專利名稱：具有減小接頭損耗的光纖及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及光纖領(lǐng)域中的改進(jìn)，具體涉及具有減小接頭損耗的改進(jìn)型光纖優(yōu)點(diǎn)以及制作該光纖的方法。
背景技術(shù)：
在光纖工業(yè)中，人們不斷開發(fā)新型的光纖，例如，摻鉺光纖(EDF)等。然而，在這種光纖與其他光纖拼接時(shí)，已得到證明很難保持所需的性能，特別是有不同模場直徑(MFD)和折射率分布(RIP)的光纖，例如，標(biāo)準(zhǔn)單模光纖(SSMF)。
我們發(fā)現(xiàn)，EDF與SSMF的拼接導(dǎo)致接頭損耗，它通常高于其他類型光纖與SSMF拼接損耗的0.1-0.2dB。重要的是，在諸如摻鉺光纖放大器(EDFA)的器件中保持低的接頭損耗以獲得可接受的低電平噪聲。保持低的接頭損耗通常也導(dǎo)致整體功率轉(zhuǎn)換效率的提高。
在光放大器中獲得可接受的EDF性能有特別挑戰(zhàn)的意義，其中在很寬的信號波長范圍內(nèi)可能要求低的接頭損耗。例如，可以在980nm波長下泵浦EDFA以產(chǎn)生1550nm波長下的增益。在這種情況下，可能要求在980nm附近和1550nm附近都有低的接頭損耗。
在EDF與SSMF拼接的EDFA中，在拼接時(shí)通過熱擴(kuò)散EDF的折射率分布(RIP)，可以減小由于模場失配導(dǎo)致的接頭損耗，因此，EDF的RIP接近SSMF的RIP。在這種情況下，兩種光纖在拼接點(diǎn)處有相對于波長大致相同的MFD進(jìn)展。
然而，人們已經(jīng)證明，利用熱擴(kuò)散技術(shù)得到EDF的RIP與SSMF的RIP有所需的相似程度，同時(shí)仍保持可接受的低截止波長，這是很困難的。如上所述，EDFA通常是在980nm波長下被泵激。在這種情況下，為了確保放大器中的EDF有單模傳播，EDF的截止波長必須保持在低于980nm的水平。
此外，拼接條件的變化使接頭損耗的問題更加嚴(yán)重，特別是在批量生產(chǎn)的環(huán)境下。這些變化是由若干個(gè)很難控制的因素造成的，其中包括磨損的拼接電極和電流控制中的起伏，以及諸如濕度，溫度，壓力等的環(huán)境條件。利用當(dāng)前的光纖設(shè)計(jì)技術(shù)，這些變化可以極大地增加接頭損耗。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上這些和其他的一些問題，按照本發(fā)明一個(gè)特征的光纖包括纖芯區(qū)和圍繞纖芯的體積增大區(qū)。給體積增大區(qū)摻雜以增大光纖的折射率體積。截止減小區(qū)圍繞體積增大區(qū)。給截止減小區(qū)摻雜以減小光纖的截止波長，補(bǔ)償?shù)谝话鼘訁^(qū)造成的光纖截止波長增大。外包層圍繞截止減小區(qū)。按照本發(fā)明的另一特征，給體積增大區(qū)摻雜使折射率分布是從體積增大區(qū)的外圓周傾斜增大到它的內(nèi)圓周。按照本發(fā)明的另一特征，截止減小區(qū)有包含多個(gè)斷面的階躍折射率分布。
參照以下的詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。
圖1表示按照本發(fā)明第一特征的光纖剖面圖。
圖2表示圖1所示光纖的理論折射率分布。
圖3表示圖1所示光纖原型的折射率分布。
圖4和5表示比較原型光纖與控制光纖拼接性能的一對曲線圖。
圖6和7表示在1550nm和980nm下比較原型光纖與控制光纖拼接性能的一對曲線圖。
圖8表示按照本發(fā)明另一特征的光纖剖面圖。
圖9表示圖8所示光纖的折射率分布。
圖10表示按照本發(fā)明另一特征的光纖剖面圖。
圖11表示圖10所示光纖的折射率分布。
圖12-14表示按照本發(fā)明其他特征的方法，它用于制造有改進(jìn)接頭性能的光纖。
