專利名稱:光刻設(shè)備、校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備、 一種用于校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法和一種 制造器件的方法。
背景技術(shù):
光刻設(shè)備是將所期望的圖案應(yīng)用在襯底(通常應(yīng)用在襯底的目標(biāo)部分)上的機(jī)器。例如,光刻設(shè)備可以用于集成電路(IC)的制造中。 在該實(shí)例中,構(gòu)圖裝置(可選地,稱為掩膜/掩模板(reticle),或者在 可應(yīng)用時(shí),可編程鏡陣列)可以用于生成要在IC的單個(gè)層上形成的電 路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)移至襯底(例如,硅晶片)上的目標(biāo)部分(例 如,包括一個(gè)或多個(gè)管芯的部分)。典型地,圖案的轉(zhuǎn)移是經(jīng)由成像到 在襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常,單個(gè)襯底將包 含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括所謂步 進(jìn)機(jī)(stepper),其中,通過將整個(gè)圖案一次曝露在目標(biāo)部分而輻射每 一個(gè)目標(biāo)部分;以及所謂掃描器,其中,通過沿給定方向("掃描"方 向)的輻射波束掃描圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反平行的方向同步 掃描襯底來輻射每個(gè)目標(biāo)部分。還可以通過將圖案壓印在襯底上,以 將圖案從構(gòu)圖裝置轉(zhuǎn)移至襯底。提出了使光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒入具有相對(duì)較高折射率的 液體(例如水)中,以填充投影系統(tǒng)的最后元件和襯底之間的空隙。 由于曝光輻射在液體中將會(huì)具有較短的波長,所以這實(shí)現(xiàn)了較小特征 的成像(液體的作用還可以被認(rèn)為是提高了系統(tǒng)的有效NA,還增加 了焦深)。還提出了其它浸沒液體,包括具有懸浮其中的固體顆粒(例 如石英)的水。然而,在液體槽中浸泡襯底或襯底和襯底臺(tái)(例如見US4,509,852,將其一并引入作為參考)意味著掃描曝光期間存在加速的 大量液體。這需要附加的或更加強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),以及液體中的湍流可 以導(dǎo)致不期望和不可預(yù)期的影響。所提出的解決方案之一是使用液體封閉系統(tǒng)為液體供應(yīng)系統(tǒng)提 供液體,該液體僅在襯底的局域化區(qū)域上,以及在投影系統(tǒng)的最后元 件與襯底之間(襯底通常具有比投影系統(tǒng)的最后元件更大的表面區(qū) 域)。在WO 99/49504中公開了所提出的用于為此設(shè)置的一種方式, 將其一并引入作為參考。如圖2和3所示,由至少一個(gè)入口IN將液 體提供在襯底上,優(yōu)選地沿襯底相對(duì)于最后元件移動(dòng)的方向,以及在 經(jīng)過了投影系統(tǒng)下面之后,通過至少一個(gè)出口 OUT來移除該液體。 即,沿X方向在元件之下掃描襯底時(shí),在元件的+X側(cè)提供液體,并 在-X側(cè)排出液體。圖2示出了示意性的設(shè)置,其中,經(jīng)由入口IN提 供液體、以及通過與低壓源連接的出口 OUT在元件的另一側(cè)排出液 體。在圖2的示例中,沿襯底相對(duì)于最后元件的移動(dòng)方向來提供液體, 但是不必一定是這種情況。可以有各種方位和位于最后元件周圍的多 個(gè)入口和出口,在圖3中示出了一個(gè)示例,其中按照最后元件周圍的 規(guī)則圖案設(shè)置了任意一側(cè)上的四組入口和出口 。所提出的另一解決方案是提供一種液體供應(yīng)系統(tǒng),該系統(tǒng)具有沿 投影系統(tǒng)的最后元件和襯底臺(tái)之間空隙邊界至少一部分延伸的封條構(gòu) 件。這種解決方案在圖4中示出。封條構(gòu)件實(shí)質(zhì)上相對(duì)于XY平面中 的投影系統(tǒng)是固定的,但是可以沿Z方向有一些相對(duì)移動(dòng)(沿光軸的 方向)。在封條構(gòu)件與襯底表面之間形成密封。優(yōu)選地,該密封是諸如 氣密封之類的無接觸密封。這種具有氣密封的系統(tǒng)在EP-A-1,420,298 中公開,將其一并引入作為參考。在其一并引入作為參考的EP-A-1,420,300中,公開了成對(duì)或雙臺(tái) 浸沒光刻設(shè)備。這種設(shè)備具有支撐襯底的兩個(gè)臺(tái)。利用第一位置處的 臺(tái)(沒有浸沒液體)來執(zhí)行水準(zhǔn)(leveling)測量,以及在第二位置處 的臺(tái)(出現(xiàn)浸沒液體)來執(zhí)行曝光。兩臺(tái)的提供允許水準(zhǔn)測量和曝光 同時(shí)執(zhí)行??蛇x地,該裝置僅具有一個(gè)臺(tái)??梢酝ㄟ^從襯底臺(tái)的側(cè)表面中形成的鏡(也稱為反射構(gòu)件)中反
射輻射來任意地確定曝光期間襯底的位置,使用干涉測量法來確定對(duì) 于每個(gè)鏡的檢測器中的基準(zhǔn)點(diǎn)與相應(yīng)鏡面的一部分之間的距離,在光 學(xué)上確定曝光期間襯底的位置。鏡面的干擾可以導(dǎo)致襯底位置確定過 程中的誤差,這會(huì)導(dǎo)致覆蓋誤差。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明期望補(bǔ)償鏡面的干擾。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種光刻設(shè)備,包括投影系統(tǒng), 配置用于將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影到襯底上;襯底臺(tái),構(gòu)造用于支 撐襯底,并且在所述襯底臺(tái)側(cè)面上形成的至少一個(gè)反射元件或反射構(gòu) 件;襯底臺(tái)位移裝置,能夠?qū)⒁r底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)移動(dòng);襯底臺(tái)溫 度監(jiān)視系統(tǒng)或襯底臺(tái)溫度監(jiān)視器,配置用于確定襯底臺(tái)至少一部分的 溫度;干擾確定裝置或干擾檢測器,配置用于使用由襯底臺(tái)溫度監(jiān)視 系統(tǒng)確定的溫度來估計(jì)所述至少一個(gè)反射元件的位置、方位或形狀中 至少一個(gè)的熱感應(yīng)漂移;襯底臺(tái)位置確定裝置或襯底臺(tái)位置檢測器, 配置用于通過反射來自所述至少一個(gè)反射元件中的輻射并考慮由干擾 確定設(shè)備所估計(jì)的所述至少一個(gè)反射元件的特性中的改變來確定襯底 臺(tái)的位置;以及控制系統(tǒng),設(shè)置用于向襯底臺(tái)位移裝置提供控制信號(hào), 以使襯底臺(tái)沿預(yù)定路徑移動(dòng),所述控制信號(hào)通過參考由襯底臺(tái)位置確 定設(shè)備所確定的襯底臺(tái)的位置來確定。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種器件制造方法,包括提 供襯底臺(tái)以支撐襯底,并具有在所述襯底臺(tái)的側(cè)面上形成的至少一個(gè) 反射元件;提供能夠?qū)⒁r底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)移動(dòng)的襯底臺(tái)位移設(shè)備; 確定襯底臺(tái)至少一部分的溫度;使用所確定的溫度來估計(jì)所述至少一 個(gè)反射元件的位置、方位或形狀中至少一個(gè)的熱感應(yīng)漂移(shift);通 過反射來自所述至少一個(gè)反射元件中的輻射并考慮由所述至少一個(gè)反 射元件的特性中的所估計(jì)的改變來確定襯底臺(tái)的位置;以及使用控制 系統(tǒng),使用襯底臺(tái)位移裝置沿預(yù)定路徑移動(dòng)襯底臺(tái),通過參考考慮了 由所述至少一個(gè)反射元件的特性中的估計(jì)改變所確定的襯底臺(tái)的位置 來確定控制系統(tǒng)的控制信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包 括提供用于支撐襯底的襯底臺(tái),所述襯底臺(tái)具有在相應(yīng)的側(cè)面形成 的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái) 平面中的第一軸X垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的 第二軸Y垂直;在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái);在移動(dòng)期間, 反射來自第一反射構(gòu)件的輻射,以測量第一反射構(gòu)件的表面繞與X和Y 軸垂直的第三軸Z的、在第一反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第一局部有 效轉(zhuǎn)動(dòng),以及反射來自第二反射構(gòu)件的輻射,以測量第二反射構(gòu)件的 表面繞第三軸的、在第二反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第二局部有效 轉(zhuǎn)動(dòng);通過計(jì)算第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均與第二局部有效 轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均之間的差、或者第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量 值相對(duì)應(yīng)的對(duì)之間的平均差,來推導(dǎo)出在第一和第二反射器之間限定 的角度改變的估計(jì)。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種器件制造方法,包括提 供用于支撐襯底的襯底臺(tái),所述襯底臺(tái)具有在所述襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè)面 上形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與 襯底臺(tái)平面中的第一軸X垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平 面中的第二軸Y垂直;在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái);在移 動(dòng)期間,反射來自第一反射構(gòu)件的輻射,以測量第一反射構(gòu)件的表面 繞實(shí)質(zhì)上與X和Y軸垂直的第三軸Z的、在第一反射構(gòu)件上的多個(gè)不同 點(diǎn)處的第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng),以及反射來自第二反射構(gòu)件的輻射,以測 量第二反射構(gòu)件的表面繞Z軸的、在第二反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的 第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng);通過計(jì)算第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均與 第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均之間的差、或者第一和第二局部 有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值相對(duì)應(yīng)的對(duì)之間的平均差,來推導(dǎo)出在第一和第二反 射器之間限定的角度改變的估計(jì);以及在利用由構(gòu)圖裝置進(jìn)行構(gòu)圖、 且由投影系統(tǒng)投影的輻射束對(duì)襯底進(jìn)行隨后曝光期間,使用對(duì)在控制 襯底臺(tái)相對(duì)于光刻設(shè)備中投影系統(tǒng)移動(dòng)過程中的改變的估計(jì),光刻設(shè) 備配置用于在曝光期間使用從第一和第二反射構(gòu)件中反射的輻射來監(jiān) 視并控制襯底臺(tái)的位置。
