專利名稱：用于校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)和光學(xué)鄰近校正的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體器件制造，尤其涉及用于校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)和光學(xué)鄰近校正的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體襯底上制造集成電路通常包括多種光刻步驟。光刻過程首先在襯底表面上施加光致抗蝕劑材料薄層。然后通過光刻曝光工具將光致抗蝕劑暴露給輻射源，其改變了在暴露給輻射的區(qū)域上的光致抗蝕劑的可溶性。所述光刻曝光工具通常包括不與曝光輻射相互作用的透明區(qū)域、以及與曝光輻射相互作用的被構(gòu)圖的一種或多種材料，所述相互作用或者阻擋輻射或者偏移輻射的相位。
由于每個連續(xù)代的集成電路上都在半導(dǎo)體襯底上布滿了越來越多的電路元件，有必要減小特征的尺寸，所述特征即為構(gòu)成電路元件的線路和間隔。能在襯底上精確制造的最小特征尺寸受到下述因素的限制在襯底上形成掩模圖形的無變形光學(xué)圖像的制造工藝能力、光致抗蝕劑與顯影液的化學(xué)和物理反應(yīng)、以及使用被構(gòu)圖的光致抗蝕劑的后續(xù)工藝(如蝕刻或擴(kuò)散)的均勻性。
當(dāng)光刻系統(tǒng)試圖印刷的電路元件的尺寸接近曝光輻射的波長時，所產(chǎn)生的印刷電路元件的形狀變得與掩模上的相應(yīng)圖形明顯不同。例如，電路元件的線寬可能隨著其它線路的鄰近而改變。這種不一致的線寬可能導(dǎo)致本應(yīng)相同的電路元件以不同速度運(yùn)行，從而對整個集成電路的運(yùn)行產(chǎn)生問題。另一個實(shí)例是，線路端部趨向于縮短或“拉后”。當(dāng)線路自身更小時，這種微小的縮短量會變得更加明顯。此外，線端的拉后可能導(dǎo)致連接的遺漏或減弱，從而容易發(fā)生故障。
因此，在20世紀(jì)70年代早期發(fā)展了光學(xué)鄰近校正(OPC)，作為用于解決半導(dǎo)體制造中的光刻變形的方法。OPC的目的是利用通過增強(qiáng)晶片圖形的“可印刷性”而設(shè)置的給定設(shè)備，在IC中制造更小的特征。尤其是，OPC系統(tǒng)地改變光掩模的幾何圖形，以補(bǔ)償由光衍射和抗蝕劑工藝效應(yīng)導(dǎo)致的非線性變形。例如，這些變形包括隨圖形密度變化的線寬變化，其會影響器件的運(yùn)行速度，還包括可能斷開觸頭連接的線端縮短。原因包括在抗蝕劑和蝕刻處理中的標(biāo)線(reticle)圖形逼真度、光學(xué)鄰近效應(yīng)、以及擴(kuò)散和負(fù)載效應(yīng)。結(jié)合OPC的掩模從而是這樣的系統(tǒng)，其在圖形轉(zhuǎn)移中試圖消除不希望的變形效應(yīng)。
OPC的工作是通過對預(yù)期具有變形的IC布局進(jìn)行微小改變。為了補(bǔ)償線端縮短，利用錘頭形狀延伸線路，從而使抗蝕劑中的線路大大接近于初始的預(yù)定布局。為了補(bǔ)償圓形倒角，將襯線形狀增加(或從倒角去除)到倒角，以在硅中產(chǎn)生更接近理想布局的倒角。確定最優(yōu)的類型、尺寸和對稱(或不對稱)非常復(fù)雜，其依賴于鄰近的幾何圖形和處理參數(shù)。而且，通常需要復(fù)雜的計(jì)算機(jī)程序以正確實(shí)現(xiàn)OPC。
從而，隨著希望的和實(shí)際的光刻分辨率的差距持續(xù)增大，越來越多地采用了復(fù)雜的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和OPC來保持有利潤的芯片產(chǎn)量。但是，對于校驗(yàn)這些復(fù)雜的RET和OPC方案是否已獲得最優(yōu)化的(或甚至足夠的)掩模圖形，不是一項(xiàng)簡單的任務(wù)。基于模型的校驗(yàn)，又稱為光學(xué)規(guī)則檢查(ORC)，是一種在模擬晶片圖像上實(shí)現(xiàn)形狀檢查的方法。盡管RET和OPC增強(qiáng)布局形狀的模擬晶片圖像提供了對特定布局形狀的構(gòu)圖的定性了解(并且在某些情況下允許提取例如局部特征的寬度或間距的定量信息)，但是要確保給定光掩模板上的全部數(shù)百萬個形狀可以形成功能電路是非常困難的。這是部分由于難于設(shè)計(jì)對巨大數(shù)量的模擬圖像的有效而安全的測量，使得輸出報告不會充滿錯誤的損壞誤差。
難于在大型設(shè)計(jì)上進(jìn)行可靠ORC的另一因素是晶片目標(biāo)規(guī)格的不確定性。一些參數(shù)，例如溝槽長度控制，得到非常好的規(guī)定，并可以在模擬圖像中測量。但是，許多毀壞性的晶片故障發(fā)生在復(fù)雜的二維形狀上，經(jīng)常包括不易于在模擬晶片圖像上限定或測量的級間相互作用。

發(fā)明內(nèi)容
通過一種基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法，可以克服或減輕前述討論的現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足。在一個示例實(shí)施例中，所述方法包括將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像。根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移所述比例圖像的第一特征。計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度。根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述模擬晶片圖像的第二特征偏移所述繪制的掩模布局的模擬晶片圖像的第一特征，其中所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征對應(yīng)所述比例圖像的所述第一和所述第二特征。計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度，以及比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
