專利名稱：用于光阻劑的外涂層組合物及使用該組合物形成光阻劑圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明揭示了用于光阻劑(photoresist)的外涂層組合物及降低光阻劑圖案(pattern)線寬(linewidth)的方法。更具體地，在由常規(guī)光刻過程(lithography)所制得的光阻劑圖案的整個(gè)表面上涂布包含酸的外涂層組合物，從而使酸擴(kuò)散入光阻劑圖案中。其中酸擴(kuò)散到達(dá)的部分的光阻劑以堿性溶液顯影而移除。結(jié)果，可降低正性光阻劑圖案的線寬，還可避免負(fù)性光阻劑圖案的線寬在隨后的使用SEM的測(cè)量線寬的過程中變細(xì)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，用增加曝光能量的方法來降低光阻劑圖案的線寬。
然而，雖然上述方法極有效地降低光阻劑圖案的線寬，但由于能量增加而引起的光的衍射量變得太大，如圖1所示。結(jié)果，部分光阻劑圖案被移除(10)，且光阻劑圖案20變形(transform)為三角形。而且光阻劑圖案20的厚度也減小了。
該三角形輪廓(profile)及減小的阻劑厚度使隨后的蝕刻過程的水平降低。具體言之，當(dāng)測(cè)量圖案線寬時(shí)，該三角形圖案使再生產(chǎn)能力(reproductivity)降低，且當(dāng)轉(zhuǎn)錄(transcribe)成底膜(lower film)時(shí)使隨后的蝕刻圖案變形為三角形。其結(jié)果是增加了阻抗。
阻劑厚度的減小無法在蝕刻底膜的過程中對(duì)等離子體(plasma)發(fā)揮掩罩(mask)功能。結(jié)果是蝕刻圖案變形并破裂。
當(dāng)形成負(fù)性光阻劑圖案時(shí)，藉由設(shè)定臨界尺寸(后文稱′CD′)標(biāo)的(target)而進(jìn)行SEM測(cè)量。該SEM測(cè)量剛完成之后CD幾乎與該標(biāo)的相同。然而，在SEM測(cè)量后10分鐘內(nèi)，該圖案CD因測(cè)量過程中光阻劑組合物中產(chǎn)生的高能量電子束而減小。
在超微細(xì)高度集成的半導(dǎo)體制造中遠(yuǎn)紫外線光源如ArF(193nm)及VUV(157nm)可使該圖案CD更加減小。
用于193nm及157nm的大部分光阻劑組合物滿足各種物理性質(zhì)如低光吸收度、高蝕刻、優(yōu)異基材黏著性、對(duì)光源的透明性及在堿性顯影劑中的顯影能力，而且其不包含芳族材料，因?yàn)榉甲宀牧峡蓽p緩在SEM測(cè)量過程中產(chǎn)生的高能量電子束。結(jié)果是圖案的CD減小。
在圖案變得更小之時(shí)，由于電子束加速電壓及曝光時(shí)間，圖案的CD進(jìn)一步減小，其導(dǎo)致過程產(chǎn)量降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示了可降低光阻劑圖案的線寬的外涂層組合物。
本發(fā)明揭示了使用本發(fā)明所揭示的外涂層組合物形成光阻劑圖案的方法。


圖1為顯示由于曝光能量增加而使光阻劑圖案線寬及輪廓改變的過程示意圖。
圖2a至圖2d為說明形成本發(fā)明所揭示的光阻劑圖案的方法的示意圖。
圖3為聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)的NMR光譜圖。
圖4a及圖4b為實(shí)施例3所得的光阻劑圖案的SEM照片。
圖5a及圖5b為實(shí)施例4所得的光阻劑圖案的SEM照片。
圖6a及圖6b為實(shí)施例5所得的光阻劑圖案的SEM照片。
圖7a及圖7b為實(shí)施例6所得的光阻劑圖案的SEM照片。
圖8a及圖8b為比較例1所得的光阻劑圖案的SEM照片。
圖式代表符號(hào)說明10 顯影后被移除的光阻劑材料20 顯影后留下光阻劑圖案100 光阻劑圖案102 外涂層104 酸擴(kuò)散區(qū)域106 減小的光阻劑圖案具體實(shí)施方式