根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種光刻設(shè)備,包括用于支 撐襯底的襯底臺(tái);在襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè)面形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面襯底反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第一軸x垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二軸Y垂直;襯底 臺(tái)位移裝置,配置用于在第一部分和第二部分之間移動(dòng)襯底表;第一 干涉計(jì),配置用于在移動(dòng)期間反射來自第一反射構(gòu)件的輻射,從而測 量第一反射構(gòu)件的表面繞與X和Y軸垂直的第三軸Z的、在第一反射構(gòu) 件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng);第二干涉計(jì),配置用于在 移動(dòng)期間反射來自第二反射構(gòu)件的輻射,以從而測量第二反射構(gòu)件的 表面繞Z軸的、在第二反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第二局部有效轉(zhuǎn) 動(dòng);鏡對(duì)齊確定裝置,配置用于通過計(jì)算第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的 計(jì)算平均與第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均之間的差、或者第一 和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值相對(duì)應(yīng)的對(duì)之間的平均差,來推導(dǎo)出在第 一和第二反射器之間限定的角度改變的估計(jì)。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包 括提供襯底臺(tái)和由襯底臺(tái)支撐的襯底,所述襯底臺(tái)具有在相應(yīng)的側(cè) 面形成的實(shí)質(zhì)上第一和第二平面反射構(gòu)件;在第一位置與第二位置之 間移動(dòng)襯底臺(tái);在移動(dòng)期間,通過測量襯底上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于襯底 臺(tái)上已知位置的位置,推導(dǎo)出襯底和襯底臺(tái)之間空間關(guān)系的映射;以 及在移動(dòng)期間,反射來自第一和第二反射構(gòu)件的輻射,并從中推導(dǎo)出 相對(duì)于彼此的形狀和方位中的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種器件制造方法,包括提 供襯底臺(tái)和由襯底臺(tái)支撐的襯底,所述襯底臺(tái)具有在襯底臺(tái)的相應(yīng)的 側(cè)面上形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件;在第一位置與第二位置 之間移動(dòng)襯底臺(tái);在移動(dòng)期間,通過測量襯底上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于襯 底臺(tái)上已知位置的位置,推導(dǎo)出襯底和襯底臺(tái)之間空間關(guān)系的映射; 在移動(dòng)期間,反射來自第一和第二反射構(gòu)件的輻射,并從中推導(dǎo)出相 對(duì)于彼此的形狀和方位中的至少一個(gè);以及在由構(gòu)圖裝置進(jìn)行構(gòu)圖, 且由所述投影系統(tǒng)投影的輻射束對(duì)襯底進(jìn)行隨后曝光期間,使用所推 導(dǎo)出的相對(duì)于第一和第二反射構(gòu)件彼此的形狀和方位中至少一個(gè),在曝光期間,光刻設(shè)備配置用于使用從第一和第二反射器反射的輻射來 監(jiān)視并控制襯底臺(tái)的位置。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種光刻設(shè)備,包括襯底臺(tái), 配置用于支撐襯底;在襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè)面形成的第一和第二反射構(gòu)件; 襯底臺(tái)位移裝置,配置用于在第一位置和第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái); 襯底與襯底臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的裝置,配置用于在移動(dòng)期間,通過測量襯底上的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于襯底臺(tái)上已知位置的位置,來推導(dǎo)出襯底與襯底臺(tái)之 間的空間關(guān)系的映射;以及鏡干擾確定裝置,配置用于在移動(dòng)期間, 反射來自第一和第二反射構(gòu)件的輻射,并從中推導(dǎo)出相對(duì)于彼此的形 狀和方位中至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包 括提供襯底臺(tái)來支撐具有在其側(cè)面形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射 構(gòu)件的襯底,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第一軸X垂 直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二軸Y垂直;設(shè)置 第一干涉計(jì),以反射來自第一反射構(gòu)件的第一局域化表面部分的光, 從而沿X軸測量局域化表面部分的位置;設(shè)置第二干涉計(jì),以反射來 自第二反射構(gòu)件的第二局域化表面部分的光,從而沿Y軸測量局域化 表面部分的位置;設(shè)置第一干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相 對(duì)于第三軸Z的第一局域化轉(zhuǎn)動(dòng);以及設(shè)置第二干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相對(duì)于第三軸Z的第二局部轉(zhuǎn)動(dòng);參考第二干涉計(jì)的輸出,實(shí)質(zhì)上沿x軸移動(dòng)襯底臺(tái),以及在移動(dòng)期間,在沿移動(dòng)方向的不同點(diǎn)處記錄第一和第二局域化有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量以便推導(dǎo)出與所述第二反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息,其中,在沿x的移動(dòng)期間,襯底臺(tái)達(dá)到了至少0.5m/s的速度。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種器件制造方法,包括提 供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底臺(tái)具有在相應(yīng)的側(cè)面上形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件;所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的 第一軸X垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二軸Y垂 直;設(shè)置第一干涉計(jì),以反射來自第一反射構(gòu)件的第一局域化表面部分的光,從而沿X軸測量局域化表面部分的位置;設(shè)置第二干涉計(jì),
以反射來自第二反射構(gòu)件的第二局域化表面部分的光,從而沿Y軸測 量局域化表面部分的位置;設(shè)置第一干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域 化部分相對(duì)于第三軸Z的局部部分的第一局域化轉(zhuǎn)動(dòng);以及設(shè)置第二干 涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相對(duì)于第三軸Z的第二局部轉(zhuǎn)動(dòng);參考第二干涉計(jì)的輸出,實(shí)質(zhì)上沿x軸移動(dòng)襯底臺(tái),以及在移動(dòng)期間,在沿移動(dòng)方向的不同點(diǎn)處記錄第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量,以便推導(dǎo)出與所述第二反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息,其中,在沿x的移動(dòng)期間,襯底臺(tái)達(dá)到了至少0.5m/s的速度;以及利用由構(gòu)圖裝置進(jìn) 行構(gòu)圖、且由所述投影系統(tǒng)投影的輻射束對(duì)襯底進(jìn)行曝光期間,在控 制襯底臺(tái)相對(duì)于光刻設(shè)備中投影系統(tǒng)移動(dòng)過程中,使用與第一反射構(gòu) 件的形狀有關(guān)的信息,在曝光期間,光刻設(shè)備配置用于使用從所述第 一和第二反射器反射的輻射來監(jiān)視并控制襯底臺(tái)的位置。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種光刻設(shè)備,包括襯底臺(tái),用于支撐襯底,并具有在襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè)面上形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第一軸x垂f,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二軸Y垂直;第一干涉計(jì),配置用于反射來自所述第一反射構(gòu)件的局域化表面部分的光,以沿X軸測量局部表面部分的位置;第二干涉計(jì),配置用于反射來自第二反射構(gòu)件的局域化表面部分的光,以沿Y軸測量局域化表面部分的位置,其中所述第一干涉計(jì)還配置用于測量局域化部分相對(duì) 于第三軸Z的第一局部轉(zhuǎn)動(dòng);所述第二干涉計(jì)還配置用于測量局域化部 分相對(duì)于Z軸的第二局部轉(zhuǎn)動(dòng);以及光刻設(shè)備配置用于參考第二干涉計(jì) 的輸出,實(shí)質(zhì)上沿X軸移動(dòng)襯底臺(tái),以及在移動(dòng)期間,記錄在沿移動(dòng) 方向的不同點(diǎn)處的第一和第二有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量,以推導(dǎo)出與第二 反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息,其中,在沿X的移動(dòng)期間,襯底臺(tái)達(dá)到了至少0.5m/s的速度。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種包括投影系統(tǒng)的光刻設(shè)備, 所述投影系統(tǒng)設(shè)置用于將圖案從構(gòu)圖裝置投影在襯底上,所述光刻設(shè)備包括襯底臺(tái),設(shè)置用于支撐襯底,所述襯底臺(tái)從可以確定襯底與 襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系的測量站、以及在可以將來自構(gòu)圖裝置的圖案 投影在襯底上的曝光站處是可移動(dòng)的;第一和第二反射構(gòu)件,形成于 襯底臺(tái)相反側(cè)中并實(shí)質(zhì)上彼此平行;第一干涉計(jì),設(shè)置用于反射來自 第一反射構(gòu)件的光,以測量襯底臺(tái)在測量站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸 的位置;以及第二干涉計(jì),設(shè)置用于反射來自第二反射構(gòu)件的光,以 測量襯底臺(tái)在曝光站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置,其中,多個(gè)對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記在接近于第二反射構(gòu)件并具有與之已知的空間關(guān)系的襯底臺(tái)的 上表面中形成,光刻設(shè)備包括測量系統(tǒng),所述測量系統(tǒng)設(shè)置用于使用 第一反射構(gòu)件來測量測量站處的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置,從而確定第一和第 二反射構(gòu)件之間的空間關(guān)系。