專利名稱：陣列基板及其制造方法、包括其的液晶顯示器設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及一種陣列基板及其制造方法和包括該陣列基板的液晶顯示器設(shè)備，且更具體而言，涉及一種能夠提高可靠性的陣列基板及其制造方法和包括該陣列基板的液晶顯示器設(shè)備。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)設(shè)備可以包括陣列基板、面對(duì)陣列基板的濾色器基板和夾置在陣列基板和濾色器基板之間的液晶層。
陣列基板包括多個(gè)顯示圖像的像素。每個(gè)像素是用于顯示圖像的最小單元。每個(gè)像素包括柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT)和像素電極。柵極線接收柵極信號(hào)。數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號(hào)。薄膜晶體管電連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。像素電極接收數(shù)據(jù)信號(hào)且將電壓施加到液晶層。
陣列基板還可以包括柵電極墊和數(shù)據(jù)電極墊。柵電極墊將柵極信號(hào)施加到柵極線。數(shù)據(jù)電極墊將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到數(shù)據(jù)線。柵電極墊和數(shù)據(jù)電極墊分別通過(guò)通路孔電連接到透明電極。另外，透明電極可以分別形成于柵電極墊和數(shù)據(jù)電極墊上。
柵電極墊可以具有雙層膜結(jié)構(gòu)以減小設(shè)置于陣列基板上的透明電極和柵電極墊之間的接觸電阻和線電阻。例如，柵電極墊包括鉻(Cr)膜和鋁釹(AlNd)膜。
形成于柵電極墊上的柵極絕緣層和鈍化層被部分地去除，然后AlNd膜被部分地去除以形成通路孔。與鈍化層接觸的AlNd膜的上部分被蝕刻得多于AlNd膜的下部分以形成底切。
在底切上的透明電極可以被電斷開(kāi)以形成裂紋。蝕刻劑的一部分通過(guò)裂紋流入底切中，且留在底切中以作為電解質(zhì)，從而透明電極和AlNd層之間的離子反應(yīng)侵蝕了透明電極。
因此，透明電極從柵電極墊電斷開(kāi)，由此減小了陣列基板的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種能夠提高可靠性的陣列基板，制造上述陣列基板的方法和具有上述陣列基板的顯示設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板包括基板、電極墊、絕緣層和透明電極?；灏@示區(qū)和與顯示區(qū)相鄰的周邊區(qū)。電極墊在周邊區(qū)中。電極墊包括第一金屬層和第二金屬層。第二金屬層在第一金屬層上且包括開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口第一金屬層被部分地暴露，絕緣層在電極墊上且在開(kāi)口中覆蓋第二金屬層的側(cè)面和第一金屬層被暴露的部分。透明電極在絕緣層上，且通過(guò)絕緣層中的通路孔電連接到第一金屬層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板制造方法包括在基板的周邊區(qū)中形成電極墊，其中電極墊包括第一金屬層和在第一金屬層上的第二金屬層。第二金屬層被部分地去除以部分地暴露第一金屬層。絕緣層形成于電極墊上。絕緣層被構(gòu)圖以形成通路孔，從而絕緣層覆蓋第二金屬層的側(cè)面和第一金屬層被暴露的部分。形成透明電極，透明電極通過(guò)通路孔電連接到第一金屬層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD設(shè)備包括濾色器基板、陣列基板、液晶層和發(fā)光層。陣列基板面對(duì)濾色器基板，且包括電極墊、絕緣層和透明電極。電極墊具有第一金屬層和在第一金屬層上的第二金屬層。第二金屬層包括開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口部分地暴露第一金屬層。絕緣層在電極墊上且在開(kāi)口中覆蓋第二金屬層的側(cè)面和開(kāi)口中第一金屬層被暴露的部分。透明電極在絕緣層上且通過(guò)絕緣層中的通路孔電連接到第一金屬層。液晶層夾置在陣列基板和濾色器基板之間。發(fā)光單元設(shè)置于陣列基板下且發(fā)光。
電極墊的第二金屬層被絕緣層覆蓋以防止由第二金屬層和透明電極之間的離子反應(yīng)所導(dǎo)致的侵蝕，即使裂紋可以通過(guò)底切形成于電極墊上的透明電極中。


