專(zhuān)利名稱(chēng)：：具有大有效面積的光纖的制作方法具有大有效面積的光纖
背景技術(shù)：
：發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及光纖，更具體涉及適用于密集波分復(fù)用的低和中等色散光纖。
背景技術(shù)：
：諸如在1550nm波長(zhǎng)下的色散為約6至12ps/nm/km的中等色散光纖(MDF)適用于密集波分復(fù)用(DWDM)。這些色散光纖(MDF)通常具有中芯10，該中芯IO具有中央內(nèi)芯區(qū)11、正折射率環(huán)區(qū)12。該芯有時(shí)候包括毗鄰環(huán)的至少一個(gè)下陷折射率區(qū)14。該芯是容納至少90%信號(hào)光的纖維區(qū)。這些MDF提供6至12ps/nm/km，但可具有不超過(guò)60pm2的有效面積，而且因?yàn)榫o密容限和芯設(shè)計(jì)復(fù)雜程度而制造較為昂貴。諸如在所謂的"密集波分復(fù)用條件"下使用的中等色散光纖(MDF)之類(lèi)的光纖會(huì)經(jīng)受多種彎曲環(huán)境，這種情況下會(huì)在通過(guò)光纖傳輸?shù)墓庑盘?hào)中引入彎曲損耗。會(huì)強(qiáng)加諸如緊密彎曲半徑、光纖壓縮等等之類(lèi)的物理要求的會(huì)引入彎曲損耗的某些應(yīng)用包括在光學(xué)地下光纜組件中部署光纖、大溫度變化引起的彎曲以及位于機(jī)柜中連接饋電裝置和配電電纜的小彎曲半徑多端口。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種光纖包括玻璃芯，其從中心線延伸至半徑Rn玻璃包層，其包圍芯并與芯接觸，該包層包括第一環(huán)形區(qū)，其從半徑！^延伸至半徑R2，該第一環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕2二R2-Rp第二環(huán)形區(qū)，其從半徑R2延伸至半徑R3，且包括徑向?qū)挾萕3=R3-R2，以及第三環(huán)形區(qū)，其包圍第二環(huán)形區(qū)，并從半徑R3延伸至最外的玻璃半徑R4;其中該芯包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的最大相對(duì)折射率A1MAX;其中所述第一環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的折射率增量A2(r);第二環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的最小相對(duì)折射率A3MIN;其中AlMAX>A2MAX〉A(chǔ)3MIN，A2MIN>A3MIN，而A3MIN<_0.025;以及其中該芯和該包層提供具有小于1500nm的電纜截止、在1550nm下小于12ps/nm/km的色散、以及在1550nm下大于60pm2的有效面積的光纖。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，一種光纖包括玻璃芯，其從中心線延伸至半徑R1;玻璃包層，其包圍該芯且與該芯接觸，該包層包括(O第一環(huán)形區(qū)，其從半徑R,延伸至半徑R2，內(nèi)區(qū)包括徑向?qū)挾萕2=R2-RP(ii)第二環(huán)形區(qū)，其從半徑R2延伸至半徑R3，第二環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕3=R3-R2，以及(iii)第三環(huán)形區(qū)，其從半徑R3延伸至最外玻璃半徑R4;其中該芯包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的最大相對(duì)折射率A1MAX，且0.2%<A1MAX<0.8%;其中第一環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕2，以使W2〉2/3Rp而且折射率增量IA2(。|<0.025%.其中第二環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的最小相對(duì)折射率A3MIN，其中A3MIN<-0.3%;其中AlMAX>^2MAX>A3MIN以及A2MIN〉A(chǔ)3MIN;以及其中該芯和該包層提供具有小于1500nm的光纜截止、在1550nm下小于12ps/nm/km的色散以及在1550nm下大于60pm2的有效面積的光纖。在一組實(shí)施方式中，第二環(huán)形區(qū)包括二氧化硅玻璃，其具有從由鍺、鋁、磷、鈦、硼以及氟組成的組中選擇的摻雜劑。在另一組實(shí)施方式中，第二環(huán)形區(qū)包括具有多個(gè)閉合孔的二氧化硅玻璃，這些孔是空的(真空)或充氣的，其中這些孔提供光的內(nèi)反射，從而對(duì)沿芯傳播的光提供波導(dǎo)。例如與純二氧化硅相比，這些孔可提供低的有效折射率?，F(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，其示例在附圖中示出。附圖簡(jiǎn)述圖1A示出如本文中所公開(kāi)的光波導(dǎo)纖維的實(shí)施方式的相對(duì)折射率分布。圖1B示出如本文中所公開(kāi)的光波導(dǎo)纖維的實(shí)施方式的示意性剖面圖。圖2是光波導(dǎo)纖維的實(shí)施方式的示意性剖面圖。圖3示出如本文中所公開(kāi)的光波導(dǎo)纖維的另一實(shí)施方式的相對(duì)折射率分布。圖4A示出光波導(dǎo)纖維的又一實(shí)施方式的相對(duì)折射率分布。圖4B是圖4A的光波導(dǎo)纖維的實(shí)施方式的示意性剖面圖。優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述將在以下詳細(xì)描述中陳述本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)根據(jù)該描述將是顯而易見(jiàn)的，或者通過(guò)實(shí)施在以下詳細(xì)描述以及權(quán)利要求書(shū)和附圖中描述的本發(fā)明可認(rèn)識(shí)到。"折射率分布"是折射率或相對(duì)折射率與波導(dǎo)光纖半徑之間的關(guān)系。"