專利名稱：液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示(LCD)器件，更具體地，涉及一種LCD器件，其中在選通線與公共線之間布置用于單元間隙的柱狀間隔物，以減少柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的接觸面積，并且通過(guò)減少與柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管(TFT)基板的各區(qū)域的厚度變化，在整個(gè)板上保持穩(wěn)定的單元間隙。
背景技術(shù)：
下面將參照附圖描述現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件。
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的分解透視圖。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件包括第一基板1、第二基板2、以及通過(guò)注入而在第一基板1與第二基板2之間形成的液晶層3。
更具體地，第一基板1包括以固定間隔沿第一方向設(shè)置的多條選通線4，以及以固定間隔沿垂直于第一方向的第二方向設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線5。在通過(guò)交叉選通線4和數(shù)據(jù)線5而定義的多個(gè)像素區(qū)域P內(nèi)，以矩陣式結(jié)構(gòu)設(shè)置多個(gè)像素電極6。第一基板1還包括在選通線4與數(shù)據(jù)線5交叉的各區(qū)域處形成的多個(gè)TFT T，以根據(jù)提供給選通線的選通脈沖信號(hào)將來(lái)自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到各像素電極。
同時(shí)，第二基板2包括黑底層7，其阻擋來(lái)自第一基板1的除像素區(qū)域P外的部分的光；R/G/B濾色器層8，用于顯示各種顏色；以及公共電極9，用于在濾色器層8上生成圖像。
在上述LCD器件中，通過(guò)像素電極6與公共電極9之間產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)液晶層3進(jìn)行配向。通過(guò)液晶層3的配向方向可以控制照射通過(guò)液晶層3的光，從而顯示圖像。
這種LCD器件稱為扭轉(zhuǎn)向列(TN)型LCD器件，其具有諸如窄視角的不利特性。為了克服窄視角，已經(jīng)積極地開(kāi)發(fā)了面內(nèi)切換(IPS)型LCD器件。
在IPS型的LCD器件中，在一像素區(qū)域內(nèi)，相互平行地形成像素電極和公共電極，二者之間具有固定間隔，利用此結(jié)構(gòu)，在像素電極與公共電極之間產(chǎn)生平行于基板的電場(chǎng)，從而根據(jù)該平行于基板的電場(chǎng)對(duì)液晶層進(jìn)行配向。
同時(shí)，制造現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的方法依據(jù)在第一基板與第二基板之間形成液晶層的方法而分為液晶注射法和液晶分注法(liquid crystaldispensing method)。
首先，在下文中將描述根據(jù)液晶注射法制造LCD器件的方法。
在操作室(chamber)中提供LCD板和其中具有液晶材料的容器，并且將該操作室抽空。同時(shí)去除液晶材料和容器中的濕氣和氣泡，并且將LCD板的內(nèi)部空間保持在真空狀態(tài)下。
然后，在真空狀態(tài)下將LCD板的注射孔浸入具有液晶材料的容器中，并且將操作室內(nèi)部的真空狀態(tài)恢復(fù)到大氣壓。由此，通過(guò)LCD板內(nèi)部與操作室內(nèi)部之間的壓力差，將液晶材料通過(guò)注射孔注入到LCD板中。
然而，通過(guò)液晶注射法制造LCD器件的方法具有以下缺點(diǎn)。
首先，在將大尺寸的玻璃基板切割成各個(gè)LCD板區(qū)域之后，將注射孔浸入具有液晶材料的容器中，同時(shí)保持兩個(gè)基板之間的真空狀態(tài)。在兩個(gè)基板之間注射液晶材料的過(guò)程較慢，從而降低了產(chǎn)量。
同時(shí)，在形成大尺寸LCD器件的情況下，很難完全將液晶材料注入LCD板的內(nèi)部，從而引起由于液晶材料的不完全注射而導(dǎo)致的故障。
此外，液晶材料的處理較慢，并且液晶注射設(shè)備需要較大空間。
為了克服液晶注射法的問(wèn)題，研發(fā)了液晶分注法。在分注法中，在將液晶材料分注在兩個(gè)基板中的任何一個(gè)上之后，將兩個(gè)基板接合在一起。
在該方法中，無(wú)法使用球狀間隔物來(lái)保持兩個(gè)基板之間的單元間隙，這是因?yàn)榍驙铋g隔物在液晶材料的擴(kuò)散方向上移動(dòng)。
因此，替代球狀間隔物，將構(gòu)圖間隔物或者柱狀間隔物固定到兩個(gè)基板的任何一個(gè)上，來(lái)保持該兩個(gè)基板之間的單元間隙。
圖2A是示出具有柱狀間隔物的濾色器基板的結(jié)構(gòu)剖視圖，而圖2B是示出將TFT基板與濾色器基板相接合的狀態(tài)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖2A所示，在濾色器基板2的黑底層(未示出)上形成柱狀間隔物20。在此情況下，各柱狀間隔物具有高度“h”。
如圖2B所示，如果將具有柱狀間隔物20的濾色器基板2與TFT基板1相對(duì)設(shè)置并且與TFT基板1相接合，則柱狀間隔物20由于接合基板時(shí)所產(chǎn)生的壓力而被縮小到表示單元間隙高度的高度“h’”。
如圖2A和2B所示，依據(jù)接合過(guò)程中的壓力，板(將基板接合在一起形成的板)10內(nèi)的柱狀間隔物20被壓縮h-h’的厚度，從而縮小到單元間隙的高度“h’”。
如上所述，與球狀間隔物的情況不同，包括柱狀間隔物的LCD器件與相對(duì)基板(TFT基板)具有較大的接觸面積，從而引起由于與基板的接觸面積的增大而導(dǎo)致的大摩擦力。因此，當(dāng)摩擦具有柱狀間隔物的LCD器件的屏幕時(shí)，將在屏幕上長(zhǎng)時(shí)間地產(chǎn)生斑點(diǎn)。
圖3A和圖3B是示出由于觸摸LCD板而在屏幕上產(chǎn)生的斑點(diǎn)的平面圖和剖視圖。
如圖3A所示，如果用手指或筆沿著預(yù)定方向連續(xù)觸摸LCD板10，則如圖3B所示，LCD板10的第二基板1將沿觸摸方向偏移預(yù)定間隔。此時(shí)，第二基板1將長(zhǎng)時(shí)間無(wú)法恢復(fù)到初始狀態(tài)。在此情況下，用手指或筆觸摸到的液晶分子3分散開(kāi)，并且液晶分子3聚集在觸摸部分周圍的區(qū)域中。因此，與聚集液晶分子的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的單元間隙h1高于其余部分的單元間隙h2，從而產(chǎn)生了觸摸缺陷，其表現(xiàn)為由于液晶分子的過(guò)剩和缺少而在觸摸部分的周圍產(chǎn)生的斑點(diǎn)。
