專利名稱：：輻射系統(tǒng)和包括輻射系統(tǒng)的光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種光學(xué)傳感器裝置和一種包括光學(xué)傳感器裝置的光刻設(shè)備。在實施例中，本發(fā)明涉及一種用在極紫外光刻系統(tǒng)中的光學(xué)傳感器裝置。
背景技術(shù)：
：光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置用于形成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。用在EUV光刻中的輻射源通常除了產(chǎn)生EUV輻射之外，還會產(chǎn)生污染物材料，其對于光學(xué)元件和實施光刻過程的工作環(huán)境是有害的。對于通過放電產(chǎn)生的激光誘導(dǎo)的等離子體操作的EUV源尤其如此。因而，在EUV光刻中，期望限制光學(xué)系統(tǒng)的污染，所述光學(xué)系統(tǒng)配置成調(diào)節(jié)來自EUV源的輻射束。此外，期望的是能夠監(jiān)測積聚在EUV系統(tǒng)中的污染物的量。另一期望是能夠監(jiān)測由EUV源產(chǎn)生的EUV能量的量。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本方面的一方面，提供一種用在極紫外光刻系統(tǒng)中的光學(xué)傳感器裝置，其包括具有傳感器表面的光學(xué)傳感器和構(gòu)造用于從傳感器表面去除碎片的去除機(jī)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種探測EUV輻射的方法，包括將光學(xué)傳感器的傳感器表面暴露到產(chǎn)生EUV輻射的EUV源，以探測EUV輻射，并且從傳感器表面去除碎片。下面僅通過示例，參考附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行描述，其中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備；圖2示出本發(fā)明的實施例；圖3示出本發(fā)明的另一實施例；圖4示出顯示EUV透射率和污染物程度之間的關(guān)系的曲線圖；圖5示出本發(fā)明的另一實施例。具體實施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其構(gòu)造用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與構(gòu)造用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與構(gòu)造用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如，折射投影透鏡系統(tǒng))PS，其構(gòu)造用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束，以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。如這里所示的，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(和/或支撐結(jié)構(gòu))，或可以在將一個或更多個其它臺(和/或支撐結(jié)構(gòu))用于曝光的同時，在一個或更多個臺上(和/或支撐結(jié)構(gòu))執(zhí)行預(yù)備步驟。光刻設(shè)備也可以是這種類型其中襯底的至少一部分被具有相對較高折射率的液體覆蓋，例如水，以充滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙。浸沒液體也可以應(yīng)用到光刻設(shè)備的其他空隙，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間的空隙。浸沒技術(shù)被用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是熟知的。這里用到的術(shù)語"浸沒"并不意味著結(jié)構(gòu)(例如襯底)必須浸入到液體中，僅意味著曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和光刻設(shè)備可以是分離的實體(例如當(dāng)該源是準(zhǔn)分子激光器)。在這種情況中，該源不能認(rèn)為是形成光刻設(shè)備的一部分，并且在包括合適的引導(dǎo)反射鏡和/或束擴(kuò)展器的(例如)束傳遞系統(tǒng)的幫助下輻射束從該源傳到照射器IL。在其他情況中，該源可以是光刻設(shè)備的一體的部分，例如當(dāng)該源是汞燈的情況中。