專(zhuān)利名稱(chēng)：利用二倍空間頻率技術(shù)定義掩膜圖案的方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用無(wú)鉻光刻技術(shù)生成掩膜圖案，更具體的說(shuō)，涉及利用二倍空間頻率技術(shù)，基于一目標(biāo)圖案，以生成掩膜圖案。另外，本發(fā)明還涉及使用光刻設(shè)備的器件制造方法，該設(shè)備包括一提供投影射束的輻射系統(tǒng)；一放置所述掩膜的掩膜臺(tái)，用以對(duì)投影射束進(jìn)行構(gòu)圖；一放置所述襯底的襯底臺(tái)；以及一投影系統(tǒng)，用以將所述構(gòu)圖的投影射束投影至所述襯底的目標(biāo)區(qū)域內(nèi)。
背景技術(shù)：
光刻的投影設(shè)備(工具)的應(yīng)用，例如，在集成電路(IC)的生產(chǎn)方面。在這種情況下，掩膜包含相當(dāng)于單層集成電路的電路圖案，該圖案可被映象在一目標(biāo)區(qū)域上(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路片)在一已鍍有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的襯底(硅片)上。通常，單個(gè)晶圓將容納一目標(biāo)區(qū)域相鄰的整個(gè)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并通過(guò)投影系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行逐一連續(xù)輻射。光刻投影裝置的一種類(lèi)型中，每一目標(biāo)區(qū)域均通過(guò)裸露在該目標(biāo)區(qū)域上的整個(gè)掩膜圖案進(jìn)行輻射。如上裝置通常被稱(chēng)為晶圓分檔器。在一替代裝置，通常被稱(chēng)為步進(jìn)掃描裝置，通過(guò)投影光束在一給定方向(掃描方向)漸進(jìn)掃描掩膜圖案，以輻射每一目標(biāo)區(qū)域，同步掃描與該方向平行和不平行的襯底臺(tái)；因而，通常，投影系統(tǒng)具有一放大系數(shù)M(通常＜1)，襯底臺(tái)的掃描速度v將成為掩膜臺(tái)掃描速度的M倍。這里還提到的更多的關(guān)于光刻設(shè)備的信息，例如，US6046792通過(guò)引用結(jié)臺(tái)在此。
在使用平版投影設(shè)備的制造過(guò)程中，掩膜圖案被映象于襯底上，且至少被一層輻射敏感材料(抗蝕劑)所覆蓋。在映象步驟之前，襯底將經(jīng)過(guò)多重處理，如涂底漆，鍍膜和軟烘干。曝光后，襯底還要經(jīng)過(guò)其他一些工序，如曝光后烘干(PEB)，顯影，硬烘干以及對(duì)所映象特征的測(cè)量/檢驗(yàn)。這批程序作為在一器件，例如，一集成電路，的單獨(dú)一層上印膜的基礎(chǔ)。經(jīng)過(guò)印膜的層還要經(jīng)過(guò)以下工序，如蝕刻，離子注入(摻雜)，噴鍍金屬，氧化，化學(xué)-機(jī)械拋光等等，上述所有工序后，才能形成單獨(dú)的一層。如果需要若干層，則整個(gè)過(guò)程，或其相應(yīng)的變化，都將在新的層上重復(fù)進(jìn)行。最終，才能在襯底(晶圓)上形成一批上述器件。所述器件通過(guò)切割或鋸割技術(shù)，彼此相互獨(dú)立。據(jù)此，獨(dú)立的器件可被嵌于載體，連接至插腳等等。還可獲得關(guān)于上述過(guò)程的更多的信息，例如，從“Microchip FabricationA Practical Guide to Semiconductor Processing”一書(shū)中，第三版，Peter van Zant著，McGraw Hill出版公司，1997年，ISBN 0-07-067250-4，通過(guò)引用結(jié)合在此。
光刻工具也可能是具有兩個(gè)和多個(gè)襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩膜臺(tái))。在諸如多級(jí)設(shè)備中的附加臺(tái)可能被并聯(lián)，或當(dāng)一個(gè)或多個(gè)其他臺(tái)在進(jìn)行曝光時(shí)，在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟。二級(jí)光刻工具例如已經(jīng)在US5969441和WO98/40791中被說(shuō)明，通過(guò)引用結(jié)合在此。
前面所提到的照相光刻術(shù)包括對(duì)應(yīng)于將被集成與一硅片上的電路元件的幾何圖案。該圖案用于產(chǎn)生根據(jù)CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))產(chǎn)生的掩膜，該過(guò)程常被稱(chēng)為EDA(自動(dòng)電子設(shè)計(jì))。許多CAD程序遵循一組預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則以設(shè)計(jì)功能化的掩膜。這些規(guī)則設(shè)置處理和設(shè)計(jì)的限度。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則定義間隔容限在電路設(shè)備(諸如門(mén)電路，電容器等等)或互連線(xiàn)之間，以確保該電路裝置或連線(xiàn)相互間不受影響。