因?yàn)樵诰哂兄鶢铋g隔物的LCD器件中將柱狀間隔物固定到一個(gè)基板上并且將其與另一相對(duì)基板以表面形式相接觸，以形成與球狀間隔物不同的較大接觸面積，所以在具有該柱狀間隔物的LCD器件中產(chǎn)生了觸摸缺陷。
因此，上述現(xiàn)有技術(shù)LCD器件具有以下缺點(diǎn)。
第一，在具有柱狀間隔物的現(xiàn)有技術(shù)LCD器件中，當(dāng)以預(yù)定方向按壓LCD板的方式來(lái)觸摸LCD板時(shí)，在相反方向上偏移的兩個(gè)基板無(wú)法恢復(fù)到初始狀態(tài)，或者即使它們恢復(fù)到初始狀態(tài)也要花費(fèi)很長(zhǎng)的時(shí)間。因此，在恢復(fù)過(guò)程中，會(huì)在從觸摸部分推開(kāi)液晶分子的部分中出現(xiàn)光泄漏。注意，這種觸摸缺陷是由于柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的大接觸面積所產(chǎn)生的摩擦力而導(dǎo)致的。
第二，分布球狀間隔物，注入液晶，并且該球狀間隔物為球形。當(dāng)按壓板的預(yù)定區(qū)域時(shí)，與板的該預(yù)定區(qū)域相對(duì)應(yīng)的球狀間隔物滑動(dòng)，并且該球狀間隔物能夠承受所施加的壓力。然而，由于柱狀間隔物有選擇地處于除像素區(qū)域外的部分中，所以當(dāng)按壓沒(méi)有柱狀間隔物的部分時(shí)柱狀間隔物容易變形。有可能破壞柱狀間隔物下面的結(jié)構(gòu)。
第三，由于柱狀間隔物之間的間隙，在柱狀間隔物中產(chǎn)生了高度差。在此情況下，柱狀間隔物與相對(duì)基板之間的接觸面積和接觸壓力發(fā)生變化，從而整個(gè)板上的單元間隙產(chǎn)生缺陷。
這種問(wèn)題著重出現(xiàn)在基于形成LCD板的液晶層的液晶分注法的大尺寸LCD板中。不同于通過(guò)LCD板內(nèi)部與其外部的壓力差而將液晶注入基板中的液晶注射法，這是由于難于選擇分注在基板上的適當(dāng)?shù)囊壕Я慷鸬摹?br>
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而引起的一個(gè)或更多問(wèn)題的LCD器件。
本發(fā)明的目的是提供一種LCD器件，其中在選通線和公共線之間設(shè)置用于單元間隙的柱狀間隔物，以減少柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的接觸面積，并且通過(guò)減少與柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管(TFT)基板的每個(gè)區(qū)域的厚度變化，在整個(gè)板上保持穩(wěn)定的單元間隔。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在下面的說(shuō)明書中進(jìn)行闡述，并且將部分地通過(guò)對(duì)以下內(nèi)容的考察而對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員變得明了，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中領(lǐng)會(huì)。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)在撰寫的說(shuō)明書及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)并獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實(shí)施和廣泛描述的，根據(jù)本發(fā)明的LCD器件包括相互面對(duì)的第一基板和第二基板；在所述第一基板上形成的選通線和數(shù)據(jù)線，其相互交叉，由此限定像素區(qū)域；在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線交叉的各部分中形成的薄膜晶體管(TFT)；與所述選通線相鄰形成的公共線；在各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，從所述公共線延伸出的至少一個(gè)公共電極和連接到所述薄膜晶體管的漏極的至少一個(gè)像素電極；多個(gè)第一柱狀間隔物，分別與所述選通線和所述公共線之間的部分相對(duì)應(yīng)形成在第二基板上；以及填充在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層。
所述第一柱狀間隔物對(duì)應(yīng)于所述選通線與所述公共線之間的凹陷部分。
所述第一柱狀間隔物與所述選通線交疊。所述LCD器件還包括在與所述第一柱狀間隔物交疊的所述選通線中形成的選通隙(gate slit)。
所述第一柱狀間隔物與所述公共線交疊。所述LCD器件還包括在與所述第一柱狀間隔物交疊的所述公共線中形成的公共隙(common slit)。
所述第一柱狀間隔物與所述選通線和所述公共線兩者交疊。所述LCD器件還包括在與所述第一柱狀間隔物交疊的所述選通線和公共線中的至少一個(gè)縫隙。
所述LCD器件還包括在所述第二基板上形成的，與所述選通線的預(yù)定部分相對(duì)應(yīng)的第二柱狀間隔物。所述第二柱狀間隔物不接觸所述第一基板。當(dāng)所述第一基板與所述第二基板接合時(shí)，所述第二柱狀間隔物與所述第一基板的最上表面間隔開(kāi)0.2μm到0.6μm的間距。
所述LCD器件還包括形成在所述第二基板上以遮擋除了像素區(qū)域和TFT以外的部分的黑底層；以及與所述像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)地形成的R/G/B濾色器層。所述LCD器件還包括在包括所述黑底層和所述濾色器層的所述第二基板的整個(gè)表面上形成的外覆層。
所述選通線和所述公共線在同一層上形成。
所述LCD器件還包括插入在所述選通線和公共線層與所述數(shù)據(jù)線層之間的柵絕緣層。
所述LCD器件還包括插入在所述數(shù)據(jù)線層和所述像素電極層之間的鈍化膜。
應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的以上總體說(shuō)明和以下詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在提供權(quán)利要求所保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


