專利名稱：器件制造方法、光刻設(shè)備和計算機(jī)程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造器件的方法、 一種光刻設(shè)備和一種計算機(jī)程序。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上
的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情
況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC
的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、 一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)
絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。
過去，在光刻工具中掩模版的安裝側(cè)和圖案化側(cè)是在同一側(cè)，在掩模版臺板的平面上建立掩模版焦平面。因而，在六個自由度(DOF)上臺位置的信息給出掩模版圖案化表面位置在六個自由度上的信息。這六個DOF是X、 Y、 Z、 Rx、 Ry以及Rz，如圖2所示。然而，極紫外(EUV)掩模版的安裝(或夾持)將幾乎必然到掩模版的背面表面(例如，與圖案化表面相反的表面)。后側(cè)夾持導(dǎo)致掩模版焦平面位置相對于掩模版臺成為掩模版高度和傾斜形狀的函數(shù)。因而，與深紫外(DUV)系統(tǒng)相比，掩模版臺位置的信息不能解決在全六個自由度中掩模版的圖案被定位在何處。由于掩模版的厚度變化，因而不能容易地確定平面外自由度(Z、Rx和Ry)。掩模版的圖案化側(cè)(與夾持側(cè)相反)的位置需要在所有六個自由度中精確地獲知。
在幾乎所有步進(jìn)機(jī)和掃描器中，使用干涉儀通過通常的臺量測方法確定三個平面內(nèi)自由度(X、 Y和Rz)。然而，三個平面外自由度(Z、 Rx和Ry )較難進(jìn)行測量。正如上面所述的，在極紫外工具中，必須比以前的光刻工具以高得多的精確度獲知Z、 Rx和Ry。精確度的要求源自需要將掩模版上的圖案定位在與光刻工具的光學(xué)部件相關(guān)的焦平面處。此外，在一些情況中，光學(xué)部件不是掩模版焦平面的遠(yuǎn)心(tdecentric)，這提高了在六個自由度內(nèi)精確地確定掩模版臺上的掩模版位置的需要。焦平面還被稱為最佳物平面。同時，即使掩模版相對于掩模版臺具有一定的高度和傾斜形狀，將焦點(diǎn)準(zhǔn)確地保持在掩模版上的圖案上也是至關(guān)重要的。因此，測量極紫外工具中的掩模版的圖案化側(cè)的Z位置和平面外傾斜(Rx和Ry)需要嚴(yán)格的精確度。
測量系統(tǒng)的一個實(shí)施例可以從US6934005獲知。已知的系統(tǒng)包括干涉儀，其布置用以提供與掩模版表面的高度和傾斜形狀相關(guān)的輸入數(shù)據(jù)。隨后，通過合適的計算機(jī)程序處理這些數(shù)據(jù)，以線性逼近掩模版表面的高度和傾斜形狀。為了實(shí)現(xiàn)這個目的，掩模版包括布置成基本上在掩模版的相反側(cè)的兩個反射路徑(reflective paths),特別是沿分配給掩模版和掩模版臺的坐標(biāo)系的Y方向延伸，見圖2。干涉儀數(shù)據(jù)用來逼近掩模版表面，這被用來在合適的襯底曝光過程中控制掩模版臺的線性位移。
已知的方法的缺點(diǎn)在于，在襯底曝光過程中當(dāng)掩模版臺線性地移動時，發(fā)生顯著的變形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種器件制造方法，尤其是用于極紫外(EUV)范圍，其中基本上減少在最佳物平面上發(fā)生的變形圖。
根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種器件制造方法包括通過利用安裝在可位移的掩模版臺上的掩模版形成的圖案化輻射束曝光襯底，其中所述方法包括
步驟確定用于相對于掩模版臺逼近掩模版表面的高度和傾斜形狀的非線性函數(shù)；
在襯底曝光過程中依據(jù)該非線性函數(shù)控制掩模版臺的位移。根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種光刻設(shè)備，其布置成將圖案形成裝置的圖
案投影到襯底上，該設(shè)備包括
可位移的掩模版臺，所述掩模版臺布置用于支撐掩模版，所述掩模版
具有圖案化側(cè)；
探測器，用于確定與所述掩模版表面相對于所述掩模版臺的高度和傾斜形狀有關(guān)的數(shù)據(jù)； 計算裝置，用于使用所述數(shù)據(jù)通過非線性函數(shù)逼近掩模版表面；
控制器，用于依據(jù)所述非線性函數(shù)在所述襯底曝光過程中控制所述掩模版臺的位移。
根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種光刻設(shè)備包括
照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用以調(diào)節(jié)輻射束；
支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)構(gòu)造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束，以形成圖案化的輻射束，由此所述支撐結(jié)構(gòu)被可位移地布置；
襯底臺，所述襯底臺構(gòu)造用以保持襯底；和
投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用以將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上，
探測器，所述探測器用于確定與掩模版表面相對于所述掩模版臺的高度和傾斜形狀有關(guān)的數(shù)據(jù)；
其中所述光刻設(shè)備還包括
計算裝置，所述計算裝置用于使用所述數(shù)據(jù)通過非線性函數(shù)逼近所述高度和傾斜形狀；
控制器，所述控制器用于依據(jù)所述非線性函數(shù)在所述襯底曝光過程中控制所述掩模版臺的位移。