當(dāng)然，在晶圓上(通過(guò)掩膜)準(zhǔn)確的復(fù)制源電路設(shè)計(jì)也是集成電路制造的目的之一。盡可能應(yīng)用大量半導(dǎo)體片作為其固定基礎(chǔ)也是其目的。隨著集成電路尺寸的縮小和密度的增加，然而，它所對(duì)應(yīng)的掩膜圖案的CD(臨界尺寸)，接近該光學(xué)曝光工具的分辨率極限。根據(jù)在晶圓上重復(fù)曝光的曝光工具的最小特征定義曝光工具的分辨率。當(dāng)前曝光設(shè)備的分辨率值約束許多IC電路設(shè)計(jì)的CD。
此外，在電子器件的處理器的速度、存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度和低電耗方面的持續(xù)改善，且與光刻技術(shù)在多層半導(dǎo)體器件上傳輸和產(chǎn)生圖案的能力直接相關(guān)。該技術(shù)的當(dāng)前水平要求臨界尺寸低于自然光線(xiàn)的波長(zhǎng)的圖案形成。例如，當(dāng)前產(chǎn)品的波長(zhǎng)為248nm，正在朝小于100nm的圖案臨界尺寸推進(jìn)。正如半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)(ITRS 2000)所描述的，在以后的5-10年內(nèi)，該工業(yè)趨勢(shì)將繼續(xù)延續(xù)和推進(jìn)。
當(dāng)前從光刻技術(shù)領(lǐng)域所接受的更多關(guān)注的一項(xiàng)技術(shù)被稱(chēng)為無(wú)鉻相位光刻技術(shù)“CPL”，用于進(jìn)一步提高光刻設(shè)備的分辨率/印制能力。CPL同其他當(dāng)前相位移掩膜PSM相比，是一種重新解釋如何在光刻掩遮膜上定義圖象的新興技術(shù)。CPL是一種根據(jù)實(shí)際的三元圖中三種可能情況，即0(無(wú)光透射過(guò)光刻掩遮膜)，+1(100％透射，無(wú)相位移)和-1(100％透射，180度相位移)，在定義光刻掩遮膜的圖案時(shí)，允許更高的自由度。隨著自由度的增加，產(chǎn)生了這樣的挑戰(zhàn)，即怎樣將由給定設(shè)計(jì)定義的一個(gè)二元目標(biāo)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換為一適當(dāng)掩膜圖案。的確，對(duì)掩膜設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，以可接受的方式，利用多種技術(shù)驗(yàn)證掩膜結(jié)構(gòu)，以印制所需圖案于芯片上，是必需的。然而，由于現(xiàn)在掩膜的復(fù)雜性，這將是一漫長(zhǎng)的，沉悶且復(fù)雜的過(guò)程。
此外，現(xiàn)有的掩膜設(shè)計(jì)過(guò)程，實(shí)質(zhì)上是一個(gè)人工的過(guò)程，基于反復(fù)試驗(yàn)的基礎(chǔ)，大幅限制了掩膜設(shè)計(jì)者的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。因此，設(shè)計(jì)一合適的掩膜所需的時(shí)間，也就是形成最終掩膜的時(shí)間，將主要依靠掩膜設(shè)計(jì)者的經(jīng)驗(yàn)。
因此，存在提供一自動(dòng)設(shè)計(jì)一掩膜的方法的需要，以提供給掩膜設(shè)計(jì)者能夠在襯底上進(jìn)行印制目標(biāo)圖案的掩膜設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
為滿(mǎn)足上述需要，本發(fā)明目的之一，即提供了一種基于提供用于復(fù)制目標(biāo)圖案的掩膜設(shè)計(jì)的所需目標(biāo)圖案來(lái)生成一掩膜圖案的實(shí)質(zhì)上的自動(dòng)方法。
更具體的說(shuō)，在一具體實(shí)施例中，本發(fā)明涉及生成一在襯底上印制目標(biāo)圖案用的掩膜的方法。該方法包括以下步驟(a)確定表示要制在襯底上印制的電路設(shè)計(jì)的一目標(biāo)圖案；(b)按照系數(shù)為0.5縮小目標(biāo)圖案來(lái)生成一第一圖案；以及(c)執(zhí)行結(jié)合目標(biāo)圖案與所述第一圖案的布爾操作，生成第二圖案。第二圖案被用于在襯底上印制目標(biāo)圖案。
