60中的步驟SU6a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并且 在步驟SU6b中，例如通過圖15的流程圖的上述處理確定光電檢測器31M的輸入值是否成 為0。然后，當光電檢測器3IM的輸入值成為0時，主基片3M確定全部從屬基片3S都應 答了，并且為了在接通其它激光二極管的同時執(zhí)行類似處理，在圖60中的步驟SU7中，其自 己設備的激光二極管30M2(mLD2)接通。由于主基片3M的激光二極管30M2接通，所以從主基片3M輸出的光透射過光波導 2A，并且由從屬基片3S的光電檢測器31S接收。根據(jù)這個，在圖61中的步驟SV5中，在連 接到光波導2A上的相應從屬基片3S中，光電檢測器31S的輸入等級增大。在圖61中的步驟SV6中，由于從主基片3M輸出的光由光電檢測器31S接收，所以 當光電檢測器31S的輸入等級增大到預定值時，相應從屬基片3S接通其自己設備的激光二 極管30S2。響應主基片3M的激光二極管30M2的接通，當相應從屬基片3S的激光二極管30S2 接通時，從相應從屬基片3S輸出的光透射過光波導2A，并且在圖60中的步驟SU8中，由主 基片3M的光電檢測器3IM接收。由于從相應從屬基片輸出的光由主基片3M的光電檢測器31M接收，所以在主基片 3M中，光電檢測器3IM的輸入等級增大。
根據(jù)這個，在主基片3M中，響應其自己設備的激光二極管30M2的接通，當在從屬基片3S中接通激光二極管30S2時，主基片3M的光電檢測器31M的輸入等級增大，直到全 部從屬基片3S的激光二極管30S2都接通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S2都接 通時成為恒定值。為此，為了檢查在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管30S2 的輸出，在圖60中的步驟SU9a中，主基片3M得到光電檢測器31M的輸入值，并且在步驟 SU9b中，例如基于PD輸入值的微分系數(shù)是否從正變到0，確定光電檢測器31M的輸入值成 為恒定值。然后，當光電檢測器31M的輸入值的微分系數(shù)從正變到0時，主基片3M確定在連 接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管30S2的輸出被檢查。當檢查到在連接到光波導2A上的全部從屬基片3S中進行激光二極管30S2的輸 出時，在圖60中的步驟SUlO中，主基片3M計算從屬基片3S的位置和數(shù)量，以計算用于從 屬基片3S的排列候選對象。當計算用于連接到光波導2A上的從屬基片3S的排列候選對象時，在圖60中的步 驟SUll中，主基片3M斷開其自己設備的激光二極管30M2。在從屬基片3S中，響應主基片3M的激光二極管30M2的接通，當光從相應從屬基片 3S輸出時，光電檢測器31S的輸入等級增大，直到全部從屬基片3S的激光二極管30S2都接 通，并且當全部從屬基片3S的激光二極管30S2都接通時成為恒定值。然后，主基片3M計算用于從屬基片3S的排列候選對象，并且在步驟SUll中，當斷 開激光二極管30M2時，相應從屬基片3S的光電檢測器31S的輸入等級從恒定值減小。為此，為了檢查主基片3M完成了對用于從屬基片3S的排列候選對象的計算，在圖 61中的步驟SV7a中，從屬基片3S得到光電檢測器31S的輸入值，并且在步驟SV7b中，例如 基于PD輸入值的微分系數(shù)是否通過圖9的流程圖的上述處理從正變到0和此后從0變到 負，確定光電檢測器31S的輸入值從恒定值減小。然后，當光電檢測器31S的輸入值的微分系數(shù)從正變到0和此后從0變到負時，從 屬基片3S確定主基片3M完成了對用于從屬基片3S的排列候選對象的計算，并且為了在ID 分配中利用，在圖61中的步驟SV7c中，在保存其自己設備的光電檢測器31S的輸入值之 后，在圖61的步驟SV8中，其自己設備的激光二極管30S2斷開。