具體實(shí)施例方式
按照本發(fā)明一個(gè)特征的光纖具有減小的接頭損耗，同時(shí)仍保持所需的截止波長。如以下詳細(xì)描述的，這種光纖有很好限定的模場，光纖的模場直徑(MFD)在拼接時(shí)發(fā)生擴(kuò)展，通?？梢詼p小錐形損耗。雖然本發(fā)明描述摻鉺光纖EDF與標(biāo)準(zhǔn)單模光纖(SSMF)的拼接，但在不偏離本發(fā)明精神的條件下，本發(fā)明也可用于其他光纖和拼接組合。這些其他光纖與拼接組合包括摻其他摻雜劑的光纖，例如，銩(Tm)，鐿(Yb)，釹(Nd)等；高度非線性光纖；和用于制造色散補(bǔ)償模塊(DCM)的中間光纖。
通過以下的分析可以明白EDF和其他類型光纖與SSMF拼接的困難，這種分析也適用于階躍折射率分布的情況。這種光纖的截止取決于纖芯半徑r，和相對于包層折射率的折射率變化ΔnCutoff∝r*(Δn)1/2在理想的情況下，在拼接點(diǎn)處，EDF的Δn和r與SSMF的Δn和r完全相同。若我們假設(shè)Δn與摻雜劑濃度成正比，擴(kuò)展的折射率分布是階躍式，和SSMF在拼接之后沒有變化，則可以得到EDF與SSMF之間以下的關(guān)系Cutoff(EDF)＝Cutoff(SSMF)這是由于在以上的假設(shè)下仍保持EDF的折射率體積Δn*r2。因此，在拼接現(xiàn)有技術(shù)EDF與SSMF時(shí)，匹配兩種光纖模場直徑所要求的熱芯擴(kuò)散使EDF的截止在拼接區(qū)內(nèi)接近SSMF的截止。然而，典型的SSMF截止是1250nm，這在某些應(yīng)用中遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于對EDF的要求。
圖1表示按照本發(fā)明第一特征的光纖10橫斷面，它沒有按比例畫出。圖2表示光纖10的模型折射率分布(RIP)20。如圖1所示，光纖10包括多個(gè)區(qū)中央纖芯區(qū)12，以及圍繞纖芯區(qū)12的第一包層區(qū)14，第二包層區(qū)16，和第三包層區(qū)18，這些包層是同心圓層形式。圖2所示的RIP 20說明光纖10折射率的徑向變化Δn。
在RIP 20中，中央尖峰22對應(yīng)于光纖的芯區(qū)12。中央尖峰22右側(cè)和左側(cè)的兩個(gè)斜坡區(qū)24對應(yīng)于第一包層14。斜坡區(qū)24右側(cè)和左側(cè)的兩個(gè)溝槽26對應(yīng)于第二包層16。溝槽26右側(cè)和左側(cè)的兩個(gè)平坦區(qū)28對應(yīng)于第三包層18。
在RIP 20中，折射率變化Δn是相對于外包層18的折射率為參考。因此，第三包層18折射率變化Δn等于0.0，該層對應(yīng)于RIP 20中右側(cè)和左側(cè)的兩個(gè)平坦區(qū)28。如RIP 20所示，圖1所示光纖10的第一包層14有增大光纖模場體積的正Δn，以下稱它為“體積增大區(qū)”。如RIP 20所示，體積增大區(qū)14的折射率是傾斜的。按照本發(fā)明的一個(gè)特征，體積增大區(qū)14的Δn是從該區(qū)外圓周線性增大到該區(qū)內(nèi)圓周的較高值。可以改變體積增大區(qū)14的折射率形狀。例如，當(dāng)MFD是沿光纖軸逐漸擴(kuò)展時(shí)，可以優(yōu)化該形狀以得到低的錐形損耗。
第二包層16有減小光纖截止波長的負(fù)Δn，以下稱它為“截止減小區(qū)”。如以上所討論的，折射率體積的增大可以增大光纖的截止波長。截止減小區(qū)16補(bǔ)償體積增大區(qū)14造成的光纖截止增大。因此，按照本發(fā)明這一特征，體積增大區(qū)14與截止減小區(qū)16的組合可以增大光纖的折射率體積，同時(shí)保持所需的截止波長。此外，如以下所討論的，圖1所示的光纖設(shè)計(jì)10在各種拼接條件下還有改進(jìn)的拼接質(zhì)量。
