專利名稱：顯示基板和具有該顯示基板的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
地，本〃^開(kāi)涉及用于顯示i殳備的顯示基^反，以及具有該顯示基才反的 顯示設(shè)備，其能夠提高圖像顯示質(zhì)量。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)設(shè)備包括薄膜晶體管(TFT)基板、面向 TFT基板的相對(duì)基板以及介于TFT基板與該相對(duì)基板之間的液晶 層。
TFT基板包括絕緣基板、信號(hào)線、TFT、像素電極等，以驅(qū)動(dòng) 多個(gè)像素。信號(hào)線、TFT和像素電極形成于絕緣基板上。相對(duì)基板 包括濾色片(color filter)層、黑色矩陣和共用電極。濾色片層包括 紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)濾色片。黑矩陣形成于相鄰濾色片之 間的邊界部分處。共用電才及面向^f象素電才及。
LCD設(shè)備的圖像顯示質(zhì)量通過(guò)TFT基板與相對(duì)基板之間的對(duì) 準(zhǔn)度(alignment degree )來(lái)改變。當(dāng)TFT基板未與相對(duì)基板對(duì)準(zhǔn)時(shí)， LCD設(shè)備的圖像顯示質(zhì)量劣化。
為了防止LCD設(shè)備的TFT基板與相對(duì)基板之間的未對(duì)準(zhǔn)，已 經(jīng)設(shè)計(jì)了濾色片位于陣列上(COA)基板型的LCD設(shè)備。濾色片 層形成于COA型LCD設(shè)備的TFT基板上。
然而，由于TFT基板與相對(duì)基板的未對(duì)準(zhǔn)，形成于相對(duì)基板上 的黑色矩陣的寬度增加，從而降^f氐孔徑比。
發(fā)明內(nèi)容
本7>開(kāi)涉及一種能夠提高孔徑比和圖像顯示質(zhì)量的顯示基板。 本公開(kāi)還涉及一種具有上述顯示基板的顯示設(shè)備。
根據(jù)本公開(kāi)一方面的顯示基板包括柵極線、柵極絕緣層、數(shù) 據(jù)線、薄膜晶體管、存儲(chǔ)線、鈍化層、濾色片層、像素電極、第一 阻光層以及第二阻光層。柵極絕緣層覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成于柵 極絕緣層上。TFT電連接于柵極線和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)線和柵極線包含 相同材料。鈍化層覆蓋TFT層。濾色片層形成于鈍化層上。像素電 極形成于每個(gè)像素中的濾色片層上。第 一阻光層形成于相鄰像素電 極之間，并包含與柵極線相同的材料。第二阻光層形成于第一阻光 層之間，并且第二阻光層包含與數(shù)據(jù)線相同的材料。
濾色片層可包括具有不同顏色的多個(gè)濾色片，且第一和第二阻 光層可設(shè)置于相鄰濾色片之間的邊界部分處。
第一阻光層可連4妄于存儲(chǔ)線?？商鎿Q地，第一阻光層可與4冊(cè)才及 線及存儲(chǔ)線間隔開(kāi)，以保持浮動(dòng)(floating)狀態(tài)。第二阻光層可與 數(shù)據(jù)線間隔開(kāi)，以保持浮動(dòng)狀態(tài)。可替換地，第二阻光層可連接于 數(shù)據(jù)線。
才艮據(jù)本公開(kāi)另一方面的顯示基板包括柵極線、柵極絕緣層、 數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT)、存儲(chǔ)線、鈍化層、濾色片層、像素電 極以及阻光部。柵極絕緣層覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成于柵極絕緣層 上。TFT電連接于柵極線和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)線和柵極線包含相同材料。
鈍化層覆蓋數(shù)據(jù)線。濾色片層形成于鈍化層上?！较笏仉姌O形成于每 個(gè)4象素中的濾色片層上。阻光部形成于相鄰4象素電極之間的區(qū)域 中。濾色片層包括具有不同顏色的多個(gè)濾色片，且阻光部和數(shù)據(jù)線 設(shè)置于相鄰濾色片之間的邊界部分處。阻光部可包括第 一 阻光層和 第二阻光層，第一阻光層包含與柵極線相同的材料，而第二阻光層 包含與數(shù)據(jù)線相同的材料。
根據(jù)本公開(kāi)又一方面的顯示基板包括柵極線、柵極絕緣層、 數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT)、存儲(chǔ)線、濾色片層、第一阻光層以及 第二阻光層。柵極絕緣層覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成于柵極絕緣層上。 TFT電連接于柵極線和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)線和柵極線包含相同材料。濾 色片層形成于柵極絕緣層上。像素電極形成于每個(gè)像素中的濾色片 層上。第一阻光層形成于相鄰像素電極之間，且包含與柵極線相同 的材料。第二阻光層包含與棚-極線相同的材料。第二阻光層與第一 阻光層電隔離。濾色片層包括具有不同顏色的多個(gè)濾色片，且第一 阻光層設(shè)置于相鄰濾色片之間的邊界部分處。
根據(jù)本公開(kāi)再一方面的顯示設(shè)備包括顯示基板、相對(duì)基板和 液晶層。顯示基板包括柵極線、柵極絕緣層、薄膜晶體管(TFT)、 存儲(chǔ)線、鈍化層、濾色片層、像素電極、第一阻光層以及第二阻光 層。柵極絕緣層覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成于柵極絕緣層上。TFT電 連接于柵極線和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)線和柵極線包含相同材料。鈍化層覆 蓋數(shù)據(jù)線。濾色片層形成于鈍化層上。像素電極形成于每個(gè)像素中 的濾色片層上。第一阻光層形成于相鄰〗象素電4及之間，且包含與柵-極線相同的材料。第二阻光層形成于第一阻光層之間，且包含與數(shù) 據(jù)線相同的材料。相對(duì)基板與顯示基板結(jié)合在一起。相對(duì)基板在面 向顯示基板的表面上包括共用電極。液晶層介于顯示基板與相對(duì)基 板之間。 根據(jù)本公開(kāi)又一方面的顯示設(shè)備包括顯示基板、相對(duì)基板和 液晶層。顯示基板包括柵極線、柵極絕緣層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管 (TFT)、存儲(chǔ)線、鈍化層、濾色片層、像素電極和阻光部。柵極絕 緣層覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成于柵極絕緣層上。TFT電連接于柵極 線和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)線和槺極線包含相同材料。鈍化層覆蓋數(shù)據(jù)線。 濾色片層形成于鈍化層上。像素電極形成于每個(gè)像素中的濾色片層 上。阻光部形成于相鄰像素電極之間的區(qū)域中。相對(duì)基板在面向顯 示基板的表面上包括共用電極。液晶層介于顯示基板與相對(duì)基板之 間。根據(jù)本公開(kāi)再一方面的顯示設(shè)備包括顯示基板、相對(duì)基板和 液晶層。顯示基板包括柵極線、柵極絕緣層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管 (TFT)、存儲(chǔ)線、濾色片層、第一阻光層和第二阻光層。4冊(cè)極絕緣 層覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成于柵極絕緣層上。TFT電連接于柵極線 和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)線和柵極線包含相同材料。濾色片層形成于數(shù)據(jù)線 上。像素電極形成于每個(gè)像素中的濾色片層上。第一阻光層形成于 相鄰像素電極之間，且包括與柵極線相同的材料。第二阻光層形成 為與數(shù)據(jù)線交疊，且包含與柵極線相同的材料。第二阻光層與第一 阻光層電隔離。根據(jù)本公開(kāi)又另一方面的顯示設(shè)備包括顯示基板、相對(duì)基板 和液晶層。顯示基板包括薄膜晶體管(TFT)、濾色片層、像素電極 和第一阻光層。濾色片層形成于TFT上。像素電極形成于每個(gè)像素 中的濾色片層上。第 一阻光層部分地形成于相鄰像素電極之間的邊 界部分處。相對(duì)基板包括黑色矩陣以及面向像素電極的共用電極。 黑色矩陣部分地形成于相鄰^象素電才及之間的邊界部分處。液晶層介 于顯示基板與相對(duì)基板之間。根據(jù)本^>開(kāi)，形成于顯示基板中的阻光層可防止相鄰濾色片之 間的邊界部分中的光泄漏。另外，形成于相鄰^象素電才及之間的第一
阻光層與和數(shù)據(jù)線交疊的第二阻光層電隔離，從而使得可減少數(shù)據(jù) 線的負(fù)載。此外，去除了黑色矩陣的與形成于顯示基板中的阻光層 交疊的部分，從而使得可減小顯示設(shè)備的孔徑比。
通過(guò)參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行描述，上述和其他特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)，附圖中圖1是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖；圖2是沿圖1中的線I - I'截取的橫截面圖；圖3是示出圖1中的部分"A，，的》丈大視圖；圖4是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖；圖5是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖；圖6是沿圖5中的線II - n'截取的4黃截面圖；圖7是示出圖5中的部分"B"的i文大平面圖；圖8是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的阻光部的放大平面圖；圖9是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的阻光部的放大平面圖；圖10是示出根據(jù)第六示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖；圖ll是沿圖10中的線III-III'截取的橫截面圖；圖12是示出圖10中的第一阻光層和第二阻光層的平面圖； 圖13是示出根據(jù)第七示例性實(shí)施例的顯示基板的平面圖；圖14是示出根據(jù)第八示例性實(shí)施例的顯示基板的平面圖；圖15是沿圖14中的線IV-IV'截取的4黃截面圖；圖16是示出圖14中的阻光層和黑色矩陣的平面圖；以及圖17是示出根據(jù)顯示基板與相對(duì)基板之間的未對(duì)準(zhǔn)度而變化 的孔徑比的變化圖表。