相對(duì)折射率百分比"定義為厶％=100x(ni2-nc2)/2ni2，其中rii是區(qū)域i中的最大折射率，除非另作說(shuō)明，而ne是包層的第三環(huán)形區(qū)60(外區(qū))的平均折射率。如此處所使用地，相對(duì)折射率以A表示，而且它的值以"％"單位給出，除非另外指明。在其中一區(qū)域的折射率小于第三環(huán)形區(qū)60的平均折射率的情況下，相對(duì)折射率百分比為負(fù)，且可稱(chēng)為下陷區(qū)或下陷折射率，而且在相對(duì)折射率最負(fù)的點(diǎn)處計(jì)算最小相對(duì)折射率，除非另外指明。在其中一區(qū)域的折射率大于包層區(qū)的平均折射率的情況下，相對(duì)折射率百分比為正，而且可以認(rèn)為該區(qū)域被升高或具有正折射率。此處的"提高摻雜劑"被認(rèn)為是相對(duì)于純的未慘雜SK)2具有提高折射率的傾向的慘雜劑。此處的"降低摻雜劑"被認(rèn)為是相對(duì)于純的未摻雜Si02具有降低折射率的傾向的摻雜劑。提高摻雜劑在伴隨有不是提高摻雜劑的一種或多種其它摻雜劑時(shí)，7除非另作說(shuō)明，以下將"色散現(xiàn)象"稱(chēng)為"色散"，波導(dǎo)光纖的色散是材料色散、波導(dǎo)色散以及模間色散的總和。在單模波導(dǎo)纖維的情況下，模間色散為零。色散斜率是色散相對(duì)于波長(zhǎng)的變化率。"有效面積"定義為Aeff=27i(Jf2rdr)2/(^*rdr)，其中積分上下限為0到oo，而f是與波導(dǎo)中傳播的光相關(guān)聯(lián)的電場(chǎng)的橫向分量。如本文中所使用，"有效面積"或"Aeff"指的是1550nm波長(zhǎng)下的光學(xué)有效面積，除非另作說(shuō)明。術(shù)語(yǔ)"(x分布"或"阿爾法分布"指的是以"X"為單位的A(r)表示的相對(duì)折射率分布，其中r是半徑，其遵循以下方程，A(r)=A(r0)(l-[|r-r0|/(r廠r。)r),其中r。是A(r)為最大值的點(diǎn)，^是A(r)n/。為零的點(diǎn)，而r在mrSff范圍內(nèi)，其中A如上定義，ri是a分布的起點(diǎn)，rf是a分布的終點(diǎn)，而a是實(shí)數(shù)的指數(shù)。使用彼得曼II方法測(cè)量模場(chǎng)直徑(MFD)，其中2w=MFD，且w2=(2ff2rdr/j[df/dr]2rdr)，積分上下限為0到oo?？稍陬A(yù)定的測(cè)試條件下用引入的衰減來(lái)測(cè)量波導(dǎo)光纖的抗彎性。對(duì)一給定模式而言，理論光纖截止波長(zhǎng)或"理論光纖截止"或"理論截止"是超過(guò)其被導(dǎo)光不能在該模式中傳播的波長(zhǎng)?？稍?990年紐約出版的MarcelDekker的單模光纖光學(xué)的Jeunhomme的39-44頁(yè)(SingleModeFiberOptics,Jeunhomme,pp39-44,MarcelDekker,NewYork,1990)中找到一種數(shù)學(xué)定義，其中理論纖維截止被描述為模式傳播常數(shù)變得等于外包層中的平面波傳播常數(shù)時(shí)的可通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的2m光纖截止測(cè)試即FOTP-80(EIA-TIA-455-80)來(lái)測(cè)量實(shí)際的光纖截止以產(chǎn)生"光纖截止波長(zhǎng)"，也稱(chēng)為"2m光纖截止"或"測(cè)量的截止"。執(zhí)行FOTP-80標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試以使用受控的彎曲量去除較高階的模式，或?qū)⒃摴饫w的光譜響應(yīng)歸一化為多模光纖的光譜響應(yīng)。成纜的截止波長(zhǎng)，或"成纜截止"甚至比測(cè)得的光纖截止更低，這是由光纜環(huán)境中更高級(jí)別的彎曲和機(jī)械壓力造成的?？赏ㄟ^(guò)EIA-445光纖測(cè)試程序中描述的成纜截止測(cè)試估算實(shí)際的成纜狀態(tài)，該EIA-445光纖測(cè)試程序是EIA-TIA光纖標(biāo)準(zhǔn)——即電子工業(yè)協(xié)會(huì)一電信工業(yè)協(xié)會(huì)光纖標(biāo)準(zhǔn)一的一部分，更一般地已知為FOTP's。通過(guò)發(fā)射功率的單模光纖的EIA-455-170光纜截止波長(zhǎng)或"FOTP-170"中描述了成纜截止測(cè)量。除非在本文中另作說(shuō)明，針對(duì)LP01模式報(bào)告光學(xué)特性(諸如色散、色散斜率等)。除非在本文中另作說(shuō)明，1550nm波長(zhǎng)是基準(zhǔn)波長(zhǎng)。本文中所公開(kāi)的光纖10包括芯20和包圍芯且直接毗鄰芯的包覆層(或包層)200。該包層200具有折射率分布A腿(r)。在某些實(shí)施方式中，包層200由純二氧化硅組成。在某些實(shí)施方式中，包層200的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域包括附加的摻雜劑。優(yōu)選至少一個(gè)包層區(qū)包括多個(gè)空隙(在本文中也稱(chēng)為孔)。這些孔可注入氣體。各種波段或工作波長(zhǎng)范圍或波長(zhǎng)窗口可如下地定義"1310nm波段"是1260至1360nm;"E波段"是1360到1460nm;"S波段，，是1460到1530nm;"C波段"是1530到1565nm;"L波段"是1565到1625nm;以及"U波段"是1625到1675nm。在某些實(shí)施方式中，芯包括鍺摻雜的二氧化硅，即氧化鍺摻雜的二氧化硅?？稍诒疚乃_(kāi)的光纖的芯內(nèi)，具體在其中心線處或其附近單獨(dú)或組合地采用除鍺之外的摻雜劑，以獲得期望的折射率和密度。在某些實(shí)施方式中，本文中公開(kāi)的光纖的折射率分布從中心線到環(huán)形分層的內(nèi)半徑R2是非負(fù)的。在某些實(shí)施方式中，光纖的芯中不包含降低折射率的摻雜劑。參考圖1A和1B，本文中公開(kāi)了光波導(dǎo)纖維10，其包括芯20，其從中心線沿徑向向外延伸至中央分層外半徑Rp且具有以％為單位的相對(duì)折射率分布^(r)，其最大相對(duì)折射率百分比為AwAx;以及包層200，其包圍芯20且直接毗鄰芯20，即直接接觸芯20。