本發(fā)明揭示一種光阻劑的外涂層組合物，包括水可溶聚合物、酸性化合物及水。
優(yōu)選，該水可溶聚合物為式1所示的化合物或聚乙烯基吡咯烷酮式1
其中R′為H或CH3；R5及R6獨(dú)立地為H或C1-C3烷基；及n為重復(fù)單元數(shù)。
該n為50至150的整數(shù)且式1化合物的分子量范圍是5000至15000。
式1化合物優(yōu)選為聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)。
該酸性化合物可為有機(jī)磺酸，例如對(duì)-甲苯磺酸單水合物。該酸性化合物的含量占水可溶聚合物量的2至20重量％，優(yōu)選為5至10重量％。
蒸餾水可作為用作組合物的溶劑的水。水的含量占水可溶聚合物量的500至4000重量％，優(yōu)選500至2000重量％。
一種形成光阻劑圖案的方法，包括(a)通過光刻過程形成光阻劑圖案；(b)在該光阻劑圖案整個(gè)表面上涂布上述外涂層組合物而形成外涂層；(c)烘烤該外涂層；及(d)以堿性顯影溶液使該外涂層顯影。
其中通過光刻過程形成光阻劑圖案的步驟(a)包括(a-1)在半導(dǎo)體基材上涂布化學(xué)增幅(chemically amplified)的光阻劑組合物并烘烤該基材形成光阻劑薄膜；(a-2)使光阻劑薄膜曝光；(a-3)烘烤該光阻劑薄膜；及(a-4)使光阻劑薄膜顯影。
優(yōu)選，步驟(a)所得的光阻劑圖案在步驟(a-1)中涂布的高度范圍是2000至3000埃，且步驟(b)中外涂層厚度范圍在從步驟(a)中的光阻劑圖案的上表面計(jì)算起為200至5000埃。
步驟(c)中的烘烤過程為酸擴(kuò)散烘烤過程且優(yōu)選在50至150℃的溫度范圍進(jìn)行30至90秒。
進(jìn)行該烘烤過程的目的是使外涂層中的酸酸擴(kuò)散入該光阻劑圖案中。結(jié)果，具有酸的光阻劑圖案區(qū)域增加了，而且其可通過堿性顯影溶液被移除。此處，因?yàn)樗釘U(kuò)散烘烤過程溫度升高且外涂層厚度增厚，則該酸擴(kuò)散距離變長(zhǎng)。因此，圖案線寬可使用上述理論予以調(diào)節(jié)。
步驟(d)中的堿性顯影溶液可為TMAH、KOH或NaOH水溶液。
傳統(tǒng)上，外涂層組合物是在形成光阻劑圖案之前涂布在光阻劑薄膜上，接著進(jìn)行后續(xù)的光刻過程。
但是，通過常規(guī)光刻過程制備光阻劑圖案之后，本發(fā)明將所揭示的外涂層組合物涂布在該光阻劑圖案的整個(gè)表面上。接著，進(jìn)行該烘烤過程以獲得微細(xì)圖案。
亦即，在光阻劑圖案整個(gè)表面上形成本發(fā)明所揭示的組合物，接著進(jìn)行烘烤過程以使酸擴(kuò)散入該光阻劑圖案中。接著，使用堿性顯影溶液移除已擴(kuò)散入酸的光阻劑圖案區(qū)域。結(jié)果，可降低圖案的線寬。
形成負(fù)性圖案之后，在其上涂布本發(fā)明所揭示的外涂層組合物。接著在所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行烘烤過程。結(jié)果，包含在組合物中的酸被吸收入圖案的上面部分并使圖案硬化。通過進(jìn)行SEM過程來測(cè)量線寬，因而避免圖案變細(xì)。
此方式中，本發(fā)明所揭示的外涂層組合物為外涂布于預(yù)先形成的光阻劑圖案上的組合物。
關(guān)于優(yōu)選具體例的形成圖案的方法將參考附圖加以更詳細(xì)說明。
參考圖2a，將化學(xué)增幅的光阻劑組合物(未圖標(biāo))涂布在半導(dǎo)體基材(未圖示)上，并烘烤以形成光阻劑薄膜(未圖示)。
該光阻劑薄膜經(jīng)曝光、烘烤及顯影形成光阻劑圖案100。
步驟(a-1)中涂布的光阻劑圖案100高度優(yōu)選處于2000至3000埃之間。
