專利名稱：制造用于硅上液晶器件(lcos)的平滑鏡的方法與結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及集成電路以及制造電子器件的集成電路加工方法。更具體地說，本發(fā)明涉及用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般地涉及集成電路以及制造電子器件的集成電路加工方法。更具體地說，本發(fā)明提供了一種用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。
近年來，電子顯示技術(shù)已經(jīng)得到迅速發(fā)展。在早期的傳統(tǒng)電視中，陰極射線管技術(shù)(通常稱作CRT)將選定的像素輸出到一個玻璃屏幕上。這些電視機(jī)最初輸出黑白移動圖像。很快彩色電視機(jī)取代了全部或絕大多數(shù)黑白電視機(jī)。盡管CRT極為成功，但是CRT通常很笨重，很難作到很大并且還有其它的限制。
CRT很快被液晶平板顯示器取代或至少部分取代。這些液晶平板顯示器(通常稱作LCD)使用耦合到液晶材料和彩色過濾器的晶體管元件陣列來輸出彩色移動圖像。許多計算機(jī)終端和較小的顯示設(shè)備經(jīng)常使用LCD輸出視頻、文本和其它視覺特征。令人遺憾的是，液晶平板通常具有低成品率并且很難按比例做到很大尺寸。這些LCD通常不適于用作經(jīng)常為電視等所需要的大顯示器。
因此，已經(jīng)開發(fā)了投影顯示單元。這些投影顯示單元除了別的以外還包括配對(counterpart)液晶顯示器，其將光從選定的像素通過透鏡輸出到大顯示器上以產(chǎn)生移動圖像、文本和其它視覺圖像。另一種技術(shù)稱作“數(shù)字光處理(Digital Light Processing，DLP)”，其是美國德州儀器公司(TI)的商業(yè)名稱。DLP通常被用來稱為“微鏡(micro-mirror)”。DLP依靠數(shù)十萬個微小的鏡子，這些微小的鏡子排成800行，每行有600個鏡子。每個鏡子都裝有轉(zhuǎn)軸。一個制動器被安裝到每個轉(zhuǎn)軸上。該制動器通常具有靜電能，它能夠以高頻繞軸傾斜每個鏡子?；顒拥溺R子可以調(diào)制光，經(jīng)調(diào)制的光可以通過透鏡進(jìn)行傳輸，并且隨后顯示在顯示屏上。盡管DLP已經(jīng)很成功，但它通常很難制造并且成品率很低。
另一種技術(shù)稱作LCOS。LCOS使用施加到反光鏡襯底的液晶。隨著液晶“打開”或“關(guān)閉”，光被反射或阻擋以對光進(jìn)行調(diào)制，進(jìn)而產(chǎn)生顯示圖像。與傳統(tǒng)的透射式LCD相比，反射式LCOS顯示器允許更多的光通過光學(xué)系統(tǒng)，從而提供了較高的亮度。
如圖1所示，鋁通常被用作電極的反射薄膜。為了獲得高反射率，通常需要平滑的鋁/氧化物結(jié)構(gòu)。平滑鋁/氧化物的一種傳統(tǒng)方法是化學(xué)機(jī)械平坦化(通常稱作Al CMP工藝)。然而，CMP工藝會產(chǎn)生許多問題，例如鋁表面的凹陷、微劃痕和氧化。下文將詳細(xì)描述這些以及其它缺陷。
從上面可以看出，需要一種改進(jìn)的技術(shù)，用于處理半導(dǎo)體器件。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造電子器件的集成電路加工技術(shù)。更具體的說，本發(fā)明提供了一種用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。
在一個具體實施例中，本發(fā)明提供了一種制造硅上液晶顯示器件的方法。所述方法包括提供一個半導(dǎo)體襯底，例如硅晶圓。所述方法包括形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管層。所述晶體管層中優(yōu)選地具有復(fù)數(shù)個MOS器件。所述方法包括形成一個中間電介質(zhì)層(例如，BPSG、FSG)覆蓋在所述晶體管層上。所述方法包括平坦化所述中間電介質(zhì)層，并形成一個犧牲層(例如，底部抗反射涂層、聚酰胺、光致抗蝕劑、多晶硅)覆蓋在所述平坦化的中間電介質(zhì)層上。所述方法包括穿過所述犧牲層在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，而所述中間電介質(zhì)層的其它部分保持完整。優(yōu)選地使用圖形曝光技術(shù)來形成所述凹陷區(qū)域。所述方法包括形成一個鋁層(或其它反射層或多層)來填充所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述犧牲層的剩余部分，并有選擇地去除覆蓋在所述犧牲層的多個部分之上的所述鋁層，進(jìn)而形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域。