包層200包括第一環(huán)形區(qū)30，其包圍芯20且直接毗鄰芯20，沿徑向向外延伸至第二環(huán)形區(qū)50，且通過(guò)半徑R2表征，此區(qū)30具有設(shè)置在中點(diǎn)R2Mro處的寬度W2，和以％表示的相對(duì)折射率分布A2(r)，其最大相對(duì)折射率百分比為以％表示的A2max，最小相對(duì)折射率百分比為以％表示的A2MIN，最大絕對(duì)值相對(duì)折射率百分比為|A2(r)|MAX;第二環(huán)形區(qū)50，其包圍區(qū)30并直接毗鄰區(qū)30，且沿徑向從112向外延伸至半徑R3，該區(qū)50具有設(shè)置在中點(diǎn)R3Mm處的寬度W3，且具有以％表示的相對(duì)折射率分布A3(r)，其最小相對(duì)折射率百分比為以％表示的△3MIN，其中A!max〉0〉A(chǔ)3mw;以及第三環(huán)形區(qū)60，其包圍區(qū)50且直接毗鄰區(qū)50,且具有以％表示的相對(duì)折射率百分比A包層(r)。R!定義為在A!(r)首次達(dá)到+0.05%的半徑處出現(xiàn)。即，在相對(duì)折射率在半徑R！處首先達(dá)到+0.05%(沿徑向向外)時(shí)芯20結(jié)束而環(huán)形區(qū)30開(kāi)始，而且區(qū)30被定義為在相對(duì)折射率A2(r)沿徑向向外首先達(dá)到-0.05。/。的半徑R2處結(jié)束。對(duì)于這組實(shí)施方式，第二環(huán)形區(qū)50在R2處開(kāi)始，在R3處結(jié)束。Rs被定義為在相對(duì)折射率A3(r)(沿徑向向外)達(dá)到-0.05%的值處、在A3(r)已經(jīng)下降到至少-0.05%之后出現(xiàn)。環(huán)形分層的寬度W3是R3-R2，而其中點(diǎn)11，10是(112+R3)/2。在某些實(shí)施方式中，中央分層的超過(guò)90%的徑向?qū)挾染哂姓南鄬?duì)折射率，而且在某些實(shí)施方式中，對(duì)于從O到R,的所有半徑，A,(r)均為正。在某些實(shí)施方式中，對(duì)于第一環(huán)形區(qū)30的超過(guò)50%的徑向?qū)挾?，|A2(r)l<0.025%或1~皿_八2皿1<0'05%，而在其它實(shí)施方式中，對(duì)于第一環(huán)形區(qū)30的超過(guò)50%的徑向?qū)挾龋瑋A2(r)I<0.01%。對(duì)于從R2到R3的所有半徑，A3(r)為負(fù)。對(duì)于大于30pm的所有半徑，優(yōu)選A包層(r):0。/。。在半徑R芯處，芯結(jié)束而包層開(kāi)始。包層200延伸至半徑R4，其也是光纖的玻璃部分的最外圍。同樣，AlMAX>厶2MAX>厶3MIN以及AmAX>厶2MIN>A3MIN。在一組實(shí)施方式中，如圖1A和1B所示，第二環(huán)形區(qū)50包括二氧化硅玻璃，其具有從由鍺、鋁、磷、鈦、硼以及氟組成的組中選擇的摻雜劑。在另一組實(shí)施方式中(圖2),第二環(huán)形區(qū)50包括具有多個(gè)閉合的隨機(jī)散布的孔16A的二氧化硅基玻璃(純二氧化硅或用鍺、鋁、磷、鈦、硼以及10氟摻雜的二氧化硅)，這些孔是空的(真空)或充氣的，其中這些孔可提供光的內(nèi)反射，從而對(duì)沿芯傳播的光提供波導(dǎo)。與純二氧化硅相比，這些孔可提供低的有效折射率。例如，在利用具有散布的孔16A的第二環(huán)形區(qū)50的某些實(shí)施方式中，厶31^是-0.5%到-3%，例如-0.7%、-0.7%或-0.9%。更具體地，參考圖2，纖芯20(具有階躍折射率in)被第一環(huán)形區(qū)30(具有折射率n2)包圍，第一環(huán)形區(qū)30毗鄰第二環(huán)形區(qū)50且被其包圍，第二環(huán)形區(qū)50具有徑向?qū)挾葁3，第二環(huán)形區(qū)50還被第三環(huán)形區(qū)60(其具有平均或有效折射率n4和徑向?qū)挾葁4)包圍，第三環(huán)形區(qū)60可選地被一個(gè)或多個(gè)聚合物覆蓋層65包圍。第二環(huán)形區(qū)50中的相對(duì)折射率百分比A3(r)在-28%(空隙填充氣體相對(duì)于二氧化硅的折射率)與包圍空隙的玻璃(在此實(shí)施例中為二氧化硅，其相對(duì)％折射率為約0%)的折射率之間變動(dòng)。第二環(huán)形區(qū)50相對(duì)于純二氧化硅玻璃的典型平均相對(duì)折射率百分比~將在-2%與-3%之間，這取決于包圍空隙的玻璃中存在的摻雜劑。即，第二環(huán)形區(qū)50的折射率變動(dòng)，而且在圖2的實(shí)施例中，充氣空隙的寬度和/或充氣空隙(即孔)之間的玻璃填充的間隔隨機(jī)分布和/或彼此不相等。即，空隙是非周期性的。優(yōu)選空隙之間的平均距離小于5000nm，更優(yōu)選小于2000nm，甚至更優(yōu)選小于1000跳例如750nm、500nm、400nm、300nm、200nm或100nm。優(yōu)選至少80%、更優(yōu)選至少90%的空隙具有小于1500nm，更優(yōu)選小于1000nm，甚至更優(yōu)選小于500nm的最大剖面尺寸Di。甚至更優(yōu)選空隙的平均直徑小于1500nm，優(yōu)選小于1000nm，更優(yōu)選小于500nm，甚至更優(yōu)選小于300nm?？障?6A是封閉的(被固態(tài)材料包圍)而且是非周期性的。即，空隙16A可具有相同大小，或大小不同。空隙之間的距離可以是均一的(即相同)或可不同。優(yōu)選第二環(huán)形區(qū)50包含至少50個(gè)孔。芯20具有分布體積Vp其在本文中定義為2JA!(r)rdr.0第二環(huán)形區(qū)50具有分布體積V3，其在本文中定義為R32JA3(r)rdr.R2優(yōu)選A1MAX<0.95%、A2MIN>-0.05%、A2MAX<0.05%、A3MIN<-0.3%、0.15<R!/R2<0.6，并且第二環(huán)形區(qū)的分布體積的絕對(duì)值IV3l大于20。/。卞m2。更優(yōu)選A3MiN〈-0.45。/。，甚至更優(yōu)選^-0.7%。優(yōu)選O.l〈R"R2〈0,6。在某些實(shí)施方式中，0.1<R〃R2<0.5。