專利名稱：曝光設(shè)備、曝光方法和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光設(shè)備和器件制造方法，其中基片被曝光光照射而被曝光。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件和液晶顯示器件通過所謂的光刻技術(shù)被制造，通過該技術(shù)，被形成在掩模上的圖案通過光刻技術(shù)被轉(zhuǎn)移到光敏基片。在光刻過程中使用的曝光設(shè)備具有支持掩模的掩模臺和支持基片的基片臺，在接連地移動(dòng)掩模臺和基片臺的同時(shí)，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)把掩模圖案轉(zhuǎn)移到基片。近年來，為了處理高得多的集成水平的器件圖案，要求有更高的分辨率的投影光學(xué)系統(tǒng)。當(dāng)使用的曝光波長是更短時(shí)，投影光學(xué)系統(tǒng)的分辨率變得更高。當(dāng)投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑更大時(shí)，投影光學(xué)系統(tǒng)的分辨率變得更高。因此，在曝光設(shè)備中使用的曝光波長逐年縮短，并且投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑也增加。而且，當(dāng)前的主流曝光波長是248nm KrF激基激光器，但更短的波長193nm ArF激基激光器也已推向市場。另外，當(dāng)執(zhí)行曝光時(shí)，除了分辨率以外，焦深(DOF)也是重要的。分辨率R和焦深δ分別由以下公式表示R＝k1·λ/NA，(1)δ＝±k2·λ/NA2，(2)其中λ是曝光波長，NA是投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，以及k1和k2是處理系數(shù)。從公式(1)和(2)可以看到，如果為了增強(qiáng)分辨率R把波長λ做得更短和把數(shù)值孔徑λ做得更大，則焦深δ變得更窄。
當(dāng)焦深δ變得太窄時(shí)，很難使得基片表面與投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面做得一致，因此出現(xiàn)在曝光操作期間聚焦余量不夠的可能性。為了解決這個(gè)問題，在例如PCT國際公布號No.WO99/49504中公開的液浸方法被提出作為使得曝光波長實(shí)際上更短和焦深更廣的方法。液浸方法被設(shè)計(jì)成，通過用于液體，例如水或有機(jī)溶劑，填充在投影光學(xué)系統(tǒng)的下表面與基片面之間的空間，形成液浸區(qū)域，和因此通過利用在液體中曝光光的波長變?yōu)榭諝庵械牟ㄩL的1/n(n是液體的折射率，通常約為1.2到1.6)，提高分辨率，同時(shí)加大焦深約n倍。
順便地，在上述的現(xiàn)有技術(shù)中，通過由液體供應(yīng)裝置和液體回收裝置執(zhí)行液體的供應(yīng)和回收，液浸區(qū)域被形成在基片上，當(dāng)液體被回收時(shí)，有可能出現(xiàn)聲音和/或震動(dòng)，出現(xiàn)的聲音和/或震動(dòng)可能影響曝光精度和各種測量精度。
重要的是，為了保持曝光精度和各種測量精度和/或防止被形成在基片上的圖案惡化，可以適當(dāng)?shù)鼗厥找后w。當(dāng)液體不能完全被回收時(shí)，還帶來缺點(diǎn)，例如，在基片上的剩余液體干燥時(shí)，在其上留下粘接劑痕跡(水印)，或剩余的液體散布在相鄰的機(jī)械零件上，使得它們腐蝕。而且，當(dāng)液體剩余或散布時(shí)，它造成例如其中基片所處的環(huán)境(濕度等)的變化，導(dǎo)致在用于臺位置測量的光學(xué)干涉儀檢測的光的光路徑上折射率的改變，因此影響與曝光過程有關(guān)的各種測量操作，造成曝光精度降低。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到這樣的情形作出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供曝光方法、曝光設(shè)備和器件制造方法，其中當(dāng)通過用曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射基片而使基片被曝光時(shí)，可以保持曝光精度。
為了解決上述的問題，本發(fā)明采用在實(shí)施例中顯示的和相應(yīng)于圖1到19的以下的配置。應(yīng)當(dāng)指出，附在每個(gè)元件上的每個(gè)括號代表單元，僅僅為了說明而不是限制該單元。
本發(fā)明的曝光設(shè)備(EX)是通過把曝光光(EL)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)和液體(1)照射到被放置在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的圖像面一側(cè)而曝光基片(P)的曝光設(shè)備，曝光設(shè)備包括液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)(10)，用來把液體供應(yīng)到基片(P)上；和液體回收機(jī)構(gòu)(20)，用來回收被供應(yīng)到基片(P)上的液體(1)，其中當(dāng)曝光光(EL)照射到投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的圖像面一側(cè)時(shí)，液體回收機(jī)構(gòu)(20)不執(zhí)行液體(1)回收。
按照本發(fā)明，通過當(dāng)曝光光照射到投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的圖像面一側(cè)時(shí)，液體回收機(jī)構(gòu)不執(zhí)行液體(1)回收，可以防止在對基片進(jìn)行曝光操作期間出現(xiàn)由于液體回收操作造成的聲音和/或振動(dòng)其中曝光光照射到圖像面一側(cè)。因此，由于聲音和/或振動(dòng)造成降低曝光精度的缺點(diǎn)可被排除。對于其中曝光光照射到投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的圖像面一側(cè)的操作，除了對基片的曝光操作，還有例如藉助于被放置在投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)上的各種光接收傳感器的經(jīng)由液體的曝光光的檢測操作。通過在光接收傳感器的這種曝光光檢測操作期間液體回收機(jī)構(gòu)也不執(zhí)行液體(1)回收，由于聲音和/或振動(dòng)造成降低曝光精度的缺點(diǎn)可以避免。
本發(fā)明的曝光設(shè)備(EX)是通過把曝光光(EL)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)和液體(1)照射到被放置在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的圖像面一側(cè)而曝光基片(P)的曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備包括基片保持部件(PST)，它在保持基片(P)的同時(shí)可移動(dòng)；和液體回收機(jī)構(gòu)(20)，它把回收端口(23，23A-23D)放在基片臺(PST)上方，回收基片(P)上的液體(1)，以及其中在由基片保持部件(PST)保持的基片(P)的曝光完成后，基片保持部件(PST)和基片保持部件(PST)的回收部分(23，23A-23D)相對移動(dòng)。
按照本發(fā)明，通過在基片的曝光完成后，相對移動(dòng)基片保持部件和液體回收機(jī)構(gòu)的回收端口，在曝光期間沒有被液體回收機(jī)構(gòu)回收的和仍舊留在基片或基片保持部件上的液體可被回收。因此，由于液體仍舊殘留造成的、諸如水印的出現(xiàn)、設(shè)備生銹、和環(huán)境的變化等等的缺點(diǎn)的發(fā)生可以避免。
本發(fā)明的曝光設(shè)備(EX)是通過在基片(P)的一部分上形成液浸區(qū)域(AR2)和通過把曝光光(EL)經(jīng)由在液浸區(qū)域(AR2)上形成的液體(1)和投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)照射基片(P)，而曝光基片(P)的曝光設(shè)備，該曝光設(shè)備包括液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)(10)，用來在基片(P)曝光期間把液體(1)供應(yīng)到基片(P)上；和液體回收機(jī)構(gòu)(20)，用來在基片(P)曝光期間從基片(P)上方抽吸和回收在基片(P)上的液體(1)，以及在基片(P)曝光期間由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)(10)供應(yīng)的液體供應(yīng)量大于由液體回收機(jī)構(gòu)(20)抽吸的液體回收量。
在其中液體回收機(jī)構(gòu)通過從基片上方抽吸液體而回收基片上的液體的配置的情形下，可能引起這樣的情形，其中液體連同周圍的氣體(就好像吞咽氣體)一起被回收，以及以好像吞咽氣體的方式回收液體被看作為造成聲音和/或振動(dòng)發(fā)生的因素。按照本發(fā)明，通過使得基片上液體供應(yīng)量更大，通過當(dāng)液體被液體回收機(jī)構(gòu)與氣體一起抽吸和回收時(shí)使得液體的部分更大，以及從而通過使得被吞咽的氣體的量更小，聲音和/或振動(dòng)可被減小。
本發(fā)明的曝光設(shè)備(EX)是通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)和液體(1)照射到基片(P)而曝光基片(P)的曝光設(shè)備，該曝光設(shè)備包括可移動(dòng)的部件(PST)，它被放置在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的圖像面一側(cè)，并且保持在可移動(dòng)的部件與投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)之間的液體(1)；和液體回收機(jī)構(gòu)(20)，它把回收部分(23)放置成面對可移動(dòng)的部件(PST)，并且能夠回收在可移動(dòng)的部件(PST)上的液體，以及其中相對移動(dòng)可移動(dòng)的部件(PST)和液體回收機(jī)構(gòu)的回收部分(23)的同時(shí)，在可移動(dòng)的部件(PST)上的液體被回收。
按照本發(fā)明，在可移動(dòng)的部件上的液體可以可靠地回收，因此由于剩余液體造成的缺點(diǎn)，諸如出現(xiàn)粘接劑軌跡，可被抑制。
本發(fā)明的器件制造方法的特征在于，它使用上述的曝光設(shè)備(EX)。按照本發(fā)明，曝光過程可以在保持高的曝光精度的狀態(tài)下被執(zhí)行，因此，可以提供可產(chǎn)生想要的性能的器件。
本發(fā)明的曝光方法是這樣的曝光方法，它在保持基片(P)的同時(shí)可移動(dòng)的可移動(dòng)體(PST)與投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)之間局部地形成液浸區(qū)域(AR2)，并且通過相對于曝光光(EL)移動(dòng)基片(P)的同時(shí)把曝光光(EL)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)和形成液浸區(qū)域(AR2)的液體(1)照射在基片(P)上，對于多個(gè)拍攝區(qū)域(S1-S20，T1-T32)的每個(gè)拍攝區(qū)域執(zhí)行掃描曝光，其中基片(P)的移動(dòng)速度根據(jù)多個(gè)拍攝區(qū)域(S1-S20，T1-T32)的每個(gè)拍攝區(qū)域在基片(P)上的位置被確定。
應(yīng)當(dāng)指出，上述的可移動(dòng)體的上表面包括由可移動(dòng)體保持的基片的表面。
按照本發(fā)明，因?yàn)楫?dāng)每個(gè)拍攝區(qū)域被曝光時(shí)，基片的移動(dòng)速度根據(jù)拍攝區(qū)域在基片上的位置被確定，拍攝區(qū)域可被曝光，液體很好地被保持在投影光學(xué)系統(tǒng)與可移動(dòng)體的上表面之間，而不論基片上的位置如何。


圖1是顯示本發(fā)明的曝光設(shè)備的實(shí)施例的示意圖。
圖2是用于示例地說明液體供應(yīng)部分和回收部分的布局的平面圖。
圖3是基片臺的平面圖。
圖4是顯示構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)和液體回收機(jī)構(gòu)的流動(dòng)路徑形成部件的透視圖。
圖5是顯示被包括在流動(dòng)路徑形成部件中的第一部件的透視圖。
圖6A和6B是顯示被包括在流動(dòng)路徑形成部件中的第二部件的透視圖。
圖7A和7B是顯示被包括在流動(dòng)路徑形成部件中的第二部件的透視圖。
圖8是沿圖4的A-A箭頭取的截面圖。
圖9是沿圖4的B-B箭頭取的截面圖。
圖10是顯示在基片曝光期間的液體供應(yīng)和回收操作的示意圖。
圖11是顯示在基片曝光完成后的液體供應(yīng)和回收操作的示意圖。
圖12是顯示在基片曝光完成后的液體回收操作的例子的示意圖。
圖13是顯示在基片曝光完成后的液體回收操作的另一個(gè)例子的示意圖。
圖14是顯示在基片曝光完成后的液體回收操作的再一個(gè)例子的示意圖。
圖15是顯示本發(fā)明的曝光設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖16是顯示流動(dòng)路徑形成部件的另一個(gè)例子的概略透視圖。
圖17A和17B是顯示與本發(fā)明有關(guān)的基片臺的另一個(gè)例子的圖。
圖18是用于說明曝光序列的例子的圖。
圖19是顯示半導(dǎo)體器件制造過程的例子的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在下面，將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明不僅僅限于以下的實(shí)施例，而是這些實(shí)施例的組成的元件可被適當(dāng)?shù)亟M合。
圖1是顯示本發(fā)明的曝光設(shè)備的實(shí)施例的示意圖。
參考圖1，曝光設(shè)備EX配備有掩模臺MST，用來支撐掩模M；基片臺PST，用來支撐基片P；照明光學(xué)系統(tǒng)IL，利用曝光光EL照射由掩模臺支撐的掩模；投影光學(xué)系統(tǒng)PL，把由曝光光EL照射的掩模M的圖案圖像投影曝光在由基片臺PST支撐的基片上；和控制器CONT，用來控制曝光設(shè)備EX的總的操作。
本實(shí)施例的曝光設(shè)備EX是液浸曝光設(shè)備，對其施加液浸方法，使得曝光波長實(shí)際上被縮短以提高分辨率和展寬焦深，并且配備有液體供應(yīng)系統(tǒng)10，供應(yīng)液體1到基片P上；和液體回收系統(tǒng)20，回收被供應(yīng)到基片P上的液體1。曝光設(shè)備EX至少在把掩模M的圖案圖像轉(zhuǎn)移到基片時(shí)通過使用由液體供應(yīng)系統(tǒng)10供應(yīng)的液體1形成在基片P的一部分上的液浸區(qū)域AR2以包括投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1。更具體地，曝光設(shè)備EX采用局部液浸方法，其中在位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)的光學(xué)元件2與被放置在圖像面一側(cè)的基片P的表面(曝光表面)之間的空間被填充以液體1，并且通過把經(jīng)由在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片P之間的液體1通過掩模M的曝光光EL照射到基片P，把掩模M的圖案轉(zhuǎn)移-曝光到基片P上。