任何常規(guī)的化學(xué)增幅的光阻劑可用于該光阻劑組合物。優(yōu)選，該光阻劑組合物包括具有式2這樣的重復(fù)單元的光阻劑聚合物式2 其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2獨(dú)立地為CH2或CH2CH2；
R1、R3及R4獨(dú)立地選自H、經(jīng)取代的C1-C10烷基或未經(jīng)取代之C1-C10烷基；R2為C1-C10羥基烷基；R*為酸不穩(wěn)定(acid labile)保護(hù)基；p、q及r獨(dú)立地為0至2的整數(shù)；及a∶b∶c∶d的相對(duì)比例在5至90摩爾％∶5至90摩爾％∶0至90摩爾％∶0至90摩爾％之間。
可通過酸而被脫離的酸不穩(wěn)定保護(hù)基可決定PR材料的堿性顯影劑溶液的溶液。亦即，該酸不穩(wěn)定保護(hù)基可避免化合物溶于堿性顯影劑溶液中。若該酸不穩(wěn)定保護(hù)基可通過曝光所產(chǎn)生的酸而脫離時(shí)，則該P(yáng)R材料可溶于顯影劑溶液中。有些常用的酸不穩(wěn)定保護(hù)基揭示于美國(guó)專利號(hào)5,212,043(1993年5月18日)、WO 97/33198(1997年9月12日)、WO 96/37526(1996年11月28日)、EP 0 794 458(1997年9月10日)、EP 0 789 278(1997年8月13日)、美國(guó)專利號(hào)5,750,680(1998年5月12日)、美國(guó)專利號(hào)6,051,678(2000年4月18日)、GB2,345,286 A(2000年7月5日)、美國(guó)專利號(hào)6,132,926(2000年10月17日)、美國(guó)專利號(hào)6,143,463(2000年11月7日)、美國(guó)專利號(hào)6,150,069(2000年11月21日)、美國(guó)專利號(hào)6,180,316 B1(2001年1月30日)、美國(guó)專利號(hào)6,225,020 B1(2001年5月1日)、美國(guó)專利號(hào)6,235,448 B1(2001年5月22日)及美國(guó)專利號(hào)6,235,447B1(2001年5月22日)。優(yōu)選，該酸不穩(wěn)定保護(hù)基系選自叔丁基、四氫吡喃-2-基、2-甲基-四氫吡喃-2-基、四氫呋喃-2-基、2-甲基四氫呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、叔丁氧基乙基及1-異丁氧基乙基。
該光阻劑聚合物包括混雜型共聚物，其包含具有上式2所示的環(huán)-烯烴主鏈這樣的重復(fù)單元的第一聚合物及具有丙烯酸酯主鏈這樣的重復(fù)單元的第二聚合物。
優(yōu)選，該丙烯酸酯主鏈包括聚{4-[2-(4-羥基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟丙基]苯基甲基丙烯酸酯/(1，1，1，3，3，3-六氟-2-叔丁基羧酸酯)異丙基甲基丙烯酸酯}、聚[N-全氟丙基順丁烯二酰亞胺/叔丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2-(全氟-辛基)乙基甲基丙烯酸酯]或聚(順丁烯二酸酐/六氟丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2，6-二氟-甲基芐基丙烯酸酯)。
步驟(a-2)之曝光源選自ArF(193nm)、KrF(248nm)、F2(157nm)及EUV(13nm)所成之組群。步驟(a-2)的曝光能量范圍是10至30mJ/cm2。
如圖2b所示，外涂層組合物102涂布在圖2a所述方法形成的光阻劑圖案100上。
外涂層組合物的厚度從光阻劑圖案上表面計(jì)算起為200至5000埃之間。
如圖2c所示，在圖2b中形成的外涂層組合物102上進(jìn)行酸擴(kuò)散烘烤過程以使外涂層上的酸擴(kuò)散入該光阻劑圖案中。結(jié)果，浸入酸的光阻劑圖案區(qū)域104產(chǎn)生了。