雖然本文中僅基于IC的制造對(duì)本發(fā)明的發(fā)明進(jìn)行了描述，但可清楚地理解為本發(fā)明還可應(yīng)用于許多其他方面。例如，還可應(yīng)用于集成光學(xué)系統(tǒng)，用于磁鑄存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案，液晶顯示嵌板，薄膜磁頭，等等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)體會(huì)到文中的可替換的應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)，文中應(yīng)用的術(shù)語(yǔ)“光刻掩遮膜(reticle)”，“晶圓”或“芯片”，也可被更通用的術(shù)語(yǔ)“掩膜”，“襯底”和“目標(biāo)區(qū)域”來(lái)替換。
當(dāng)前文本中，術(shù)語(yǔ)“輻射”和“光束”被用于各類(lèi)電磁輻射中，包括紫外線(xiàn)輻射(例如，波長(zhǎng)為365，248，193，157或126nm)以及EUV(極紫外線(xiàn)輻射，例如，波長(zhǎng)范圍在5-20nm)。
本文中所用的術(shù)語(yǔ)掩膜可被廣義地解釋為，指可用于相應(yīng)于安在襯底的目標(biāo)部分上生成一圖案使一入射輻射光束穿越圖案的橫截面的一般圖案形成裝置；術(shù)語(yǔ)“光閥”也可被用于文中。除典型掩膜(透射或反射的；二元的，相移的，混合的，等等)外，還包括以下圖案裝置的實(shí)例a)一可編程鏡像陣列。這類(lèi)設(shè)備的一個(gè)實(shí)例是一具有一粘彈性控制層以及一反射面的可尋址矩陣表面。該設(shè)備的基本原理是在所述反射面的尋址區(qū)域反射作為衍射光的入射光，在非尋址區(qū)域反射作為非衍射光的入射光。利用適當(dāng)?shù)臑V波器，所述非衍射光可被濾出反射光束，僅留下衍射光；同樣，該光束根據(jù)可尋址矩陣表面的尋址圖案形成圖案。所需尋址矩陣可利用適當(dāng)?shù)碾娮友b置形成。更多的關(guān)于鏡像陣列的信息，例如，可以從美國(guó)專(zhuān)利US5296891和US5523193獲得，通過(guò)引用將上述美國(guó)專(zhuān)利結(jié)合在此。b)一可編程LCD陣列。這種結(jié)構(gòu)的示例在美國(guó)專(zhuān)利US5229872中給出了說(shuō)明，通過(guò)引用將該美國(guó)專(zhuān)利結(jié)合在此。
本發(fā)明的方法對(duì)現(xiàn)有技術(shù)提出了重要的改進(jìn)。例如，前述方法提供一自動(dòng)產(chǎn)生用于復(fù)制目標(biāo)圖案的掩膜圖案的方法。要指出的是，如果需要，該掩膜圖案可由掩膜設(shè)計(jì)者進(jìn)行后續(xù)修改，以使所述目標(biāo)圖案的掩膜性能最佳化。然而，重要的是，提供一適用于復(fù)制目標(biāo)圖案的自動(dòng)形成初始圖案的方法，以往，掩膜設(shè)計(jì)的實(shí)質(zhì)部分是通過(guò)掩膜設(shè)計(jì)者的反復(fù)試驗(yàn)來(lái)進(jìn)行，而現(xiàn)在則已不需要。因此，與掩膜設(shè)計(jì)相關(guān)的時(shí)間和精力也有效減少。而且，不再需要技術(shù)嫻熟的掩膜設(shè)計(jì)者來(lái)制造一高質(zhì)量的掩膜，使通過(guò)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的原始掩膜所需的技術(shù)水平低于設(shè)計(jì)一完整掩膜所需的技術(shù)水平。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于由于該過(guò)程去掉了許多反復(fù)試驗(yàn)的步驟，即利用現(xiàn)有技術(shù)生成掩膜設(shè)計(jì)，使生成一掩膜設(shè)計(jì)的總體時(shí)間顯著減少。
本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)將在本發(fā)明以下所描述的具體實(shí)施例中得到體現(xiàn)。
本發(fā)明自身及其目的和優(yōu)點(diǎn)，將通過(guò)以下的詳細(xì)說(shuō)明和附圖來(lái)進(jìn)行更好的說(shuō)明。


附圖1描述了一利用具有等行間隔圖案的掩膜光刻掩遮膜而產(chǎn)生的典型衍射圖樣。
附圖2描述了一具有等線(xiàn)間隔比的典型目標(biāo)行距圖案。
附圖3描述了一按照本發(fā)明以及根據(jù)映象所述掩膜而得到的典型掩膜。
附圖4描述了其他按照本發(fā)明以及根據(jù)映象所述掩膜而得到的典型掩膜。
附圖5描述了修改后的附圖3中示例性的掩膜，用于包括鉻的使用以及由使掩膜成像獲得的結(jié)果。
附圖6描述了修改后的附圖4中示例性的掩膜，用于包括鉻的使用以及由使掩膜成像獲得的結(jié)果。
附圖7a和7b描述了一合成接觸孔圖案，以及根據(jù)映象所述直接按照合成接觸孔圖案而形成的掩膜光刻掩遮膜所得到的結(jié)果。
