專利名稱：制造光學(xué)元件的方法，光刻裝置和器件制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造光學(xué)元件的方法，所述光學(xué)元件用于光刻投影裝置。故本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，其包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，用來(lái)支承圖案形成機(jī)構(gòu)，該圖案形成機(jī)構(gòu)根據(jù)希望的圖案使投影光束形成所需要的圖案；基片臺(tái)，用來(lái)固定基片；和投影系統(tǒng)，用來(lái)將形成圖案的光束投射到基片的目標(biāo)部分。
背景技術(shù)：
本文使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成機(jī)構(gòu)”應(yīng)廣義地理解為可用來(lái)使入射光束的斷面形成圖案的裝置，該圖案對(duì)應(yīng)于在基片目標(biāo)部分產(chǎn)生的圖案；在本文中也可以使用“光閥”這一術(shù)語(yǔ)。一般地，所述圖案對(duì)應(yīng)于在目標(biāo)部分制造的器件，如集成電路或其它器件(參見(jiàn)下文)，的特定功能層。這種圖案形成機(jī)構(gòu)的示例包括掩模，掩模的概念在光刻法中為大家所熟知，掩模類(lèi)型包括，如雙體、交變相移和衰減相移，以及各種混合的掩模類(lèi)型。將這樣的掩模放置在光束中會(huì)使照射到掩模上的光束根據(jù)掩模圖案產(chǎn)生選擇性透射(在透射式掩模的情況下)或選擇性反射(在反射式掩模的情況下)。對(duì)于掩模來(lái)說(shuō)，支承結(jié)構(gòu)通常是掩模臺(tái)，可確保掩模固定在入射光束所要求的位置上，而且還可以按要求相對(duì)光束移動(dòng)。
可編程反射鏡陣列，這種裝置的一個(gè)示例是帶有粘彈性控制層和反射面的可編址矩陣表面。這種裝置的基本原理是(舉例來(lái)說(shuō))反射面的編址區(qū)域反射入射光線成為衍射光，而未編址區(qū)域反射入射光線成為非衍射光。利用適當(dāng)?shù)臑V光器可以將非衍射光從反射光束中濾出去而只剩下衍射光；通過(guò)這種方式，根據(jù)可編址矩陣表面的編址圖案可以使光束形成圖案。可編程反射鏡陣列的另一可選擇的實(shí)施例采用小反射鏡矩陣，通過(guò)施加適當(dāng)?shù)木植侩妶?chǎng)或通過(guò)使用壓電致動(dòng)裝置可以使每個(gè)反射鏡單獨(dú)繞軸線傾斜。同樣，反射鏡形成可編址矩陣，使編址反射鏡沿不同于未編址反射鏡的方向反射入射光束；通過(guò)這種方式，可以根據(jù)可編址矩陣反射鏡的編址圖案使反射光束形成圖案?？梢杂眠m當(dāng)?shù)碾娮友b置來(lái)進(jìn)行所需要的矩陣編址。在上述兩種情況中，圖案形成裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)可編程反射鏡陣列。從美國(guó)專利US 5,296,891和US 5,523,193以及PCT申請(qǐng)WO 98/38597和WO 98/33096中可以得到更多有關(guān)反射鏡陣列的信息。本發(fā)明引用參考其中的內(nèi)容。對(duì)于可編程反射鏡陣列，所述支承結(jié)構(gòu)可以用框架或平臺(tái)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這種支承結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或是可移動(dòng)的。
可編程液晶顯示(LCD)陣列，這種結(jié)構(gòu)的示例在美國(guó)專利US5,229,872中給出，在此引用參考其內(nèi)容。同上，這種情況下的支承結(jié)構(gòu)可以用一個(gè)框架或平臺(tái)來(lái)實(shí)現(xiàn)，根據(jù)需要，這種支承結(jié)構(gòu)可以是固定的或是可移動(dòng)的。
為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，本文的其余部分可能在某處具體涉及到掩模和掩模臺(tái)的示例；但是，在這些示例中所討論的一般原理可用于前述圖案形成機(jī)構(gòu)的廣泛范圍。