該源SO和照射器IL與束傳遞系統(tǒng)(如果需要)一起被稱為輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為J-外部和^-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述照射器可以用來調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束PB通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束PB的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF1用于將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束PB的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是他們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)上。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種-1.在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上的同時，將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同的目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時，對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時，對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的8連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。在圖2中，顯示了本發(fā)明的實施例。圖中示出EUV(極紫外)輻射系統(tǒng)2的光學(xué)傳感器系統(tǒng)1，傳感器系統(tǒng)1包括暴露到EUV源4的傳感器表面3。此外，還示出了去除機(jī)構(gòu)5，其構(gòu)造成從傳感器表面3去除碎片層6，碎片層包括(例如)錫(典型地當(dāng)使用錫極紫外源時)和/或其他污染物，例如碳。通常，輻射系統(tǒng)2包括放電產(chǎn)生的等離子體源4，例如錫源或氙源，然而，其他類型的源也是可能的。圖2中示出的源4一般以脈沖的方式運(yùn)行，使得周期地產(chǎn)生EUV輻射7，并一起產(chǎn)生從源4移動過來的碎片8。一般的操作頻率在幾(幾十)kHZ范圍內(nèi)。在圖2中顯示的實施例中，光學(xué)傳感器系統(tǒng)1包括EUV敏感閃爍材料9和光電探測器10，以接收來自閃爍材料9的電磁輻射11，輻射ll通過入射的EUV輻射7由閃爍材料9的閃爍12產(chǎn)生。在實施例中，EUV敏感閃爍材料9包括YAG:Ce，但是其他材料也是可能的。因而，YAG:Ce材料將EUV輻射轉(zhuǎn)變成更長波長的輻射，典型地是利用光電二極管或類似裝置進(jìn)行電子轉(zhuǎn)變的可見光輻射(藍(lán)色)。在實施例中，雖然其他清潔方法(例如化學(xué)清潔或類似的方法)可能是可行的，然而，碎片去除機(jī)構(gòu)包括氫原子團(tuán)供給系統(tǒng)5。這種氫原子團(tuán)供給系統(tǒng)可以包括氫氣供給系統(tǒng)13和細(xì)絲14或本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的其他裝置，例如微波等，以從所供給的氫氣分子產(chǎn)生氫原子團(tuán)15。在示出的實施例中，例如，這種原子團(tuán)產(chǎn)生裝置可以是處于例如2000°C溫度下的熱絲。應(yīng)用氫原子團(tuán)清潔，是有可能提供直接面對EUV源的劑量傳感器的。在一種運(yùn)行模式中，從傳感器表面3上間歇地去除碎片層6。在這種運(yùn)行模式中，傳感器可以用作污染物探測器，其可以以一定的間隔時間或按照需要(例如當(dāng)達(dá)到某種閥值，顯示光電探測器10不再或不能充分接收光子能量11時)間隔性地進(jìn)行清潔。在這種運(yùn)行模式中，污染的程度可以通過得出位于傳感器表面上的所淀積的碎片層6的厚度來進(jìn)行監(jiān)測，參照圖4進(jìn)一步闡明。在另一運(yùn)行模式中，碎片8可以從傳感器表面3連續(xù)地去除，這意味著在使用光學(xué)傳感器系統(tǒng)1的過程中去除機(jī)構(gòu)是有效地運(yùn)行的，其中污染程度被保持在特定的水平，期望是零或者是例如通過將碎片層6保持為厚度基本上恒定而能夠可靠地確定EUV能量的入射劑量的水平。在圖2顯示的實施例中，使用EUV輻射7的優(yōu)點(diǎn)在于特定的EUV輻射，相對于更長波長的輻射，對于薄的污染物層5具有很高的敏感度。由于這點(diǎn)，前面所述的實施例是最敏感的并且將會給出最迅速的反應(yīng)。然而，在某些情況中可能不需要這樣高的敏感度。在那種情況中，YAG:Ce材料9可以由例如一片玻璃代替，并且可以使用例如在UV-IR(紫外-紅外)范圍內(nèi)的更長波長的輻射束，例如可以由分離的輻射源(未示出，例如發(fā)光二極管)產(chǎn)生。這種實施例可能更便宜，同時讓傳感器對污染物8敏感度更弱。