附圖8描述了按照本發(fā)明，將附圖7a中目標(biāo)接觸孔圖案疊加在所述目標(biāo)接觸孔上而產(chǎn)生的二倍空間頻率圖案。
附圖9a和9b描述了按照本發(fā)明，根據(jù)附圖8中二倍空間頻率圖案以及對(duì)該合并圖案的成像而獲得的結(jié)果產(chǎn)生的合并圖案。
附圖10描述了附圖9a中掩膜設(shè)計(jì)的曝光劑量范圍。
附圖11a和11b描述了按照本發(fā)明附圖7a中應(yīng)用鉻的接觸孔圖案而產(chǎn)生的合并掩膜，以及根據(jù)映象附圖11a中掩膜所得到的虛像(aerial image)。
附圖12描述了附圖11a中掩膜設(shè)計(jì)的相應(yīng)曝光劑量范圍。
附圖13a和13b描述了當(dāng)被用來(lái)形成附圖9a所示掩膜的二倍空間頻率圖案，在X軸方向平移水平間距的1/4所得到的掩膜圖案，以及根據(jù)映象附圖13a中掩膜所得到的虛像。
附圖14描述了根據(jù)一由附圖7a的二倍和四倍的接觸孔圖案元件設(shè)計(jì)的CPL掩膜圖案。
附圖15為一借助于本發(fā)明進(jìn)行掩膜設(shè)計(jì)的光刻投影設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例涉及一個(gè)用于自動(dòng)生成一重現(xiàn)一目標(biāo)圖案的一掩膜圖案的處理。正如以下所描述的，本發(fā)明的方法特別適用于成像周期性密集圖案時(shí)(如，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì))。此外，還應(yīng)指出的是，本發(fā)明的方法可被應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)CAD系統(tǒng)(如前所述)，以對(duì)其按照以下描述來(lái)編程進(jìn)行操作。
在討論按照本發(fā)明形成一掩膜的方法的細(xì)節(jié)之前，先來(lái)討論本發(fā)明所基于的理論基礎(chǔ)。在光學(xué)光刻技術(shù)中，周期性圖案已被應(yīng)用于在利用相干光束曝光時(shí)產(chǎn)生一給定衍射圖樣。所述衍射圖樣，是所述周期性圖案的空間頻率的直接結(jié)果，一復(fù)雜圖案的許多空間頻率分量以與那些頻率直接相關(guān)的角度衍射光線(xiàn)。例如，最簡(jiǎn)單的周期性結(jié)構(gòu)可能是一線(xiàn)間隔圖案。該圖案僅包括一空間頻率分量，該空間頻率分量可通過(guò)線(xiàn)間隔的圖案的方向進(jìn)行定義(即，垂直方向，水平方向，水平方向的+X度，垂直方向的-Y度，等等)，間距，作業(yè)周期(即，線(xiàn)對(duì)與間隔尺寸的比率)。
根據(jù)這個(gè)線(xiàn)間隔圖案生成的衍射圖樣將沿單一方向，垂直于線(xiàn)間隔圖案的方向，其角度如下θ＝sin-1{(n*λ)/Px}其中，θ是衍射光線(xiàn)的角度，n是衍射級(jí)，λ是光的波長(zhǎng)，P是線(xiàn)間隔圖案的間距，如附圖1所示。參照附圖1，一聚光透鏡11聚焦一光源于光刻掩遮膜12。在給出的實(shí)例中，光刻掩遮膜12展現(xiàn)了相等的線(xiàn)間隔比圖案，生成大批光的衍射級(jí)(m)，其中一部分由投影透鏡13捕獲并在襯底14上成像。
周期性線(xiàn)間隔圖的第三分量是工作周期。當(dāng)空間頻率分量的工作周期改變時(shí)，光的衍射級(jí)的密度以及分布也隨之改變。由于其允許通過(guò)調(diào)整圖案尺寸(即，改變工作周期)來(lái)控制二倍空間頻率圖案衍射級(jí)的密集度，因而變得極其重要。因此，通過(guò)控制圖案的工作周期，在CPL圖案的周期性結(jié)構(gòu)方面存在另一自由度。
應(yīng)用以上的空間頻率概念，由具有間距P1的圖案得到的+2衍射級(jí)的角度將完全與由具有間距P1/2的圖案得到的一個(gè)+1衍射級(jí)的角度完全相等。作為將對(duì)一圖案空間頻率的加倍(將間距除2)的結(jié)果的重疊衍射級(jí)的概念，是通過(guò)本發(fā)明方法開(kāi)發(fā)的，用于例如使用CPL技術(shù)定義一掩膜光刻掩遮膜圖案，這將提高源周期圖案的分辨率。
如上所述，無(wú)鉻相位光刻技術(shù)形成一基于0(透射0％)，+1(透射100％且相移為0)，以及-1(透射100％且相移為180度)的通過(guò)光刻掩遮膜的光的圖象。因此，當(dāng)應(yīng)用CPL技術(shù)以獲取所需圖象時(shí)，指定圖案(或設(shè)計(jì))必須被分解成這些分量的三重圖案，其與源圖案基本沒(méi)有類(lèi)似點(diǎn)。本發(fā)明提出一種包括周期性密集圖案的多種圖案的方法以達(dá)到上述目的。
