專利名稱：帶有散射條的掩模版組合及光刻方法
帶有散射條的掩模版組合及光刻方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及帶有散射條的掩模版組合及光刻 方法。背景技術(shù)：
光刻技術(shù)是集成電路制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。降低集成電路的線寬在很 大程度上依賴于提高光刻的精度，從而可以在半導(dǎo)體襯底上制作更精密的圖 形。在光刻工藝進(jìn)入深亞微米甚至更精細(xì)的尺度的情況下，在將圖形從光刻版 通過(guò)曝光的方法轉(zhuǎn)移到襯底上時(shí)，在靠近掩模圖形邊緣的部分，由于受到光的衍射現(xiàn)象影響會(huì)產(chǎn)生條紋。如附圖1所示，掩模版101表面包括掩模圖形102， 通過(guò)曝光的方法將掩模圖形102轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底103表面的光刻膠104。由 于掩模圖形102對(duì)光的遮擋，在光刻膠104中形成光刻圖形102'，并且在光刻 圖形102'的兩側(cè)，由于受到光的衍射現(xiàn)象影響而產(chǎn)生了條紋，進(jìn)而在光刻圖形 102'的兩側(cè)形成附加圖形102"，此附加圖形的產(chǎn)生是不希望看到的現(xiàn)象。如附圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，為了消除由于光的衍射而產(chǎn)生的附加圖形 102"，通常在掩模圖形102兩側(cè)制作散射條105(ScatteringBar, SB)。散射條105 對(duì)掩模圖形102兩側(cè)的衍射條紋起到散射的作用，.可以消除衍射條紋，并且散 射條105的寬度小于曝光光源的最小成像尺寸，保證其不會(huì)在光刻膠104上成 像。采用上述方法，可以保證采用掩模圖形102曝光時(shí)，在光刻膠104中只形 成光刻圖形102'。然而，隨著光刻工藝精度的不斷降低，散射條的寬度也隨之減小，制作帶 有散射條的掩模版變得越來(lái)越難。 一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于65納米寬的掩模圖形，兩 側(cè)散射條的寬度要小于35nm，這給掩模版的制作造成了困難。在光刻版上制 作如此窄的圖形，在制作過(guò)程中采用的光刻膠圖形的縱向的高度己經(jīng)明顯大于橫向?qū)挾龋捎诠饪棠z質(zhì)地較軟，因此在制作掩模版的過(guò)程中，很容易產(chǎn)生橫向坍倒。如附圖3所示，為光刻膠圖形108坍倒的示意圖。掩模版由玻璃襯底 106和表面的光阻擋層107構(gòu)成。在采用電子束曝光或者其他工藝在光阻擋層 107中制作散射條時(shí)，需要制作與散射條的寬度相對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形108。虛 線所示為光刻膠圖形108原有的位置，實(shí)線所示為光刻膠圖形108發(fā)生坍倒后 的實(shí)際位置。由于光刻膠圖形108的橫向?qū)挾扰c高度相比過(guò)窄且質(zhì)地較軟，因 此可能發(fā)生坍倒。光刻膠圖形的坍倒現(xiàn)象導(dǎo)致在小線寬情況下制作現(xiàn)有技術(shù)中 的帶有散射條的掩模版難度很大。因此如何對(duì)散射條技術(shù)做出改進(jìn)，發(fā)明一種 易于制備的帶有散射條的掩模版，成為目前亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種帶有散射條的掩模版組合以及光 刻方法，對(duì)現(xiàn)有的帶有散射條的掩模版做出改進(jìn)，克服小線寬下散射條難以制 作問(wèn)題。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種帶有散射條的掩模版組合，包括第 一掩模版和第二掩模版，第一掩模版包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、核心圖形和位于核心圖形 旁邊的散射條，所述散射條的寬度大于適用于該光刻版組合的光源的最小成像 尺寸；第二掩模版包括與第一掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、遮擋圖形； 當(dāng)兩塊掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記重合時(shí)，所述第二掩模版的遮擋圖形可以將第一掩模 版的核心圖形完全覆蓋，并且與第一掩模版的散射條之間不發(fā)生重合。作為較佳的方案，所述第二掩模版的遮擋圖形的面積大于第一掩模版的核 心圖形的面積。作為較佳的方案，所述核心圖形的兩側(cè)均布置有散射條，所述第二掩模版 的遮擋圖形的邊緣位于第一掩模版的核心圖形和臨近的散射條之間。作為較佳的方案，所述第二掩模版中遮擋圖形寬度大于第一掩模版中核心 圖形寬度的兩倍。作為較佳的方案，所述適用于該光刻版組合的光源的最小成像尺寸的范圍 為15 70nm。