專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，尤其是涉及包含一具有反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的顯示區(qū)域的顯示裝置。
背景技術(shù)：
以往在半通過(guò)型液晶顯示裝置中，提案一種通過(guò)在對(duì)應(yīng)反射區(qū)域的區(qū)域上設(shè)置凸?fàn)罱^緣膜，以使入射于通過(guò)區(qū)域的光通過(guò)液晶層的距離(光路長(zhǎng)度)、與入射于反射區(qū)域的光通過(guò)液晶層的距離(光路長(zhǎng)度)相等的構(gòu)造。此提案例如已揭示于日本專利特開(kāi)2002-98951號(hào)公報(bào)中。
圖25為顯示具有公知凸?fàn)罱^緣膜的半通過(guò)型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。圖26為沿著圖25所示公知顯示裝置的300-300線的剖面圖。圖27為顯示圖25所示公知顯示裝置的凸?fàn)罱^緣膜的平面形狀的模式圖。
在公知半通過(guò)型液晶顯示裝置中，如圖26所示，包含有反射區(qū)域390a與通過(guò)區(qū)域390b。在對(duì)應(yīng)反射區(qū)域390a的玻璃基板301上的指定區(qū)域，形成有構(gòu)成薄膜晶體管(TFTThin Film Transistor)的半導(dǎo)體層302、與具有作為輔助電容電極功能的半導(dǎo)體層303。如圖25所示，從平面看，半導(dǎo)體層302形成コ字狀。然后，如圖26所示，在コ字狀的半導(dǎo)體層302上，形成有2個(gè)源極區(qū)域302a、2個(gè)漏極區(qū)域302b及2個(gè)信道區(qū)域302c。源極區(qū)域302a與漏極區(qū)域302b為以包夾各自的信道區(qū)域302c的方式配置。
又，在半導(dǎo)體層302的2個(gè)信道區(qū)域302c上，隔著閘極絕緣膜304形成有2個(gè)閘電極305。然后，由一方的閘電極305、一方的源極區(qū)域302a、一方的漏極區(qū)域302b、一方的信道區(qū)域302c與門(mén)極絕緣膜304，構(gòu)成一方的TFT。又，由另一方的閘電極305、另一方的源極區(qū)域302a、另一方的漏極區(qū)域302b、另一方的信道區(qū)域302c與門(mén)極絕緣膜304，構(gòu)成另一方的TFT。又，在半導(dǎo)體層303上，隔著閘極絕緣膜304形成有輔助電容電極306。然后，由半導(dǎo)體層303、閘極絕緣膜304及輔助電容電極306構(gòu)成輔助電容。
又，如圖25所示，在2個(gè)閘電極305上，連接有由與閘電極305同一層所構(gòu)成，同時(shí)延伸于指定方向的閘極線305a。又，在輔助電容電極306上，連接有由與輔助電容電極306同一層所構(gòu)成，同時(shí)延伸于與閘極線305平行的方向的輔助電容線306a。
然后，如圖26所示，以覆蓋TFT及輔助電容的方式，形成有層間絕緣膜307。又，在對(duì)應(yīng)層間絕緣膜307與門(mén)極絕緣膜304的源極區(qū)域302a、漏極區(qū)域302b及半導(dǎo)體層303的區(qū)域上，分別形成有接觸孔307a、307b及307c。然后，介以接觸孔307a電連接源極區(qū)域302a的方式形成有源極電極308。又，源極電極308的一部分308a，系介以接觸孔307c電連接半導(dǎo)體303的方式形成。然后，介以接觸孔307b電連接漏極區(qū)域302b的方式形成有漏極電極309。如圖25所示，在該漏極電極309上，連接有由與漏極電極309同一層所構(gòu)成，同時(shí)延伸于與閘極線305a正交的方向的漏極線309a。
又，如圖26所示，在層間絕緣膜307上的指定區(qū)域，以覆蓋源極電極308及漏極電極309的方式，形成有凸?fàn)罱^緣膜311。與凸?fàn)罱^緣膜311的源極電極308相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，形成有接觸孔311a。然后，依凸?fàn)罱^緣膜311的側(cè)面、與未形成有絕緣膜311的層間絕緣膜307的上面構(gòu)成凹部312。另外，凸?fàn)罱^緣膜311，系形成與反射區(qū)域390a對(duì)應(yīng)，而凹部312系形成與通過(guò)區(qū)域390b對(duì)應(yīng)。
又，如圖27所示，凸?fàn)罱^緣膜311，是在由顯示區(qū)域390c內(nèi)的閘極線305a及漏極線309a所包圍的各像素區(qū)域上，以包圍住凹部312的方式所形成。因此，凹部312是以在各像素間分離的方式所形成。
又，如圖26所示，在凸?fàn)罱^緣膜311的上面上，介以接觸孔311a電連接源極電極308的方式，形成有反射電極313。如圖25所示，從平面看，該反射電極313，是以覆蓋TFT、輔助電容、閘極線305a及輔助電容線306a的方式所形成。然后，如圖26所示，在凹部312的內(nèi)面上及反射電極313的表面上形成有透明電極314。通過(guò)該透明電極314與反射電極313構(gòu)成像素電極。然后，在構(gòu)成像素電極的透明電極314上，形成有由聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜315。
然后，在與玻璃基板301相對(duì)的位置上，設(shè)有玻璃基板(相對(duì)基板)316。在玻璃基板316上，形成有呈現(xiàn)紅(R)、綠(G)及藍(lán)(B)的各色的彩色濾光片317。在彩色濾光片317上形成有透明電極318。在透明電極318上形成有由聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜319。在配向膜315與配向膜319之間填充有液晶層320。又，在玻璃基板301的背面上及玻璃基板(相對(duì)基板)316的背面上，分別形成有橢圓偏光膜321。