由于相應從屬基片3S的激光二極管30S2斷開，所以在主基片3M中，光電檢測器 的輸入等級減小。在主基片3M中，響應其自己設備的激光二極管30M2的斷開，當在從屬基片3S中斷 開激光二極管30S2時，主基片3M的光電檢測器3IM的輸入等級減小，直到全部從屬基片3S 的激光二極管30S2都斷開，并且當全部從屬基片3S的激光二極管SOS1都斷開時成為“0”。為此，為了檢查全部從屬基片3S都應答了，在圖60中的步驟SU12a中，主基片3M 得到光電檢測器31M的輸入值，并且在步驟SU12b中，確定光電檢測器31M的輸入值是否成 為0。然后，當光電檢測器3IM的輸入值成為0時，主基片3M確定全部從屬基片3S都應 答了，并且結束決定用于從屬基片3S的排列候選對象的處理。圖62是流程圖，表示從多個候選對象決定排列向量的處理的例子，并且其次，將給出決定排列向量的處理的細節(jié)的描述。根據(jù)本例子，由于從屬基片3S設有激光二極管SOS1和30S2兩件，所以主基片3M 通過激光二極管SOS1和30S2兩件的相應輸出保存與光電檢測器31M的輸入值相對應的PD 輸入等級表tIA和tLD2。在這時，像圖33的PD輸入等級表那樣，類似地計算PD輸入等級表 tIA和tLD2。主基片3M執(zhí)行與圖55的上述流程圖相類似的處理，并且在圖62中的步驟SWl中， 搜索與當從屬基片3S的激光二極管SOS1接通時得到的PD輸入值相匹配的PD輸入等級表 tIA，以得到排列向量候選對象Wp類似地，在圖62中的步驟SW2中，主基片3M搜索與當從屬基片3S的激光二極管 30S2接通時得到的PD輸入值相匹配的PD輸入等級表tLD2，以得到排列向量候選對象W2。在圖62中的步驟SW3至SW7中，主基片3M依次讀出從當接通從屬基片3S的激光 二極管SOS1時得到的PD輸入值得到的i個排列向量W1、和從當接通從屬基片3S的激光二 極管30S2時的PD輸入值得到的i個排列向量W2,以在圖62中的步驟SW8中依次進行比較。然后，在圖62中的步驟SW9中，主基片3M在將其中相應元素在排列向量W1和排 列向量W2中匹配的一個設置為最終候選對象的同時保存排列向量W1 (i)，并且在步驟SWlO 中，搜索下個排列候選對象。其次，在其中激光二極管的兩件提供在相應基片中的配置中，將給出決定其排列 不能被唯一決定的從屬基片3S的排列并且主基片3M將ID分配給從屬基片3S的處理的描 述。圖63是流程圖，表示當將ID分配給其排列不被唯一決定的從屬基片3S時主基片 3M的另一種處理的細節(jié)；圖64是流程圖，表示當對于其排列不被唯一決定的從屬基片3S 決定排列時從屬基片3S的另一種處理的細節(jié)；及圖65是流程圖，表示當將ID分配給其排 列不被唯一決定的從屬基片3S時從屬基片3S的另一種處理的細節(jié)。在如下描述中，L指示用于從屬基片3S的排列候選對象的數(shù)量，并且Wi指示在用 于第i從屬基片3S的排列候選對象中的排列向量。在圖63中的步驟SXl和SX2中，主基片3M開始針對排列向量Wi的從屬基片3S依 次預測PD輸入值的處理，并且執(zhí)行處理，直到針對從i = 0至i = L的排列候選對象，PD輸 入值的預測值和實際測量值匹配。主基片3M在圖63中的步驟SX3中，將在由排列向量Wi識別的第i從屬基片3S的 排列中的從屬基片3S的數(shù)量設置為N。在圖63中的步驟SX4至SX9中，主基片3M通過在圖44的流程圖中的步驟SK3至 SK7中的上述處理，預測從其它從屬基片3S的激光二極管30S輸入到在排列向量Wi中的第 j從屬基片3S的光電檢測器31S的光的PD輸入值。就是說，在圖63中的步驟SX6中，主基片3M針對從j = 0至j = N的全部從屬基 片3S，預測從其它從屬基片3S的激光二極管SOS1(LD1)輸入到在排列向量Wi中的第j從屬 基片3S的光電檢測器3IS的光的PD輸入值。而且，在圖63中的步驟SX7中，主基片3M針對從j = 0至j = N的全部從屬基片 3S，預測從其它從屬基片3S的激光二極管30S2 (LD2)輸入到在排列向量Wi中的第j從屬基 片3S的光電檢測器3IS的光的PD輸入值。