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包 括提供投影系統(tǒng),以將圖案從構(gòu)圖裝置投影在襯底上;提供襯底臺(tái) 以支撐襯底,所述襯底臺(tái)從可以確定襯底與襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系的 測量站、以及在可以將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影在襯底上的曝光站處 是可移動(dòng)的;在襯底臺(tái)相反側(cè)上提供第一和第二反射構(gòu)件,并且它們 實(shí)質(zhì)上彼此平行;提供第一干涉計(jì),以反射來自第一反射構(gòu)件的光, 以測量襯底臺(tái)在測量站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;提供第二干 涉計(jì),以反射來自第二反射構(gòu)件的光,以測量襯底臺(tái)在曝光站處時(shí)襯 底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;以及在接近于第二反射構(gòu)件并具有與之己 知的空間關(guān)系的襯底臺(tái)的上表面中提供多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;以及襯底在測 量站處時(shí),使用第一反射構(gòu)件來測量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置,從而確定第一 和第二反射構(gòu)件之間的空間關(guān)系。根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,提供了一種器件制造方法,包括提 供投影系統(tǒng),以將圖案從構(gòu)圖裝置投影在襯底上;提供襯底臺(tái)以支撐 襯底,所述襯底臺(tái)可從可以確定襯底與襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系的測量 站、以及在可以將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影在襯底上的曝光站處是可 移動(dòng)的;在襯底臺(tái)相反側(cè)提供第一和第二反射構(gòu)件,并且它們實(shí)質(zhì)上 彼此平行;提供第一干涉計(jì),以反射來自第一反射構(gòu)件的光,以測量 襯底臺(tái)在測量站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;提供第二干涉計(jì), 以反射來自第二反射構(gòu)件的光,以測量襯底臺(tái)在曝光站處時(shí)襯底臺(tái)相 對(duì)于第一軸的位置;以及在接近于第二反射構(gòu)件并具有與之己知的空
間關(guān)系的襯底臺(tái)的上表面中提供多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;以及襯底在測量站處 時(shí),使用第一反射構(gòu)件來測量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置,從而確定第一和第二 反射構(gòu)件之間的空間關(guān)系;以及在襯底隨后的曝光期間,在使用第一 和第二反射構(gòu)件之間的關(guān)系來控制曝光站處襯底臺(tái)的移動(dòng)。
參考所附的示意圖,僅通過示例來描述本發(fā)明的實(shí)施例,在附圖 中,相應(yīng)的參考符號(hào)指示相應(yīng)的部分,其中 圖1描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備; 圖2和3描述了用于光刻投影設(shè)備中的傳統(tǒng)液體供應(yīng)系統(tǒng); 圖4描述了用于光刻投影設(shè)備中的傳統(tǒng)液體供應(yīng)系統(tǒng);圖5描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有襯底臺(tái)溫度監(jiān)視系統(tǒng)、干擾 確定裝置、以及控制系統(tǒng)的光刻設(shè)備;圖6示出了雙臺(tái)浸沒系統(tǒng)中的測量和曝光站; 圖7描述了對(duì)準(zhǔn)校驗(yàn)運(yùn)行期間襯底臺(tái)的動(dòng)作;以及圖8描述了具有沿Y曝光鏡的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的襯底臺(tái)。
具體實(shí)施方式
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。該裝置包括照射系統(tǒng)(照明器)IL,配置用于調(diào)節(jié)輻射波束B (例如,UV 輻射或DUV輻射);支撐結(jié)構(gòu)(例如,掩膜臺(tái))MT,構(gòu)造用于支撐 構(gòu)圖裝置(例如,掩膜)MA,并與第一定位器PM連接,所述第一 定位器PM配置用于根據(jù)特定參數(shù)來精確地定位構(gòu)圖裝置;襯底臺(tái)(例 如,晶片臺(tái))WT,構(gòu)造用于支持襯底(例如,涂了抗蝕劑的晶片)W, 并與第二定位器PW連接,所述第二定位器PW配置用于根據(jù)特定參 數(shù)來精確地定位襯底;以及投影系統(tǒng)(例如,折射投影透鏡系統(tǒng))PS, 配置用于通過由構(gòu)圖裝置MA將給予輻射波束B的圖案投影在襯底W 的目標(biāo)部分C上(例如,包括一個(gè)或多個(gè)模具)。照射系統(tǒng)可以包括多種類型的光組件,如折射、反射、磁、電磁、 靜電或其它類型的光組件,或者其組合,用于對(duì)輻射進(jìn)行引導(dǎo)、成形 或控制。
支撐結(jié)構(gòu)支撐構(gòu)圖裝置,即,承受構(gòu)圖裝置的重量。它依據(jù)構(gòu)圖 裝置的方位、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)和其它條件(例如,是否在真空環(huán)境中 支持構(gòu)圖裝置)來支持構(gòu)圖裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械、真空、靜 電或其它鉗技術(shù)來支持構(gòu)圖裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái),例如, 可以按照需要成為固定或可移動(dòng)的,支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖裝置在(例 如相對(duì)于投影系統(tǒng)的)所期望的位置。這里的術(shù)語"掩模板"或"掩 膜"的任何使用可以認(rèn)為與更一般的術(shù)語"構(gòu)圖裝置"同義。這里所使用的術(shù)語"構(gòu)圖裝置"應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為指可以用于 給予輻射波束橫截面中的圖案,從而創(chuàng)建襯底的目標(biāo)部分中的圖案。 應(yīng)注意,例如,如果該圖案包括相移特征或所謂幫助特征,則給予輻 射波束的圖案可以不與襯底目標(biāo)部分中的期望圖案確切地對(duì)應(yīng)。通常, 給予輻射波束的圖案將與在目標(biāo)部分中創(chuàng)建的設(shè)備中的特定功能層相 對(duì)應(yīng),如集成電路。構(gòu)圖裝置可以是透射型的或反射型的。構(gòu)圖裝置的示例包括掩膜、可編程鏡陣列和可編程LCD面板。掩膜是光蝕刻中公知的,并且 包括諸如二元、交替相移和衰減相移之類的掩膜類型,以及各種混合 掩膜類型??删幊嚏R陣列的示例采用了小鏡的矩陣布置,每個(gè)小鏡可 以單獨(dú)地傾斜以沿不同方向反射進(jìn)入的輻射波束。傾斜的鏡將圖案給 予由鏡矩陣反射的輻射波束。這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)當(dāng)廣義地被解釋為包括任何類型 的投影系統(tǒng),包括折射、反射、磁、電磁、靜電或其它類型的光組件, 或者其組合,適于使用曝光輻射,或者用于諸如使用浸沒液體或使用 真空之類的其它因素。這里的術(shù)語"投影透鏡"的任何使用可以被認(rèn) 為與更一般的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。如這里所描述的,裝置是透射型的(例如,采用透射掩膜)???選地,裝置可以是反射型的(例如,采用以上所指類型的可編程鏡陣 列、或采用反射掩膜)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或多個(gè)襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或多 個(gè)掩膜臺(tái))。在這種"多臺(tái)"機(jī)器中,可以并行地使用附加的臺(tái),或者 可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行準(zhǔn)備步驟,同時(shí)一個(gè)或多個(gè)其它臺(tái)用于曝 光。參照?qǐng)Dl,照射器IL從輻射源SO接收輻射束。例如,在源是受 激準(zhǔn)分子激光器時(shí),源和光刻設(shè)備可以是獨(dú)立的實(shí)體。在這種情況下, 并不認(rèn)為源形成了光刻設(shè)備的一部分,以及在包括例如適合的引導(dǎo)鏡 和/或擴(kuò)束器的波束傳遞系統(tǒng)BD的幫助下,輻射束從源SO傳送至照 射器IL。在其它情況下,例如,當(dāng)源是水銀燈時(shí),源可以是光刻設(shè)備 的積分部分(integral part)。源SO和照明器IL與波束傳遞系統(tǒng)BD(如 果需要)一起可以被稱為輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括調(diào)整器AM,用于調(diào)整輻射波束的角強(qiáng)度分 布。通常,可以調(diào)整照明器的瞳孔平面中的強(qiáng)度分布的至少外和/或內(nèi)半徑范圍(通常分別稱為CT-外和(T-內(nèi))。此外,照射器IL可以包括各種其它組件,如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調(diào)解輻射波 束,以在橫截面上具有所期望的均勻性和強(qiáng)度分布。輻射束B入射到在支撐結(jié)構(gòu)(例如,掩膜臺(tái)MT)上支持的構(gòu)圖 裝置(例如,掩膜MA)上,并通過構(gòu)圖裝置進(jìn)行構(gòu)圖。輻射波束B 橫穿了掩膜MA,通過投影系統(tǒng)PS,投影系統(tǒng)PS將束聚焦在襯底W 的目標(biāo)部分C上。例如,在第二定位器PW和位置傳感器傳感器IF (例如,干涉設(shè)備、線性編碼器或電容傳感器)的幫助下,可以精確 地移動(dòng)襯底臺(tái)WT,以在輻射波束B的路徑中定位不同的目標(biāo)部分C。 類似地,第一定位器PM和另一位置傳感器(在圖1中并未明確描述) 可以用于例如在從掩膜庫中機(jī)械獲取之后、或在掃描期間,相對(duì)于輻 射波束B的路徑來精確地定位掩膜MA。通常,可以在長沖程模塊(粗 略定位)和短沖程(精細(xì)定位)的幫助下實(shí)現(xiàn)掩膜臺(tái)MT的移動(dòng),這 形成了第一定位器PM的一部分。類似地,可以使用長沖程模塊和短 沖程模塊來實(shí)現(xiàn)襯底臺(tái)WT的移動(dòng),這形成了第二定位器PW的一部 分。在步進(jìn)機(jī)(與掃描器相對(duì))的情況下,掩膜臺(tái)可以僅與短沖程激 勵(lì)器連接,或者可以固定掩膜臺(tái)??梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)掩膜M1、 M2和 襯底對(duì)準(zhǔn)掩膜P1、 P2來對(duì)準(zhǔn)掩膜MA和襯底W。盡管所示出的襯底 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用的目標(biāo)部分,但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的 空隙中(這些被稱為劃線對(duì)準(zhǔn)掩膜)。 類似地,在將多于一個(gè)管芯設(shè)置在掩膜MA的情況下,掩膜對(duì)準(zhǔn) 掩膜可以位于模具之間。所描述的裝置可以用于以下模式中的至少一個(gè)-1、 在步進(jìn)模式中,掩膜臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT實(shí)質(zhì)上保持固定, 同時(shí)立即將給予輻射波束的整個(gè)圖案投影在目標(biāo)部分C上(即,單次 靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動(dòng)襯底臺(tái)WT,從而可以使不同 的目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中,曝光場的最大尺寸限制了在單個(gè) 靜態(tài)曝光中成像的目標(biāo)部分C的尺寸。