在公知半通過(guò)型液晶顯示裝置中，如圖27所示，由于以包圍通過(guò)區(qū)域390b(凹部312)的方式形成有凸?fàn)罱^緣膜311，所以在凸?fàn)罱^緣膜311及凹部312的凹凸形狀所反映的透明電極314上，于形成由聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜315時(shí)，聚酰亞胺會(huì)滯留于對(duì)應(yīng)各像素的凹部312的凹狀區(qū)域內(nèi)。該情況，由于滯留于對(duì)應(yīng)各像素的凹部312的凹狀區(qū)域內(nèi)的聚酰亞胺的量容易變成不均等，所以例如圖28所示，會(huì)有發(fā)生只在對(duì)應(yīng)局部像素的凹部312的凹狀區(qū)域312a內(nèi)滯留過(guò)多構(gòu)成配向膜315的聚酰亞胺的情況的不良情形。如此當(dāng)只在對(duì)應(yīng)局部像素的凹部312的凹狀區(qū)域312a內(nèi)滯留過(guò)多構(gòu)成配向膜315的聚酰亞胺時(shí)，就會(huì)發(fā)生在各像素的配向膜315的厚度上產(chǎn)生不均的不良情形。結(jié)果，有因配向膜315的厚度不均而引起顯示質(zhì)量降低的問(wèn)題點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了提供一種可抑制因配向膜的厚度不均等而引起顯示質(zhì)量降低的顯示裝置而所開(kāi)發(fā)完成者。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明第1態(tài)樣的顯示裝置，其包含具有反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的顯示區(qū)域者，且包括凸?fàn)顓^(qū)域，其具有形成于與基板上的反射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上的凸?fàn)罱^緣膜；以及以覆蓋凸?fàn)罱^緣膜的方式所形成的配向膜；且未形成有凸?fàn)罱^緣膜的凹狀區(qū)域，是以在相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
在該第1態(tài)樣的顯示裝置中，當(dāng)以覆蓋凸?fàn)罱^緣膜及凹狀區(qū)域的方式形成配向膜時(shí)，在相鄰像素間可使構(gòu)成配向膜的材料沿著凹狀區(qū)域流動(dòng)。借此，由于可抑制只在局部像素的凹狀區(qū)域上滯留過(guò)多構(gòu)成配向膜的材料，所以形成于凹狀區(qū)域的配向膜可在多個(gè)像素上平均化，且可使配向膜的厚度在各像素上實(shí)質(zhì)均等。結(jié)果，可抑制因形成于凹狀區(qū)域的配向膜的厚度不均等而引起顯示質(zhì)量降低的情形。
本發(fā)明第2態(tài)樣的顯示裝置，其包含具有反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的顯示區(qū)域，且由多個(gè)像素所構(gòu)成者，且包括凸?fàn)顓^(qū)域，其于與基板上的反射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上形成有凸?fàn)罱^緣膜；未形成有凸?fàn)罱^緣膜的凹狀區(qū)域；以及配向膜，共通形成于凸?fàn)顓^(qū)域及凹狀區(qū)域上；且凹狀區(qū)域，是以在相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
在該第2態(tài)樣的顯示裝置中，當(dāng)在凸?fàn)罱^緣膜及凹狀區(qū)域上共通形成配向膜時(shí)，在多個(gè)相鄰像素間可使構(gòu)成配向膜的材料沿著凹狀區(qū)域流動(dòng)。借此，由于可抑制只在局部像素的凹狀區(qū)域上滯留過(guò)多構(gòu)成配向膜的材料，所以形成于凹狀區(qū)域的配向膜可在多個(gè)像素上平均化，且可使配向膜的厚度在各像素上實(shí)質(zhì)均等。結(jié)果，在由多個(gè)像素所構(gòu)成的顯示裝置中，可抑制因形成于凹狀區(qū)域的配向膜的厚度不均等而引起顯示質(zhì)量降低的情形。


圖1為顯示本發(fā)明第1實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖2為沿著圖1所示第1實(shí)施例的顯示裝置的100-100線的剖面圖。
圖3為顯示圖1所示第1實(shí)施例的顯示裝置的凸?fàn)罱^緣膜平面形狀的模式圖。
圖4至圖7為說(shuō)明本發(fā)明第1實(shí)施例的顯示裝置的制程用剖面圖。
圖8為顯示第1實(shí)施例變化例的顯示裝置構(gòu)造的平面圖。
圖9為沿著圖8所示第1實(shí)施例變化例的顯示裝置的150-150線的剖面圖。
圖10為顯示本發(fā)明第2實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置的構(gòu)造的剖面圖。
圖11為顯示第2實(shí)施例的第1變化例的顯示裝置構(gòu)造的剖面圖。
圖12為顯示第2實(shí)施例的第2變化例的顯示裝置構(gòu)造的剖面圖。
圖13為顯示本發(fā)明第3實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖14為顯示本發(fā)明第4實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖15為沿著圖14所示第4實(shí)施例的顯示裝置的200-200線的剖面圖。
圖16至圖18為說(shuō)明本發(fā)明第4實(shí)施例的顯示裝置的制程用的剖面圖。
圖19為顯示本發(fā)明第5實(shí)施例的反射型液晶顯示裝置構(gòu)造的平面圖。
圖20為沿著圖19所示第5實(shí)施例的顯示裝置的250-250線的剖面圖。
圖21至圖24為顯示本發(fā)明變化例的顯示裝置的凸?fàn)罱^緣膜的平面形狀的模式圖。
圖25為顯示具有公知凸?fàn)罱^緣膜的半通過(guò)型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖26為沿著圖25所示公知顯示裝置的300-300線的剖面圖。
圖27為顯示圖25所示公知顯示裝置的凸?fàn)罱^緣膜的平面形狀的模式圖。
圖28為沿著圖27的350-350線的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下為根據(jù)圖式說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
(第1實(shí)施例)參照?qǐng)D1至圖3，本第1實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置，是在1像素內(nèi)具有反射區(qū)域90a與通過(guò)區(qū)域90b的2個(gè)區(qū)域。然后，在反射區(qū)域90a上形成有反射電極13，同時(shí)在通過(guò)區(qū)域90b未形成有反射電極13。借此，在反射區(qū)域90a上，通過(guò)使圖2的箭號(hào)A方向的光反射即可顯示影像。另一方面，在通過(guò)區(qū)域90b上，通過(guò)使圖2的箭號(hào)B方向的光通過(guò)即可顯示影像。
第1實(shí)施例的詳細(xì)構(gòu)造，如圖2所示，在與具備由SiNx膜及SiO2膜所構(gòu)成的緩沖層1a的玻璃基板1上的反射區(qū)域90a相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，形成有構(gòu)成TFT的由非單晶硅或非晶硅所構(gòu)成的半導(dǎo)體層2、及具有作為輔助電容電極功能的由非單晶硅或非晶硅所構(gòu)成的半導(dǎo)體層3。另外，玻璃基板1是本發(fā)明的“基板”的一例。如圖1所示，從平面看，半導(dǎo)體層2形成コ字狀。然后，如圖2所示，在コ字狀的半導(dǎo)體層2上，形成有2個(gè)源極區(qū)域2a、2個(gè)漏極區(qū)域2b及2個(gè)信道區(qū)域2c。源極區(qū)域2a與漏極區(qū)域2b，是以包夾各自的信道區(qū)域2c的方式配置。