附圖2描述了一具有等線(xiàn)間隔比的典型線(xiàn)間隔圖案。該典型圖案將被用于描述本發(fā)明方法如何利用前述二倍空間頻率概念產(chǎn)生一將源目標(biāo)圖案映象至襯底的掩膜光刻掩遮膜。參照附圖2，目標(biāo)圖案包括線(xiàn)23和間隔21，二者寬度相等(即，相等的線(xiàn)寬與間隔比)。然而，若掩膜為映象該圖案而生成，且該掩膜僅包括+1區(qū)域(相對(duì)應(yīng)于線(xiàn))和-1區(qū)域(相對(duì)應(yīng)于間隔)，且線(xiàn)與間隔比相等，則在晶圓上無(wú)圖象形成。附圖2中還示出，其中附圖標(biāo)記25表示由映象前述掩膜而生成的虛像。此外，若該掩膜被修正，使得+1區(qū)域和0區(qū)域分別用于線(xiàn)和間隔特征，則其結(jié)果將為一普通的二元圖，且分辨率也并未提高。進(jìn)而，將+1區(qū)域改變?yōu)?1區(qū)域并保持0區(qū)域不變是完全沒(méi)有作用的，其仍將是一二元圖。這個(gè)例子表明了關(guān)于掩膜設(shè)計(jì)中的困難，簡(jiǎn)單地基于所需目標(biāo)圖案產(chǎn)生掩膜，無(wú)法得到一個(gè)能夠在晶圓上制造/映象目標(biāo)圖案的掩膜。
還要指出的是，為了印刷附圖2中示出的線(xiàn)間隔圖案，可以定義線(xiàn)為0區(qū)域，然后每隔一個(gè)間隔交替+1區(qū)域與-1區(qū)域，這組成一交替的PSM。然而，這就要求掩膜設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)過(guò)程的開(kāi)始，就根據(jù)目標(biāo)圖案改變掩膜設(shè)計(jì)。如上所述，在這樣一個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，隨著將要印制的圖案變得更加復(fù)雜，掩膜設(shè)計(jì)者的知識(shí)和能力成為設(shè)計(jì)過(guò)程中一個(gè)越來(lái)越重要的因素。
相反，本發(fā)明的方法允許生成適用于通過(guò)系統(tǒng)處理目標(biāo)圖案來(lái)印制所需目標(biāo)圖案的掩膜。該過(guò)程的第一步必須加倍該目標(biāo)圖案的空間頻率，以生成一第二圖案。這具通過(guò)把目標(biāo)圖案調(diào)整為其原始大小的1/2來(lái)完成的。例如，若目標(biāo)圖案展現(xiàn)200nm的間距(即，各線(xiàn)和間隔具有的寬度100nm)，目標(biāo)圖案與第二圖案之間的唯一區(qū)別在于第二圖案展現(xiàn)了100nm的間距(即，各線(xiàn)和間隔具有50nm的寬度)。
第一步用于使該目標(biāo)圖案中任何周期性結(jié)構(gòu)的所有空間頻率分量加倍，而與其目標(biāo)圖案的復(fù)雜生無(wú)關(guān)。在前面利用相等線(xiàn)與間隔的例子中，僅改變其間距為原有的一半以調(diào)整該圖案為原來(lái)的50％，但是對(duì)其工作周期或其線(xiàn)間隔圖案的方向，沒(méi)有任何影響。因而，該縮小圖案的第一衍射級(jí)覆蓋了目標(biāo)圖案的第二衍射級(jí)，縮小圖案的第二衍射級(jí)將覆蓋目標(biāo)圖案的第四衍射級(jí)，縮小圖的第三衍射級(jí)將覆蓋目標(biāo)圖案的第六衍射級(jí)，依此類(lèi)推。如下所述，過(guò)程的第二步，縮小圖案與目標(biāo)圖案合并，以定義一在襯底上映象目標(biāo)圖案的掩膜圖案(例如，一個(gè)+1和-1CPL圖案(無(wú)鉻)或一個(gè)0，+1與-1CPL圖案(三重))。
如述，過(guò)程的第二步，縮小圖案(即，二倍空間頻率圖案)與源圖案合并，生成將用于在襯底上映象目標(biāo)圖案的第三圖案。正如以下所述，合并圖案的方法是基于不同系數(shù)，比如，是否使用了亮區(qū)或暗區(qū)的目標(biāo)圖案。然而，主要目的仍是將目標(biāo)圖案與縮小圖案按照這樣一種方式合并，以至于使二倍空間頻率圖案顯示(或修改)而成為目標(biāo)圖案的暗區(qū)。就關(guān)于觸點(diǎn)的實(shí)例來(lái)說(shuō)，其背景(而不是接觸孔自身)將隨合并改變，因?yàn)樗鼘⒊蔀閳D案的暗區(qū)。對(duì)于線(xiàn)間隔實(shí)例，線(xiàn)將成為具有二倍空間頻率分量的暗區(qū)。這對(duì)無(wú)鉻設(shè)計(jì)和三元設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)對(duì)都成立。
還應(yīng)指出的是，將二倍空間頻率圖案合并到原始圖案，將導(dǎo)致更高頻率級(jí)被引入源圖案，并且增強(qiáng)包含在目標(biāo)圖案之內(nèi)的原始空間頻率，因?yàn)檫@些空間頻率也存在于二倍空間頻率圖案中。上述目標(biāo)圖案的源空間頻率的提高，使目標(biāo)圖案的映象性能也得到提高。實(shí)際上，如下面所要描述的，起初無(wú)法被成像在一襯底上的目標(biāo)圖案可以在經(jīng)受上述處理后被成像。