包含在本文中以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且并入本申請(qǐng)且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖中圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的分解透視圖；圖2A是示出具有柱狀間隔物的濾色器基板的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2B是示出將TFT基板接合到濾色器基板的狀態(tài)的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3A和圖3B是示出通過(guò)觸摸LCD板而在屏幕上產(chǎn)生斑點(diǎn)的平面圖和剖視圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的伸出體的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的具有伸出體的LCD器件的一個(gè)像素的平面圖；圖6是沿圖5的線I-I′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖7A和圖7B是示出根據(jù)本發(fā)明的伸出體以及與伸出體相對(duì)應(yīng)的柱狀間隔物的剖視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的與TFT相對(duì)應(yīng)的柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖9是沿圖8的線II-II′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD器件的平面圖；圖11A是沿圖10的線III-III′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖11B是沿圖10的線IV-IV′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物的平面圖；圖13是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物的平面圖；圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物的平面圖；圖15是沿圖13的線V-V′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖16是沿圖14的線VI-VI′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖；以及圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的LCD器件的結(jié)構(gòu)中的液晶分注裕度的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其示例在附圖中示出。只要可能，所有附圖中將使用相同參考標(biāo)號(hào)表示相同或者相似的部分。
如果用手指或筆沿著預(yù)定方向觸摸具有柱狀間隔物的LCD板，則LCD板的基板以預(yù)定間距沿著觸摸方向偏移。此時(shí)，因?yàn)榛寤謴?fù)到初始狀態(tài)需要花費(fèi)很長(zhǎng)時(shí)間，所以在基板向初始狀態(tài)恢復(fù)的一段時(shí)間內(nèi)，出現(xiàn)了表現(xiàn)為觸摸部分周圍的斑點(diǎn)的觸摸缺陷。該觸摸缺陷是由摩擦力引起的，而摩擦力是由于柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的大接觸面積而產(chǎn)生的。因此，為了消除該觸摸缺陷，已進(jìn)行研究來(lái)減少接觸面積。成果之一是一種具有伸出體的LCD器件。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的伸出體的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
參照?qǐng)D4，在第一基板60上形成柱狀間隔物70，并且在第二基板80上形成伸出體75，從而可以減小柱狀間隔物70與第二基板80之間的接觸面積。
伸出體75用于通過(guò)減小柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的大接觸面積(考慮是由于接觸面積而產(chǎn)生觸摸缺陷)來(lái)減小所述柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的摩擦力，從而防止出現(xiàn)觸摸缺陷。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的具有伸出體的LCD器件的一個(gè)像素的平面圖，而圖6是沿圖5的線I-I′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖5和圖6所示，具有伸出體的LCD器件包括以一定間隔彼此接合的第一基板60和第二基板80；注入第一基板60與第二基板80之間的液晶層90；在第一基板60上形成的柱狀間隔物70；以及在第二基板80上形成的與柱狀間隔物70相對(duì)應(yīng)的伸出體75。
更具體地，第一基板60包括黑底層61，遮擋除了像素區(qū)域以外的部分(選通線、數(shù)據(jù)線和TFT的區(qū)域)的光；R/G/B濾色器層62，形成為對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域從而顯示顏色；以及外覆層63，形成在黑底層61和濾色器層62的整個(gè)表面上。
第二基板80包括多條選通線81，與多條數(shù)據(jù)線82垂直相交以限定像素區(qū)域；像素電極83和公共電極87a，交替形成在選通線81與數(shù)據(jù)線82相交的各像素區(qū)域中；以及多個(gè)TFT，形成在選通線81與數(shù)據(jù)線82相交的各區(qū)域處。公共電極87a從平行于選通線81的公共線87分支出來(lái)。公共電極87a和像素電極83相互平行地形成為之字排列。
下面將描述在第二基板上制造以上元件的處理。
通過(guò)濺射在第二基板80上淀積諸如Mo、Al和Cr的金屬材料，然后使用掩模(未示出)對(duì)該金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖，以形成多條選通線81以及從選通線延伸出的柵極81a。平行于選通線81形成公共線87，并且在像素區(qū)域內(nèi)形成從公共線87分叉出的公共電極87a。公共電極87a形成為以之字排列。
隨后，在包括選通線81的第二基板80上淀積諸如SiNx的絕緣材料，以形成柵絕緣層85。
在柵極81a上的柵絕緣層85上形成半導(dǎo)體層84。以在柵絕緣層85上依次淀積非晶硅層和重?fù)诫s了P的n+層、隨后使用掩模(未示出)對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖的方式形成半導(dǎo)體層84。此時(shí)，在選通線81上的預(yù)定部分中有選擇地保留預(yù)定寬度的半導(dǎo)體層84，以形成半導(dǎo)體層圖案84a。
隨后，通過(guò)濺射在整個(gè)表面上淀積諸如Mo、Al和Cr的金屬材料，然后使用掩模(未示出)對(duì)該金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線82以及在柵極81a的兩側(cè)的源極82a和漏極82b。源極82a從數(shù)據(jù)線82延伸出來(lái)。此時(shí)，對(duì)源極82a和漏極82b下面的n+層進(jìn)行過(guò)蝕刻。由此，從柵極81a去除n+層。在此情況下，從柵極81a露出非晶硅層，并且將所露出的部分定義為TFT的溝道區(qū)。半導(dǎo)體層84包括非晶硅層和n+層。此時(shí)，沿著數(shù)據(jù)線82以預(yù)定寬度(優(yōu)選地，小于半導(dǎo)體層圖案84a)在半導(dǎo)體層圖案84a的預(yù)定部分上形成源漏金屬層82d。通過(guò)淀積源漏金屬層82d和半導(dǎo)體層圖案84a形成伸出體75。