在另一個實(shí)施例中，一種基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)的系統(tǒng)，包括縮放裝置，用于將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像。根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移所述比例圖像的第一特征。計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度。根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述模擬晶片圖像的第二特征偏移所述繪制的掩模布局的模擬晶片圖像的第一特征，其中所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征對應(yīng)所述比例圖像的所述第一和所述第二特征。計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度，以及比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
在另一個實(shí)施例中，一種存儲介質(zhì)，包括一種機(jī)器可讀計(jì)算機(jī)程序代碼，用于基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)；以及用于使計(jì)算機(jī)實(shí)施一種方法的指令。所述方法包括將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像。根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移所述比例圖像的第一特征。計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度。根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述模擬晶片圖像的第二特征偏移所述繪制的掩模布局的模擬晶片圖像的第一特征，其中所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征對應(yīng)所述比例圖像的所述第一和所述第二特征。計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度，以及比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。


參照下列示例附圖，其中用相同的標(biāo)號表示相同的元件圖1(a)示出了示例集成電路布局的部分，其特征在于聚合物導(dǎo)體(PC)和相連的傳導(dǎo)路徑，所述傳導(dǎo)路徑與對角陰影線中的接觸區(qū)域(CA)一起將所述PC連接到上一布線級；圖1(b)示例示出圖1(a)的設(shè)計(jì)布局在應(yīng)用RET和OPC之后的一個可能的模擬晶片圖像；圖2示出圖1(a)的示例集成電路的布局形狀，其被按比例縮小到預(yù)期的圖1(b)所示的模擬圖像的近似尺寸；圖3(a)到圖3(d)示出圖2的比例集成電路布局，其中在四個X-Y象限的每個中將所述PC與CA的交叉區(qū)域偏移(模擬的覆蓋誤差)確定的最大值；圖4(a)到圖4(d)示出圖1(b)的模擬晶片圖像，其中在四個X-Y象限中的每個中將所述PC與CA的交叉區(qū)域偏移如圖3(a)到圖3(d)所示的值；
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)和光學(xué)鄰近校正的方法的流程圖；以及圖6是實(shí)施圖5所示方法的示例計(jì)算系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
首先參照圖1(a)，示出了示例集成電路布局100的部分，其特征在于聚合物導(dǎo)體(PC)102(以純色示出)和相連的傳導(dǎo)路徑104，該路徑與接觸區(qū)域(CA)106(示出為對角陰影線)一起將相對于PC的連接焊接到上一布線級。如上所述，當(dāng)光刻系統(tǒng)試圖印刷其尺寸接近于曝光輻射的波長的電路元件時，所產(chǎn)生的印刷電路元件的形狀變得與掩模上的相應(yīng)圖形明顯不同。因此，為了提供對構(gòu)圖特定布局形狀的定性了解，已經(jīng)使用了RET和OPC增強(qiáng)布局形狀的模擬晶片圖像。圖1(b)從而示出了圖1(a)的設(shè)計(jì)布局100的一個可能的模擬晶片圖像110的示例圖。注意到，所述模擬晶片圖像110示出了模擬PC 112、路徑114以及接觸區(qū)域116中的變形。所述模擬晶片圖像110可以通過利用現(xiàn)有的基于模型、經(jīng)驗(yàn)校準(zhǔn)的光刻模擬工具來生成，例如在基于模型的光學(xué)臨近校正或基于模型的校驗(yàn)中通用的工具。
盡管現(xiàn)有技術(shù)中有形成模擬晶片圖像(尤其是，利用在直線路徑上的方形焊盤的非常簡單的實(shí)例)的能力，但是，對于施加到設(shè)計(jì)布局形狀上的RET和OPC技術(shù)是否實(shí)際形成滿意的晶片圖像，要給出定量判斷仍然非常困難。換言之，盡管可以形成如圖1(b)所示的模擬晶片圖像，但仍沒有方法可靠地預(yù)測(只基于模擬圖像)所述設(shè)計(jì)是否能形成功能芯片。