2、 在掃描模式中,同時(shí)對(duì)掩膜臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT進(jìn)行掃描, 并將給予輻射波束的圖案投影在目標(biāo)部分C上(即,單次動(dòng)態(tài)曝光)。 襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩膜臺(tái)MT的速度和方向可以通過投影系統(tǒng)PS的 放大(縮小)率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中,曝光區(qū)的最 大尺寸限制了單次動(dòng)態(tài)曝光中的目標(biāo)不鈍的寬度(非掃描方向),而掃 描運(yùn)動(dòng)的長度確定了目標(biāo)部分的高度(掃描方向)。3、 在另一模式中,掩膜臺(tái)MT實(shí)質(zhì)上保持靜止地支持可編程構(gòu) 圖裝置,以及在將給予輻射波束的圖案投射在目標(biāo)部分C上時(shí)對(duì)襯底 臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在該模式中,通常采用脈沖輻射源,并在每 次移動(dòng)襯底臺(tái)WT之后或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間,按照需要 來更新可編程構(gòu)圖裝置。該模式的操作可以容易地應(yīng)用于利用可編程 構(gòu)圖裝置的無掩膜光刻,如以上所指的可編程鏡陣列類型。還可以采用針對(duì)以上所描述的使用模式或完全不同的使用模式 的組合和/或變體。對(duì)于在其中襯底相對(duì)于投影系統(tǒng)移動(dòng)的襯底曝光序列,在曝光期 間,期望精確的系統(tǒng)來確定襯底W相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的位置,以確 保在之后的曝光序列期間移動(dòng)的精確可重復(fù)性和良好的重疊。為了確定襯底W相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的位置,確定襯底臺(tái)WT相 對(duì)于投影系統(tǒng)PS的位置。這可以通過在襯底臺(tái)WT的側(cè)表面形成鏡 來實(shí)現(xiàn),例如,通過添加反射部件、元件或構(gòu)件,或通過將反射涂層 施加于襯底臺(tái)WT的側(cè)面。為了確定二維的水平移動(dòng)中襯底臺(tái)WT的 位置,期望以相對(duì)于彼此的非零角度來提供至少兩個(gè)鏡。示例配置是
提供標(biāo)稱矩形(或方形)襯底臺(tái)WT,并在襯底臺(tái)WT的實(shí)質(zhì)上彼此 垂直的至少兩側(cè)形成反射元件或構(gòu)件。例如,將X和Y定義為襯底臺(tái) WT的平面中的垂直軸(即,每個(gè)軸實(shí)質(zhì)上與投影系統(tǒng)PS的軸垂直), 第一鏡可以在標(biāo)稱垂直于X軸的襯底臺(tái)WT的側(cè)面設(shè)置,以及第二鏡 可以在標(biāo)稱垂直于Y軸的襯底臺(tái)WT的側(cè)面設(shè)置(這種鏡在圖7中以 66和68標(biāo)記-見以下)。使用設(shè)置用于反射來自這些鏡的光、并且在 每種情況下確定干涉計(jì)與鏡面之間距離的干涉計(jì),可以確定分別沿X 和Y軸的襯底臺(tái)WT的位置。圖5示出了在曝光期間配置用于相對(duì)于投影系統(tǒng)PS移動(dòng)襯底W 的控制系統(tǒng)54,以在襯底W上形成所期望的圖案??梢詫⒎答伜?或 前饋控制系統(tǒng)結(jié)合于控制系統(tǒng)54中,以使用襯底臺(tái)位移設(shè)備50將襯 底臺(tái)WT精確地移動(dòng)通過位置期望序列。在移動(dòng)期間,襯底臺(tái)位置確 定設(shè)備53結(jié)合干涉計(jì)52來將襯底臺(tái)WT的位置提供給控制系統(tǒng)54. 如以上所討論的,干涉計(jì)52可以通過反射來自在襯底臺(tái)WT的側(cè)表 面中形成的鏡66、 68的光、以及使用干涉計(jì)測量相應(yīng)鏡面的局部位置 進(jìn)行操作。由襯底臺(tái)位置確定設(shè)備53提供的襯底臺(tái)中的誤差會(huì)引起控制系 統(tǒng)54操作中的相應(yīng)誤差,以及在曝光期間,襯底臺(tái)WT可以沿與所 預(yù)期略有不同的路徑移動(dòng)。這會(huì)引起對(duì)最終在襯底上形成的圖案的對(duì) 準(zhǔn)中的誤差以及重疊質(zhì)量的下降??赡軙?huì)發(fā)生誤差的一種方式是,如果鏡66、 68根據(jù)它們相對(duì)于 彼此的標(biāo)稱位置和方位進(jìn)行分布。由加熱(例如,來自曝光輻射)禾口/ 或冷卻(例如,來自密封構(gòu)件中,浸沒液體(存在時(shí))的蒸發(fā))引起 的襯底臺(tái)WT的變形會(huì)導(dǎo)致鏡變形并彼此誤對(duì)準(zhǔn)。在彼此垂直地標(biāo)稱 設(shè)置鏡的情況下,可以將角度誤對(duì)準(zhǔn)稱為"非正交"。根據(jù)圖5所示的本發(fā)明的實(shí)施例,襯底臺(tái)位置確定裝置53適于 基于通過參考襯底臺(tái)WT的溫度測量而確定的鏡干擾來補(bǔ)償該失真。使用襯底臺(tái)溫度監(jiān)視裝置58來確定襯底臺(tái)WT的溫度,在所示 出的實(shí)施例中,襯底臺(tái)溫度監(jiān)視裝置58與在襯底臺(tái)WT的表面附近 形成的多個(gè)溫度傳感器55連接。該設(shè)置中的變體也是可能的。例如,
可以使用單個(gè)溫度傳感器來替代多個(gè)溫度傳感器55。此外,作為在襯 底臺(tái)WT主體內(nèi)形成的傳感器55,它們可以貼在外表面上。由干擾確定裝置57來確定鏡66、 68的所測量溫度和鏡干擾之間 的關(guān)系(例如,形狀、位置的改變和/或?qū)?zhǔn)/正交)。例如,干擾確定 裝置57可以使用襯底臺(tái)WT的熱和機(jī)械特性的模型和適合的物理規(guī) 則,基于第一原理來計(jì)算襯底臺(tái)WT的期望變形??蛇x地,如圖5所 示,可以提供包含校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備56,該校準(zhǔn)數(shù)據(jù)提供了從所測 量溫度的特定值至襯底臺(tái)WT和鏡66、 68 (或者只是直接的鏡)的期 望變形的映射。可以通過使用實(shí)驗(yàn)晶片和圖案執(zhí)行曝光運(yùn)行、以及測 量對(duì)于各種不同的操作條件的襯底臺(tái)WT的溫度和相應(yīng)變形(獨(dú)立地) 來獲得要在存儲(chǔ)設(shè)備56中存儲(chǔ)的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。在溫度讀數(shù)落入存儲(chǔ)于存 儲(chǔ)設(shè)備56中的校準(zhǔn)表中所處理的數(shù)據(jù)之間時(shí),可以使用內(nèi)插來得到數(shù) 據(jù)。基于第一原理或原理性模型來計(jì)算所期望的變形避免了對(duì)校準(zhǔn) 實(shí)驗(yàn)的需求。另一方面,校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的使用避免了對(duì)計(jì)算資源、以及深 入理解襯底臺(tái)WT和周圍組件特性的需求。襯底臺(tái)位置確定裝置53從干擾確定裝置57接收輸出,并配置用 于考慮鏡的干擾位置、形狀和/或方位來計(jì)算襯底臺(tái)的位置。因此,傳 送到控制系統(tǒng)54的襯底臺(tái)位置比沒有補(bǔ)償鏡干擾的情況更加精確。因 而提高了成像精度和重疊。通常,襯底臺(tái)WT的熱負(fù)載是襯底號(hào)(即,它取決于裝置最近的 曝光歷史,包括給定的那些中有多少襯底已經(jīng)曝光)、襯底的掃描路徑、 所使用的對(duì)準(zhǔn)方案和投影系統(tǒng)PS的曝光設(shè)置的函數(shù)。與襯底臺(tái)WT 的較長的時(shí)間常數(shù)和襯底臺(tái)WT的高熱電阻相結(jié)合,變形成為了時(shí)間 的函數(shù)。熱效應(yīng)的積極補(bǔ)償不能提供完整的解決方案。除了曝光期間襯底 臺(tái)WT的熱感應(yīng)失真之外,不同鏡之間的相對(duì)方位仍可以在時(shí)間上移 動(dòng),和/或由于其它因素從一個(gè)襯底曝光移動(dòng)到下一襯底曝光。例如, 在由于與襯底臺(tái)WT的熱周期相關(guān)聯(lián)的不可逆過程而導(dǎo)致的給定運(yùn)行 期間,由曝光輻射和/或浸沒系統(tǒng)組件加熱和/或冷卻之后,襯底臺(tái)WT 不能確切地返回原始狀態(tài)。誤差可能會(huì)出現(xiàn)于襯底臺(tái)位置的確定過程 中、甚至在配置用于給予襯底臺(tái)溫度的測量來確定襯底臺(tái)鏡的期望干 擾的系統(tǒng)出現(xiàn)時(shí),這是由于用于將襯底臺(tái)的所測量溫度與鏡變形鏈接 的理論模型或校準(zhǔn)表將不會(huì)考慮從一個(gè)襯底曝光至下一個(gè)襯底曝光出 現(xiàn)的系統(tǒng)特性的改變。在襯底的每次曝光之前, 一種可能的方式將是執(zhí)行對(duì)鏡的預(yù)先 曝光干擾的詳細(xì)測量。然而,這種方式將會(huì)是耗時(shí)的,并將降低光刻 設(shè)備的吞吐量。圖7示出了可選方式,其中,采用用于單獨(dú)的對(duì)準(zhǔn)步 驟的掃描運(yùn)行來同時(shí)執(zhí)行有效的鏡干擾測量。由于對(duì)于干擾測量過程 不需要單獨(dú)的掃描測量,所以吞吐量上沒有顯著的降低。因此,可以 獲得改進(jìn)的成像精度和重疊而沒有任何(或者至少具有降低的)吞吐 量花費(fèi)。如上所述,可以將相對(duì)于投影系統(tǒng)PS的襯底臺(tái)WT位置的確定 用作確定襯底W相對(duì)于投影系統(tǒng)PS位置的過程。然而,還期望確定 襯底W和襯底臺(tái)WT之間的空間關(guān)系。將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的背景(或 預(yù)先曝光)鏡干擾確定過程與確定后者特性相關(guān)聯(lián)的對(duì)準(zhǔn)過程組合??梢詧?zhí)行相對(duì)于襯底臺(tái)WT的襯底W的對(duì)準(zhǔn),同時(shí)襯底臺(tái)WT 處于實(shí)質(zhì)上與將以期望劑量圖案用于襯底曝光的相同位置。圖6中示 意性地示出了可選設(shè)置(可以應(yīng)用于以上所描述的任何實(shí)施例),其中, 提供獨(dú)立的測量站46 (在配置用于執(zhí)行該功能時(shí),也稱為襯底臺(tái)對(duì)準(zhǔn) 設(shè)備的襯底)來執(zhí)行襯底對(duì)準(zhǔn)和/或水準(zhǔn)測量。當(dāng)完成對(duì)準(zhǔn)時(shí),將襯底 臺(tái)WT移動(dòng)至曝光站44,在曝光站處可以執(zhí)行將期望劑量的圖案曝光 在襯底W上。通常,僅有曝光站44將會(huì)具有保持投影系統(tǒng)PS的最 后元件與襯底W之間的浸沒液體的系統(tǒng)(例如,用于包含浸沒液體的 密封構(gòu)件40)。通常,在這種設(shè)置中,襯底臺(tái)WT具有參考48,有時(shí) 稱為基準(zhǔn),它可以包括響應(yīng)輻射,利用與其下是輻射傳感器(也稱為 傳輸圖像傳感器(TIS))的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的圖案進(jìn)行蝕刻的平 面。在測量站46處,使用測量系統(tǒng)42內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),移動(dòng)襯底臺(tái) WT以檢測參考48,然后檢測襯底W上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,從而使得能夠沿 方向X、 Y和Rz (Z軸的轉(zhuǎn)動(dòng))找到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置(換言之,在