本實(shí)施例被描述為(作為例子)假設(shè)使用作為曝光設(shè)備EX的掃描型曝光設(shè)備(所謂的掃描分檔器)的情形，其中在沿掃描方向在互相不同的方向(相反的方向)同步地移動(dòng)掩模M和基片P的同時(shí)，被形成在掩模M上的圖案被曝光到基片P上。應(yīng)當(dāng)指出，取決于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的結(jié)構(gòu)，可以有其中掩模M與基片P沿相同的方向移動(dòng)的情形。在以下的說明中，假設(shè)與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX相一致的方向被稱為Z軸方向，在垂直于Z軸的平面中掩模M與基片P的同步移動(dòng)方向(掃描方向)被稱為X軸方向，并且垂直于Z方向和X方向的方向被稱為Y方向(非掃描方向)。應(yīng)當(dāng)指出，這里涉及的“基片”包括在其上施加作為光敏材料的光刻膠的半導(dǎo)體晶片，“掩?！卑ㄔ谄渖闲纬梢豢s小投影在基片上的器件圖案的刻板。
照明光學(xué)系統(tǒng)IL是用來用曝光光EL照明由掩模臺MST支撐的掩模M，它包括用于曝光光源；光學(xué)積分器，用于使得從曝光光源發(fā)射的光通量的照明均勻化；聚光透鏡，用于積聚來自光學(xué)積分器的曝光光EL；中繼透鏡系統(tǒng)；可變場光圈，用于將由曝光光EL在掩模M上形成的照明區(qū)域設(shè)置為縫隙形狀。在掩模上的指定的照明區(qū)域是由照明光學(xué)系統(tǒng)IL用具有均勻照明分布的曝光光照射的。作為從照明光學(xué)系統(tǒng)IL發(fā)射的曝光光EL，例如，可以使用從水銀燈發(fā)射的紫外線區(qū)域的亮線(g線，h線，i線)、諸如KrF激基激光器光(248nm的波長)的遠(yuǎn)紫外光(DUF光)、和諸如ArF激基激光器光(193nm的波長)或F2激基激光器光(157nm的波長)的真空紫外光(VUF光)。在本實(shí)施例中，使用ArF。
掩模臺MST是用于支撐掩模的，它是在垂直于光軸AX的平面上，即在XY平面上可二維移動(dòng)的，并且可以在θZ方向上微小地旋轉(zhuǎn)。掩模臺MST由諸如線性電動(dòng)機(jī)的掩模臺驅(qū)動(dòng)器MSTD驅(qū)動(dòng)。掩模臺驅(qū)動(dòng)器MSTD由控制器CONT進(jìn)行控制。在掩模臺MST上設(shè)置移動(dòng)鏡50。而且，在面對移動(dòng)鏡50的位置處提供激光干涉儀51。在掩模臺MST上掩模M的二維位置和旋轉(zhuǎn)角由激光干涉儀51實(shí)時(shí)地測量，并且測量結(jié)果被輸出到控制器CONT。通過根據(jù)來自激光干涉儀51的測量結(jié)果驅(qū)動(dòng)掩模臺驅(qū)動(dòng)器MSTD，控制器CONT對于由掩模臺MST支撐的掩模M執(zhí)行定位。
投影光學(xué)系統(tǒng)PL是用于把掩模M的圖案以預(yù)定的投影放大倍數(shù)β投影曝光到基片P，它由多個(gè)光學(xué)元件構(gòu)成，包括被放置在基片P一側(cè)(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè))的末端部分處的光學(xué)元件(透鏡)2，這些光學(xué)元件由鏡筒PK支撐。在實(shí)施例中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL是縮小的系統(tǒng)，它的投影放大倍數(shù)β例如是1/4或1/5。應(yīng)當(dāng)指出，投影光學(xué)系統(tǒng)也可以是單位放大率系統(tǒng)或是放大系統(tǒng)。應(yīng)當(dāng)指出，在實(shí)施例的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端部分處的光學(xué)元件2，是相對于鏡筒PK可拆卸(可交換)布置的，并且液浸區(qū)域AR2的液體1與光學(xué)元件2相接觸。
在實(shí)施例中，純凈水被用作為液體1。純凈水不單可以傳送ArF激基激光器光，而且可以傳送由水銀燈發(fā)射的紫外線區(qū)域的亮線(g線，h線，i線)和諸如KrF激基激光器光(248nm的波長)的遠(yuǎn)紫外光(DUF光)。
光學(xué)元件2由螢石制成。由于螢石對于水有高的親和力，液體1可被做成為基本上與光學(xué)元件2的液體接觸面2a的整個(gè)表面緊密接觸。更具體地，在本實(shí)施例中，由于它被配置成供應(yīng)具有對于光學(xué)元件2的液體接觸面2a的高的親和力的液體(水)1，在光學(xué)元件2的液體接觸面2a與液體1之間的接觸程度是高的，這樣，在光學(xué)元件2與基片P之間的光的路徑可以保證充滿以液體1。應(yīng)當(dāng)指出，光學(xué)元件2可以由石英制成，它對于水具有高的親和力。而且，可以配置成光學(xué)元件2的液體接觸面2a被施加以親水(親液體的)處理，以增強(qiáng)對于液體1的親和力。
基片臺PST是用于支撐基片P的，它配備有Z臺52，該Z臺經(jīng)由基片保持器保持基片P；XY臺53，用來支撐Z臺52；和基座54，用來支撐XY臺53?；_PST由諸如線性電動(dòng)機(jī)的基片臺驅(qū)動(dòng)器PSTD驅(qū)動(dòng)?；_驅(qū)動(dòng)器PSTD由控制器CONT進(jìn)行控制。通過驅(qū)動(dòng)Z臺52，由Z臺52保持的基片P的Z方向位置(焦點(diǎn)位置)和θ-X和θ-Y方向位置被控制。而且，通過驅(qū)動(dòng)XY臺53，基片P的X-Y方向位置(在實(shí)質(zhì)上平行于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面的方向上的位置)被控制。而且，Z臺52通過基片P的控制焦點(diǎn)位置和傾斜角，藉助于自動(dòng)聚焦系統(tǒng)和自動(dòng)校平系統(tǒng)使得基片P表面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面相一致。XY臺53執(zhí)行在X軸和Y軸方向的基片P的定位。應(yīng)當(dāng)指出，無需說，Z臺和XY臺可被整體地構(gòu)建。
在基片臺PST(Z臺52)上設(shè)置移動(dòng)鏡55。而且，在面對移動(dòng)鏡55的位置處提供激光干涉儀56。在基片臺PST上基片P的二維位置和旋轉(zhuǎn)角由激光干涉儀56實(shí)時(shí)地測量，并且測量結(jié)果被輸出到控制器CONT。通過根據(jù)來自激光干涉儀56的測量結(jié)果驅(qū)動(dòng)基片臺驅(qū)動(dòng)器PSTD，控制器CONT執(zhí)行由基片臺PST支撐的基片P的定位。
而且，在基片臺PST(Z臺52)上提供環(huán)狀板部分57，以便環(huán)繞基片P。板部分57具有平表面57A，它的高度基本上等于由基片保持器保持的基片P的表面的高度。雖然在基片P的邊緣與板部分57之間有約0.1到1mm的縫隙，但由于液體1的表面張力，液體1很難流到縫隙，因此，即使在暴露基片P的外圍部分時(shí)，液體1可以藉助于板部分57被保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面。
液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10是用于把預(yù)定的液體1供應(yīng)在基片P上，該液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)配備有能夠傳遞液體1的第一液體供應(yīng)部分11和第二液體供應(yīng)部分12；以及還配備有第一供應(yīng)管道11A和第二供應(yīng)管道12A，每個(gè)管道的末端部分分別被連接到第一液體供應(yīng)部分11和第二液體供應(yīng)部分12。第一液體供應(yīng)部分11和第二液體供應(yīng)部分12的每個(gè)都具有存儲液體1的容器、增壓泵等等。
液體回收機(jī)構(gòu)20是用于回收被供應(yīng)到基片P上的液體1，它配備有能夠回收液體1的液體回收部分21；以及還配備有回收管道22(第一到第四回收管道22A-22D)，它的末端部分被連接到液體回收部分21。在回收管道22(第一到第四回收管道22A-22D)的中間位置處提供球形件24(第一到第四球形件24A-24D)。液體回收部分21具有諸如真空泵的真空系統(tǒng)(抽吸裝置)以及存儲被回收的液體1的容器等等。
流動(dòng)路徑形成部件30被放置在位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端部分處的光學(xué)元件2附近。
流動(dòng)路徑形成部件30是環(huán)狀部件，被提供來環(huán)繞在基片P上方的光學(xué)元件2。流動(dòng)路徑形成部件30配備有第一供應(yīng)端口13和第二供應(yīng)端口14，它們被提供在基片P(基片臺PST)的上方，并且被布置成面對基片P(基片臺PST)的表面。而且，流動(dòng)路徑形成部件30在其中具有供應(yīng)流動(dòng)路徑82(82A，82B)。供應(yīng)流動(dòng)路徑82A的一個(gè)末端被連接到第一供應(yīng)端口13；另一個(gè)末端部分經(jīng)由第一供應(yīng)管道11A被連接到第一液體供應(yīng)部分11。供應(yīng)流動(dòng)路徑82B的一個(gè)末端被連接到第二供應(yīng)端口14；另一個(gè)末端部分經(jīng)由第二供應(yīng)管道12A被連接到第二液體供應(yīng)部分12。流動(dòng)路徑形成部件30配備有回收端口23，它被提供在基片P(基片臺PST)的上方，并且被布置成面對基片P(基片臺PST)的表面。在本實(shí)施例中，流動(dòng)路徑形成部件30具有四個(gè)回收端口23A-23D。流動(dòng)路徑形成部件30在其中還具有相應(yīng)于回收端口23(23A-23D)的回收路徑流動(dòng)84(84A-84D)?；厥樟鲃?dòng)路徑84A-84D的一個(gè)末端分別被連接到回收端口23A-23D；另一個(gè)末端部分經(jīng)由回收管道22A-22D被連接到液體回收部分21。在本實(shí)施例中，流動(dòng)路徑形成部件30構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20的每個(gè)機(jī)構(gòu)的一個(gè)部分。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中第一到第四回收管道22A-22D被連接到單個(gè)液體回收部分21，但也可以配置成多個(gè)(在本例中是四個(gè))液體回收部分21相應(yīng)于回收管道的數(shù)目，以及第一到第四回收管道22A-22D，每個(gè)被連接到每個(gè)所述多個(gè)液體回收部分21。
提供到第一到第四回收管道22A-22D的第一到第四球形件24A-24D分別打開和關(guān)閉第一到第四回收管道22A-22D的流動(dòng)路徑，球形件的操作由控制器CONT控制。當(dāng)回收管道22(22A-22D)的流動(dòng)路徑被打開時(shí)，液體回收機(jī)構(gòu)20能夠從回收部分23(23A-23D)抽吸和回收液體1；當(dāng)回收管道22(22A-22D)的流動(dòng)路徑被球形件24(24A-24D)關(guān)閉時(shí)，液體1經(jīng)由回收端口23(23A-23D)的抽吸和回收被停止。
第一液體供應(yīng)部分11和第二液體供應(yīng)部分12的液體供應(yīng)操作被控制器CONT控制。控制器CONT可互相獨(dú)立地控制由第一液體供應(yīng)部分11和第二液體供應(yīng)部分12在基片P上每單位時(shí)間的液體供應(yīng)量。從第一液體供應(yīng)部分11和第二液體供應(yīng)部分12傳遞的液體1從在基片P上方提供的供應(yīng)端口13和14經(jīng)由流動(dòng)路徑形成部件30的供應(yīng)流動(dòng)路徑82A和82B供應(yīng)在基片P上(基片臺PST)。
而且，液體回收部分21的液體回收操作被控制器CONT控制。控制器CONT可控制由液體回收部分21的每單位時(shí)間的液體回收量。在基片P(基片臺PST)上的并從在基片P(基片臺PST)上提供的回收端口23回收的液體1經(jīng)由流動(dòng)路徑形成部件30的回收流動(dòng)路徑84被回收到液體回收部分21。
在相對于投影光學(xué)系統(tǒng)PL被安排在回收部分23(面對基片P側(cè)的表面)外面的流動(dòng)路徑形成部件30的下表面，形成捕獲液體1的、具有預(yù)定的長度的液體捕獲面。捕獲面70是相對于XY面傾斜的表面，并且被傾斜成使得捕獲面31被傾斜成使得在相對于投影區(qū)域AR1(液浸區(qū)域AR2)的外部位置處與基片P(向上指向)的表面分開。捕獲面70被施加親液體處理。因?yàn)樵诨琍的表面上涂覆的膜(光刻膠、抗反射膜等等)常常是厭水(厭液體)的，流到回收端口23的外面的液體1被捕獲表面70捕獲。應(yīng)當(dāng)指出，由于本實(shí)施例的液體1是具有大的極性的水，通過形成具有大的極性的分子結(jié)構(gòu)的物質(zhì)的膜，例如，酒精，作為施加到捕獲表面70的親水(親液體的)處理，親水性被給予捕獲表面70。更具體地，當(dāng)水被用作為液體1時(shí)，期望其中具有例如OH基的大的極性的分子結(jié)構(gòu)的物質(zhì)被布置在表面上的處理。
圖2是顯示在被形成在流動(dòng)路徑形成部件30上的第一和第二供應(yīng)端口13和14與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1之間的位置關(guān)系的平面圖。在圖2上，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1被設(shè)置為長方形，Y方向(非掃描方向)是它的長度方向。被填充以液體1的液浸區(qū)域AR2局部被形成在基本上由四個(gè)回收端口23A-23D包圍的區(qū)域內(nèi)的基片P的一部分上，以便包括投影區(qū)域AR1。第一供應(yīng)端口13被布置在相對于投影區(qū)域AR1的掃描方向一側(cè)(-X側(cè))，第二供應(yīng)端口14被布置在另一個(gè)側(cè)(+X側(cè))。換句話說，第一和第二供應(yīng)端口13和14分別被布置在投影區(qū)域AR1的兩側(cè)的任一側(cè)，以使得投影區(qū)域AR1相對于掃描方向(X方向)位于它們之間。第一和第二供應(yīng)端口13和14在Y方向的長度至少長于投影區(qū)域AR1在Y方向的長度。液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10可以從第一和第二供應(yīng)端口13和14同時(shí)供應(yīng)液體1到投影區(qū)域AR1的兩側(cè)上。
第一到第四回收端口23A-23D被布置成包圍供應(yīng)端口13和14與投影區(qū)域AR1。在多個(gè)(四個(gè))回收端口23A-23D中，第一回收端口23A和第三回收端口23C每個(gè)相對于X方向被布置在投影區(qū)域的兩側(cè)的任一側(cè)，投影區(qū)域AR1位于它們之間；第二回收端口23B和第四回收端口23D每個(gè)相對于Y方向被布置在投影區(qū)域的兩側(cè)的任一側(cè)，投影區(qū)域AR1位于它們之間。供應(yīng)端口13和14被配置成使得供應(yīng)端口13被布置在投影區(qū)域AR1與回收端口23A之間，以及供應(yīng)端口14被布置在投影區(qū)域AR1與回收端口23C之間。回收端口23A-23D每個(gè)被形成為具有從頂部觀看時(shí)基本上是弧形的縫隙狀的形狀，并具有預(yù)定的長度?；厥斩丝?3A和23C在Y方向的長度長于供應(yīng)端口13和14在Y方向的長度?；厥斩丝?3B和23B分別被形成為基本上與回收端口23A和23C相同的長度。第一到第四回收端口23A-23D分別經(jīng)由第一到第四回收管道22A-22D連接到液體回收部分21。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中多個(gè)回收端口23A到23D每個(gè)被形成具有基本上相等的尺寸(長度)，但它們可以具有互相不同的尺寸。而且，回收端口23的數(shù)目不限于四個(gè)，而可以提供任何數(shù)目的多個(gè)回收端口，只要它們被布置成圍繞投影區(qū)域AR1和供應(yīng)端口13和14。雖然在圖2上供應(yīng)端口(13，14)的縫隙寬度和回收端口(23A-23D)的縫隙寬度是近似相同的，但回收端口(23A-23D)的縫隙寬度可被做成大于供應(yīng)端口(13，14)的縫隙寬度。