圖3表示體現(xiàn)圖1所示光纖10設(shè)計(jì)的原型光纖RIP 30。RIP 30包括對應(yīng)于纖芯12的中央尖峰32，對應(yīng)于體積增大區(qū)14的一對斜肩34，對應(yīng)于截止減小區(qū)16的一對溝槽36，和對應(yīng)于光纖10外包層18的一對平坦區(qū)38。
利用改良型化學(xué)蒸汽沉積(MVCD)技術(shù)制造原型光纖。然而，在不偏離本發(fā)明精神的條件下，可以利用其他的制造技術(shù)。這些其他的技術(shù)包括蒸汽軸向沉積(VAD)，外蒸汽沉積(OVD)，或溶液摻雜。在Tankala的U.S.Patent No.6,578,387中描述適用于制造按照本發(fā)明光纖的典型MCVD技術(shù)，該技術(shù)轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人，并把它合并在此供參考。在MCVD中，由所需外包層材料制成的空心外管可旋轉(zhuǎn)地安裝在車床或其他合適裝置中。當(dāng)空心管子旋轉(zhuǎn)時(shí)，一系列化學(xué)蒸汽流過管子，與此同時(shí)，沿管子下側(cè)的長度方向前后移動噴燈。這些化學(xué)制劑包括例如，O2，SiCl4，GeCl4等。噴燈產(chǎn)生的熱量激勵(lì)蒸汽沉積到管子內(nèi)部的多層。每層的折射率是由沉積的SiO2與摻雜劑的比例確定。一旦完成沉積過程，在增大的溫度和減小的空氣壓力下加熱管子，使管子和沉積的化學(xué)制劑破裂成固體預(yù)制件。把預(yù)制件裝入拉絲塔，在其中被加熱和拉制成光纖。
在這個(gè)原型中，利用氟(F)作為摻雜劑制作截止減小區(qū)16以降低該區(qū)的折射率。在上述的MCVD過程中，在克分子濃度為0-3％下，引入silsesquioxane flluoride(SiO1.5F)形式的氟。利用鍺(Ge)作為摻雜劑制作體積增大區(qū)14以升高該區(qū)的折射率。在MCVD過程中，在克分子濃度為0-15％下，引入二氧化鍺GeO2形式的鍺。在每個(gè)沉積層中增加體積增大區(qū)的二氧化鍺克分子濃度以形成圖3所示的斜肩34。
在原型光纖中，利用溶液摻雜技術(shù)制作纖芯。按照這種技術(shù)，從MCVD車床中去掉有沉積煙灰層的部分成型預(yù)制件，然后，把它浸入到含纖芯摻雜劑鋁(Al)，鑭(La)和鉺(Er)的溶液中以形成RIP30的中央尖峰32。把預(yù)制件重新裝入MCVD車床并使氯氣流過預(yù)制件管進(jìn)行干燥。最后，在升高的溫度和減小的空氣壓力下加熱預(yù)制件使煙灰層燒結(jié)，并使預(yù)制件破裂成固態(tài)圓柱體。
應(yīng)當(dāng)明白，這種原型是僅僅作為例子，且本發(fā)明不限于該制造技術(shù)和上述的具體摻雜劑。在不偏離本發(fā)明精神的條件下，可以采用其他的摻雜劑。例如，這些其他的摻雜劑包括P2O5，B2O3等。
在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)當(dāng)理解，給體積增大區(qū)34摻鍺。因此，在纖芯32附近沒有氟。以前的研究表明，氟可以升高拼接時(shí)的錐形損耗。因此，從大部分光纖模場所在的纖芯32中去掉氟可以減小這種效應(yīng)。
按照本發(fā)明的另一特征，在基本不改變纖芯的條件下，本發(fā)明可用于改變現(xiàn)有技術(shù)的光纖設(shè)計(jì)。改變的光纖具有改進(jìn)的拼接性能，同時(shí)仍保留現(xiàn)有設(shè)計(jì)的光學(xué)性質(zhì)。按照本發(fā)明的這一特征，利用體積增大區(qū)圍繞纖芯改變現(xiàn)有設(shè)計(jì)，例如，圖1所示的體積增大區(qū)14。如以上所討論的，增加體積增大區(qū)可以增大光纖的折射率體積。利用截止減小區(qū)圍繞體積增大區(qū)也可以光纖設(shè)計(jì)，例如，圖1所示的截止減小區(qū)16。如以上所討論的，截止減小區(qū)補(bǔ)償體積增大區(qū)造成的光纖截止波長增大。因?yàn)槭褂孟嗤睦w芯，改變的光纖仍然保持某些所需的性質(zhì)，例如，增益曲線，模場直徑等，與此同時(shí)具有改進(jìn)的拼接性能。
