專(zhuān)利名稱(chēng)：有源矩陣型液晶顯示器及其像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具高開(kāi)口率(aperture ratio)的有源矩陣型液晶顯示器及其像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
圖1A為一平面示意圖，顯示一公知有源矩陣型液晶顯示器(active matrixliquid crystal display；AM LCD)的有源元件基板(active element substrate)上構(gòu)成一像素結(jié)構(gòu)100的不同膜層，圖1B為沿圖1A的A-A線橫切而得的剖面圖，顯示該像素結(jié)構(gòu)100的一儲(chǔ)存電容器(storage capacitor)Cst設(shè)計(jì)。
如圖1A所示，薄膜晶體管(thin film transistor；TFT)102例示為一n型非晶硅薄膜晶體管(n-type a-Si TFT)，其柵極102g連接掃描線104，源極102s連接到數(shù)據(jù)線106，且漏極102d經(jīng)由接觸孔108連接像素電極110。請(qǐng)參考圖1B，儲(chǔ)存電容器Cst是由共同配線112間隔柵極絕緣層(gateinsulator)114、鈍化層(passivation insulator)116與像素電極110所構(gòu)成。作為儲(chǔ)存電容器Cst下電極的共同配線112是于進(jìn)行公知第一金屬層(metal 1)工藝時(shí)與薄膜晶體管102的柵極102g共同形成。
一般而言，儲(chǔ)存電容器Cst的電容值取決于上、下電容電極兩者疊合的面積、所夾的介電層厚度與介電層的介電常數(shù)來(lái)決定。然而，上述的儲(chǔ)存電容器Cst設(shè)計(jì)，其構(gòu)成儲(chǔ)存電容器Cst的兩電極(共同配線112與像素電極110)間所夾的介電層過(guò)厚(同時(shí)包含柵極絕緣層114及鈍化層116)，若欲獲得所需的儲(chǔ)存電容值，需大幅增加作為下電極的共同配線112的面積。然而，共同配線112由不透光的第一金屬層材料所構(gòu)成，如此即導(dǎo)致該像素結(jié)構(gòu)100的開(kāi)口率(aperture ratio)顯著下降。
圖2A及圖2B為顯示具有另一種儲(chǔ)存電容器Cst設(shè)計(jì)的公知像素結(jié)構(gòu)200的示意圖，圖2B為沿圖2A的B-B線橫切而得的剖面圖。
如圖2A所示，薄膜晶體管202例示為一n型非晶硅薄膜晶體管(n-type a-SiTFT)，其柵極202g連接掃描線204，源極202s連接到數(shù)據(jù)線206，且漏極202d則經(jīng)由接觸孔220連接像素電極212。儲(chǔ)存電容器Cst由一下電極208與上電極210所構(gòu)成。像素電極212經(jīng)由一接觸孔214與上電極210連接。儲(chǔ)存電容器的下電極208是在進(jìn)行公知第一金屬層(metal 1)工藝時(shí)與薄膜晶體管202的柵極202g共同形成。儲(chǔ)存電容器的上電極210則在進(jìn)行公知第二金屬層(metal2)工藝時(shí)與薄膜晶體管202的源極202s及漏極202d共同形成。
請(qǐng)參考圖2B，依該儲(chǔ)存電容器Cst設(shè)計(jì)，儲(chǔ)存電容器Cst的下電極208(第一金屬層構(gòu)成)與上電極210(第二金屬層構(gòu)成)兩者間僅間隔柵極絕緣層216而未間隔鈍化層218。因此，與前述圖1A、1B所示的儲(chǔ)存電容器設(shè)計(jì)相比，因兩電容電極所夾的介電層較薄而得以減小兩電容電極的面積。然而，為確保導(dǎo)電異物不會(huì)沿下電極208邊緣殘留在柵極絕緣層216，同時(shí)考慮所能容許的制造公差，在利用該設(shè)計(jì)的液晶陣列基板實(shí)際制造過(guò)程中，下電極208通常會(huì)形成一比所需電容值更大的面積，以確保上電極210能置于下電極208所涵蓋區(qū)域內(nèi)，如此不僅造成材料浪費(fèi)且使該像素結(jié)構(gòu)200的開(kāi)口率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種液晶顯示裝置及其像素結(jié)構(gòu)，其能通過(guò)儲(chǔ)存電容器的改進(jìn)結(jié)構(gòu)而獲得良好開(kāi)口率，有效提升顯示器的對(duì)比表現(xiàn)。