又，在半導(dǎo)體層2的2個(gè)信道區(qū)域2c上，分別隔著由SiNx膜及SiO2膜的迭層膜所構(gòu)成的閘極絕緣膜4，形成有由鉬(Mo)所構(gòu)成的閘電極5。然后，由一方的閘電極5、一方的源極區(qū)域2a、一方的漏極區(qū)域2b、一方的信道區(qū)域2c與門(mén)極絕緣膜4，構(gòu)成一方的TFT。又，由另一方的閘電極5、另一方的源極區(qū)域2a、另一方的漏極區(qū)域2b、另一方的信道區(qū)域2c與門(mén)極絕緣膜4，構(gòu)成另一方的TFT。又，在半導(dǎo)體層3上，隔著閘極絕緣膜4形成有由鉬所構(gòu)成的輔助電容電極6。然后，由半導(dǎo)體層3、閘極絕緣膜4及輔助電容電極6構(gòu)成輔助電容。
又，如圖1所示，在2個(gè)閘電極5上，連接有由與閘電極5同一層所構(gòu)成，同時(shí)延伸于指定方向的閘極線5a。又，在輔助電容電極6上，連接有由與輔助電容電極6同一層所構(gòu)成，同時(shí)延伸于與閘極線5平行的方向的輔助電容線6a。
然后，如圖2所示，以覆蓋TFT及輔助電容的方式，形成有層間絕緣膜7。又，在對(duì)應(yīng)層間絕緣膜7與門(mén)極絕緣膜4的源極區(qū)域2a、漏極區(qū)域2b及半導(dǎo)體層3的區(qū)域上，分別形成有接觸孔7a、7b及7c。然后，介以接觸孔7a電連接源極區(qū)域2a的方式形成有源極電極8。又，源極電極8的一部分8a，系介以接觸孔7c電連接半導(dǎo)體3的方式所形成。然后，介以接觸孔7b電連接漏極區(qū)域2b的方式形成有漏極電極9。源極電極8及漏極電極9是分別從下層朝向上層而由鉬層、鋁(Al)層及鉬層所構(gòu)成。又，如圖1所示，在漏極電極9上，連接有由與漏極電極9同一層所構(gòu)成，同時(shí)延伸于與閘極線5a正交的方向的漏極線9a。
又，如圖2所示，在層間絕緣膜7上的指定區(qū)域，以覆蓋源極電極8及漏極電極9的方式，形成有具有厚度約2μm至約3μm的感旋光性丙烯酸樹(shù)脂等的樹(shù)脂材料所構(gòu)成的凸?fàn)罱^緣膜11。另外，在第1實(shí)施例中，凸?fàn)罱^緣膜11的厚度，形成約2.2μm。在與凸?fàn)罱^緣膜11的源極電極8相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，形成有接觸孔11a。然后，由凸?fàn)罱^緣膜11的側(cè)面、與未形成有絕緣膜11的層間絕緣膜7的上面構(gòu)成凹部12。另外，凸?fàn)罱^緣膜11，為形成與反射區(qū)域90a對(duì)應(yīng)，而凹部12為形成與通過(guò)區(qū)域90b對(duì)應(yīng)。另外，凹部12為本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。
在此，在第1實(shí)施例中，如圖3所示，對(duì)應(yīng)各像素的通過(guò)區(qū)域90b的凹部12，是以在列方向相鄰的像素間保持一定寬度W的狀態(tài)連續(xù)所形成。又，凹部12是沿著閘極線5a的延伸方向而形成至顯示區(qū)域90c的外側(cè)為止。亦即，凹部12的雙方端部12a配置于顯示區(qū)域90c的外側(cè)。
又，如圖2所示，在凸?fàn)罱^緣膜11的上面上，介以接觸孔11a電連接源極電極8的方式，形成有由鋁所構(gòu)成的反射電極13。如圖1所示，從平面看，該反射電極13，是以覆蓋TFT、輔助電容、閘極線5a及輔助電容線6a的方式所形成。然后，如圖2所示，在凹部12的內(nèi)面上及反射電極13的表面上，形成有具有約100nm至約150nm的厚度，同時(shí)由氧化銦鋅(IZOIndium Zinc Oxide)或氧化銦錫(ITOIndiumTin Oxide)等所構(gòu)成的透明電極14。另外，第1實(shí)施例中，透明電極14的厚度，形成約100nm。由該透明電極14與反射電極13構(gòu)成像素電極。然后，在構(gòu)成像素電極的透明電極14上，形成有由具有厚度約20nm至約100nm的聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜15。該配向膜15，其在圖1及圖3的箭號(hào)C方向進(jìn)行摩擦處理(配向處理)。另外，在第1實(shí)施例中，配向膜15的厚度形成約30nm。
然后，如圖2所示，在與玻璃基板1相對(duì)的位置上，設(shè)有玻璃基板(相對(duì)基板)16。在玻璃基板16上，形成有具有厚度約1.5μm至約2.5μm，同時(shí)呈現(xiàn)紅(R)、綠(G)及藍(lán)(B)的各色的彩色濾光片17。另外，在第1實(shí)施例中，彩色濾光片17的厚度，形成約1.8μm。在彩色濾光片17上，形成有具有厚度約100nm至約150nm，同時(shí)由氧化銦鋅或氧化銦錫等所構(gòu)成的透明電極18。另外，在第1實(shí)施例中，透明電極18的厚度，形成約100nm。在透明電極18上，形成有由具有厚度約20nm至約100nm的聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜19。另外，在第1實(shí)施例中，配向膜19的厚度，形成約30nm。該配向膜19按在圖1及圖3的箭號(hào)D方向進(jìn)行摩擦處理(配向處理)。
然后，在配向膜15與配向膜19之間，填充有液晶層20。另外，在對(duì)應(yīng)層間絕緣膜7上的反射區(qū)域90a的區(qū)域形成有通過(guò)將具有厚度約2μm至約3μm的絕緣膜11圖案化而所得的凸?fàn)罱^緣膜11的反射區(qū)域90a中的液晶層20的厚度，其為未形成有凸?fàn)罱^緣膜11的通過(guò)區(qū)域90b中的液晶層20的厚度的1/2。另外，在第1實(shí)施例中，將凸?fàn)罱^緣膜11的厚度形成約2.2μm。借此，由于在反射區(qū)域90a上光通過(guò)液晶層20二次，相對(duì)于此，在通過(guò)區(qū)域90b上光只通過(guò)液晶層20一次，所以通過(guò)將反射區(qū)域90a的液晶層20的厚度，形成為通過(guò)區(qū)域90b的液晶層20厚度的1/2，反射區(qū)域90a及通過(guò)區(qū)域90b的光路長(zhǎng)度就會(huì)相等。借此，可減低通過(guò)顯示的情況與反射顯示的情況之間顯示質(zhì)量的不均等。又，在玻璃基板1的背面上及玻璃基板(相對(duì)基板)16的背面上，分別形成有具有厚度約0.4mm至約0.8mm的橢圓偏光膜21。另外，在第1實(shí)施例中，橢圓偏光膜21的厚度形成約0.5mm。