在另一個具體實施例中，所述方法提供了另一種用于形成硅上液晶顯示器件的方法。所述方法包括提供一個半導(dǎo)體襯底，并且形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管層。所述晶體管層中優(yōu)選地具有復(fù)數(shù)個MOS器件。每個MOS器件包括一個第一接觸區(qū)域和一個第二接觸區(qū)域。所述方法還包括形成一個中間電介質(zhì)層覆蓋在所述晶體管層上，以及平坦化所述中間電介質(zhì)層以形成一個平坦化的表面區(qū)域。所述電介質(zhì)層可選地已經(jīng)進(jìn)行了平坦化。所述方法包括形成一個犧牲層覆蓋在所述平坦化的中間電介質(zhì)層的所述平坦化的表面區(qū)域上，并且穿過所述犧牲層在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，而所述中間電介質(zhì)層的其它部分保持完整。所述方法包括形成一個金屬層(例如，鋁)來填充所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述犧牲層的剩余部分。有選擇地去除覆蓋在所述犧牲層的多個部分之上的所述金屬層，以形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域。每個所述電極區(qū)域分別耦合到所述復(fù)數(shù)個MOS器件中的每個MOS器件。優(yōu)選地通過去除的犧牲層來剝離(lift off)所述金屬層的多個部分。所述方法還包括形成一個保護(hù)層覆蓋在所述復(fù)數(shù)個電極區(qū)域的每個電極區(qū)域的表面區(qū)域之上，以為每個所述電極區(qū)域的所述表面區(qū)域完成鏡面精加工。
在另一個具體實施例中，本發(fā)明提供了一種LCOS器件。所述LCOS器件具有一個半導(dǎo)體襯底。形成了一個MOS器件層覆蓋在所述半導(dǎo)體襯底之上。所述MOS器件層優(yōu)選地具有復(fù)數(shù)個MOS器件。形成一個平坦化的中間電介質(zhì)層覆蓋在所述MOS器件層之上。所述LCOS器件還具有在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部的復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域以及一個金屬層(例如，鋁)，以填充每個所述凹陷區(qū)域，進(jìn)而形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的相應(yīng)的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域。每個所述電極區(qū)域分別耦合到所述復(fù)數(shù)個MOS器件中的至少一個MOS器件。形成一個保護(hù)層覆蓋在所述復(fù)數(shù)個電極區(qū)域的每個電極區(qū)域的表面區(qū)域之上以保護(hù)所述表面區(qū)域。在每個所述表面區(qū)域之上具有精加工鏡面。優(yōu)選地，所述精加工鏡面基本沒有化學(xué)機(jī)械拋光工藝產(chǎn)生的凹陷和劃痕。
通過本發(fā)明，實現(xiàn)了許多優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。例如，本技術(shù)易于使用傳統(tǒng)技術(shù)的工藝。在一些實施例中，本方法提高了每個晶圓上的芯片的器件成品率。此外，本方法提供了與傳統(tǒng)工藝相兼容的工藝，而基本不用對現(xiàn)有的設(shè)備或工藝進(jìn)行改動。本發(fā)明優(yōu)選地提供了用作顯示器的LCOS器件的改進(jìn)的鏡面。這樣的鏡面沒有通常由化學(xué)機(jī)械平坦化或其它技術(shù)產(chǎn)生的凹陷和/或微缺陷。此外，所述鏡面沒有導(dǎo)致較差反射率的氧化。根據(jù)實施例，可以實現(xiàn)一個或多個這些優(yōu)點(diǎn)。在本說明書的下文中，將詳細(xì)描述這些以及其它的優(yōu)點(diǎn)。
參考下文詳細(xì)的描述和附圖，可以更全面地理解本發(fā)明的各種其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的LCOS器件的簡化橫截面示圖；圖2-4圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造LCOS器件的方法。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造電子器件的集成電路加工技術(shù)。更具體的說，本發(fā)明提供了一種用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。
如所示，圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的LCOS器件100的簡化橫截面示圖。該示圖僅僅是一個示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。如所示，LCOS器件100具有一個半導(dǎo)體襯底101，例如硅晶圓。形成一個MOS器件層103覆蓋在半導(dǎo)體襯底上。MOS器件層優(yōu)選地具有復(fù)數(shù)個MOS器件。每個MOS器件具有一個作為電極的接觸區(qū)域107和一個作為電位的接觸區(qū)域105。形成一個平坦化的中間電介質(zhì)層111覆蓋在MOS器件層上。LCOS器件在中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部還具有復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，并且還具有一個金屬層(例如，鋁)來填充每個凹陷區(qū)域以形成對應(yīng)于每個凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域113。