具體實(shí)施方式
下面參照示出本發(fā)明實(shí)例的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)4亍更加全面的描 述。但是，本發(fā)明可以以不同形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)該被理解為僅限 于這里所列出的實(shí)施例。當(dāng)然，4是供這些實(shí)施例，是為了4吏本公開(kāi) 更全面和完整，并向本領(lǐng)域:技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附 圖中，為了清楚起見(jiàn)，放大了層和區(qū)域的尺寸及相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)指出一個(gè)元件或?qū)?位于"、"連接至"或"耦合 至"另一元件或?qū)由蠒r(shí)，其可以直接位于、連接至、或耦合至另一 元件或?qū)由?，或者可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)指出一個(gè)元件 "直接位于"、"直接連接至"或"直接結(jié)合至"另一元件或?qū)由蠒r(shí)， 則不存在插入元件或?qū)印Ｏ嗤母綀D標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。如 這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意 一個(gè)以及所有纟且合。應(yīng)當(dāng)理解，盡管這里可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三、等等來(lái) 描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、 區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)〗義用于將一個(gè)元 件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分 區(qū)分開(kāi)來(lái)。因此，在不背離這里所公開(kāi)的宗旨的前提下，下面所討 i侖的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可以稱作第二元件、部件、 區(qū)i或、層或部分。為了便于描述，這里可以使用相對(duì)關(guān)系術(shù)語(yǔ)，諸如"下方的"、"下面的，，"下部的"、"上面的，，"上部的，，等，來(lái)4苗述附圖所示的一個(gè)元件相對(duì)于其它元件的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，相對(duì)關(guān)系術(shù)語(yǔ)除了包 括附圖中示出的方位外，還旨在包括處于使用中的裝置的不同方 位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么^皮描述為在其它元件或 特征"下面"或"下方，，的元件將^皮定位在其它元件或特征"上面"。因ot匕，術(shù)i吾"下部的"可以包4舌"下面的"可能包纟舌上面的和下面的 兩個(gè)方位。例如，如果將其中一個(gè)附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么描述為 在其它元件"下方"或"下面，，的元件將4皮定位在其它元件的"上方"。 因此，示例性術(shù)語(yǔ)"下方"或"下面，，可以包括"上方"和"下方" 兩個(gè)方位。該裝置也可以其他方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或定位在其他 方位)并對(duì)這里所-使用的相對(duì)關(guān)系描述用詞進(jìn)行相應(yīng)解釋。這里所^吏用的術(shù)語(yǔ)〗又用于描述具體實(shí)施例的目的，而并非旨在 限制本發(fā)明。除非文中以其它方式清楚地指明，否則這里所使用的 單數(shù)形式的"一個(gè)，，("a" "an"和"the")也旨在于包括復(fù)數(shù)形式。 還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)術(shù)i吾"含有(comprises和/或comprising )"用于本 說(shuō)明書(shū)中時(shí)，表明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件、和 /或部件，^旦并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步 艱朵、纟喿作、元件、部件、和/或其構(gòu)成的組。這里，參照作為本發(fā)明理想實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖 的橫截面圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。同樣地，可以預(yù)期由于例如制 造技術(shù)和/或公差所導(dǎo)致的圖中形狀上的變化。由此，本發(fā)明的實(shí)施 例不應(yīng)該祐:理解為限制于這里所示的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)包括例 如由于制造所導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，被示為或描述為矩形的 注入?yún)^(qū)Jt或通常在其邊》彖處會(huì)具有圓形的或彎曲的特4正和/或注入濃 度梯度，而并非從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同才羊，通過(guò)注入 所形成的掩埋區(qū)可能在介于掩埋區(qū)與進(jìn)行注入所通過(guò)的表面之間 的區(qū)域中產(chǎn)生一些注入。因此，圖示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并 且其形狀并非旨在示出裝置區(qū)域的實(shí)際形狀，也并非旨在限制本發(fā) 明的范圍。除非另有限定，否則這里所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括才支術(shù)和科學(xué) 術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域:汰術(shù)人員的通常理解相同的含義。還 可以理解，諸如常用詞典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)該解釋為具有與它們 在相關(guān)才支術(shù)的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)該解釋為理想化 的或過(guò)于正式的含義，除非這里特別限定。下面，參照附圖只于實(shí)施例進(jìn)4亍詳細(xì)描述。圖1是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖。圖2 是沿圖1中的線I-I'截取的橫截面圖。圖3是示出圖1中的部分"A" 的放大圖。參照?qǐng)D1至圖3，顯示設(shè)備IOO包括顯示基板200、相對(duì)基板 300,以及液晶層400。顯示基板200包括薄膜晶體管(TFT )層210、鈍化層220、濾 色片層230、 4象素電極240、第一阻光層250，以及第二阻光層260。TFT層210形成在透明絕纟彖基板270上。透明絕纟彖基4反270包 括例如玻璃、塑料等。TFT層210包4舌4冊(cè)極線GL、 4冊(cè)才及絕纟彖層211、數(shù)據(jù)線DL、 TFT 以及存儲(chǔ)線SL。 4冊(cè)極絕緣層211覆蓋柵極線GL。數(shù)據(jù)線DL形成 于柵極絕緣層211上，以穿過(guò)柵極線GL。 TFT電連接于柵極線GL 和數(shù)據(jù)線DL。存儲(chǔ)線SL由用于形成柵極線GL的第一金屬層形成。 存儲(chǔ)線SL可以包含與柵極線GL相同的材料。斥冊(cè)極線GL形成在絕緣基板270上。斥冊(cè)極線GL可以例如沿水 平方向(當(dāng)在平面上觀察時(shí))延伸。每個(gè)像素均可以 一皮分成兩個(gè)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的區(qū)域。被分成兩個(gè)區(qū)域 的棚-極線GL可以包4舌第一4冊(cè)才及線部GL1和第二4冊(cè)4及線部GL2,以 驅(qū)動(dòng)每個(gè)^象素。第二4冊(cè)才及線部GL2可以形成于第一4冊(cè)才及線部GL1 與存儲(chǔ)線SL之間。可替換地，柵極線GL可以僅包括第一柵極線 部GL1。存儲(chǔ)線SL可以與棚-極線GL同時(shí)由用于形成4冊(cè)極線GL的第一 金屬層形成。存儲(chǔ)線SL例如在相鄰柵才及線GL之間沿與柵極線GL 平行的方向延伸。存儲(chǔ)線SL面向4象素電極240以及柵極絕緣層211 。 鈍化層220和濾色片層230被設(shè)置在存儲(chǔ)線SL與 <象素電極240之 間。存卡者線SL、棚-才及絕纟彖層211、教/f匕層220、濾色片層230以及 像素電極240形成存儲(chǔ)電容器Cst。存儲(chǔ)電容器Cst在一個(gè)幀期間 內(nèi)保持通過(guò)TFT施加于像素電極240的數(shù)據(jù)電壓?？商鎿Q地，當(dāng)濾 色片層230在與存儲(chǔ)線SL相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中具有孔時(shí)，存儲(chǔ)線SL與 像素電極240之間的距離減小，因而使存儲(chǔ)電容器Cst的電容增加。柵極絕緣層211形成在具有形成于其上的柵極線GL和存儲(chǔ)線 SL的絕緣基板270上。柵極絕緣層211保護(hù)柵極線GL并且使柵極 線GL與其它導(dǎo)體電絕緣。柵極絕緣層211可以包含例如氮化硅 (SiNx )。數(shù)據(jù)線DL形成在柵4及絕纟彖層211上。數(shù)據(jù)線DL通過(guò)4冊(cè)才及絕 緣層211與柵極線GL和存儲(chǔ)線SL絕緣。數(shù)據(jù)線DL延伸穿過(guò)柵極