圖3是從上方觀看的基片臺PST的Z臺52的平面圖。移動(dòng)鏡55布置在當(dāng)從上方觀看時(shí)是正方形的Z臺52的互相垂直的邊緣部分。另外，Z臺52的基本中心部分被放置基片P；具有其高度基本上等于基片P的表面的平表面57A的環(huán)狀平面部分57與Z臺52整體地被提供以便包圍基片P。
平面部分57的表面57A的兩個(gè)角被做成寬的；并且在一個(gè)寬的部分上提供基準(zhǔn)點(diǎn)FM，它在掩模M和基片P相對于預(yù)定的位置被對準(zhǔn)時(shí)被使用?；鶞?zhǔn)點(diǎn)FM由被提供在掩模M上方的掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)90(參照圖1)經(jīng)由掩模M和投影光學(xué)系統(tǒng)PL被檢測。也就是，掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)90構(gòu)成所謂的TTM(通過掩模)型(也稱為TTR(通過刻板)型)的對準(zhǔn)系統(tǒng)。應(yīng)當(dāng)指出，雖然未示出，曝光設(shè)備EX還配備有偏軸型基片對準(zhǔn)系統(tǒng)，它布置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的一側(cè)，并能夠檢測在基片P上形成的對準(zhǔn)掩模和基準(zhǔn)點(diǎn)。
而且，在平面部分57的表面57A的另一個(gè)寬的部分上，提供有光傳感器部分58。光傳感器部分58是用來檢測穿過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光光，它由檢測在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)上曝光光的照射的光量(亮度)的亮度傳感器構(gòu)成，或由檢測在投影區(qū)域AR1的亮度分布(亮度非均勻性)的亮度非均勻性傳感器構(gòu)成。光傳感器部分58配備有被提供在平板部分57上的透明部件，該透明部件具有與基片P的表面基本上相同的高度并且能夠發(fā)送曝光光EL；還配備有被嵌入在Z臺52(基片臺PST)的光接收器件，用來接收穿過上述透明部件的曝光光。應(yīng)當(dāng)指出，在本實(shí)施例中，基準(zhǔn)點(diǎn)FM被放置在平板部分57，用于布置基準(zhǔn)點(diǎn)FM的、與平板部分57分開的基準(zhǔn)點(diǎn)部件可被提供在基片臺PST上。同樣地，光傳感器部分58可被提供在位于基片臺PST上的不同于平板部分57的分開的位置。
如圖3所示，多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20被設(shè)置在基片P上，并且控制器CONT順序曝光在基片P上的多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20。在本實(shí)施例中，控制器CONT在移動(dòng)基片臺PST的同時(shí)監(jiān)視來自激光干涉儀56的輸出，這樣，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX(投影區(qū)域AR1)沿著圖3的虛線箭頭59延伸，并且控制器順序曝光多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20。
圖4是流動(dòng)路徑形成部件30的概略透視圖。
如圖4所示，流動(dòng)路徑形成部件30是環(huán)狀部件，被提供來包圍位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端部分的光學(xué)元件2，并且配備有第一部件31、位于第一部件31的上方部分的第二部件32、和位于第二部件32的上方部分的第三部件33。構(gòu)成流動(dòng)路徑形成部件30的第一到第三部件，每個(gè)是平板形的部件，并且在其中心部分分別具有開孔部分31A-33A，能夠布置投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)。在第一到第四回收管道22A-22D的中間部分，分別提供有第一到第四球形件24A-24D。
圖5是顯示在第一到第三部件中間的、被放置在最低層的第一部件31的透視圖。
第一部件31配備有被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X一側(cè)的、并供應(yīng)液體1到基片P的第一供應(yīng)端口13，和被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+X一側(cè)的、并供應(yīng)液體1到基片P的第二供應(yīng)端口14。第一和第二供應(yīng)端口13和14每個(gè)是穿過第一部件31的通孔，這些端口被形成為在從上方觀看時(shí)的弧形。而且，第一部件31配備有被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X一側(cè)的、并回收在基片P上的液體1的第一回收端口23A，被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-Y一側(cè)的、并回收在基片P上的液體1的第二回收端口23B，被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+X一側(cè)的、并回收在基片P上的液體1的第三回收端口23C，和被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+Y一側(cè)的、并回收在基片P上的液體1的第四回收端口23D。第一到第四回收端口23A-23D每個(gè)也是穿過第一部件31的通孔，這些端口被形成為在從上方觀看時(shí)的弧形，并且這些回收端口沿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的周邊基本上等距離地被設(shè)置。再者，第一到第四回收端口23A-23D每個(gè)相對于投影光學(xué)系統(tǒng)PL來說，比起供應(yīng)端口13和14更加向外被設(shè)置。在供應(yīng)端口13和14與基片P之間的距離和在回收端口23A-23D與基片P之間的距離被設(shè)置為基本上相等的。即，供應(yīng)端口13和14的高度位置和回收端口23A-23D的高度位置被設(shè)置為基本上相等的。
圖6A和6B是顯示在第一到第三部件中的、被放置在中間的第二部件32的透視圖；圖6A是從上方觀看的透視圖，而圖6B是從下面觀看的透視圖。第二部件32配備有被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X一側(cè)的、并當(dāng)?shù)谝徊考?1與第二部件32進(jìn)行連接時(shí)被連接到第一部件31的第一供應(yīng)端口13的第一供應(yīng)開孔部分15，和被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+X一側(cè)的、并被連接到第一部件31的第二供應(yīng)端口14的第二供應(yīng)開孔部分16。第一和第二供應(yīng)開孔部分15和16是通孔，它們的形狀和尺寸在從上方觀看時(shí)對應(yīng)于第一和第二供應(yīng)端口13和14的形狀和尺寸。換句話說，第一和第二供應(yīng)開孔部分15和16構(gòu)成在從上方觀看時(shí)的弧形的縫隙狀的流動(dòng)路徑。
如圖6B所示，在第二部件32的下表面32D的、投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X一側(cè)上形成第一回收槽部分25，它當(dāng)?shù)谝徊考?1與第二部件32進(jìn)行連接時(shí)被連接到第一部件31的第一回收端口23A；在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-Y一側(cè)上形成被連接到第一部件31的第二回收端口23B的第二回收槽部分26；在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+X一側(cè)上形成被連接到第一部件31的第三回收端口23C的第三回收槽部分27；以及在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+Y一側(cè)上形成被連接到第一部件31的第四回收端口23D的第四回收槽部分28。第一到第四回收槽部分25-28每個(gè)被形成為當(dāng)從上方觀看時(shí)基本上是弧形，以對應(yīng)于第一到第四回收端口23A-23D的各個(gè)形狀和尺寸，并且這些回收槽沿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的周邊基本上等距離被提供。而且，第一回收管道22A和第一回收槽部分25經(jīng)由錐形槽部分45被連接。錐形槽部分45被形成來使得它在從與第一回收管道22A的連接接口到第一回收槽部分25的過程中沿水平方向逐漸擴(kuò)展。同樣地，第二回收管道22B和第二回收槽部分26經(jīng)由錐形槽部分46被連接；第三回收管道22C和第三回收槽部分27經(jīng)由錐形槽部分47被連接；以及第四回收管道22D和第四回收槽部分28經(jīng)由錐形槽部分48被連接。
圖7A和7B是顯示在第一到第三部件中的、被放置在最上的第三部件33的透視圖；圖7A是從上方觀看的透視圖，而圖7B是從下面觀看的透視圖。在第三部件33的下表面33D中，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X一側(cè)上形成第一供應(yīng)槽部分41，它當(dāng)?shù)诙考?2與第三部件33進(jìn)行連接時(shí)被連接到第二部件32的第一供應(yīng)開孔部分15的第一供應(yīng)槽部分41；以及在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+X一側(cè)上形成被連接到第二部件32的第二供應(yīng)開孔部分16的第二供應(yīng)槽部分42。第一和第二供應(yīng)槽部分41和42每個(gè)被形成為當(dāng)從上方觀看時(shí)基本上是弧形，以對應(yīng)于第一和第二供應(yīng)開孔部分15和16(進(jìn)而對應(yīng)于第一和第二供應(yīng)端口13和14)。而且，第一供應(yīng)管道11A和第一供應(yīng)槽部分41經(jīng)由錐形槽部分43被連接。錐形槽部分43被形成來使得它在從與第一供應(yīng)管道11A的連接接口到第一供應(yīng)槽部分41的過程中沿水平方向逐漸擴(kuò)展。
同樣地，第二供應(yīng)管道12A和第二供應(yīng)槽部分42經(jīng)由錐形槽部分44被連接。
第一到第三部件31-33由諸如不銹鋼、鈦、鋁、或它們的合金之類的金屬被形成；部件31-33的開孔部分和槽部分通過例如放電加工被形成。通過由放電加工來處理部件31-33，然后通過使用粘接劑或固定部件來連接部件31-33，形成流動(dòng)路徑形成部件30。應(yīng)當(dāng)指出，與液體接觸的表面優(yōu)選地被施加以電解拋光處理或非導(dǎo)體氧化物膜處理。而且，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20的每個(gè)部件，包括流動(dòng)路徑形成部件30，可以由諸如聚四氟乙烯的合成樹脂被形成。
對于被連接的部件31-33，順序連接錐形槽部分43、第一供應(yīng)槽部分41、第一供應(yīng)開孔部分15、和第一供應(yīng)端口13，然后通過它們形成連接到第一供應(yīng)管道11A的第一供應(yīng)流動(dòng)路徑82A。類似地，通過被順序連接的錐形槽部分44、第二供應(yīng)槽部分42、第二供應(yīng)開孔部分16、和第二供應(yīng)端口14，形成連接到第二供應(yīng)管道12A的第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82B。因此，從第一和第二液體供應(yīng)部分11和12的每個(gè)傳遞的每個(gè)液體1從基片P上方經(jīng)由第一和第二供應(yīng)管道11A和12A與第一和第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82A和82B被供應(yīng)到基片P。
而且，通過被順序連接的錐形槽部分45、第一回收槽部分25、和第一回收端口23A，形成連接到第一回收管道22A的第一回收流動(dòng)路徑84A。類似地，通過被順序連接的錐形槽部分46、第二回收槽部分26、和第二回收端口23B，形成連接到第二回收管道22B的第二回收流動(dòng)路徑84B；通過被順序連接的錐形槽部分47、第三回收槽部分27、和第三回收端口23C，形成連接到第三回收管道22C的第三回收流動(dòng)路徑84C；以及通過被順序連接的錐形槽部分48、第四回收槽部分28、和第四回收端口23D，形成連接到第四回收管道22D的第四回收流動(dòng)路徑84D。因此，在基片P上的液體從基片P上方經(jīng)由從上述的第一到第四回收流動(dòng)路徑84A-84D和第一到第四回收管道22A-22D的每個(gè)被抽吸和回收。
在這方面，因?yàn)殄F形槽部分43和44分別被連接到第一和第二供應(yīng)管道11A和12A，可以執(zhí)行液體供應(yīng)操作，流動(dòng)量分布和流動(dòng)速度分布在供應(yīng)端口13和14的整個(gè)區(qū)域上被做成均勻的，該供應(yīng)端口的縱向位于Y方向。同樣地，因?yàn)殄F形槽部分45-48分別被連接到回收管道22A-22D，可以以均勻的回收力執(zhí)行液體回收操作。
圖8是沿圖4的A-A箭頭取的截面圖；圖9是沿圖4的B-B箭頭取的截面圖。應(yīng)當(dāng)指出，雖然在以下的說明中描述了，在流動(dòng)路徑形成部件30中被提供在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的+X一側(cè)上的第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82B和第三回收流動(dòng)路徑84C，但被提供在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的-X一側(cè)上的第一供應(yīng)流動(dòng)路徑82A、在-X一側(cè)上的第一回收流動(dòng)路徑84A、在-Y一側(cè)上的第二回收流動(dòng)路徑84B、和在+Y一側(cè)上的第四回收流動(dòng)路徑84D具有同等的結(jié)構(gòu)。
在圖8上，第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82B由上述的錐形槽部分44、第二供應(yīng)槽部分42、第二供應(yīng)開孔部分16、和第二供應(yīng)端口14構(gòu)成。從第二供應(yīng)端口12傳遞的液體經(jīng)由第二供應(yīng)管道流到第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82B。流到第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82B的流體1，在第二供應(yīng)流動(dòng)路徑82B的錐形槽部分44中在基本上水平方向(XY平面方向)流動(dòng)，然后在第二供應(yīng)槽部分42附近基本上被垂直地彎曲，然后以垂直方向(-Z方向)流到第二供應(yīng)開孔部分16和第二供應(yīng)端口14，最后從基片P上方供應(yīng)到基片P。