前述處理由附圖2和附圖3中的例子進(jìn)行描述。在這個(gè)例子中，如附圖2所示，將要印制的目標(biāo)圖案是一CPL圖案，其包括作為將被印制的圖案的+1區(qū)域23(100％透射且相位移為0)，以及作為暗區(qū)的-1區(qū)域21(100％透射且相位移為180度)。然而，如上所述，直接由該目標(biāo)圖案形成一掩膜光刻掩遮膜，并不能使目標(biāo)圖案映象在晶圓上。附圖標(biāo)記25描述了當(dāng)利用相應(yīng)于附圖2中的目標(biāo)圖案的掩膜光刻掩遮膜在襯底上進(jìn)行映象時(shí)所獲得的虛像。如圖，所得到的虛像僅僅是背景光，未經(jīng)調(diào)制也并未被成像。對(duì)該圖案并未進(jìn)行映象是因?yàn)樵搱D案使0級(jí)中的能量趨近于0。為映象該圖案，0級(jí)和+1級(jí)或-1級(jí)均是必不可少的。
附圖3描述了根據(jù)本發(fā)明所形成的掩膜，以及在襯底上映象所述掩膜所得到的結(jié)果。更具本地按照規(guī)定，繼續(xù)附圖2的示例目標(biāo)圖案作為一CPL圖案，包括作為將被印制的圖案的+1區(qū)域23，以及作為暗區(qū)-1區(qū)域21。第一步中，目標(biāo)圖案按照系數(shù)0.5進(jìn)行縮小，以形成同樣相等的線(xiàn)寬與間隔配置為1的圖案，然而間距被按照系數(shù)為0.5縮小(例如，所有100nm的線(xiàn)在縮小圖中均為50nm)?？s小圖與源目標(biāo)圖案進(jìn)行合并。在當(dāng)前實(shí)例中，目標(biāo)圖案與縮小圖根據(jù)邏輯“或”的布爾函數(shù)進(jìn)行合并。運(yùn)行布爾或函數(shù)要求在目標(biāo)圖上覆蓋縮小的圖案，然后，由于+1區(qū)限制要印制的目標(biāo)圖案的亮區(qū)，因而在-1區(qū)上呈現(xiàn)+1區(qū)的任何地方，經(jīng)過(guò)合并的掩膜圖案將包括+1區(qū)。參照附圖3所描述的經(jīng)合并的掩膜圖案，在結(jié)果得到的掩膜圖案中，存在+1區(qū)域23，其寬度為位于每一個(gè)-1區(qū)域21的目標(biāo)圖案中源線(xiàn)寬的1/2。需要進(jìn)一步說(shuō)明的是，最好是在圖案合并之前，相應(yīng)于目標(biāo)圖案放置縮小圖，以致寬度減少的+1區(qū)域23位于-1區(qū)域21的中間。附圖3中還示出通過(guò)對(duì)已合并的掩膜圖案成像所得到的映象結(jié)果。如圖，通過(guò)使用附圖3中合并的掩膜所得到的虛像，允許目標(biāo)圖案中包含保護(hù)映象特征27。
附圖4描述了獲得與由附圖3中的掩膜相同結(jié)果的掩膜。可以通過(guò)從附圖2中的例子中的目標(biāo)圖案除去縮小圖，得到附圖4中的掩膜。更具體來(lái)講，從目標(biāo)圖案中減去縮小圖案時(shí)，結(jié)果將是+1區(qū)23小于-1區(qū)21，以使圖象反轉(zhuǎn)(+1區(qū)成為暗區(qū)，-1區(qū)成為亮區(qū))。實(shí)際執(zhí)行的操作是，再一次使目標(biāo)圖案和縮小圖案相互覆蓋，然后在-1區(qū)上提供+1區(qū)的任何地方，減法處理在這些區(qū)域中形成了-1區(qū)。附圖4描述了二者相互消除圖案后的結(jié)果，以及在襯底上映象具有附圖4所示圖案的掩膜所得到的虛像。如圖，附圖4的掩膜是由附圖3所得到。在這些實(shí)例中，圖象由無(wú)圖象轉(zhuǎn)換為所需的線(xiàn)間隔圖案。
本發(fā)明的方法，也可以被用來(lái)進(jìn)行三元CPL光刻掩遮膜的設(shè)計(jì)，也就是前述包括三種區(qū)域的掩膜，即，+1區(qū)，-1區(qū)和0區(qū)(無(wú)透射)。除鉻區(qū)53將在縮小圖案中取代+1區(qū)或-1區(qū)外，操作產(chǎn)生所述三元CPL掩膜的處理與附圖3和附圖4所示的產(chǎn)生掩膜的操作相同。
更具體的說(shuō)，如附圖2所示實(shí)例，目標(biāo)圖案是一具有將被印制的+1區(qū)59，以及作為暗區(qū)的-1區(qū)57。第一步中，目標(biāo)圖案按照系數(shù)為0.5進(jìn)行縮小，以形成具有同一相等線(xiàn)與間隔配置的圖案，然而間距被按照系數(shù)為0.5縮小(例如，所有100nm的線(xiàn)在縮小圖中均為50nm)。然后，縮小圖中+1區(qū)被鉻區(qū)53所取代。然后，縮小圖案與源目標(biāo)圖案進(jìn)行合并。在當(dāng)前實(shí)例中，目標(biāo)圖案與縮小圖根據(jù)邏輯“異或”的布爾函數(shù)進(jìn)行合并。運(yùn)行布爾“異或”函數(shù)必須要在目標(biāo)圖上覆蓋縮小圖，在-1區(qū)55呈現(xiàn)為鉻區(qū)53的任何地方，鉻區(qū)57仍存在于最終掩膜圖案上。然而，在鉻區(qū)53覆蓋了+1區(qū)51的任何地方，鉻區(qū)53被消除?！爱惢颉焙瘮?shù)的結(jié)果在附圖5中示出。如圖，合并后的掩膜圖案包括鉻區(qū)53，所述鉻區(qū)53的寬度為位于-1區(qū)55的目標(biāo)圖案中源線(xiàn)寬的1/2。要再一次指出的是，在圖案合并之前，相應(yīng)于目標(biāo)圖案而定位縮小圖案，以使位于-1區(qū)55中的鉻區(qū)53的寬度縮小。如附圖5中示出，使用附圖5中的合并掩膜所得到的虛像，允許對(duì)目標(biāo)圖案中獲得的映象特征59成像。