根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種計算機(jī)程序包括用于引起處理器執(zhí)行前述所述方法的各步驟的指令。


下面僅通過示例的方式，參考附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中
示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備； 圖2示意地示出掩模版對應(yīng)的坐標(biāo)系統(tǒng)； 圖3示意地示出了曝光狹縫和高度偏離(Z-偏離)效應(yīng)； 圖4示意地示出與掩模版表面對齊的最佳物平面； 圖5示意地示出限定在狹縫上的計算格子； 圖6示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的光刻設(shè)備的一個實(shí)施例； 圖7示意地示出了使用分配到假想線的表面測量點(diǎn)的掩模版繪圖的一
個實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè) 備包括
-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B,尤其是極紫外 (EUV)輻射)。
-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如 掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第 一定位裝置PM相連；
-襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕 劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位 裝置PW相連；和
-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形 成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括 一根或多根管芯)上。
照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性 型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成 形、或控制輻射。
所述支撐結(jié)構(gòu)支撐，也就是承載圖案形成裝置的重量。所述支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是 否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu) 可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)以保持圖案形成裝置。 所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移 動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對 于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為 與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用 于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成 圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo) 部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特 征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定 的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括 掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻 術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減 型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列 的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便 沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反 射鏡矩陣反射的輻射束。
這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影 系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué) 系統(tǒng)、或其任意組合，投影系統(tǒng)的選擇或組合如對于所使用的曝光輻射所 適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這 里使用的術(shù)語"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
如這里所示的，所述設(shè)備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替 代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更 多的掩模臺)的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺， 或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。