然后，主基片3M在圖63中的步驟SX8中，將針對在排列向量化中的第j從屬基 片3S得到的PD輸入值的預測值(PD預測值)V1和V2,通過來自激光二極管30M的光，發(fā)送 到全部從屬基片3S。在圖64中的步驟SYla中，當連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M 接收到當接通LD1時的PD輸入值的預測值V1和當接通LD2時的PD輸入值的預測值V2時， 在步驟SY2a中，進行與在決定從屬基片3S的位置和數(shù)量的處理中保存的光電檢測器31S 的實際輸入值的比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器31S的輸入值與從主基片3M得到的PD 輸入值的預測值相匹配時，在圖64中的步驟SY3a中，從屬基片3S通過激光二極管30S，輸 出指示PD輸入值的預測值V1和V2和實際測量值相匹配的信息，以通知主基片3M。在由排列向量Wi識別的第i從屬基片3S的排列中，主基片3M在圖63中的步驟 SXlO中，確定全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值是否匹配。在排列向量Wi中，在其中全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值不 匹配的情況下，在圖63中的步驟SXll中，主基片3M針對下個排列向量Wi+1的從屬基片3S， 依次預測PD輸入值，以進行檢查與實際測量值的匹配的處理。而且，在排列向量Wi中，當全部從屬基片3S的PD輸入值的預測值和實際測量值匹 配時，在圖63中的步驟SX12中，主基片3M將從屬基片3S的排列決定為由排列向量Wi識 別的第i從屬基片3S的排列。當決定從屬基片3S的排列時，在圖63中的步驟SX13至SX17中，主基片3M針對 從j = 0至j = N的全部從屬基片3S，預測從其它從屬基片3S的激光二極管30Si、S2輸入 到在排列向量Wi中的第j從屬基片3S的光電檢測器31S的光的PD輸入值。主基片3M在圖63中的步驟SX16中，將針對排列向量Wi的第j從屬基片3S得到 的PD輸入值的預測值V1和V2、和ID信息，通過來自激光二極管30M的光，發(fā)送到全部從屬 基片3S。在圖65中的步驟SYlb中，當連接到光波導2A上的全部從屬基片3S從主基片3M 接收到PD輸入值的預測值V1和％和ID信息時，在步驟SY2b中，進行與在決定從屬基片3S 的位置和數(shù)量的處理中保存的光電檢測器31S的實際輸入值的比較。然后，當由其自己設備保存的光電檢測器31S的輸入值與從主基片3M得到的PD 輸入值的預測值相匹配時，在圖65中的步驟SY3b中，從屬基片3S通過激光二極管30S，輸 出指示具有PD預測值V1和V2的從屬基片3S分配有ID的信息，以通知主基片3M。<根據(jù)相應實施例的信號處理設備的修改例子>根據(jù)上述相應實施例，在其中激光二極管和光電檢測器提供成每個一件的配置 中，兩者相對于光波導的中心在平面方向上都可以按預定角度傾斜。而且，作為其中激光二 極管和光電檢測器提供成每個兩件的配置，這些中的一個相對于光波導的中心在平面方向 上可以分別按預定角度傾斜。應該注意，為了破壞在光波導2A中的光衰減的對稱性質，從激光二極管輸入到光 波導的光、或從光波導輸入到光電檢測器的光可以傾斜。為此，激光二極管或光電檢測器本 身不傾斜，但在激光二極管或光電檢測器的光學路徑中，可以布置用來使光按預定角度傾 斜的光學部件。
工業(yè)實用性本發(fā)明應用于能夠動態(tài)地切換信號的傳輸路徑的一至多、多至一、或多至多光學選擇器。