當(dāng)形成的圖案為負(fù)性圖案時(shí)，包含在組合物中的酸擴(kuò)散入圖案上端部分。結(jié)果，圖案之上端部分硬化(未圖示)。
該烘烤過程優(yōu)選在50至150℃的溫度范圍進(jìn)行30至90秒。
通過圖2c的烘烤過程增加光阻劑圖案中具有酸的區(qū)域后，將具有酸的區(qū)域104以堿性顯影溶液移除而形成光阻劑圖案106，其線寬降低至如圖2d所示或其表面已硬化。
優(yōu)選，該堿性顯影溶液可為TMAH、KOH或NaOH水溶液。
由于圖案線寬與堿處理時(shí)間成比例地變小，所需的線寬可藉由調(diào)節(jié)處理時(shí)間而獲得。若堿性顯影溶液濃度變高，則阻劑材料的移除速率變快。結(jié)果是可改善生產(chǎn)量。本文中，具有酸的區(qū)域優(yōu)選以2.38重量％的TMAH水溶液處理30至60秒。
本發(fā)明所揭示的外涂層組合物將參考下列實(shí)施例更詳細(xì)加以說明，但其不用以限制本發(fā)明之范圍。
I.外涂層組合物的制備實(shí)施例1.外涂層組合物(1)的制備步驟1.聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)的合成向四氫呋喃溶劑(300克)中添加N，N-二甲基丙烯酰胺(100克)及AIBN(5克)。所得混合物在66℃反應(yīng)9小時(shí)。隨后，所得混合物于乙醚中沉淀，并脫水因而獲得純的聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)(分子量約12,700，產(chǎn)率約88％)。合成化合物的NMR光譜示于圖3。
步驟2.優(yōu)選實(shí)施方式1向蒸餾水(300克)中添加制備例1所得之聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)聚合物(30克)及對(duì)-甲苯磺酸(0.5克)。接著，以0.2微米濾紙(filter)過濾所得混合物，從而獲得所揭示的外涂層組合物。
實(shí)施例2.外涂層組合物(2)的制備向蒸餾水(300克)中添加聚乙烯吡咯烷酮(分子量10,000)(30克)(Aldrich公司)及對(duì)-甲苯磺酸(0.5克)。接著，以0.2微米濾紙過濾所得混合物，因而獲得本發(fā)明所揭示的外涂層組合物。
II.形成正性光阻劑圖案實(shí)施例3.
在晶片(wafer)上涂布厚度為330埃的ArF抗反射涂層(后文稱為″BARC″)薄膜(DHRC-A20)(Dongjin SemiChem股份有限公司)。在其上涂布厚度為2400埃的正性ArF光阻劑(DHA-H150)(Dongjin SemiChem股份有限公司)。所得結(jié)構(gòu)使用ArF曝光機(jī)(ASML股份有限公司)曝光并顯影，因而獲得圖4a所示的正性光阻劑圖案(線寬約112nm)。
將實(shí)施例1步驟2得到的外涂層組合物在圖4a的圖案上涂布3000埃的厚度。所得結(jié)構(gòu)在150℃烘烤30秒。烘烤過程后，所得結(jié)構(gòu)以2.38重量％的TMAH溶液顯影，因而獲得圖4b之圖案(線寬約86nm)。
圖4b的圖案線寬顯示比圖4a的圖案線寬減小26nm。由此可見，通過本發(fā)明所揭示的方法可增加圖案的解析力。
實(shí)施例4.
在晶片上涂布厚度330埃的ArF BARC薄膜(DHRC-A20)。在其上涂布厚度為2400埃的正性ArF光阻劑(DHA-H150)。所得結(jié)構(gòu)使用ArF曝光機(jī)曝光并顯影，因而獲得圖5a所示正性光阻劑圖案(線寬約111nm)。
實(shí)施例2所得的外涂層組合物在圖5a的圖案上涂布3000埃厚度。所得結(jié)構(gòu)在150℃烘烤30秒。烘烤過程后，所得結(jié)構(gòu)以2.38重量％的TMAH溶液顯影，從而獲得圖5b的圖案(線寬約88nm)。
圖5b的圖案線寬顯示比圖5a的圖案線寬減小23nm。由此可見，本發(fā)明所揭示的方法可增加圖案的解析力。
實(shí)施例5.