例如，當(dāng)我們說(shuō)△<-0.63%時(shí)，我們的意思是A比-0.63%更負(fù)。在某些實(shí)施方式中，優(yōu)選W2〉2/3Rp而且在某些實(shí)施方式中，W2>2|im。在某些實(shí)施方式中，20%-^im2<|V3|<80%-pm2。在其它實(shí)施方式中，30。/o卞m2<|V3|<70。/。卞m2。在其它實(shí)施方式中，40%-pm2<|V3|<60%-pm2。在某些情況下，優(yōu)選0.2%<厶服^<0.8%，在其它情況下，優(yōu)選0.20%<A誰(shuí)x<0.50%或0.2%<A1MAX<0.45%優(yōu)選R,<5.0|im，更優(yōu)選1.6|iim<R！<3.50|um，甚至更優(yōu)選2.7<R,〈5.0pm，而在其它實(shí)施方式中，2.7pnKR!<3.5pm。優(yōu)選R2〉5pm，更優(yōu)選〉8iim，甚至更優(yōu)選〉12(im，而在某些實(shí)施方式中，25nm〉R2>5nm，例如15.0pm<R2<25.0jxm。在某些實(shí)施方式中，0.1<R4/R2<0.4。優(yōu)選R3>15.0pm，而在某些實(shí)施方式中，18.0pm<R3<28.0nm。在某些實(shí)施方式中，W3>1.0nm，而在其它實(shí)施方式中，1.0<W3<10pm，在某些實(shí)施方式中小于8.0pm，而在其它實(shí)施方式中2.0<W3<5.0|nm。優(yōu)選R4>40nm。在某些實(shí)施方式中，R4>50pm。在其它實(shí)施方式中，R4>60pm。在某些實(shí)施方式中，60nm<R4<70nm。在某些實(shí)施方式中，芯的中央分層可包括具有所謂的中心線下降的相對(duì)折射率分布，該中心線下降會(huì)因?yàn)橐环N或多種光纖制造技術(shù)而出現(xiàn)。例如，該中央分層的折射率分布可在小于1pm的半徑處具有局部最小值，其中相對(duì)折射率的更高值(包括芯分層的最大相對(duì)折射率)在大于r=0的半徑處出現(xiàn)。優(yōu)選本文中公開(kāi)的光纖提供在1310nm下的模長(zhǎng)直徑為8.20pm到9.50^m，更優(yōu)選為8.4|um至lj9.20零色散波長(zhǎng)在1380nm與1445nm之間(例如1400nm、1410nm、1420nm、1425nm、1430nm);以及光纜截止波長(zhǎng)小于1500nm，更優(yōu)選小于1400nm，甚至更優(yōu)選小于1300nm，更優(yōu)選小于1260nm，例如1100nm或更小。因?yàn)樵摴饫|截止波長(zhǎng)不超過(guò)(而且在某些實(shí)施方式中約等于)2m光纖截止波長(zhǎng)，所以小于1260nm的2m光纖截止波長(zhǎng)導(dǎo)致小于1260nm的光纜截止波長(zhǎng)。第一組實(shí)施方式表l-2列出了第一組實(shí)施方式的說(shuō)明性實(shí)施例1-8的特性。實(shí)施例2-8的折射率分布類(lèi)似于圖1A，具有以下的相應(yīng)值。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>通過(guò)改變這五個(gè)參數(shù)，可獲得期望的光學(xué)性能。我們已經(jīng)使用計(jì)算機(jī)建模分布設(shè)計(jì)工具以以下范圍掃描了參數(shù)空間A1MAX=0.255°/^lj0.95%，R尸1.68|im至lj3.42pm,A3MIN<-0.30%，R2=5至lj25pm，W3=2到10(im。優(yōu)選色散是1-12ps/nm/km，更優(yōu)選為6-12ps/nm/km，其對(duì)應(yīng)于約60pn^到約140^1012或更大的有效面積范圍(1550nm下)。優(yōu)選光纖的有效面積是至少70pm2，更優(yōu)選至少75|Lim2，甚至更優(yōu)選至少80pm2，或至少100jim2。典型的有效面積范圍是約80pm2到約100^im2或到約110pm2。K是色散與色散斜率之間的比率，優(yōu)選K在1550nm下大于120nm。對(duì)于在拉曼應(yīng)用中使用該光纖，優(yōu)選1440nm下的色散大于0.8ps/nm/km。在60到140nm2的有效面積范圍中，色散斜率在0.055與0.1ps/nm2/km之間。該設(shè)計(jì)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是芯的理論截止波長(zhǎng)(優(yōu)選)小于1200nm，從而使此設(shè)計(jì)適用于1310nm和1550nm窗口。然而，實(shí)際設(shè)計(jì)選擇還取決于彎曲損耗要求。可通過(guò)選擇第二環(huán)形區(qū)的體積來(lái)改善彎曲損耗，該體積定義為第二環(huán)形區(qū)的橫截面的橫截面積與以百分比表示的AV^in的絕對(duì)值之積。第二環(huán)形區(qū)的體積影響實(shí)際的光纖和光纜截止波長(zhǎng)。為得到小于1500nm的光纜截止波長(zhǎng)，優(yōu)選elV31，即第二環(huán)形區(qū)的體積的絕對(duì)值小于80%-pm2。如果第二環(huán)形區(qū)的體積IV3l大于80%-nm2，則光纜截止波長(zhǎng)可長(zhǎng)于1500nm，或甚至長(zhǎng)于1550nm。然而，因?yàn)樾镜睦碚摻刂共ㄩL(zhǎng)低于1200nm，所以通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖發(fā)射和接收技術(shù)以確保單模操作，仍可在單模光纖系統(tǒng)中使用此類(lèi)光纖。這些光纖在約1400與1445nm之間的波長(zhǎng)下具有零色散。在諸如實(shí)施例1-8之類(lèi)的某些實(shí)施方式中，示例性光纖在1310nm下呈現(xiàn)出8.30pm到9.10nm的模場(chǎng)直徑；零色散波長(zhǎng)在1407與1428nm之間；以及優(yōu)選地，理論截止波長(zhǎng)小于1100nm，在1440nm下的色散大于0.8ps/nm/km，更優(yōu)選在0.9與2.4ps/nm/km之間，以及k在1550nm下大于120，例如在約125nm與150nm之間。所有這些實(shí)施例的光纜截止波長(zhǎng)均小于1500nm。