結(jié)合附圖，從以下的描述可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)設(shè)備的剖面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖1的陣列基板的平面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖1的柵電極墊的放大的剖面圖；和圖4A到4H是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖1中的陣列基板的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
參考附圖在其后更加全面地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)充分和完整，且向那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰夸大了層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
可以理解當(dāng)元件被稱為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在其他元件或?qū)由?、連接到或耦合到其他元件或?qū)?，或者可以存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接”在其他元件“上”、“直接連接到”或“直接耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，則沒(méi)有中間元件或?qū)哟嬖?。通篇相似的?biāo)號(hào)指示相似的元件。這里所用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或更多的任何和所有組合。
可以理解雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二和第三可以用于此來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)只用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
在這里為了描述的方便，可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等來(lái)描述一個(gè)元件或特征和其他元件或特征如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫膺@些空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性術(shù)語(yǔ)“下方”可以包含下方和上方兩個(gè)方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。
這里所使用的術(shù)語(yǔ)是只為了描述特別的實(shí)施例的目的，且不旨在限制本發(fā)明。如這里所用，比如“一”、“該”的單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思?？梢赃M(jìn)一步理解當(dāng)在此說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”說(shuō)明所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排出存在或添加一個(gè)或更多其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組分和/或其組合。
參考橫截面圖示在這里描述了本發(fā)明的實(shí)施例，該圖示是本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域形狀，而是包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)將通常具有修圓或彎曲的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)可以引起埋入?yún)^(qū)和通過(guò)其進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不旨在示出區(qū)域的精確的形狀且不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另有界定，這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所共同理解的相同的意思。還可以理解諸如那些在共同使用的字典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)解釋為一種與在相關(guān)技術(shù)和本公開(kāi)的背景中的它們的涵義一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理想化或過(guò)度正式的意義，除非在這里明確地如此界定。