作為較佳的方案，所述第一掩模版中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、核心圖形、散射條，和 第二掩模版中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、遮擋圖形均由不透光的材料構(gòu)成。作為較佳的方案，所述第一掩模版進(jìn)一步包括另一散射條，兩個(gè)散射條位 于核心圖形同一側(cè)且彼此相鄰，所述第二掩模版還包括補(bǔ)充遮擋圖形，當(dāng)上述 兩塊掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記重合時(shí)，補(bǔ)充遮擋圖形位于兩個(gè)相鄰的散射條之間。本發(fā)明還提供了一種采用帶有散射條的掩模版組合進(jìn)行光刻的方法，包括 下列步驟提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底表面涂覆光刻膠層；第一次曝光， 采用第一掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，將第一掩模版的核心圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠 層；第二次曝光，采用第二掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，對(duì)第一次曝光中受散 射條影響的位置進(jìn)行再次曝光。作為較佳的方案，所述第一次曝光采用雙極照明模式的曝光光源。 作為較佳的方案，所述第二次曝光采用四極照明模式的曝光光源。 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，對(duì)傳統(tǒng)的帶有散射條的掩模版加以改進(jìn)，增大了散射 條的寬度，并采用第二塊掩模版進(jìn)行再次曝光，克服了小線寬下散射條難以制 作問(wèn)題，提高了光刻工藝的質(zhì)量。
附圖1至附圖3為本發(fā)明所述帶有掩模條掩模版的現(xiàn)有技術(shù)的示意圖； 附圖4所示為本發(fā)明所提供的帶有散射條的掩模版組合的具體實(shí)施方式
的 結(jié)構(gòu)圖；附圖5所示為本發(fā)明所提供的采用帶有散射條的掩模版組合的光刻方法的具體實(shí)施方式
的實(shí)施步驟示意圖；附圖6、附圖7、附圖9以及附圖11為本發(fā)明所提供的采用帶有散射條的 掩模版組合的光刻方法的具體實(shí)施方式
的工藝流程圖；附圖8和附圖10為本發(fā)明所提供的采用帶有散射條的掩模版組合的光刻 方法的具體實(shí)施方式
中兩次曝光所采用的曝光光源的透光面示意圖；附圖12至附圖14所示為本發(fā)明所提供的帶有散射條的掩模版組合的另一 個(gè)具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所提供的帶有散射條的掩模版組合及光刻方法做 詳細(xì)的說(shuō)明。附圖4所示為本發(fā)明所提供的帶有散射條的掩模版組合的具體實(shí)施方式
的 結(jié)構(gòu)圖。所述掩模版組合包括第一掩模版210和第二掩模版220。第一掩模版 210包括基底211、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記212、核心圖形213和位于核心圖形213旁邊的散 射條214。第二掩模版220包括基底221、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記222、遮擋圖形223。本實(shí)施例中，在核心圖形213的兩側(cè)對(duì)稱地布置有散射條214。實(shí)際的工 藝環(huán)境中，可以根據(jù)掩模版表面核心圖形的尺寸、形狀以及分布的情況，選擇 在核心圖形的一側(cè)或者兩側(cè)制作散射條，兩側(cè)散射條的數(shù)目可以相同也可以不 相同，分布可以是對(duì)稱的，也可以是非對(duì)稱的。所述第二掩模版220的遮擋圖形223可以將第一掩模版210的核心圖形 213完全覆蓋，并且與第一掩模版210的散射條214之間不發(fā)生重合。比較好 的設(shè)計(jì)方案是第二掩模版220的遮擋圖形223的面積大于第一掩模版210的核 心圖形213的面積。在光刻工藝的實(shí)施過(guò)程中，首先采用第一掩模版210進(jìn)行曝光，然后采用 第二掩模版220進(jìn)行再次曝光?；?11和221的采用透明材料構(gòu)成，例如石英。所述第一掩模版210中 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記212、核心圖形213、散射條214，和第二掩模版中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記222、 遮擋圖形223均由不透光的材料構(gòu)成。根據(jù)具體實(shí)施情況的需要，上述圖形也 可以是由不透明材料鏤空之后形成的圖案。設(shè)計(jì)掩模版時(shí)需要考慮所采用的曝光光源的波長(zhǎng)。 一般來(lái)說(shuō)， 一套掩模版 的設(shè)計(jì)方案只針對(duì)某一特定的波長(zhǎng)，例如248nm、 193nm或者157nm。