在第1實(shí)施例中，如上所述，以在相同列的像素間連續(xù)的方式，形成與各像素的通過(guò)區(qū)域90b對(duì)應(yīng)的凹部12。因而，在具有反映凹部12的凹形狀的透明電極14上形成配向膜15時(shí)，可在各像素間，使配向膜15沿著對(duì)應(yīng)凹部12的凹狀區(qū)域流動(dòng)。借此，由于可抑制只在對(duì)應(yīng)局部像素凹部12的凹狀區(qū)域上滯留過(guò)多配向膜15的情形，所以可在各像素使形成于對(duì)應(yīng)凹部12的凹狀區(qū)域的配向膜15的厚度實(shí)質(zhì)均等。結(jié)果，可抑制因?qū)?yīng)凹部12的凹狀區(qū)域上所形成的配向膜15的厚度不均等而引起顯示質(zhì)量降低。
又，在第1實(shí)施例中，將凹部12的雙方端部12a配置于顯示區(qū)域90c的外側(cè)。亦即，凹部12的列方向的端部12a并未重迭于反射電極13及透明電極14上。因而，由于與配向膜15容易滯留的凹部12對(duì)應(yīng)的凹狀區(qū)域的雙方端部12a并未配置于顯示區(qū)域90c內(nèi)，所以可容易以均等厚度形成位于顯示區(qū)域90c內(nèi)的凹狀區(qū)域的配向膜15。借此，就可更加容易抑制顯示質(zhì)量降低。
其次，參照?qǐng)D1至圖7說(shuō)明第1實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置的制程。
首先，如圖4所示，在具備緩沖層1a的玻璃基板1上的指定區(qū)域，形成構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體層2、及具有輔助電容電極功能的半導(dǎo)體層3。在形成半導(dǎo)體層2時(shí)，如圖1所示，從平面看，形成コ字狀。另外，在半導(dǎo)體層2及3由非晶硅所構(gòu)成的情況，較佳使的結(jié)晶化。其次，在半導(dǎo)體層2上，隔著閘極絕緣膜4形成閘電極5。的后，將閘電極5當(dāng)作屏蔽，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體層2植入離子，以形成2組源極區(qū)域2a及漏極區(qū)域2b。借此，形成有2個(gè)TFT。
又，在半導(dǎo)體層3上的閘極絕緣膜4上的區(qū)域形成輔助電容電極6。借此，可形成包含半導(dǎo)體層3、閘極絕緣膜4及輔助電容電極6的輔助電容。又，如圖1所示，利用與2個(gè)閘電極5同一層，形成延伸于指定方向的閘極線5a。又，利用與輔助電容電極6同一層，形成延伸于與閘極線5a平行方向的輔助電容線6a。另外，輔助電容電極6及輔助電容線6a，較佳的是在閘電極5與門(mén)極線5a的圖案化時(shí)同時(shí)形成。
其次，如圖5所示，以覆蓋全面的方式，形成層間絕緣膜7。之后在對(duì)應(yīng)層間絕緣膜7與門(mén)極絕緣膜4的源極區(qū)域2a、漏極區(qū)域2b及半導(dǎo)體層3的區(qū)域，分別形成接觸孔7a、7b及7c。
然后，介以接觸孔7a，以電連接源極區(qū)域2a的方式形成源極電極8。此時(shí)，源極電極8的一部分8a，介以接觸孔7c電連接半導(dǎo)體層3的方式形成。又，介以接觸孔7b電連接漏極區(qū)域2b的方式形成漏極電極9。又，如圖1所示，利用與漏極電極9同一層，與漏極電極9同時(shí)形成延伸于與閘極線5a正交的方向的漏極線9a。之后，以覆蓋全面的方式形成絕緣膜11。
其次，如圖6所示，通過(guò)將絕緣膜11圖案化，在反射區(qū)域90a上形成凸?fàn)罱^緣膜11。此時(shí)，在第1實(shí)施例中，如圖3所示，位于未形成有凸?fàn)罱^緣膜11的通過(guò)區(qū)域90b的凹部12以在同列的像素間成為連續(xù)形狀的方式，將絕緣膜11圖案化。又，以凹部12的雙方端部12a配置于顯示區(qū)域90c的外側(cè)的方式將絕緣膜11圖案化。又，如圖6所示，在對(duì)應(yīng)絕緣膜11的源極電極8的區(qū)域上形成接觸孔11a。
其次，如圖7所示，在凸?fàn)罱^緣膜11的上面上，介以接觸孔11a電連接源極電極8的方式形成反射電極13。又，在凹部12的內(nèi)面上及反射電極13的表面上形成透明電極14。借此，形成有包含透明電極14與反射電極13的像素電極。
之后，使用滾筒式轉(zhuǎn)印法等，在構(gòu)成像素電極的透明電極14上形成由聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜15。此時(shí)，在第1實(shí)施例中，如圖3所示，由于以凹部12在各像素間連續(xù)的方式所形成，所以在各像素間，構(gòu)成配向膜15的聚酰亞胺會(huì)沿著凹部12而流動(dòng)。借此，各像素間形成于凹部12上的配向膜15的厚度就可均等化。
其次，如圖2所示，在以與玻璃基板1相對(duì)的方式所設(shè)的玻璃基板(相對(duì)基板)16上，依次形成彩色濾光片17、透明電極18及配向膜19。之后，在配向膜15與配向膜19之間填充液晶層20。然后，在玻璃基板1的背面上及玻璃基板(相對(duì)基板)16的背面上分別形成橢圓偏光膜21，借此可形成第1實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置。
參照?qǐng)D8及圖9，就該第1實(shí)施例的變化例中，于上述第1實(shí)施例的構(gòu)造上，對(duì)應(yīng)反射區(qū)域91a的凸?fàn)罱^緣膜31未形成于閘電極5與門(mén)極線5a的上方區(qū)域的情況加以說(shuō)明。亦即，在該第1實(shí)施例的變化例中，以1像素內(nèi)包夾形成有凸?fàn)罱^緣膜31的反射區(qū)域91a的方式，形成有2個(gè)凹部32(通過(guò)區(qū)域91b)。另外，凹部32是本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。
具體而言，在該第1實(shí)施例的變化例中，凸?fàn)罱^緣膜31是由感旋光性的丙烯酸樹(shù)脂等的樹(shù)脂材料所構(gòu)成，同時(shí)具有約2μm至約3μm的厚度。在該第1實(shí)施例的變化例中，凸?fàn)罱^緣膜31的厚度形成約2.2μm。然后，如圖9所示，在凸?fàn)罱^緣膜31的上面上，形成有在對(duì)應(yīng)源極電極8的區(qū)域具有接觸孔33a的反射電極33。又，介以接觸孔31a及33a電連接源極電極8，同時(shí)沿著凹部32的內(nèi)面上及反射電極33的表面上延伸的方式，形成具有厚度約100nm至約150nm的由氧化銦鋅或氧化銦錫等所構(gòu)成的透明電極34。在該第1實(shí)施例的變化例中，透明電極34的厚度形成約100nm。由該透明電極34與反射電極33可構(gòu)成像素電極。在透明電極34上，形成具有厚度約20nm至約100nm的由聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜35。在該第1實(shí)施例的變化例中，配向膜35的厚度形成約30nm。