因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，公開了一種利用基于模型的校驗(yàn)的方法和系統(tǒng)，用于可靠地識別在的RET和OPC增強(qiáng)掩模圖像中的毀壞性故障。這樣實(shí)現(xiàn)該方法，首先將繪制的IC圖案的布局形狀按比例縮放到希望的晶片目標(biāo)尺寸。例如，圖2示出聚合物導(dǎo)體202和路徑204的比例圖像200(相對于圖1(a)的圖像100)，其尺寸與模擬晶片圖像110的尺寸相當(dāng)。在比例圖像200中，接觸區(qū)域206以PC 202為中心位于其上方。這樣，在理想情況下，接觸區(qū)域206和PC區(qū)域的交叉面積表現(xiàn)為PC 202的全部面積，即所示的雙向交叉陰影線區(qū)域。
然后，如圖3(a)到3(d)所示，將具有比例圖像的PC 202和CA 206相對彼此偏移這樣的距離，所述距離為在其下芯片可以正常工作的預(yù)定最大覆蓋誤差。在示例實(shí)施例中，在X-Y坐標(biāo)方格的每個象限(即+X+Y，-X+Y，-X-Y，+X-Y)中都執(zhí)行這種覆蓋偏移。在各個示例中，PC和CA區(qū)域的交叉面積(如雙向交叉陰影線所示)生成一個參數(shù)，該參數(shù)基本允許該簡單布局結(jié)構(gòu)正確運(yùn)行。利用常規(guī)CAD工具可以容易地實(shí)現(xiàn)計(jì)算該P(yáng)C與CA的交叉面積，并能得到理想布局的基本功能或產(chǎn)量量度Ai。在一個實(shí)施例中，可以通過對每個覆蓋偏移的交叉面積求和而確定Ai。
對應(yīng)于比例圖像200的每個覆蓋偏移，然后對圖1(b)所示的模擬晶片圖像110也執(zhí)行同樣的偏移操作。也就是說，對于X-Y坐標(biāo)方格的每個象限，將具有模擬晶片圖像110的模擬PC 202和CA 206相對彼此偏移這樣的距離，所述距離為同樣的預(yù)定最大覆蓋誤差。圖4(a)到圖4(d)示出在每個象限中將所述模擬晶片圖像110偏移最大覆蓋誤差。當(dāng)由構(gòu)圖模擬進(jìn)行預(yù)測時(在最壞覆蓋條件情況下)，所獲得的模擬PC 112和CA 116的交叉面積確定了實(shí)際功能或產(chǎn)量量度As。其中Ai通過對比例圖像200的每個覆蓋偏移的交叉面積求和來確定，而As相應(yīng)地通過對模擬圖像110的每個覆蓋偏移的交叉面積求和來確定。
如果不考慮局部布局環(huán)境的細(xì)節(jié)，通過下述公式，利用模擬圖像110相對于比例晶片圖像200的各自的功能或產(chǎn)量量度，考慮超過量變化(excessive variation)參數(shù)Δ，則現(xiàn)在可以識別毀壞性RET或OPC故障，Δ＝(Ai-As)/Ai然而，在對全部布局位置識別毀壞性故障極限中，使芯片發(fā)生故障的覆蓋面積的精確值A(chǔ)的一定量的不確定性仍是一個困難。然而，通過實(shí)驗(yàn)地確定單個參數(shù)Δ(其表示理想覆蓋面積和模擬覆蓋面積之差與理想覆蓋面積的比值)，可以看到，通過改善RET、OPC或構(gòu)圖方案而不斷地減小Δ，可以提高產(chǎn)量。
為概括上述方法，圖5示出了處理流程圖，其中描述利用基于模型的校驗(yàn)以可靠地識別RET和OPC增強(qiáng)掩模圖像中的毀壞性故障的方法500。如方框502所示，方法500首先將繪制的掩模布局形狀按比例縮放到其希望晶片尺寸。如圖504所示，將比例圖像相對于彼此偏移預(yù)定最大覆蓋誤差。在所述示例實(shí)施例中，實(shí)施了四個覆蓋誤差偏移(每個偏移對應(yīng)于X-Y軸的每個象限)。但是，也可以實(shí)現(xiàn)更多或更少的覆蓋偏移。然后，如方框506所示，對每個覆蓋偏移計(jì)算主體交叉參數(shù)(如聚合物導(dǎo)體與接觸區(qū)域的交叉面積)以確定理想布局的產(chǎn)量量度?？梢岳斫?，盡管這里只示出了單個布局位置，所述構(gòu)思同樣適用于多個級間和級內(nèi)性能或產(chǎn)量參數(shù)。
另外，盡管這里描述的示例實(shí)施例示出為比較所述比例和模擬圖像的交叉面積，可以理解，可以使用其它交叉“參數(shù)”用于這種比較。例如，還可以確定并比較比例和模擬圖像的接觸區(qū)域與聚合物導(dǎo)體區(qū)域的交叉周長。這樣，盡管聚合物導(dǎo)體和接觸區(qū)域形狀的交叉周長可能是比例圖像的精確限定的矩形，但是，由于例如圓形倒角和形狀內(nèi)間距(如不接觸地環(huán)繞觸點(diǎn)的金屬線)的影響，模擬圖像中相同形狀的相應(yīng)交叉可能在模擬圖像中顯著不同。
仍然參照圖5，如方框508所示，利用與所述比例圖像相同的最大覆蓋誤差，以同樣的方式偏移模擬晶片圖像(如本領(lǐng)域已知的通過基于模型的校驗(yàn)技術(shù)生成的圖像)。如方框510所示，然后計(jì)算利用每個覆蓋偏移的模擬PC和CA區(qū)域的交叉面積，以確定模擬布局的產(chǎn)量量度。然后，如方框512所示，根據(jù)上文給出的用于建立“超過量變化”參數(shù)Δ的公式，比較所確定的模擬圖像的產(chǎn)量量度和確定的比例圖像產(chǎn)量量度。
最后，圖6示出了示例計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600的實(shí)施例框圖，其中可以執(zhí)行圖5所示的方法。圖6所示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600旨在用來表示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一般范圍，因此這種可選的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以包括更多、更少和/或不同的部件。