這里，將參考附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)設(shè)備的剖面圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖1的陣列基板的平面圖。圖3是圖1的柵電極墊的放大的剖面圖。
參考圖1和2，LCD設(shè)備包括顯示圖像的LCD面板和為L(zhǎng)CD面板100提供光的背光組件10。
LCD面板100包括例如陣列基板200的第一基板、例如濾色器基板300的第二基板和液晶層400。濾色器基板300面對(duì)陣列基板200。液晶層400夾置在陣列基板200和濾色器基板300之間。
LCD面板100包括顯示圖像的顯示區(qū)DA、與顯示區(qū)DA的第一側(cè)相鄰的第一周邊區(qū)PA1和與顯示區(qū)DA的第二側(cè)相鄰的第二周邊區(qū)PA2。
多個(gè)像素區(qū)在顯示區(qū)DA中。像素區(qū)由在第一方向D1延伸的多條柵極線GL和在基本垂直于第一方向D1的第二方向D2延伸的多條數(shù)據(jù)線DL界定。
陣列基板200包括第一絕緣基板210、對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素區(qū)的薄膜晶體管TFT220、對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素區(qū)的鈍化層230和像素電極240。或者，陣列基板200還可以在每個(gè)像素區(qū)中包括多個(gè)TFT220和多個(gè)像素電極240。TFT220形成于第一絕緣基板210上。陣列基板200還可以包括夾置在鈍化層230和像素電極240之間的有機(jī)絕緣層(未顯示)。
TFT220包括柵電極221、柵極絕緣層222、半導(dǎo)體層223、歐姆接觸層224、源電極225和漏電極226。柵電極221電連接到柵極線GL之一。源電極225連接到數(shù)據(jù)線DL之一。漏電極226電連接到像素電極240。
柵電極221包括第一柵電極層221a和設(shè)置在第一柵電極層221a上的第二柵電極層221b。例如，第一柵電極層221a包括鉻(Cr)，第二柵電極層221b包括鋁釹(AlNd)。
例如，源電極225和漏電極226包括鉻(Cr)?；蛘?，源電極225和漏電極226可以包括鉻(Cr)和/或鋁釹(AlNd)。源電極225和漏電極226可以包括與柵電極221基本相同的材料。
柵極絕緣層222形成于具有柵電極221的第一絕緣基板210上。例如，柵極絕緣層222包括氮化硅(SiNx)。半導(dǎo)體層223和歐姆接觸層224依次形成于柵極絕緣層222上。半導(dǎo)體層223例如包括非晶硅。歐姆接觸層224例如包括n+非晶硅。例如，將n型雜質(zhì)注入到非晶硅中以形成n+非晶硅。歐姆接觸層224被部分地去除，從而半導(dǎo)體層223被部分地暴露。
鈍化層230形成于具有TFT220的第一絕緣基板210上。例如，鈍化層230包括氮化硅(SiNx)。鈍化層230具有接觸孔235，通過(guò)該接觸孔235部分地暴露了TFT220的漏電極226。即，鈍化層230被部分地暴露以部分地暴露漏電極226。
像素電極240形成于鈍化層230上。像素電極240包括能夠透光的透明導(dǎo)電材料。可以用于像素電極240的透明導(dǎo)電材料的示例包括氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫(ITO)。像素電極240通過(guò)接觸孔235電連接到漏電極226。
柵電極墊250形成于陣列基板200的第一周邊區(qū)PA1中。柵電極墊250從柵極線GL延伸且寬度比柵極線GL大。柵電極墊250包括第一柵電極墊層250a和設(shè)置于第一柵電極墊層250a上的第二柵電極墊層250b。
在圖1和2中，柵電極墊250由與柵電極221基本相同的層形成，且包括與柵電極221基本相同的材料。柵電極墊250可以通過(guò)與形成柵電極221基本相同的工藝形成。例如，柵電極墊層250a包括鉻(Cr)，第二柵電極墊層250b包括鋁釹(AlNd)。