在該第1實(shí)施例的變化例的半通過(guò)型液晶顯示裝置中，通過(guò)擴(kuò)大對(duì)應(yīng)通過(guò)區(qū)域90b的凹部32的形成區(qū)域，來(lái)縮小形成于凸?fàn)罱^緣膜31的上面上的反射電極33的形成區(qū)域。因此，依該第1實(shí)施例的變化例所形成的半通過(guò)型液晶顯示裝置，其具有比上述第1實(shí)施例的反射區(qū)域90a小的反射區(qū)域91a，同時(shí)具有比上述第1實(shí)施例的通過(guò)區(qū)域90b大的通過(guò)區(qū)域91b。如此，即使變更反射區(qū)域91a及通過(guò)區(qū)域91b的大小，亦可與上述第1實(shí)施例同樣，使形成于對(duì)應(yīng)凹部32的凹狀區(qū)域的配向膜35的厚度均等化。
另外，比較圖1與圖8即可明白，不需要將TFT及輔助電容重復(fù)配置在反射區(qū)域90a上。但是，TFT及輔助電容會(huì)變成遮光區(qū)域。因此，配置有TFT及輔助電容的區(qū)域較佳的是作為反射區(qū)域。
(第2實(shí)施例)參照?qǐng)D10，在該第2實(shí)施例中，就與在TFT側(cè)基板上形成凸?fàn)罱^緣膜的上述第1實(shí)施例不同，為通過(guò)在相對(duì)基板上形成凸?fàn)罱^緣膜，以在相對(duì)基板側(cè)形成凹部的例加以說(shuō)明。
在該第2實(shí)施例中，以覆蓋源極電極8及漏極電極9的方式，在對(duì)應(yīng)源極電極8的區(qū)域形成具有接觸孔40a的平坦化膜40。在平坦化膜40的反射區(qū)域90a上，介以接觸孔40a電連接在源極電極8的方式，形成有由鋁所構(gòu)成的反射電極43。然后，以覆蓋反射電極43的方式，形成具有厚度約100nm至約150nm，同時(shí)由氧化銦鋅或氧化銦錫等所構(gòu)成的透明電極44。另外，在第2實(shí)施例中，透明電極44的厚度形成約100nm。由該透明電極44與反射電極43構(gòu)成像素電極。又，在構(gòu)成像素電極的透明電極44上形成具有厚度約20nm至約100nm的由聚酰亞胺所構(gòu)成的配向膜45。另外，在第2實(shí)施例中，配向膜45的厚度形成約30nm。
然后，在與玻璃基板11相對(duì)的位置上設(shè)有玻璃基板(相對(duì)基板)16。在玻璃基板16上形成有凸?fàn)罱^緣膜41。然后，通過(guò)凸?fàn)罱^緣膜41的側(cè)面、與未形成有絕緣膜41的玻璃基板16的上面構(gòu)成凹部42。該凸?fàn)罱^緣膜41及凹部42，其相當(dāng)于圖2所示的第1實(shí)施例的凸?fàn)罱^緣膜11及凹部12者。另外，凹部42為本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。
在此，在第2實(shí)施例中，與圖3所示的第1實(shí)施例同樣，對(duì)應(yīng)各像素的通過(guò)區(qū)域90b的凹部42，是以在列方向相鄰像素間保持一定寬度的狀態(tài)連續(xù)的方式所形成。又，凹部42是沿著閘極線(未圖示)延伸方向而形成至顯示區(qū)域(未圖標(biāo))的外側(cè)為止。亦即，凹部42的雙方端部(未圖標(biāo))配置于顯示區(qū)域的外側(cè)。
又，在絕緣膜41的上面上及凹部42的內(nèi)面上，形成有與上述第1實(shí)施例同樣的彩色濾光片47、透明電極48及配向膜49。然后，彩色濾光片47、透明電極48及配向膜49，其形成反映凸?fàn)罱^緣膜41及凹部42的凹凸形狀。然后，在配向膜45與配向膜49之間填充有液晶層50。
在第2實(shí)施例中，如上所述，通過(guò)將與設(shè)于玻璃基板(相對(duì)基板)16上的各像素的通過(guò)區(qū)域90b對(duì)應(yīng)的凹部42，連續(xù)形成在同列的像素間，即可在具有反映凹部42的凹形狀的透明電極48上形成配向膜49時(shí)，在各像素間，使配向膜49沿著對(duì)應(yīng)凹部42的凹狀區(qū)域流動(dòng)。借此，由于可抑制配向膜49過(guò)份滯留于只與局部像素的凹部42對(duì)應(yīng)的區(qū)域上的情形，所以可使對(duì)應(yīng)凹部42的凹狀區(qū)域上所形成的配向膜49的厚度在各像素上實(shí)質(zhì)均等。結(jié)果，可抑制因?qū)?yīng)凹部42的凹狀區(qū)域上所形成的配向膜49的厚度不均等而引起顯示質(zhì)量降低。
又，在第2實(shí)施例中，如上所述，通過(guò)將彩色濾光片47形成于凸?fàn)罱^緣膜41的上面上及凹部42的內(nèi)面上，由于在凹部42的內(nèi)面上容易滯留構(gòu)成彩色濾光片47的材料，所以可容易使位于凸?fàn)罱^緣膜41的上面上的彩色濾光片47的厚度、與位于凹部42的內(nèi)面上的彩色濾光片47的厚度不同。借此，就可容易使1種類的彩色濾光片47顯示2種類的顏色。
參照?qǐng)D11，依該第2實(shí)施例的第1變化例所得的半通過(guò)型液晶顯示裝置，其在玻璃基板(相對(duì)基板)16與凸?fàn)罱^緣膜61之間，形成有在對(duì)應(yīng)反射區(qū)域90a的區(qū)域上具有開(kāi)口部67a的彩色濾光片67。然后，通過(guò)凸?fàn)罱^緣膜61的側(cè)面、與未形成有絕緣膜61的彩色濾光片67的上面構(gòu)成凹部62。絕緣膜61，是由具有厚度約2μm至約3μm的感旋光性丙烯酸樹(shù)脂等的樹(shù)脂材料所構(gòu)成。在該第2實(shí)施例的變化例中，凸?fàn)罱^緣膜61的厚度形成約2.2μm。另外，凹部62是本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。又，在絕緣膜61的上面上及凹部62的內(nèi)面上，形成有與上述第2實(shí)施例同樣的透明電極68及配向膜69。
在該第2實(shí)施例的變化例中，由于隔著彩色濾光片67入射于反射區(qū)域90a的光的一部分不會(huì)再次通過(guò)彩色濾光片67而會(huì)通過(guò)開(kāi)口部67a，所以可抑制因入射于反射區(qū)域90a的光通過(guò)彩色濾光片67二次所引起的光強(qiáng)度降低。借此，由于可提高入射于反射區(qū)域90a的光的反射率，所以可提高亮度。
參照?qǐng)D12，依該第2實(shí)施例的第2變化例所得的半通過(guò)型液晶顯示裝置，其通過(guò)蝕刻玻璃基板(相對(duì)基板)16而形成凸部76a。然后，由該凸部76a與玻璃基板76的凸部76a以外的表面構(gòu)成凹部76b。另外，凸部76a為本發(fā)明的“絕緣膜”及“絕緣性部分”的一例，而凹部76b為本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。在該第2實(shí)施例的第2變化例中，如上所述，是通過(guò)蝕刻玻璃基板(相對(duì)基板)76而形成凸部76a。借此，比起使用成膜步驟及蝕刻步驟以在玻璃基板76上重新形成凸?fàn)罱^緣膜的情況，其可簡(jiǎn)化制程。