接下來(lái)，通過(guò)化學(xué)汽相淀積(CVD)法在包括半導(dǎo)體層圖案84a、數(shù)據(jù)線82、源極82a和漏極82b的柵絕緣層85的整個(gè)表面上淀積SiNx的鈍化膜86。諸如SiNx的無(wú)機(jī)材料主要用作鈍化膜86的材料。最近，將諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)、旋涂式玻璃(Spin On Glass SOG)和丙烯(acryl)的具有低介電率的有機(jī)材料用作鈍化膜86的材料，以提高液晶單元的孔徑比。
隨后，使用掩模(未示出)對(duì)漏極82b上的鈍化膜86進(jìn)行部分蝕刻，從而形成部分露出漏極82b的接觸孔。
通過(guò)濺射在鈍化膜86上淀積透明電極材料，以充分掩埋接觸孔。接著使用掩模(未示出)對(duì)透明電極材料進(jìn)行構(gòu)圖，以在像素區(qū)域中形成像素電極83。像素電極83與公共電極87a交替。此時(shí)，像素電極83通過(guò)接觸孔與漏極82b電連接。
在第一基板的最上部分(圖中的外覆層63)上對(duì)應(yīng)于伸出體75形成柱狀間隔物70。在此情況下，由于柱狀間隔物70與伸出體75的上部區(qū)域接觸，所以減小了觸摸LCD板時(shí)的摩擦力，從而使觸摸缺陷最小化。
在上述具有伸出體的LCD器件中，在伸出體周圍形成選通線81、柵絕緣層85、半導(dǎo)體層圖案84a、源漏金屬層82d、和鈍化膜86。在淀積過(guò)程中形成范圍在淀積厚度的±10％范圍內(nèi)的偏差。因此，如果分別以2000的厚度形成半導(dǎo)體層圖案84a和源漏金屬層82d，則伸出體75需要4000的厚度。然而，由于上述偏差(厚度變化因素)，實(shí)際上以3600到4400的厚度在整個(gè)LCD板上形成伸出體75。這樣，當(dāng)形成伸出體75時(shí)，進(jìn)一步在選通線81上形成單獨(dú)的圖案，并且進(jìn)一步對(duì)兩個(gè)層進(jìn)行淀積和蝕刻。由此，與選通線81上的其它部分不同，在形成伸出體75的部分中另外出現(xiàn)了大約800的偏差。在此情況下，由于在伸出體75之上和之下上進(jìn)一步形成了鈍化膜、柵絕緣層和選通線，所以在假設(shè)以2000的厚度形成其它層的情況下，總的偏差可以為2000(＝400×3+800)。
圖7A和圖7B是示出根據(jù)本發(fā)明的伸出體和與伸出體相對(duì)應(yīng)的柱狀間隔物的剖視圖。
圖7A示出了沒(méi)有偏差的伸出體75a以及與該伸出體75a相對(duì)應(yīng)的柱狀間隔物。在此情況下，柱狀間隔物70在無(wú)壓力的情況下與伸出體75a正常接觸。
如圖7B所示，如果形成具有大偏差的伸出體75b(尤其是比期望值更大的值)，則伸出體75b會(huì)壓擠柱狀間隔物70，由此導(dǎo)致柱狀間隔物的變形，其中將與伸出體75b相對(duì)應(yīng)的一部分柱狀間隔物額外壓下厚度‘a(chǎn)’。
雖然未示出，但如果伸出體75b的尺寸小于理想尺寸，則伸出體不與柱狀間隔物接觸。在此情況下，很難防止出現(xiàn)觸摸缺陷。
如上所述，在使用半導(dǎo)體層和源漏金屬層的伸出體結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體層和源漏金屬層的厚度變化因素成為改變板的體積的因素。因此，在30英寸或更大的大尺寸LCD器件中，厚度變化因素用于減少液晶分注裕度(在與既沒(méi)有觸摸缺陷也沒(méi)有重力缺陷的液晶量相對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi))。
在上述LCD器件中，在選通線上形成伸出體，以去除觸摸缺陷。然而，可以形成對(duì)應(yīng)于TFT的柱狀間隔物，而不必形成選通線的伸出體。
下面，將描述在具有‘U’形TFT的LCD器件中的與‘U’形TFT相對(duì)應(yīng)的柱狀間隔物結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，能夠通過(guò)減小柱狀間隔物和與其相對(duì)的基板之間的接觸面積來(lái)消除觸摸缺陷。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的與TFT相對(duì)應(yīng)的柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)的平面圖，圖9是沿圖8的線II-II’獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖8和圖9所示，具有U形TFT的LCD器件包括第一基板110和第二基板120，以及填充在兩個(gè)基板之間的液晶層90。
更具體地，第一基板110包括黑底層111，遮擋除了像素區(qū)域以外的部分(選通線和數(shù)據(jù)線以及TFT的區(qū)域)的光；R/G/B濾色器層112，形成為對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域從而顯示顏色；以及外覆層113，形成在黑底層111和濾色器層112的整個(gè)表面上。
第二基板120包括多條選通線121，其與多條數(shù)據(jù)線122垂直交叉以限定像素區(qū)域；像素電極123和公共電極127a，交替形成在選通線121與數(shù)據(jù)線122交叉的各像素區(qū)域中；以及多個(gè)TFT，形成在選通線121與數(shù)據(jù)線122交叉的各個(gè)區(qū)域處。公共電極127a從平行于選通線121的公共線127分叉出來(lái)。公共電極127a和像素電極123以之字形排列相互平行地形成。
TFT包括與選通線121形成為一體的柵極121a；從數(shù)據(jù)線122延伸出的‘U’形源極122a；進(jìn)入‘U’形源極122a并連接到像素電極123的漏極122b；以及覆蓋柵極121a的上部，并且與源極122a和漏極122b的下部相接觸地形成的半導(dǎo)體層124。
此外，在選通線121和公共線127之間以及選通線121和數(shù)據(jù)線122之間插入柵絕緣層125。在數(shù)據(jù)線122和像素電極123之間插入鈍化膜126。
在第一基板110的外覆層113上形成柱狀間隔物101，以對(duì)應(yīng)于TFT的溝道區(qū)域。
在此情況下，在TFT的半導(dǎo)體層124上形成柱狀間隔物101以與‘U’形源極122a交叉。由于漏極122b的上部延伸到形成有柱狀間隔物101的部分，所以漏極122b上的鈍化膜126與柱狀間隔物101相接觸。因此，即使在形成了‘U’形TFT的情況下也可以與伸出體結(jié)構(gòu)相同的方式減小柱狀間隔物101和與其相對(duì)的基板之間的接觸面積。