通過(guò)其部分地暴露柵電極墊250的第一通路孔255形成于第一周邊區(qū)PA1中。在柵電極墊250上的柵極絕緣層222和鈍化層230以及第二柵電極墊層250b被部分地去除以形成第一通路孔255。第二柵電極墊層250b包括圍繞第一通路孔255的開(kāi)口257。第一柵電極墊層250a通過(guò)第二柵電極墊層250b的開(kāi)口257被部分地暴露。柵極絕緣層222和鈍化層230相對(duì)于第二柵電極墊層255b向第一通路孔255的中心延伸。因此，柵極絕緣層222和鈍化層230覆蓋了第一通路孔255的周邊部分，從而柵極絕緣層222和鈍化層230覆蓋了開(kāi)口257中第二柵電極墊層250b的側(cè)面和開(kāi)口257中第一柵電極墊層250a的一部分。
第一透明電極260形成于柵電極墊250上。第一透明電極260通過(guò)第一通路孔255電連接到第一柵電極墊層250a。第一透明電極260由與像素電極240基本相同的層形成，且包括與像素電極240基本相同的材料。第一透明電極260可以通過(guò)與形成像素電極240基本相同的工藝形成。例如，第一透明電極260包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
柵極絕緣層222和鈍化層230覆蓋了開(kāi)口257中第二柵電極墊層250b的側(cè)面，從而第一透明電極260與第二柵電極墊層250b不直接接觸。在圖3中，第一透明電極260與第二柵電極墊層250b分開(kāi)了第一距離d。第一距離d基本等于柵極絕緣層222的厚度和鈍化層230厚度之和。
因此，防止了第一透明電極260的侵蝕，從而柵極信號(hào)可以被適當(dāng)?shù)厥┘拥綎烹姌O墊250。即，雖然裂紋可以由柵電極墊250的底切形成于第一透明電極260，且蝕刻劑可能通過(guò)該裂紋流入到底切中，但是第一透明電極260從第二柵電極墊層250b分開(kāi)，以防止透明電極260和第二柵電極墊層250b之間的離子反應(yīng)，由此防止了第一透明電極260的侵蝕。因此，提高了LCD設(shè)備的可靠性。
數(shù)據(jù)電極墊270形成于陣列基本200的第二周邊區(qū)PA2中。數(shù)據(jù)電極墊270從數(shù)據(jù)線DL延伸，且寬度大于數(shù)據(jù)線DL。數(shù)據(jù)電極墊270由與源電極225和漏電極226基本相同的層形成，且包括與源電極225和漏電極226基本相同的材料。數(shù)據(jù)電極墊270可以通過(guò)與形成源電極225和漏電極226基本相同的工藝形成。例如，數(shù)據(jù)電極墊270包括鉻(Cr)。
通過(guò)其部分地暴露漏電極墊270的第二通路孔275形成于第二周邊區(qū)PA2中。數(shù)據(jù)電極墊270上的鈍化層230被部分地去除以形成第二通路孔275。第二透明電極280形成于數(shù)據(jù)電極墊270上。第二透明電極280通過(guò)第二通路孔275電連接到數(shù)據(jù)電極墊層270。第二透明電極280例如包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
每個(gè)柵電極墊250和數(shù)據(jù)電極墊270通過(guò)例如各向異性導(dǎo)電膜(ACF)電連接到例如柔性印刷電路板的印刷電路板(未顯示)。柵電極墊250和數(shù)據(jù)電極墊270將來(lái)自柔性印刷電路板的柵極信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)分別施加到柵極線和數(shù)據(jù)線。
濾色器基板300包括第二絕緣基板310、第二絕緣基板310上的黑矩陣320、濾色器330和公共電極340。濾色器330包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)濾色器部分。黑矩陣320以矩陣結(jié)構(gòu)形成于R、G和B濾色器部分之間以防止光在R、G和B濾色器部分之間的區(qū)域逃逸出。公共電極340對(duì)應(yīng)于陣列基板200的像素電極240。
圖4A到4H是示出圖1的陣列基板的制造方法的剖面圖。
參考圖4A，通過(guò)鉻(Cr)靶濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝，在第一絕緣基板210上沉積了第一金屬層500。第二金屬層510沉積在具有第一金屬層500的第一絕緣基板210上。第二金屬層510例如包括鋁釹(AlNd)。具有光敏材料的光致抗蝕劑膜520涂布在第二金屬層510上。
參考圖4B，將具有預(yù)定圖案的第一掩模600與具有光致抗蝕劑膜520的第一絕緣基板210對(duì)準(zhǔn)。第一掩模600具有對(duì)應(yīng)于柵電極221的第一不透明部分610、對(duì)應(yīng)于柵電極墊250的第二不透明部分620和對(duì)應(yīng)于第一通路孔255的狹縫圖案630。