因而，這種實施例適于預(yù)期具有更大厚度的污染物的應(yīng)用領(lǐng)域。可以是例如在靠近EUV源的源碎片8大量存在的位置。在實施例中，傳感器可以放置在EUV光刻設(shè)備的暴露到EUV輻射的不同位置上。例如，傳感器可以放置在照射器或投影光學(xué)元件附近，以便監(jiān)測在光學(xué)元件上的污染物(例如碳)生長量并且具有警告器以提醒污染物生長的突然增大(例如，由于真空泄露)。在實施例中，傳感器可以放置在EUV源附近，直接地面對EUV輻射和碎片。在實施例中，傳感器放置在圖案形成裝置(例如掩模)附近，以便監(jiān)測積聚在圖案形成裝置上的污染物的量。圖案形成裝置保持清潔是重要的，并因此構(gòu)造成探測污染物的量的監(jiān)測器是有利的。例如，圖案形成裝置會由于EUV抗蝕劑的脫氣而污染。錫污染物是否能夠使用氫原子團(tuán)從YAG(釔鋁石榴石)樣品上去除已經(jīng)被進(jìn)行測試，并且發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生高的清潔速率(可以高于560nm/小時)。在實驗中，使用YAG的圓形片，在其上面用濺射沉積沉積4.7nm錫薄層。接下來，測量錫層的厚度。然后該樣品暴露到用熱絲H原子團(tuán)源帶來的氫原子團(tuán)。運(yùn)行電流是22.0A，電壓是21.0V。背景壓力是20.0mbar，樣品保持器的溫度在15到50°C之間變化。表1顯示了實驗結(jié)果。在30秒的總處理時間內(nèi)，所有錫都已經(jīng)從樣品上去除了，相應(yīng)的清潔速率是至^4.7nm/30s=0.16nm/s=564nm々J、時。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>圖3顯示了光學(xué)傳感器裝置的另一實施例。在這個實施例中，示出了EUV源4。另外，還有所示的光學(xué)傳感器系統(tǒng)1和碎片去除機(jī)構(gòu)5。這里，傳感器表面3是可旋轉(zhuǎn)的EUV半透明板16的表面部分。去除機(jī)構(gòu)5配置成從半透明板16的另一部分去除碎片8。板16可以連續(xù)地或間歇地旋轉(zhuǎn)，其中位于探測器10前面的部分可以用作濾光片，并且其中清潔位于去除機(jī)構(gòu)5附近的所述部分?？商鎿Q地，板可以移動或平移以將暴露到碎片的部分移動朝向去除機(jī)構(gòu)5。在實施例中，EUV半透明板16選擇地通過具有在10-20nm范圍波長的輻射。作為例子，EUV半透明板16包括鈮濾波器、鋯/硅多層濾波器或鋯/鈮多層濾波器。同樣在圖3中示出的實施例中，這種傳感器系統(tǒng)1可以用作例如污染物監(jiān)測器或劑量感測系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，圖3的實施例使用阻止錫碎片的同時仍然透過部分EUV(例如100nm厚鈮濾波器具有62%的EUV透射率)的濾波器，并且使用氫清潔定期地清潔該濾波器。這可以通過旋轉(zhuǎn)濾波器16來實施，使得其每個來回往返都通過清潔站5，并且將孔17放置在濾波器16前面使得探測器10仍然受到EUV照射，但是將濾波器不面對探測器的部分與源4屏蔽隔離開。作為實際的例子，根據(jù)圖3中示出的實施例的EUV探測器1被放置在離EUV源4距離為10cm的位g處。EUV源4一般會產(chǎn)生等于每脈沖1015-1016原子的碎片量。對于15說2的重復(fù)頻率，發(fā)射每秒15*1018-15*1019的原子總量、等同于2.5*1(^5至2.5*10'4摩爾的錫(對于錫EUV源來說)。因此，在這個示例中，每單位面積(位于10cm距離處)錫原子的流量是1.98*1(T4到1.98*10-3mol/(m2*s)，相應(yīng)地錫的沉積質(zhì)量是2.35*10—5到2.35*104kg/(m2*s)，層厚度(錫密度是7.29*103kg/m3)是3.2至U32nm/s。使用這個例子，例如使用通過從圖2和圖3的實施例中示出的氫原子團(tuán)供給系統(tǒng)13供給氫原子團(tuán)15的氫清潔方法，一般錫清潔速率將在3.2到32nm/s之間或更快，這是可以想象得到的。當(dāng)然，該清潔方法不限于這種類型的氫清潔，也可以是其他清潔方法，例如鹵素清潔或類似的清潔。在應(yīng)用氫清潔的實施例中，期望地，將要被清潔的表面設(shè)置有蓋層，該蓋層具有小于0.2的氫原子團(tuán)再結(jié)合常數(shù)，例如可以用Si3N4層來提供。這種蓋層可以極大地改善氫清潔的效率。此外，期望旋轉(zhuǎn)頻率Q被選擇成使得濾波器16暴露到輻射源4的時間、曝光帶來大約0.8nm厚的錫層，或更一般地，0.4-2nm范圍的厚度。對于大約32nm/s的生長速率，其意味著曝光時間小于大約0.8/32=25ms。由于有效傳感器區(qū)域3具有典型值為1cm2,這也意味著超過大約0.01/0.025=0.4m/s的線速率，其對于EUV探測器1的有效區(qū)域3的中心和旋轉(zhuǎn)中心之間典型的徑向間距15cm將對應(yīng)于大于0.4Hz的旋轉(zhuǎn)頻率。參見圖4，圖示出了EUV透射率和污染程度之間的關(guān)系。