然而，在TFT上形成柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)中，以與伸出體結(jié)構(gòu)相同的方式在實(shí)際上形成有柱狀間隔物的基板上淀積柵極121a、柵絕緣層125、半導(dǎo)體層124、源金屬電極122a和漏金屬電極122b，以及鈍化膜126。例如，如果以2000的厚度形成各層，則考慮到當(dāng)形成各層時(shí)所產(chǎn)生的±10％的偏差，與柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的部分的偏差為400×5＝2000。與柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的部分中的柱狀間隔物的變形根據(jù)偏差的嚴(yán)重程度而變化，從而導(dǎo)致各部分中的單元間隙之間的巨大差異。
因此，下面將詳細(xì)描述如下LCD器件，其在與柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的基板中具有階差(step difference)，并且在與柱狀間隔物對(duì)應(yīng)的部分中具有最小偏差。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD器件的平面圖。圖11A是沿圖10的線III-III′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖，而圖11B是沿圖10的線IV-IV′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖10、圖11A和圖11B所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD器件包括相互面對(duì)并相互接合的第一基板110和第二基板120，以及在兩個(gè)基板之間填充的液晶層(未示出)。
更具體地，第一基板110包括黑底層111，遮擋除了像素區(qū)域以外的部分(選通線和數(shù)據(jù)線以及TFT的區(qū)域)的光；R/G/B濾色器層112，形成為對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域，由此顯示顏色；以及外覆層113，形成在黑底層111和濾色器層112的整個(gè)表面上。
第二基板120包括多條選通線131，其與多條數(shù)據(jù)線122垂直交叉以限定像素區(qū)域；像素電極123和公共電極127a，相互平行地形成在各像素區(qū)域中；以及多個(gè)‘U’形TFT，形成在選通線131與數(shù)據(jù)線122交叉的各區(qū)域處。公共電極127a從平行于選通線131的公共線137叉開(kāi)。公共電極127a和像素電極123以之字形排列相互平行形成。
各TFT包括與選通線131行成為一體的柵極121a；從數(shù)據(jù)線122延伸出的‘U’形源極122a；進(jìn)入‘U’形源極122a并連接到像素電極123的漏極122b；以及覆蓋柵極121a的上部并與源極122a和漏極122b的下部相接觸地形成的半導(dǎo)體層(未示出)。
此外，在選通線131與公共線137之間，以及選通線131與數(shù)據(jù)線122之間插入有柵絕緣層125。在數(shù)據(jù)線122與像素電極123之間插入有鈍化膜126。
在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD器件中，在第一基板110的外覆層113上形成第一柱狀間隔物140，以對(duì)應(yīng)于選通線131與公共線137之間的部分。換言之，與形成有第一柱狀間隔物140的部分相對(duì)應(yīng)的公共線137和選通線具有小于其在其它部分的寬度，從而第一柱狀間隔物沒(méi)有與公共線137和選通線131交疊。
在此情況下，如圖11A所示，第一柱狀間隔物140與在選通線131與公共線137之間形成的具有階差的鈍化膜126相接觸。第一柱狀間隔物140形成第一基板110與第二基板120之間的單元間隙，并且和與其相對(duì)的基板(即，形成在第二基板120的最上面的鈍化膜126)具有小的接觸面積。換言之，沒(méi)有形成金屬線(選通線或公共線)的部分用作選通線131與公共線137之間的凹陷部分。因此，由于對(duì)應(yīng)于選通線131與公共線137之間的部分的凹陷部分，而使得在選通線131和公共線137上形成的柵絕緣層125以及鈍化膜126形成有階差。第一柱狀間隔物140形成為對(duì)應(yīng)于凹陷部分并圍繞凹陷部分。與凹陷部分對(duì)應(yīng)的第一柱狀間隔物140的上部不接觸鈍化膜126。因此，在第一柱狀間隔物140與鈍化膜126之間形成小接觸面積。
第一柱狀間隔物140與鈍化膜126之間的接觸面積的尺寸隨著選通線131與公共線137之間的間隔，或者選通線131或公共線137在形成柱狀間隔物140的部分處的收縮范圍(retracted range)而變化。此時(shí)，選通線131與公共線137之間的間隔基于曝光單元的分辨率而處于在10μm到16μm的范圍內(nèi)。第一柱狀間隔物140形成在選通線131與公共線137之間的10μm到16μm的間隔上。如果曝光單元的分辨率變大，則選通線131與公共線137之間的間隔會(huì)縮窄到8μm的范圍內(nèi)。
此外，如圖11B所示，在第一基板110的外覆層113上形成第二柱狀間隔物141，以對(duì)應(yīng)于選通線131的預(yù)定部分。第二柱狀間隔物141的高度比第一柱狀間隔物140的高度小0.2μm到0.6μm。第二柱狀間隔物與對(duì)應(yīng)于相對(duì)基板120的最上部的鈍化膜126以預(yù)定間距間隔開(kāi)，以防止出現(xiàn)柱狀間隔物的觸摸缺陷。
在此情況下，以14μm×14μm(優(yōu)選地，10μm至30μm×10μm至30μm)的截面大小在第一基板110上每三個(gè)像素(子像素)形成第一柱狀間隔物140。同時(shí)以14μm×14μm(優(yōu)選地，10μm至30μm×10μm至30μm)的截面大小在第一基板110上每三個(gè)像素形成第二柱狀間隔物141。
在第一基板110的最上表面上，即外覆層113上形成第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141?？梢詫⒅鶢铋g隔物的下表面形成為各種多邊形形狀，例如具有特定高度的多邊柱。柱狀間隔物的下表面可以具有圓筒形狀。同時(shí)，它們也可以具有如圖示出的方柱形狀。第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141的尺寸可以根據(jù)LCD板的尺寸而變化。第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141的尺寸可以根據(jù)選通線131和公共線137的線寬，以及選通線131與公共線137之間的間隔的線寬而變化。與第一柱狀間隔物140相對(duì)應(yīng)的選通線131和公共線137的收縮范圍取決于第一柱狀間隔物140的尺寸。在此情況下，選通線131或公共線137的收縮部分的線寬在選通線131或公共線137的阻抗不會(huì)變大的范圍內(nèi)。換言之，即使選通線131或公共線137部分收縮，也應(yīng)當(dāng)在驅(qū)動(dòng)LCD器件時(shí)響應(yīng)速度不會(huì)下降的范圍內(nèi)獲得線寬。