光刻投影裝置可以用來(lái)制造集成電路(ICs)。在這種情況下圖案形成機(jī)構(gòu)可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于單層集成電路的電路圖形，且該圖形可以在覆蓋光敏感材料層(抗蝕膜)的基片(硅晶片，LCD，掩模等)的目標(biāo)部分(可包含一個(gè)或多個(gè)片)上成像。一般地，單個(gè)晶片將包含相鄰目標(biāo)部分組成的整個(gè)電路，這些目標(biāo)部分依次由投影系統(tǒng)一次一個(gè)地照射。在現(xiàn)有的通過(guò)掩模臺(tái)上掩模來(lái)形成圖案的裝置中，可以分為兩種不同類(lèi)型的設(shè)備。其中一種是光刻投影裝置，通過(guò)將整個(gè)掩模圖案一次曝光到目標(biāo)部分的方式照射各目標(biāo)部分，這種裝置通常稱作晶片步進(jìn)投影曝光機(jī)。在另一種可供選擇的通常稱作步進(jìn)掃描機(jī)的裝置中，每個(gè)目標(biāo)部分是通過(guò)在投影光束下沿給定基準(zhǔn)方向(掃描方向)逐步掃描掩模圖案來(lái)照射的，同時(shí)沿與此方向相同或相反的方向同步掃描基片臺(tái)；一般來(lái)說(shuō)，由于投影系統(tǒng)會(huì)具有放大系數(shù)M(通常＜1)，所以掃描基片臺(tái)的速度V應(yīng)等于系數(shù)M乘以掃描掩模臺(tái)的速度。有關(guān)光刻裝置的更多信息可以從美國(guó)專利US6,046,792中得到，本文引用參考其內(nèi)容。
使用光刻投影裝置進(jìn)行制作的過(guò)程中，圖案(比如掩模中的圖案)在基片上成像，該基片至少局部由光敏感材料層(抗蝕膜)覆蓋。在成像步驟之前，可以對(duì)基片進(jìn)行各種處理，如涂底漆、涂抗蝕膜和低溫烘焙。在曝光之后，可以對(duì)基片進(jìn)行其它處理，如曝光后烘焙(PEB)、顯影、高溫烘焙以及對(duì)成像特征進(jìn)行測(cè)量/檢查。這一系列步驟是形成單層器件，如集成電路，圖案的基礎(chǔ)。接下來(lái)可以對(duì)圖案層進(jìn)行各種加工如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等，所有這些工序都是為了完成單層器件。如果需要若干層，那么對(duì)于每個(gè)新層整個(gè)過(guò)程或其變化都必須重復(fù)進(jìn)行。最終，在基片(晶片)上會(huì)形成一系列器件。接著利用切割或鋸切這樣的技術(shù)將這些器件相互分開(kāi)，于是這些單獨(dú)的器件可以被安裝在載體上、連接插腳等等。有關(guān)這種工藝的詳細(xì)資料可以從“微芯片制造半導(dǎo)體加工實(shí)用指南”一書(shū)的1997第三版中得到，作者為Peter van Zant，McGraw Hill公司出版，書(shū)號(hào)為ISBN 0-07-067250-4。在此引用參考其內(nèi)容。
為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，投影系統(tǒng)在下面可以稱作“透鏡”；但是，這一術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被廣義地理解為包含各種類(lèi)型的投影系統(tǒng)，比如包括折射光學(xué)、反射光學(xué)、和反折射光學(xué)系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)也可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類(lèi)型中的任一種進(jìn)行操作的部件，以引導(dǎo)、修正或控制投影光束，下面這些部件也可以共同或單獨(dú)地稱作“透鏡”。此外，光刻裝置可以是帶有兩個(gè)或更多個(gè)基片臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)”裝置中，增加的平臺(tái)可以并行使用，或者當(dāng)一個(gè)或多個(gè)其它平臺(tái)進(jìn)行曝光時(shí)，可以在一個(gè)或多個(gè)平臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟。兩級(jí)光刻裝置在美國(guó)專利US 5,969,441和國(guó)際專利申請(qǐng)WO98/40791作了介紹，在此引用參考其內(nèi)容。