原型光纖的測試是通過比較它的性能與有相同纖芯的控制光纖性能，但利用不包含體積增大區(qū)或截止減小區(qū)的傳統(tǒng)匹配包層。每個(gè)光纖拼接性能的測試是通過引入一系列接頭，其中Ericsson的FSU995熔融拼接器用于拼接該光纖與SSMF，電弧電流的范圍是從10.0mA至16.0mA以改變摻雜劑的擴(kuò)散速率。在1550nm下測量接頭損耗，測量結(jié)果是作為時(shí)間的函數(shù)畫出。圖4中曲線100表示控制光纖的拼接性能，而圖5中曲線200表示原型光纖的拼接性能。這兩種光纖的截止波長是在980nm以下。
在圖4中可以看出，利用控制光纖能夠得到的最小拼接損耗量約為0.2dB。在圖5中可以看出，利用原型光纖能夠得到的最小拼接損耗量約為0.1dB。此外，在圖5中可以看出，原型光纖的熱誘發(fā)模場擴(kuò)展速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于控制光纖的模場擴(kuò)展速率。圖5所示的拼接損耗函數(shù)反映這種較低的模場擴(kuò)展速率，它的范圍是17秒，與圖4所示的拼接損耗函數(shù)比較，它的范圍是7秒。這個(gè)較低的擴(kuò)展速率對于模場擴(kuò)展是多余的其他拼接組合中很重要，例如，在EDF與自身拼接或與有類似RIP的另一種光纖拼接情況下。
圖4和5所示的曲線圖說明本發(fā)明的另一特征。如這些曲線圖中所示，除了產(chǎn)生減小的接頭損耗以外，按照本發(fā)明的光纖有非常穩(wěn)定的拼接性能，在各種拼接條件變化的范圍內(nèi)，可以制成合適的接頭。比較這兩個(gè)曲線圖，我們可以看出，圖5中曲線相對于最佳拼接時(shí)間和電流的偏差有較大的容限。本發(fā)明的這一特征是重要的，因?yàn)樯a(chǎn)EDFA和其他的光纖裝置正在從較小的工廠和實(shí)驗(yàn)室發(fā)展成專業(yè)公司的批量生產(chǎn)。
在批量生產(chǎn)的環(huán)境下，對光纖產(chǎn)品的要求是一致性，可靠性和容易操作。在批量生產(chǎn)中，磨損的拼接電極，電流控制中的起伏，以及諸如濕度，溫度，壓力等的環(huán)境條件變化要求總是保持相同的拼接條件是困難的。
如上所述，在評價(jià)光纖的拼接性能時(shí)，與波長的關(guān)系也是重要的參數(shù)。因此，我們進(jìn)行附加的測試，其中在980nm和1550nm下測量與SSMF拼接的接頭損耗。圖6中曲線60說明控制光纖的這些測試結(jié)果，而圖7中曲線70說明原型光纖的這些測試結(jié)果。在這些測試中，使用Sumitomo型號30的熔融拼接器。熔融時(shí)間和電弧功率電平是變化的，在980nm和1550nm下測量拼接之后的相應(yīng)損耗值。從圖7的曲線70中可以看出，對于原型光纖，可以得到獨(dú)立于波長的損耗值是在0.20dB以下。然而，從圖6的曲線60中可以看出，對于控制光纖，獨(dú)立于波長的損耗值大于0.20dB。
利用上述本發(fā)明特征的變化，可以實(shí)現(xiàn)所需的折射率體積和截止波長。圖8表示按照本發(fā)明另一特征的光纖80，而圖9表示光纖100的折射率分布90。如圖10和11所示，該光纖包括中央纖芯82和圍繞纖芯的體積增大區(qū)84。按照本發(fā)明的這一特征，包含內(nèi)斷面86a和外斷面86b的截止減小區(qū)86圍繞體積增大區(qū)84。圍繞截止減小區(qū)外斷面86b的是外包層88。在圖9中，中央尖峰92對應(yīng)于纖芯82，斜肩94對應(yīng)于體積增大區(qū)84，內(nèi)溝槽區(qū)96a對應(yīng)于截止減小區(qū)的內(nèi)斷面86a，外溝槽區(qū)96b對應(yīng)于截止減小區(qū)的外斷面86b，而外平坦區(qū)98對應(yīng)于外包層88。