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種具儲(chǔ)存電容器的像素結(jié)構(gòu)，其包含一第一金屬層(metal 1 layer)、一柵極絕緣層、一第二金屬層(metal 2 layer)、一鈍化層及一像素電極。第一金屬層界定出一共用配線、一掃描線及一有源元件的柵極區(qū)域，且覆蓋第一金屬層的柵極絕緣層具有至少一接觸孔以暴露部份第一金屬層的共用配線。第二金屬層形成于柵極絕緣層上且界定出一數(shù)據(jù)線、有源元件的漏極及源極區(qū)域及一儲(chǔ)存電容電極，且儲(chǔ)存電容電極經(jīng)由柵極絕緣層的接觸孔電連接第一金屬層所制成的共用配線。一鈍化層覆蓋該第二金屬層，且一像素電極形成于鈍化層上并與儲(chǔ)存電容電極間隔該鈍化層構(gòu)成一儲(chǔ)存電容器。由第二金屬層構(gòu)成的儲(chǔ)存電容電極亦可作為像素結(jié)構(gòu)中的一遮光線。
本發(fā)明還提出一種有源矩陣型液晶顯示器，其包含一濾光片基板，其上形成一共用電極；一有源元件基板；一液晶層，夾設(shè)于該濾光片基板與該有源元件基板間；及多道彼此正交的掃描線及數(shù)據(jù)線，形成于該有源元件基板上，兩相鄰的掃描線及兩相鄰的數(shù)據(jù)線界定出一像素區(qū)域，且該像素區(qū)域具有一有源元件，形成于該掃描線及該數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處；一共用配線，形成于兩相鄰掃描線之間且電連接該共用電極；一第一介電層，覆蓋該共用配線且具有至少一接觸孔以暴露該共用配線；一遮光金屬層，形成于該第一介電層上且經(jīng)由該接觸孔電連接該共用配線；一第二介電層，覆蓋該遮光金屬層；及一像素電極，形成于該第二介電層上，該像素電極與該遮光金屬層間隔該第二介電層構(gòu)成該有源矩陣型液晶顯示器的一儲(chǔ)存電容器。
此外，本發(fā)明還提出另一種有源矩陣型液晶顯示器，其包含一濾光片基板，其上形成一共用電極；一有源元件基板；一液晶層，夾設(shè)于該濾光片基板與該有源元件基板間；多道彼此正交的掃描線及數(shù)據(jù)線，形成于該有源元件基板上；多個(gè)薄膜晶體管，各薄膜晶體管形成于該掃描線及該數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)處；多個(gè)第一金屬層構(gòu)成的共用配線，各共用配線形成于兩相鄰掃描線間且電連接該共用電極；一第一介電層，覆蓋所述共用配線且具有多個(gè)接觸孔以暴露各共用配線；一第二金屬層構(gòu)成的一儲(chǔ)存電容電極，形成于該第一介電層上且經(jīng)由該些接觸孔電連接所述共用配線；一第二介電層，覆蓋該儲(chǔ)存電容電極；及一像素電極，形成于該第二介電層上且該像素電極與該儲(chǔ)存電容電極間隔該第二介電層構(gòu)成該有源矩陣型液晶顯示器的一儲(chǔ)存電容器。
通過(guò)本發(fā)明的設(shè)計(jì)，因本發(fā)明儲(chǔ)存電容器的兩電容電極僅間隔厚度較薄的鈍化層，故僅需較小的電極面積即可維持相同的電容值，因此可有效減少不透光的金屬電極面積而提高像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。再者，本發(fā)明的儲(chǔ)存電容電極不須形成一比所需電容值更大的面積來(lái)確保兩電極間的精確對(duì)位，如此不僅能有效減少不透光的金屬電極面積來(lái)提高開(kāi)口率，同時(shí)亦節(jié)省金屬電極材料而降低成本。


圖1A為一平面示意圖，顯示一公知有源矩陣型液晶顯示器的有源元件基板上構(gòu)成一像素結(jié)構(gòu)的不同膜層。
圖1B為沿圖1A的A-A線橫切而得的剖面圖。
圖2A為一平面示意圖，顯示一公知有源矩陣型液晶顯示器的有源元件基板上構(gòu)成另一像素結(jié)構(gòu)的不同膜層。