實(shí)施例1-8的光纖在1550nm下的有效面積呈現(xiàn)出約80iam2與約100nm2之間的值。本文中公開(kāi)的光纖呈現(xiàn)出優(yōu)良的抗彎性，包括宏彎曲和微彎曲。為預(yù)測(cè)光纖的宏彎曲性能，我們使用有限元方法來(lái)對(duì)光波導(dǎo)的彎曲特性建模。該方案基于全矢量麥克斯韋方程組。光纖的彎曲被認(rèn)為是M.Heiblum和J.H.Harris所著的參考文獻(xiàn)"通過(guò)保角變換分析彎曲光波導(dǎo)(Analysisofcurvedopticalwaveguidesbyconformaltransformation)"(IEEEJ.QuantumElectronics(IEEE量子電子學(xué)期刊),QE-11,(2)，75-83(1975))中所描述的保角變換所描述的幾何形變。以具有等效折射率分布的直光纖代替彎曲光纖，^(1)其中p-x或y，這取決于彎曲方向，而R代表有效彎曲半徑。在該建模中，彎曲方向始終被選擇成沿x方向。當(dāng)光纖彎曲時(shí)，折射率傾斜。某些區(qū)中的包層折射率可高于芯中的折射率。這導(dǎo)致芯模式的泄漏模式損耗?？赏ㄟ^(guò)光纖外的完美匹配層(PML)仿真由垂直于光纖外表面的界面的方向的無(wú)限大空間引起的光波損耗，該完美匹配層(PML)已經(jīng)在JianmingJin所著的參考文獻(xiàn)"電磁學(xué)中的有限元方法(Thefiniteelementmethodinelectromagnetics)"(WileyInerscience,(2002))中得到描述。在我們的建模中，我們已經(jīng)在柱坐標(biāo)系中實(shí)現(xiàn)了PML。我們獲得各個(gè)模式的復(fù)合有效折射率。然后將各個(gè)模式的有效折射率轉(zhuǎn)換成有效傳播常數(shù)"，A與有效折射5=2率成簡(jiǎn)單關(guān)系，—1"^。傳播常數(shù)的虛部與泄漏模式損耗有關(guān)，如以下方程所定義，ln(lO)②泄漏模式損耗"以dB/m為單位。建模結(jié)果顯示出圍繞20mm直徑的芯棒纏繞的光纖在1550nm下測(cè)得的彎曲損耗小于6dB/匝。在某些實(shí)施方式中，如實(shí)施例l-8所呈現(xiàn)，預(yù)測(cè)的彎曲損耗在0.3與5.2dB/膽之間。在某些實(shí)施方式中，當(dāng)在20mm直徑芯棒上在1550nm下測(cè)量時(shí)，該彎曲損耗小于2.5dB/匝，在某些實(shí)施方式中小于1dB/匝，以及在某些實(shí)施方式中小于0.5dB/匝。我們還將建模結(jié)果與對(duì)諸如SMF-28^之類(lèi)的光纖的現(xiàn)有測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了比較，以洞察我們能如何使用彎曲建模來(lái)判斷光纖相對(duì)于諸如由康寧有限公司制造的SMF-28^之類(lèi)的標(biāo)準(zhǔn)單模光纖的相對(duì)彎曲性能。注意，可買(mǎi)到的SMF-28^光纖的彎曲損耗良好地得到表征，其在20mm的彎曲直徑和1550mn波長(zhǎng)下的引入損耗約為1dB/匝。因此使用所提出的光纖相對(duì)于商用SMF-28^光纖的相對(duì)彎曲損耗來(lái)測(cè)量所提出的光纖的彎曲性能。例如，當(dāng)相對(duì)彎曲損耗為1時(shí)，它意味著光纖在指定的彎曲直徑和16波長(zhǎng)下具有與SMF-28e⑧光纖相同的彎曲損耗。在某些實(shí)施方式中，如實(shí)施例1-8所呈現(xiàn)，相對(duì)于SMF-28e⑧光纖的預(yù)測(cè)彎曲損耗在0.3與5.2dB/匝之間。還可通過(guò)改變第二環(huán)形區(qū)50的位置來(lái)優(yōu)化該彎曲性能。在實(shí)施例4中，第二環(huán)形區(qū)50在14pm徑向位置處開(kāi)始。雖然第二環(huán)形區(qū)50的體積小于實(shí)施例3，但彎曲損耗大約相同。然而，將第二環(huán)形區(qū)移動(dòng)至更接近芯的中心可具有增大色散和斜率的效果。實(shí)施例1-4具有約80|11112的有效面積?？赏ㄟ^(guò)減小芯增量來(lái)進(jìn)一步增大有效面積。這在芯A為0.329%的實(shí)施例5中示出。實(shí)施例5的光纖的有效面積是90.9pm2。此光纖具有與實(shí)施例2的光纖相同的第二環(huán)形區(qū)，但實(shí)施例5的光纖的彎曲損耗比實(shí)施例2的光纖的彎曲損耗高2.5倍。通過(guò)增大實(shí)施例6和7的光纖中所示的第二環(huán)形區(qū)50的體積可改善彎曲損耗。實(shí)施例6和7對(duì)應(yīng)于其芯類(lèi)似于實(shí)施例5的光纖的芯的光纖，但具有更厚的第二環(huán)形區(qū)(分別為3.5pm和7pm)。這些光纖(實(shí)施例6和7)的20mm直徑相對(duì)彎曲損耗分別被降低至1.4和0.3。然而，當(dāng)?shù)诙h(huán)形區(qū)的體積太高時(shí)，它會(huì)將光局限在內(nèi)部，從而使該光纖多?；?。在此情況下，因?yàn)樾救詾閱文?，我們?nèi)钥墒褂脝文０l(fā)射技術(shù)來(lái)確保單模工作。通過(guò)單模發(fā)射技術(shù)，我們表示通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)單模光纖將光信號(hào)發(fā)射至傳輸光纖中，并使用另一單模光纖來(lái)將傳輸光纖的輸出端耦合至接收器。優(yōu)選將標(biāo)準(zhǔn)單模和傳輸光纖充分地良好對(duì)齊，以產(chǎn)生小于0.5dB、優(yōu)選小于0.3dB的接續(xù)損耗。示例性光纖的LP11理論截止波長(zhǎng)小于1300nm，優(yōu)選小于1250nm，更優(yōu)選小于1200nm。如實(shí)施例l-8所示，LP11理論截止波長(zhǎng)小于1100nm。我們還發(fā)現(xiàn)，對(duì)于給定的芯分布，無(wú)限地增大分布體積的量值IV3l會(huì)使截止波長(zhǎng)增大至光纖在1310nm或甚至在1550nm下多?；某潭?。因此，在某些實(shí)施方式中，20%^m2<|V3|<80%-pm2，在其它實(shí)施方式中，30<|V3|<70°/。