在相同處理?xiàng)l件下形成第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141。第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141具有按部位不同的曝光量，以形成彼此不同的高度。例如，如果第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141由負(fù)性光硬化樹(shù)脂(negative photo-hardening resin)形成，則在第一基板110上設(shè)置第一掩模以進(jìn)行曝光處理，其中第一掩模包括限定為與第一柱狀間隔物140相對(duì)應(yīng)的透明部分以及限定為與第二柱狀間隔物141相對(duì)應(yīng)的半透明部分。如果第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141由正性光硬化樹(shù)脂(positive photo-hardening resin)形成，則使用與第一掩模相反的第二掩模。
對(duì)應(yīng)于第二基板120上形成的階差形成第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141。在選通線131與公共線137之間形成階差。因此，在與第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141相對(duì)應(yīng)的第二基板120上形成選通線131或公共線137、柵絕緣層125以及鈍化膜126。在此情況下，由于與對(duì)應(yīng)于TFT形成柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)相比沒(méi)有形成兩層，所以可以減少各部分中產(chǎn)生的階差的不平衡。
在本發(fā)明的LCD器件中，例如，如果以大約2000的厚度分別形成半導(dǎo)體層(未示出)和數(shù)據(jù)線122，則各部分的偏差在淀積厚度的±10％的范圍內(nèi)。在此情況下，與其中對(duì)應(yīng)于伸出體或TFT形成柱狀間隔物的半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線的淀積結(jié)構(gòu)相比，可以減小對(duì)應(yīng)于2×400＝800的厚度的偏差。
同時(shí)，雖然圖10所示的LCD器件具有‘U’形，但是本發(fā)明的LCD器件可以為各種形狀，而不限于‘U’形。
下面，將描述制造具有TFT的LCD器件的方法。
通過(guò)濺射在第二基板120上淀積諸如Mo、Al和Cr的金屬材料，然后使用掩模(未示出)對(duì)該金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖以形成多條選通線131以及從選通線131延伸出的柵極121a。平行于選通線131形成公共線137。以之字排列在像素區(qū)域中形成從公共線137分叉出的公共電極127a。選通線131面對(duì)公共線137的預(yù)定部分可以收縮(具有較細(xì)的線寬)。
隨后，在包括選通線131的第二基板120上淀積SiNx絕緣材料，以形成柵絕緣層125。
在柵絕緣層125上形成半導(dǎo)體層124以覆蓋柵極121a。以在柵絕緣層125上依次淀積非晶硅層和重?fù)诫s了P的n+層、然后使用掩模(未示出)對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖的方式形成半導(dǎo)體層124。
此后，通過(guò)濺射在整個(gè)表面上淀積諸如Mo、Al和Cr的金屬材料，然后使用掩模(未示出)對(duì)該金屬材料進(jìn)行構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)線122以及在柵極121a的兩側(cè)的源極122a和漏極122b。源極122a從數(shù)據(jù)線122延伸出。此時(shí)，對(duì)源極122a和漏極122b下方的n+層進(jìn)行過(guò)蝕刻。由此，從柵極121a去除n+層。在此情況下，非晶硅層從柵極121a露出，并且將所露出的部分定義為TFT的溝道區(qū)域。半導(dǎo)體層124包括非晶硅層和n+層。
接下來(lái)，在包括半導(dǎo)體層124、數(shù)據(jù)線122、源極122a和漏極122b的柵絕緣層125上通過(guò)化學(xué)汽相淀積(CVD)法淀積SiNx的鈍化膜126。諸如SiNx的無(wú)機(jī)材料主要用作鈍化膜126的材料。最近，將諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)、旋涂式玻璃(Spin On Glass SOG)和丙烯(acryl)的具有低介電率的有機(jī)材料用作鈍化膜126的材料，以改善液晶單元的孔徑比。
隨后，使用掩模(未示出)對(duì)漏極122b上的鈍化膜126進(jìn)行部分蝕刻，從而形成部分地露出漏極122b的接觸孔。
通過(guò)濺射在鈍化膜126上淀積透明電極材料，以充分掩埋接觸孔。然后使用掩模(未示出)對(duì)透明電極材料進(jìn)行構(gòu)圖，以在像素區(qū)域中形成像素電極123。像素電極123與公共電極127a交替。此時(shí)，像素電極123通過(guò)接觸孔與漏極122b電連接。
在第一基板110上形成黑底層111以對(duì)應(yīng)于沒(méi)有形成像素區(qū)域的部分(選通線、數(shù)據(jù)線和TFT)。對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域形成濾色器層112，并且在包括黑底層111和濾色器層112的第一基板110的整個(gè)表面上形成外覆層113。
在外覆層113的整個(gè)表面上淀積光硬化樹(shù)脂，然后有選擇地去除該光硬化樹(shù)脂以形成與第二基板120的選通線131與公共線137之間的部分相對(duì)應(yīng)的第一高度的第一柱狀間隔物140以及與選通線131的預(yù)定部分相對(duì)應(yīng)的第二高度的第二柱狀間隔物141。
在此情況下，第一高度比第二高度高0.2μm到0.6μm。該高度差可以通過(guò)使用第一掩模的作為透明部分和半透明部分的各部分改變曝光量而產(chǎn)生，所述透明部分和半透明部分分別限定第一柱狀間隔物140和第二柱狀間隔物141。在此情況下，光硬化樹(shù)脂是負(fù)性光硬化樹(shù)脂。如果第一公共間隔物140和第二公共間隔物141是正性光硬化樹(shù)脂，則使用與第一掩模相反的第二掩模。
在如上所述形成第一柱狀間隔物140的情況下，可以減小第一柱狀間隔物140與第二基板120之間的接觸面積，以防止出現(xiàn)觸摸缺陷并可以保持第一基板110與第二基板120之間的單元間隙。
同時(shí)，在如上所述形成第二柱狀間隔物141的情況下，獲得第二基板與柱狀間隔物之間的間隙以獲得裕度，由此當(dāng)在將柱狀間隔物接合到第二基板120的過(guò)程中壓擠該柱狀間隔物時(shí)不會(huì)引起該柱狀間隔物的變形。
同時(shí)，在第一基板110和第二基板120的最上表面上可以進(jìn)一步形成配向?qū)印?br> 圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物的平面圖。