線GL。數(shù)據(jù)線DL可以例如沿垂直方向(當(dāng)在平面上》見(jiàn)察時(shí))延伸。TFT形成于每個(gè)像素中，以連接至柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL。 響應(yīng)通過(guò)柵極線GL傳輸?shù)臇艠O電壓，TFT將通過(guò)數(shù)據(jù)線DL傳輸 的凄t據(jù)電壓施加至〗象素電才及240。被分成兩個(gè)區(qū)域的TFT可以包括第一 TFT部TFT1和第二 TFT 部TFT2,以驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素。第一 TFT部TFT1電連4妻至第一柵極 線部GL1,而第二 TFT部TFT2電連接至第二斥冊(cè)極線部GL2和數(shù) 據(jù)線DL?？商鎿Q地，TFT可以僅包括第一TFT部TFT1。第一TFT部TFT1可以包括第一4冊(cè)電極212、第一有源層213、 第一源電才及214以及第一漏電才及215。第一4冊(cè)電才及212電連4妄至第 一棚4及線部GL1并作為第一 TFT部TFT1的柵4及端子。第一有源層 213形成在對(duì)應(yīng)于第一4冊(cè)電極212的柵極絕緣層211上。第一有源 層213可以包括半導(dǎo)體層213a和歐姆接觸層213b。例如，半導(dǎo)體 層213a包含非晶硅(a-Si)，而歐姆接觸層213b包含具有以高濃度 注入其中的n-型雜質(zhì)的n+非晶硅(n+a-Si)。第一源電極214形成 在第一有源層213上，并且電連4妄至凄t據(jù)線DL。第一源電才及214 作為第一TFT部TFT1的源電才及端子。第一漏電才及215與位于第一 有源層213上的第一源電極214間隔開(kāi)，并且作為第一 TFT部TFT1 的漏電極端子。第一漏電極215通過(guò)第一接觸孔CNT1電連接至第 一^象素電極241，該第一接觸孔穿過(guò)鈍化層220和濾色片層230而 形成。第二 TFT部TFT2可以包括第二柵電極216、第二有源層217、 第二源電纟及218以及第二漏電才及219。除了第二4冊(cè)電才及216連4妄至 第二4冊(cè)才及線部GL2,并且第二漏電才及219經(jīng)由穿過(guò)4屯化層220和濾 色片層230形成的第二接觸孔CNT2而連接至第二像素電極242之
外，第二 TFT部TFT2具有與第一 TFT部TFT1基本相同的結(jié)構(gòu)， 因此，省去關(guān)于以上元件的任何進(jìn)一步說(shuō)明。鈍化層220形成在包括柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、 TFT以及存儲(chǔ) 線SL的TFT層210上。鈍化層220保護(hù)TFT層210并且使該TFT 層與其它導(dǎo)體電絕緣。鈍化層220可以包含例如氮化硅(SiNx)。濾色片層230形成在鈍化層220上。濾色片層230可以包含顏 料或著色劑。例如，濾色片層230可以包括紅濾色片，該紅濾色 片包括紅色著色劑；綠濾色片，該綠濾色片包括綠色著色劑；以及 藍(lán)濾色片，該藍(lán)濾色片包括藍(lán)色著色劑?？梢詫⒓t、綠、藍(lán)濾色片 規(guī)則地排列在TFT層220上。例如，紅、綠、藍(lán)濾色片分別對(duì)應(yīng)于 像素部?？梢栽黾訛V色片層230的厚度以使顯示基板100的表面平面 化。例如，濾色片層230的厚度可以是大約2.5pm至大約3.5nm。當(dāng)濾色片層230形成在顯示基4反200中時(shí)，可以省去用于4吏顯 示基4反200平面化的覆蓋(overcoating)層，/人而^f吏具有形成于顯 示基板200中的濾色片層230的顯示設(shè)備的透光率可以比具有形成 于相對(duì)基板300中的濾色片層的顯示設(shè)備的透光率高出約7%。位于具有不同顏色的濾色片之間的邊界部分232具有凹入的形 狀。當(dāng)位于具有不同顏色的濾色片之間的邊界部分232具有突出的 形狀時(shí)，位于突出的邊界部分上的液晶層400的液晶可被垂直排列， 從而使鄰近第一阻光層250的液晶層400的液晶可以通過(guò)垂直排列 的液晶而傾在牛，因而4吏鄰近第一阻光層250的光泄漏。然而，當(dāng)4立 于具有不同顏色的濾色片之間的邊界部分232具有凹入的形狀時(shí)， 位于凹入的邊界部分232上的液晶層400的液晶朝向第一阻光層 250的中心排列，從而使鄰近第一阻光層250的光不被泄漏。 像素電極240形成在每個(gè)像素中的濾色片層230上。像素電極 240包含通過(guò)其可以透射光的透明傳導(dǎo)材料。像素電極240可以包 含例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。像素電極240具有沿?cái)?shù)據(jù)線DL的延伸方向排列的鋸齒形狀， 從而才是高孔徑比。因此，像素電極240與數(shù)據(jù)線DL部分地交疊。 鈍化層220和柵極絕緣層211介于像素電極240與存儲(chǔ)線SL之間， 以形成存^f渚電容器Cst。4象素電極240可以包括第一像素電極部241和第二^f象素電極部 242，以驅(qū)動(dòng)每個(gè)^皮分成兩個(gè)區(qū)域的每個(gè)^f象素。第一1象素電才及部241 和第二j象素電才及部242 4皮此電隔離。第一4象素電才及部241通過(guò)第一 4妄觸孑L CNT1電連"t妻至第一 TFT部TFT1的第一漏電才及215,而第 二^f象素電才及部242通過(guò)第二4妄觸孑L CNT2電連4妄至第二 TFT部 TFT2的第二漏電才及219。4象素電極240形成在每個(gè)^f象素中，并且相鄰4象素電極240之間 露出濾色片層230的一部分?？商鎿Q地，無(wú)4幾層(未示出)可以形 成在濾色片層230的位于相鄰像素電極240之間的露出部分上，從 而包含在濾色片層230中的雜質(zhì)不會(huì)從濾色片層230朝向液晶層 400流出。第一阻光層250形成在位于相鄰像素電極240之間的TFT層 210中。第一阻光層250由用于形成第一棚4及線GL的第一金屬層 形成。第一阻光層250可以包含與柵極線GL相同的材料。因此， 第一阻光層250 i殳置在位于相鄰i象素之間的與相鄰濾色片之間的邊 界部分232相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，以阻擋光入射到位于相鄰像素之間的 區(qū)域中，乂人而才是高對(duì)比(contrast)度。例如，當(dāng)相鄰4象素電才及240 之間的3巨離為約8 pm時(shí)，第一阻光層250的寬度可以不大于約10 pm。當(dāng)在相對(duì)基外反300上形成黑色矩陣時(shí)，與顯示基才反200間隔開(kāi)
的黑色矩陣可能需要大約12lam的寬度，以補(bǔ)償顯示基板200與相 對(duì)基板300之間的未對(duì)準(zhǔn)(misalignments因此，具有形成于顯示 基板200中的第一阻光層250的顯示設(shè)備的孔徑比可以比具有形成 于相對(duì)基^反300上的黑色矩陣的顯示i殳備的孔徑比高出約2 % 。此起的4卩i或(domain)之間的光差(optical difference),以提高處于 各個(gè)觀察角度的圖像的一致性。而且，省去形成于相對(duì)基斗反300上 的黑色矩陣，乂人而還可省去用于4吏具有黑色矩陣的相對(duì)基沖反300平 面化的覆蓋層。因此，可以降低制造成本，并且可以提高亮度。第一阻光層250與棚—及線GL間隔開(kāi)。第一阻光層250可以電 連接至其中施加有共用電壓的存儲(chǔ)線SL?？商鎿Q地，第一阻光層 250與柵極線GL和存儲(chǔ)線SL間隔開(kāi)，以保持浮動(dòng)(float )狀態(tài)。當(dāng)柵才及線GL包4舌第一4冊(cè)才及線部GL1和第二斥冊(cè)才及線部GL2時(shí)， 第一阻光層250包4舌第一阻光部251、第二阻光部252以及第三阻 光部253。第一阻光部251形成在柵極線部GL1與存儲(chǔ)線SL之間。 第二阻光部252形成在第二柵極線部GL2與存儲(chǔ)線SL之間。第三 阻光部253形成在第一4冊(cè)極線部GL1與第二柵4及線部GL2之間。 第一阻光部251的第一端部與第一4冊(cè)才及線部GL1以子貞定3巨離間隔 開(kāi)，而第一阻光部251的第二端部連4妻至存4諸線SL。第二阻光部 252的第一端部連接至存々者線SL,而第二阻光部252的第二端部與 第二4冊(cè)才及線部GL2以預(yù)定3巨離間隔開(kāi)。第三阻光部253的第一端部 與第二柵極線部GL2以預(yù)定距離間隔開(kāi)，而第三阻光部253的第二 端部連接至第二4冊(cè)極線部GL2。如上所述，第一阻光層250覆蓋位 于相鄰濾色片之間的邊界部分的一大部分。然而，第一阻光層250 并沒(méi)有覆蓋鄰近4冊(cè)極線GL的區(qū)域的一部分。第二阻光層260覆蓋位于相鄰濾色片之間的邊界部分上的未被 第一阻光層250覆蓋的區(qū)域。第二阻光層260形成在位于相鄰像素電極240之間的TFT層 210中。第二阻光層260由用于形成凄t據(jù)線DL的第二金屬層形成。 第二阻光層260可以包含與^t據(jù)線DL相同的材沖+。第二阻光層260 與第一阻光層250及柵極線GL通過(guò)柵極絕緣層211電絕緣。第二 阻光層260可以電連接至凄t據(jù)線DL?？商?灸;也，第二阻光層260 可以與凄t才居線DL間隔開(kāi)以{呆持浮動(dòng)4犬態(tài)。第二阻光層260形成在第一阻光層250與4立于相鄰顏色濾色片 之間的邊界部分上的柵極線GL之間。第二阻光層260包括第四阻 光部261、第五阻光部262、第六阻光部263以及第七阻光部264。 第四阻光部261形成在第一柵極線部GL1與第一阻光部251之間。 第五阻光部262形成在第二4冊(cè)極線部GL2與第二阻光部252之間。 第六阻光部263形成在第二沖冊(cè)極線部GL2與第三阻光部253之間。 第七阻光部264形成在第一4冊(cè)才及線部GL1與第三阻光部253之間。 第四阻光部261和第七阻光部264與數(shù)據(jù)線DL間隔開(kāi)，以保持浮 動(dòng)狀態(tài)。第五阻光部262和第六阻光部263電連接至數(shù)據(jù)線DL。如上所述，第一和第二阻光層250和260完全覆蓋4立于相鄰濾 色片之間的邊界部分，以減少相鄰濾色片之間的邊界部分中的光泄漏。相對(duì)基板300與顯示基板200相結(jié)合，以使液晶層400介于相 對(duì)基板300與顯示基板200之間。相對(duì)基板300包括絕緣基板310 以及形成在絕緣基板310的面向顯示基板200的表面上的共用電極 320。共用電極320包括透射光的透明傳導(dǎo)材料。例如，共用電極 320包含氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)等。共用電極320可 以包含與像素電極240基本相同的材料。共用電極320可以具有開(kāi) 口 (openning)圖案，以增大7見(jiàn)察角。