在晶片上涂布光阻劑(AX1020P)(Clariant股份有限公司)。所得結(jié)構(gòu)在120℃烘烤90秒形成光阻劑薄膜。該光阻劑薄膜使用ArF曝光機(jī)曝光，并在120℃烘烤90秒。所得結(jié)構(gòu)以2.38重量％TMAH水溶液顯影，因而獲得圖6a所示的正性光阻劑圖案(線寬約100nm)。
實(shí)施例2所得的外涂層組合物在圖6a的圖案上涂布2400埃厚度。所得結(jié)構(gòu)在120℃烘烤90秒以擴(kuò)散酸。接著所得結(jié)構(gòu)以2.38重量％的TMAH溶液顯影40秒，從而獲得線寬80nm的圖案(參見圖6b)。
圖6b的圖案線寬顯示比圖6a的圖案線寬減小20nm。由此可見，本發(fā)明所揭示的方法可增加圖案的解析力。
III.形成負(fù)性光阻劑圖案實(shí)施例6.
在晶片上涂布厚度為330埃ArF抗反射涂層薄膜(DHRC-A20)(DongjinSemiChem股份有限公司)。在其上涂布厚度為2400埃負(fù)性ArF光阻劑(GX02)(Dongjin SemiChem股份有限公司)。所得結(jié)構(gòu)使用ArF曝光機(jī)(ASML股份有限公司)曝光并顯影，因而獲得負(fù)性光阻劑圖案(線寬約112nm)。
實(shí)施例1步驟2所得的外涂層組合物在該負(fù)性圖案上涂布3000埃厚度。所得結(jié)構(gòu)在150℃烘烤2分鐘。烘烤過程后，所得結(jié)構(gòu)以蒸餾水顯影，因而獲得圖7a之圖案(線寬約103nm)。
使用SEM儀器在800V的加速電壓及120K放大率(magnification)之下將上述負(fù)性光阻劑圖案暴露于電子束中30秒的時(shí)候測(cè)量該圖案的線寬的減小。通過圖7b可看出103nm的圖案中未觀察到變細(xì)現(xiàn)象。
比較例1.
在晶片上涂布厚度330埃的ArF抗反射涂層薄膜(DHRC-A20)(DongjinSemiChem股份有限公司)。在其上涂布ArF光阻劑(GX02)。
所得結(jié)構(gòu)使用ArF曝光機(jī)(ASML股份有限公司)曝光并顯影，因而獲得圖8a所示的正性光阻劑圖案(線寬約112nm)。
使用SEM儀器在800V的加速電壓及120K放大率之下將上述光阻劑圖案曝露于電子束中30秒的時(shí)候測(cè)量該圖案的線寬的減小。
參見圖8a，91nm的圖案中顯示變細(xì)現(xiàn)象。
如先前所述，圖案的線寬可容易地通過簡(jiǎn)單濕式顯影過程而減小，且不須新穎設(shè)備，因而可降低成本。此外，可降低DRAM或MPU之晶體管線寬，因而改進(jìn)半導(dǎo)體速度之操作速度，且DRAM之磁頭線(bit-line)線寬可減小，因而改進(jìn)容量。在負(fù)性光阻劑的情況下，在后續(xù)的使用SEM測(cè)量線寬的過程中可避免線寬變細(xì)現(xiàn)象，因而改良所得光阻劑圖案之再生產(chǎn)能力及可靠性。
權(quán)利要求
1.一種用于光阻劑的外涂層組合物，包括水可溶聚合物，酸性化合物；及水。
2.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述的水可溶聚合物為式1的化合物或聚乙烯基吡咯烷酮式1 其中R′為H或CH3；R5及R6獨(dú)立地為H或C1-C3烷基；及n為重復(fù)單元數(shù)。
3.權(quán)利要求2所述的組合物，其中所述的n為50至150之整數(shù)。
4.權(quán)利要求2所述的組合物，其中該式1化合物的分子量范圍是5000至15000。
5.權(quán)利要求2所述的組合物，其中該式1所示的水可溶聚合物為聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)。
6.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述酸性化合物為有機(jī)磺酸。
7.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述酸性化合物為對(duì)-甲苯磺酸單水合物。
8.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述酸性化合物的含量占水可溶聚合物量的2至20重量％。
9.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述水的含量占水可溶聚合物量的500至4000重量％。
10.一種形成光阻劑圖案的方法，包括如下步驟(a)通過光刻過程制備光阻劑圖案；(b)在該光阻劑圖案的整個(gè)表面上涂布權(quán)利要求1所述的外涂層組合物而形成外涂層；(c)烘烤該外涂層；及(d)以堿性顯影溶液使該外涂層顯影。