因而，圖中顯示出一個幾乎是指數(shù)的關(guān)系，其中定義為入射能量和透射能量之比的透射率隨著碎片層6的厚度增大呈指數(shù)地下降。例如，lnm的污染物厚度對應(yīng)于5%的透射率改變，這是通常易于用輻射傳感器獲得的精確度。對于30nm的厚度，透射率大約為0.1,而對于100nm的厚度，透射率幾乎減小為零。因此，用探測器10進(jìn)行的透射率測量顯示污染物的量，更具體地，顯示碎片層6的厚度。污染物可以是隨時間緩慢地積累，或由于故障而突然地生長，例如真空系統(tǒng)中的故障(例如真空罐泄露)。因此，用光學(xué)傳感器系統(tǒng)1探測的透射率的連續(xù)監(jiān)測可以是一種方法，其適時并充分地動作以探測例如污染物的突然增多的不規(guī)則變化。此外，在實施例中，閃爍材料是具有大約2-3%的轉(zhuǎn)換效率的YAG:Ce(也就是，將EUV輻射轉(zhuǎn)換成可見光)。另一種材料CaS:Ce具有大約0.1-2%的轉(zhuǎn)換效率并且也是合適的。圖5顯示構(gòu)造成從傳感器表面3去除碎片6的去除機(jī)構(gòu)5的另一實施例。在該實施例中，去除機(jī)構(gòu)5包括加熱系統(tǒng)18，用以主動地或被動地升高傳感器表面3的溫度。通過升高溫度，可以達(dá)到動態(tài)平衡，其中沉積的12碎片量能夠匹配碎片蒸發(fā)速率，例如在錫碎片的情況中，這種上升溫度將超過大約900。C，最高達(dá)到大約1400°C。因此，可以達(dá)到連續(xù)的或半連續(xù)的狀態(tài)，其中在一個延長的時間幀上可以完成劑量測量或污染物測量。作為示例，例如圖5中所示的，傳感器表面可以由直立的壁19環(huán)繞，包括構(gòu)造成加熱壁19的加熱元件20。此外，這些壁可以設(shè)置成準(zhǔn)直器21，以收集和準(zhǔn)直光朝向傳感器表面3和/或朝向探測器10。此外，例如，在圖5中示出的結(jié)構(gòu)中，10mm流水層22和IR吸收玻璃濾波器23的結(jié)合能夠分別冷卻25.4W和1.6W(在評估的總的27W的基礎(chǔ)上)。水流的頂層可以用寬波段光譜透射濾波器密封包圍，例如MgF2，Si02orCaF2。這里的一個或更多個實施例可以應(yīng)用在EUV源4附近，而在傳感器系統(tǒng)1和EUV源4之間的路徑中不再設(shè)置另一碎片減少裝置。然而，依據(jù)用途，傳感器系統(tǒng)1可以放置在輻射系統(tǒng)2的更下游，例如在污染物陷阱附近(未示出)。污染物陷阱可以是一種裝置，其使用大量密集包裝的大體上平行于由EUV源產(chǎn)生的輻射傳輸方向排列的箔片。污染物碎片8，例如微粒子、納米粒子和離子，可以被捕獲在由箔片板設(shè)置的壁中。因此，這種箔片陷阱用作污染物阻擋元件，俘獲來自源的污染物材料。在箔片陷阱的下游，可以設(shè)置收集裝置，其用作收集來自EUV源的EUV輻射并且將EUV輻射聚焦成束，該束進(jìn)一步在下游被投影光學(xué)元件調(diào)整。因而，收集裝置將來自EUV源4的EUV輻射聚集到另一EUV光學(xué)元件。這種收集裝置元件可以是沿中心軸線方向呈圓柱形對稱的，并且包括共中心的彎曲的外殼，該外殼由以基本上在1到7cm之間范圍的間距堆疊的反射表面形成?？商鎿Q地，其可以是多層的垂直入射類型。雖然這里描述的光學(xué)傳感器裝置的一個或更多個實施例被描述成位于源附近的裝置，該傳感器也可以用在另一下游光學(xué)元件中，例如用以測量該系統(tǒng)的污染物水平，具體地，例如測量碳水平或類似量。在這樣的實施例中，傳感器表面可以不直接地暴露到EUV輻射源，而是間接地通過一個或更多個EUV反射鏡暴露到輻射源。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDS)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。雖然上面詳述了本發(fā)明的實施例在光刻設(shè)備的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍的波長)，和粒子束，例如離子束或電子束。這里使用的術(shù)語"透鏡"可以認(rèn)為是一個或多種不同類型光學(xué)元件的組合體，包括折射型、反射型、磁性、電磁的和靜電的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明除了所述的其它的應(yīng)用。例如，本發(fā)明的實施例可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的至少一個可機(jī)讀的指令序列的計算機(jī)程序的形式，或具有存儲其中的所述的計算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲媒介(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離給出本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍，可以對上述本發(fā)明進(jìn)行更改。權(quán)利要求1.