當(dāng)?shù)谝蛔韫鈱?50和第二阻光層260形成在顯示基板200上時(shí)， 省去形成在相對(duì)基板300上的黑色矩陣，從而還可以省去用于使具 有黑色矩陣的相對(duì)基板300平面化的覆蓋層。因此，可以降低制造 成本，并且可以提高亮度。液晶層400包含具有諸如折射率各向異性、介電常數(shù)各向異性 等的各種電學(xué)特性和光學(xué)特性的液晶。響應(yīng)形成在像素電4及240與 共電才及320之間的電場(chǎng)，液晶層400的液晶的排列改變。從而，液 晶層400的透光率改變，以顯示圖1象。圖4是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖。除了 第一和第二阻光層之外，圖4中的顯示設(shè)備與圖1中的顯示設(shè)備基 本相同。因此，將使用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示與圖1中所描述的部 件相同或相似的部件，并且省去關(guān)于以上元件的任何進(jìn)一步說(shuō)明。參照?qǐng)D4，第一阻光層250與存儲(chǔ)線SL以預(yù)定距離間隔開(kāi)， 以保持浮動(dòng)狀態(tài)。第二阻光層260可以進(jìn)一步形成在第 一 阻光層250 與存儲(chǔ)線SL之間，以覆蓋位于第一阻光層250與存儲(chǔ)線SL之間的 區(qū)域。例如，第一阻光部251和第二阻光部252以預(yù)定距離與存儲(chǔ)線 SL間隔開(kāi)。第二阻光層260包括第八阻光部265和第九阻光部266, 以覆蓋第一和第二阻光部251和252與存儲(chǔ)線SL之間的區(qū)域。第 八阻光部265形成在存儲(chǔ)線SL與第一阻光部251之間，而第九阻 光部266形成在存儲(chǔ)線SL與第二阻光部252之間。例如，第八和 第九阻光部265和266與數(shù)據(jù)線DL間隔開(kāi)，以保持浮動(dòng)狀態(tài)。圖5是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖，圖6 是沿圖5中的線II-II'截取的橫截面圖，而圖7是示出圖5中的部分 "B，，的方文大平面4見(jiàn)圖。除了顯示基4反之外，圖5和圖6中的顯示
設(shè)備與圖1和圖2中的顯示設(shè)備基本相同。因此，將使用相同的參 考標(biāo)號(hào)來(lái)表示與圖1和圖2中所描述的部件相同或相似的部件，并 且省去關(guān)于以上元件的任何進(jìn)一 步說(shuō)明。參照?qǐng)D5至圖7,數(shù)據(jù)線DL形成在相鄰像素電極240之間。 換句話說(shuō)，數(shù)據(jù)線DL為鋸齒形狀并且沿與柵極線GL垂直的方向 延伸。相似地，像素電極240具有鋸齒形狀并且沿與柵極線GL垂 直的方向排列。例如，凝:據(jù)線DL形成于位于相鄰濾色片之間的邊 界部分處，其中，濾色片位于分別設(shè)置在存儲(chǔ)線SL兩側(cè)的第一柵 極線部GL1與第二4冊(cè)極線部GL2之間。因此，凄t據(jù)線DL形成于以防止光/人位于相鄰^象素之間的區(qū)域中泄漏。然而，數(shù)據(jù)線DL并沒(méi)有覆蓋位于相鄰濾色片之間的邊界部分 的一部分，以形成TFT。例如，數(shù)據(jù)線DL沒(méi)有覆蓋位于相鄰濾色 片之間的處于鄰近第一柵極線部GL1的區(qū)域中的邊界部分。阻光部280覆蓋位于相鄰濾色片之間的邊界部分的鄰近第一柵 才及線部GL1的區(qū)i或。阻光部280形成在TFT層210中。阻光部280設(shè)置在相鄰像素 電極240之間，以覆蓋未被數(shù)據(jù)線DL覆蓋的區(qū)域。例如，阻光部 280形成在第一柵極線部GL1與數(shù)據(jù)線DL之間。因此，數(shù)據(jù)線DL 和阻光部280設(shè)置在位于相鄰濾色片之間的與位于相鄰像素之間的 區(qū)i或相對(duì)應(yīng)的邊界部分中。如上所述，數(shù)據(jù)線DL和阻光部280完全覆蓋位于相鄰濾色片 之間的邊界部分，從而減少位于相鄰濾色片之間的邊界部分中的光 泄漏。
阻光部280可以由用于形成4冊(cè)才及線GL的第一金屬層形成。當(dāng) 阻光部280由第一金屬層形成時(shí)，阻光部280電連接于柵極線GL， 并且通過(guò)柵極絕緣層211與數(shù)據(jù)線DL絕緣。圖8是示出了根據(jù)第四示例性實(shí)施例的阻光部的放大平面圖。參照?qǐng)D8,阻光部285可以由用于形成數(shù)據(jù)線DL的第二金屬 層形成。阻光部285可以包含與數(shù)據(jù)線DL相同的材料。當(dāng)阻光部 285由第二金屬層形成時(shí)，阻光部285電連接于lt據(jù)線DL,并且通 過(guò)柵極絕緣層211與4冊(cè)極線GL絕緣。圖9是示出了根據(jù)第五示例性實(shí)施例的阻光部的放大平面圖。參照?qǐng)D9,阻光部290包括第一阻光層292和第二阻光層294。 第一阻光層292由用于形成柵-才及線GL的第一金屬層形成，而第二 阻光層294由用于形成H據(jù)線DL的第二金屬層形成。第一阻光層 292可以包含與棚—及線GL相同的才才并+，而第二阻光層294可以包 含與數(shù)據(jù)線DL相同的材料。第一阻光層292電連接于柵極線GL, 第二阻光層294電連接于數(shù)據(jù)線DL，并且第一阻光層292和第二 阻光層294通過(guò)柵極絕緣層211彼此絕纟彖。如上所述，從柵極線或數(shù)據(jù)線延伸出的阻光部覆蓋在相鄰濾色 片之間的邊界部分處的未^皮數(shù)據(jù)線DL覆蓋的區(qū)域，以減少相鄰濾 色片之間的邊界部分中的光泄漏。圖10是示出了根據(jù)第六示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖。 圖ll是沿圖10的線III-in'截取的橫截面圖。圖12是示出了圖10 中的第一阻光層和第二阻光層的平面圖。 參照?qǐng)D10至圖12，顯示設(shè)備包括顯示基斧反500、面對(duì)顯示基 板500的相對(duì)基板600，以及介于顯示基板500與相對(duì)基板600之 間的液晶層400。顯示基才反500包4舌TFT層510、濾色片層520、 4象素電極530、 第一阻光層540和第二阻光層550。TFT層510形成于透明絕^彖基才反560上。透明絕纟彖基4反560包 括例如玻璃、塑料等。TFT層510包括4冊(cè)才及線GL、 4冊(cè)才及絕纟彖層511、凄t據(jù)線DL、 TFT、 和存儲(chǔ)線SL。柵極絕緣層511覆蓋柵極線GL。數(shù)據(jù)線DL形成于 柵極絕緣層511上，以穿過(guò)柵極線GL。 TFT電連接于4冊(cè)極線GL 和數(shù)據(jù)線DL。存儲(chǔ)線SL由用于形成4冊(cè)極線GL的金屬層形成。存 儲(chǔ)線SL可以包含與4冊(cè)極線GL相同的材料。柵極線GL形成于絕緣基板560上。柵極線GL可以例如沿7jc 平方向(當(dāng)在平面上觀察時(shí))延伸。每個(gè)〗象素可以-故分成獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)區(qū)域。；陂分成兩個(gè)區(qū)域的 才冊(cè)才及線GL可以包括第一棚—及線部GL1和第二4冊(cè)才及線部GL2,以驅(qū) 動(dòng)每個(gè)像素。第二柵極線部GL2與第一柵極線部GL1電隔離，并 且沿平行于第一4冊(cè)極線部GL1的方向延伸?？商鎿Q地，4冊(cè)極線GL 可以〗又包4舌第一4冊(cè)才及線部GL1。存儲(chǔ)線SL可以同時(shí)與柵極線GL由金屬層形成。存儲(chǔ)線SL例 如沿平行于柵極線GL的方向在相鄰柵極線GL之間延伸。存儲(chǔ)線 SL面向〗象素電極530，而柵極絕緣層511、鈍化層570和濾色片層 520設(shè)置于存儲(chǔ)線SL與像素電極530之間。存儲(chǔ)線SL、柵極絕緣 層511、鈍化層570、濾色片層520和像素電極530形成存儲(chǔ)電容
器Cst。存儲(chǔ)電容器Cst在一個(gè)幀期間內(nèi)保持通過(guò)TFT傳輸至像素 電極530的數(shù)據(jù)電壓?？商鎿Q地，當(dāng)濾色片層520在對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)線 SL的區(qū)域內(nèi)具有孔時(shí)，存儲(chǔ)線SL與像素電極530之間的距離減小， 以增加存儲(chǔ)電容器Cst的電容。柵極絕緣層511形成在其上形成有柵極線GL和存儲(chǔ)線SL的 絕緣基板560上。柵極絕緣層511保護(hù)柵極線GL并且使4冊(cè)極線GL 與其它導(dǎo)體電絕緣。柵極絕緣層511可以包含例如氮化硅(SiNx )。數(shù)據(jù)線DL形成于棚4及絕緣層511上。數(shù)據(jù)線DL通過(guò)柵才及絕 緣層511與柵極線GL和存儲(chǔ)線SL絕緣。數(shù)據(jù)線DL沿與柵極線 GL的延伸方向交叉的方向延伸。數(shù)據(jù)線DL可以例如沿垂直方向 (當(dāng)在平面上觀察時(shí))延伸。TFT形成于每個(gè)像素內(nèi)，以連接于柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL。 響應(yīng)于通過(guò)4冊(cè)才及線GL傳輸?shù)臇艠O電壓，TFT施加通過(guò)數(shù)據(jù)線DL 傳輸至〗象素電才及530的ft據(jù)電壓。被分成兩個(gè)區(qū)域的TFT可以包括第一 TFT部TFT1和第二 TFT 部TFT2，以驅(qū)動(dòng)每個(gè)4象素。第一 TFT部TFT1電連4妻于第一4冊(cè)才及 線部GL1和數(shù)據(jù)線DL,而第二 TFT部TFT2電連接于第二柵極線 部GL2和數(shù)據(jù)線DL?？商鎿Q地，TFT可以4又包括第一 TFT部TFT1 。第一TFT部TFT1可以包括第一柵電極512、第一有源層513、 第一源電才及514和第一漏電纟及515。第一4冊(cè)電纟及512電連4妄于第一 柵極線部GLl,并且用作第一TFT部TFT1的柵極端子。第一有源 層513形成在對(duì)應(yīng)于第一4冊(cè)電才及512的棚—及絕纟彖層511上。第一有 源層513可以包4舌半導(dǎo)體層513a和歐姆接觸層513b。例如，半導(dǎo) 體層513a包含非晶石圭(a-Si),而歐姆4妄觸層513b包含其中以高濃 度注入有n型雜質(zhì)的n+非晶硅(n+ a-Si )。第一源電極514形成于