圖2B為沿圖2A的B-B線橫切而得的剖面圖。
圖3為依本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示一有源矩陣型液晶顯示器的局部剖面示意簡(jiǎn)圖。
圖4A為依本發(fā)明一實(shí)施例的平面示意圖，顯示一有源矩陣型液晶顯示器的有源元件基板上構(gòu)成一像素結(jié)構(gòu)的不同膜層。
圖4B為沿圖4A的C-C線橫切而得的剖面圖。
圖4C顯示依本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
圖5為一示意圖，顯示本發(fā)明利用第二金屬層構(gòu)成的電容電極作為遮光線的一實(shí)施例。
圖6為一示意圖，顯示本發(fā)明利用第二金屬層構(gòu)成的電容電極作為遮光線的另一實(shí)施例。
主要元件符號(hào)說(shuō)明10、液晶顯示器 12、濾光片基板14、有源元件基板16、液晶層18、有源元件22、像素電極24、34、配向?qū)? 26、彩色濾光片
28、黑矩陣層 32、共用電極40、像素結(jié)構(gòu) 42、第一金屬層44、第二金屬層 46、像素電極48、掃描線 52、薄膜晶體管52c、通道層52d、漏極52e、n+非晶硅層52g、柵極52s、源極 54、共用配線56、數(shù)據(jù)線 58、電容電極62、柵極絕緣層 64、鈍化層66、接觸孔 100、像素結(jié)構(gòu)102、薄膜晶體管102d、漏極102g、柵極 102s、源極104、掃描線106、數(shù)據(jù)線108、接觸孔110、像素電極112、共用配線 114、柵極絕緣層116、鈍化層200、像素結(jié)構(gòu)202、薄膜晶體管202d、漏極202g、柵極 202s、源極204、掃描線206、數(shù)據(jù)線208、下電極210、上電極212、像素電極 214、220、接觸孔216、柵極絕緣層218、鈍化層具體實(shí)施方式
圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示一有源矩陣型液晶顯示器(active matrixliquid crystal display；AM LCD)10的局部剖面示意簡(jiǎn)圖。
如圖3所示，液晶顯示器10包含一濾光片基板12及一有源元件基板(active element substrate)14，且兩基板間夾設(shè)一液晶層16。有源元件基板14上面向液晶層16的一側(cè)形成有如薄膜晶體管(TFT)的有源元件18、像素電極22及配向?qū)?4。濾光片基板12面向液晶層16的一側(cè)形成有彩色濾光片26、隔開(kāi)不同色彩的濾光片的遮光黑矩陣層28、共用電極32及配向?qū)?4。
圖4A為依本發(fā)明一實(shí)施例的平面示意圖，顯示一有源矩陣型液晶顯示器(AMLCD)的有源元件基板14上構(gòu)成一像素結(jié)構(gòu)40的不同膜層，且圖4B為沿圖4A的C-C線橫切而得的剖面圖，以顯示本發(fā)明于該像素結(jié)構(gòu)40中的儲(chǔ)存電容器Cst結(jié)構(gòu)。
如圖4A所示，有源元件基板14上形成多道相互平行的掃描線(scanline)48及相互平行的數(shù)據(jù)線(data line)56，且兩相鄰的掃描線48正交于兩相鄰的數(shù)據(jù)線56而圈圍出一像素區(qū)域。如氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide；IZO)透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極46分布于該像素區(qū)域上，且如薄膜晶體管52的一有源元件形成于掃描線48與數(shù)據(jù)線56交叉點(diǎn)處。
請(qǐng)同時(shí)參考圖4A及圖4B，在該像素結(jié)構(gòu)40中，一第一金屬層(metal 1layer)42形成于有源元件基板14上，該第一金屬層42包含掃描線48、薄膜晶體管52的柵極52g以及一共用配線(common line)54。第一金屬層42可由沉積如鉻(Cr)、鉭(Ta)、鋁/鉬(Al/Mo)之類(lèi)金屬膜于基板14上，再經(jīng)光刻圖案化工藝形成。