美國(guó)專利6,392,792公開(kāi)了一種用于光刻投影裝置的衍射光學(xué)元件。衍射元件是通過(guò)在基片表面形成包括交替的第一和第二材料層的所謂蝕刻疊層而制成。兩種材料提供了相對(duì)蝕刻選擇性，意味著特定反應(yīng)離子蝕刻將只與一種材料反應(yīng)，而不與另一種材料反應(yīng)，或者正相反。然后通過(guò)在疊層頂部形成耐蝕膜、曝光耐蝕膜的一個(gè)或多個(gè)圖案區(qū)域、顯影耐蝕膜、暴露出一個(gè)或多個(gè)疊層的區(qū)域并同時(shí)保持疊層的其他區(qū)域不暴露，在疊層上得到浮雕形狀。然后進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻疊層的頂層暴露出的一部分。因?yàn)榉磻?yīng)離子蝕刻具有選擇性只與頂層的材料反應(yīng)，蝕刻的深度可精確地控制，因?yàn)槲g刻深度不能超過(guò)材料頂層的深度。通過(guò)重復(fù)在疊層形成耐蝕膜，使耐蝕膜形成圖案，進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻，可在基片上形成浮雕形狀。最后步驟涉及在浮雕形狀上沉積多層反射膜，使薄膜具有基本與浮雕形狀相配合的外輪廓。
美國(guó)專利6,392,792介紹的方法存在的一個(gè)問(wèn)題是蝕刻出的各層的邊非常尖銳，使得沉積的多層反射膜不能很好地粘結(jié)到浮雕輪廓上。另外，蝕刻可造成表面粗糙，這將造成漫射光和強(qiáng)度損失。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供另外形式的制作光學(xué)元件的方法。尤其是提供一種不存在上述問(wèn)題的制作光學(xué)元件的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的該目的和其他目的通過(guò)一種制造光學(xué)元件的方法得以實(shí)現(xiàn)。該方法包括步驟(a)提供基片；(b)在所述基片表面沉積包括交替的第一材料和第二材料層的多層疊層，其中所述兩種材料可提供相對(duì)蝕刻選擇性；(c)在所述疊層的頂部形成抗蝕層；(d)在所述抗蝕層形成圖案，對(duì)所述抗蝕層進(jìn)行顯影，暴露所述疊層的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；(e)等離子蝕刻所述疊層的一個(gè)或多個(gè)暴露區(qū)域，去除在步驟(d)暴露的所述多層疊層的一層中許多部分，形成浮雕形狀；和(f)在所述浮雕形狀上沉積薄膜。
該方法具有的優(yōu)點(diǎn)在于等離子蝕刻可在高于反應(yīng)離子蝕刻的壓力下進(jìn)行，并且等離子蝕刻通常較快。此外，有時(shí)反應(yīng)離子蝕刻會(huì)出現(xiàn)的原子作用不會(huì)發(fā)生在等離子蝕刻。最后，等離子蝕刻是各向同性的，意味著蝕刻第一和第二材料層時(shí)可使蝕刻區(qū)域的邊具有比反應(yīng)離子蝕刻更平滑的形狀；反應(yīng)離子蝕刻是各向異性的，意味著沿某種晶向要比沿其他晶向蝕刻的更快，這樣將導(dǎo)致刻楞蝕刻和上面提到的問(wèn)題。因此，等離子蝕刻產(chǎn)生的光學(xué)元件，其上的薄膜更牢固地沉積到浮雕形狀。通過(guò)這種方式，可避免光學(xué)元件具有負(fù)面的邊緣影響。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種光刻投影裝置，包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，可支承形成圖案機(jī)構(gòu)，所述形成圖案機(jī)構(gòu)可根據(jù)希望的圖案使所述投影光束形成圖案；基片臺(tái)，可固定保持基片；投影系統(tǒng)，可將形成圖案的光束投影到所述基片的目標(biāo)部分；其特征在于，光學(xué)元件通過(guò)上述方法制造。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了一種器件制作方法，包括步驟設(shè)置基片，所述基片至少部分被光敏感材料層覆蓋；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；使用形成圖案機(jī)構(gòu)使所述投影光束的截面帶有圖案；將帶有圖案的投影光束投射到光敏感材料層的目標(biāo)部分；其特征在于，利用上述方法制造的衍射光學(xué)元件來(lái)衍射所述投影光束。