光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中至少一部分襯底可以由具有相對高 折射率的液體(例如水)覆蓋，以便充滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸 沒液體還可以應(yīng)用到光刻設(shè)備的其他空間，例如掩模和投影系統(tǒng)之間。浸 沒技術(shù)在本領(lǐng)域是已知的用于增大投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里所用的術(shù)語 "浸沒"并不意味著例如襯底等結(jié)構(gòu)必須浸入到液體中，而是指在曝光期 間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所 述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種 情況下，不會將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合
適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所 述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備 的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器 IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器 AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部 和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為(j-外部和cj-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外， 所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？?以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性 和強(qiáng)度分布。
所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺MT)上的所述 圖案形成裝置(例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成 圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投 影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置 PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的 幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定 位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后， 或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF1用 于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成 所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二
定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺WT 的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，掩模臺MT可以僅與短行 程致動器相連，或者可以是固定的?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和襯 底對準(zhǔn)標(biāo)記Pl 、 P2來對準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記 占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知 為劃線對齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模MA上的 情況下，所述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。
所示的設(shè)備可以用于以下模式中的至少一種中
1. 在步進(jìn)模式中，在將掩模臺MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同 時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(g卩，單一 的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對 不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的 靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同 時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動態(tài)曝 光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng) PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的 最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。
3. 在另一個模式中，將保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為 基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時，將賦予所述 輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源， 并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖 之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用 于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無掩模光刻術(shù)中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 根據(jù)本發(fā)明的光刻設(shè)備還包括探測器D，用于確定與掩模版表面相 對于掩模版臺的高度和傾斜形狀(tiltprofile)相關(guān)的測量數(shù)據(jù)；計算裝置CM，用于通過非線性函數(shù)逼近所述高度和所述傾斜形狀；以及控制器C， 用于在襯底曝光期間根據(jù)非線性函數(shù)控制掩模版臺的位移。控制器C布置 用以在晶片曝光期間根據(jù)基于測量的數(shù)據(jù)由用于逼近所述掩模版表面的