第一有源層513上，并且電連4妾于凄t據(jù)線DL。第一源電才及514用 作第一TFT部TFT1的源電纟及端子。第一漏電纟及515與第一有源層 513上的第一源電極514間隔開(kāi)，并且用作第一 TFT部TFT1的漏 電才及端子。第一漏電才及515通過(guò)第一4妄觸孔CNT1電連接于第一4象 素電極531,該第一接觸孔穿過(guò)鈍化層570和濾色片層520而形成。第二TFT部TFT2可以包括第二柵電極516、第二有源層(未 示出)、第二源電才及517和第二漏電才及518。除了第二柵才及516連才妄 于第二棚4及線部GL2,以及第二漏電4及518經(jīng)由穿過(guò)4屯4匕層570和 濾色片層520形成的第二4妄觸孔CNT2而連4妄于第二4象素電才及532 之外，第二TFT部TFT2具有與第一TFT部TFT1基本上相同的結(jié) 構(gòu)。因此，將省略關(guān)于上述元件的任何進(jìn)一步說(shuō)明。顯示基板500可以進(jìn)一步包括形成于TFT層510上的鈍化層 570。鈍化層570保護(hù)TFT層510并且使TFT層510與其它導(dǎo)體電 絕緣。鈍化層570可以包含例如氮化硅(SiNx )。濾色片層520形成于鈍化層570上。濾色片層520可以包含顏 料或著色劑。例如，濾色片層520可以包括含有紅色著色劑的紅濾 色片、含有綠色著色劑的綠濾色片、以及含有藍(lán)色著色劑的藍(lán)濾色 片。紅、綠、和藍(lán)濾色片可以規(guī)則地排列于鈍化層570上。例如， 紅、綠、和藍(lán)濾色片分別對(duì)應(yīng)于像素部。可以增加濾色片層520的厚度，以使顯示基板500的表面平面 化。例如，濾色片層520的厚度可以為約2.5nm至約3.5ixm。當(dāng)濾色片層520形成于顯示基才反500中時(shí)，可以省略用于4吏顯 示基板500平面化的覆蓋層，從而在顯示基板500中具有濾色片層 520的顯示設(shè)備的透光率比在相對(duì)基板600中具有濾色片層的顯示 i殳備的透光率高出約7%。
可替換地，顯示基板500可以包括代替濾色片層520的有機(jī)絕 緣層。像素電極530在每個(gè)像素中形成于濾色片層520上。^像素電極 530包含可以透射光線的透明傳導(dǎo)材料。^象素電才及530可以包含例 如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。像素電極530具有沿?cái)?shù)據(jù)線DL的延伸方向排列的鋸齒形狀， 從而提高孔徑比。因此，像素電極530與數(shù)據(jù)線DL部分地交疊。 鈍化層570和柵極絕緣層511介于像素電極530與存儲(chǔ)線SL之間， 以形成存+者電容器Cst。被分成兩個(gè)區(qū)域的^f象素電極530可以包括第一像素電極部531 和第二像素電極部532，以驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素。第一《象素電才及部531和 第二^f象素電極部532 4皮此電隔離。第一^f象素電極部531通過(guò)第 一接 觸孑LCNT1電連接于第一TFT部TFT1的第一漏電極515,而第二 像素電極部532通過(guò)第二接觸孔CNT2電連接于第二 TFT部TFT2 的第二漏電^L518。像素電極530形成于每個(gè)像素中，并且相鄰4象素電極530之間 露出濾色片層520的一部分?？商鎿Q地，無(wú)機(jī)層(未示出)可以形 成于濾色片層520的4立于相鄰〗象素電才及530之間的露出部分上，從 而包含于濾色片層520中的雜質(zhì)不會(huì)從濾色片層520朝向液晶層 400流出。第一阻光層540形成于相鄰像素電極530之間的TFT層510 中。第一阻光層540由用于形成4冊(cè)4及線GL的金屬層形成。因此， 第 一阻光層540設(shè)置于相鄰像素之間的對(duì)應(yīng)于相鄰濾色片之間的邊 界部分的區(qū)域中，以阻擋光入射到相鄰像素之間的區(qū)域中，從而提 高對(duì)比度。例如，當(dāng)相鄰像素電極530之間的距離為大約8 pm時(shí)，
第一阻光層540的寬度可以不大于約10 ^m。當(dāng)黑色矩陣形成于相 對(duì)基板600上時(shí)，與顯示基板500間隔開(kāi)的黑色矩陣可能需要大約 12 pm的寬度，以補(bǔ)償顯示基板500與相對(duì)基板600之間的未對(duì)準(zhǔn)。 因此，具有形成于顯示基^反500中的第一阻光層540的顯示i殳備的 孔徑比可以比具有形成于相對(duì)基板600上的黑色矩陣的顯示設(shè)備的 孔徑比高出約2%。另夕卜，可以防止由于顯示基板500與相對(duì)基板 600之間的未對(duì)準(zhǔn)而造成的鄰域之間的光差，以提高各個(gè)視角的圖 像的一致性。此外，省略了形成于相對(duì)基板600上的黑色矩陣，從 而也可以省略用于使具有黑色矩陣的相對(duì)基板600平面化的覆蓋 層。因此，可以降4氐制造成本，并且可以提高亮度。第一阻光層540與4冊(cè)極線GL和存^f諸線SL電隔離，以保持浮 動(dòng)狀態(tài)。第二阻光層550由金屬層形成，以形成4冊(cè)才及線GL和第一阻光 層540。第二阻光層550可以包含與才冊(cè)極線GL相同的材料。第二 阻光層550與數(shù)據(jù)線DL交疊。當(dāng)通過(guò)一個(gè)掩模對(duì)數(shù)據(jù)線DL和有 源層513進(jìn)4亍圖案化時(shí)，在凄t據(jù)線DL下方形成虛擬有源層(dummy active layer) 519。當(dāng)光入射到虛擬有源層519中時(shí)，可能造成瀑布 缺陷(waterfall defect)。因此，形成于凝:據(jù)線DL下方的第二阻光 層550阻擋光線入射到虛擬有源層519中，以消除瀑布缺陷。第二阻光層550與柵極線GL和存儲(chǔ)線SL電隔離，以保持懸 浮狀態(tài)。第二阻光層550與第一阻光層540電隔離，以減少凄史才居線的負(fù) 載。例如，當(dāng)?shù)诙韫鈱?5(H呆持浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)，第二阻光層550的 電勢(shì)由數(shù)據(jù)線DL的電勢(shì)被數(shù)據(jù)線DL的電勢(shì)限定。因此，數(shù)據(jù)線 DL的負(fù)載不因第二阻光層550改變。但是，當(dāng)?shù)诙韫鈱?50電 連4妾于第 一 阻光層540時(shí)，第二阻光層550的電勢(shì)由第 一阻光層540
與像素電才及530之間的耦合電容限定，以增加第二阻光層550與凄t 才居線DL之間的電容。下面的表1示出了基于第一和第二阻光層的數(shù)據(jù)線與像素電極 之間的電容。在表1中，根據(jù)實(shí)例1的顯示基板僅包括第二阻光層。 根據(jù)實(shí)例2的顯示基板僅包括第一阻光層。根據(jù)實(shí)例3的顯示基板 包括彼此電連接的第一阻光層和第二阻光層。根據(jù)實(shí)例4的顯示基 板包括W皮此電隔離的第一阻光層和第二阻光層，如圖12所示。在表1中，Cdp—h是第一像素電極與數(shù)據(jù)線之間的電容，而CdpJ是第二像素電極與數(shù)據(jù)線之間的電容。表1第一阻光層第二阻光層Cdp_h[F] CdpJ[F]實(shí)例1 x 〇 1.87E-14 8.84E-14實(shí)例2 〇 x 2.04E-14 9.77E-14實(shí)例3 〇 〇 2.49E-14 1.08E-13實(shí)例4 〇 〇 2.07E-14 9.94E-14參照表1，如實(shí)例3,當(dāng)顯示基板包括彼此電連接的第一阻光 層和第二阻光層時(shí)，與實(shí)例1相比，Cdp—h增加約33 % ，并且CdpJ增加約22%。但是，如實(shí)例4，當(dāng)顯示基板包括彼此電隔離的第一 阻光層和第二阻光層時(shí)，與實(shí)例l相比，Cdp—h增加約100/。，并且CdpJ增加約12。/。。因此，如實(shí)例4,當(dāng)?shù)谝蛔韫鈱优c第二阻光層電隔離時(shí)，與實(shí)例3相比，教j居線的負(fù)載減少了。