11.權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟(a)包括(a-1)在半導(dǎo)體基材上涂布化學(xué)增幅的光阻劑組合物并烘烤該基材形成光阻劑薄膜；(a-2)使光阻劑薄膜曝光；(a-3)烘烤該光阻劑薄膜；及(a-4)使光阻劑薄膜顯影。
12.權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟(a)得到的光阻劑圖案高度為2000至3000埃之間。
13.權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟(b)中該外涂層厚度從步驟(a)的光阻劑圖案上表面算起為200至5000埃之間。
14.權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟(c)的烘烤過程為在50至150℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行30至90秒。
15.權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟(d)的堿性顯影溶液為TMAH、KOH或NaOH水溶液。
16.權(quán)利要求11所述的方法，其中所述的化學(xué)增幅的光阻劑組合物包括具有式2這樣的重復(fù)單元的光阻劑聚合物式2 其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2獨(dú)立地為CH2或CH2CH2；R1、R3及R4獨(dú)立地選自H、經(jīng)取代之C1-C10烷基或未經(jīng)取代之C1-C10烷基；R2為C1-C10羥基烷基；R*為酸不穩(wěn)定保護(hù)基；p、q及r獨(dú)立地為0至2的整數(shù)；及a∶b∶c∶d的相對(duì)比例在5至90摩爾％∶5至90摩爾％∶0至90摩爾％∶0至90摩爾％之間。
17.權(quán)利要求11所述的方法，其中所述的光阻劑聚合物為混雜型共聚物，該共聚物包括具有環(huán)-烯烴主鏈這樣的重復(fù)單元的第一聚合物以及具有丙烯酸酯主鏈這樣的重復(fù)單元的第二聚合物。
18.權(quán)利要求17所述的方法，其中所述的第一聚合物的重復(fù)單元如下式2所示式2 其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2獨(dú)立地為CH2或CH2CH2；R1、R3及R4獨(dú)立地選自H、經(jīng)取代之C1-C10烷基或未經(jīng)取代之C1-C10烷基；R2為C1-C10羥基烷基；R*為酸不穩(wěn)定保護(hù)基；p、q及r獨(dú)立地為0至2的整數(shù)；及a∶b∶c∶d的相對(duì)比例在5至90摩爾％∶5至90摩爾％∶0至90摩爾％∶0至90摩爾％之間。
19.權(quán)利要求17所述的方法，其中該第二聚合物的重復(fù)單元為聚{4-[2-(4-羥基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟丙基]苯基甲基丙烯酸酯/(1，1，1，3，3，3-六氟-2-叔丁基羧酸酯)異丙基甲基丙烯酸酯}、聚[N-全氟丙基順丁烯二酰亞胺/叔丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2-(全氟-辛基)乙基甲基丙烯酸酯]或聚(順丁烯二酸酐/六氟丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2，6-二氟-甲基芐基丙烯酸酯)。
20. 權(quán)利要求11所述的方法，其中該步驟(a-2)的曝光源選自ArF(193nm)、KrF(248nm)、F2(157nm)或EUV(13nm)。
21.權(quán)利要求11所述的方法，其中該步驟(a-2)的曝光能量范圍是10至30mJ/cm2。
全文摘要
本發(fā)明揭示了用于光阻劑的外涂層組合物及降低光阻劑圖案線寬的方法。更具體地，在由常規(guī)光刻過程所制得的光阻劑圖案的整個(gè)表面上涂布包含酸的外涂層組合物，從而使酸擴(kuò)散入光阻劑圖案中。其中酸擴(kuò)散到達(dá)的部分的光阻劑以堿性溶液顯影而移除。結(jié)果，可降低正性光阻劑圖案的線寬，還可避免負(fù)性光阻劑圖案的線寬在隨后的使用SEM測(cè)量線寬的過程中變細(xì)。
文檔編號(hào)G03F7/40GK1512265SQ20031012031
公開日2004年7月14日 申請(qǐng)日期2003年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月30日
發(fā)明者卜喆圭, 鄭載昌, 文承燦, 申起秀, 卜 圭 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司