高度和傾斜形狀的計算裝置CM計算的非線性函數(shù)位移掩模版臺。
本發(fā)明的技術(shù)方法是基于以下理解通過考慮與掩模版表面上的設(shè)定 點(diǎn)相關(guān)的多于兩個的自由度以及通過根據(jù)所述考慮控制掩模版臺的位移， 來獲得最佳物平面內(nèi)的變形場的實(shí)質(zhì)性的減小。
在實(shí)際中，掩模版具有相對于掩模版臺表面的非線性的高度和傾斜形
狀。例如使用根據(jù)US6934005的實(shí)質(zhì)上已知的技術(shù)，可以對掩模版表面進(jìn) 行繪圖?？梢允褂煤线m的干涉儀系統(tǒng)，其例如包括兩個干涉儀。每個干涉 儀布置用以將來自合適的照射裝置的照射光投射到掩模版上。照射裝置可 以包括光源、激光器或類似具有或不具有聚焦或放大光學(xué)裝置的裝置。根 據(jù)已知的技術(shù)，來自第一干涉儀的第一組干涉測量束被掩模版的反射部分 反射，因而表示掩模版表面的高度和傾斜形狀。被反射的束被適當(dāng)?shù)母缮?儀的探測器接收。有利地，在進(jìn)行處理之前或之后，與所探測的束相對應(yīng) 的信號被存儲在存儲裝置中。來自第二干涉儀的第二組干涉測量束被從掩 模版臺上的合適位置反射并且被合適的探測器探測。然后，與所探測的束 相關(guān)的信號被存儲在存儲單元中。
由此獲得的數(shù)據(jù)與掩模版高度和傾斜形狀相關(guān)，隨后用于根據(jù)本發(fā)明 的通過非線性函數(shù)逼近掩模版表面的方法。在例如通過使用合適地布置的 計算裝置建立起有關(guān)掩模版的高度和傾斜形狀的信息的基礎(chǔ)上，(特別 地)布置作為合適的計算機(jī)程序的EUY掩模版調(diào)平泛函(EUV reticle leveling flinctionality)被有利地布置用以確定掩模版x-傾斜Rx、掩模版z-高度圖z (y)或YTZ (y)以及掩模版y-轉(zhuǎn)動(y-roll) Ryy。掩模版y-轉(zhuǎn) 動被限定為掩模版的y端點(diǎn)之間的y-傾斜的差。此外，建立掩模版y-傾斜 圖Ry (y)。注意的是，掩模版的其他自由度，例如絕對傾斜Ry和絕對高 度z，通過合適的掩模版對準(zhǔn)來確定。
在建立逼近掩模版表面的非線性函數(shù)的基礎(chǔ)上，可以開始襯底的曝 光，在襯底曝光過程中掩模版臺根據(jù)該非線性函數(shù)進(jìn)行位移，因而對掩模 版表面的非線性高度和傾斜形狀進(jìn)行補(bǔ)償。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于本發(fā)明的技術(shù)方法，基本上減少了圖像的變形圖。
在用于確定非線性函數(shù)的本發(fā)明的實(shí)施例中，采取下面的步驟-在第一格子上確定與掩模版的高度和傾斜數(shù)據(jù)相對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)集；
在第二格子上確定與多個掩模版臺設(shè)定點(diǎn)相對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)集；
通過非線性函數(shù)擬合一系列的設(shè)定點(diǎn)。 由于特定的掩模版高度和傾斜形狀，也就是掩模版是反射的事實(shí)，其
次由于光軸的非遠(yuǎn)心性和EUV光束的發(fā)散形狀，多個EUV具體設(shè)計特征 是造成變形效應(yīng)的原因。最后，設(shè)想將要投影到反射掩模版上的一部分光 束是彎曲的。這部分光束還被稱為曝光狹縫。圖3以示意地方式示出了曝 光狹縫和導(dǎo)致放大和y-平移的物體高度偏離(z-偏離)效應(yīng)。
為了補(bǔ)償z-偏離對在最佳物平面上的圖像的品質(zhì)的影響，為了確定非 線性函數(shù)，在第一格子上確定與掩模版的高度和傾斜數(shù)據(jù)相對應(yīng)的第一數(shù) 據(jù)集；在第二格子上確定與多個掩模版臺設(shè)定點(diǎn)相對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)集；以 及通過非線性函數(shù)擬合一系列設(shè)定點(diǎn)。下面參照圖4給出該實(shí)施例的詳細(xì) 說明。
在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，最小平方擬合被用于確定第二數(shù)據(jù)集的步 驟中，從而擬合第一格子和第二格子。
為了將最佳物平面投影到在設(shè)定點(diǎn)的位置處的掩模版表面，首先，用 固定的x-坐標(biāo)和y-間距限定狹縫上的彎曲的格子，見圖5。該格子在底部 開始，并向上延伸直到達(dá)到頂點(diǎn)。優(yōu)選地，最小平方擬合包括線性方程的 系統(tǒng)，因而掩模版上的物體區(qū)域具有基本上一樣的狹縫形狀和基本上相同 的狹縫格子。
應(yīng)用最小平方擬合的好處在于，第一自動過濾了掩模版表面已建立的 高度形狀中孤立的顯著的峰值，第二考慮了狹縫的曲率。
優(yōu)選地，對于非線性函數(shù)，選擇合適的多項(xiàng)式曲線。通過使用已建立 的變量z^、 Ry,tt《以及Rx,B^的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生多項(xiàng)式曲線。更優(yōu)選地，多項(xiàng) 式曲線包括多個四階多項(xiàng)式，彼此平滑地連接。這樣的函數(shù)可以被稱為四 次樣條(quartic spline)。數(shù)學(xué)函數(shù)，例如樣條，在本領(lǐng)域是熟知的，它們 的性質(zhì)這里不做介紹。在襯底曝光過程中，優(yōu)選根據(jù)四次(四階)樣 實(shí) 施掩模版臺的位移控制。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的光刻設(shè)備包括干涉儀，其布置用以確定用于建 立逼近掩模版表面的非線性函數(shù)的測量數(shù)據(jù)。