一種用在極紫外光刻系統(tǒng)中的光學(xué)傳感器裝置，所述光學(xué)傳感器裝置包括光學(xué)傳感器，所述光學(xué)傳感器包括傳感器表面；和去除機(jī)構(gòu)，所述去除機(jī)構(gòu)構(gòu)造用于從所述傳感器表面去除碎片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述光學(xué)傳感器包括EUV敏感閃爍材料和探測器，所述探測器構(gòu)造用于響應(yīng)由入射的EUV輻射引起的閃爍探測從閃爍材料發(fā)射的光子能量。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述EUV敏感閃爍材料包括YAG:Ce。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述傳感器表面包括可旋轉(zhuǎn)板的表面部分，并且所述去除機(jī)構(gòu)配置成從所述板的另一部分去除碎片。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述板是EUV半透明板或EUV敏感閃爍材料。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述EUV半透明板配置成有選擇地透射來自EUV源的EUV輻射束的光譜范圍。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述EUV半透明板有選擇地使波長在10-20nm范圍內(nèi)的輻射通過。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述EUV半透明板包括鈮濾波器、鋯/硅多層濾波器或鋯/鈮多層濾波器。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述去除機(jī)構(gòu)包括氫原子團(tuán)供給系統(tǒng)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述傳感器表面包括具有小于0.2的氫原子團(tuán)再結(jié)合常數(shù)的蓋層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述蓋層包括Si3N4。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述去除機(jī)構(gòu)包括構(gòu)造成升高所述傳感器表面溫度的加熱系統(tǒng)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述升高溫度是至少900°C。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述傳感器表面由直立環(huán)繞的壁包圍，并包括構(gòu)造用于加熱所述壁的加熱元件。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述EUV源是激光誘導(dǎo)等離子體源或放電產(chǎn)生的等離子源。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)傳感器裝置，其中所述等離子體源包括錫或氤。17.—種探測EUV輻射的方法，所述方法包括步驟將光學(xué)傳感器的傳感器表面暴露到產(chǎn)生EUV輻射的EUV源，以探測所述EUV輻射；和從所述傳感器表面去除碎片。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其還包括得到透射通過設(shè)置在所述傳感器表面上的碎片層的輻射的輻射透射率；禾口將所述透射率和輻射系統(tǒng)的污染程度相關(guān)聯(lián)，其中從所述傳感器表面間斷地去除所述碎片。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中透射通過所述碎片層的所述輻射是由所述EUV輻射源傳輸?shù)腅UV輻射。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其還包括從所述傳感器表面連續(xù)地去除所述碎片，以提供沉積在所述傳感器表面上的恒定量的碎片；和計算入射在所述傳感器表面上的EUV輻射能量水平。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述恒定量基本上等于零。全文摘要本發(fā)明公開一種用在極紫外光刻系統(tǒng)中的光學(xué)傳感器裝置(1)。該裝置包括光學(xué)傳感器，該傳感器包括傳感器表面(3)和構(gòu)造用于從傳感器表面去除碎片(6)的去除機(jī)構(gòu)(5)。因而，可以對光刻系統(tǒng)方便地實施劑量和/或污染物測量。文檔編號G03F7/20GK101583909SQ200780035599公開日2009年11月18日申請日期2007年9月25日優(yōu)先權(quán)日2006年9月27日發(fā)明者D·J·W·克朗德爾,J·C·L·弗蘭肯,M·M·J·W·范赫彭,N·M·德里森,O·W·V·弗吉恩斯,V·Y·拜尼恩,W·A·索爾申請人:Asml荷蘭有限公司;皇家飛利浦電子股份有限公司