附圖6描述了通過(guò)在縮小圖案之間執(zhí)行布爾“與”函數(shù)可以得到與附圖5中獲得的相同的結(jié)果，其中結(jié)合了以上述結(jié)合附圖5描述的方式對(duì)鉻特征53的使用。更準(zhǔn)確的說(shuō)，當(dāng)執(zhí)行“與”函數(shù)時(shí)，經(jīng)過(guò)合并得到的掩膜圖案包含鉻區(qū)域53，該鉻區(qū)域53的寬度是在每一+1區(qū)51中的目標(biāo)圖案中的一源線(xiàn)寬的1/2，它們彼此間通-1區(qū)55相隔離。如附圖5中所述的例子，最好是在圖案合并之前，相應(yīng)于目標(biāo)圖案放置縮小圖案，以致具有減少寬度的鉻區(qū)域53位于+1區(qū)域51中間。如圖6所示，利用圖6中的合并掩膜獲得的結(jié)果虛像，還允許對(duì)包含在目標(biāo)圖案中的特征59成像。
前面所提到的例子中，描述了如何根據(jù)目標(biāo)圖案進(jìn)行實(shí)質(zhì)自動(dòng)處理，產(chǎn)生一個(gè)用于重現(xiàn)目標(biāo)圖案掩膜設(shè)計(jì)(即，合并后的掩膜)。但本發(fā)明并不僅限于如圖所示的相等線(xiàn)與間隔比例，實(shí)際上可以結(jié)合復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)來(lái)使用本發(fā)明。
作為另一實(shí)施例，附圖7a描述了一示例性目標(biāo)圖案，包括一含有將被印制的接觸孔71以及暗區(qū)72的接觸孔陣列。附圖7b描述了使用一掩膜在襯底上映象的結(jié)果，所述掩膜體現(xiàn)了所設(shè)計(jì)的目標(biāo)圖案，所述目標(biāo)圖案例如是使用+1區(qū)域表示接觸孔71，同時(shí)使用-1區(qū)表示暗區(qū)72。如圖所示，在附圖7b中，最終的圖象與所需目標(biāo)圖案并無(wú)類(lèi)似之處。
然而，通過(guò)利用本發(fā)明的方法，可以生成能夠映象附圖7a中目標(biāo)圖案的掩膜圖案。如上所述，該過(guò)程的第一步是將目標(biāo)圖案按照系數(shù)為0.5進(jìn)行縮小，以生成目二倍空間頻率的目標(biāo)圖案。附圖8所示縮小圖案覆蓋了源圖案。參照附圖8，元件71和72取代了源圖案，元件75表示了二倍空間頻率圖案。下一步主要是縮小圖與源圖案的合并。同樣通過(guò)結(jié)合附圖3所述的方式完成。特別的是，縮小圖與目標(biāo)圖案之間進(jìn)行“或”操作。因此，在附圖7a中所示源接觸孔71和附圖8中所示接觸孔75存在的任何地方，均在合并后的掩膜中形成+1區(qū)。附圖9a中示出了作為其結(jié)果的合并后的掩膜。在附圖9b中示出了根據(jù)合并后掩膜對(duì)晶圓進(jìn)行映象而形成的結(jié)果。如附圖9b中的虛像所示，合并后的掩膜具有所映象的目標(biāo)圖案。附圖10示出了根據(jù)附圖9b的制作模型而獲得的處理過(guò)程圖。
前述實(shí)例中還應(yīng)注意的是，用于合并縮小圖與目標(biāo)圖案的布爾函數(shù)是一“或”函數(shù)，這是由于縮小圖屬于一暗區(qū)掩膜，且其目的是為得到一無(wú)鉻掩膜設(shè)計(jì)。作為替換，如果應(yīng)用一亮區(qū)，且其目的仍是獲得一無(wú)鉻掩膜設(shè)計(jì)，則將通過(guò)從源目標(biāo)圖案中減去縮小圖來(lái)得到所合并的掩膜。
當(dāng)處理復(fù)雜圖案時(shí)，同樣可以結(jié)合附圖5和附圖6中實(shí)例說(shuō)明的方式，添加鉻至合并后的掩膜圖案中。通常，使用暗區(qū)掩膜時(shí)，較希望添加鉻成分至背景中，若使用亮區(qū)，鉻將被添加至將要印制的成分中。附圖11a描述了應(yīng)用于附圖7a中對(duì)接觸孔形成圖案的合并的掩膜，其中利用了鉻(即，三元掩膜設(shè)計(jì))。如圖所示，該掩膜包括+1區(qū)111，鉻區(qū)112和-1區(qū)113。附圖11b描述了映象附圖11a中掩膜所得到的虛像。如圖所示，該掩膜精確重現(xiàn)了目標(biāo)圖案。附圖12示出了根據(jù)附圖11b的制作模型而獲得的處理過(guò)程圖。
可以由設(shè)計(jì)者來(lái)控制的另一自由度是將相對(duì)于源圖案的二倍空間頻率設(shè)置在何處。這對(duì)于生成更易制造的圖案是非常有用的。與附圖9a相比，附圖13示出了當(dāng)二倍空間頻率圖案(用以生成附圖9a中所示掩膜)在X軸向平移水平間距的1/4時(shí)所得到的掩膜圖案。這種條件的平移產(chǎn)生了更有助于制造基于某種限制條件的光刻掩遮膜的圖案，由于所得到的表面形狀(即，圖案)可能比較大，因而要減少小特征的數(shù)量。附圖13b描述了映象附圖13a中掩膜所得到的虛像。
當(dāng)然，形成一掩膜圖案的前述方法的變更方式均是可行的。例如，當(dāng)生成一縮小圖時(shí)，就有可能改變?cè)茨繕?biāo)的相等的線(xiàn)間隔比，以使縮小圖的線(xiàn)略大于間隔，反之亦然。這樣的縮小圖案的“尺寸”將會(huì)為衍射級(jí)提供一最佳平衡點(diǎn)(也就是說(shuō)，可能會(huì)增減零處的能量以提高圖象質(zhì)量)。