一具有介電效果的柵極絕緣層(gate insulator)62覆蓋該第一金屬層42，柵極絕緣層62可以化學(xué)氣相沉積方式將氮化硅(SiN)材料沉積于第一金屬層42上形成。
一如非晶硅膜構(gòu)成的薄膜晶體管通道層52c、n+非晶硅層52e及一第二金屬層(metal 2 layer)44形成于柵極絕緣層62上。第二金屬層44包含薄膜晶體管52的源極52s、漏極52d、數(shù)據(jù)線56及一儲(chǔ)存電容電極58，第二金屬層44可由濺鍍?nèi)玟X/鉻(Al/Cr)、鋁/鈦(Al/Ti)、鈦(Ti)、鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)的金屬膜于柵極絕緣層62上，且第二金屬層44于薄膜晶體管52形成區(qū)域上覆蓋通道層52c及n+非晶硅層52e，再以光刻圖案化工藝形成。源極52s與漏極52d配置于柵極52g上方的通道層52c兩側(cè)，薄膜晶體管52的柵極52g、源極52s及漏極52d分別與掃描線48、數(shù)據(jù)線56及像素電極46電性連接。
一具有介電效果的鈍化層(passivation insulator)設(shè)置于柵極絕緣層62及第二金屬層44上，以覆蓋薄膜晶體管52的源極52s、漏極52d、數(shù)據(jù)線56及儲(chǔ)存電容電極58，該鈍化層例如可由氮化硅(SiN)材料制成。如ITO或IZO透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明像素電極46設(shè)置于該鈍化層64上。
詳如圖4B所示，依本發(fā)明的設(shè)計(jì)，像素結(jié)構(gòu)40的儲(chǔ)存電容器Cst是由第二金屬層44構(gòu)成的電容電極58與像素電極46兩者間隔鈍化層64所形成。再者，柵極絕緣層62具有開(kāi)口以形成貫穿柵絕緣膜的接觸孔66，使第二金屬層44構(gòu)成的電容電極58與第一金屬層42構(gòu)成的共用配線54經(jīng)由接觸孔66電性連接。
和圖1B的公知結(jié)構(gòu)相比，因本發(fā)明儲(chǔ)存電容器Cst的兩電容電極58、46僅間隔鈍化層64，故僅需較小的電極面積即可維持相同的電容值，因此可有效減少不透光的金屬電極面積而提高該像素結(jié)構(gòu)40的開(kāi)口率。另一方面，和圖2B的公知結(jié)構(gòu)相比，因本發(fā)明的儲(chǔ)存電容器Cst是由第二金屬層44構(gòu)成的電容電極58與像素電極46兩者所構(gòu)成，故電容電極58不須形成一比所需電容值更大的面積來(lái)確保兩電極間的精確對(duì)位，如此不僅能有效減少不透光的金屬電極面積來(lái)提高開(kāi)口率，同時(shí)亦節(jié)省金屬電極材料而降低成本。再者，在目前液晶陣列基板制造過(guò)程中，鈍化層64的設(shè)計(jì)厚度通常比柵極絕緣層62薄。因此，本發(fā)明的兩電容電極58、46僅間隔厚度較薄的鈍化層64，故可進(jìn)一步減少所需電極面積而使開(kāi)口率更加提高。
圖4C顯示依本發(fā)明設(shè)計(jì)的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖，由圖4C可清楚看出本發(fā)明儲(chǔ)存電容器與其他元件的電連接方式。薄膜晶體管52的柵極52g電連接掃描線48、源極52s電連接數(shù)據(jù)線56、且漏極52d電連接像素電極46。共用配線54形成于兩相鄰掃描線48間且電連接形成于濾光片基板12上的共用電極32。共用電極32和共用配線54可由外部施加一基準(zhǔn)電壓，一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)傳送數(shù)據(jù)信號(hào)給數(shù)據(jù)線56，且一柵極驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)傳送掃描線信號(hào)給掃描線48。有源元件基板14上的像素電極46與濾光片基板12上的共用電極32構(gòu)成一液晶電容Clc，儲(chǔ)存電容器Cst其由第二金屬層44構(gòu)成的電容電極58，經(jīng)由接觸孔66與第一金屬層42構(gòu)成的共用配線54電性連接。儲(chǔ)存電容器Cst的兩電容電極僅間隔厚度較薄的鈍化層64，故僅需較小電極面積即可獲得所需電容值，而可有效提高開(kāi)口率。