使用第一掩模600作為光掩模將光致抗蝕劑膜520曝光。光致抗蝕劑膜520通過(guò)顯影劑顯影。在圖4B中，光致抗蝕劑膜520包括曝光部分被去除的正性光致抗蝕劑。因此，第一光致抗蝕劑圖案520a形成于對(duì)應(yīng)于第一不透明部分610的區(qū)域中，第二光致抗蝕劑圖案520b形成于對(duì)應(yīng)于第二不透明部分620的區(qū)域中。第一光致抗蝕劑圖案520a形成于顯示區(qū)DA中，第二光致抗蝕劑圖案520b形成于第一周邊區(qū)PA1中。另外，第二光致抗蝕劑圖案520b包括臺(tái)階部分。即，對(duì)應(yīng)于狹縫圖案630的第二光致抗蝕劑圖案520b的部分被部分地去除，從而第二光致抗蝕劑圖案520b具有狹縫區(qū)A，該狹縫區(qū)A高度相對(duì)地低于第一光致抗蝕劑圖案520a。
參考圖4C，使用蝕刻劑，將第一金屬層500和第二金屬層510被部分地蝕刻以形成柵電極221和柵電極墊250。柵電極221包括第一柵電極層221a和第二柵電極層221b。第一柵電極層221a例如包括鉻(Cr)，第二柵電極層221b例如包括鋁釹(AlNd)。
柵電極墊250包括第一柵電極墊層250a和第二柵電極墊層250b。第一柵電極墊層250a例如包括鉻(Cr)，第二柵電極墊層250b例如包括鋁釹(AlNd)。
參考圖4D，具有柵電極221和柵電極墊250的第一絕緣基板210的后表面被曝光。照射到第一絕緣基板210的后表面上的光的強(qiáng)度低于照射到光致抗蝕劑膜520上的光的強(qiáng)度(見(jiàn)圖4B)。然后使用顯影劑顯影曝光的第二光致抗蝕劑圖案520b，從而對(duì)應(yīng)于具有較低高度的狹縫區(qū)A的第二光致抗蝕劑圖案520b的部分被去除。因此，第二柵電極墊層250b的部分被暴露。
參考圖4E，然后由第二光致抗蝕劑圖案520b暴露的第二柵電極墊層250b的暴露部分被去除。因此，第一柵電極墊層250a的一部分被暴露。然后第一光致抗蝕劑圖案520a和第二光致抗蝕劑圖案520b被去除。
參考圖4F，在具有柵電極221和柵電極墊250的第一絕緣基板210上沉積氮化硅(SiNx)層以形成柵極絕緣層222。在柵極絕緣層222上依次沉積非晶硅層和n型非晶硅層。沉積的非晶硅層和沉積的n型非晶硅層被構(gòu)圖以形成半導(dǎo)體層223和在半導(dǎo)體層223上的歐姆接觸層224。
在具有半導(dǎo)體層223和歐姆接觸層224的第一絕緣基板210上沉積第三金屬層(未顯示)。第三金屬層被構(gòu)圖以形成源電極225、漏電極226和數(shù)據(jù)電極墊270。源電極225和漏電極226在顯示區(qū)DA中。數(shù)據(jù)電極墊270在第二周邊區(qū)PA2中。第三金屬層例如包括鉻(Cr)。
TFT220包括柵電極221、柵極絕緣層222、半導(dǎo)體層223、歐姆接觸層224、源電極225和漏電極226，該TFT220形成于第一絕緣基板210上的顯示區(qū)DA中。柵電極墊250在第一周邊區(qū)PA1中。數(shù)據(jù)電極墊270在第二周邊區(qū)PA2中。鈍化層230形成于具有TFT220、柵電極墊250和數(shù)據(jù)電極墊270的第一絕緣基板210上。
參考圖4G，在具有鈍化層230的第一絕緣基板210上涂布光致抗蝕劑膜(未顯示)。第二掩模700在光致抗蝕劑膜上對(duì)準(zhǔn)。第二掩模700具有對(duì)應(yīng)于接觸孔235的第一開(kāi)口部分710、對(duì)應(yīng)于第一通路孔255的第二開(kāi)口部分720和對(duì)應(yīng)于第二通路孔275的第三開(kāi)口部分730。
光致抗蝕劑層通過(guò)第二掩模700曝光，且被顯影以形成光致抗蝕劑圖案(未顯示)。使用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，通過(guò)蝕刻劑部分地蝕刻鈍化層230和柵極絕緣層222。因此，對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口部分710的鈍化層230的一部分被去除以形成接觸孔235，通過(guò)接觸孔235部分地暴露漏電極226。
另外，對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口部分720的鈍化層230的一部分和對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口部分720的柵極絕緣層222的一部分被去除以形成第一通路孔255，通過(guò)第一通路孔255部分地暴露第一柵電極墊層250a。鈍化層230和柵極絕緣層222覆蓋開(kāi)口257中第二柵電極墊層250b的側(cè)面。柵極絕緣層222和鈍化層230向著第一通路孔255的中心比第二柵電極墊層250b延伸更大的距離。在圖4G中，第一通路孔255的尺寸小于第二柵電極墊層250b的開(kāi)口的尺寸。