因此，當(dāng)?shù)谝蛔韫鈱优c第二阻光層電隔離時(shí)，可以減少數(shù)據(jù)線 的負(fù)載，從而可以減少通過(guò)數(shù)據(jù)線傳輸?shù)男盘?hào)的延遲。相對(duì)基板600與顯示基板500相結(jié)合，以使液晶層400介于相 對(duì)基板600與顯示基板500之間。相對(duì)基板600包括絕緣基板610 以及形成于絕緣基板610的面向顯示基板500的表面上的共用電極 620。共用電極620包括透射光的透明傳導(dǎo)材料。例如，共用電極 620包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。共用電極620可 以包含與像素電極530基本相同的材料。共用電極620可以具有開(kāi) 口圖案，以增加^L角。當(dāng)?shù)谝蛔韫鈱?40形成于顯示基^反500中時(shí)，省略形成于相對(duì) 基4反600上的黑色矩陣，從而也可以省略用于使具有黑色矩陣的相 對(duì)基板600平面化的覆蓋層。因此，可以降低制造成本，并且可以 提高亮度。圖13是示出了根據(jù)第七示例性實(shí)施例的顯示基板的平面圖。 除了第一阻光層之外，圖13中的顯示基板與圖12中的顯示基板基 本相同。因此，將使用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示與圖12所述的部件 相同或相似的部件，并且將省略關(guān)于上述元件的任何進(jìn)一 步說(shuō)明。參照?qǐng)D13,第一阻光層540的一部分電連接于被施加有共用電 壓的存儲(chǔ)線SL。換句話說(shuō)，與存儲(chǔ)線SL相鄰的第一阻光層540直 ^接連接于存卞者線SL。如上所述，當(dāng)?shù)谝蛔韫鈱?40連接于存儲(chǔ)線SL時(shí)，存儲(chǔ)電容 器Cst的面積增加，從而存儲(chǔ)電容器Cst的電容增加。 圖14是示出了根據(jù)第八示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的平面圖， 圖15是沿圖14中的線IV-IV'截取的4黃截面圖，而圖16是示出了圖 14中的阻光層和黑色矩陣的平面圖。參照?qǐng)D14至圖16,顯示設(shè)備包括顯示基板700、面對(duì)顯示基 板700的相對(duì)基板800,以及介于顯示基板700與相對(duì)基板800之 間的液晶層400。顯示基板700包括TFT層710、濾色片層720以及像素電極730。TFT層710形成在透明絕緣基板760上。透明絕緣基板760例 如包括玻璃、塑并+等。TFT層710包4舌斥冊(cè)才及線GL、才冊(cè)才及絕纟彖層711、數(shù)據(jù)線DL、 TFT 以及存儲(chǔ)線SL。柵極絕緣層711覆蓋柵極線GL。數(shù)據(jù)線DL形成 在棚4及絕纟彖層711上，以與4冊(cè)才及線GL交叉。TFT電連4姿至棚—及線 GL和數(shù)據(jù)線DL。存儲(chǔ)線SL由形成4冊(cè)極線GL的金屬層形成。存 儲(chǔ)線SL可包括與柵極線GL相同的材料。柵極線GL形成在絕緣基板760上。當(dāng)在平面上觀察時(shí)，柵極 線GL可沿例io7j^平方向延伸。4皮分成為兩個(gè)區(qū)域的每個(gè)像素可被分成獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)區(qū)域。 柵極線GL可包括第一柵極線部GL1和第二柵極線部GL2,以驅(qū)動(dòng) 每個(gè)4象素。第二4冊(cè)才及線部GL2與第一4冊(cè)極線部GL1電隔離，并且 沿與第一4冊(cè)極線部GL1平行的方向延伸。可替換地，4冊(cè)極線GL可 <又包4舌第 一棚—及線部GL1 。存儲(chǔ)線SL可同時(shí)與柵極線GL由用于形成柵極線GL的金屬層 形成。存儲(chǔ)線SL例如沿與柵極線GL平行的方向在相鄰柵極線GL
之間延伸。存儲(chǔ)線SL面對(duì)像素電極730，并且柵極絕緣層711和鈍 化層770設(shè)置在存儲(chǔ)線SL與像素電極730之間。存儲(chǔ)線SL、柵極 絕緣層711、鈍化層770以及像素電極730形成存儲(chǔ)電容器Cst。存 儲(chǔ)電容器Cst在 一個(gè)幀期間保持通過(guò)TFT傳輸至像素電極730的數(shù) 據(jù)電壓。當(dāng)濾色片層720在與存儲(chǔ)線SL相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中具有孔時(shí)， 存儲(chǔ)線SL與像素電極730之間的距離減小，從而存儲(chǔ)電容器Cst 的電容增加。才冊(cè)才及絕纟彖層711形成在其上形成有棚^及線GL和存々者線SL的 絕緣基板760上。柵極絕緣層711保護(hù)柵極線GL并使柵極線GL 與其它導(dǎo)體電絕緣。柵極絕緣層711可包含例如氮化硅(SiNx)。數(shù)據(jù)線DL形成在棚4及絕纟彖層711上。數(shù)據(jù)線DL通過(guò)棚—及絕 緣層711與柵極線GL及存儲(chǔ)線SL絕緣。數(shù)據(jù)線DL沿與柵極線 GL交叉的方向延伸。當(dāng)在平面上觀察時(shí)，數(shù)據(jù)線DL例如可沿垂 直方向延4申。TFT形成在每個(gè)i象素中，以連4妄至棚-才及線GL和凝:據(jù)線DL。 響應(yīng)于通過(guò)4冊(cè)4及線GL傳輸?shù)?冊(cè)才及電壓，TFT向〗象素電才及730施加 通過(guò)凄t據(jù)線DL傳輸?shù)膄t據(jù)電壓。-陂分成為兩個(gè)區(qū)域的TFT可包括第一 TFT部TFT1和第二 TFT 部TFT2,以驅(qū)動(dòng)每個(gè)4象素。第一 TFT部TFT1電連4妄至第一4冊(cè)才及 線部GL1和數(shù)據(jù)線DL,而第二 TFT部TFT2電連4妄至第二4冊(cè)才及線 部GL2和數(shù)據(jù)線DL?？商鎿Q地，TFT可僅包括第一TFT部TFT1。第一 TFT部TFT1可包括第一柵電極712、第一有源層713、 第一源電4及714以及第一漏電才及715。第一才冊(cè)電才及712電連4妄至第 一柵極線部GL1，并用作第一TFT部TFT1的柵才及端子。第一有源 層713形成在與第一柵電極712相對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層711上。第一有源層713可包4舌半導(dǎo)體層713a和歐姆4妄觸層513b。例如，半導(dǎo) 體層713a包括非晶硅(a-Si),并且歐姆接觸層513b包括其中以高 濃度摻雜有n型雜質(zhì)的n+非晶石圭(n+a-Si)。第一源電極714形成 在第一有源層713上，并電連4妄至凄t據(jù)線DL。第一源電才及714用 作第一TFT部TFT1的源電才及端子。第一漏電極715與第一有源層 713上的第一源電才及714間隔開(kāi)，并用作第一 TFT部TFT1的漏電 極端子。第一漏電極715通過(guò)第一接觸孔CNT1電連4妻至第一^f象素 電極731,該第一接觸孔穿過(guò)鈍化層770和濾色片層720而形成。第二TFT部TFT2可包括第二柵電極716、第二有源層(未示 出)、第二源電才及717、以及第二漏電極718。除第二柵電極716連 4妄至第二斥冊(cè)才及線部GL2，以及第二漏電才及718經(jīng)由穿過(guò)4屯化層770 和濾色片層720形成的第二接觸孔CNT2而連接至第二像素電4 L 732之外，第二 TFT部TFT2具有與第一 TFT部TFT1基本相同的 結(jié)構(gòu)，。因此，將省略有關(guān)于上述元件的進(jìn)一步i兌明。TFT層710進(jìn)一步包括第一阻光層740。第一阻光層740例如 可由用于形成柵才及線GL的金屬層形成。第一阻光層740設(shè)置在相止在相鄰濾色片之間的邊界部分中的光泄漏。例如，當(dāng)相鄰像素電 極730之間的距離約為8 iam時(shí)，第一阻光層740的寬度可不大于 約10 jam。第一阻光層740部分地形成在相鄰像素電極730之間的區(qū)域 中。例如，第一阻光層740與柵極線GL及存儲(chǔ)線SL電隔離，以 保持浮動(dòng)狀態(tài)?？商鎿Q地，第一阻光層740的一部分可電連接至施 加有共用電壓的存〗諸線SL。TFT層710可進(jìn)一步包括第二阻光層750。第二阻光層750可 例3。由用于形成4冊(cè)4及線GL的金屬層形成。
第二阻光層750與數(shù)據(jù)線DL交疊。當(dāng)數(shù)據(jù)線DL和有源層713 通過(guò)一個(gè)掩才莫圖案化時(shí)，虛擬有源層719形成在數(shù)據(jù)線DL下面。 當(dāng)光線入射到虛擬有源層719中時(shí)，在顯示設(shè)備上可能顯示瀑布缺 陷。因此，形成在數(shù)據(jù)線DL下面的第二阻光層750阻擋光線入射 到虛擬有源層719中，乂人而消除瀑布缺陷。第二阻光層750與柵極線GL及存儲(chǔ)線SL電隔離，以保持浮 動(dòng)狀態(tài)。第二阻光層750電連接至第一阻光層740。可替換地，第 二阻光層可與第一阻光層740電隔離。顯示基板700可進(jìn)一步包括形成在TFT層710上的鈍化層770。 4屯化層770 ^f呆護(hù)TFT層710并4吏TFT層與其它導(dǎo)體電絕纟彖。4屯化 層770可包含例如氮化硅(SiNx )。濾色片層720形成在鈍化層770上。濾色片層720可包含顏料 或著色劑。例如，濾色片層720可包括含有紅色著色劑的紅濾色片、 含有綠色著色劑的綠濾色片、以及含有藍(lán)色著色劑的藍(lán)濾色片。紅、 綠、藍(lán)色濾色片可規(guī)則地排列在鈍化層770上。例如，紅、綠、藍(lán) 色濾色片分別與像素部對(duì)應(yīng)?？稍黾訛V色片層720的厚度，以使顯示基板700的表面平面化。 例如，濾色片層720的厚度可為約2.5 iam至約3.5 |nm。當(dāng)濾色片層720形成在顯示基板700中時(shí)，可省卻用于使顯示 基板700平面化的覆蓋層，從而使得在顯示基板700中具有濾色片 層720的顯示設(shè)備的透光率比在相對(duì)基板800中具有濾色片層的顯 示設(shè)備的透光率高出約7%?？商鎿Q地，顯示基板700可包括取代濾色片層720的有機(jī)絕緣層。 在每個(gè)像素中，像素電極730形成在濾色片層720上。像素電 極730包括透明傳導(dǎo)材料，光線可通過(guò)該透明傳導(dǎo)材料透射。像素 電極730例如可包含氧化銦錫(ITO )、氧化銦鋅(IZO )等。像素電極730具有沿?cái)?shù)據(jù)線DL的延伸方向排列的鋸齒形狀， /人而提高孔徑比。因此，像素電4及730部分地與數(shù)據(jù)線DL交疊。 鈍化層770和柵極絕緣層711介于像素電極730與存儲(chǔ)線SL之間， 以形成存^f諸電容器Cst。像素電才及730可包括第一像素電極部731和第二〗象素電4及部 732,以驅(qū)動(dòng)被分成為兩個(gè)區(qū)域的每個(gè)像素。第一像素電極部731 和第二像素電極部732彼此電隔離。第一像素電極部731通過(guò)第一 4妄觸孑L CNT1電連4妻至第一 TFT部TFT1的第一漏電才及715，而第 二{象素電極部732通過(guò)第二接觸孑L CNT2電連接至第二 TFT部 TFT2的第二漏電才及718。像素電極730形成在每個(gè)像素中，并且相鄰像素電極730之間 露出濾色片層720的一部分?？商鎿Q地，無(wú)才幾層(未示出)可形成 在濾色片層720的位于相鄰像素電極730之間的露出部分上，從而 使得包含在濾色片層720中的雜質(zhì)不會(huì)從濾色片層720中流向液晶 層400。相對(duì)基板800與顯示基板700相結(jié)合，以使液晶層400介于相 對(duì)基板800與顯示基板700之間。相對(duì)基板800包括絕緣基板810、 形成在絕緣基板810的面向顯示基板700的表面上的黑色矩陣820 以及共用電才及830。