內(nèi)斷面86a有較低的摻雜劑濃度，它可以使接頭熱處理期間的摻雜劑從截止減小區(qū)到纖芯和體積增大區(qū)的擴(kuò)散減至最小。這種擴(kuò)散可以減小拼接點(diǎn)的折射率體積。也可以不給內(nèi)斷面86a摻雜。內(nèi)斷面86a中較低的摻雜劑濃度是有用的，例如，在利用氟摻雜截止減小區(qū)的情況下。與其他的摻雜劑比較，氟摻雜劑在光纖中的擴(kuò)散通常較快。因此，在利用氟摻雜截止減小區(qū)時(shí)，有利的是，在截止減小區(qū)的重?fù)诫s外斷面86b與體積增大區(qū)84之間有一些間隔。
按照本發(fā)明的另一特征，通過組合增大的纖芯直徑與合適的截止減小區(qū)，也可以得到折射率體積與截止波長的所需組合。圖10表示按照本發(fā)明這一特征的光纖100橫斷面，而圖11表示對應(yīng)于圖10所示光纖100的RIP 110。如圖10所示，光纖100包含直徑已增大的纖芯區(qū)102，為的是增大光纖的折射率體積。圍繞纖芯區(qū)102的是截止減小區(qū)104，它設(shè)計(jì)成補(bǔ)償光纖折射率體積增大造成的截止波長增大。圍繞截止減小區(qū)104的是外包層。圖11表示光纖100的RIP 110。中央尖峰112對應(yīng)于纖芯102。溝槽114對應(yīng)于截止減小區(qū)104，而外平坦區(qū)116對應(yīng)于外包層區(qū)106。
按照本發(fā)明的另一特征，可以利用體積增大區(qū)而沒有對應(yīng)的截止減小區(qū)。本發(fā)明的這個(gè)特征可用在增大截止波長是可接受的情況。然而，這種光纖仍具有改進(jìn)的拼接性能。我們回到圖1和2，通過去掉區(qū)域16并使外包層18一直延伸到體積增大區(qū)14的外圓周，可以制成這樣的光纖。當(dāng)然，去掉區(qū)域16就去掉了圖2中RIP的溝槽26。
圖12表示按照本發(fā)明另一特征制作有改進(jìn)拼接性能光纖的方法流程圖120。在步驟122，制作包含體積增大區(qū)的預(yù)制件，例如，以上討論的圖1所示體積增大區(qū)14或圖8所示體積增大區(qū)84。在不偏離本發(fā)明精神的條件下，可以改變體積增大區(qū)84的折射率分布形狀。在步驟124，截止減小區(qū)用于補(bǔ)償體積增大區(qū)中折射率體積增大造成的截止波長增大。這個(gè)截止減小區(qū)可以包含單個(gè)斷面，例如，圖1所示的截止減小區(qū)16；或可以包含多個(gè)斷面，例如，圖8所示兩個(gè)斷面的截止減小區(qū)86a和86b。在步驟126，把預(yù)制件拉制成光纖。
圖13表示按照本發(fā)明另一特征的方法流程圖130，其中MCVD技術(shù)用于制作有改進(jìn)拼接性能的光纖。在步驟132，外管安裝到旋轉(zhuǎn)裝置，例如，車床。在步驟134，使包含化學(xué)制劑的蒸汽流過管子。在步驟136，加熱管子使各層化學(xué)制劑從蒸汽沉積到管子的內(nèi)表面。在步驟138，沉積化學(xué)制劑以形成截止減小區(qū)。如以上所討論的，這個(gè)截止減小區(qū)可以包含單個(gè)斷面或多個(gè)斷面。在步驟140，沉積化學(xué)制劑以形成體積增大區(qū)。若需要傾斜的體積增大區(qū)，則在建立該區(qū)域時(shí)逐漸增大摻雜劑的濃度。
在步驟142，沉積化學(xué)制劑以形成中央纖芯區(qū)。如以上所討論的，利用溶液摻雜技術(shù)，可以完成這個(gè)步驟。在不偏離本發(fā)明精神的條件下，也可以利用其他的合適技術(shù)以形成纖芯區(qū)，其中包括蒸汽沉積技術(shù)。在步驟144，通過增加熱量和降低壓力，使管子破裂以形成固態(tài)預(yù)制件。在步驟146，把預(yù)制件拉制成光纖。