第三回收流動(dòng)路徑84C由上述的第三回收端口23C、第三回收槽部分27、和錐形槽部分47構(gòu)成。通過具有真空系統(tǒng)的液體回收部分21的驅(qū)動(dòng)，在基片P上的液體垂直地向上(+Z方向)經(jīng)由被提供在基片P上的第三回收端口23C流動(dòng)到第三回收流動(dòng)路徑84C。在這個(gè)過程中，從第三回收端口23C起，在液體周圍的氣體(空氣)連同在基片P上的液體1一起流動(dòng)(回收)。對于流到回收流動(dòng)路徑84C的液體1，它的流動(dòng)方向在第三回收槽部分27附近被改變，液體在錐形槽部分47中在基本上水平方向流動(dòng)。此后，液體經(jīng)由第三回收管道22C被抽吸和回收到液體回收部分21。
在流動(dòng)路徑形成部件30的內(nèi)表面30T和與液體1接觸的、投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端部分光學(xué)元件2的側(cè)面2T之間形成小縫隙100。小縫隙100被提供來在振動(dòng)方面把投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2與流動(dòng)路徑形成部件30相隔離，通過這樣做，可以避免把在液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10和/或液體回收機(jī)構(gòu)20中出現(xiàn)的振動(dòng)傳送到投影光學(xué)系統(tǒng)PL。包括流動(dòng)路徑形成部件30的液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20的每個(gè)由不同于投影光學(xué)系統(tǒng)PL并且不同于支撐投影光學(xué)系統(tǒng)PL的支持部件的支撐部件支撐。
應(yīng)當(dāng)指出，在形成小縫隙100的流動(dòng)路徑形成部件30的內(nèi)表面30T和光學(xué)元件2的側(cè)面2T的上方部分上，優(yōu)選地被施加以液體排斥(水排斥)處理。作為液體排斥處理，例如可以列出使用具有液體排斥的材料的涂覆處理。作為具有液體排斥的材料，例如可以列出氟化合物、硅化合物、和諸如聚乙烯的合成樹脂。而且，薄的膜可以是單層膜或由多層組成的膜。通過流動(dòng)路徑形成部件30的內(nèi)表面30T和光學(xué)元件2的側(cè)面2T的至少一個(gè)面被這樣地施加以液體排斥(水排斥)處理，可以避免液體從小縫隙100的上方部分泄漏。應(yīng)當(dāng)指出，諸如O環(huán)的密封件被布置在小縫隙100，以使得密封件包圍光學(xué)元件2。
接著，將描述通過使用上述的曝光設(shè)備EX把掩模M的圖案曝光到基片P的方法。
本實(shí)施例的曝光設(shè)備EX在沿X方向(掃描方向)移動(dòng)掩模M和基片P的同時(shí)把掩模M的圖案圖像投影曝光到基片P上；以及在掃描曝光期間，一部分掩模M的圖案圖像被投影到被形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端部分的下面的長方形投影區(qū)域AR1，并且與掩模M以速度V沿-X方向(或沿+X方向)運(yùn)動(dòng)同步地，基片P經(jīng)由XY臺以速度β·V沿-X方向(或沿+X方向)運(yùn)動(dòng)(β是投影放大率)。
如圖3所示，在基片P上設(shè)置多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20；在完成一個(gè)拍攝區(qū)域的曝光后，下一個(gè)拍攝區(qū)域通過基片P的步進(jìn)運(yùn)動(dòng)移動(dòng)到掃描開始位置；這樣，每個(gè)拍攝區(qū)域的掃描曝光過程被接連地執(zhí)行，基片P按照步進(jìn)與掃描方法移動(dòng)。
在執(zhí)行曝光過程中，控制器CONT驅(qū)動(dòng)液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10起動(dòng)把液體供應(yīng)到基片P的液體供應(yīng)操作。從液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的第一和第二液體供應(yīng)部分11和12的每個(gè)傳遞的液體1在流過供應(yīng)管道11A和12A后經(jīng)由形成在流動(dòng)路徑形成部件30內(nèi)部的供應(yīng)流動(dòng)路徑82A和82B被供應(yīng)到基片P。應(yīng)當(dāng)指出，液體1的供應(yīng)可以在平板部分57的平表面57A上開始。
供應(yīng)到基片P的液體1按照基片P的運(yùn)動(dòng)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面流動(dòng)。例如，當(dāng)在給定的拍攝區(qū)域曝光期間基片P沿X方向移動(dòng)時(shí)，液體1在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面沿與基片P相同的方向，即X方向，和以與基片P基本相同的速度流動(dòng)。
圖10是顯示其中對基片P執(zhí)行曝光操作的狀態(tài)的例子的示意圖。在圖10上，從照明光學(xué)系統(tǒng)IL照射的、穿過掩模M的曝光光照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)，由此，掩模M的圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液浸區(qū)域AR2的液體1被暴露在基片P上。當(dāng)曝光光EL被照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí)，即在基片P的曝光操作期間，控制器CONT通過液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10將液體1供應(yīng)在基片P上。通過在曝光操作期間由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10不斷進(jìn)行液體1的供應(yīng)，液浸區(qū)域AR2形成得很好。另一方面，當(dāng)曝光光EL被照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí)，即在基片P的曝光操作期間，控制器CONT驅(qū)動(dòng)每個(gè)第一到第四球形件24A-24D關(guān)閉第一到第四回收管道22A-22D的流動(dòng)路徑，因此液體回收機(jī)構(gòu)20不進(jìn)行基片P上液體1的回收。通過在曝光操作期間(當(dāng)曝光光照射到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí))液體回收機(jī)構(gòu)20不進(jìn)行液體1的回收，曝光過程可以以由于液體1的回收操作引起的聲音和振動(dòng)被抑制的狀態(tài)被執(zhí)行。
具體地，在本實(shí)施例中，在其中液浸區(qū)域AR2被形成在基片P的一部分的局部液浸系統(tǒng)中，當(dāng)采用其中通過使用真空系統(tǒng)(真空泵)經(jīng)由液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23從基片P的上方抽吸和回收基片P上的液體1的配置時(shí)，使得有可能液體回收機(jī)構(gòu)20連同液體周圍的氣體一起回收基片P上的液體1(好像吞咽氣體)。當(dāng)液體回收機(jī)構(gòu)20經(jīng)由回收端口好像吞咽氣體地回收液體時(shí)，出現(xiàn)其中液體1間歇地流到回收流動(dòng)路徑84(84A-84D)的情形。流到回收流動(dòng)路徑84的液體1然后被分成具有粒子的形式(例如，水滴形式)，并且液體1與回收流動(dòng)路徑84和/或回收管道22相抵觸，生成聲音和振動(dòng)。因此，通過在曝光操作期間(當(dāng)曝光光照射到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí))液體回收機(jī)構(gòu)20不進(jìn)行液體1的回收，曝光過程可以以使得由于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收操作引起的聲音和振動(dòng)不產(chǎn)生的狀態(tài)被執(zhí)行。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然這里它被配置成通過驅(qū)動(dòng)球形件24關(guān)閉回收管道22，不執(zhí)行液體1的回收，但也可以被配置成不使用球形件24，通過在曝光操作期間(當(dāng)曝光光照射到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí))例如停止驅(qū)動(dòng)構(gòu)成液體回收部分21的真空系統(tǒng)(真空泵)，不執(zhí)行液體1的回收。
在本實(shí)施例中，在曝光操作期間，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10從供應(yīng)端口13和14從投影區(qū)域AR1的兩個(gè)面同時(shí)將液體1供應(yīng)到基片P。通過這樣做，從供應(yīng)端口13和14供應(yīng)到基片P的液體1以液體弄濕表面和擴(kuò)展到的基片和填充空間的良好的條件進(jìn)入在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端部分(光學(xué)元件2)的較低的端面與基片P之間的空間，因此液體在至少大于投影區(qū)域AR1的區(qū)域上形成液浸區(qū)域AR2。
應(yīng)當(dāng)指出，在從投影區(qū)域AR1的掃描方向的兩側(cè)供應(yīng)液體到基片P上時(shí)，控制器CONT可以通過控制液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的第一和第二液體供應(yīng)部分11和12的液體供應(yīng)操作，相對于掃描方向設(shè)置從投影區(qū)域AR1的前面供應(yīng)的供應(yīng)的液體的每單位時(shí)間液體供應(yīng)量大于從相反的面供應(yīng)的供應(yīng)的液體的液體供應(yīng)量。例如，當(dāng)基片P沿+X方向移動(dòng)同時(shí)基片被曝光時(shí)，控制器CONT使得相對于投影區(qū)域AR1從-X一側(cè)(即，從供應(yīng)端口13)的液體量大于從+X一側(cè)(即，從供應(yīng)端口14)的液體量；另一方面，當(dāng)基片P沿-X方向移動(dòng)同時(shí)基片被曝光時(shí)，控制器CONT使得相對于投影區(qū)域AR1從+X一側(cè)的液體量大于從-X一側(cè)的液體量。
應(yīng)當(dāng)指出，如果它也可被配置成通過省略一個(gè)供應(yīng)端口(例如，供應(yīng)端口13)或通過不使用一個(gè)供應(yīng)端口(例如，供應(yīng)端口13)，則液體1從另一個(gè)供應(yīng)端口14不斷地供應(yīng)。
這里，有可能通過例如沿+X方向移動(dòng)基片P，相對于投影區(qū)域AR1沿+X一側(cè)移動(dòng)的液體量增加，并且大量液體流出到基片P外面。然而，因?yàn)檠?X一側(cè)移動(dòng)的液體1將由在流動(dòng)路徑形成部件30的表面下在+X側(cè)提供的捕獲面70捕獲，可以抑制液體流出或飛散到例如基片P的周圍區(qū)域的缺點(diǎn)。
在曝光操作期間，不執(zhí)行由液體回收機(jī)構(gòu)20進(jìn)行的液體回收操作。在完成曝光后，控制器CONT驅(qū)動(dòng)球形件24，打開回收管道22的流動(dòng)路徑，并且回收在基片P上的液體1。這里，在由液體回收機(jī)構(gòu)20開始回收液體1之前，在基片P上的一部分液體1由液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23(23A-23D)保持，如圖10所示。在這個(gè)期間，回收端口(液體保持部分)23利用毛細(xì)管現(xiàn)象保持液體1。在基片P上的一部分液體1藉助于毛細(xì)管現(xiàn)象在回收端口23內(nèi)向上移動(dòng)，并且預(yù)定的液體量由回收端口23保持。如剛才描述的，沒有由液體回收機(jī)構(gòu)20執(zhí)行抽吸和回收操作，預(yù)定量的液體1可藉助于毛細(xì)管現(xiàn)象被保持(回收)，而不產(chǎn)生振動(dòng)等等。另外，通過預(yù)定量的液體1被回收端口23保持，在曝光期間從基片P流出到基片外面的液體1的量可被減少。
應(yīng)當(dāng)指出，為了由回收端口23通過利用毛細(xì)管現(xiàn)象很好地保持液體1，至少回收流動(dòng)路徑84的、在回收端口附近的內(nèi)壁面優(yōu)選地被施加以親液體處理(親水處理)。通過這樣做，回收端口23(回收流動(dòng)路徑84)可以通過利用毛細(xì)管現(xiàn)象很好地保持液體1。由于本實(shí)施例的液體1是具有大的極性的水，通過用具有大的極性的分子結(jié)構(gòu)的物質(zhì)，例如酒精，形成薄的膜作為對回收端口23施加的親水處理(親液體處理)，在回收端口附近的回收流動(dòng)路徑84的內(nèi)壁面可被給予親水性，或通過在其上照射紫外光，可以給予親水性。
應(yīng)當(dāng)指出，親液體性處理可應(yīng)用到除了液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10和液體回收機(jī)構(gòu)20的流動(dòng)路徑的、在回收端口23附近的表面以外的表面。
在本實(shí)施例中，如圖3所示，多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20在基片P上被設(shè)置，多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20被順序地曝光，而同時(shí)基片臺PST被移動(dòng)。在這個(gè)處理期間，連續(xù)地執(zhí)行從供應(yīng)端口13和14的液體供應(yīng)。另一方面，控制器CONT在給定的拍攝區(qū)域的曝光結(jié)束與下一個(gè)拍攝區(qū)域的曝光開始之間的時(shí)間間隔(在步進(jìn)時(shí)間間隔內(nèi)的至少一部分)內(nèi)控制由液體回收機(jī)構(gòu)20回收在基片P上的液體1。
圖11是顯示其中在給定的拍攝區(qū)域的曝光完成與下一個(gè)拍攝區(qū)域的曝光開始之間的時(shí)間間隔(步進(jìn)時(shí)間間隔)內(nèi)在基片P上的液體由液體回收機(jī)構(gòu)20回收的狀態(tài)的例子的示意圖。
在圖11上，曝光光EL沒有照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)，并且控制器CONT驅(qū)動(dòng)球形件24打開回收管道22的流動(dòng)路徑。通過這樣做，在基片P的液體1由被布置在基片上方的回收端口23抽吸和回收。在這種情形下，因?yàn)樵诨琍上的液體1連同包圍液體1的氣體一起(好像氣體被吞咽一樣)被回收，液體1間歇地流到回收流動(dòng)路徑84。流到回收流動(dòng)路徑84的液體1然后，如圖11所示，被分成具有粒子的形式(例如，水滴形式)，并且這個(gè)液體1與回收流動(dòng)路徑84和/或回收管道22相抵觸，生成聲音和振動(dòng)。然而，因?yàn)樵谶@個(gè)處理期間，曝光光沒有照射到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)，即掩模M的圖案沒有暴露在基片P上，所產(chǎn)生的聲音和振動(dòng)不影響曝光精度。應(yīng)當(dāng)指出，雖然在步進(jìn)時(shí)間間隔期間液體回收時(shí)間和回收的量優(yōu)選地被設(shè)置為使得在緊接在前面的快門曝光期間用曝光光照射的液體盡可能多地被回收，但不需要回收所有的液體。另外，液體回收時(shí)間和回收的量優(yōu)選地被設(shè)置為使得在光學(xué)元件2的圖像面一側(cè)的光路徑空間被填充以液體1。