黑色矩陣820部分地形成在相鄰4象素電極730之間的與相鄰傳_ 素之間的區(qū)i或相對(duì)應(yīng)的邊界部分處。黑色矩陣在與第一阻光層740 相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中開(kāi)口 (open)。黑色矩陣設(shè)置在相鄰像素之間的區(qū) 域中，以阻擋光線入射到相鄰像素之間的區(qū)域中，從而提高對(duì)比度。如上所述的，第一阻光層740和黑色矩陣820分別形成在顯示基4反 700和相對(duì)基板800中，以有效地阻止相鄰濾色片之間的邊界部分 中的光泄漏。然而，當(dāng)?shù)谝蛔韫鈱?40和黑色矩陣820—起形成時(shí)，顯示設(shè) 備的孔徑比可能由于顯示基板700與相對(duì)基板800之間的未對(duì)準(zhǔn)而 減小。因此，黑色矩陣#:部分地移除，以增大顯示i殳備的孔徑比。例 如，黑色矩陣在相鄰^f象素電極730之間的除結(jié)構(gòu)生成部分(texture generation portion )以外的區(qū)i或中開(kāi)口 ，該結(jié)構(gòu)生成部分對(duì)應(yīng)于對(duì)冊(cè)才及 線GL、存儲(chǔ)線SL、TFT和像素電極830的拐角以及第一阻光層740 的開(kāi)口部分。圖17是示出了根據(jù)顯示基板與相對(duì)基板之間的未對(duì)準(zhǔn)度而改 變的孔徑比的變化圖表。在圖17中，Cl表示當(dāng)黑色矩陣形成在相 鄰像素電極之間的整個(gè)區(qū)域上時(shí)孔徑比的變化，C2表示當(dāng)黑色矩 陣在相鄰^像素電才及之間的區(qū)域中部分地開(kāi)口時(shí)(如圖14中所示的) 孔徑比的變化。參照?qǐng)D17，當(dāng)黑色矩陣形成在相鄰像素電極之間的整個(gè)區(qū)域上 時(shí)，孔徑比隨著未對(duì)準(zhǔn)度的增加而明顯減小。然而，當(dāng)黑色矩陣在 相鄰像素電極之間的區(qū)域中部分開(kāi)口時(shí)，隨著未對(duì)準(zhǔn)度的增加，孔 徑比的變4匕小于Cl的變化，而孔徑比總體上大于Cl的孔徑比。共用電極830包含透射光的透明傳導(dǎo)材料。例如，共用電極830 包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。共用電極830可包含 與像素電極730基本相同的材料。共用電極830可具有開(kāi)口圖案， 以i曽力口4見(jiàn)角。
相對(duì)基板800可進(jìn)一步包括形成于其上形成有黑色矩陣的絕緣 基板810上的覆蓋層840，以使相對(duì)基板800平面化。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，阻光層形成在由柵極金屬層或數(shù)據(jù)金屬層形 成的顯示基板中，以防止相鄰濾色片之間的邊界部分中的光泄漏。而且，可在相對(duì)基^反中省卻黑色矩陣和覆蓋層，因此可大大降 低制造成本并且可提高亮度。另外，形成在相鄰^f象素電才及之間的第 一阻光層與第二阻光層電 隔離(該第二阻光層與數(shù)據(jù)線交疊)，從而降低數(shù)據(jù)線的負(fù)載，進(jìn) 而減少通過(guò)數(shù)據(jù)線傳輸?shù)男盘?hào)的延遲。此外，黑色矩陣的與形成在顯示基^1中的阻光層交疊的部分#皮 去除，以增加顯示i殳備的孔徑比。雖然已描述了示例性實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該注意的是，這 里，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 可進(jìn)4于各種改變、4l換以及更改。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括柵極線；柵極絕緣層，覆蓋所述柵極線；數(shù)據(jù)線，形成于所述柵極絕緣層上；薄膜晶體管，電連接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；存儲(chǔ)線，包含與所述柵極線相同的材料；鈍化層，覆蓋所述數(shù)據(jù)線；濾色片層，形成于所述鈍化層上；像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；第一阻光層，形成于相鄰像素電極之間；以及第二阻光層，形成于所述第一阻光層與所述柵極線之間，并且，其中，所述第一阻光層包含與所述柵極線相同的材料，而所述第二阻光層包含與所述數(shù)據(jù)線相同的材料。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，所述濾色片層包括具 有不同顏色的多個(gè)濾色片，且所述第 一和第二阻光層形成于相 鄰濾色片之間的邊界部分處。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第一阻光層電連 接于所述存儲(chǔ)線。
4. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第一阻光層與所 述棚4及線和所述存儲(chǔ)線間隔開(kāi)，以〗呆持浮動(dòng)狀態(tài)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中，所述第二阻光層進(jìn)一 步形成于所述第一阻光層與所述存儲(chǔ)線之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第二阻光層與所 述數(shù)據(jù)線間隔開(kāi)，以保持浮動(dòng)狀態(tài)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第二阻光層電連 接于所述數(shù)據(jù)線。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述像素電極具有沿 所述凄t據(jù)線的延伸方向排列的鋸齒形狀，以與所述凄t據(jù)線交 疊。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中，所述像素電極包括彼 此電隔離的第 一像素電極部和第二像素電極部，所述薄膜晶體管(TFT)包括電連接于所述第一像素電極 部的第一 TFT部和電連4妄于所述第二j象素電才及部的第二 TFT 部，并且所述柵極線包括電連接于所述第一 TFT部的第一斥冊(cè)極線 部和電連接于所述第二 TFT部的第二柵極線部，所述第二才冊(cè) 才及線部介于所述第一柵4及線部與所述存々者線之間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其中，所述第一阻光層包括第一阻光部，形成于所述第一柵極線部與所述存儲(chǔ)線之間；第二阻光部，形成于所述第二柵極線部與所述存儲(chǔ)線之 間；以及第三阻光部，形成于所述第一柵極線部與所述第二柵極 線部之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板，其中，所述第二阻光層包 括第四阻光部，形成于所述第一柵—及線部與所述第一阻光 部之間；第五阻光部，形成于所述第二4冊(cè)一及線部與所述第二阻光 部之間；第六阻光部，形成于所述第二4冊(cè)極線部與所述第三阻光 部之間；以及第七阻光部，形成于所述第一4冊(cè)4及線部與所述第三阻光 部之間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其中，所述第四阻光部及 所述第七阻光部與所述凄t據(jù)線間隔開(kāi)，以保持浮動(dòng)狀態(tài)，而所 述第五阻光部和所述第六阻光部電連4妾于所述凄t據(jù)線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其中，所述第二阻光層進(jìn) 一步包括第八阻光部，形成于所述存々者線與所述第一阻光部之間；以及第九阻光部，形成于所述存儲(chǔ)線與所述第二阻光部之間。
14. 一種顯示基板，包括柵極線；存儲(chǔ)線，具有與所述棚-極線相同的材料；柵極絕緣層，覆蓋所述柵極線；凄史據(jù)線，形成于所述4冊(cè)極絕纟彖層上；薄膜晶體管(TFT)，電連接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；4屯化層，覆蓋所述數(shù)據(jù)線； 濾色片層，形成于所述鈍化層上；像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；以及 阻光部，形成于相鄰^f象素電才及之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示基板，其中，所述濾色片層包括 具有不同顏色的多個(gè)濾色片，且所述凄t據(jù)線和所述阻光部i殳置 于相鄰濾色片之間的邊界部分處。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示基板，其中，所述阻光部包含與 所述柵極線相同的材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示基板，其中，所述阻光部包含與 所述數(shù)據(jù)線相同的材料。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示基板，其中，所述阻光部包括第一阻光層，包含與所述柵極線相同的材料；以及 第二阻光層，包含與所述數(shù)據(jù)線相同的材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示基板，其中，所述第一阻光層電 連4妻于所述斥冊(cè)極線，而所述第二阻光層電連接于所述數(shù)據(jù)線。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示基板，其中，所述像素電極具有 沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向排列的鋸齒形狀，以與所述數(shù)據(jù)線交 疊。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示基板，其中，所述像素電極包括 -波此電隔離的第 一<象素電才及部和第二i象素電4及部，所述薄膜晶體管(TFT)包括電連接于所述第一像素電極 部的第一 TFT部和電連4妄于所述第二^f象素電才及部的第二 TFT 部，并且所述柵極線包括電連接于所述第一 TFT部的第一4冊(cè)極線 部和電連4妻于所述第二 TFT部的第二4冊(cè)才及線部，所述第二4冊(cè) 才及線部i殳置于所述第一棚4及線部與所述存儲(chǔ)線之間。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示基板，其中，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于 分別i殳置在所述存々者線的兩側(cè)處的所述第 一棚4及線部與所述 第二沖冊(cè)才及線部之間的相鄰濾色片之間的邊界部分處。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示基板，其中，所述阻光部設(shè)置于 所述第一柵4及線部與所述凄t據(jù)線之間。