權利要求
一種信號處理設備，包括光波導，具有在導光單元的外周上形成的光輸入輸出表面，光透過該導光單元傳輸，其中，從所述輸入輸出表面的任意位置輸入的光在全周方向上以對應于與輸入位置之間的位置關系的等級被輸出；主基片，布置在所述光波導的外周上，并且設有用于將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元和用于將輸入光轉換成電信號的光輸入單元；及單個或多個從屬基片，布置在沿所述光波導的外周的不同位置處的多個安裝位置中的任意安裝位置上，并且設有用于將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元和用于將輸入光轉換成電信號的光輸入單元，其中，所述主基片從在光從布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光輸出單元輸出時與所述從屬基片的排列相對應地透過所述光波導傳輸并輸入到所述主基片的光輸入單元的光的等級，識別所述從屬基片的安裝位置和數(shù)量。
2.根據(jù)權利要求1所述的信號處理設備，其中，所述主基片保持輸入等級表，在該輸入等級表中，與所述從屬基片的排列相對應 地輸入到所述主基片的光輸入單元的光的等級與規(guī)定所述從屬基片的位置和數(shù)量的排列 信息相關聯(lián)，以及所述主基片基于在光從布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光輸出單元輸 出時所述主基片的光輸入單元的輸入值，搜索所述輸入等級表以獲得所述從屬基片的排列 fn息ο
3.根據(jù)權利要求2所述的信號處理設備，其中，所述從屬基片在光從另一從屬基片的光輸出單元被輸出時，保持其自身設備的 光輸入單元的輸入值，以及其中，當從所述輸入等級表中獲得多個排列信息候選對象時，所述主基片預測在其位 置由相應排列信息規(guī)定的從屬基片中的光輸入單元的輸入值，并且選擇其中由所述從屬基 片保持的輸入值與由所述主基片計算出的預測值相匹配的排列信息。
4.根據(jù)權利要求2所述的信號處理設備，其中，所述從屬基片在光從另一從屬基片的光輸出單元被輸出時，保持其自身設備的 光輸入單元的輸入值，其中，所述主基片預測在其位置由相應排列信息規(guī)定的從屬基片中的光輸入單元的輸 入值，以與識別信息一起從所述光輸出單元輸出，并且被發(fā)送到布置在所述光波導的外周 上的全部從屬基片，及其中，當保持有與從所述主基片接收的預測值相對應的輸入值時，所述從屬基片將從 所述主基片接收的識別信息設置為分配給其自身設備的識別信息。
5.根據(jù)權利要求1所述的信號處理設備，其中，在所述主基片和所述從屬基片利用其中光輸入單元的輸入值變成恒定的變化、 和其中光輸入單元的恒定輸入值減小的變化時，所述主基片執(zhí)行檢查在所述光波導的外周上按任意數(shù)量布置的全部從屬基片的光輸 出單元的接通和斷開的處理，并且所述從屬基片執(zhí)行檢查所述主基片的光輸出單元的斷開 的處理。
6.根據(jù)權利要求5所述的信號處理設備，其中，所述主基片在檢查到布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光輸出單 元的接通時，執(zhí)行找出從屬基片并獲得其自身設備的光輸入單元的輸入值的處理，并且在 檢查到全部從屬基片的光輸出單元的斷開時，執(zhí)行檢查在從屬基片中的處理是否結束的處 理，并且其中，在檢查到所述主基片的光輸出單元的斷開時，從屬基片也執(zhí)行保持其自身設備 的光輸入單元的輸入值并斷開光輸出單元的處理。