(第3實(shí)施例)參照?qǐng)D13于本第3實(shí)施例，在上述第1實(shí)施例的構(gòu)造中，以未形成有凸?fàn)罱^緣膜的區(qū)域在列方向相鄰像素間連續(xù)的方式、且在行方向相鄰像素間的一部分連續(xù)的方式，將凸?fàn)罱^緣膜形成島狀的情況加以說(shuō)明。
亦即，在該第3實(shí)施例中，如圖13所示，只在與對(duì)應(yīng)層間絕緣膜7上的漏極線9a的區(qū)域以外的閘極線5a所對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，形成有與上述第1實(shí)施例同樣的由樹(shù)脂材料所構(gòu)成而呈島狀的凸?fàn)罱^緣膜11b。借此，未形成有與各像素的通過(guò)區(qū)域90b對(duì)應(yīng)的凸?fàn)罱^緣膜11b的區(qū)域12b，以在列方向相鄰像素間連續(xù)的方式、且在與行方向相鄰像素間的漏極線9a對(duì)應(yīng)的區(qū)域連續(xù)的方式所形成。另外，未形成有凸?fàn)罱^緣膜11b的區(qū)域12b，相當(dāng)于上述第1實(shí)施例的凹部12者。另外，區(qū)域12b為本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。
在第3實(shí)施例中，如上所述，通過(guò)只在與對(duì)應(yīng)漏極線9a的區(qū)域以外的閘極線5a對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，將凸?fàn)罱^緣膜11b形成島狀，由于未形成有與各像素的通過(guò)區(qū)域90b對(duì)應(yīng)的凸?fàn)罱^緣膜11b的區(qū)域12b，以在列方向相鄰像素間連續(xù)的方式、且在與行方向相鄰像素間的漏極線9a對(duì)應(yīng)的區(qū)域連續(xù)的方式所形成，所以在形成配向膜時(shí)，不僅使配向膜朝列方向流動(dòng)，亦使其在行方向流動(dòng)。借此，比起上述第1實(shí)施例，由于可更加抑制配向膜只過(guò)份滯留在局部像素上，所以可更加抑制因配向膜的厚度不均等所引起的顯示質(zhì)量降低。
其次，就在具有反射區(qū)域的顯示裝置中，于反射電極上設(shè)置擴(kuò)散構(gòu)造的情況加以說(shuō)明。
(第4實(shí)施例)參照?qǐng)D14及圖15，依該第4實(shí)施例所得的半通過(guò)型液晶顯示裝置，為在1像素內(nèi)包含形成有反射區(qū)域212的反射區(qū)域250a與未形成有反射區(qū)域212的通過(guò)區(qū)域250b的2個(gè)區(qū)域。
第4實(shí)施例的詳細(xì)構(gòu)造，如圖15所示，與上述實(shí)施例同樣，在具備緩沖層201a的玻璃基板201上，形成有具備半導(dǎo)體層202、閘極絕緣膜204與門(mén)電極205的TFT；以及具備半導(dǎo)體層203、閘極絕緣膜204及另一方的輔助電容電極206的輔助電容。在半導(dǎo)體層202上形成有源極區(qū)域202a、漏極區(qū)域202b及信道區(qū)域202c。
然后，如圖15所示，以覆蓋TFT及輔助電容的方式形成有層間絕緣膜207。又，隔著層間絕緣膜207與門(mén)極絕緣膜204的接觸孔207a及207b，形成有源極電極208及漏極電極209。又，源極電極208的一部分208a，系介以接觸孔207c電連接于半導(dǎo)體層203的方式所形成。
又，如圖15所示，以覆蓋源極電極208及漏極電極209的方式形成有凸?fàn)罱^緣膜211。然后，通過(guò)凸?fàn)罱^緣膜211的接觸孔211a形成有反射電極212。
在此，在第4實(shí)施例中，如圖15所示，只有在對(duì)應(yīng)漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D14)的區(qū)域251a以外的區(qū)域252a上，設(shè)有于反射電極212上形成擴(kuò)散構(gòu)造212a用的凹凸部211b。亦即，在區(qū)域251a上并未設(shè)有凹凸部211b。又，凹凸部211b的凹部底面對(duì)凸部上面的深度為約0.7μm。
在第4實(shí)施例中，如上所述，在形成有不具擴(kuò)散構(gòu)造212a的反射電極212的對(duì)應(yīng)漏極電極209及漏極線209a的區(qū)域251a的凸?fàn)罱^緣膜211的上面，沒(méi)有必要形成供擴(kuò)散構(gòu)造212a用的凹凸部211b。借此，不會(huì)發(fā)生因凹凸部211b的凹部變得過(guò)大，而使漏極電極209及漏極線209a與反射電極212接觸短路的不良情形。結(jié)果，由于可抑制短路不良，所以可抑制因短路不良所引起的良率降低。又，通過(guò)在區(qū)域252a的凸?fàn)罱^緣膜211的上面，形成具有擴(kuò)散構(gòu)造212a的反射電極212，即可提高反射特性。如此，在第4實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置中，可一面提高反射特性，而一面抑制良率降低。
又，在第4實(shí)施例中，如上所述，通過(guò)在區(qū)域252a的凸?fàn)罱^緣膜211的上面形成凹凸部211b，由于與形成于凸?fàn)罱^緣膜211上的反射電極212的凹凸部211b對(duì)應(yīng)的區(qū)域，會(huì)變成反映凹凸部211b的凹凸形狀，所以可容易在區(qū)域252a上形成具有凹凸形狀的擴(kuò)散構(gòu)造212a的反射電極212。
其次，參照?qǐng)D14至圖18，就第4實(shí)施例的半通過(guò)型液晶顯示裝置的制程加以說(shuō)明。
如圖16所示，在凸?fàn)罱^緣膜211的上方，設(shè)置具有形成有隨機(jī)配置的孔的區(qū)域230a的光罩230。之后，使用光罩230只對(duì)凸?fàn)罱^緣膜211的上面的指定區(qū)域進(jìn)行曝光(半曝光)之后，通過(guò)顯像，如圖17所示，在凸?fàn)罱^緣膜211的上面的指定區(qū)域形成凹凸部211b。此時(shí)，在第4實(shí)施例中，以只在對(duì)應(yīng)漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D14)的區(qū)域251a以外的區(qū)域252a上形成有凹凸部211b的方式，進(jìn)行曝光及顯像。借此，即使凹凸部211b的凹部變得過(guò)深，亦可防止漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D14)的露出表面。
其次，如圖18所示，在凸?fàn)罱^緣膜211上，介由接觸孔211a電連接于源極電極208的方式，形成反射電極212。此時(shí)，在反射電極212上，只在對(duì)應(yīng)漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D14)的區(qū)域251a以外的區(qū)域252a上，形成有反映凸?fàn)罱^緣膜211上面的凹凸部211b的凹凸形狀的擴(kuò)散構(gòu)造212a。