如圖12所示，將根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物140設(shè)置在選通線與公共線之間，該選通線和數(shù)據(jù)線比第一實(shí)施例中的更相互接近。柱狀間隔物140與選通線和公共線上的上部交疊。在此情況下，與第一實(shí)施例類似，為了維持第二基板120與第一柱狀間隔物140之間的接觸面積，可以減小線寬，以使得第一柱狀間隔物140下面的選通線131和公共線137可以更加收縮。
圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物的平面圖，而圖15是沿圖13的線V-V′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖13和圖15所示，在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的LCD器件中，在第二基板上相互平行地形成選通線142和公共線147。選通線142和公共線147分別具有相互面對(duì)的選通隙142a和公共隙147a。在第一基板上在選通隙142a與公共隙147a之間形成第一柱狀間隔物140。
此時(shí)，第一柱狀間隔物140在圖13的線V-V′上形成。即，第一柱狀間隔物140形成在選通線142、選通隙142a、選通線、公共線147、公共隙147a和公共線147上。優(yōu)選地，第一柱狀間隔物140延伸到選通隙142a和公共隙147a以與這些隙交疊。如果如上所述設(shè)置柱狀間隔物140，則在第二基板上形成柵絕緣層125和鈍化膜126，以具有凹陷部分。因此，實(shí)際上減小了第一柱狀間隔物140與鈍化膜126之間的接觸面積。
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的LCD器件的第一柱狀間隔物的平面圖，而圖16是沿圖14的線VI-VI′獲得的結(jié)構(gòu)剖視圖。
在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的LCD器件中，從第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中去除一個(gè)線的縫隙。如圖14所示，可以只提供選通隙151a。同樣，也可以只提供公共隙。重要的是，將第一柱狀間隔物140設(shè)置為經(jīng)過(guò)該縫隙。
在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的LCD器件中，在選通線151處形成有選通隙151a的結(jié)構(gòu)中，第一柱狀間隔物140形成在選通隙151a和公共線157的預(yù)定部分上。選通線151和公共線157相互平行并且相互面對(duì)地形成。
此時(shí)，第一柱狀間隔物140形成在圖14的線VI-VI′上。即，第一柱狀間隔物140形成在選通線142、選通隙142a、選通線和公共線147上。優(yōu)選地，第一柱狀間隔物140延伸到公共線147和選通隙142a的該預(yù)定部分，以與它們交疊。如果如上所述設(shè)置柱狀間隔物140，則形成柵絕緣層125和鈍化膜126，以在與第一柱狀間隔物相鄰部分處形成凹陷部分。因此，實(shí)際上減小了第一柱狀間隔物140與鈍化膜126之間的接觸面積。
在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的LCD器件中，通過(guò)第一柱狀間隔物維持單元間隙，并可以避免觸摸缺陷。同時(shí)，在與第一柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的選通線和公共線中的至少一個(gè)上提供至少一個(gè)縫隙，從而與由該縫隙形成的凹陷部分所限定的階差相對(duì)應(yīng)地形成第一柱狀間隔物。由此，與對(duì)應(yīng)于伸出體或TFT形成柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)相比，將偏差顯著減小了大約800。由此，能夠改善觸摸缺陷并保持穩(wěn)定的單元間隙。
此外，當(dāng)通過(guò)第二柱狀間隔物對(duì)LCD板施壓時(shí)，獲得一定裕度來(lái)顯著減小柱狀間隔物的變形。這樣可以產(chǎn)生穩(wěn)定的單元間隙。
圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的LCD器件的結(jié)構(gòu)中的液晶分注裕度的曲線圖。
圖17示出了通過(guò)將本發(fā)明的LCD器件應(yīng)用于37”型號(hào)而得到的結(jié)果?？梢韵|摸缺陷和重力缺陷的適當(dāng)液晶分注量在300點(diǎn)到306點(diǎn)的范圍內(nèi)。換言之，有6點(diǎn)對(duì)應(yīng)于既沒(méi)有觸摸缺陷又沒(méi)有重力缺陷的正常范圍。如果在LCD板上分注的液晶在小于300點(diǎn)的范圍內(nèi)，則嚴(yán)重出現(xiàn)觸摸缺陷。如果在LCD板上分注的液晶在大于306點(diǎn)的范圍內(nèi)，則嚴(yán)重出現(xiàn)重力缺陷。在對(duì)應(yīng)于伸出體或TFT形成柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)中，由于觸摸缺陷在曲線圖上向右偏移并且重力缺陷在曲線圖上向左偏移，適當(dāng)?shù)姆肿⒘吭?點(diǎn)到3點(diǎn)的范圍。這樣，由于本發(fā)明中適當(dāng)?shù)姆肿⒘烤哂性黾拥姆秶?，所以能夠保持穩(wěn)定的單元間隙并消除缺陷。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD器件具有以下優(yōu)點(diǎn)。
首先，由于第一柱狀間隔物設(shè)置在經(jīng)過(guò)選通線與公共線之間的線上，所以第一柱狀間隔物與相對(duì)的基板接觸以對(duì)應(yīng)于上述線上限定的凹陷，從而減少柱狀間隔物與基板之間的接觸面積，并由此防止出現(xiàn)觸摸缺陷。
第二，在從選通線到公共線的線上提供選通線與公共線之間的部分或者預(yù)定線的間隙，從而對(duì)應(yīng)于由該隙形成的凹陷部分所限定的階差形成第一柱狀間隔物。由此，與對(duì)應(yīng)于伸出體或TFT形成柱狀間隔物的結(jié)構(gòu)相比，將偏差明顯減小了大約800(假設(shè)源漏金屬層和半導(dǎo)體層具有大約2000的厚度的情況下而獲得的)。從而，能夠消除觸摸缺陷并保持整個(gè)LCD板上的穩(wěn)定的單元間隙。
第三，當(dāng)通過(guò)第二柱狀間隔物來(lái)按壓LCD板時(shí)，獲得一定裕度來(lái)顯著減小柱狀間隔物的變形。這樣能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的單元間隙。