在所采 用的曝光光源波長(zhǎng)以及成像的光學(xué)系統(tǒng)被確定的情況下，光源的最小成像尺寸 也是確定的。例如對(duì)于65nm節(jié)點(diǎn)工藝，采用的曝光光源為193nm時(shí)，光源的 最小成像尺寸為35nm，也就意味著，如果掩模版上圖形的寬度小于35nm，則 不能在光刻膠中成像，反之則可以在光刻膠中成像。對(duì)于采用248nm或者157nm等其他波長(zhǎng)光源的工藝，以及在成像中采用不同的光學(xué)系統(tǒng)，光源的最 小成像尺寸會(huì)有所不同。對(duì)于目前的主流光刻機(jī)，通常的最小成像尺寸范圍為 15nm 70nm。將散射條214的寬度加大可以解決散射條在寬度過(guò)窄的情況下，制作過(guò)程 中采用的光刻膠圖形的發(fā)生橫向坍倒的問(wèn)題。在先進(jìn)的小線寬的光刻工藝中， 若避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，則散射條214的寬度通常要大于曝光光源的最小成像 尺寸，這就意味著散射條會(huì)在光刻膠中成像。采用第二掩模版220進(jìn)行再次曝 光的目的就在于解決這一問(wèn)題。如附圖4所示，當(dāng)兩塊掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記重合時(shí)，所述第二掩模版220的 遮擋圖形223的邊緣223a和223b位于第一掩模版210的核心圖形213和臨近 的散射條214之間。此方案是為了保證采用第二掩模版220進(jìn)行再次曝光時(shí)， 可以將受到散射條214影響的區(qū)域再次曝光，并且不影響由核心圖形213形成 的圖形。在圖形尺寸比較小的情況下，第二掩模版220中遮擋圖形223寬度大 于第一掩模版210中核心圖形213寬度的兩倍是一種較佳的技術(shù)方案。此方案 在保證再次曝光不影響由核心圖形213形成的圖形的情況下，有利于進(jìn)一步避 免遮擋圖形223邊緣的衍射現(xiàn)象對(duì)核心圖形213形成的圖形產(chǎn)生影響。附圖5所示為本發(fā)明所提供的采用帶有散射條的掩模版組合的光刻方法的具體實(shí)施方式
的實(shí)施步驟示意圖。在使用上述掩模版組合進(jìn)行光刻，包括如下 步驟步驟SIO，提供半導(dǎo)體襯底；步驟Sll，在半導(dǎo)體襯底表面涂覆光刻膠; 步驟S12，第一次曝光，采用采用第一掩模版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，將第一掩模 版的核心圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層；步驟S13，第二次曝光，采用第二掩模版對(duì)光 刻膠進(jìn)行曝光，對(duì)第一次曝光中受散射條影響的位置進(jìn)行再次曝光；步驟S14， 顯影。下面參考附圖詳細(xì)的說(shuō)明上述步驟的實(shí)施流程。附圖6、附圖7、附圖9 以及附圖11為本發(fā)明所提供的采用帶有散射條的掩模版組合的光刻方法的具 體實(shí)施方式的工藝流程圖。附圖8和附圖10為本具體實(shí)施方式
中兩次曝光所 采用的曝光光源的透光面示意圖。步驟SIO，提供半導(dǎo)體襯底200。所述半導(dǎo)體襯底200為單晶硅襯底。除 此之外，所述半導(dǎo)體襯底200也可以是多晶硅、絕緣體上的硅等其他硅基襯底; 也可以是GaAs、 GaN以及InP等化合物半導(dǎo)體襯底中的一種。所述半導(dǎo)體襯 底200可以是空白的半導(dǎo)體襯底，也可以是在表面已經(jīng)制作了結(jié)構(gòu)以及器件的 襯底。附圖6所示，參考步驟Sll，在半導(dǎo)體襯底200表面涂覆光刻膠層201。 光刻膠層201的厚度為0.1nm 0.5pm。附圖7所示，參考步驟S12，第一次曝光，采用第一掩模版210對(duì)光刻膠 層201進(jìn)行曝光，將第一掩模版210的核心圖形213轉(zhuǎn)移到光刻膠層201 。第一掩模版210的核心圖形213轉(zhuǎn)移到光刻膠層201，在光刻膠層201中 形成核心圖形213'，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記212也可相應(yīng)的在光刻膠層201中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 212'。光刻膠層201中的核心圖形213'和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記212'都是由未曝光的光刻膠 所形成的。散射條214的寬度大于曝光光源最小成像尺寸，這意味著，在此條 件下進(jìn)行曝光，散射214條可以在光刻膠層201中成像，形成由未曝光的光刻 膠構(gòu)成的散射圖形214'。采用第一掩模版210對(duì)光刻膠層201進(jìn)行的曝光雖然 采用散射條214解決了核心圖形213邊緣的衍射問(wèn)題，但是由于散射條214的 寬度大于光源的分辨率，因此形成了散射圖形214'。