每個電極區(qū)域通過互連結(jié)構(gòu)109分別耦合到復(fù)數(shù)個MOS器件中的至少一個MOS器件。互連結(jié)構(gòu)109可以是插塞(plug)或其它類似結(jié)構(gòu)。形成一個保護(hù)層覆蓋在復(fù)數(shù)個電極區(qū)域中的每個的表面區(qū)域上，以保護(hù)該表面區(qū)域。在每個表面區(qū)域上都有一個精加工鏡面116。該精加工鏡面優(yōu)選地基本沒有從化學(xué)機(jī)械拋光工藝產(chǎn)生的凹陷和劃痕。每個電極可以具有約從2000埃到約4000埃的厚度，并且可以是其它量級。每個電極代表LCOS器件的像素陣列中的一個像素。圖中還示出了覆蓋在電極之上的液晶薄膜115。LCOS器件還具有一個透明電極層(例如，銦錫氧化物)117和一個上覆的玻璃板119用于密封所述的多層結(jié)構(gòu)。在本說明書及下文中可以找到對操作LCOS器件的方法的細(xì)節(jié)描述。
為了操作LCOS器件，光120穿過玻璃覆層、通過透明電極而到達(dá)液晶薄膜。當(dāng)電極沒有加偏壓時，液晶薄膜必須處于不工作(off)狀態(tài)，其不允許光穿過。更確切地說，光被阻擋并且不能從電極的鏡面反射回來。當(dāng)電極通過MOS器件加以偏壓時，液晶薄膜處于工作(on)狀態(tài)，其允許光121穿過。光從電極的表面反射并且穿過處于工作狀態(tài)的液晶薄膜。鏡面優(yōu)選地基本沒有缺陷。因此入射光121的至少93％穿過LCOS器件而離開。在本說明書及下文中可以找到對制造LCOS器件的方法的細(xì)節(jié)描述。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，用于制造LCOS器件的電極結(jié)構(gòu)的方法可以簡要描述如下1.提供一個襯底；2.形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管元件層；3.形成一個覆蓋在所述晶體管元件層之上的中間電介質(zhì)層；4.形成到晶體管元件的接觸結(jié)構(gòu)；5.形成一個犧牲層覆蓋在所述中間電介質(zhì)層上；6.圖案化所述中間電介質(zhì)層以在所述中間電介質(zhì)層內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域；7.形成一個鋁層覆蓋在所述凹陷區(qū)域和所述中間電介質(zhì)層的暴露部分之上，以填充每個所述凹陷區(qū)域，其中所述鋁層的厚度被控制成與所述凹陷區(qū)域的深度相同；8.從所述中間電介質(zhì)層去除所述鋁層部分，而所述凹陷區(qū)域中的鋁層保持完整；9.形成一個保護(hù)層覆蓋在剩留在所述凹陷區(qū)域中的所述鋁層的表面區(qū)域之上；10.提供一個液晶層覆蓋在所述保護(hù)層之上，一個透明電極層覆蓋在所述液晶層之上以及一個玻璃層覆蓋在所述透明電極層之上，進(jìn)而形成LCOS器件；以及11.執(zhí)行其它所需步驟。
上面的步驟序列提供了根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種方法。如所示，本方法使用的步驟組合包括形成用于LCOS器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。在不脫離這里的權(quán)利要求的范圍的條件下，可以做出其它替換，如增加步驟，去除一個或多個步驟或者以不同的次序規(guī)定一個或多個步驟。在本說明書以及下文的詳細(xì)描述中可以發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的其它細(xì)節(jié)。
圖2至圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于形成LCOS器件的方法。這些示圖僅僅作為示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、替換和修改。如為了說明的目的而在圖1中示出的，所述方法始于提供一個半導(dǎo)體襯底201(例如，硅晶圓)。所述方法包括形成一個覆蓋在襯底上的晶體管層。晶體管層優(yōu)選地具有復(fù)數(shù)個MOS器件，每個MOS器件具有一個第一接觸區(qū)域和一個第二接觸區(qū)域。所述方法還包括形成一個中間電介質(zhì)層203覆蓋在晶體管層上。該電介質(zhì)層可以由BPSG、FSG、氧化物或它們的任意組合等形成。該電介質(zhì)層優(yōu)選地使用化學(xué)氣相沉積工藝來形成。所述方法隨后平坦化該中間電介質(zhì)層以形成平坦化的表面區(qū)域。該電介質(zhì)層可選地已經(jīng)進(jìn)行了平坦化。
現(xiàn)在參考圖2，所述方法包括形成一個犧牲層205覆蓋在所述平坦化中間電介質(zhì)層的平坦化表面區(qū)域上。犧牲層可以由能夠在預(yù)定條件下剝離的任何適當(dāng)材料制成。這樣的材料包括但不限于有機(jī)抗反射涂層(ARC)、多晶硅、光致抗蝕劑(或其它聚合物結(jié)構(gòu))、聚酰胺以及它們的任意組合等等。所述犧牲層被圖案化。此外，所述方法通過圖案化穿過犧牲層在中間電介質(zhì)層的一部分207的內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域209，而所述中間電介質(zhì)層的其它部分203保持完整。所述凹陷區(qū)域具有足夠的深度，例如2000埃、4000?；蚋 Ｃ總€凹陷區(qū)域?qū)?yīng)一個電極，每個電極將對應(yīng)一個像素。