如圖6所示，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600包括總線602或其它通信器件以傳輸信息，以及耦合到總線602的處理器604以處理信息。盡管所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600被示出具有單個處理器，但是還可以包括多個處理器和/或協(xié)處理器。在多處理器的實(shí)施例中，可以通過單元、儲存器或其它用于劃分處理器之間的工作的技術(shù)劃分由多個較驗(yàn)和可制造工具執(zhí)行的操作。例如，由一個處理器操作一個單元，而由不同的處理器操作另一個單元。當(dāng)完成所述單元操作時，處理器可以對另一個單元執(zhí)行較驗(yàn)操作。
將隨機(jī)存取存儲器(RAM)或其它類型的動態(tài)存儲設(shè)備606(圖6中示出為主存儲器)耦合到總線602，以存儲信息和將由處理器604執(zhí)行的指令。所述主存儲器606還可以用于在處理器602執(zhí)行指令中存儲臨時變量或其它中間信息。還示出了，將只讀存貯器(ROM)和/或其它靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備608耦合到總線602，用于存儲由處理器604執(zhí)行的靜態(tài)信息和其它指令，而將數(shù)據(jù)存儲設(shè)備610(如磁盤或光盤及其相應(yīng)的驅(qū)動器)耦合到總線602，用于存儲信息和指令。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600還可以通過總線602耦合到顯示設(shè)備612，例如陰極射線管(CRT)或液晶顯示器(LCD)，用于對計(jì)算機(jī)用戶顯示信息。可以將包括文字?jǐn)?shù)字以及其它鍵的文字?jǐn)?shù)字輸入設(shè)備614耦合到總線602，從而允許用戶把信息和命令選項(xiàng)傳送給處理器604?？捎糜谟?jì)算機(jī)系統(tǒng)600的其它類型的用戶輸入設(shè)備為光標(biāo)控制設(shè)備616，例如鼠標(biāo)、滾輪、或光標(biāo)方向鍵，用于把方向信息和命令選項(xiàng)傳送給處理器602，以及控制顯示器612上的光標(biāo)運(yùn)動。另外，可以使用網(wǎng)絡(luò)接口618以提供對網(wǎng)絡(luò)的訪問，例如局域網(wǎng)。
從上述得出，所述方法實(shí)施例從而可以采取計(jì)算機(jī)或控制器實(shí)施的工藝和用于實(shí)施所述工藝的裝置的形式。還可以將所述公開實(shí)施為包括存儲在有形介質(zhì)中的指令的計(jì)算機(jī)程序代碼的形式，所述有形介質(zhì)例如軟盤、CD-ROM、硬盤驅(qū)動器、或任何其它計(jì)算機(jī)可讀的存儲介質(zhì)，其中，當(dāng)計(jì)算機(jī)或控制器裝載并執(zhí)行上述計(jì)算機(jī)程序代碼時，所述計(jì)算機(jī)就成為實(shí)施本發(fā)明的設(shè)備。還可以將所述公開實(shí)施為計(jì)算機(jī)程序代碼或信號的形式，例如，所述代碼或信號無論是否存儲在存儲介質(zhì)中，由計(jì)算機(jī)或控制器裝載和/或執(zhí)行，或通過一些傳輸介質(zhì)傳送，如通過電線、電纜、光纖、或通過電磁輻射等，其中，當(dāng)計(jì)算機(jī)裝載并執(zhí)行上述計(jì)算機(jī)程序代碼時，所述計(jì)算機(jī)就成為實(shí)施本發(fā)明的設(shè)備。當(dāng)在通用微處理器上執(zhí)行時，所述計(jì)算機(jī)程序代碼段會配置該微處理器以生成特定邏輯電路。
雖然已經(jīng)參照一個或多個優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，可以進(jìn)行多種改變，并可以用等同物替換其元件。另外，在不脫離本發(fā)明主要范圍的情況下，可以根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容進(jìn)行多種修改以適應(yīng)特定的情況或材料。因此，這意味著本發(fā)明不被作為用于實(shí)施本發(fā)明的最優(yōu)方式而公開的特定實(shí)施例所限制，而是包括落在所附權(quán)利要求書的范圍中的所有實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法，所述方法包括將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像；根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移所述比例圖像的第一特征；計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度；根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述繪制的掩模布局的模擬晶片圖像的第二特征偏移所述模擬晶片圖像的第一特征，其中所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征對應(yīng)所述比例圖像的所述第一和第二特征；計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度；以及比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述交叉參數(shù)包括交叉面積。