測量站46處獲得襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的映射,將效果與襯底W和襯底臺(tái) WT之間的空間關(guān)系映射相對(duì)應(yīng))。在實(shí)施例中,相對(duì)于參考48來測 量并確定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置。可以在測量站46處執(zhí)行襯底W的水準(zhǔn)測量。為了測量襯底W的 水準(zhǔn),在襯底W的反射之前,可以使用橫穿第一光柵(gmting)的水 準(zhǔn)測量波束(從測量系統(tǒng)42投影)。然后,在襯底W的反射之后,將 第二光柵放置在水準(zhǔn)測量波束的路徑中。通過水準(zhǔn)測量傳感器來測量 第一和第二光柵的圖像重合的程度,并由襯底W的高度和/或傾斜度 來確定該程度(因而確定了Z坐標(biāo)、X軸的轉(zhuǎn)動(dòng)Rx、以及Y軸的轉(zhuǎn) 動(dòng)Ry)。對(duì)于襯底水準(zhǔn)測量的進(jìn)一步描述,參見歐洲專利申請(qǐng)EP 02,257,251,在此一并引入作為參考。因此,使用來自對(duì)襯底W的對(duì) 準(zhǔn)和襯底W的水準(zhǔn)測量的數(shù)據(jù),可以在測量站46處生成襯底W的映 射。圖7中示出了示例結(jié)構(gòu),其中,使用兩個(gè)傳輸圖像傳感器(TIS) 60和62 (與以上提及的參考48的特定實(shí)施例相對(duì)應(yīng))來執(zhí)行襯底W 相對(duì)于襯底臺(tái)WT的對(duì)準(zhǔn)。TIS 60和62相對(duì)于襯底臺(tái)WT是固定的, 并位于襯底臺(tái)WT上表面上的襯底W的區(qū)域之外。然后,通過測量系 統(tǒng)42內(nèi)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)來曝光襯底W和TIS上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,以及可以確 定襯底W和襯底臺(tái)WT之間的空間關(guān)系。在雙極系統(tǒng)中,如上所述, 將在測量站46處執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)測量。在圖7中示出的配置中,移動(dòng)襯底臺(tái)WT,從而曝光沿箭頭64(通 過曝光第一TIS 60開始,接著是襯底W上的區(qū)域序列,最后在第二 TIS 62處結(jié)束)的區(qū)域??梢赃x擇路徑64,從而沿X和Y方向,使 襯底臺(tái)WT移動(dòng)通過在圖案曝光階段中在要形成于襯底W上圖案的曝 光期間遇到的位置的完全范圍。優(yōu)選地,襯底臺(tái)WT實(shí)質(zhì)上沿與鏡平 面45度的路徑移動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了鏡對(duì)準(zhǔn)確定設(shè)備65,用于通過參考 根據(jù)干涉計(jì)51和52的測量來確定襯底臺(tái)WT中不同鏡66和68之間 的誤對(duì)準(zhǔn),其中,干涉計(jì)51和52分別配置用于反射來自相應(yīng)鏡上局 部區(qū)域的輻射。干涉計(jì)的每個(gè)同時(shí)配置用于發(fā)射多個(gè)激光束(例如兩
個(gè)),這些激波束在空間上沿實(shí)質(zhì)與襯底臺(tái)WT平面內(nèi)的相應(yīng)鏡面平 行的方向分離(即與投影系統(tǒng)PS的軸("Z軸")垂直),但是其間隔 相對(duì)于鏡寬來說較小,從而對(duì)鏡面做出局部測量。提供多個(gè)同時(shí)輻射 的波束可以使干涉計(jì)不僅對(duì)所測量的鏡的局部部分的相對(duì)位置進(jìn)行測 量,而且對(duì)關(guān)于Z軸的鏡表面的局部轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行測量。如果,沒有轉(zhuǎn)動(dòng) (即,鏡面部分與輻射波束垂直),則將不會(huì)檢測到輻射波束長度上的 差異。如果存在有限的Z轉(zhuǎn)動(dòng),則將會(huì)存在輻射波束長度上的差異, 以及長度差異的范圍將會(huì)揭示轉(zhuǎn)動(dòng)的范圍、對(duì)于圖7所示的配置,將 由干涉計(jì)51檢測到的X鏡面繞Z軸的局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)標(biāo)記為Rzx。將 由干涉計(jì)52檢測到的Y鏡面繞Z軸的局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)標(biāo)記為Rzy。
當(dāng)沿路徑64相對(duì)于投影系統(tǒng)PS移動(dòng)襯底臺(tái)WT時(shí),干涉計(jì)可以 測量鏡面的位置和它們在相應(yīng)表面上的多個(gè)不同位置處的局部Rzx和 Rzy值。鏡面上所測量部分的間隔將取決于做出測量的頻率"采樣頻 率"??梢酝ㄟ^參考在每個(gè)采樣點(diǎn)處測量的局部鏡位置(即,從中干涉 計(jì)反射來自干涉計(jì)的光的鏡部分的間隔、或者干涉計(jì)輻射波束的長度) 來推導(dǎo)出鏡面的形狀??梢酝ㄟ^對(duì)該鏡采樣點(diǎn)的Rzx或Rzy值進(jìn)行加 權(quán)平均而推導(dǎo)出鏡的平均轉(zhuǎn)動(dòng)。由于給定鏡上所測量的區(qū)域的強(qiáng)度可 以在對(duì)準(zhǔn)掃描期間改變,所以期望進(jìn)行加權(quán)。在圖7中示出的設(shè)置中, 假設(shè)恒定的掃描速度和采樣頻率,由于襯底臺(tái)WT沿從對(duì)準(zhǔn)掃描的幵 始至對(duì)準(zhǔn)掃描的結(jié)束的直線進(jìn)行移動(dòng),所以可以給予每個(gè)采樣相同的 加權(quán)。然而,如果對(duì)準(zhǔn)掃描并不是直線,或者掃描速度和/或采樣頻率 可變,則點(diǎn)強(qiáng)度將會(huì)改變,并且將會(huì)期望對(duì)不同的采樣點(diǎn)提供不同的 加權(quán)。例如,在較為頻繁地進(jìn)行采樣的鏡區(qū)域內(nèi),減小采樣加權(quán)是有 必要的,這使得該區(qū)域內(nèi)的局部表面轉(zhuǎn)動(dòng)并不過度地對(duì)平均轉(zhuǎn)動(dòng)做出 貢獻(xiàn),反之亦然。
如果X鏡66的平均轉(zhuǎn)動(dòng)標(biāo)記為xrot,以及Y鏡68的平均轉(zhuǎn)動(dòng)標(biāo) 記為yrot,則X和Y鏡的整體未對(duì)準(zhǔn)(或非正交)的Rzx和Rzy均 值不同
未對(duì)準(zhǔn)=yrot - xrot = mean(/ z力一 mean(/ 2;c) = mean(i 27畫^^).
可以使用Rzx和Rzx沿對(duì)角掃描的測量與沿X和Y的掃描的組
合來推導(dǎo)出與鏡的形狀和方位有關(guān)的更加詳細(xì)的信息。
如上所述,當(dāng)鏡塊的鏡具有形狀Y(X)和X(Y),優(yōu)選為矩形鏡塊, 時(shí),Rzx和Rzy測量將會(huì)根據(jù)沿鏡的位置來測量鏡的局部角度如下-
對(duì)等式求逆得到
0
義(7) — J7fe;cO;)辦+;r(0)
沿X方向掃描r= ;^kW并測量Rzx和Rzy得到
o
=}(義)-重新整理得出
= s畫y(y)十y(o)+ ox
這是相對(duì)于未知轉(zhuǎn)動(dòng)aX和移位(translation) Y(O)的鏡形狀Y(X), 所以Y(X)已知是直線。
沿Y方向在X=Xfixed處掃描并且測量Rzx和Rzy兩者給出
o
重新整理得出.-
這是相對(duì)于未知轉(zhuǎn)動(dòng)bY和移位X(0)的鏡形狀X (Y),所以X (Y)
已知是直線。
在X和Y中以45度角進(jìn)行掃描、測量Rzx和Rzy給出了,在由 義=^和7=5*所定義的掃描線上的一般點(diǎn)處
0
以及由于Rzy僅取決于X,以及Rzx僅取決于Y,所以下面的公式是
=(。w-no)"w"-卿}
重新整理得出
的=ScanZ7(S)- {Sca",)+ ScanZ(S)}
X=S, Y = S
X = S, Y = S X = S, Y = S X = S, Y = S
現(xiàn)在,以下等式具有包括來自三個(gè)掃描的結(jié)果:
y(x) = 5t""r(義)+ ;r(o) +
6S} = ScanAT(S)- Sca Z(S)} 嚴(yán)格的鏡塊轉(zhuǎn)動(dòng)"r"和剪切"f",給出
將鏡轉(zhuǎn)動(dòng)bY和aX分為
從上一等式中,剪切"f"可以確定為 _/S = 0.5 * {5"cfl Z7(S) - (Sca"柳+ SamZ(S)} }
求導(dǎo)得出-
<formula>formula see original document page 30</formula>對(duì) 基 本上, 從Sca"J^7的線性擬合中的掃描Sca"Z和Sca"y減去線性擬合,得到:
<formula>formula see original document page 30</formula>
這僅有位置義(0)和F(0)未知,以及轉(zhuǎn)動(dòng)"r"未知。在相對(duì)于襯底臺(tái)對(duì) 準(zhǔn)襯底時(shí),可常規(guī)地確定這些參數(shù)。
因此,三個(gè)掃描Sca"Z,&fl"r和&a"Z7可以給出鏡形狀Z(F)和 肌
在以上掃描期間,干涉計(jì)測量的精度(即<formula>formula see original document page 30</formula>)指示可以獲得的鏡形狀的精度。在對(duì)鏡的慢掃描期間得到的 許多讀數(shù)可以減小來自干涉計(jì)的誤差。然而,這種方式花費(fèi)時(shí)間長, 并可能會(huì)減少在常規(guī)基礎(chǔ)上(例如,在每次曝光之間)期望測量鏡形 狀的情況下的產(chǎn)量。
在光刻應(yīng)用中,經(jīng)常出現(xiàn)以下情況干涉計(jì)測量受到高頻分量誤 差的影響所謂"快速誤差"。例如,快速誤差可以定義為在時(shí)間標(biāo)度 上出現(xiàn)的那些明顯比在與感興趣的鏡變形的最小期望波長相等的距離 的鏡上執(zhí)行測量掃描所需時(shí)間短的誤差(或者鏡變形測量過程的分辨
率)。例如,在要測量的鏡變形的波長為20mm、以及鏡上的掃描速度 為500mm/s的情況下,用于定義"快速誤差"的相對(duì)時(shí)間標(biāo)度將會(huì)是 20mm/500mm/s = 25 ms。如果在25ms的時(shí)段內(nèi)進(jìn)行了足夠的采樣, 則(通過平均)來濾出在短于25ms的時(shí)間標(biāo)度上出現(xiàn)的噪聲。對(duì)于 0.2ms的典型采樣速率,25ms內(nèi)將有125個(gè)采樣,這將顯著地濾出快 速誤差。
如果以500mm/s的掃描速度測量了 400mm的整個(gè)鏡,則總測量 時(shí)間為0.8s。因此,還避免了低于0.8秒的(大波長)漂移。在以這
種方式去除了快速誤差和慢漂移之后,所剩的是中間時(shí)間標(biāo)度上出現(xiàn)
的改變即25ms與0.8秒之間的改變,并不期望它們過大。例如,通 常具有在分鐘級(jí)的時(shí)間標(biāo)度上使鏡變形的熱襯底臺(tái)漂移,以及在ms 時(shí)間標(biāo)度上產(chǎn)生噪聲的干涉計(jì)波束中氣壓發(fā)生了改變。對(duì)于20mm典 型波長鏡變形的400mm的鏡,通過以500mm/s的掃描速度測量鏡, 可以避免這兩個(gè)噪聲源。
更一般地,將選擇掃描速度,從而可以比慢漂移的主要機(jī)制所需 的時(shí)間明顯更快地執(zhí)行鏡的完全掃描,以對(duì)測量信號(hào)產(chǎn)生顯著影響。 因此,在本實(shí)施例的快速掃描中使用的優(yōu)選速度取決于所呈現(xiàn)的特定 誤差機(jī)制。
總之,快速掃描避免了慢漂移誤差,如在襯底臺(tái)WT隨時(shí)間的熱 漂移,以及快速采樣或執(zhí)行多個(gè)掃描允許快速噪聲(如從壓力變化和 其他快速誤差源中出現(xiàn)的快速噪聲)通過平均濾出。壓力傳感器和熱 傳感器可以用于去除氣壓和氣溫的長期漂移,僅留下噪聲。
在氣壓/溫中的噪聲是要素的情況下,噪聲源將具有影響。例如, 在使用氣刀以使投影系統(tǒng)PS的最后元件與襯底W之間的區(qū)域中包含 浸沒液體的浸沒光蝕刻系統(tǒng)中,氣刀裝置的操作細(xì)節(jié)和質(zhì)量將會(huì)是重 要的。
在期望襯底臺(tái)WT和鏡的動(dòng)態(tài)變形是要素的情況下,可以期望掃 描的加速部分可以具有比恒定速度部分高的誤差。在這種情況下,僅 取出襯底臺(tái)WT移動(dòng)的恒定速率階段的讀數(shù)會(huì)減小誤差。
如以上所討論的,應(yīng)當(dāng)選擇鏡上的測量掃描速度足夠快,以濾出 熱漂移和緩慢變化的誤差。然而,掃描速度不應(yīng)過快,否則數(shù)量增長 的快速誤差可以開始影響信號(hào),除非采樣速度也相應(yīng)的增加。例如, 可以提供壓力傳感器以測量氣壓變化,可以對(duì)此進(jìn)行補(bǔ)償。然而,壓 力傳感器可以具有有限的范圍,從而通過壓力傳感器檢測并補(bǔ)償?shù)某?現(xiàn)過快的壓力變化會(huì)導(dǎo)致鏡測量中的誤差,除非對(duì)于要過濾/平均的這 些誤差來足夠緩慢地掃描鏡。因此,在足夠快以濾出熱漂移和其它慢 漂移誤差的測量掃描速度、與足夠慢以使充足的采樣可以用于濾出快 速噪聲源的掃描速度之間保持平衡。