控制器CONT在包括在給定的拍攝區(qū)域的曝光結(jié)束與下一個(gè)拍攝區(qū)域的曝光開始之間的、由液體回收機(jī)構(gòu)20對基片P上的液體的回收操作時(shí)間間隔的時(shí)間間隔內(nèi)繼續(xù)由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10回收液體1。通過這樣做，可以避免在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片P之間發(fā)生的重復(fù)液體1的供應(yīng)和供應(yīng)停止液體1的振動(dòng)的發(fā)生(所謂的水錘現(xiàn)象)。如果發(fā)生水錘現(xiàn)象，因?yàn)檎駝?dòng)液體1，它惡化圖案圖像，并且還引起吞吐量減小，例如需要設(shè)置、直至液體1的振動(dòng)平靜為止等待時(shí)間。然而，通過在其中沒有照射曝光光的上述的時(shí)間間隔期間繼續(xù)進(jìn)行液體1的供應(yīng)，在下一個(gè)拍攝區(qū)域曝光開始時(shí)，在光學(xué)元件2與基片P之間的空間可被充分填充以液體1，因此可以抑制諸如曝光精度降低和吞吐量降低的缺點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)指出，在步進(jìn)時(shí)間間隔期間來自液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的供應(yīng)端口13和14的液體供應(yīng)量可以是與在曝光操作期間的液體供應(yīng)量不同的，例如，可能使在步進(jìn)時(shí)間間隔期間的液體供應(yīng)量小于在曝光操作期間的液體供應(yīng)量。
這里，控制器CONT在每次完成預(yù)定的數(shù)目的拍攝區(qū)域的曝光后控制液體回收機(jī)構(gòu)20執(zhí)行液體1的回收。例如，控制器CONT在每次完成在多個(gè)拍攝區(qū)域S1-S20中間的四個(gè)拍攝區(qū)域的曝光后的一個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行液體1的回收。在這種情形下，在每次完成拍攝區(qū)域S4，S8，S12，S16和S20的曝光后執(zhí)行液體1的回收。具體地，在拍攝區(qū)域S4(S8，S12，S16，S20)的曝光結(jié)束與下一個(gè)拍攝區(qū)域S5(S9，S13，S17)的曝光開始之間的時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行液體1的回收。當(dāng)然，預(yù)定的數(shù)目不限于“4”，而是可以是“1”，即可以對于每一個(gè)拍攝區(qū)域執(zhí)行液體1的回收。替換地，控制器CONT可以在完成預(yù)定的拍攝區(qū)域曝光后執(zhí)行回收。例如，通過規(guī)定在完成第十個(gè)拍攝區(qū)域S10的曝光后的一個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行液體回收，控制器CONT在拍攝區(qū)域S10的曝光結(jié)束與下一個(gè)拍攝區(qū)域S11的曝光開始之間的至少部分時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行液體1的回收。通過這樣做，可以避免液體1流出到基片P的外面的缺點(diǎn)。
而且，控制器CONT在給定的拍攝區(qū)域曝光完成后和在用于下一個(gè)拍攝區(qū)域曝光的、基片P的步進(jìn)運(yùn)動(dòng)期間控制液體回收機(jī)構(gòu)20執(zhí)行液體1的回收。在圖3所示的例子中，控制器CONT在拍攝區(qū)域S2(S6，S10，S14，S18)的曝光完成后和在用于下一個(gè)拍攝區(qū)域S3(S7，S11，S15，S19)曝光的、基片P的步進(jìn)運(yùn)動(dòng)期間執(zhí)行液體1的回收。在步進(jìn)運(yùn)動(dòng)時(shí)間間隔期間，掩模M的圖案不被曝光到基片P，因此，通過在這個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行液體1的回收，可以抑制對于由液體1的回收造成的振動(dòng)施加的對曝光精度的影響。
在對于所有的拍攝區(qū)域S1-S20的曝光過程完成后，即在一塊基片P的曝光完成后，控制器CONT對于在基片P與基片臺PST上剩余的液體1執(zhí)行抽吸和回收。因?yàn)?，在本?shí)施例中，有可能液體1剩余在基片P與基片臺PST上，雖然只是少量，控制器CONT在一塊基片P的曝光完成后，驅(qū)動(dòng)液體回收機(jī)構(gòu)20的真空系統(tǒng)經(jīng)由液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23抽吸和回收在基片P與基片臺PST上剩余的液體1。在一塊基片P的曝光完成后，回收在基片P上的液體1的情形下，控制器CONT相對移動(dòng)被布置在基片臺PST上方的液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23和在保持基片P的同時(shí)可移動(dòng)的基片臺(基片保持部件)PST，以便回收在基片P或基片臺PST上的液體1。
圖12是顯示其中在一塊基片P的曝光完成后，保持基片P的基片臺PST相對于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23在XY平面移動(dòng)的方式的例子的示意圖。
控制器CONT移動(dòng)XY臺，以使得液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23沿著圖12的虛線箭頭60行進(jìn)。通過沿基片臺PST的XY面平移運(yùn)動(dòng)，回收端口23掃描基片P和基片臺PST的基本上整個(gè)上表面；通過這樣做，在基片P和基片臺PST上剩余的液體1由液體回收機(jī)構(gòu)20經(jīng)由回收端口23可靠地回收。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在圖12所示的圖上，基片P和基片臺PST遵循其中相對于回收端口23重復(fù)進(jìn)行X方向掃描運(yùn)動(dòng)和Y方向步進(jìn)運(yùn)動(dòng)移動(dòng)軌跡，但運(yùn)動(dòng)軌跡可以不同地設(shè)置，即它們例如可以遵循螺旋形運(yùn)動(dòng)軌跡，如圖13的虛線箭頭61所示，其中設(shè)置從基片P的外面開始逐漸行進(jìn)到基片的里面(或，從里面到外面)的圓形軌道，或可以沿其中設(shè)置多個(gè)圓的同心圓運(yùn)動(dòng)。
應(yīng)當(dāng)指出，它也可以被配置成通過把運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)提供到具有回收端口23的流動(dòng)路徑形成部件30，來回收液體1而同時(shí)使得回收端口23沿XY方向相對于基片P和保持基片P的基片臺PST運(yùn)動(dòng)，或使得回收端口23和基片臺PST都移動(dòng)。
而且，也可以配置成當(dāng)如上所述回收在基片P上的液體1時(shí)，使得在投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)與基片P的表面之間的距離，即在回收端口23與基片P的表面之間的距離，小于在曝光期間的距離。通過這樣做，可以提高回收基片P上的液體的效率，并且基片P上的液體可被可靠地回收。這個(gè)方法有效地工作，特別是當(dāng)在一塊基片P的曝光完成后回收基片P上的液體時(shí)。
而且，也可以配置成在移動(dòng)基片臺PST以使得，如圖14的虛線箭頭62所示，在基片臺PST上，回收端口23遵循沿著在基片P的邊緣與平板部分57的平表面57A之間的縫隙G1的運(yùn)動(dòng)軌跡，使用回收端口23執(zhí)行回收操作(抽吸操作)。通過這樣做，不單在基片P或平板部分57上剩余的液體，而且已滲透到縫隙G1中的液體1也可以很好地回收。因此，可以避免液體1經(jīng)由縫隙G1滲透到基片臺PST里面而在基片臺PST里面發(fā)生生銹和漏電的缺點(diǎn)。而且，當(dāng)執(zhí)行對于縫隙G1的回收操作時(shí)，基片臺PST的移動(dòng)速度可被做成小于當(dāng)執(zhí)行基片P的表面和基片臺PST的上表面上的回收操作時(shí)的移動(dòng)速度，或在重復(fù)進(jìn)行基片臺PST的運(yùn)動(dòng)和停止的同時(shí)，可以執(zhí)行在縫隙G1附近的液體的回收。而且，當(dāng)執(zhí)行在縫隙G1附近的液體的回收操作時(shí)，還可以在把基片臺PST沿+Z方向提升以使得在回收端口23與基片臺PST(基片P)之間的距離小于在基片P的液浸曝光期間的距離，即處在基片臺PST位于更接近于回收端口23的狀態(tài)下執(zhí)行回收操作。當(dāng)然，當(dāng)執(zhí)行基片P的表面和基片臺PST的上表面(例如，平板部分57的平表面57A)上的回收操作時(shí)，基片P或基片臺PST可以位于更接近于回收端口23，類似于上述的情形。再者，也可以配置成把Z驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)提供到具有回收端口23的流動(dòng)路徑形成部件30，并且當(dāng)在基片P曝光后使得回收端口23和基片臺PST互相靠近以執(zhí)行液體回收時(shí)，流動(dòng)路徑形成部件30沿-Z方向運(yùn)動(dòng)以便更接近于基片臺PST，或流動(dòng)路徑形成部件30與基片臺PST都移動(dòng)。
應(yīng)當(dāng)指出，在填充投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2的圖像面一側(cè)的光路徑空間的幾乎所有的液體1由回收端口23回收后，優(yōu)選地開始流動(dòng)路徑形成部件30的回收端口與基片臺PST之間的相對運(yùn)動(dòng)，以回收在基片P的表面和基片臺PST的上表面上剩余的液體。
而且，如圖14所示，在基片P上形成、作為切割部分的凹槽部分NT的配置的情形下，它可被配置成使得在基片P的液浸曝光完成后，控制器CONT把液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23放置成面對基片P的凹槽NT，并重點(diǎn)執(zhí)行液體回收操作(抽吸操作)。這里，在圖14上，相應(yīng)于凹槽部分NT的形狀的凸起部分57B被形成在平板部分57的內(nèi)表面，并且預(yù)定的縫隙G2被形成在凹槽部分NT與凸起部分57B的內(nèi)表面之間。很有可能液體滲透到在凹槽部分NT與凸起部分57B之間的縫隙G2中；然而，通過加強(qiáng)執(zhí)行在凹槽部分NT附近的回收操作，可以避免液體1滲透到縫隙G2，并且即使液體1滲透，液體1也可被回收。因此，可以避免液體1經(jīng)由縫隙G2滲透到基片臺PST里面而在基片臺PST里面發(fā)生污染和漏電的缺點(diǎn)。而且，當(dāng)通過使用回收端口23執(zhí)行在凹槽部分NT附近的回收操作時(shí)，回收操作可以在基片臺PST相對于回收端口23停止的狀態(tài)，即在保持在回收端口23與凹槽部分NT之間的相對位置的狀態(tài)下執(zhí)行。替換地，當(dāng)執(zhí)行在凹槽部分NT附近的回收操作時(shí)，可以使得基片臺PST的移動(dòng)速度與當(dāng)執(zhí)行在上述的縫隙G1上的回收操作時(shí)和/或當(dāng)執(zhí)行基片P的表面和基片臺PST的上表面上的回收操作時(shí)的移動(dòng)速度相比更低。
應(yīng)當(dāng)指出，上述的在縫隙G1和縫隙G2上的液體回收可以與如圖12和13所示的液體回收操作相組合地被執(zhí)行。
另外，說明是作為例子對于作為切割部分的凹槽部分NT作出的，但即使在其中在基片P上形成取向平坦部分的配置的情形下回收操作仍可以通過加強(qiáng)執(zhí)行在取向平坦部分附近的回收操作而很好地被執(zhí)行。
如上所述，例如在基片P的曝光操作期間通過當(dāng)曝光光EL照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí)，液體回收機(jī)構(gòu)20不執(zhí)行液體1的回收，可以使得在基片P的曝光操作期間不生成由于液體1的回收操作引起的聲音和振動(dòng)。因此，由于聲音和振動(dòng)引起的曝光精度降低的缺點(diǎn)可以避免。
而且，在本實(shí)施例中，通過在基片P曝光完成后在XY方向上相對于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23移動(dòng)保持基片的基片臺PST，沒有被回收的和在基片P與基片臺PST上剩余的液體1以及在基片P的邊緣處的縫隙G1和縫隙G2中的液體可以被回收。因此，可以避免由于殘余的液體1引起的、諸如出現(xiàn)水印、設(shè)備生銹、和環(huán)境的變化的缺點(diǎn)的發(fā)生。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中控制器CONT在曝光光照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí)通過使用球形件24A-24D關(guān)閉回收管道22A-22D的所有的流動(dòng)路徑，但也可以配置成通過只有一部分回收管道的流動(dòng)路徑，例如連接到位于在投影區(qū)域AR1在非掃描方向的任一側(cè)的回收端口23B和23D的回收管道22B和22D流動(dòng)路徑被關(guān)閉，而其它回收管道23A和23C的流動(dòng)路徑被打開，在曝光操作期間通過回收端口23A和23C執(zhí)行液體的回收操作。通過這樣做，因?yàn)檎駝?dòng)產(chǎn)生位置減少，施加到曝光精度的影響層減小。替換地，例如也可以配置成使得每個(gè)回收端口23A-23D(回收管道22A-22D)互相獨(dú)立地被連接到分開的液體回收部分之一，并且在多個(gè)液體回收部分(真空系統(tǒng))中，一部分液體回收部分被驅(qū)動(dòng)，另一部分液體回收部分不被驅(qū)動(dòng)。
而且，在上述的實(shí)施例中，當(dāng)在曝光期間和/或在曝光之前/之后在基片P的邊緣與平板部分57之間的邊界被包括在液浸區(qū)域AR2中的這樣的拍攝區(qū)域(例如，S3，S6，S15，S18)被曝光時(shí)的基片P(基片臺PST)的掃描速度可被設(shè)置為低于當(dāng)位于基片P的中心附近的的拍攝區(qū)域(例如，S9)被曝光時(shí)的基片P的掃描速度。通過這樣做，即使在平板部分57的平表面57A與基片P的表面之間有一點(diǎn)高度差，在投影光學(xué)系統(tǒng)基片P之間的液體1的壓力改變也可被抑制，因此可以避免由壓力改變引起的投影光學(xué)系統(tǒng)PL(透鏡2)的變化和基片臺PST的變化。液體1的流出和散布也可以被抑制。而且，通過不限制曝光時(shí)間間隔，當(dāng)在基片P的邊緣與平板部分57之間的邊界位于液浸區(qū)域AR2內(nèi)時(shí)，基片臺PST的移動(dòng)速度可被設(shè)置為更低的值。
順便地，上述的實(shí)施例是通過其中藉助于被照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)的曝光光EL，把掩模M的圖案曝光在基片P的示例的情形被描述的，但本發(fā)明也可以例如在曝光光由被放置在基片臺PST上的光傳感器部分58在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下面所保持的液體1被檢測的情形下在檢測曝光光EL的操作期間被應(yīng)用。也就是當(dāng)曝光光EL經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體1照射在基片臺PST上的光傳感器部分58時(shí)，控制器CONT不控制液體回收機(jī)構(gòu)20執(zhí)行液體1的回收。通過這樣做，因?yàn)樵跈z測曝光光EL的操作期間不出現(xiàn)由于液體1的回收引起的聲音和振動(dòng)，可以避免由于聲音和振動(dòng)引起的檢測精度降低的缺點(diǎn)。