7.根據(jù)權利要求6所述的信號處理設備，其中，在所述主基片和所述從屬基片使用光輸入單元的輸入值的微分系數(shù)從正值到O 的變化、從負值到O的變化、或其中微分系數(shù)變成O并且輸入值變成恒定的變化、和光輸入 單元的輸入值的積分值的微分系數(shù)從正值到O的變化、從負值到O的變化、或其中積分值變 成恒定值的變化、及其中光輸入單元的輸入值變成O的變化中的任一種、或多種處理的組 合時，所述主基片執(zhí)行找出從屬基片并獲得其自身設備的光輸入單元的輸入值的處理、和檢 查在從屬基片中的處理是否結束的處理，并且從屬基片也執(zhí)行保持其自身設備的光輸入單 元的輸入值并斷開光輸出單元的處理。
8.根據(jù)權利要求7所述的信號處理設備，其中，所述主基片和所述從屬基片包括用來計算光輸入單元的輸入的微分值的微分電 路、用來計算輸入值的積分值的積分電路、及用來計算輸入值的積分值并計算其微分值的 微分積分電路中的任一個。
9.一種信號處理設備，包括光波導，具有形成在導光單元的外周上的光輸入輸出表面，光透過該導光單元傳輸，其 中，從所述輸入輸出表面的任意位置輸入的光在全周方向上按對應于與輸入位置之間的位 置關系的等級被輸出；主基片，布置在所述光波導的外周上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光 輸出單元和用來將輸入光轉換成電信號的光輸入單元；及單個或多個從屬基片，布置在沿所述光波導的外周的不同位置處的多個安裝位置中的 任意安裝位置上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元和用來將輸入光 轉換成電信號的光輸入單元，其中，在布置在所述光波導的外周上的從屬基片的位置和數(shù)量不同的情況下，所述主 基片和所述從屬基片包括采用其中在輸入到所述主基片和所述從屬基片的光的等級之間 存在差別的布置的光輸入單元和光輸出單元，并且其中，所述主基片保持輸入等級表，在該輸入等級表中，與所述從屬基片的排列相對應 地輸入到所述主基片的光輸入單元的光的等級與規(guī)定所述從屬基片的位置和數(shù)量的排列 信息相關聯(lián)，并且所述主基片基于在光從布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光輸出單元輸 出時所述主基片的光輸入單元的輸入值，搜索所述輸入等級表以獲得所述從屬基片的排列 fn息ο
10.根據(jù)權利要求9所述的信號處理設備，其中，所述主基片和所述從屬基片每個一件地包括所述光輸入單元和所述光輸出單 元，并且其中，所述光輸入單元和所述光輸出單元中的至少任一個被布置成相對于所述光波導 的中心沿表面方向傾斜。
11.根據(jù)權利要求9所述的信號處理設備，其中，所述主基片和所述從屬基片包括兩件光輸入單元以及一件光輸出單元，并且 其中，所述光輸入單元中的一個被布置成面對所述光波導的中心，并且另一個光輸入 單元被布置成相對于所述光波導的中心沿表面方向傾斜。
12.根據(jù)權利要求11所述的信號處理設備，其中，所述輸入等級表包括第一輸入等級表和第二輸入等級表，在該第一輸入等級表 中，輸入到所述主基片的光輸入單元中的一個的光的等級與關于所述從屬基片的排列信息 相關聯(lián)，在該第二輸入等級表中，輸入到所述主基片的另一光輸入單元的光的等級與關于 所述從屬基片的排列信息相關聯(lián)，并且其中，所述主基片從通過基于在光從布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光 輸出單元輸出時所述光輸入單元中的所述一個的輸入值搜索所述第一輸入等級表而得到 的關于所述從屬基片的第一排列信息、和通過基于所述另一個光輸入單元的輸入值搜索所 述第二輸入等級表而得到的關于所述從屬基片的第二排列信息，獲得其中所述從屬基片的 排列被匹配的排列信息。
13.根據(jù)權利要求9所述的信號處理設備，其中，所述主基片和所述從屬基片包括一件所述光輸入單元和兩件所述光輸出單元，并且其中，所述光輸出單元中的一個被布置成面對所述光波導的中心，并且另一個光輸出 單元被布置成相對于所述光波導的中心沿表面方向傾斜。