在浸沒系統(tǒng)中可以發(fā)現(xiàn),使用以0.55與l.lm/s之間的掃描速度的 恒定速率部分的掃描,可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)于0.5nm的干涉計(jì)測量的再現(xiàn)性。 這些掃描速度與大約0.5秒的掃描時(shí)間相對(duì)應(yīng)。如上所述,在雙臺(tái)光蝕刻系統(tǒng)中,在完成了對(duì)準(zhǔn),以及襯底W準(zhǔn) 備好曝光時(shí),可以利用測量站46處的襯底臺(tái)WT和提供用于將襯底 臺(tái)WT從測量站46移動(dòng)至曝光站44的裝置,來執(zhí)行襯底對(duì)準(zhǔn)測量。 鏡在襯底臺(tái)WT的側(cè)面形成,并用于測量襯底臺(tái)WT的未知,同時(shí)在 測量站46和曝光站44處對(duì)它進(jìn)行掃描。在特定系統(tǒng)中,有益地,對(duì) 于測量站46和曝光站44處的位置測量,使用不同的鏡。這可以意味 著不同的鏡用于X和Y位置測量,或者可選地,不同的鏡僅用于X 或Y位置測量。例如,公共鏡可以用于X測量,而兩個(gè)鏡提供用于Y 測量。在提供了兩個(gè)鏡的情況下,例如,對(duì)于在測量站處使用的鏡, 可以表示為Y測量,以及對(duì)于在曝光站處使用的鏡,表示為Y曝光, 并且可以位于襯底臺(tái)WT的相對(duì)側(cè)。當(dāng)在測量和曝光站處使用不同的鏡時(shí),鏡間的相對(duì)對(duì)準(zhǔn)和/或形狀 (即,鏡間的空間關(guān)系)可以在導(dǎo)致了重疊誤差的曝光之間改變(例 如,由于加熱)。在使用相同鏡的情況下,只要在對(duì)準(zhǔn)和曝光期間鏡具 有相同的誤差,不期望的鏡變形便將不會(huì)引起這種重疊問題。根據(jù)圖8中描述的本發(fā)明的實(shí)施例,通過在靠近將在曝光站44 處的對(duì)準(zhǔn)期間使用的鏡(Y曝光鏡72,它位于Y測量鏡74的對(duì)面) 的襯底臺(tái)WT的上側(cè)上設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70,來克服這種問題??浯罅艘r 底臺(tái)WT的形狀以突出根據(jù)標(biāo)稱矩形的推導(dǎo)。通過角78示出Y曝光 和Y測量鏡72和74之間的所謂"非正交"或誤對(duì)準(zhǔn)。共享的X鏡表 示為76.優(yōu)選地,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70應(yīng)當(dāng)位于Y曝光鏡72大約10mm的范圍內(nèi)。 在典型系統(tǒng)中,該間隔將會(huì)引起根據(jù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70的位置所確定的Y 曝光鏡72的局部形狀中的大約0.5nm的不確定性,這是可接受的。 該估計(jì)基于50 x 10'9的熱膨脹系數(shù),以及0.1K的溫度改變,根據(jù)Y 曝光鏡上相應(yīng)點(diǎn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70的間隔中的改變?nèi)缦?50x 10一9)x O.lx (10x 10—3)= 0.05x l(T9nm.
在測量站46的對(duì)準(zhǔn)期間,相對(duì)于在測量站46處操作的X和Y鏡 (共享X鏡76和Y測量鏡74)來測量襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記80的位置。還 對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70的位置進(jìn)行測量,它接近于Y曝光鏡72的表面,與Y 曝光鏡72的表面形狀密切對(duì)應(yīng)。因而,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70相對(duì)于X和Y測 量鏡76和74的位置的測量產(chǎn)生了 Y曝光鏡72與Y曝光鏡74之間的 空間關(guān)系。因而所獲得的空間關(guān)系的精度將取決于所提供的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 70的個(gè)數(shù)(越靠近的標(biāo)記可以越精確地定義鏡表面的形狀,例如,拾 取小規(guī)模偏移)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70的測量可能占用額外的時(shí)間,盡管如此, 有益地,僅測量減小個(gè)數(shù)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70,從而不過多地對(duì)吞吐量進(jìn)行 折衷。例如通過兩或三個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記70,可以獲得Y曝光和Y測量鏡 72和74之間的相對(duì)角度的改變。一旦建立了 Y曝光鏡72和Y測量鏡74之間的空間關(guān)系,在使用 Y曝光將72在曝光站44處移動(dòng)襯底臺(tái)時(shí),便可以應(yīng)用使用Y測量鏡 74在測量站46處執(zhí)行的對(duì)準(zhǔn)測量。盡管在本文中對(duì)IC的制造過程中的光刻設(shè)備的使用做出特定參 考,但是將會(huì)理解,這里所描述的光刻設(shè)備可以具有其他應(yīng)用,如集 成光系統(tǒng)的制造、用于磁域存儲(chǔ)器、平板顯示器、液晶顯示器(LCD) 薄膜磁頭等的指導(dǎo)和檢測圖案等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解,在這種 可選應(yīng)用的上下文中,可以認(rèn)為術(shù)語"晶片"或"模具"的任何使用 分別與更一般的術(shù)語"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。在曝光之前或之 后,可以對(duì)這里所指的襯底進(jìn)行處理,例如軌道(典型地,將抗蝕劑 層作用于襯底并使所曝光的抗蝕劑顯影的工具)、度量學(xué)工具和/或檢 查工具。可應(yīng)用時(shí),可以將這里的公開應(yīng)用于這種和其它襯底處理工 具。此外,例如,可以多于一次地對(duì)襯底進(jìn)行處理,以便創(chuàng)建多層IC, 從而這里所使用的術(shù)語襯底還可以指已包含多個(gè)處理層的襯底。這里所使用的術(shù)語"輻射"和"波束"包括所有類型的電磁輻射, 報(bào)告紫外(UV)輻射(例如,具有大約365、 248、 193、 157或126 nm 的波長)。在上下文允許的情況下,術(shù)語"透鏡"可以指各種類型的光組件射和反射光組件。盡管以上描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例,但是將會(huì)理解,本發(fā)明可 以以不同于所描述的方式實(shí)踐。例如,本發(fā)明可以采用計(jì)算機(jī)程序的 形式,該計(jì)算機(jī)程序包含描述了以上公開的方法的機(jī)器可讀指令的一 個(gè)或多個(gè)序列,或者具有存儲(chǔ)其中的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì) (例如,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁或光盤)。本發(fā)明還可以應(yīng)用于任何浸沒光刻設(shè)備,具體但不獨(dú)占地,以上 所提及的那些類型。以上的描述意在示出而非限制。因此,本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解, 在不偏離權(quán)利要求范圍的情況下,可以對(duì)本發(fā)明做出修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備,包括投影系統(tǒng),配置用于將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影到襯底上;襯底臺(tái),構(gòu)造用于支撐襯底,并且包括在所述襯底臺(tái)側(cè)面上形成的至少一個(gè)反射元件;襯底臺(tái)位移裝置,配置用于將襯底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)移動(dòng);襯底臺(tái)溫度監(jiān)視器,配置用于確定襯底臺(tái)的至少一部分的溫度;干擾檢測器,配置用于使用由襯底臺(tái)溫度監(jiān)視器確定的溫度來估計(jì)所述至少一個(gè)反射元件的位置、方位或形狀中至少一個(gè)的熱感應(yīng)漂移;襯底臺(tái)位置檢測器,配置用于通過反射來自所述至少一個(gè)反射元件中的輻射并考慮由干擾檢測器所估計(jì)的所述至少一個(gè)反射元件的熱感應(yīng)漂移來確定所述襯底臺(tái)的位置;以及控制系統(tǒng),設(shè)置用于向襯底臺(tái)位移裝置提供控制信號(hào),以使所述襯底臺(tái)沿預(yù)定路徑移動(dòng),所述控制信號(hào)基于由襯底臺(tái)位置檢測器所確定的襯底臺(tái)的位置來確定。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中,所述襯底臺(tái)包括在所 述襯底臺(tái)的側(cè)面上形成的兩個(gè)實(shí)質(zhì)上平面反射元件,以及所述干擾檢 測器配置用于確定在所述兩個(gè)反射元件之間定義的角度中的熱感應(yīng)漂 移。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,還包括存儲(chǔ)裝置,所述存儲(chǔ) 裝置包括校準(zhǔn)數(shù)據(jù),所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)提供襯底臺(tái)至少一部分的所測量溫 度與在襯底臺(tái)的側(cè)面上形成的反射元件的位置、方位或形狀中至少一 個(gè)的相應(yīng)改變之間的映射,以及所述干擾檢測器配置用于通過從所述 校準(zhǔn)表中提取數(shù)據(jù)來估計(jì)所述熱感應(yīng)漂移。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中,所述干擾檢測器配置 用于使用數(shù)學(xué)模型來估計(jì)所述熱感應(yīng)漂移,所述數(shù)學(xué)模型描述了期望 襯底臺(tái)如何作為襯底臺(tái)至少一部分的溫度的函數(shù)而發(fā)生變形。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,還包括液體供應(yīng)系統(tǒng),配置用于用液體至少部分地填充所述投影系統(tǒng)的 最后元件和所述襯底之間的空隙內(nèi);以及密封構(gòu)件,配置用于實(shí)質(zhì)上將所述液體包含在投影系統(tǒng)的所述最后元件與所述襯底之間的所述空隙內(nèi)。
6. —種器件制造方法,包括提供襯底臺(tái)以支撐襯底,并具有在所述襯底臺(tái)的側(cè)面上形成的至少一個(gè)反射元件;提供襯底臺(tái)位移裝置以將襯底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)移動(dòng); 確定襯底臺(tái)至少一部分的溫度;使用所述已確定的溫度來估計(jì)所述至少一個(gè)反射元件的位置、方 位或形狀中至少一個(gè)的熱感應(yīng)漂移;以及通過反射來自所述至少一個(gè)反射元件中的輻射并考慮由所述至少 一個(gè)反射元件的特性中的所估計(jì)的改變來確定襯底臺(tái)的位置;以及使用控制系統(tǒng),來使用襯底臺(tái)位移裝置沿預(yù)定路徑移動(dòng)襯底臺(tái), 基于考慮了由所述至少一個(gè)反射元件的特性中的估計(jì)改變所確定的襯 底臺(tái)的位置來確定控制系統(tǒng)的控制信號(hào)。