圖2示意地示出對應(yīng)掩模版的坐標(biāo)系統(tǒng)。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施
例的安裝在掩模版臺105上并且在X-Y平面內(nèi)或平行X-Y平面取向的掩 模版IOO的六個自由度(DOF)。再次，六個自由度是X(沿X軸)、Y(沿 Y軸)、Z (沿Z軸)、Rx (圍繞X軸旋轉(zhuǎn))、Ry (圍繞Y軸旋轉(zhuǎn))以及Rz (圍繞Z軸旋轉(zhuǎn))。更易于確定的自由度是基于掩模版臺位移的X、 Y以 及Rz。在下面討論的實(shí)施例中，下面重點(diǎn)介紹的自由度是Z、 Ry和Rx。 可以認(rèn)識到，如果掩模版100的取向改變，通過下面的設(shè)備和方法可以確 定任何自由度。路徑101和102布置成掩模版表面的反射部分，因而可以 通過干涉儀實(shí)現(xiàn)恰當(dāng)?shù)臏y量。
圖3示意地示出了曝光狹縫和掩模版的高度偏離(Z-偏離)對最佳物 平面處狹縫形狀的影響。圖3示意地示出了弧31的一部分，在弧31上限 定了狹縫形狀33。光束(未示出)通常是具有半徑32a的弧形。狹縫33 的特征在于半角e和厚度35。要注意的是，投影系統(tǒng)的物體側(cè)是非遠(yuǎn)心的， 因?yàn)檠谀０嫔系恼丈鋱鰪耐队跋到y(tǒng)(未示出)離軸偏移，并且投影束相對 于投影系統(tǒng)的光軸以一定角度進(jìn)入投影系統(tǒng)。
雖然離遠(yuǎn)心的偏離優(yōu)選布置成盡可能小，由于光刻設(shè)備的光學(xué)系統(tǒng)的 非遠(yuǎn)心性，掩模版的局部垂直z變形還是會導(dǎo)致在最佳物平面處的圖像的 水平(X或Y)變形，這在圖3的右邊部分中示意地示出。預(yù)期光束32 在基本上平的反射掩模版35處彈回，弁且沿方向32'傳播。由于實(shí)際掩模 版34相對于平的掩模版35的高度改變量Az，當(dāng)掩模版具有z位移時，光 束沿方向32"傳播，從而引起最佳物平面處的狹縫形狀36的減小。要注意 的是，狹縫形狀被減小正的位移(+z)，否則狹縫形狀被放大。還要注意 的是，由于掩模版的z偏離，狹縫形狀還沿y方向位移距離37。
圖4示意地示出與掩模版表面42對齊的最佳物平面43、 45、 47。為
了允許掩模版臺執(zhí)行掩模版的高度和傾斜形狀的修正，使用掩模版表面測 量點(diǎn)確定掩模版高度圖和傾斜圖。這可以根據(jù)已知在US6934005中介紹的 使用干涉儀的方法來完成。這樣建立的掩模版的高度和傾斜形狀組成掩模 版調(diào)平單元的輸入數(shù)據(jù)，掩模版調(diào)平單元布置用以計算掩模版臺z-傾斜值
13Rx、掩模版臺z位置和掩模版臺y-傾斜Ry。必須理解的是，掩模版臺設(shè) 定點(diǎn)表示掩模版臺的空間位置和傾斜。掩模版臺設(shè)定點(diǎn)通常被定義為在掩 模版臺坐標(biāo)系統(tǒng)(RSCS)中掩模版零坐標(biāo)系統(tǒng)(RZCS)的原點(diǎn)位置。在 圖4中，掩模版臺設(shè)定點(diǎn)定義為相對于掩模版臺坐標(biāo)系統(tǒng)原點(diǎn)的最佳物平 面坐標(biāo)系統(tǒng)的原點(diǎn)位置。可選地，掩模版測量點(diǎn)可以被分配給與劃線相關(guān) 的假想線。優(yōu)選地，所述劃線包括圖像傳感器標(biāo)記。對于EUV光刻設(shè)備， 可以使用反射掩模，例如在US6879374中介紹的那樣。對于傳統(tǒng)的光刻設(shè) 備，可以使用反射型或者透射型圖像傳感器標(biāo)記(TISm)，如US6879374 中介紹的。下面將參照圖7進(jìn)一步詳細(xì)地介紹布置在劃線上的圖像傳感器 標(biāo)記的一個實(shí)施例。
為了計算解決最佳物平面和掩模版表面之間對齊的函數(shù)，將限定在掩 模版臺表面上的多個設(shè)定點(diǎn)yi、 yi+1、 yi+2等擬合到掩模版42。每個設(shè)定點(diǎn) 的特征在于多個計算的變量，也就是高度Zi，第一傾斜Rx,i以及第二傾斜 Ry,i。優(yōu)選地，使用掩模版表面到最佳物平面的最小平方擬合計算這些參數(shù)， 這參照圖5詳細(xì)地介紹。
圖5示意地示出了限定在狹縫上的計算的格子的實(shí)施例。通過組成點(diǎn) 51a...51n的彎曲的格子逼近狹縫51，其中所述各點(diǎn)具有恒定的x和y間 距。要注意的是，格子的頂部表面52和底部表面54分別組成圓的一部分， 因而不會以恒定的y方向上的偏離平行地延伸。通常通過在一個表面(例 如表面52)上設(shè)定格子點(diǎn)并通過延伸格子點(diǎn)直到達(dá)到第二表面54來方便 地形成格子。狹縫格子的原點(diǎn)用53示意地表示。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方法， 在第一格子57上限定與掩模版的高度和傾斜數(shù)據(jù)相對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)集。 在第二格子56上確定與多個掩模版臺設(shè)定點(diǎn)56相對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)集。第 一格子57和第二格子56具有共同原點(diǎn)55。格子56和67都被限定在掩模 版坐標(biāo)系統(tǒng)RCS的y軸上。
如下進(jìn)行最佳物平面(BOP)中的狹縫形區(qū)域與掩模版上的狹縫形區(qū) 域的對準(zhǔn)的操作。將RZCS作為"框架"坐標(biāo)，掩模版臺相對該坐標(biāo)移動 和定位。^"是RZCS中的坐標(biāo)，而x—^是掩模版臺坐標(biāo)系統(tǒng)(RSCS)中 的坐標(biāo)。掩模版臺坐標(biāo)系統(tǒng)(RSCS)到掩模版零坐標(biāo)系統(tǒng)(RZCS)的3D 變換方程用下式表示這里對角矩陣^'是掩模版臺干涉儀縮放比例。這里^是掩模版臺零 位調(diào)整偏離，而L是掩模版臺零位調(diào)整旋轉(zhuǎn)偏離矩陣。這里無窮小旋轉(zhuǎn)矩 陣