雖然在本文中對(duì)根據(jù)本發(fā)明的裝置用于制造集成電路進(jìn)行了具體介紹，但是應(yīng)當(dāng)明確地認(rèn)識(shí)到這種裝置可以有許多其它用途。比如，可以用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)，對(duì)磁疇存儲(chǔ)器、液晶顯示屏、薄膜磁頭等的圖案進(jìn)行導(dǎo)向和檢測(cè)。本領(lǐng)域的專業(yè)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，對(duì)于這些其它用途，本文中使用的術(shù)語(yǔ)“光網(wǎng)”、“晶片”或“片”可分別用更通用的術(shù)語(yǔ)“掩?！?、“基片”和“目標(biāo)部分”來(lái)代替。
在本文中，使用的術(shù)語(yǔ)“輻射光”和“光束”包括各種類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外光輻射(如波長(zhǎng)為365、248、193、157或126納米)和遠(yuǎn)紫外輻射光(EUV，具有波長(zhǎng)范圍5-20納米)，以及粒子束，如離子束或電子束。
現(xiàn)在將參考示意性附圖來(lái)介紹只作為示例的本發(fā)明實(shí)施例，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻投影裝置；圖2A-E示意性顯示了優(yōu)選實(shí)施例的制造技術(shù)。
在這些附圖中，對(duì)應(yīng)的參考符號(hào)表示對(duì)應(yīng)的部件。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明特定實(shí)施例的光刻投影裝置。裝置包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，用來(lái)提供投影光束PB(如遠(yuǎn)紫外輻射光)，在此具體實(shí)例中還包括輻射源LA；第一載物臺(tái)(掩模臺(tái))MT，裝有固定掩模MA(如光網(wǎng))的掩模架，并連接到第一定位裝置PM上，可使掩模相對(duì)于部件PL精確定位；第二載物臺(tái)(基片臺(tái))WT，裝有固定基片W(如涂有抗蝕膜的硅晶片)的基片座，并連接到第二定位裝置PM上，可使基片相對(duì)于部件PL精確定位；投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(如透鏡系統(tǒng))，用來(lái)將掩模MA的照射部分成像到基片W的目標(biāo)部分C(包含一個(gè)或多個(gè)片)上。
如圖所示，該裝置是反射型的(即帶有反射式掩模)。但一般來(lái)說(shuō)，也可以是透射型的(即帶有透射式掩模)。或者，該裝置可以采用另一種圖案形成機(jī)構(gòu)，如上面提到的可編程反射鏡陣列型。
輻射源LA(如放電等離子源或激光等離子源)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在穿過(guò)調(diào)制裝置如光束擴(kuò)展器Ex后進(jìn)入照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包括調(diào)整裝置AM，用來(lái)設(shè)置光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向區(qū)域(通常分別稱作σ-外和σ-內(nèi))。另外，一般還包括其它各種部件，如積分器IN和聚光器CO。通過(guò)這種方式，使照射到掩模MA上的光束PB在其斷面上具有所要求的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)圖1而言，輻射源LA可位于光刻投影裝置的外殼內(nèi)(比如當(dāng)輻射源LA為汞燈時(shí)通常如此)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，將產(chǎn)生的光束引導(dǎo)到裝置中(比如通過(guò)適當(dāng)?shù)囊龑?dǎo)反射鏡)；當(dāng)輻射源LA是準(zhǔn)分子激光器時(shí)通常采用后一種方案。本發(fā)明及權(quán)利要求包括這兩種方案。