24. —種顯示i殳備，包括顯示基纟反，所述顯示基纟反包4舌柵極線、覆蓋所述柵極線的柵極絕緣層、形成于所述 4冊(cè)極絕纟彖層上的數(shù)據(jù)線、電連沖妄于所述棚4及線和所述tt據(jù) 線的薄膜晶體管、以及包含與所述柵極線相同材料的存儲(chǔ) 線；鈍化層，覆蓋所述數(shù)據(jù)線；濾色片層，形成于所述鈍化層上；像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；第一阻光層，形成于相鄰像素電極之間，所述第一阻 光層包含與所述柵極線相同的材料；以及第二阻光層，形成于所述第 一 阻光層與所述棚4及線之 間，所述第二阻光層包含與所述凄t據(jù)線相同的材料；相對(duì)基板，與所述顯示基板相結(jié)合，所述相對(duì)基板在面向所述顯示基板的表面上包括共用電極；以及液晶層，介于所述顯示基沖反與所述相對(duì)基才反之間。
25. —種顯示設(shè)備，包括顯示基板，所述顯示基板包括柵極線、覆蓋所述柵極線的柵極絕緣層、形成于所述 柵極絕緣層上的數(shù)據(jù)線、電連接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù) 線的薄膜晶體管、以及包含與所述柵極線相同材料的存儲(chǔ)線；鈍化層，覆蓋所述數(shù)據(jù)線；濾色片層，形成于所述鈍化層上；像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；以及阻光部，形成于相鄰^象素電才及之間；相對(duì)基板，與所述顯示基板相結(jié)合，所述相對(duì)基纟反在面 向所述顯示基板的表面上包括共用電極；以及液晶層，介于所述顯示基板與所述相對(duì)基板之間。
26. —種顯示基玲反，包4舌柵極線；冊(cè)才及絕纟彖層，覆蓋所述4冊(cè)纟及線； 數(shù)據(jù)線，形成于所述柵極絕緣層上； 薄膜晶體管，電連^妾于所述4冊(cè)才及線和所述凄t據(jù)線； 存儲(chǔ)線，包含與所述柵極線相同的材料； 濾色片層，形成于所述柵極絕緣層上；像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；第一阻光層，形成于相鄰^f象素電才及之間，所述第一阻光 層包含與所述柵極線相同的材料；以及第二阻光層，形成為與所述數(shù)據(jù)線交疊，所述第二阻光 層包含與所述柵極線相同的材料，所述第二阻光層與所述第一 阻光層電隔離。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，其中，所述濾色片層包括 具有不同顏色的多個(gè)濾色片，且所述第一阻光層"^殳置于相鄰濾 色片之間的邊界部分處。
28. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，其中，所述第一阻光層與 所述4冊(cè)才及線和所述存^f諸線電隔離，以4呆持浮動(dòng)狀態(tài)。
29. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，其中，所述第一阻光層的 一部分電連接于所述存儲(chǔ)線。
30. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，其中，所述第二阻光層與 所述4冊(cè)極線、所述存^f諸線以及所述第一阻光層電隔離，以保持 浮動(dòng)狀態(tài)。
31. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，其中，所述像素電極具有 沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向排列的鋸齒形狀，以與所述數(shù)據(jù)線交 疊。
32. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，進(jìn)一步包括設(shè)置于所述數(shù) 據(jù)線與所述第二阻光層之間的有源層。
33. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示基板，其中，所述像素電極包括 -波此電隔離的第 一像素電極部和第二像素電極部，所述薄膜晶體管(TFT)包括電連接于所述第一像素電極 部的第一 TFT部和電連接于所述第二像素電極部的第二 TFT 部，并且所述4冊(cè)極線包括電連接于所述第一 TFT部的第一4冊(cè)極線 部和電連4妄于所述第二 TFT部的第二4冊(cè)才及線部，所述第二才冊(cè) 才及線部基本平4于于所述第一4冊(cè)才及線部。
34. —種顯示i殳備，包4舌顯示基板，所述顯示基板包括 柵極線；柵極絕緣層，覆蓋所述柵極線； 凄t據(jù)線，形成于所述棚4及絕纟彖層上； 薄膜晶體管，電連接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；存儲(chǔ)線，包含與所述柵極線相同的材料；濾色片層，形成于所述柵極絕緣層上；像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；第一阻光層，形成于相鄰像素電極之間，所述第一阻 光層包含與所述柵極線相同的材料；以及第二阻光層，形成為與所述^t據(jù)線交疊，所述第二阻 光層包含與所述數(shù)據(jù)線相同的材料，所述第二阻光層與所 述第一阻光層電隔離；相對(duì)基4反，與所述顯示基才反相結(jié)合，所述相對(duì)基板在面 向所述顯示基板的表面上包括共用電極；以及液晶層，介于所述顯示基壽反與所述相對(duì)基寺反之間。
35. —種顯示i殳備，包括顯示基板，所述顯示基板包括 薄膜晶體管(TFT); 濾色片層，形成于所述薄膜晶體管上； 像素電極，形成于每個(gè)像素中的所述濾色片層上；以及第 一 阻光層，部分地形成于相鄰像素電極之間的邊界 部分處；相對(duì)基板，包括黑色矩陣和面向所述^f象素電極的共用電 極，所述黑色矩陣部分地形成于相鄰像素電極之間的邊界部分 處；以及液晶層，介于所述顯示基板與所述相對(duì)基玲反之間。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示設(shè)備，其中，所述黑色矩陣在對(duì) 應(yīng)于所述第一阻光層的區(qū)域中開(kāi)口。
37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示設(shè)備，其中，所述濾色片層包括 具有不同顏色的多個(gè)濾色片，且所述第 一阻光層和所述黑色矩 陣設(shè)置于相鄰濾色片之間的邊界部分處。
38. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示設(shè)備，其中，所述顯示基板進(jìn)一 步包括柵極線；數(shù)據(jù)線，通過(guò)柵極絕緣層與所述柵極線電絕緣；以及 存+者線，包含與所述棚4及線相同的材料；并且， 所述薄膜晶體管電連接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的顯示設(shè)備，其中，所述黑色矩陣進(jìn)一 步形成為面向所述柵極線、所述薄膜晶體管、所述存儲(chǔ)線和結(jié) 構(gòu)生成部分。
40. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一阻光層與 所述斥冊(cè)才及線和所述存々者線電隔離，以保持浮動(dòng)狀態(tài)。
41. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一阻光層的 一部分電連接于所述存儲(chǔ)線。
42. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電極具有 沿所述凄t據(jù)線的延伸方向排列的鋸齒形狀，以與所述凄t據(jù)線交 疊。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的顯示設(shè)備，其中，所述顯示基板進(jìn)一 步包括含有與所述數(shù)據(jù)線相同材料的第二阻光層。
44. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電極包括 彼此電隔離的第 一像素電極部和第二像素電極部，所述薄膜晶體管(TFT)包括電連接于所述第一像素電極 部的第一 TFT部和電連4妄于所述第二^象素電4及部的第二 TFT 部，并且所述4冊(cè)極線包括電連接于所述第一 TFT部的第一柵極線 部和電連沖妻于所述第二 TFT部的第二4冊(cè)才及線部。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示基板，包括柵極線、柵極絕緣層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT)、存儲(chǔ)線、鈍化層、濾色片層、像素電極、第一阻光層以及第二阻光層。存儲(chǔ)線包含與柵極線相同的材料。鈍化層覆蓋數(shù)據(jù)線。濾色片層形成于鈍化層上。像素電極形成于每個(gè)像素中的濾色片層上。第一阻光層形成于相鄰像素電極之間，并包含與柵極線相同的材料。第二阻光層形成于第一阻光層之間，并包含與數(shù)據(jù)線相同的材料。因此，可減小孔徑比。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101211044SQ20071030609
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者姜秀馨, 流慧營(yíng), 申暻周, 鄭美惠, 金彰洙, 金時(shí)烈 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社