i
-r,
和向量(=(~， ，"是變換參數(shù)。和^的(垂直的)平面外分量7^, l禾口"
是平面外掩模版臺設(shè)定點(diǎn)。^是最佳物平面坐標(biāo)系統(tǒng)(opcs)中的坐標(biāo)。 opcs到rzcs的3d轉(zhuǎn)換方程是
其中矩陣l和向量仏是變換參數(shù)。
在后面， 一個符號后面的方括號表示括號之間的值的函數(shù)。 ^"是掩模版坐標(biāo)系統(tǒng)(rcs)中的坐標(biāo)，而》"是相應(yīng)的y坐標(biāo)。rcs
的3d變換方程rscs是
』=m. 〗 + c ]' & 。
這里^是對角放大矩陣。這里^是變換參數(shù)，^是z方向上的單位向 量，y^[;^]是掩模版高度圖函數(shù)。這里
.匿 1 ., ;r^'. ^y + ^^^+JA^U^J-
-/ ni^-ram] a i
是矩陣值函數(shù)，其表示依賴于參數(shù)^、 ^、 ^、轉(zhuǎn)動^"以及掩模版y傾
斜圖函數(shù)^^力"]的無窮小旋轉(zhuǎn)。
L = (O，力，O)是rcs中掩模版上的狹縫形目標(biāo)區(qū)域的位置，其位于y軸。 通過描述opcs和rcs之間的3d變換方程得到下面的表示在^處的對準(zhǔn) 問題的關(guān)系式，和rscs中的對準(zhǔn)問題一樣<formula>formula see original document page 16</formula>
設(shè)定工"。。將x限定在xy-平面。方程的右手邊是在RSCS中的掩模版表 面。左手邊限定在RSCS中的最佳物平面作為在xo的第一階多項(xiàng)式。問題 在于，通過將在BOP中的狹縫形區(qū)域擬合到位于RCS中的&處的掩模版 表面上的狹縫形區(qū)域，找到平面外傾斜7^、 ^和平面外位置"。 下面，通過LSQ的方法執(zhí)行這種擬合
在方程(1)中設(shè)定工=&。用"，y')表示坐標(biāo)^處的覆蓋BOP內(nèi)狹縫 形區(qū)域的格子，見圖5中的格子51。
對于合適的格子，定義格子，由固定x值的等距格線形成，其中每個 格線在狹縫形區(qū)域的底部開始，并以固定的y間距向上延伸直到其達(dá)到該 區(qū)域的頂部。
在這個格子上的擬合問題可以通過下面一組在局部RSCS中的BOP 的垂直(平面外)位置Zfit和傾斜Ry,m以及Rx,fu的線性方程來表示
<formula>formula see original document page 16</formula>，其中i表示所有格子點(diǎn)(2)
方程的該線性組可以作為LSQ擬合問題求解。通過使用奇異值分解解 這個方程是合適的方法。方程(2)的右手邊通過估計在格點(diǎn)(Xi， yi)處 的方程式(1)的右手邊的z分量來獲得
<formula>formula see original document page 16</formula>
這里在M對角線上的Z分量已經(jīng)設(shè)定為1。將平面外位置^以及傾斜 ^^和&,'與方程式(1)的左手邊的z分量中的這些量對比，得到<formula>formula see original document page 16</formula>這里！'對角線上的Z分量已經(jīng)設(shè)定為1。垂直設(shè)定點(diǎn)值^、、以及、 可以由方程式(3)來確定。
優(yōu)選地，通過使用已建立的對應(yīng)變量Zfu、 Ry,m以及Rx,m的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生 多項(xiàng)式曲線。更優(yōu)選地，多項(xiàng)式曲線包括一系列的鏈接的4階多項(xiàng)式，平 滑地彼此連接。這樣的函數(shù)可以稱為四次(四階)樣條。例如樣條等數(shù)學(xué) 函數(shù)在本領(lǐng)域是公知的，這里不再詳細(xì)地介紹它們的性質(zhì)。在襯底曝光過 程中，優(yōu)選根據(jù)這樣獲得的四次樣條實(shí)施掩模版臺的位移控制。
圖6示意地示出根據(jù)本發(fā)明的光刻設(shè)備的實(shí)施例。圖6示出了根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例的光刻工具的一部分600。部分200包括掩模版臺602，其 具有在后側(cè)夾持的掩模版604，掩模版604具有圖案606。雖然沒有按照 比例表示，干涉儀系統(tǒng)608包括兩個干涉儀608A和608B。要注意的是， 還可以使用布置成以雙模式使用的單個干涉儀。每個干涉儀608A和608B 將來自照射裝置610的照射(I)光投射朝向部分600。在不同的實(shí)施例中， 照射裝置210可以是光源、激光器或具有或不具有聚焦或放大光學(xué)裝置的 類似的裝置。來自第一干涉儀608A的第一組干涉測量束RSZ1和RSZ2 分別被掩模版604上的第一位置612和第二位置614反射。第一位置612 鄰近圖案606的第一側(cè)，而第二位置614鄰近圖案606的第二側(cè)。反射束 被探測器(D) 616接收。在被控制器620處理之前或之后，將與探測的 束相對應(yīng)的信號存儲在存儲裝置618中。
來自第二干涉儀608B的第二組干涉測量束RSZ3和RSZ4分別被掩模 版臺602上的第一點(diǎn)622和第二點(diǎn)624反射，并且由探測器616探測。然 后，對應(yīng)于被探測的束的信號被存儲在存儲器618中。在上面示出的實(shí)施 例中，所有四個測量點(diǎn)612、 614、 622以及624基本上位于具有相同Y值 的線上。在其他實(shí)施例中，這可以是需要的。