最后，通過(guò)減少柱狀間隔物的變形而獲得的偏差減小和穩(wěn)定的單元間隙改善了液晶分注裕度。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，很顯然，可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的修改和變型，只要這些修改和變型落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LCD器件，包括相互面對(duì)的第一基板和第二基板；選通線和數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上并相互交叉，由此限定像素區(qū)域；薄膜晶體管(TFT)，形成在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線交叉的各部分中；與所述選通線相鄰形成的公共線；在各所述像素區(qū)域中的從所述公共線延伸出的至少一個(gè)公共電極，以及連接到所述薄膜晶體管的漏極的至少一個(gè)像素電極；多個(gè)第一柱狀間隔物，各第一柱狀間隔物與所述選通線和所述公共線之間的一部分相對(duì)應(yīng)地形成在所述第二基板上；以及填充在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述至少一個(gè)公共電極和所述至少一個(gè)像素電極交替形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中與所述第一柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的所述公共線和所述選通線中的至少一個(gè)的寬度小于其在其它部分的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中每三個(gè)像素形成所述第一柱狀間隔物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述公共線與所述選通線平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述第一柱狀間隔物對(duì)應(yīng)于所述選通線與所述公共線之間的凹陷部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述選通線以8μm到16μm的間距與所述公共線間隔開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述第一柱狀間隔物與所述選通線交疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LCD器件，還包括在與所述第一柱狀間隔物交疊的所述選通線中形成的選通隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述第一柱狀間隔物與所述公共線交疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LCD器件，還包括在與所述第一柱狀間隔物交疊的所述公共線中形成的公共隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述第一柱狀間隔物與所述選通線和所述公共線兩者交疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LCD器件，還包括在與所述第一柱狀間隔物相交疊的所述選通線和所述公共線中的至少一個(gè)縫隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，還包括分別與所述選通線相對(duì)應(yīng)在所述第二基板上形成的多個(gè)第二柱狀間隔物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的LCD器件，其中所述第二柱狀間隔物不與所述第一基板相接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的LCD器件，其中當(dāng)所述第一基板與所述第二基板接合時(shí)，所述第二柱狀間隔物與所述第一基板的最上表面間隔開(kāi)0.2μm到0.6μm的間距。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，還包括形成在所述第二基板上以遮擋除了像素區(qū)域以外的部分的黑底層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的LCD器件，還包括在包括所述黑底層的所述第二基板的整個(gè)表面上形成的外覆層。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，其中所述選通線和所述公共線形成在同一層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，還包括插入在所述選通線和所述公共線的層與所述數(shù)據(jù)線的層之間的柵絕緣層。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD器件，還包括插入在所述數(shù)據(jù)線的層與所述像素電極的層之間的鈍化膜。
22.一種制造LCD器件的方法，包括提供第一基板和第二基板；形成選通線和與所述選通線相鄰的公共線，至少一個(gè)公共電極從所述公共線延伸出；在所述第一基板上形成數(shù)據(jù)線和TFT，所述數(shù)據(jù)線與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域；在各所述像素區(qū)域中形成至少一個(gè)像素電極；在所述第二基板上與所述選通線和所述公共線之間的部分相對(duì)應(yīng)地形成多個(gè)第一柱狀間隔物；在所述第一基板和所述第二基板中任意一個(gè)上分注液晶；以及接合所述第一基板和所述第二基板。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中與所述第一柱狀間隔物相對(duì)應(yīng)的所述公共線和所述選通線中的至少一個(gè)的寬度小于其在其它部分的寬度。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括在所述第二基板上與所述選通線相對(duì)應(yīng)地形成多個(gè)第二柱狀間隔物。
全文摘要
公開(kāi)了一種LCD器件。所述LCD器件包括相互面對(duì)的第一基板和第二基板；選通線和數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上并相互交叉，由此限定像素區(qū)域；薄膜晶體管(TFT)，形成在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線交叉的各部分中；在像素區(qū)域中交替形成的公共電極和像素電極；與所述選通線相鄰且平行于所述選通線形成的公共線，該公共線分支出所述公共電極；在所述第二基板上與所述選通線和所述公共線之間的部分相對(duì)應(yīng)地形成的第一柱狀間隔物；以及填充在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK1797132SQ20051010947
公開(kāi)日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
發(fā)明者金種宇, 柳元馨 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社