在通過使用光傳感器部分58檢測曝光光EL時(shí)，控制器CONT在對于基片P的曝光處理之前(或之后)移動(dòng)基片臺PST，以使得投影光學(xué)系統(tǒng)PL和光傳感器部分58互相面對，然后從液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與光傳感器部分58之間供應(yīng)液體1。并且，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與光傳感器部分58之間的空間被填充以液體1從而形成液浸區(qū)域AR2后，控制器CONT從照明光學(xué)系統(tǒng)IL發(fā)射曝光光EL，并且把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體1照射在光傳感器部分58。在這時(shí)，不執(zhí)行液體回收機(jī)構(gòu)20對液體1的回收。光傳感器部分58的檢測結(jié)果被輸出到控制器CONT，然后控制器CONT根據(jù)檢測結(jié)果執(zhí)行這樣的調(diào)整處理，在例如投影光學(xué)系統(tǒng)PL的成像特性調(diào)整和/或亮度調(diào)整，或者液體的溫度調(diào)整的想要的狀態(tài)下，使得曝光光EL可以照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)。并且，在光傳感器部分58完成檢測操作后，控制器CONT執(zhí)行液體回收機(jī)構(gòu)20對液體1的回收。并且，在完成上述的調(diào)整處理過程和液體1的回收后，控制器CONT發(fā)起對于基片P的曝光操作。應(yīng)當(dāng)指出，在曝光光EL照射在光傳感器部分58后執(zhí)行的液體回收操作中，控制器CONT還可以在正如參考圖12描述的，通過相對于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23移動(dòng)基片臺PST(光傳感器部分58)而充分執(zhí)行回收在基片臺PST上剩余的液體1之后，執(zhí)行曝光過程。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在每個(gè)上述的實(shí)施例中，被配置成使得當(dāng)從照明光學(xué)系統(tǒng)IL發(fā)射的光被照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像平面?zhèn)葧r(shí)，不執(zhí)行液體1的回收，但照射在圖像一側(cè)上的光不限于來自照明光學(xué)系統(tǒng)IL的曝光光EL。例如，當(dāng)為了把掩模M和基片P與預(yù)定的位置對準(zhǔn)，通過使用掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)90，通過TTM(TTR)型系統(tǒng)檢測提供在基片臺PST上的基準(zhǔn)點(diǎn)FM時(shí)，與從照明光學(xué)系統(tǒng)IL發(fā)射的曝光光EL不同的對準(zhǔn)的光從位于掩模M上的掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)90被發(fā)射。對準(zhǔn)光經(jīng)由被形成在掩模M上的對準(zhǔn)掩模和投影光學(xué)系統(tǒng)PL被照射在基準(zhǔn)點(diǎn)FM。在這方面，可以設(shè)想其中在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與具有基準(zhǔn)點(diǎn)FM并位于基片臺PST上的基準(zhǔn)點(diǎn)部件之間的空間被填充以液體1的狀態(tài)下，上述的對準(zhǔn)的光照射在基準(zhǔn)點(diǎn)FM然后被檢測的配置；但也是在這種情形下，通過在對于基準(zhǔn)點(diǎn)FM的檢測操作期間，即當(dāng)對準(zhǔn)的光照射在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面一側(cè)時(shí)，不執(zhí)行由液體回收機(jī)構(gòu)20對液體1的回收，可以在聲音和振動(dòng)被抑制的狀態(tài)下執(zhí)行對于基準(zhǔn)點(diǎn)FM的檢測操作。
而且，在上述的實(shí)施例中，它被配置成使得在完成一塊基片P的曝光后，通過由回收端口23掃描基片P和基片臺PST的基本上整個(gè)上表面，剩余的液體1被回收。然而，在其中在基片P和基片臺PST上沒有剩余的液體(或只剩余一點(diǎn)液體量)的情形下，由回收端口23對于基片P和基片臺PST的上表面的整個(gè)掃描可以省略。還可以被配置成在完成曝光后由回收端口23的掃描只對于基片P的整個(gè)面進(jìn)行，而對于基片臺PST的上表面的掃描可以省略。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中執(zhí)行在步進(jìn)時(shí)間間隔期間的回收操作和由回收端口23對于在基片P(基片臺PST)的上表面上剩余的液體的回收操作，但還可以被配置成省略任一項(xiàng)操作。
接著，將參考圖15描述本發(fā)明的曝光設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例。在以下的說明中，與上述的實(shí)施例中的那些相同的和等價(jià)的組成單元用相同的標(biāo)號表示，并且它們的說明將被刪節(jié)或省略。
在本實(shí)施例中，由液體回收機(jī)構(gòu)20對于在基片P上的液體1的抽吸和回收操作也是在基片P曝光期間執(zhí)行的。并且，本實(shí)施例的特征在于在基片P曝光期間由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10在基片P上供應(yīng)液體的每單位時(shí)間液體供應(yīng)量大于由液體回收機(jī)構(gòu)20從基片P回收液體的每單位時(shí)間液體回收量。
如圖15所示，在基片P曝光期間，控制器CONT從液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的供應(yīng)端口13和14供應(yīng)液體1，并且同時(shí)由液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23抽吸和回收在基片P上的液體1，以形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片P之間的液體1的液浸區(qū)域AR2。在這個(gè)處理過程中，控制器CONT在基片P曝光期間使得由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10在基片P上供應(yīng)液體的每單位時(shí)間液體供應(yīng)量大于由液體回收機(jī)構(gòu)20從基片P回收液體的每單位時(shí)間液體回收量。
通過這樣做，即使在液體回收機(jī)構(gòu)20從基片P上方抽吸和回收在基片P上的液體1，回收機(jī)構(gòu)連同包圍液體的氣體一起回收液體，并且由此發(fā)生聲音和振動(dòng)時(shí)，這樣的聲音和/或振動(dòng)仍可被減小。更具體地，如上所述，發(fā)生聲音和振動(dòng)的原因在于被吞咽的氣體，液體1經(jīng)由回收端口23間歇地流入回收流動(dòng)路徑84；通過液體1間歇地流入回收流動(dòng)路徑，液體1被分離成粒子；并且通過分離成的液體1與回收流動(dòng)路徑84和/或回收管道22碰撞，發(fā)生這樣的聲音和/或振動(dòng)。為了解決這個(gè)問題，通過使得在曝光期間液體供應(yīng)到基片P的液體供應(yīng)量大于回收量以便在回收端口23A-23D中盡可能多地填充以液體，使得當(dāng)液體回收機(jī)構(gòu)20連同氣體一起回收液體1時(shí)液體的比例更大。
通過這樣做，被吞咽的氣體的量變?yōu)楦〉?，可以使得液體1經(jīng)由回收端口23基本上連續(xù)地流入回收流動(dòng)路徑84，從回收端口23流入回收流動(dòng)路徑中的液體1很難被分離成粒子，因此可以減小聲音和/或振動(dòng)。
應(yīng)當(dāng)指出，在本實(shí)施例中，還可被配置成通過省略一個(gè)供應(yīng)端口(例如，供應(yīng)端口13)或通過不使用一個(gè)供應(yīng)端口(例如，供應(yīng)端口13)，液體1從另一個(gè)供應(yīng)端口14連續(xù)地供應(yīng)。
而且，還可被配置成，如參考圖12和13描述的，控制器CONT在基片P曝光完成后，相對于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23移動(dòng)保持基片P的基片臺PST，回收在基片P或基片臺PST上的液體1。
而且，如圖14所示，還可被配置成回收在位于基片P的邊緣的縫隙G1和G2處的液體。因?yàn)樵诒緦?shí)施例中使得由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10供應(yīng)液體的液體供應(yīng)量大于由液體回收機(jī)構(gòu)20回收液體的每單位時(shí)間液體回收量，有可能還沒有被回收的液體1剩余在基片P和/或基片臺PST上。因此，在基片P曝光完成后，通過相對于回收端口23在XY方向上移動(dòng)基片P和保持基片P的基片臺PST，以回收液體1，可以避免液體1剩余在基片P和/或基片臺PST上的缺點(diǎn)的發(fā)生。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在參考圖1到15描述的每個(gè)實(shí)施例中，被配置成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的供應(yīng)端口13和14每個(gè)被提供在投影區(qū)域AR1在掃描方向(X軸方向)的兩側(cè)的任一側(cè)，但也可以被配置成通過在非掃描方向(Y軸方向)的兩側(cè)的任一側(cè)也提供分開的供應(yīng)端口，液體供應(yīng)可以通過組合這些多個(gè)供應(yīng)端口被執(zhí)行。替換地，供應(yīng)端口可被提供為環(huán)狀供應(yīng)端口，以便包圍投影區(qū)域AR1的整個(gè)周邊。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在上述的實(shí)施例中被配置成捕獲表面70每個(gè)被提供在投影區(qū)域AR1在掃描方向的兩側(cè)的任一側(cè)，但也可以被配置成捕獲表面被提供在投影區(qū)域AR1在非掃描方向的兩側(cè)。另一方面，正是在掃描方向上，液體1適合于流出，因此，即使在被配置成捕獲表面70只沿掃描方向被提供，要流出的液體1可被很好地捕獲。另外，捕獲表面70不需要是平表面；例如，表面可以通過組合多個(gè)平表面被構(gòu)成。替換地，捕獲表面70可以是曲面，并且可被應(yīng)用于表面積增大處理，具體地，表面粗糙化處理。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在上述的實(shí)施例中流動(dòng)路徑形成部件30通過使用三個(gè)部件被形成，但部件數(shù)目不限于“三個(gè)”。而且，雖然在上述的實(shí)施例中形成流動(dòng)路徑形成部件30的部件31-33每個(gè)是四邊形的平板形部件，但它們可以是圓形的平板形部件或可以是在X方向拉長的、橢圓形的平板形部件。再者，與供應(yīng)端口13和14連通的流動(dòng)路徑和與回收端口23A，23B，23C和23D連通的流動(dòng)路徑可以以分開的部件被形成，以及用于每個(gè)端口的流動(dòng)路徑可以以每個(gè)分開的部件被形成。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中供應(yīng)流動(dòng)路徑82和回收流動(dòng)路徑84可以整體地被提供在流動(dòng)路徑形成部件30中，但供應(yīng)流動(dòng)路徑82和回收流動(dòng)路徑84可以通過互相不同的部件被形成，如圖16所示。在圖16上，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)的-X方向上提供形成供應(yīng)流動(dòng)路徑82A的第一供應(yīng)部件120，以及在+-X方向上提供形成供應(yīng)流動(dòng)路徑82B的第二供應(yīng)部件121。第一供應(yīng)部件120和第二供應(yīng)部件121分別具有錐形槽部分43和錐形槽部分44，并且分別從當(dāng)從上方觀看時(shí)弧形的供應(yīng)端口13和供應(yīng)端口14供應(yīng)液體1到基片P。而且，形成回收流動(dòng)路徑84的回收部件122被提供來包圍投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2和第一和第二供應(yīng)部件120和121。在本實(shí)施例中，連接到回收流動(dòng)路徑84的回收端口23被形成為環(huán)形，以使得回收端口包圍投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1和供應(yīng)端口13和14的周邊。另外，多個(gè)(四個(gè))錐形流動(dòng)路徑123和回收管道22被連接到回收端口23。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在上述的實(shí)施例中被配置成使得基片臺PST配備有環(huán)狀平板部分57，被提供來包圍基片P，但也可被配置成，如圖17A和17B所示，基片臺PST的上表面被設(shè)置為上表面構(gòu)成與由基片臺PST支撐的基片P的表面相同的平面。這里，圖17A是基片臺PST的側(cè)視圖；圖17B是平面圖。在圖17A和17B上，在基片臺PST上提供凹陷部分52B；在凹陷部分52B中提供保持基片P的基片保持器PH。另外，基片臺PST的除了凹陷部分52B以外的上表面52A的高度基本上等于由基片保持器保持的基片P的表面的平表面的高度(同一平面)。另外，移動(dòng)鏡55的上表面的高度也基本上與基片臺PST的上表面52的高度相同(同一平面)。
在如圖17A和17B所示的基片臺PST上的基片P上液浸曝光過程完成后，控制器CONT停止由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10進(jìn)行的液體供應(yīng)。另一方面，在基片P上液浸曝光過程完成后，控制器CONT在振動(dòng)(以小的行程長度移動(dòng))基片臺PST的同時(shí)通過液體回收機(jī)構(gòu)20回收基片P上的液體1。通過在振動(dòng)基片臺PST的同時(shí)執(zhí)行回收操作，在基片P上的液體1可以比起當(dāng)不這樣做時(shí)更好地被回收。
而且，在振動(dòng)基片臺PST的同時(shí)回收基片P上的液體1后，控制器CONT相對于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23沿著預(yù)定的運(yùn)動(dòng)軌跡移動(dòng)基片臺PST(見圖12和13)，在基片P的整個(gè)表面上掃描回收端口23。這樣，在基片P的整個(gè)表面上執(zhí)行液體回收操作后，控制器CONT從基片臺PST取出(拆下)基片P。接著，要被曝光的基片P被安裝(裝載)到基片臺PST。在這個(gè)基片P上執(zhí)行液浸操作后，控制器CONT在基片P的整個(gè)表面上執(zhí)行液體回收操作，然后，以與上述的相同的方式拆下基片P。