如圖3所示，所述方法包括形成一個金屬層(例如，鋁)305以填充所述凹陷區(qū)域。該金屬層例如鋁層被濺射。優(yōu)選地以預(yù)定方向(例如，垂直)濺射鋁。如這里所示，鋁層沒有附著在犧牲層的邊緣。所述方法還包括形成覆蓋在犧牲層的剩余部分之上的金屬層301。有選擇地去除覆蓋在犧牲層的多個部分之上的金屬層，以形成對應(yīng)于每個凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域。表面可選地進(jìn)行磨光或輕微拋光。所述金屬層有一個充分平坦的表面，并且?guī)缀鯖]有影響反射率的表面缺陷。每個電極區(qū)域分別耦合到復(fù)數(shù)個MOS器件中的每個MOS器件。優(yōu)選地通過去除405犧牲層來剝離金屬層的部分。所述方法可選地包括施加到表面405的CMP磨光(buffing)和/或洗滌(scrubbing)步驟，以去除任何含有殘留鋁的顆粒等等。所述方法還包括形成一個保護(hù)層覆蓋在復(fù)數(shù)個電極區(qū)域401的每個的表面區(qū)域之上，以保護(hù)每個電極區(qū)域的具有精加工鏡面的表面區(qū)域。在完成的LCOS器件中，優(yōu)選地至少有93％的光從所述精加工鏡面反射回來?？梢酝ㄟ^使用氧化性流體例如雙氧水、臭氧/水混合物等處理裸露的鋁層表面來形成保護(hù)層。所述氧化流體充分清潔并形成一個鈍化層覆蓋在裸露的鋁層之上。根據(jù)實施例，還可以有其它的變化、修改和替換。
為了完成LCOS器件，所述方法形成一個含有液晶材料的夾層。這里，形成的液晶薄膜覆蓋在電極之上。形成一個透明電極結(jié)構(gòu)覆蓋在液晶薄膜之上。所述方法形成一個玻璃板覆蓋在透明電極上。這個夾層結(jié)構(gòu)通常作為一個配件而形成，其稍后安置在LCOS器件的電極的表面之上。當(dāng)然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、替換和修改。
還應(yīng)當(dāng)理解，這里所描述的示例和實施例只是為了說明的目的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)上述實施例對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。這些修改和變化都在本申請的精神和范圍內(nèi)，并且也在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造硅上液晶顯示器件(LCOS)的方法，所述方法包括提供一個襯底；形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管層；形成一個中間電介質(zhì)層覆蓋在所述晶體管層上；平坦化所述中間電介質(zhì)層；形成一個犧牲層覆蓋在所述平坦化的中間電介質(zhì)層上；穿過所述犧牲層在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，而所述中間電介質(zhì)層的其它部分保持完整；形成一個鋁層來填充所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述犧牲層的剩余部分；有選擇地去除覆蓋在所述犧牲層的多個部分之上的所述鋁層，進(jìn)而形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲層是有機(jī)抗反射涂層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個所述凹陷區(qū)域附近內(nèi)部的所述中間電介質(zhì)層部分沒有任何犧牲層，并且被暴露。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述凹陷區(qū)域的深度從約2000埃到4000埃。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中間電介質(zhì)層是硼磷硅玻璃。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鋁層的表面區(qū)域沒有化學(xué)機(jī)械平坦化產(chǎn)生的凹陷或劃痕。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鋁層的特征在于反射率為93％或更大。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個所述電極區(qū)域是一個電極和一個鏡面。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個所述電極區(qū)域都耦合到一個晶體管器件，所述晶體管器件適于向所述電極區(qū)域施加電壓。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個所述電極區(qū)域的特征在于在尺寸上是8微米×8微米大小。