其次，以覆蓋凸?fàn)罱^緣膜211及反射電極212的方式形成透明電極213。此時(shí)，在與透明電極213的漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D14)對(duì)應(yīng)的區(qū)域251a以外的區(qū)域252a上，形成有反映凸?fàn)罱^緣膜211上面的凹凸部211b的凹凸部213a。借此，形成有由透明電極213與反射電極212所構(gòu)成的像素電極。之后，使用滾筒式轉(zhuǎn)印法，在透明電極213上形成配向膜214。此時(shí)，在與配向膜214的漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D14)對(duì)應(yīng)的區(qū)域251a以外的區(qū)域252a上，形成有反映凸?fàn)罱^緣膜211上面的凹凸部211b的凹凸部214a。
(第5實(shí)施例)參照?qǐng)D19及圖27，在該第5實(shí)施例中，與上述第4實(shí)施例不同，就1像素內(nèi)只具有反射區(qū)域260a的反射型液晶顯示裝置，說(shuō)明主要與第4實(shí)施例不同的部分。
在第5實(shí)施例中，與上述第4實(shí)施例不同，只設(shè)有反射區(qū)域260a，并未設(shè)置通過(guò)區(qū)域。因此，在第5實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置凸?fàn)罱^緣膜，就不需要使反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的液晶層的厚度不同。因而，在第5實(shí)施例中，與上述第4實(shí)施例不同，形成有實(shí)質(zhì)平坦的絕緣膜241。然后，在絕緣膜241上，介以接觸孔241a電連接于源極電極208的方式，于每一像素形成有反射電極242。
又，在第5實(shí)施例中，如圖27所示，只在與實(shí)質(zhì)平坦的絕緣膜241上面的漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D19)對(duì)應(yīng)的區(qū)域261a以外的區(qū)域262a，設(shè)有于反射電極242上形成擴(kuò)散構(gòu)造242a用的凹凸部241b。因此，如圖19及圖27所示，在反射電極242上，只在對(duì)應(yīng)漏極電極209及漏極線209a的區(qū)域261a以外的區(qū)域262a上，形成有反映實(shí)質(zhì)平坦的絕緣膜241上面的凹凸部241b的凹凸形狀的擴(kuò)散構(gòu)造242a。
然后，如圖27所示，在反射電極242上形成有透明電極243。由該透明電極243與反射電極242構(gòu)成像素電極。然后，在透明電極243上形成有配向膜244。又，在與透明電極243及配向膜244的漏極電極209及漏極線209a(參照?qǐng)D19)對(duì)應(yīng)的區(qū)域261a以外的區(qū)域262a上，分別形成有反映實(shí)質(zhì)平坦的絕緣膜241上面的凹凸部241b的凹凸部243a及244a。
另外，第5實(shí)施例的效果與上述第4實(shí)施例同樣。
另外，此次揭示的實(shí)施例，應(yīng)視所有點(diǎn)為例示而非限制。本發(fā)明的范圍并非上述的實(shí)施例說(shuō)明而是依申請(qǐng)專利范圍所示，更包含與申請(qǐng)專利范圍均等的意義及范圍內(nèi)的所有的變更。
例如，并不限于上述第1及第2實(shí)施例，如圖21所示，亦可形成在沿著與漏極線209a平行的方向延伸的各像素間連續(xù)的凹部82。另外，凹部82為本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。
又，并不限于上述第1及第2實(shí)施例，如圖22所示，亦可通過(guò)使位于對(duì)應(yīng)漏極線9a的區(qū)域的凸?fàn)罱^緣膜81a，沿著漏極線9a而于兩方向突出指定量，以形成具有寬度小的中間縮窄部的連續(xù)凹部82a。又，如圖23所示，亦可通過(guò)使位于對(duì)應(yīng)漏極線9a的區(qū)域的凸?fàn)罱^緣膜81b，沿著漏極線9a而于單一方向突出指定量，以形成具有寬度小的中間縮窄部的連續(xù)凹部82b。另外，凹部82a及82b為本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。若形成圖22及圖23所示的具有平面形狀的凸?fàn)罱^緣膜81a或81b，則由于凸?fàn)罱^緣膜81a或81b的形成區(qū)域會(huì)變大，所以該部分可增大反射區(qū)域。另外，漏極線9a由于是由金屬(鉬及鋁)所形成，所以與凹部82a及82b的漏極線9a對(duì)應(yīng)的區(qū)域會(huì)變成遮光區(qū)域。因此，漏極線9a等的金屬層，較佳為盡可能作為反射區(qū)域。但是，相對(duì)于凹部82a及82b的寬度W1，當(dāng)中間縮窄部的寬度W2過(guò)大時(shí)，由于配向膜的流動(dòng)性會(huì)降低，所以較佳為設(shè)定成W2/W1＞3/4。
又，并不限于上述第1及第2實(shí)施例，如圖24所示，亦可分割沿著閘極線5a而延伸的凹部82c為二，同時(shí)只將該被分割的凹部82c的一方端部83c，配置于顯示區(qū)域90c的外側(cè)。另外，凹部82c是本發(fā)明的“凹狀區(qū)域”的一例。
又，并不限于上述第1至第3實(shí)施例，亦可在具有コ字狀以外的形狀的半導(dǎo)體層，形成源極區(qū)域、漏極區(qū)域及信道區(qū)域分別各設(shè)有1個(gè)的薄膜晶體管。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包含具有反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的顯示區(qū)域者，且包括凸?fàn)顓^(qū)域，其具有形成于與基板上的上述反射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上的凸?fàn)罱^緣膜；以及以覆蓋上述凸?fàn)罱^緣膜的方式所形成的配向膜；且未形成有上述凸?fàn)罱^緣膜的凹狀區(qū)域，其以在相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域的至少一方端部配置于上述顯示區(qū)域的外側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域的雙方端部配置于上述顯示區(qū)域的外側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域是以在沿第1方向相鄰的像素間連續(xù)的方式所形成。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述凹部區(qū)域是以在沿第1方向及與上述第1方向交叉的第2方向相鄰的像素間連續(xù)的方式所形成。