參考圖4H，在具有接觸孔235以及第一通路孔255和第二通路孔275的第一絕緣基板210上沉積透明導(dǎo)電層，且將該透明導(dǎo)電層構(gòu)圖?？梢杂糜谕该鲗?dǎo)電層的透明導(dǎo)電材料的示例包括氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)。因此，像素電極240形成于顯示區(qū)DA中，第一透明電極260形成于第一周邊區(qū)PA1中。另外，第二透明電極280形成于第二周邊區(qū)PA2中。因此，形成了陣列基板。
像素電極240通過(guò)接觸孔235電連接到漏電極226。第一透明電極260通過(guò)第一通路孔255電連接到第一柵電極墊層250a。第二透明電極280通過(guò)第二通路孔275電連接到數(shù)據(jù)電極墊層270。
第一透明電極260與柵電極墊250的第二柵電極墊層250b不直接接觸。即，第二柵電極墊層250b由柵極絕緣層222和鈍化層230部分地覆蓋，從而第一透明電極260與第二柵電極墊層250b分開(kāi)。
在圖4A到4H中，柵電極和柵電極墊具有雙層膜結(jié)構(gòu)，其包括鉻(Cr)層和鋁釹(AlNd)層。源電極、漏電極和數(shù)據(jù)電極墊每個(gè)也可以具有雙層膜結(jié)構(gòu)。當(dāng)數(shù)據(jù)電極墊具有雙層膜結(jié)構(gòu)時(shí)，第二通路孔也可以具有與第一通路孔基本相同的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，陣列基板包括具有雙層膜結(jié)構(gòu)的柵電極和柵電極墊，其包括第一金屬層和在第一金屬層上的第二金屬層。第一金屬層可以為鉻層，且第二金屬層可以為鋁釹層。第二金屬層被部分地構(gòu)圖，且然后形成通過(guò)其部分地暴露柵電極墊的通路孔，從而絕緣層部分地覆蓋第二金屬層。絕緣層可以為柵極絕緣層和鈍化層。
因此，雖然裂紋可以通過(guò)底切形成于柵電極上的透明電極中，但是也可以防止在第二金屬層和透明電極之間的離子反應(yīng)，第二金屬層可以包括鋁釹層，由此防止透明電極的侵蝕。因此提高了LCD設(shè)備的可靠性。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但是可以理解本發(fā)明不應(yīng)限于這些實(shí)施例，而是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在由權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板，包括顯示區(qū)和與所述顯示區(qū)相鄰的周邊區(qū)；電極墊，在所述周邊區(qū)中，所述電極墊包括第一金屬層；和第二金屬層，所述第二金屬層在所述第一金屬層上且包括開(kāi)口，通過(guò)所述開(kāi)口所述第一金屬層被部分地暴露；在所述電極墊上的絕緣層，所述絕緣層在所述開(kāi)口中覆蓋所述第二金屬層的側(cè)面和所述第一金屬層被暴露的部分；和在所述絕緣層上的透明電極，其中所述透明電極通過(guò)所述絕緣層中的通路孔電連接到所述第一金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述第一金屬層包括鉻，所述第二金屬層包括鋁釹。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括在所述顯示區(qū)中的開(kāi)關(guān)元件，所述開(kāi)關(guān)元件包括具有所述第一金屬層和在所述第一金屬層上的第二金屬層的電極；和在所述開(kāi)關(guān)元件上的鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述電極墊是柵電極墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述電極墊是數(shù)據(jù)電極墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述透明電極通過(guò)所述絕緣層從所述第二金屬層分開(kāi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中所述透明電極和所述第二金屬層之間的距離基本上等于所述絕緣層的厚度。