散射圖形214'也是由未曝 光的光刻膠形成的，因此需要進(jìn)行再次曝光對(duì)第一次曝光進(jìn)行補(bǔ)償，消除散射 圖形214'。附圖8示為步驟S12所述之第一次曝光所采用的曝光光源的透光面示意 圖。光源發(fā)出的光通過(guò)此透光面照射到掩模版和半導(dǎo)體襯底的表面。鏤空的白 色部分為光可以透過(guò)的區(qū)域。由于具有兩個(gè)對(duì)稱分布的可透光區(qū)域，因此被稱 作雙極照明模式。第一次曝光采用雙極照明模式的曝光光源，其目的在于可以 得到更好的曝光效果，雙極照明模式的光源的成像具有較高的對(duì)比度，有利于 發(fā)揮散射條的作用，提高核心圖形的曝光質(zhì)量。附圖9所示，參考步驟S13，第二次曝光，采用第二掩模版220對(duì)光刻膠 層201進(jìn)行曝光，對(duì)第一次曝光中受到散射條214影響的位置進(jìn)行再次曝光。第二掩模版220的作用在于對(duì)采用第一掩模版210進(jìn)行曝光后的光刻膠圖 形進(jìn)行再次曝光。由于散射條214可以在光刻膠中形成由未曝光的光刻膠構(gòu)成 的散射圖形214'，因此需要對(duì)散射圖形214'進(jìn)行再次曝光，將其消除。在曝光時(shí)，要先將第二掩模版中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記222同第一次光刻在光刻膠層 201中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記212'相互對(duì)準(zhǔn)。在兩者相互對(duì)準(zhǔn)的情況下，第二掩模版 中的遮擋圖形223可以將光刻膠層201中的核心圖形213'遮擋起來(lái)，保護(hù)核心 圖形213'在第二次曝光操作時(shí)不會(huì)被曝光。而散射圖形214'在第二次曝光中由 于沒(méi)有被遮擋而被曝光。由于第二掩模版220的遮擋圖形223的邊緣位于第一 掩模版210的核心圖形213和臨近的散射條214之間，因此保證了散射圖形214' 在第二次曝光橾作中可以被曝光。附圖10所示為步驟S13所述之第二次曝光所采用的曝光光源的透光面示 意圖。為了得到更好的曝光效果，第二次曝光采用四極照明模式的曝光光源。 四極照明模式光源的成像對(duì)比度較低，有利于提高再次曝光的效果，并降低再 次曝光對(duì)核心圖形的影響。上述的雙極和四極照明模式都是目前光刻領(lǐng)域內(nèi)常見(jiàn)的照明模式，更加詳 細(xì)的描述可以參考ASML公司TWINSCANXT 1400型光刻機(jī)以及其他類似設(shè) 備的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)。附圖11所示，參考步驟S14，顯影。顯影的目的在于除去曝光的光刻膠。 所述顯影可以選擇采用干法以及濕法顯影工藝。上述工藝是本領(lǐng)域技術(shù)人員所 孰知的技術(shù)，此處不詳細(xì)描述。在具體實(shí)施中，為了更好的發(fā)揮散射條的效果，也可以在第一掩模版的核 心圖形的旁邊制作兩個(gè)相鄰的散射條。例如附圖12所示的情況，在核心圖形 313兩側(cè)各制作兩組散射條314和315，分別與核心圖形313邊緣的第一衍射 峰和第二衍射峰的位置相對(duì)應(yīng)。在此情況下，作為再次曝光中采用的第二掩模 版，至少要保證與兩組散射條相對(duì)應(yīng)的位置是透光的。例如附圖13為一種可 選的設(shè)計(jì)方案，第二掩模版只在與核心圖形313相對(duì)應(yīng)的位置制作遮擋圖形 323，遮擋圖形322的邊緣位于核心圖形313與第一組散射條314之間。也可以采用附圖14的設(shè)計(jì)方案，在第二掩模版中除了在與核心圖形313相對(duì)應(yīng)的位置制作遮擋圖形323以外，在兩組相鄰的散射條314和315之間制作補(bǔ)充遮擋圖形324，只保持與散射條314和315相對(duì)應(yīng)的位置是透光的。在具體實(shí)施中，可以根據(jù)需要選擇在掩模版的一側(cè)或者兩側(cè)制作兩個(gè)或者多個(gè)連續(xù)分布的散射條。在不同的情況下，第二掩模版可以只在與核心圖形相對(duì)應(yīng)的位置制作遮擋圖形，也可以進(jìn)一步在兩個(gè)相鄰的散射條之間制作補(bǔ)充遮擋圖形324。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，包括第一掩模版，包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、核心圖形和位于核心圖形旁邊的散射條，所述散射條的寬度大于適用于該光刻版組合的光源的最小成像尺寸；第二掩模版，包括與第一掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、遮擋圖形；當(dāng)兩塊掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記重合時(shí)，所述第二掩模版的遮擋圖形可以將第一掩模版的核心圖形完全覆蓋，并且與第一掩模版的散射條之間不發(fā)生重合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述第二 掩模版的遮擋圖形的面積大于第一掩模版的核心圖形的面積。