-|im2，以及在其它實(shí)施方式中，40%-nm2<|V3|<60%-,2。我們還發(fā)現(xiàn)，較高的芯體積一般不僅傾向于增大模場(chǎng)的大小，而且會(huì)提高LPll理論截止波長(zhǎng)，從而傾向于提高2m光纖截止波長(zhǎng)。在某些實(shí)施方式中，芯的分布體積Vl大于0且小于6.5。/o卞m2，在其它實(shí)施方式中小于6.2%-pm2，以及在諸如實(shí)施例1-7之類(lèi)的某些實(shí)施方式中VI在5.50與6.00%卞1112之間。圖1A、1B中所示的光纖10的纖芯20具有階躍形狀或圓形階躍形狀或a形狀(其中a取有限值)的折射率分布。然而，芯20可具有其它ai值，或芯可具有除a分布之外的分布形狀，諸如多層芯，這將是下文中給出的附加實(shí)施例。實(shí)施例9參考圖3，在光纖10的此實(shí)施例中，纖芯被分成兩部分20A和20B，其中第一分層20A具有較高A，而余下的芯分層20B成a形狀，其中a約為10。此光纖在1550nm下的色散為8.0ps/nm/km，在1310nm下的色散為-9.4ps/nm/km。此光纖的MFD在1550nm下為10.1|iim，在1310nm下為8.2nm。有效面積在1550nm下為75.8pm2，在1310nm下為49.0pm2。零色散波長(zhǎng)為1431nm。色散斜率在1550nm下為0.0657ps/nm2/km，在1310nm下為0.087ps/nm2/km。K值在1550nm下為124nm，在1310nm下為-108nm。此光纖的色散在1440nm下為0.68ps/nm/km。在1550nm下在20mm彎曲直徑下的相對(duì)彎曲損耗為0.31dB/匝。實(shí)施例10參考圖2，其描述了光纖區(qū)50(對(duì)應(yīng)于W3)中的空氣管路(空隙)，此示例性光纖的AmAx為0.377%，為2.7微米；V！為2.75微米2%;R2為14微米；R4/R2為0.19;R2MK)為8.35微米；W2為11.30微米;Ws為2.5微米。環(huán)形區(qū)50的空隙16A包含氬氣。環(huán)形區(qū)50在14微米半徑的半徑處開(kāi)始，且具有2.5微米的徑向?qū)挾?。此區(qū)50包括截面積中含有6%空隙(平均孔直徑為300nm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為100nm)和在光纖截面有約200個(gè)孔的二氧化硅。此光纖的光學(xué)特性是理論截止波長(zhǎng)為869nm;零色散波長(zhǎng)為1428nm;1310nm下的MFD為8.3微米；1310nm下的Aeff為51.6pm2;1310nm下的色散為-9.6ps/nm/km;1310nm下的斜率為0.087ps/nm2/km;1550nm下的MFD為10.4jum;1550nm下的Aeff為80.5pm2;1550nm下的色18散為9.2ps/nm/km;1550nm下的斜率為0.074ps/nm2/km;1550nm下的k為125nm;1440nm下的色散為0.9ps/nm/km;1550nm下的20mm彎曲損耗為0.3dB/匝。實(shí)施例11-14參考圖4A、4B，其描述了光纖區(qū)50(對(duì)應(yīng)于W3)中的空氣管路(空隙)，這組示例性光纖具有分層的芯20。更具體地，芯20具有三個(gè)環(huán)形分層中心分層20a，其由最大折射率增量AlaMAX(與AwAx相同)和半徑Rh表征；芯分層20b，其包圍分層20a且由A化MAx和半徑R!b表征；以及分層20c，其包圍分層20b且由A^max和與R4相同的半徑R1c表征。芯分層20c毗鄰光纖包層200且被包層200包圍。一個(gè)示例性光纖10的A^MAx為0.431%;1113為3.6nm;△薩Ax為0.0%;R化為5.7|um;AicMAx為0.125%;R!為8.8R2為15.7]um;R4/R2為0.57;R2MiD為12.4Wz為6.8|im;W3為2.1pm。在此示例性光纖10中，環(huán)形區(qū)50的空隙16A包含氬氣。環(huán)形區(qū)50在14微米半徑的半徑處開(kāi)始，且具有2.5微米的徑向?qū)挾?。此區(qū)50包括面積中含有6%空隙(區(qū)域50的截面積的百分比)或孔(平均孔直徑為300nm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為100nm的空隙)和在光纖截面中觀察有約200個(gè)孔的二氧化硅。此光纖的光學(xué)特性是理論截止波長(zhǎng)為1324nm;零色散波長(zhǎng)為1415nm;1310nm下的MFD為8.18微米；1310nm下的Aeff為50.5pm2;1310nm下的色散為-8.2ps/nm/km;1310nm下的斜率為0.082ps/nm2/km;1550nm下的MFD為10.0pm;1550nm下的Aeff為75.3pm2;1550nm下的色散為9.6ps/nm/km;1550nm下的斜率為0.070ps/nm2/km;1550nm下的k為137nm;1440nm下的色散為1.8ps/nm/km。以下的表3和4列出了說(shuō)明性實(shí)施例11-14的參數(shù)，其實(shí)施例類(lèi)似于圖4A-4B中所示的實(shí)施例。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>優(yōu)選本文中公開(kāi)的光纖具有低含水量，而且優(yōu)選是低水峰光纖，即具有在特定波長(zhǎng)區(qū)域尤其是E波段中呈現(xiàn)出相對(duì)低或無(wú)水峰的衰減曲線?？稍诿绹?guó)專(zhuān)利No.6477305、美國(guó)專(zhuān)利No.6904772以及PCT申請(qǐng)公開(kāi)No.WO01/47822中找到制造低水峰光纖的方法?？稍诠庑盘?hào)傳輸系統(tǒng)中采用本文中公開(kāi)的所有光纖，該系統(tǒng)優(yōu)選包括發(fā)射器、接收器以及光傳輸線。光傳輸線光學(xué)地耦合至發(fā)射器和接收器。光傳輸線優(yōu)選包括至少一個(gè)光纖跨度，其優(yōu)選包括本文中公開(kāi)的光纖的至少一部分。光傳輸線還可包括在約1550nm波長(zhǎng)下具有負(fù)色散的第二光纖部分，例如在光傳輸線中實(shí)行色散補(bǔ)償。