14.根據(jù)權利要求13所述的信號處理設備，其中，所述輸入等級表包括第一輸入等級表和第二輸入等級表，在該第一輸入等級表 中，從所述從屬基片的光輸出單元中的一個光輸出單元輸出的、要輸入到所述主基片的光 輸入單元的光的等級與關于所述從屬基片的排列信息相關聯(lián)，在該第二輸入等級表中，從 所述從屬基片的另一光輸出單元輸出的、要輸入到所述主基片的光輸入單元的光的等級與 關于所述從屬基片的排列信息相關聯(lián)，并且其中，所述主基片從通過基于在從布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光輸 出單元中的所述一個輸出光時所述光輸入單元的輸入值搜索所述第一輸入等級表而獲得 的關于所述從屬基片的第一排列信息、和通過基于在從所述從屬基片的另一光輸出單元輸 出光時所述光輸入單元的輸入值搜索所述第二輸入等級表而獲得的關于所述從屬基片的 第二排列信息，獲得其中所述從屬基片的排列被匹配的排列信息。
15.根據(jù)權利要求9所述的信號處理設備，其中，所述主基片和所述從屬基片包括兩件所述光輸入單元和兩件所述光輸出單元，并且所述光輸入單元中的一個和所述光輸出單元中的一個被布置成面對所述光波導的中 心，并且另一光輸入單元和另一光輸出單元被布置成相對于所述光波導的中心沿表面方向傾斜。
16. 一種信號處理設備，包括光波導，具有形成在導光單元的外周上的光輸入輸出表面，光透過該導光單元傳輸，其 中，從所述輸入輸出表面的任意位置輸入的光在全周方向上以對應于與輸入位置之間的位 置關系的等級被輸出；主基片，被布置在所述光波導的外周上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的 光輸出單元和用來將輸入光轉換成電信號的光輸入單元；及單個或多個從屬基片，被布置在沿所述光波導的外周的不同位置處的多個安裝位置中 的任意安裝位置上，并且設有用來將電信號轉換成要輸出的光的光輸出單元和用來將輸入 光轉換成電信號的光輸入單元，其中，所述主基片保持輸入等級表，在該輸入等級表中，與所述從屬基片的排列相對應 地輸入到所述主基片的光輸入單元的光的等級與規(guī)定所述從屬基片的位置和數(shù)量的排列 信息相關聯(lián)，并且基于在光從布置在所述光波導的外周上的全部從屬基片的光輸出單元輸出時所述主 基片的光輸入單元的輸入值，搜索所述輸入等級表以得到所述從屬基片的排列信息，其中，所述從屬基片也保持在光從另一從屬基片的光輸出單元被輸出時其自身設備的 光輸入單元的輸入值，所述主基片預測其位置由相應排列信息規(guī)定的從屬基片中的光輸入單元的輸入值，以 與識別信息一起從所述光輸出單元被輸出，并且被發(fā)送到布置在所述光波導的外周上的全 部從屬基片，及其中，當保持與從所述主基片接收的預測值相對應的輸入值時，所述從屬基片將從所 述主基片接收的識別信息設置為分配給其自身設備的識別信息。
全文摘要
本發(fā)明涉及信號處理設備。在信號通過光波導發(fā)送和接收時，可識別連接到光波導上的未知基片。信號處理設備1A設有光波導2A，其中從在外周上的任意位置輸入的光在全周方向上在按照與輸入位置的位置關系的等級下被輸出；主基片3M，布置在光波導2A的外周上；單個或多個從屬基片3S，布置在沿光波導2A的外周的不同位置處的多個安裝位置中的任意安裝位置處，其中，由于光從連接到光波導2A上的全部從屬基片3S的激光二極管30S輸出，所以從按照從屬基片3S的排列透射過光波導2A并且輸入到主基片3M的光電檢測器31M的光的等級，主基片3M識別從屬基片3S的安裝位置和數(shù)量。
文檔編號G02B6/42GK101836146SQ200880112679
公開日2010年9月15日 申請日期2008年10月7日 優(yōu)先權日2007年11月20日
發(fā)明者關矢俊之, 原岡和生, 早川健, 服部正明, 近藤哲二郎, 金子直樹 申請人:索尼公司