光束PB接著與固定在掩模臺(tái)MT上的掩模MA相交。被掩模MA選擇性反射之后，光束PB通過(guò)透鏡PL，PL將光束PB聚焦到基片W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位裝置(和干涉測(cè)量裝置IF)基片臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，比如可以將不同的目標(biāo)部分C置于光束PB的路徑中。類(lèi)似地，第一定位裝置可以使掩模MA相對(duì)光束PB的路徑精確定位，比如在從掩模庫(kù)中機(jī)器檢索掩模MA之后，或是在掃描過(guò)程中。一般地，載物臺(tái)MT、WT的移動(dòng)可以通過(guò)長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這在圖1中沒(méi)有明確示出。然而，對(duì)于晶片步進(jìn)投影曝光機(jī)(不同于步進(jìn)-掃描機(jī))，掩模臺(tái)MT可以只與短行程致動(dòng)器相連，或者可以固定在XY平面。
所示裝置可以在兩種不同的模式中使用1.步進(jìn)模式，掩模臺(tái)MT基本上保持不動(dòng)，且整個(gè)掩模圖像是一次投影(單次“閃光”)到目標(biāo)部分C。然后基片臺(tái)WT沿x和/或y方向移動(dòng)，使得不同的目標(biāo)部分C可以被光束PB照射；2.掃描模式，基本上采用相同的方案，除了給定的目標(biāo)部分C不是在單次“閃光”中曝光，而代之以，掩模臺(tái)MT以速度v沿給定方向(所謂的“掃描方向”，如y方向)移動(dòng)，因此使得投影光束PB在整個(gè)掩模圖像上掃描；同時(shí)，基片臺(tái)WT以速度V＝Mv沿相同或相反的方向移動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大倍數(shù)(一般，M＝1/4或1/5)。通過(guò)這種方式，可以使相對(duì)較大的目標(biāo)部分C曝光而無(wú)須犧牲分辨率。
圖1還顯示了位于輻射系統(tǒng)IL的光學(xué)元件OE。光學(xué)元件OE可以是衍射或折射光學(xué)元件，并可通過(guò)本發(fā)明的方法制造。光學(xué)元件可以是菲涅耳型透鏡圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的用于制造光學(xué)元件OE的制造技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例。
在實(shí)施例中，設(shè)置了基片10。在基片10的主表面沉積了多層的疊層20。多層的疊層20包括交替的兩種不同材料層，材料層可用等離子蝕刻法進(jìn)行蝕刻，并具有很好的選擇性。因此，交替的層20a，20c，20e和20g包括第一材料，層20b，20d和20f包括第二種材料。因此，各疊層形成了自然的蝕刻阻擋層，使蝕刻期間可形成精確的臺(tái)階高度。
多層疊層20可通過(guò)許多方式來(lái)沉積各層，如真空沉積。各個(gè)層的厚度可以在數(shù)個(gè)納米的量級(jí)?；?0最好包括硅，第一和第二層材料可以是交替的硅和二氧化硅層。
如圖2B所示，耐蝕層30沉積在疊層20的頂表面，并根據(jù)已知的技術(shù)形成了圖案。耐蝕層30然后進(jìn)行顯影，使疊層20出現(xiàn)一些暴露區(qū)域，以及其他被耐蝕層30覆蓋的區(qū)域。
對(duì)帶有耐蝕層的疊層的頂表面進(jìn)行等離子蝕刻造成疊層20的頂層上暴露的區(qū)域被蝕刻掉。對(duì)于沒(méi)有暴露的區(qū)域等離子蝕刻不與疊層的頂層20g發(fā)生作用。所選擇等離子蝕刻劑的類(lèi)型只能破壞第一種材料，不能破壞第二種材料。通過(guò)這種方式，當(dāng)去掉頂層20g后，疊層20的層20F可防止進(jìn)一步蝕刻。等離子蝕刻劑可以是氯基或氟基的?？梢允褂醚趸砑觿?br>
由于等離子蝕刻的各向同性的性質(zhì)，被去除區(qū)域的邊帶有輕微的傾斜，而不是正交于疊層20的其余部分，與新暴露出的層20F形成大于90度的傾斜，造成各層之間有平滑的過(guò)渡。這是因?yàn)榈入x子蝕刻不優(yōu)先沿特定的晶向進(jìn)行蝕刻，使得暴露多的區(qū)域擴(kuò)展到更大范圍。其優(yōu)越性在于在表面沉積的薄膜(如反射膜)，一旦已經(jīng)得到正確的形狀，各層之間有平滑過(guò)渡的要比平滑過(guò)渡差些的有更好的連接。
如果要求深度大于一層，可以將耐蝕層清除(如通過(guò)化學(xué)耐蝕層清除器或通過(guò)氧氣等離子蝕刻)，將全新的耐蝕層34施加到疊層20的頂表面，如圖2D所示；或者耐蝕層30可留在適當(dāng)位置，將新耐蝕層34沉積到舊耐蝕層和新暴露的層20F上。在任何一種情況下，然后新沉積的耐蝕層34形成圖案，對(duì)暴露層20F的新暴露區(qū)進(jìn)行顯影，層20F是由不同于頂層20G材料的材料制成。在使用不同于層20G所用的蝕刻劑(如CF4基的氣體化學(xué)劑)后，進(jìn)行層20F的等離子蝕刻。等離子蝕刻過(guò)程導(dǎo)致了如圖2E所示的結(jié)構(gòu)。