光傳輸線100包括第一光纖和第21二光纖，其中第一光纖是如本文所公開(kāi)的低衰減大有效面積光纖，而第二光纖在1550nm下具有負(fù)色散。第一光纖和第二光纖可通過(guò)熔接、光連接器等光學(xué)地連接。光傳輸線還可包括一個(gè)或多個(gè)組件和/或其它光纖(例如在光纖和/或組件之間的結(jié)合部的一個(gè)或多個(gè)"尾纖")。在優(yōu)選實(shí)施方式中，第二光纖的至少一部分可選地設(shè)置在色散補(bǔ)償模塊中。光傳輸線允許光信號(hào)在發(fā)射器與接收器之間傳輸。優(yōu)選系統(tǒng)還包括光學(xué)地耦合至光纖部分的至少一個(gè)放大器，諸如拉曼放大器。該系統(tǒng)還優(yōu)選包括多路復(fù)用器，用于將能攜帶光信號(hào)的多個(gè)信道互連到光傳輸線上，其中至少一個(gè)、更優(yōu)選至少三個(gè)以及最優(yōu)選至少十個(gè)光信號(hào)在約1260nm與1625nm之間的波長(zhǎng)下傳播。優(yōu)選至少一個(gè)信號(hào)在以下波長(zhǎng)區(qū)的一個(gè)或多個(gè)中傳播1310nm波段、E波段、S波段、C波段以及L波段。在某些優(yōu)選實(shí)施方式中，系統(tǒng)能夠在粗波分復(fù)用模式下工作，其中一個(gè)或多個(gè)信號(hào)在以下波長(zhǎng)區(qū)中的至少一個(gè)、更優(yōu)選至少兩個(gè)中傳播1310nm波段、E波段、S波段、C波段以及L波段。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，系統(tǒng)在1530nm與1565nm之間的一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)下工作。在一個(gè)實(shí)施方式中，使用該光纖的該傳輸系統(tǒng)工作于在(i)時(shí)分復(fù)用(TDM)或(ii)波分復(fù)用傳輸?shù)那闆r下以至少40吉比特/秒工作。因此，根據(jù)某些實(shí)施方式，該光傳輸系統(tǒng)包括發(fā)射器、接收器以及放置在它們之間的根據(jù)本發(fā)明的光纖，該光纖具有至少40吉比特/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述描述僅僅是本發(fā)明的示例，而且旨在提供用于理解由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的本質(zhì)和特征的概覽。所包括的附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，且被結(jié)合到本說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成其一部分。附圖示出本發(fā)明的多個(gè)特征和實(shí)施方式，并與它們的描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理和操作。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，可對(duì)此處描述的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式作各種修改而不偏離由權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的精神或范圍。權(quán)利要求1.一種光纖，包括玻璃芯，其從中心線延伸至半徑R1；玻璃包層，其包圍所述芯并與所述芯接觸，所述包層包括第一環(huán)形區(qū)，其從半徑R1延伸至半徑R2，所述第一環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕2＝R2-R1，第二環(huán)形區(qū)，其從半徑R2延伸至半徑R3，且包括徑向?qū)挾萕3＝R3-R2，以及第三環(huán)形區(qū)，其包圍所述第二環(huán)形區(qū)，并從半徑R3延伸至最外的玻璃半徑R4；其中所述芯包括相對(duì)于所述第三環(huán)形區(qū)的最大相對(duì)折射率Δ1MAX；其中所述第一環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于所述第三環(huán)形區(qū)％的折射率增量Δ2(r)；所述第二環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于所述第三環(huán)形區(qū)的最小相對(duì)折射率Δ3MIN；其中Δ1MAX＞Δ2MAX＞Δ3MIN，Δ2MIN＞Δ3MIN以及Δ3MIN＜-0.025；以及其中所述芯和所述包層提供具有小于1500nm的電纜截止、在1550nm下小于12ps/nm/km的色散以及在1550nm下大于60μm2的有效面積的光纖。2.—種光纖，包括玻璃芯，其從中心線延伸至半徑R^玻璃包層，其包圍所述芯并與所述芯接觸，所述包層包括第一環(huán)形區(qū)，其從半徑R延伸至半徑R2，所述第一環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕2-R2-R^，第二環(huán)形區(qū)，其從所述半徑R2延伸至半徑R3，且包括徑向?qū)挾萕3=R3-R2，以及第三環(huán)形區(qū)，其包圍所述第二環(huán)形區(qū)，并從所述半徑R3延伸至最外的玻璃半徑R4;其中所述芯包括相對(duì)于所述第三環(huán)形區(qū)的最大相對(duì)折射率A1MAX，而且其中AlMAX大于約0.2%且小于約0.8%;其中所述第一環(huán)形區(qū)的折射率增量A"r)小于約0.025%;其中所述第二環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于所述第三環(huán)形區(qū)的最小相對(duì)折射率A3MiN;其中AlMAX>厶2MAX>A3MIN，A2MIN〉厶3MIN以及厶3MIN<_0.025;以及其中所述芯和所述包層提供具有小于1500nm的光纜截止、在1550nm下小于12ps/nm/km的色散以及在1550nm下大于60pm2的有效面積的光纖。3.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于,所述第一環(huán)形區(qū)具有大于2/3R,的徑向?qū)挾萕2;而且其中1550nm下的所述有效面積大于70pm2。