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述核心 圖形的兩側(cè)均布置有散射條。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述第二 掩模版的遮擋圖形的邊緣位于第一掩模版的核心圖形和臨近的散射條之 間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述第二 掩模版中遮擋圖形寬度大于第一掩模版中核心圖形寬度的兩倍。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述第一 掩模版中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、核心圖形、散射條，和第二掩模版中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、 遮擋圖形均由不透光的材料構(gòu)成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述適用 于該光刻版組合的光源的最小成像尺寸的范圍為15 70nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述第一 掩模版進(jìn)一步包括另一散射條，兩個(gè)散射條位于核心圖形同一側(cè)且彼此相 鄰。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，所述第二 掩模版還包括補(bǔ)充遮擋圖形。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶有散射條的掩模版組合，其特征在于，當(dāng)?shù)谝慌c 第二掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記重合時(shí)，補(bǔ)充遮擋圖形位于兩個(gè)相鄰的散射條之間。
11. 一種采用權(quán)利要求1所述之掩模版組合進(jìn)行光刻的方法，其特征在于，包 括下列步驟提供半導(dǎo)體襯底； 在半導(dǎo)體襯底表面涂覆光刻膠層；第一次曝光，采用第一掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，將第一掩模版的核心 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層；第二次曝光，采用第二掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，對(duì)第一次曝光中受散 射條影響的位置進(jìn)行再次曝光。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻方法，其特征在于，所述第一次曝光采用雙極 照明模式的曝光光源。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻方法，其特征在于，所述第二次曝光采用四極 照明模式的曝光光源。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種帶有散射條的掩模版組合，包括第一掩模版和第二掩模版第一掩模版包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、核心圖形和位于核心圖形旁邊的散射條，所述散射條的寬度大于適用于該光刻版組合的光源的最小成像尺寸；第二掩模版包括與第一掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相同的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、遮擋圖形；當(dāng)兩塊掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記重合時(shí)，所述第二掩模版的遮擋圖形可以將第一掩模版的核心圖形完全覆蓋，并且與第一掩模版的散射條之間不發(fā)生重合。本發(fā)明還提供了采用帶散射條的掩模版組合進(jìn)行光刻的方法。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，對(duì)傳統(tǒng)的帶有散射條的掩模版加以改進(jìn)，增大了散射條的寬度，并采用第二塊掩模版進(jìn)行再次曝光，克服了小線寬下散射條難以制作問(wèn)題，提高了光刻工藝的質(zhì)量。
文檔編號(hào)G03F1/38GK101566789SQ200810036660
公開(kāi)日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2008年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月25日
發(fā)明者王偉斌 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司