重復(fù)沉積耐蝕層，顯影，用不同的等離子蝕刻劑等離子蝕刻和清除其余的耐蝕層的方法可用于減少疊層所要求的浮雕。疊層最好包括至少3層，但層數(shù)取決于特定用途所要求的浮雕的深度。一般使用的蝕刻劑在Mendoza等人在1999年6月舉行的國(guó)際半導(dǎo)體大會(huì)上的文章“大面積平板的干蝕刻技術(shù)(Dry Etch Technology For LargeArea Flat Panel”中給以了介紹。
在制造過(guò)程中，薄膜沉積在浮雕的表面上。薄膜可以是保護(hù)涂層?；蛘?，薄膜可以是布喇格反射體，可容納40或更多周期的交替的Mo、Si層，或者是Mo和Be層。采用其他材料或3，4層周期也可以使用。由多層疊層形成的適當(dāng)反射體的細(xì)節(jié)可從歐洲專利EP-A-1 065 532，EP-A-1 065 568和歐洲專利申請(qǐng)No.02253475.4中得到。引出帽層可沉積到布喇格反射體的上表面。
盡管上面已經(jīng)介紹了本發(fā)明的特定實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可通過(guò)不同于上面介紹的方式實(shí)施。所作介紹和說(shuō)明不能用于限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種制作光學(xué)元件的方法，包括步驟(a)提供基片；(b)在所述基片表面沉積包括交替的第一材料和第二材料層的多層疊層，其中所述兩種材料可提供相對(duì)蝕刻選擇性；(c)在所述疊層的頂部形成抗蝕層；(d)在所述抗蝕層形成圖案，對(duì)所述抗蝕層進(jìn)行顯影，暴露所述疊層的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域；(e)等離子蝕刻所述疊層的一個(gè)或多個(gè)暴露的區(qū)域，去除在步驟(d)暴露出的所述多層疊層的一層中許多部分，形成浮雕形狀；和(f)在所述浮雕形狀上沉積薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(e)之后，去除其余的抗蝕層，在步驟(f)之前多次重復(fù)步驟(c)和(e)。
3.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述衍射光學(xué)元件是菲涅耳型透鏡。
4.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述薄膜是反射膜，如布喇格反射體和/或保護(hù)層。
5.一種光刻投影裝置，包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，可支承形成圖案機(jī)構(gòu)，所述形成圖案機(jī)構(gòu)可根據(jù)希望的圖案使所述投影光束形成圖案；基片臺(tái)，可固定保持基片；投影系統(tǒng)，可將形成圖案的光束投影到所述基片的目標(biāo)部分；其特征在于，光學(xué)元件通過(guò)所述權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)的方法制造。
6.一種器件制作方法，包括步驟設(shè)置基片，所述基片至少部分被光敏感材料層覆蓋；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；使用形成圖案機(jī)構(gòu)使所述投影光束的截面帶有圖案；將帶有圖案的投影光束投射到光敏感材料層的目標(biāo)部分；其特征在于，利用權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述方法制造的光學(xué)元件來(lái)改變所述投影光束。
全文摘要
提出了一種光學(xué)元件的制作技術(shù)。其涉及選擇性等離子蝕刻多層疊層和用薄膜，比如用反射膜，覆蓋所得到的浮雕形狀。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1503060SQ20031012073
公開(kāi)日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月26日
發(fā)明者M·M·T·M·迪里奇斯, M M T M 迪里奇斯, E·R·魯普斯特拉, 魯普斯特拉 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司