在實(shí)施例中，在基片P的液浸曝光完成后，由液體回收機(jī)構(gòu)20對基片P的整個(gè)表面執(zhí)行的液體回收操作在每個(gè)被順序地安裝在基片臺PST并被曝光的基片P上被執(zhí)行(基于基片P)。如果在被液浸曝光的基片P上剩余有液體1，引起在基片P上形成水印，或在拆卸下的基片P的運(yùn)輸路徑上液體1從基片P滴下(散布)的缺點(diǎn)。然而，在本實(shí)施例中，通過基于基片P執(zhí)行基片P的整個(gè)表面上液體回收操作，可以避免由于液體剩余在已進(jìn)行液浸曝光的基片P上的缺點(diǎn)。
另外，控制器CONT除了對基片P的整個(gè)表面以外，還基于預(yù)定數(shù)目的處理的基片(或基于預(yù)定的時(shí)間間隔)，對基片臺PST的上表面52A的整個(gè)面積執(zhí)行液體回收操作。例如，控制器CONT基于多個(gè)基片P，對于基片P的整個(gè)表面和基片臺PST的整個(gè)上表面執(zhí)行液體回收操作。為了對于基片P的整個(gè)表面和基片臺PST的整個(gè)上表面執(zhí)行液體回收操作，只需要，如參考圖12和13描述的，相對于液體回收機(jī)構(gòu)20的回收端口23沿預(yù)定的運(yùn)動(dòng)軌跡移動(dòng)基片臺PST。在液浸曝光后在基片臺PST的上表面52A上剩余有液體1的概率是低的；即使在上表面52A上剩余有液體1的情形下，如果剩余量非常小，則它對于接著要裝載的基片P的曝光處理施加的影響是小的。因此，通過例如基于多個(gè)基片P，對于基片臺PST的整個(gè)上表面執(zhí)行液體回收操作，液體回收操作時(shí)間可以縮短，因此吞吐量可被提高。而且，可以附加地使用如圖14所示的液體回收操作。
應(yīng)當(dāng)指出，可被配置成，除了基片P的整個(gè)表面以外，還基于多個(gè)基片P對于基片臺PST的整個(gè)上表面執(zhí)行液體回收操作。當(dāng)然，也可以被配置成，除了基片P的整個(gè)表面以外，還基于一個(gè)基片P對于基片臺PST的上表面52A的整個(gè)面積執(zhí)行液體回收操作。而且，也可以被配置成在基片臺PST上的基準(zhǔn)點(diǎn)FM和/或光傳感器部分58在液浸狀態(tài)下被使用后，只對于基片臺PST的上表面執(zhí)行液體回收操作。應(yīng)當(dāng)指出，在這樣的情形下，通過使得在回收端口23與基片P的表面(基片臺PST的上表面52A)之間的距離成為更小的，在基片P的表面或在基片臺PST的上表面上的液體可以更可靠地被回收。通過這樣做，可以避免在基片臺PST的上表面52A上形成水印。
應(yīng)當(dāng)指出，在每個(gè)上述的實(shí)施例中，也可被配置成通過提供不同于回收端口23的分開的回收端口，使用回收端口23的回收操作和使用分開的回收端口的回收操作在液浸曝光后并行地執(zhí)行。這里，分開的回收端口是在液浸曝光期間不使用的端口，它們例如是在相對于投影區(qū)域AR1的回收端口23的更外面一側(cè)上提供的端口或是在基片臺PST的上表面或在其周圍區(qū)域上被提供的端口。
圖18顯示由上述的實(shí)施例的曝光設(shè)備EX執(zhí)行的曝光序列的例子。這里，基片臺PST是與圖17的基片臺PST相同的。而且，如圖18所示的曝光序列可以按與先前參考圖1到16描述的實(shí)施例的適當(dāng)?shù)慕M合被執(zhí)行。
如圖18所示，在基片P上設(shè)置多個(gè)拍攝區(qū)域T1-T32，它們以在X軸方向(掃描方向)的預(yù)定的間距和在Y軸方向的預(yù)定的間距被定位?？刂破鰿ONT從第一拍攝區(qū)域T1開始曝光，此后順序曝光拍攝區(qū)域T2，T3，...，和T32。在這個(gè)過程中，在以上的拍攝區(qū)域中縫隙形投影區(qū)域AR1的掃描軌道分別由箭頭U1，U2，...，和U32表示。換句話說，在本實(shí)施例的曝光序列中，拍攝區(qū)域的曝光次序被設(shè)置為當(dāng)兩個(gè)接連的拍攝區(qū)域被順序地曝光時(shí)，基片P(掩模M)不以相同的方向移動(dòng)；控制器CONT在交替地沿+X方向(第一方向)和沿-X方向(第二方向)移動(dòng)基片P，順序地曝光在要被曝光的基片P上的多個(gè)拍攝區(qū)域T1-T32。因?yàn)榛_PST的上表面52A的高度基本上等于基片P的表面的高度，可以在這樣地交替地沿+X方向和沿-X方向移動(dòng)基片P的同時(shí)曝光包括位于基片P的周邊附近的拍攝區(qū)域的拍攝區(qū)域。應(yīng)當(dāng)指出，事實(shí)上，因?yàn)槊總€(gè)拍攝區(qū)域的曝光是通過相對于投影區(qū)域AR1移動(dòng)基片P而執(zhí)行的，基片P沿與圖18所示的箭頭表示的方向相反的方向移動(dòng)。
而且，還可以被配置成在順序曝光基片P的每個(gè)拍攝區(qū)域T1-T32時(shí)，使得取決于選擇的拍攝區(qū)域的位置，當(dāng)曝光某些選擇的拍攝區(qū)域時(shí)基片P的掃描速度低于當(dāng)曝光其它的拍攝區(qū)域時(shí)的掃描速度。
在如圖18所示的情形下，因?yàn)楸恍纬稍诨琍的外圍部分的拍攝區(qū)域T1，T4，T5，T10，T23，T28，T29和T32缺乏一部分并且因?yàn)橄鄬τ谂臄z區(qū)域T2，T3，T30和T32，在曝光期間或之前/之后，在拍攝區(qū)域的邊緣與基片P的邊緣之間的距離是小的以及在基片P的邊緣與基片臺PST的上表面52A之間的邊界成為被包括在液浸區(qū)域AR2。因此，當(dāng)這些曝光拍攝區(qū)域時(shí)，基片P的掃描速度優(yōu)選地被設(shè)置為低于當(dāng)曝光位于基片P的中心附近的拍攝區(qū)域(例如，T13和T14)時(shí)的基片P的掃描速度。
通過這樣做，即使在基片P的表面與基片臺PST的上表面52A之間有一點(diǎn)高度差，可以使在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片P之間存在的液體的壓力改變很小，并且同時(shí)，可以通過自動(dòng)聚焦系統(tǒng)和自動(dòng)校平系統(tǒng)使拍攝區(qū)域的表面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的圖像面精確地一致。
而且，還可被配置成，取決于基片臺PST的上表面52A(包括基片P的表面)的面積和取決于液浸區(qū)域AR2的面積(大小)，當(dāng)曝光每個(gè)拍攝區(qū)域時(shí)調(diào)整基片P的掃描速度。例如，當(dāng)打算以類似于施加到位于基片P的中心附近的拍攝區(qū)域(例如，T13和T14)的掃描速度曝光位于基片P的邊緣附近的拍攝區(qū)域(例如，T1-T4和T29-T32)時(shí)，使得產(chǎn)生當(dāng)基片P處在加速開始位置(助跑開始位置)時(shí)，液浸區(qū)域AR2用完基片臺PST的上表面52A，或在基片P的減速期間或在減速結(jié)束位置時(shí)，液浸區(qū)域AR2用完基片臺PST的上表面52A的可能性。在這樣的情形下，最好是，當(dāng)位于基片P的邊緣附近的拍攝區(qū)域(例如，T1-T4和T29-T32)被曝光時(shí)，降低基片P的掃描速度。通過這樣做，當(dāng)曝光位于基片P的邊緣附近的拍攝區(qū)域(例如，T1-T4和T29-T32)時(shí)，基片P的加速距離(助跑距離)和/或減速距離可被做成更短的，因此，每個(gè)拍攝區(qū)域(具體地，位于基片P的邊緣附近的拍攝區(qū)域)可以以高的精度被曝光，而液浸區(qū)域AR2不用完基片臺PST的上表面52A，同時(shí)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片臺PST的上表面52A之間很好地保持液體1。
應(yīng)當(dāng)指出，當(dāng)希望避免在曝光某些拍攝區(qū)域時(shí)由于短的加速距離和/或減速距離而降低掃描速度，和/或避免在出現(xiàn)通過自動(dòng)聚焦系統(tǒng)和自動(dòng)校平系統(tǒng)對基片P的表面的位置控制的錯(cuò)誤時(shí)在基片P的表面與基片臺PST的上表面52A之間的高度差時(shí)，當(dāng)曝光位于基片P的邊緣附近的拍攝區(qū)域T1，T2，T3，T4，T5，T23，T28，T29，T30，T31和T32時(shí)，基片P的移動(dòng)方向可被設(shè)置為使得投影區(qū)域AR1從基片P里面向基片P外面移動(dòng)。在這種情形下，最好是其中基片P交替地沿+X方向和沿-X移動(dòng)的曝光序列(曝光次序)盡可能遠(yuǎn)。
在上述的實(shí)施例中，液體1由純凈水構(gòu)成。純凈水具有在例如半導(dǎo)體制造廠容易大量得到的優(yōu)點(diǎn)，并且還具有對于基片P，光學(xué)元件(透鏡)等沒有有害的影響的優(yōu)點(diǎn)。而且，純凈水對于環(huán)境沒有有害的影響，并且?guī)缀醪话魏坞s質(zhì)；因此，顯然可以預(yù)期它清潔基片P的表面與被提供在投影光學(xué)系統(tǒng)的末端部分的光學(xué)元件的表面的效果。
對于具有約193nm的波長的曝光光EL，純凈水(水)的折射率n約為1.44，因此當(dāng)使用ArF激基激光(具有193nm波長)作為曝光光EL的光源時(shí)，在基片P上，波長被有效地縮短，就好像乘以1/n，即，實(shí)際上變?yōu)榧s134nm，因此可以得到高的分辨率。而且，由于焦深與在空氣中時(shí)相比較增加約n倍，即約1.44倍，當(dāng)只要保證焦深與在空氣中使用投影光學(xué)系統(tǒng)時(shí)實(shí)現(xiàn)的焦深相當(dāng)，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑就可被進(jìn)一步增加；這也提高分辨率。
當(dāng)如上所述使用液浸方法時(shí)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA可以變?yōu)?.0到1.3。當(dāng)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA超過1.0時(shí)，通常被用作為曝光光的隨機(jī)極化的光，因?yàn)樗臉O化影響，會(huì)有害地影響成像性能；因此，優(yōu)選地使用極化光照射方法。在這種情形下，最好通過執(zhí)行線性極化光照射，其中掩模(光柵)上的直線與間隔圖案的直線圖案的縱方向與極化方向?qū)?zhǔn)，使來自掩模(光柵)的圖案的S極化分量(具有與線圖案的縱方向相一致的極化方向的極化分量的衍射光)的衍射光的比例更高。當(dāng)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與加到基片P的表面的抗蝕膜之間的空間被填充以液體時(shí)，來自S極化的衍射光(有助于提高對比度)在保護(hù)層表面的透射系數(shù)比起其中在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與施加到基片P的表面的抗蝕膜之間的空間被填充以氣體(空氣)的情形更高，即使在投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA超過1.0的情形下，仍舊可以得到的高的成像性能。應(yīng)當(dāng)指出，當(dāng)使用移相掩模作為掩模(刻板)時(shí)，它更有效地工作。而且，因?yàn)槿Q于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片P之間的液體的條件，例如液體的溫度、液體的移動(dòng)(速度和方向)、和液體的壓力，曝光光照射在基片P上的極化條件可以改變，還可以被配置成，通過在各種的條件中考慮照射到基片P的曝光光的極化條件(例如，通過測量極化條件)，對于極化方向和極化度執(zhí)行極化光照射的最佳化(根據(jù)極化條件的測量結(jié)果的最優(yōu)化)。
在實(shí)施例中，光學(xué)元件2被附接到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端，并且藉助于透鏡，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性(例如球面像差、彗形像差等等)可被調(diào)整。應(yīng)當(dāng)指出，作為被附接到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端的光學(xué)元件，可以利用用于調(diào)整投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性的光學(xué)平板。替換地，可以利用可以透射曝光光EL的平行面平板。
應(yīng)當(dāng)指出，如果由液體1的流動(dòng)引起的在位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端的光學(xué)元件與基片P之間的空間的壓力是高的，則可被配置成光學(xué)元件被堅(jiān)固地固定，以避免由于壓力而移動(dòng)，而不是使得光學(xué)元件是可替換的。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中被配置成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基片P的表面之間的空間被填充以液體1，但也可以被配置成例如在由平行面平板構(gòu)成的覆蓋玻璃被附接到基片P的表面的條件下該空間被填充以液體1。
而且，正如在PCT國際公布號No.WO 2004/019128中公開的，其中在圖像面一側(cè)的光路徑空間和在光學(xué)元件2的掩模M一側(cè)的光路徑空間被填充以液體的投影光學(xué)系統(tǒng)也可以被采用作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然在實(shí)施例中，液體1是水，但液體1可以是除了水以外的液體。例如，當(dāng)曝光光EL的光源是F2激光器時(shí)，F(xiàn)2激光器的光不能透過水，因此，作為液體1，可以使用可以透過F2激光器的光的氟流體，諸如含氟化合物油或全氟聚醚(PFPE)。而且，作為液體1，也可以使用可以透過曝光光EL、具有可實(shí)用的高折射率、并且不影響投影光學(xué)系統(tǒng)PL和施加到基片P的表面的感光劑的的材料(例如，雪松油)。
另外，在這種情形下，按照液體1的極化性施加表面處理。
應(yīng)當(dāng)指出，對于上述的每個(gè)實(shí)施例的基片P，不單可以使用用于制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片，而且還可以使用用于顯示設(shè)備的玻璃基片、用于膜磁頭的陶瓷晶片、主掩?；蚩贪?合成石英或硅晶片)等等。
對于曝光光EL，除了其中在同步移動(dòng)掩模M和基片P的同時(shí)對掩模M的圖案進(jìn)行掃描曝光的掃描型曝光設(shè)備(掃描步進(jìn)器)以外，可以使用其中掩模M的圖案在掩模M與基片P是靜止的條件下一次被曝光以及基片P按步進(jìn)地接連地移動(dòng)的步進(jìn)和重復(fù)型投影曝光設(shè)備(步進(jìn)器)。另外，本發(fā)明可被應(yīng)用于其中至少兩個(gè)圖案以局部重疊方式被傳送到基片P上的步進(jìn)和接合型投影曝光設(shè)備。
而且，本發(fā)明可被應(yīng)用于在例如在日本未檢查專利公開，第一公開號No.H10-163099、日本未檢查專利公布，第一公開號No.H10-214783、和PCT國際專利申請的公開的日文翻譯No.2000-505958中公開的雙臺型曝光設(shè)備，它配備有兩個(gè)臺，這兩個(gè)臺在保持要被曝光的基片，例如晶片的同時(shí)可以互相獨(dú)立地沿XY方向移動(dòng)。在這種情形下，通過使用圖1到18描述的實(shí)施例還可被應(yīng)用于兩個(gè)臺的每個(gè)臺。
再者，本發(fā)明可被應(yīng)用于例如在日本未檢查專利公開，第一公開號No.H11-135400中公開的曝光設(shè)備，它配備有基片臺，該基片臺在保持要被處理的基片，例如晶片的同時(shí)可以沿XY方向移動(dòng)，并具有測量臺，在其上設(shè)置上述的光的傳感器部分和/或基準(zhǔn)點(diǎn)，并且它可以與基片臺無關(guān)地移動(dòng)。在這種情形下，通過使用圖1到18描述的實(shí)施例還可被應(yīng)用于基片臺，而且，還可被配置成在通過把液浸區(qū)域AR1形成在測量臺而執(zhí)行的各種測量完成后，在相對移動(dòng)回收端口23和測量臺的同時(shí)，回收測量臺的上表面上剩余的液體。