4.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，1550nm下的所述有效面積大于70Mm2，而且所述芯包括三個(gè)芯區(qū)，所述第一芯區(qū)是最大折射率增量AlaMAX大于約0.2%且小于約0.55%的中心區(qū)，第二芯區(qū)毗連且包圍所述第一芯區(qū)，所述第二區(qū)具有小于約0.05y。的最大折射率增量A!bMAx，第三芯區(qū)毗連且包圍所述第二芯區(qū)，所述第三區(qū)具有大于約0.05%且小于約0.2%的最大折射率增量A固AX。5.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，所述第二環(huán)形區(qū)包括其中設(shè)置有至少50個(gè)閉合的隨機(jī)散布的孔的二氧化硅基玻璃，而且(i)所述空氣孔之間的平均距離小于5000nm，以及(ii)所述孔的至少80%具有小于1500nm的最大截面尺寸Di。6.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述零色散波長(zhǎng)在約1400nm與1440nm之間。7.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，AiMAx大于約0.2。/。且小于約0.5%。8.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，相對(duì)于所述第三環(huán)形區(qū)的A3MiN小于約-0.3yo。9.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述第二環(huán)形區(qū)包括分布體積Vs，其等于<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中IV3J至少是20%-pm2。10.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述光纖在1550nm波長(zhǎng)下的k值大于120，而1440nm波長(zhǎng)下的色散值D大于0.8ps/nm/km。11.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述第二環(huán)形區(qū)包括其中設(shè)置有多個(gè)閉合的隨機(jī)散布的孔的二氧化硅基玻璃。12.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述第二環(huán)形區(qū)包括其中設(shè)置有至少50個(gè)閉合的隨機(jī)散布的孔的二氧化硅基玻璃，而且(0所述孔之間的平均距離小于5000nm，以及(ii)所述孔的至少80%具有小于1500nm的最大截面尺寸Di。13.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述芯與所述包層共同在1550nm波長(zhǎng)下在20mm直徑芯棒上提供小于6dB/匝的彎曲損耗。14.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，20%-|iim2<|V3|<80%-pm2。15.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，R!〈5.0iim、R2>5pm且R3>10jim，以及W3在1(im與10之間。16.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述有效面積為至少80pm2。17.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述芯包括分布體積V,，其等于2JA(r)rdr;0其中Vi大于0且小于6.2%-nm2。18.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述芯和所述包層提供小于1260nm的光纖截止。19.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，所述芯和所述包層在1310nm下提供8.2與9.5pm之間的模場(chǎng)直徑。20.—種光傳輸系統(tǒng)，包括發(fā)射器、接收器以及位于它們之間的如權(quán)利要求l所述的光纖，所述光纖具有至少40吉比特/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率。全文摘要一種光纖，包括玻璃芯，其從中心線延伸至半徑R₁；玻璃包層，其包圍該芯且與該芯接觸，該包層包括第一環(huán)形區(qū)，其從半徑R₁延伸至半徑R₂，該第一環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕₂＝R₂-R₁，第二環(huán)形區(qū)，其從半徑R₂延伸至半徑R₃，該第二環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕₃＝R₃-R₂，以及第三環(huán)形區(qū)，其從R₃延伸至最外的玻璃半徑R₄；其中(i)該芯包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的最大相對(duì)折射率Δ_1MAX；(ii)其中該第一環(huán)形區(qū)包括徑向?qū)挾萕₂；以及(iii)該第二環(huán)形區(qū)包括相對(duì)于第三環(huán)形區(qū)的最小相對(duì)折射率Δ_3MIN；其中Δ_1MAX＞Δ_2MAX＞Δ_3MIN以及Δ_2MIN＞Δ_3MIN以及該芯和包層提供具有小于1500nm的光纜截止、在1550nm下小于12ps/nm/km的色散以及在1550nm下大于60μm²、優(yōu)選大于70μm²的有效面積的光纖。第二環(huán)形包層區(qū)可包含多個(gè)隨機(jī)散布的孔。文檔編號(hào)G02B6/02GK101663604SQ200880013123公開(kāi)日2010年3月3日申請(qǐng)日期2008年2月20日優(yōu)先權(quán)日2007年2月28日發(fā)明者D·A·諾蘭,D·C·布克班德,M·-J·李,P·坦登,S·K·米什拉,S·R·比克漢姆,X·陳申請(qǐng)人:康寧股份有限公司