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括根據(jù)如下公式確定超過量變化參數(shù)，ΔΔ＝(Ai-As)/Ai其中As是所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度，Ai是所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度Ai是通過對所述比例圖像的所述第一和第二特征的多個覆蓋偏移中的每個計(jì)算交叉面積而確定；以及所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度As是通過對所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的多個覆蓋偏移中的每個計(jì)算交叉面積而確定。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述比例圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移，對應(yīng)在X-Y軸的四個象限中的每個中的對角偏移；以及所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移，同樣對應(yīng)在所述X-Y軸的所述四個象限中的每個中的所述對角偏移。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中通過對所述比例圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移中的每個的所述交叉面積求和，而確定所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度Ai；以及通過對所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移中的每個的所述交叉面積求和，而確定所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度As。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過基于模型的校驗(yàn)工具形成所述繪制的掩模布局的所述模擬晶片圖像。
8.一種基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括縮放裝置，用于將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像；偏移裝置，用于根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移所述比例圖像的第一特征；計(jì)算裝置，用于計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度；另一偏移裝置，用于根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述繪制的掩模布局的模擬晶片圖像的第二特征偏移所述模擬晶片圖像的第一特征，其中所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征對應(yīng)所述比例圖像的所述第一和第二特征；另一計(jì)算裝置，用于計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度；以及比較裝置，用于比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述交叉參數(shù)包括交叉面積。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，還包括用于根據(jù)如下公式確定超過量變化參數(shù)Δ的裝置Δ＝(Ai-As)/Ai其中As是所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度，Ai是所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度Ai是通過對所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的多個覆蓋偏移中的每個計(jì)算交叉面積而確定；以及所述模擬晶片圖像的產(chǎn)量量度As是通過對所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的多個覆蓋偏移中的每個計(jì)算交叉面積而確定。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述比例圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移，對應(yīng)在X-Y軸的四個象限中的每個中的對角偏移；以及所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移，同樣對應(yīng)在所述X-Y軸的所述四個象限中的每個中的所述對角偏移。
13.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中通過對所述比例圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移中的每個的所述交叉面積求和，而確定所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度Ai；以及通過對所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移中的每個的所述交叉面積求和，而確定所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度As。