在另一實(shí)施例中，信號表示基于兩個相關(guān)束(即RSZ1和RSZ2或者 RSZ3和RSZ4)的強(qiáng)度、相位、距離等等進(jìn)行比較的干涉測量值。通過 比較得來的最終信號對應(yīng)于掩模版臺602或掩模版604的參數(shù)(例如位置， 取向，傾斜等)。在不同的實(shí)施例中，使用四個干涉儀束RSZ1-RSZ4來確 定掩模版604的圖案化表面606的兩個自由度(Z和Ry)。在這些實(shí)施例中， Z是大約垂直于圖案化表面606的方向，并且平行于光刻工具的光軸。此外，在這些實(shí)施例中，Ry是圍繞掩模版臺602的掃描軸線的旋轉(zhuǎn)。如上 所述，兩個干涉儀束(RSZ1和RSZ2)被圖案606的任一側(cè)上的掩模版 604的圖案表面606反射。
此外，在不同的實(shí)施例中，其他兩個干涉儀束(RSZ3和RSZ4)被定 位成從掩模版臺602上的表面反射。這些反射表面的結(jié)構(gòu)有許多種選擇。 在一些實(shí)施例中，掩模版臺602的第一反射表面(例如具有點(diǎn)622)沿X-Y 平面或平行X-Y平面取向以給出Z位置反饋。然后，掩模版臺602的第 二反射表面(例如具有點(diǎn)624)沿X-Y平面或平行X-Y平面取向?？梢允?替換的結(jié)構(gòu)，其中掩模版臺602的第二反射表面可以沿Y-Z平面或平行 Y-Z平面取向。然后，第二表面給出Ry臺位置信息。在另一可選的實(shí)施 例中，存在多種其他取向，在這些取向中計算將會給出Z和Ry的值。通 常，光刻工具著眼于在X方向上或Z方向上分開的兩個干涉儀(例如雙干 涉儀610，或干涉儀610A和610B)之間的差異，因而給出Ry的信息。
圖7示意地示出了使用分配給假想線的表面測量點(diǎn)的掩模版繪圖的實(shí) 施例?，F(xiàn)有技術(shù)中已知的普通掩模版71包括可使用區(qū)域72，用來圖案化 投射到掩模版71上的合適的輻射束?？墒褂脜^(qū)域72可以通過適當(dāng)?shù)膱D像 傳感器標(biāo)記74包圍，以能夠如參照圖4描述的那樣進(jìn)行測量。掩模版71 還包括可以用于分離多個相同的產(chǎn)品的劃線75a、 75b。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在掩模 版表面繪圖過程中可以成功地使用劃線，因而改善表面數(shù)據(jù)集。例如，已 經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過使用至少一個或兩個劃線獲得有關(guān)掩模版高度和傾斜形狀的 信息，可以以更高程度的精確度執(zhí)行掩模版調(diào)平，而不會在上面介紹的非 線性函數(shù)中表示的調(diào)平曲線中增加額外的自由度。劃線75a、 75b可以用 來限定掩模版71上的假想線。優(yōu)選地，劃線可以與用作表面測量點(diǎn)以獲 得表示掩模版的傾斜和高度形狀的表面測量數(shù)據(jù)的透射圖像傳感器(RIS) 標(biāo)記或反射圖像傳感器(TIS)標(biāo)記一起布置。例如，對于常規(guī)光刻設(shè)備 可以使用RIS標(biāo)記或TIS標(biāo)記，或它們的適當(dāng)?shù)慕M合標(biāo)記。對于EUV光 刻設(shè)備，優(yōu)選使用RIS標(biāo)記。使用TIS標(biāo)記可以是有利的，對于小照射角 度投影系統(tǒng)可以在掩模(物體)側(cè)保持遠(yuǎn)心。應(yīng)該認(rèn)識到，雖然示意地在 掩模版71上示出了多個圖像傳感器標(biāo)記77a-77j，但是在實(shí)際使用時多個 標(biāo)記和它們在掩模版表面上的布置可以被最優(yōu)化。例如，在提前認(rèn)定假定
18掩模版臺基本上是在特定區(qū)域變形的情形中，這種被劃線75a、 75b橫穿 的區(qū)域可以設(shè)置有增加的多個圖像傳感器標(biāo)記，這帶來圖像傳感器標(biāo)記在 掩模版71表面上的不均勻分布。在這種方法中，根據(jù)本發(fā)明的掩模版的
傾斜和高度形狀的修正還可以進(jìn)一步改善。
雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理
解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁 疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁 頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這 里使用的任何術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底" 或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理， 例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑 進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可 以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可 以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底" 也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。
雖然以上己經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情況中使用本發(fā)明 的實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以有其它的應(yīng)用，例如壓 印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中， 圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成 裝置的拓?fù)鋲河〉教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻 射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所 述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括 紫外(UV)輻射(例如具有約365、 355、 248、 193、 157或126 nm的波長) 和深紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍的波長)，以及粒子束， 例如離子束或電子束。