7. —種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包括提供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底臺(tái)包括在襯底臺(tái)的相應(yīng)的側(cè)面 上形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與 襯底臺(tái)平面中的第一軸垂直,以及所述第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái) 平面中的第二軸垂直;所述第一軸實(shí)質(zhì)上與第二軸垂直;在第一位置與第二位置之間移動(dòng)所述襯底臺(tái);在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái)期間,反射來自所述第一 反射構(gòu)件的輻射,以測量第一反射構(gòu)件的表面繞實(shí)質(zhì)上與第一和第二 軸垂直的第三軸的、在第一反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第一局部有 效轉(zhuǎn)動(dòng),以及反射來自所述第二反射構(gòu)件的輻射,以測量第二反射構(gòu) 件的表面繞第三軸的、在第二反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第二局部 有效轉(zhuǎn)動(dòng);以及通過計(jì)算所述第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均與所述第二局 部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均之間的差、或者所述第一和第二局部有 效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值相對(duì)應(yīng)的對(duì)之間的平均差,來推導(dǎo)出在所述第一和第二 反射器構(gòu)件之間限定的角度改變的估計(jì)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,在所述推導(dǎo)中,考慮在第一 和第二位置之間的襯底移動(dòng)期間作出的所述第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng) 測量的密度,來推導(dǎo)計(jì)算平均。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,在計(jì)算均值時(shí),根據(jù)正在討 論的在所述反射構(gòu)件表面上的相應(yīng)點(diǎn)處進(jìn)行測量的空間密度,通過對(duì) 所述第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)的各個(gè)測量進(jìn)行加權(quán)而考慮測量密度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,給予相對(duì)較低測量密度區(qū) 域內(nèi)作出的測量比較高測量密度區(qū)域內(nèi)作出的測量更高的加權(quán)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,實(shí)質(zhì)上同時(shí)利用所述推導(dǎo), 使用襯底臺(tái)從第一至第二位置的移動(dòng)來測量襯底和襯底臺(tái)上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記,從而確定襯底和襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系。
12. —種器件制造方法,包括提供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底臺(tái)包括在所述襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè) 面上形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上 與襯底臺(tái)平面中的第一軸垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二軸垂直;所述第一軸實(shí)質(zhì)上與所述第二軸垂直; 在第一位置與第二位置之間移動(dòng)所述襯底臺(tái);在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái)期間,反射來自所述第一 反射構(gòu)件的輻射,以測量第一反射構(gòu)件的表面繞實(shí)質(zhì)上與第一和第二 軸垂直的第三軸的、在第一反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第一局部有 效轉(zhuǎn)動(dòng),以及反射來自所述第二反射構(gòu)件的輻射,以測量第二反射構(gòu) 件的表面繞第三軸的、在第二反射構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的第二局部 有效轉(zhuǎn)動(dòng);通過計(jì)算所述第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均與所述第二局 部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均之間的差、或者所述第一和第二局部有 效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值相對(duì)應(yīng)的對(duì)之間的平均差,來推導(dǎo)出在所述第一和第二 反射器之間限定的角度改變的估計(jì);以及 在利用由構(gòu)圖裝置進(jìn)行構(gòu)圖、且由投影系統(tǒng)投影的輻射束對(duì)襯底 進(jìn)行隨后曝光期間,使用對(duì)改變的估計(jì)來控制光刻設(shè)備中襯底臺(tái)相對(duì) 于所述投影系統(tǒng)的移動(dòng),所述光刻設(shè)備配置用于在所述曝光期間使用 從所述第一和第二反射構(gòu)件中反射的輻射來監(jiān)視并控制襯底臺(tái)的位 置。
13. —種光刻設(shè)備,包括 襯底臺(tái),配置用于支撐襯底;在襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè)面形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述 第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第一軸垂直,以及所述第二反 射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二軸垂直,所述第一軸實(shí)質(zhì)上與所 述第二軸垂直;襯底臺(tái)位移裝置,配置用于在第一部分和第二部分之間移動(dòng)所述 襯底臺(tái);第一干涉計(jì),配置用于在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái)期 間,反射來自所述第一反射構(gòu)件的輻射,從而測量第一反射構(gòu)件的表 面繞實(shí)質(zhì)上與第一和第二軸垂直的第三軸的、在第一反射構(gòu)件上的多 個(gè)不同點(diǎn)處的第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng);第二干涉計(jì),配置用于在所述移動(dòng)期間,反射來自所述第二反射 構(gòu)件的輻射,從而測量第二反射構(gòu)件的表面繞第三軸的、在第二反射 構(gòu)件上的多個(gè)不同點(diǎn)處的的第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng);鏡對(duì)準(zhǔn)檢測器,配置用于通過計(jì)算所述第一局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值 的計(jì)算平均與所述第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值的計(jì)算平均之間的差、或 者所述第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)測量值相對(duì)應(yīng)的對(duì)之間的平均差,來 推導(dǎo)出在第一和第二反射器之間限定的角度改變的估計(jì)。
14. 一種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包括提供配置用于支撐襯底的襯底臺(tái),所述襯底臺(tái)配備有在襯底臺(tái)相 應(yīng)的側(cè)面形成的第一和第二反射構(gòu)件;在第一位置與第二位置之間移動(dòng)所述襯底臺(tái);在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái)期間,通過測量襯底上的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于襯底臺(tái)上已知位置的位置,推導(dǎo)出襯底和襯底臺(tái)之間 空間關(guān)系的映射;以及在所述移動(dòng)期間,反射來自所述第一和第二反射構(gòu)件的輻射,并 從中推導(dǎo)出第一和第二反射構(gòu)件相對(duì)于彼此的形狀和方位中的至少一個(gè)。
15、 一種器件制造方法,包括提供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底臺(tái)配備有在襯底臺(tái)相應(yīng)的側(cè)面 上形成的第一和第二反射構(gòu)件;在第一位置與第二位置之間移動(dòng)所述襯底臺(tái);在第一位置與第二位置之間移動(dòng)襯底臺(tái)期間,通過測量襯底上的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于襯底臺(tái)上已知位置的位置,推導(dǎo)出襯底和襯底臺(tái)之間 空間關(guān)系的映射;在所述移動(dòng)期間,反射來自所述第一和第二反射構(gòu)件的輻射,并 從中推導(dǎo)出第一和第二反射構(gòu)件相對(duì)于彼此的形狀和方位中的至少一 個(gè);以及在由構(gòu)圖裝置進(jìn)行構(gòu)圖、且由所述投影系統(tǒng)投影的輻射束對(duì)襯底 進(jìn)行隨后曝光期間,使用所推導(dǎo)出的第一和第二反射構(gòu)件的形狀和/或 方位來控制光刻設(shè)備中所述襯底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)的移動(dòng),所述光刻 設(shè)備配置用于在所述曝光期間,使用從所述第一和第二反射構(gòu)件中反 射的輻射來監(jiān)視并控制襯底臺(tái)的位置。
16. —種光刻設(shè)備,包括 襯底臺(tái),配置用于支撐襯底;在襯底臺(tái)的相應(yīng)側(cè)面形成的第一和第二反射構(gòu)件; 襯底臺(tái)位移裝置,配置用于在第一位置和第二位置之間移動(dòng)所述 襯底臺(tái);襯底與襯底臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的裝置,配置用于在第一位置與第二位置之間 移動(dòng)襯底臺(tái)期間,通過測量襯底上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于襯底臺(tái)上已知位 置的位置,來推導(dǎo)出襯底與襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系的映射;以及鏡干擾檢測器,配置用于在所述移動(dòng)期間,反射來自所述第一和 第二反射構(gòu)件的輻射,并從中推導(dǎo)出第一和第二反射構(gòu)件相對(duì)于彼此 的形狀和方位中至少一個(gè)。