再者，依本發(fā)明的設(shè)計(jì)，由第二金屬層44構(gòu)成的電容電極58的分布位置，并不限定于如圖4A所例示位于像素區(qū)域中間的橫向分布，而可視實(shí)際需要加以變化。舉例而言，液晶顯示器下基板的像素電極46是對(duì)應(yīng)上基板的共同電極(未圖示)以共同產(chǎn)生垂直電場(chǎng)，但像素電極46分布區(qū)域通常小于共同電極的分布區(qū)域，如此在像素電極46周邊亦對(duì)應(yīng)該共同電極但無(wú)像素電極46分布的部份下基板區(qū)域處，容易產(chǎn)生變形電場(chǎng)而影響液晶分子于導(dǎo)通狀態(tài)(Von)下的指向控制，造成漏光現(xiàn)象。因此，如圖5所示，亦可將第二金屬層44構(gòu)成的電容電極58延伸形成于鄰近數(shù)據(jù)線56的像素區(qū)域邊緣，構(gòu)成左右兩道遮光線而獲得遮蔽泄露的異常光的效果。當(dāng)然，該電容電極58構(gòu)成的遮光線的形成位置、面積及厚度并不限定，僅需獲得良好遮光效果即可。例如，亦可如圖6所示，將遮光線形成于像素區(qū)域四個(gè)緣邊而框圍整個(gè)像素區(qū)域，以完全避免因各種因素造成的像素邊緣露光問(wèn)題。
雖然本發(fā)明已以具體實(shí)施例揭示，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的前提下所作出的等同組件的置換，或依本發(fā)明專(zhuān)利保護(hù)范圍所作的等同變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本專(zhuān)利涵蓋的范疇。
權(quán)利要求
1.一種具有儲(chǔ)存電容器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一第一金屬層，形成于一基板上，該第一金屬層界定出一共用配線、一掃描線及一有源元件的柵極區(qū)域；一第一介電層，覆蓋該第一金屬層，該第一介電層具有至少一接觸孔以暴露部份該第一金屬層；一第二金屬層，形成于該第一介電層上，該第二金屬層界定出一數(shù)據(jù)線、該有源元件的漏極及源極區(qū)域及該儲(chǔ)存電容器的一第一電容電極，且該第一電容電極經(jīng)由該第一介電層的該接觸孔電連接該第一金屬層；一第二介電層，覆蓋該第二金屬層；及一像素電極，形成于該第二介電層上且構(gòu)成該儲(chǔ)存電容器的一第二電容電極。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電層為一柵極絕緣層且該第二介電層為一鈍化層。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電容電極經(jīng)由該柵極絕緣層的該接觸孔電連接該共用配線。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該有源元件為一薄膜晶體管，且該薄膜晶體管位于該掃描線與該數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電容電極形成為該像素結(jié)構(gòu)的至少一遮光線。
6.一種有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，包含一濾光片基板，其上形成一共用電極；一有源元件基板；一液晶層，夾設(shè)于該濾光片基板與該有源元件基板間；及多道彼此正交的掃描線及數(shù)據(jù)線，形成于該有源元件基板上，兩相鄰的掃描線及兩相鄰的數(shù)據(jù)線界定出一像素區(qū)域，且該像素區(qū)域具有一有源元件，形成于該掃描線及該數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處；一共用配線，形成于兩相鄰掃描線之間且電連接該共用電極；一第一介電層，覆蓋該共用配線且具有至少一接觸孔以暴露該共用配線；一遮光金屬層，形成于該第一介電層上且經(jīng)由該接觸孔電連接該共用配線；一第二介電層，覆蓋該遮光金屬層；及一像素電極，形成于該第二介電層上，該像素電極與該遮光金屬層間隔該第二介電層構(gòu)成該有源矩陣型液晶顯示器的一儲(chǔ)存電容器。