14.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述繪制的掩模布局的所述模擬晶片圖像通過基于模型的校驗(yàn)工具形成。
15.一種存儲介質(zhì)，包括一種機(jī)器可讀計(jì)算機(jī)程序代碼，用于基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)；以及用于使計(jì)算機(jī)實(shí)施一種方法的指令，所述方法包括將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像；根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移所述比例圖像的第一特征；計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉面積，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度；根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述繪制的掩模布局的模擬晶片圖像的第二特征偏移所述模擬晶片圖像的第一特征，其中所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征對應(yīng)所述比例圖像的所述第一和所述第二特征；計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉面積，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度；以及比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括根據(jù)如下公式確定超過量變化參數(shù)，ΔΔ＝(Ai-As)/Ai其中As是所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度，Ai是所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度，并且所述交叉參數(shù)包括交叉面積。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度Ai是通過對所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的多個覆蓋偏移中的每個計(jì)算交叉面積而確定；以及所述模擬晶片圖像的產(chǎn)量量度As是通過對所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的多個覆蓋偏移中的每個計(jì)算交叉面積而確定。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述比例圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移，對應(yīng)在X-Y軸的四個象限中的每個中的對角偏移；以及所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的多個覆蓋偏移，同樣對應(yīng)在所述X-Y軸的所述四個象限中的每個中的所述對角偏移。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中通過對所述比例圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移中的每個的所述交叉面積求和，而確定所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度Ai；以及通過對所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的所述多個覆蓋偏移中的每個的所述交叉面積求和，而確定所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度As。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中通過基于模型的校驗(yàn)工具形成所述繪制的掩模布局的所述模擬晶片圖像。
全文摘要
一種基于模型地校驗(yàn)光刻中的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)鄰近校正(OPC)的方法，所述方法包括將繪制的掩模布局的形狀按比例縮放到其相應(yīng)的預(yù)定晶片尺寸，以生成比例圖像。根據(jù)預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移其第一特征。計(jì)算所述比例圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定理想布局的產(chǎn)量量度。根據(jù)所述預(yù)定的最大覆蓋誤差，相對于所述模擬晶片圖像的第二特征偏移其第一特征。計(jì)算所述模擬晶片圖像的所述第一和所述第二特征的交叉參數(shù)，從而確定模擬布局的產(chǎn)量量度，以及比較所述模擬晶片圖像的所述產(chǎn)量量度與所述比例圖像的所述產(chǎn)量量度。
文檔編號G03F1/00GK1776695SQ200510114979
公開日2006年5月24日 申請日期2005年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月18日
發(fā)明者L·W·利布曼, I·C·格勞爾, J·A·卡爾普, M·慕克爾吉 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司