17. —種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包括提供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底具有在襯底臺(tái)的側(cè)面上形成的 第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平 面中的第一軸垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二 軸垂直,所述第一軸實(shí)質(zhì)上與所述第二軸垂直;設(shè)置第一干涉計(jì),以反射來自所述第一反射構(gòu)件的局域化表面部 分的光,以便沿第一軸測量所述局域化表面部分的位置;設(shè)置第二干涉計(jì),以反射來自所述第二反射構(gòu)件的局域化表面部 分的光,以便沿第二軸測量所述局域化表面部分的位置;設(shè)置所述第一干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相對(duì)于實(shí)質(zhì) 上與第一和第二軸垂直的第三軸的第一局域化轉(zhuǎn)動(dòng);以及設(shè)置所述第二干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相對(duì)于第三 軸的的第二局域化轉(zhuǎn)動(dòng);以及參考所述第二干涉計(jì)的輸出實(shí)質(zhì)上沿第一軸移動(dòng)所述襯底臺(tái),在 襯底臺(tái)的移動(dòng)期間,在沿所述移動(dòng)方向的不同點(diǎn)處記錄所述第一和第 二局域有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量以便推導(dǎo)出與所述第二反射構(gòu)件的形狀有 關(guān)的信息,其中,在沿第一軸的所述移動(dòng)期間,所述襯底臺(tái)達(dá)到了至 少0.5m/s的速度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中,僅在沿第一軸的所述移動(dòng) 的恒定速度階段期間執(zhí)行所述記錄。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,還包括基于所述第一干涉計(jì)的輸出,實(shí)質(zhì)上沿第二軸移動(dòng)所述襯底臺(tái), 以及在實(shí)質(zhì)上沿第二軸移動(dòng)所述襯底臺(tái)期間,在沿第二軸的所述運(yùn)動(dòng) 的不同點(diǎn)處記錄所述第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量,以推導(dǎo)出 與所述第一反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息,其中,在沿第一軸的所述移 動(dòng)期間,所述襯底臺(tái)達(dá)到了至少0.5m/s的速度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,僅在沿第二軸的所述移動(dòng) 的恒定速度階段期間執(zhí)行所述記錄。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,還包括沿對(duì)于第一和第二軸均傾斜的對(duì)角路徑移動(dòng)所述襯底,以及在沿 所述對(duì)角路徑移動(dòng)襯底期間,在沿所述對(duì)角路徑的不同點(diǎn)處記錄所述 第一和第二有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量對(duì),以推導(dǎo)出與所述第一和第二反射 構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息。
22. —種器件制造方法,包括提供配置用于支撐襯底的襯底臺(tái),所述襯底臺(tái)包括在襯底臺(tái)的側(cè) 面形成的第一和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件;所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與 襯底臺(tái)平面中的第一軸垂直,以及第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面 中的第二軸垂直,所述第一軸實(shí)質(zhì)上與所述第二軸垂直;使用第一干涉計(jì)以反射來自所述第一反射構(gòu)件的局域化表面部分 的光,以便沿第一軸測量所述局域化表面部分的位置;使用第二干涉計(jì)以反射來自所述第二反射構(gòu)件的局域化表面部分 的光,從而沿第二軸測量所述局域化表面部分的位置;使用所述第一干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相對(duì)于實(shí)質(zhì) 上與第一和第二軸垂直的第三軸的第一局域化轉(zhuǎn)動(dòng);使用所述第二干涉計(jì),以進(jìn)一步測量所述局域化部分相對(duì)于第三 軸的第二局域化轉(zhuǎn)動(dòng);基于所述第二干涉計(jì)的輸出,實(shí)質(zhì)上沿第一軸移動(dòng)所述襯底臺(tái), 以及在實(shí)質(zhì)上沿第一軸的移動(dòng)襯底臺(tái)期間,在沿所述移動(dòng)方向的不同 點(diǎn)處記錄所述第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一組測量,從而推導(dǎo)出與所 述第二反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息,其中,在沿第一軸的所述移動(dòng)期 間,所述襯底臺(tái)達(dá)到了至少0.5m/s的速度;以及在利用由構(gòu)圖裝置進(jìn)行構(gòu)圖、且由所述投影系統(tǒng)投影的輻射束對(duì) 襯底進(jìn)行隨后曝光期間,使用與所述第一反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的所述 信息來控制光刻設(shè)備中襯底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)移動(dòng),所述光刻設(shè)備配 置用于在所述曝光期間,使用從所述第一和第二反射器反射的輻射來 監(jiān)視和控制襯底臺(tái)的位置。
23. —種光刻設(shè)備,包括襯底臺(tái),配置用于支撐襯底,并包括在襯底臺(tái)的側(cè)面形成的第一 和第二實(shí)質(zhì)平面反射構(gòu)件,所述第一反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中 的第一軸垂直,以及所述第二反射構(gòu)件實(shí)質(zhì)上與襯底臺(tái)平面中的第二 軸垂直,所述第一軸實(shí)質(zhì)上與所述第二軸垂直;第一干涉計(jì),配置用于反射來自所述第一反射構(gòu)件的局域化表面 部分的光,以沿第一軸測量所述局域化表面部分的位置;第二干涉計(jì),配置用于反射來自所述第二反射構(gòu)件的局域化表面 部分的光,以沿第二軸測量所述局域化表面部分的位置;其中,所述第一干涉計(jì)配置用于進(jìn)一步地測量所述局域化部分相對(duì)于實(shí) 質(zhì)上與第一和第二軸垂直的第三軸的第一局域化轉(zhuǎn)動(dòng);所述第二干涉計(jì)配置用于進(jìn)一步地測量所述局域化部分相對(duì)于所 述第三軸的第二局域化轉(zhuǎn)動(dòng);以及所述光刻設(shè)備配置用于(a)基于所述第二干涉計(jì)的輸出實(shí)質(zhì)上沿 第一軸移動(dòng)所述襯底臺(tái),以及在實(shí)質(zhì)上沿第一軸移動(dòng)襯底臺(tái)期間,(b) 在沿所述移動(dòng)方向的不同點(diǎn)處記錄所述第一和第二局部有效轉(zhuǎn)動(dòng)的一 組測量,以推導(dǎo)出與所述第二反射構(gòu)件的形狀有關(guān)的信息,其中,在 沿第一軸的所述移動(dòng)期間,所述襯底臺(tái)達(dá)到了至少0.5m/s的速度。
24. —種光刻設(shè)備,包括投影系統(tǒng),配置用于將圖案從構(gòu)圖裝置投影在襯底上;襯底臺(tái),配置用于支撐襯底,所述襯底臺(tái)從確定襯底與襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系的測量站、以及在將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影在襯底上的曝光站處是可移動(dòng)的;第一和第二反射構(gòu)件,形成于襯底臺(tái)相反側(cè)中并實(shí)質(zhì)上彼此平行;第一干涉計(jì),置配置用于反射來自所述第一反射構(gòu)件的光,以測 量襯底臺(tái)在測量站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;以及第二干涉計(jì),配置用于反射來自所述第二反射構(gòu)件的光,以測量 襯底臺(tái)在曝光站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置,其中,多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在接近于第二反射構(gòu)件并具有與之已知的空間關(guān)系 的襯底臺(tái)的上表面中形成,所述光刻設(shè)備包括測量系統(tǒng),所述測量系 統(tǒng)配置用于使用所述第一反射構(gòu)件來測量測量站處的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的 位置,并確定第一和第二反射構(gòu)件之間的空間關(guān)系。
25. —種校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法,包括 提供投影系統(tǒng),以將圖案從構(gòu)圖裝置投影在襯底上; 提供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底臺(tái)從確定襯底與襯底臺(tái)之間的 空間關(guān)系的測量站、以及在將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影在襯底上的曝光站處是可移動(dòng)的;在襯底臺(tái)相反側(cè)上提供第一和第二反射構(gòu)件,并且它們實(shí)質(zhì)上彼 此平行;提供第一干涉計(jì),以反射來自所述第一反射構(gòu)件的光,以測量襯 底臺(tái)在測量站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;提供第二干涉計(jì),以反射來自所述第二反射構(gòu)件的光,以測量襯 底臺(tái)在曝光站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;以及在接近于第二反射構(gòu)件并具有與之己知的空間關(guān)系的襯底臺(tái)的上 表面中提供多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;以及襯底在測量站處時(shí),使用所述第一反射構(gòu)件來測量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位 置,從而確定第一和第二反射構(gòu)件之間的空間關(guān)系。
26.—種器件制造方法,包括提供投影系統(tǒng),以將圖案從構(gòu)圖裝置投影在襯底上; 提供襯底臺(tái)以支撐襯底,所述襯底臺(tái)從確定襯底與襯底臺(tái)之間的空間關(guān)系的測量站、以及在將來自構(gòu)圖裝置的圖案投影在襯底上的曝光站處是可移動(dòng)的;在襯底臺(tái)相反側(cè)提供第一和第二反射構(gòu)件,并且它們實(shí)質(zhì)上彼此平行;提供第一干涉計(jì),以反射來自所述第一反射構(gòu)件的光,以測量襯 底臺(tái)在測量站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;提供第二干涉計(jì),以反射來自所述第二反射構(gòu)件的光,以測量襯 底臺(tái)在曝光站處時(shí)襯底臺(tái)相對(duì)于第一軸的位置;在接近于第二反射構(gòu)件并具有與之已知的空間關(guān)系的襯底臺(tái)的上 表面中提供多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;襯底在測量站處時(shí),使用所述第一反射構(gòu)件來測量所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 的位置,從而確定第一和第二反射構(gòu)件之間的空間關(guān)系;以及在襯底隨后的曝光期間,使用第一和第二反射構(gòu)件之間的空間關(guān) 系來控制曝光站處襯底臺(tái)的移動(dòng)。
全文摘要
一種光刻設(shè)備包括系統(tǒng),用于使用襯底臺(tái)中的側(cè)鏡來補(bǔ)償在襯底臺(tái)位置測量上的襯底臺(tái)的熱變形效應(yīng)。提出了使用各種襯底臺(tái)掃描軌道和局部位置測量及襯底臺(tái)中側(cè)鏡的轉(zhuǎn)動(dòng)來校準(zhǔn)光刻設(shè)備的方法。具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的雙臺(tái)光刻設(shè)備定義了僅在曝光站處使用的側(cè)鏡的幾何形狀,以在襯底臺(tái)在測量站處時(shí)對(duì)側(cè)鏡的幾何形狀進(jìn)行測量。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101149569SQ20071018210
公開日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2007年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月28日
發(fā)明者安東尼厄斯·約翰尼斯·德科爾特, 尤多庫斯·瑪麗·多米尼克斯·斯圖爾德拉伊爾, 弗朗西斯庫斯·范德馬斯特, 科恩·雅各布斯·約翰尼斯·瑪利亞·扎爾, 約斯特·耶羅恩·奧藤斯, 馬爾特伊恩·德容 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司