11.一種用于形成硅上液晶顯示器件的方法，所述方法包括提供一個半導(dǎo)體襯底；形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管層，所述晶體管層中具有復(fù)數(shù)個MOS器件，每個所述MOS器件包括一個第一接觸區(qū)域和一個第二接觸區(qū)域；形成一個中間電介質(zhì)層覆蓋在所述晶體管層上；平坦化所述中間電介質(zhì)層以形成一個平坦化的表面區(qū)域；形成一個犧牲層覆蓋在所述平坦化的中間電介質(zhì)層的所述平坦化的表面區(qū)域上；穿過所述犧牲層在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，而所述中間電介質(zhì)層的其它部分保持完整；形成一個鋁層來填充所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述犧牲層的剩余部分；有選擇地去除覆蓋在所述犧牲層的多個部分之上的所述鋁層，以形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域，每個所述電極區(qū)域分別耦合到所述復(fù)數(shù)個MOS器件中的每個MOS器件；以及形成一個保護(hù)層覆蓋在所述復(fù)數(shù)個電極區(qū)域的每個電極區(qū)域的表面區(qū)域之上，以使每個所述電極區(qū)域的所述表面區(qū)域完成鏡面精加工。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述犧牲層是光致抗蝕劑、聚酰胺層、多晶硅層、或有機(jī)抗反射涂層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中通過氧化所述電極區(qū)域的一部分來提供所述保護(hù)層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中使用雙氧水溶液和/或臭氧混合物來進(jìn)行所述氧化。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括磨光所述復(fù)數(shù)個電極區(qū)域的表面區(qū)域和所述平坦化的表面區(qū)域的暴露部分，以從所述平坦化的表面區(qū)域的所述暴露部分去除任何含殘留鋁的顆粒。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中通過所述犧牲層中的開口來形成所述凹陷區(qū)域。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中以指定方向濺射所述鋁層。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中以指定方向濺射所述鋁層，所述鋁層沒有與所述犧牲層的一部分限定的垂直區(qū)域接觸。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其中精加工鏡面沒有凹陷和/或缺陷，從而獲得大于93％的反射率。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括形成一個液晶薄膜，在所述液晶薄膜之上形成一個上覆的透明電極，并在所述透明電極之上形成一個上覆的玻璃層，以形成一個硅上液晶顯示結(jié)構(gòu)覆蓋在所述復(fù)數(shù)個電極區(qū)域之上。
21.一種硅上液晶器件，所述器件包括一個半導(dǎo)體襯底；一個MOS器件層覆蓋在所述半導(dǎo)體襯底之上，所述MOS器件層具有復(fù)數(shù)個MOS器件；一個平坦化的中間電介質(zhì)層覆蓋在所述MOS器件層之上；復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部；一個金屬層，用于填充每個所述凹陷區(qū)域，進(jìn)而形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的相應(yīng)的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域，每個所述電極區(qū)域分別耦合到所述復(fù)數(shù)個MOS器件中的至少一個MOS器件；以及一個保護(hù)層覆蓋在所述復(fù)數(shù)個電極區(qū)域的每個電極區(qū)域的表面區(qū)域之上以保護(hù)所述表面區(qū)域；以及每個所述表面區(qū)域之上的精加工鏡面，所述精加工鏡面基本沒有化學(xué)機(jī)械拋光工藝產(chǎn)生的凹陷和劃痕。
全文摘要
一種制造硅上液晶顯示器件(LCOS)的方法。所述方法包括提供一個半導(dǎo)體襯底，例如硅晶圓，形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管層，具有復(fù)數(shù)個MOS器件。形成一個中間電介質(zhì)層覆蓋在晶體管層上。平坦化中間電介質(zhì)層，并形成一個犧牲層覆蓋在平坦化的中間電介質(zhì)層上。穿過所述犧牲層在所述中間電介質(zhì)層的一部分的內(nèi)部形成復(fù)數(shù)個凹陷區(qū)域，而中間電介質(zhì)層的其它部分保持完整。優(yōu)選地使用圖形曝光技術(shù)來形成所述凹陷區(qū)域。形成一個鋁層(或其它反射層或多層)來填充所述凹陷區(qū)域并覆蓋犧牲層的剩余部分，并有選擇地去除覆蓋在犧牲層的多個部分之上的鋁層，進(jìn)而形成對應(yīng)于每個所述凹陷區(qū)域的復(fù)數(shù)個電極區(qū)域。
文檔編號G02F1/1335GK1704809SQ200410024969
公開日2005年12月7日 申請日期2004年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月2日
發(fā)明者李若加, 陳國慶, 張雅禮 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司