這里使用的術(shù)語"透鏡"可以認(rèn)為是一個或多種類型的光學(xué)元件的組 合體，包括折射型、反射型、磁學(xué)型、電磁型和靜電型光學(xué)部件。
盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可 以以與上述不同的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的至少一個機(jī)器可讀指令序列的計算機(jī)程序的形式，或 具有存儲其中的所述的計算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、 磁盤或光盤)的形式。
上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離以下所述權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對上述 本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種器件制造方法，包括用由安裝在可位移的掩模版臺上的掩模版形成的圖案化輻射束曝光襯底，其中所述方法包括步驟-確定用于相對于所述掩模版臺逼近掩模版表面的高度和傾斜形狀的非線性函數(shù)；-在所述襯底曝光過程中根據(jù)所述非線性函數(shù)控制所述掩模版臺的位移。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，為了確定所述非線性函數(shù)而采取下面步驟-在第一格子上確定與所述掩模版的高度和傾斜數(shù)據(jù)相對應(yīng)的第一數(shù)據(jù)集；-在第二格子上確定與多個掩模版臺設(shè)定點(diǎn)相對應(yīng)的第二數(shù)據(jù)集；-用非線性函數(shù)擬合一系列的設(shè)定點(diǎn)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，最小平方擬合被用于確定所述第二數(shù)據(jù)集的步驟，從而擬合所述第一格子和所述第二格子。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第一數(shù)據(jù)集是從所述掩模版的表面測量值中獲得的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，使用掩模版測量點(diǎn)收集表面測量數(shù)據(jù)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述掩模版測量點(diǎn)位于與所述掩模版的劃線相關(guān)的假想線上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述劃線包括圖像傳感器標(biāo)記。
8. —種光刻設(shè)備，其布置成將圖案形成裝置的圖案投影到襯底上，所述設(shè)備包括可位移的掩模版臺，所述掩模版臺布置用于支撐掩模版，所述掩模版具有圖案化側(cè)；探測器，所述探測器用于確定與掩模版表面相對于所述掩模版臺的高度和傾斜形狀有關(guān)的數(shù)據(jù)；計算裝置，所述計算裝置用于使用所述數(shù)據(jù)通過非線性函數(shù)逼近所述高度和所述傾斜形狀；控制器，所述控制器用于在所述襯底曝光過程中依據(jù)所述非線性函數(shù) 控制所述掩模版臺的位移。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述探測器包括干涉儀。
10. —種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用以調(diào)節(jié)輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)構(gòu)造用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成 裝置能夠?qū)D案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束，以形成圖案化 的輻射束，由此所述支撐結(jié)構(gòu)被可位移地布置；襯底臺，所述襯底臺構(gòu)造用以保持襯底；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用以將所述圖案化的輻射束投影到所述 襯底的目標(biāo)部分上，探測器，所述探測器用于確定與掩模版表面相對于所述掩模版臺的高 度和傾斜形狀有關(guān)的數(shù)據(jù)；其中所述光刻設(shè)備還包括計算裝置，所述計算裝置用于使用所述數(shù)據(jù)通過非線性函數(shù)逼近掩模 版表面；控制器，所述控制器用于在所述襯底曝光過程中依據(jù)所述非線性函數(shù) 控制所述掩模版臺的位移。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻設(shè)備，其中，所述探測器包括干涉儀。
12. —種計算機(jī)程序，其包括用于引起處理器執(zhí)行前述權(quán)利要求1-7 中任一項(xiàng)所述方法的步驟的指令。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種器件制造方法，包括用由安裝在可位移的掩模版臺上的掩模版形成的圖案化輻射束曝光襯底，其中所述方法包括步驟確定用于相對于所述掩模版臺逼近掩模版表面的高度和傾斜形狀的非線性函數(shù)；在襯底曝光過程中，根據(jù)非線性函數(shù)控制所述掩模版臺的位移。本發(fā)明還涉及一種光刻設(shè)備和計算機(jī)程序。
文檔編號G03F7/20GK101641645SQ200880008283
公開日2010年2月3日 申請日期2008年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者A·奧德斯霍恩, E·R·洛普斯卓, L·M·萊瓦西爾, R·布洛克 申請人:Asml荷蘭有限公司