對于曝光設(shè)備EX型，本發(fā)明不限于用于制造半導(dǎo)體器件的、曝光在基片P上的半導(dǎo)體圖案的曝光設(shè)備，而是也可以應(yīng)用于各種的曝光設(shè)備，例如用于制造液晶顯示設(shè)備或顯示器的曝光設(shè)備、用于制造膜磁頭的曝光設(shè)備、用于制造圖像拾取器件的曝光設(shè)備、和用于制造刻板或掩模的曝光設(shè)備。
當(dāng)使用線性電動(dòng)機(jī)(見美國專利No.5,623,853或美國專利No.5,528,118)用于基片臺PST和/或掩模臺MST時(shí)，可以采用使用空氣軸承的空氣浮動(dòng)型線性電動(dòng)機(jī)或使用羅侖茲力或反作用力的磁杠桿型線性電動(dòng)機(jī)。而且，基片臺PST和掩模臺MST每個(gè)可以是沿導(dǎo)軌移動(dòng)型或沒有導(dǎo)軌的無導(dǎo)軌型。
對于用于基片臺PST和掩模臺MST每個(gè)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，可以使用其中通過使得其中磁鐵被二維地排列的磁鐵單元與其中線圈被二維地排列的電樞單元互相面對而由電磁力驅(qū)動(dòng)每個(gè)基片臺PST和掩模臺MST的平面電動(dòng)機(jī)。在這種情形下，磁鐵單元與電樞單元的任一個(gè)單元被附接到基片臺PST和掩模臺MST，而另一個(gè)單元被附接到基片臺PST或掩模臺MST的移動(dòng)面一側(cè)。
由基片臺PST的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的反作用力，正如在日本未檢查專利公布，第一公布號No.H08-166475(美國專利No.5,528,118)中描述的，可以通過使用框架部件被機(jī)械地釋放到地面(地)，以使得該力不傳送到投影光學(xué)系統(tǒng)PL。由掩模臺MST的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的反作用力，正如在日本未檢查專利公布，第一公布號No.H08-330224(美國專利申請序列號No.08/416,558)中描述的，可以通過使用框架部件被機(jī)械地釋放到地面(地)，以使得該力不傳送到投影光學(xué)系統(tǒng)PL。
按照本發(fā)明的實(shí)施例的曝光設(shè)備EX是通過把包括在本專利申請的權(quán)利要求中列出的每個(gè)單元的各種子系統(tǒng)以保持規(guī)定的機(jī)械精度、電精度、和光學(xué)精度的這樣的方式進(jìn)行組裝而制成的。為了保證在組裝之前和之后的各種精度，每個(gè)光學(xué)系統(tǒng)被調(diào)整來達(dá)到它的光學(xué)精度，每個(gè)機(jī)械系統(tǒng)被調(diào)整來達(dá)到它的機(jī)械精度，以及每個(gè)電系統(tǒng)被調(diào)整來達(dá)到它的電精度。
把每個(gè)子系統(tǒng)組裝成曝光設(shè)備的過程包括機(jī)械接口、電路接線連接、和在每個(gè)子系統(tǒng)之間的空氣壓力管道連接。無需說，在從各種子系統(tǒng)組裝成曝光設(shè)備之前，還可以有其中每個(gè)子系統(tǒng)被組裝的過程。在完成組裝曝光設(shè)備中的各種子系統(tǒng)時(shí)，執(zhí)行總的調(diào)整，來確保在完成的曝光設(shè)備中保持每種精度。另外，希望在其中溫度、純凈度等等被控制的清潔的房間中制造曝光設(shè)備。
如圖19所示，諸如半導(dǎo)體器件的微器件通過一系列步驟進(jìn)行制造，包括步驟201，進(jìn)行微器件的功能和性能設(shè)計(jì)；步驟202，根據(jù)設(shè)計(jì)步驟制造掩模(刻板)；步驟203，制造作為器件的基本材料的基片；步驟204，通過按照上述的實(shí)施例的曝光設(shè)備EX把掩模圖案曝光在基片上；器件組裝步驟205(包括切片處理、接合處理、和封裝處理)；檢驗(yàn)步驟206。
工業(yè)應(yīng)用性因?yàn)楸景l(fā)明提供曝光設(shè)備通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射到被放置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)的基片上，曝光所述基片，其中提供了把液體供應(yīng)到所述基片的液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)和回收被供應(yīng)到所述基片的液體的液體回收機(jī)構(gòu)，以及其中當(dāng)所述曝光光照射到所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)時(shí)，所述液體回收機(jī)構(gòu)不回收液體，曝光過程可以在聲音和振動(dòng)被減小的狀態(tài)下被執(zhí)行，以及可以避免由于剩余的液體引起的圖案的惡化；因此，可以制造具有想要的性能的器件，而同時(shí)保持高的曝光精度。
權(quán)利要求
1.一種通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射到被放置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)的基片上而曝光所述基片的曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備包括液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，其把液體供應(yīng)到所述基片上；液體回收機(jī)構(gòu)，其回收被供應(yīng)到所述基片上的液體；以及其中當(dāng)所述曝光光照射到所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)時(shí)，所述液體回收機(jī)構(gòu)不執(zhí)行所述液體的回收。
2.按照權(quán)利要求1的曝光設(shè)備，其中當(dāng)所述曝光光照射到所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)時(shí)，所述液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)執(zhí)行到所述基片的液體供應(yīng)；以及所述液體回收機(jī)構(gòu)不執(zhí)行所述液體的抽吸和回收。
3.按照權(quán)利要求1的曝光設(shè)備，其中當(dāng)在所述基片上的多個(gè)拍攝區(qū)域被順序地曝光時(shí)，所述液體回收機(jī)構(gòu)在給定的拍攝區(qū)域的曝光的完成與下一個(gè)拍攝區(qū)域的曝光的開始之間的至少部分時(shí)間間隔內(nèi)執(zhí)行在所述基片上的所述液體的回收。
4.按照權(quán)利要求3的曝光設(shè)備，其中由所述液體回收機(jī)構(gòu)在所述時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行的液體的回收是每次完成預(yù)定數(shù)目的拍攝區(qū)域的曝光時(shí)執(zhí)行的。
5.按照權(quán)利要求3的曝光設(shè)備，其中由所述液體回收機(jī)構(gòu)在所述時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行的液體的回收是在完成預(yù)定的拍攝區(qū)域的曝光后執(zhí)行的。
6.按照權(quán)利要求3的曝光設(shè)備，其中所述時(shí)間間隔被設(shè)置為在步進(jìn)運(yùn)動(dòng)內(nèi)，該步進(jìn)運(yùn)動(dòng)是在給定的拍攝區(qū)域的曝光完成后執(zhí)行的、并且是為下一個(gè)拍攝區(qū)域的曝光執(zhí)行的。
7.按照權(quán)利要求3的曝光設(shè)備，其中所述液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)在所述時(shí)間間隔內(nèi)繼續(xù)進(jìn)行液體的供應(yīng)。
8.按照權(quán)利要求1的曝光設(shè)備，還包括液體保持部分，其保持被供應(yīng)在所述基片上的液體的至少一個(gè)部分，直至由所述液體回收機(jī)構(gòu)進(jìn)行的液體回收開始為止。
9.按照權(quán)利要求8的曝光設(shè)備，其中所述液體保持部分通過利用毛細(xì)管現(xiàn)象保持液體。
10.按照權(quán)利要求8的曝光設(shè)備，其中所述液體保持部分還被用作為所述液體回收機(jī)構(gòu)的液體回收端口。
11.按照權(quán)利要求1的曝光設(shè)備，其中所述液體回收機(jī)構(gòu)具有在所述基片上方的回收端口。
12.按照權(quán)利要求1的曝光設(shè)備，其中所述液體回收機(jī)構(gòu)在一塊基片的曝光完成后抽吸和回收在所述基片上的液體。
13.按照權(quán)利要求12的曝光設(shè)備，還包括基片保持部件，其在保持所述基片的同時(shí)是可移動(dòng)的，以及其中在所述塊基片的曝光完成后，回收在所述基片或所述基片保持部件上的液體，而同時(shí)相對地移動(dòng)被布置在所述基片上方的所述液體回收機(jī)構(gòu)的所述回收端口和所述基片保持部件。
14.一種通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射到被放置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)的基片而曝光所述基片的曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備包括基片保持部件，其在保持所述基片的同時(shí)是可移動(dòng)的；液體回收機(jī)構(gòu)，其具有在所述基片上方的回收端口并且回收在所述基片上的液體；以及其中在由所述基片保持部件保持的基片的曝光完成后，所述基片保持部件和所述回收端口相對地移動(dòng)。
15.一種通過在基片的一部分上形成液浸區(qū)域并通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射到被放置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)的基片而曝光所述基片的曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備包括液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，其在所述基片的曝光期間把液體供應(yīng)到所述基片上；液體回收機(jī)構(gòu)，其在所述基片的曝光期間從所述基片上方抽吸和回收在所述基片上的液體；以及其中在所述基片的曝光期間，所述液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)的液體供應(yīng)量大于所述液體回收機(jī)構(gòu)的液體回收量。
16.按照權(quán)利要求15的曝光設(shè)備，其中所述液體回收機(jī)構(gòu)回收在所述基片上的液體連同包圍液體的氣體。
17.按照權(quán)利要求15的曝光設(shè)備，還包括基片保持部件，其在保持所述基片的同時(shí)是可移動(dòng)的，以及其中在所述塊基片的曝光完成后，回收在所述基片或所述基片保持部件上的液體，而同時(shí)相對地移動(dòng)所述液體回收機(jī)構(gòu)的回收端口和保持所述基片的所述基片保持部件。
18.一種使用按照權(quán)利要求1的曝光設(shè)備的器件制造方法。
19.一種使用按照權(quán)利要求14的曝光設(shè)備的器件制造方法。
20.一種使用按照權(quán)利要求15的曝光設(shè)備的器件制造方法。
21.一種通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射到基片而曝光所述基片的曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備包括可移動(dòng)的部件，被放置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)上，并保持在可移動(dòng)的部件與所述投影光學(xué)系統(tǒng)之間的液體；液體回收機(jī)構(gòu)，具有被放置成面對所述可移動(dòng)的部件的表面的回收端口，并且能夠回收在所述可移動(dòng)的部件上的液體；以及其中在相對地移動(dòng)所述可移動(dòng)的部件和所述液體回收機(jī)構(gòu)的回收端口的同時(shí)在所述可移動(dòng)的部件上的液體被回收。
22.按照權(quán)利要求21的曝光設(shè)備，其中所述可移動(dòng)的部件包括能夠保持所述基片的基片保持部件。
23.按照權(quán)利要求22的曝光設(shè)備，其中在相對地移動(dòng)由所述基片保持部件保持的基片和所述回收端口的同時(shí)在所述基片上的液體被回收。
24.按照權(quán)利要求21的曝光設(shè)備，其中通過所述相對運(yùn)動(dòng)，在所述可移動(dòng)的部件的表面上剩余的液體通過所述回收端口被回收。
25.一種使用按照權(quán)利要求21的曝光設(shè)備的器件制造方法。
26.一種曝光方法，該方法在保持基片的同時(shí)可移動(dòng)的可移動(dòng)體的上表面與投影光學(xué)系統(tǒng)之間局部地形成液浸區(qū)域，并且通過把曝光光經(jīng)由所述投影光學(xué)系統(tǒng)和形成所述液浸區(qū)域的液體照射在所述基片上而同時(shí)相對于所述曝光光移動(dòng)基片，對于多個(gè)拍攝區(qū)域的每個(gè)拍攝區(qū)域執(zhí)行掃描曝光，其中所述基片的移動(dòng)速度根據(jù)多個(gè)拍攝區(qū)域的每個(gè)拍攝區(qū)域在所述基片上的位置被確定。
27.按照權(quán)利要求26的曝光方法，其中當(dāng)曝光位于所述基片的周邊附近的拍攝區(qū)域時(shí)的所述基片的移動(dòng)速度低于當(dāng)曝光位于所述基片的中心附近的拍攝區(qū)域時(shí)的所述基片的移動(dòng)速度。
28.按照權(quán)利要求26的曝光方法，其中所述基片的移動(dòng)速度是根據(jù)所述可移動(dòng)體的上表面的尺寸和所述液浸區(qū)域的尺寸被確定的。
29.按照權(quán)利要求28的曝光方法，其中所述基片的移動(dòng)速度被確定為使得在所述液浸區(qū)域被保持在所述可移動(dòng)體的上表面的同時(shí)，可以曝光在所述基片上的每個(gè)拍攝區(qū)域。
30.按照權(quán)利要求29的曝光方法，其中所述基片的移動(dòng)速度被確定為使得可以保證當(dāng)對所述基片的拍攝區(qū)域執(zhí)行掃描曝光時(shí)的加速距離或減速距離。
全文摘要
一種通過把曝光光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)和液體照射到被放置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)的基片而曝光基片的曝光設(shè)備，該曝光設(shè)備包括液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，用來把液體供應(yīng)到基片上；液體回收機(jī)構(gòu)，用來回收被供應(yīng)到基片上的液體；以及其中當(dāng)曝光光照射到投影光學(xué)系統(tǒng)的圖像面一側(cè)時(shí)，液體回收機(jī)構(gòu)不執(zhí)行液體的回收。
文檔編號G03F7/20GK1836312SQ20048002357
公開日2006年9月20日 申請日期2004年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月21日
發(fā)明者長坂博之, 石井勇樹, 牧野內(nèi)進(jìn) 申請人:株式會(huì)社尼康