7.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該共用配線是由一第一金屬層所構(gòu)成，且該遮光金屬層是由一第二金屬層所構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該第二介電層厚度小于該第一介電層厚度。
9.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該第一介電層為一柵極絕緣層且該第二介電層為一鈍化層。
10.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該有源元件為一薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極電連接該掃描線、源極電連接該數(shù)據(jù)線、且漏極電連接該像素電極。
11.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該遮光金屬層形成為位于該像素區(qū)域中央的一遮光線。
12.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該遮光金屬層形成為該像素區(qū)域中鄰近該數(shù)據(jù)線位置處的多道遮光線。
13.如權(quán)利要求6所述的有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，該遮光金屬層分布于該像素區(qū)域的各個(gè)緣邊。
14.一種有源矩陣型液晶顯示器，其特征在于，包含一濾光片基板，其上形成一共用電極；一有源元件基板；一液晶層，夾設(shè)于該濾光片基板與該有源元件基板間；多道彼此正交的掃描線及數(shù)據(jù)線，形成于該有源元件基板上；多個(gè)薄膜晶體管，各薄膜晶體管形成于該掃描線及該數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)處；多個(gè)第一金屬層構(gòu)成的共用配線，各共用配線形成于兩相鄰掃描線間且電連接該共用電極；一第一介電層，覆蓋所述共用配線且具有多個(gè)接觸孔以暴露各共用配線；一第二金屬層構(gòu)成的一儲(chǔ)存電容電極，形成于該第一介電層上且經(jīng)由該些接觸孔電連接所述共用配線；一第二介電層，覆蓋該儲(chǔ)存電容電極；及一像素電極，形成于該第二介電層上且該像素電極與該儲(chǔ)存電容電極間隔該第二介電層構(gòu)成該有源矩陣型液晶顯示器的一儲(chǔ)存電容器。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有源矩陣型液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，其具有由一電容電極及一像素電極兩者間隔一鈍化層所構(gòu)成的儲(chǔ)存電容器。電容電極是由第二金屬層(metal 2 layer)所構(gòu)成，且其經(jīng)由一柵極絕緣層的接觸孔電連接由第一金屬層(metal 1 layer)構(gòu)成的共用配線。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，能通過(guò)儲(chǔ)存電容器的改進(jìn)結(jié)構(gòu)而獲得良好開(kāi)口率，有效提升顯示器的對(duì)比表現(xiàn)。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK101055383SQ20061007223
公開(kāi)日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2006年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月12日
發(fā)明者郭建忠, 周怡伶 申請(qǐng)人:勝華科技股份有限公司