8.一種陣列基板制造方法，包括在基板的周邊區(qū)中形成電極墊，所述電極墊包括第一金屬層和在所述第一金屬層上的第二金屬層，其中所述第二金屬層被部分地去除以部分地暴露所述第一金屬層；在所述電極墊上形成絕緣層；構(gòu)圖所述絕緣層以形成通路孔，由此所述絕緣層覆蓋所述第二金屬層的側(cè)面和所述第一金屬層被暴露的部分；和形成透明電極，所述透明電極通過(guò)所述通路孔電連接到所述第一金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述電極墊包括在所述基板上形成所述第一金屬層；在所述第一金屬層上形成第二金屬層；在所述第二金屬層上形成光致抗蝕劑膜；使用預(yù)定的掩模構(gòu)圖所述光致抗蝕劑膜來(lái)形成包括狹縫區(qū)的第一光致抗蝕劑圖案，所述狹縫區(qū)具有比所述第一光致抗蝕劑圖案的其他部分更低的高度；使用所述第一光致抗蝕劑圖案構(gòu)圖所述第一金屬層和第二金屬層，以形成所述電極墊；去除對(duì)應(yīng)于所述狹縫區(qū)的第一光致抗蝕劑圖案的一部分；以及使用沒(méi)有所述狹縫區(qū)的光致抗蝕劑圖案去除所述電極墊的第二金屬層以部分地暴露所述第一金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述掩模包括所述狹縫區(qū)中的狹縫圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中去除對(duì)應(yīng)于所述狹縫區(qū)的所述第一光致抗蝕劑的部分包括將所述基板的后表面曝光；和使用顯影劑顯影所述第一光致抗蝕劑圖案來(lái)部分地去除對(duì)應(yīng)于所述狹縫區(qū)的第一光致抗蝕劑圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述基板上相鄰于所述周邊區(qū)的顯示區(qū)中形成開(kāi)關(guān)元件，其中所述開(kāi)關(guān)元件包括電極，且所述電極包括第一和第二金屬層；在所述開(kāi)關(guān)元件上形成所述絕緣層；構(gòu)圖所述絕緣層以形成接觸孔，通過(guò)所述接觸孔部分地暴露所述開(kāi)關(guān)元件；和形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述接觸孔電連接到所述開(kāi)關(guān)元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一金屬層包括鉻，所述第二金屬層包括鋁釹。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述透明電極通過(guò)所述絕緣層從所述第二金屬層分開(kāi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述透明電極和所述第二金屬層之間的距離基本等于所述絕緣層的厚度。
16.一種液晶顯示器設(shè)備，包括第一基板；面對(duì)所述第一基板的第二基板，所述第二基板包括電極墊，所述電極墊具有第一金屬層和在所述第一金屬層上的第二金屬層，所述第二金屬層包括開(kāi)口，通過(guò)所述開(kāi)口部分地暴露所述第一金屬層；在所述電極墊上的絕緣層，所述絕緣層在所述開(kāi)口中覆蓋所述第二金屬層的側(cè)面和所述開(kāi)口中第一金屬層被暴露的部分；和在所述絕緣層上的透明電極，其中所述透明電極通過(guò)所述絕緣層中的通路孔電連接到所述第一金屬層；液晶層，夾置在所述第二基板和所述第一基板之間；和發(fā)光單元，設(shè)置于所述第二基板下。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器設(shè)備，其中所述透明電極通過(guò)所述絕緣層從所述第二金屬層分開(kāi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器設(shè)備，其中所述透明電極和所述第二金屬層之間的距離基本等于所述絕緣層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法和包括該陣列基板的液晶顯示區(qū)設(shè)備。所述陣列基板包括基板、電極墊、絕緣層和透明電極?；灏@示區(qū)和與顯示區(qū)相鄰的周邊區(qū)。電極墊在周邊區(qū)中。電極墊包括第一金屬層和第二金屬層。第二金屬層在第一金屬層上且包括開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口第一金屬層被部分地暴露，絕緣層在電極墊上且在開(kāi)口中覆蓋第二金屬層的側(cè)面和第一金屬層暴露的部分。透明電極在絕緣層上，且通過(guò)絕緣層中的通路孔電連接到第一金屬層。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1953190SQ200610136258
公開(kāi)日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月20日
發(fā)明者安賢宰, 林鉉洙, 李仁成, 安基完, 邊宰成 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社