圖14表示按照本發(fā)明另一特征的方法流程圖150。在步驟152，制作有增大折射率體積纖芯的預(yù)制件。在步驟154，截止減小區(qū)用于補(bǔ)償折射率體積增大造成的截止波長增大。在步驟156，把預(yù)制件拉制成光纖。
雖然以上的描述包含能使本領(lǐng)域?qū)I(yè)人員實(shí)踐本發(fā)明的細(xì)節(jié)，但是應(yīng)當(dāng)理解，這種描述是例證的性質(zhì)，在不偏離專業(yè)人員熟知這些內(nèi)容的條件下可以作各種改動和變化。因此，本發(fā)明僅受所附權(quán)利要求書的限制，而權(quán)利要求書應(yīng)當(dāng)解釋成現(xiàn)有技術(shù)所允許的寬廣范圍。
權(quán)利要求
1.一種改進(jìn)型光纖，包括纖芯區(qū)和圍繞纖芯的多個(gè)區(qū)域，其中改進(jìn)包括圍繞纖芯區(qū)的體積增大區(qū)，給體積增大區(qū)摻雜以增大光纖的折射率體積；圍繞體積增大區(qū)的截止減小區(qū)，給截止減小區(qū)摻雜以減小光纖的截止波長，截止減小區(qū)補(bǔ)償體積增大區(qū)造成的光纖截止波長增大。
2.按照權(quán)利要求1的光纖，其中體積增大區(qū)的折射率分布是從它的外圓周向上傾斜到它的內(nèi)圓周。
3.按照權(quán)利要求1的光纖，其中截止減小區(qū)有階躍折射率分布。
4.按照權(quán)利要求3的光纖，其中截止減小區(qū)有不同折射率的內(nèi)斷面和外斷面。
5.按照權(quán)利要求4的光纖，其中截止減小區(qū)外斷面的摻雜濃度超過內(nèi)斷面的摻雜濃度。
6.按照權(quán)利要求1的光纖，其中給體積增大包層區(qū)摻鍺，而給截止減小區(qū)摻氟。
7.一種制作改進(jìn)型光纖的方法，其中形成纖芯區(qū)和圍繞區(qū)，其中改進(jìn)包括利用體積增大區(qū)圍繞纖芯區(qū)；利用截止減小區(qū)圍繞體積增大區(qū)，給截止減小區(qū)摻雜以減小光纖的截止波長，截止減小區(qū)補(bǔ)償體積增大區(qū)造成的光纖截止波長增大；和利用外包層區(qū)圍繞截止減小區(qū)。
8.按照權(quán)利要求7的方法，其中利用體積增大區(qū)圍繞纖芯區(qū)的步驟包括給體積增大區(qū)摻雜，使它的折射率分布是從它的外圓周向上傾斜到它的內(nèi)圓周。
9.按照權(quán)利要求8的方法，其中利用截止減小區(qū)圍繞體積增大區(qū)的步驟包括給截止減小區(qū)摻雜以得到階躍折射率分布。
10.按照權(quán)利要求9的方法，其中利用截止減小區(qū)圍繞體積增大區(qū)的步驟包括給截止減小區(qū)摻雜以得到有不同折射率的內(nèi)斷面和外斷面。
全文摘要
一種光纖包括纖芯區(qū)和圍繞纖芯的第一包層區(qū)。給第一包層區(qū)摻雜以增大光纖的折射率體積。第二包層區(qū)圍繞第一包層區(qū)。給第二包層區(qū)摻雜以減小光纖的截止波長，補(bǔ)償?shù)谝话鼘訁^(qū)造成的光纖截止波長增大。外包層圍繞截止減小區(qū)。在另一個(gè)實(shí)施例中，給體積增大區(qū)摻雜，使它的折射率分布是從體積增大區(qū)的外圓周傾斜增大到它的內(nèi)圓周。在另一個(gè)實(shí)施例中，截止減小區(qū)有多個(gè)斷面的階躍折射率分布。
文檔編號G02B6/02GK1721895SQ200510079458
公開日2006年1月18日 申請日期2005年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月23日
發(fā)明者丹·雅各布森, 貝拉·帕爾斯多蒂, 托本·E·翁 申請人:古河電子北美公司