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述基板包含形成有具一對(duì)源極/漏極區(qū)域與門(mén)電極的薄膜晶體管之側(cè)的基板、與未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板中的任何一種基板。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，上述基板為未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板；更具備有形成于上述基板與上述配向膜之間，且形成于上述凸?fàn)顓^(qū)域及上述凹狀區(qū)域上的彩色濾光片。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，上述基板為未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板；更具備有形成于上述基板與上述凸?fàn)罱^緣膜之間，且于上述反射區(qū)域的對(duì)應(yīng)區(qū)域的局部上具有開(kāi)口部的彩色濾光片。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，上述基板為未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板；上述凸?fàn)罱^緣膜包含有一體形成于上述基板上的絕緣性部分。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域是以在上述相鄰像素間具有中間縮窄部、且在上述相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域的上述中間縮窄部為設(shè)在上述相鄰像素間的邊界區(qū)域。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域是以延伸于第1方向的方式所形成，同時(shí)沿著上述第1方向分割成多個(gè)。
13.一種顯示裝置，包含具有反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的顯示區(qū)域，且由多個(gè)像素所構(gòu)成者，且包括；凸?fàn)顓^(qū)域，其在與基板上的上述反射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上形成有凸?fàn)罱^緣膜；未形成有上述凸?fàn)罱^緣膜的凹狀區(qū)域；以及配向膜，共通形成于上述凸?fàn)顓^(qū)域及上述凹狀區(qū)域上；且上述凹狀區(qū)域，是以在相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域的至少一方端部配置于上述顯示區(qū)域的外側(cè)。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域的雙方端部配置于上述顯示區(qū)域的外側(cè)。
16.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域是以在沿第1方向相鄰的像素間連續(xù)的方式所形成。
17.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，上述凹部區(qū)域是以在沿第1方向及與上述第1方向交叉的第2方向相鄰的像素間連續(xù)的方式所形成。
18.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，上述基板包含形成有具一對(duì)源極/漏極區(qū)域與門(mén)電極的薄膜晶體管之側(cè)的基板、與未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板中的任何一種基板。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，上述基板為未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板；更具備有形成于上述基板與上述配向膜之間，且形成于上述凸?fàn)顓^(qū)域及上述凹狀區(qū)域上的彩色濾光片。
20.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，上述基板為未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板；更具備有形成于上述基板與上述凸?fàn)罱^緣膜之間，且于上述反射區(qū)域的對(duì)應(yīng)區(qū)域的局部上具有開(kāi)口部的彩色濾光片。
21.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，上述基板為未形成有上述薄膜晶體管之側(cè)的相對(duì)基板；上述凸?fàn)罱^緣膜包含有一體形成于上述基板上的絕緣性部分。
22.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域是以在上述相鄰像素間具有中間縮窄部、且在上述相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域的上述中間縮窄部為設(shè)在上述相鄰像素間的邊界區(qū)域。
24.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，上述凹狀區(qū)域?yàn)橐匝由煊诘?方向的方式所形成，同時(shí)沿著上述第1方向分割成多個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種可抑制因配向膜的厚度不均等而引起顯示質(zhì)量降低的顯示裝置。該顯示裝置包含一具有反射區(qū)域與通過(guò)區(qū)域的顯示區(qū)域者，且包括凸?fàn)顓^(qū)域，其具有形成于與基板上的反射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上的凸?fàn)罱^緣膜；以及以覆蓋凸?fàn)罱^緣膜的方式所形成的配向膜。而且，未形成有凸?fàn)罱^緣膜的凹狀區(qū)域，是以在相鄰像素間連續(xù)的方式所形成。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK1540416SQ200410037220
公開(kāi)日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2004年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月25日
發(fā)明者小間德夫, 小川真司, 前田和之, 小田信彥, 井上和弘, 山田努, 之, 司, 弘, 彥 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社