本發(fā)明的掩膜產(chǎn)生處理的另一個(gè)變化是，將目標(biāo)圖案中的元件頻率加倍兩次，以在合并縮小圖和目標(biāo)圖案之前形成縮小圖。附圖14包括一源自二倍和四倍附圖7a的接觸孔圖案的元件的CPL設(shè)計(jì)的圖象，其中具有+1區(qū)141和-1區(qū)142。然而，當(dāng)應(yīng)用一具有這樣的高空間頻率的圖案時(shí)，將得到一更復(fù)雜的圖案，也更不易根據(jù)當(dāng)前光刻掩遮膜的生產(chǎn)技術(shù)來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。但是理論上，圖案可以通過(guò)每次對(duì)空間頻率成分加倍時(shí)按50％的比例重復(fù)進(jìn)行縮小、并以產(chǎn)生一印制源所需周期圖案的CPL設(shè)計(jì)的方式重新構(gòu)造。
附圖15為示意性的示出了一適用于使用借助于本發(fā)明進(jìn)設(shè)計(jì)的掩膜的光刻投影設(shè)備。該設(shè)備包括-一輻射系統(tǒng)EX，IL，用于提供投影射束PB。在該具體實(shí)例中，輻射系統(tǒng)也包括輻射源LA；-一第一對(duì)象臺(tái)(掩膜臺(tái))MT，具有一掩膜固定架，用于放置掩膜MA(例如，一光刻掩遮膜)，并與第一定位裝置相連，以相應(yīng)于PL的位置準(zhǔn)確放置掩膜；-一第二對(duì)象臺(tái)(襯底臺(tái))WT，具有一襯底固定架，用于放置襯底W(例如，鍍膜硅片)，與第二定位裝置相連，以相應(yīng)于PL的位置準(zhǔn)確放置掩膜；-一投影系統(tǒng)(透鏡)PL(例如，折射，反射或反折射光學(xué)系統(tǒng))，用于映象掩膜MA的輻射區(qū)域至襯底W的目標(biāo)區(qū)域C(例如，包括一個(gè)或多個(gè)芯片)。
如上所述，該設(shè)備屬于透射類(lèi)型(即，有一透射掩膜)。然而，通常，它也可以是反射類(lèi)型，例如(具有一反射掩膜)。換句話(huà)說(shuō)，該設(shè)備可使用另一類(lèi)圖案形成工具，來(lái)替代掩膜；例如可包括一可編程反射陣列和光耦合器件矩陣。
光源LA(例如，汞燈，準(zhǔn)分子激光器或等離子區(qū)放電源)產(chǎn)生一輻射束。該射束，直接或經(jīng)調(diào)整裝置反轉(zhuǎn)后，被注入一照明系統(tǒng)(發(fā)光裝置)IL，例如一射束擴(kuò)展器。發(fā)光裝置IL可包括調(diào)整裝置AM，以設(shè)置光束強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部輻射程度，(通常被分別認(rèn)為是外部σ和內(nèi)部σ)。另外，它通常還包括許多其他元件，比如積分器IN和聚光器CO。這樣，碰撞在掩膜MA上的時(shí)束PB，將在其橫截面上產(chǎn)生所期望的均勻性和密度分布。
附圖15中還指出，光源LA位于光刻投影設(shè)備的殼體內(nèi)部(例如，通常當(dāng)光源LA是汞燈時(shí))，但是，也有可能位于光刻投影設(shè)備以外，射束將被導(dǎo)入該設(shè)備(例如，借助于適當(dāng)?shù)溺R子的引導(dǎo))；后者的方案通常用于光源LA為準(zhǔn)分子激光器時(shí)(例如，基于KrF，ArF或F2激光)。本發(fā)明包括了上述這些方案。
隨后置于掩膜臺(tái)MT上的掩膜MA阻隔了光束PB。穿過(guò)掩膜MA后，光束PB通過(guò)透鏡PL，所述透鏡PL將光束PB聚焦在襯底W的目標(biāo)區(qū)域C上。借助于第二定位裝置(以及干涉測(cè)量裝置IF)，襯底臺(tái)WT被準(zhǔn)確移動(dòng)，例如，以在射束PB路徑上定位不同的目標(biāo)區(qū)域C。同樣，第一定位裝置被用于相應(yīng)于射束PB準(zhǔn)確定位掩膜MA，例如，從掩膜庫(kù)中機(jī)械檢索所述掩膜MA后，或在掃描期間。通常，對(duì)象臺(tái)MT的移動(dòng)，WT將借助于長(zhǎng)行程模塊(粗略定位)以及短行程模塊(精細(xì)定位)，在附圖15中并未示出。然而，對(duì)于一晶片分擋器(與步進(jìn)掃描工具相反)，掩膜臺(tái)MT可僅連接短沖程調(diào)節(jié)器，或者被固定。
所述工具可通過(guò)以下兩種模式來(lái)應(yīng)用-在步進(jìn)模式中，掩膜臺(tái)MT實(shí)質(zhì)上是固定的，整個(gè)掩膜圖象被一次投射在目標(biāo)區(qū)域C上(即，一次燒制)。襯底臺(tái)WT可在X方向或Y方向平移，以通過(guò)射束PB輻射不同的目標(biāo)區(qū)域C；-在掃描模式，實(shí)質(zhì)上提供同樣的方案，只是給定的目標(biāo)區(qū)域C不是在一次燒制中曝光。相應(yīng)的，掩膜臺(tái)MT可在一給定方向(也稱(chēng)為“掃描方向”，例如，Y方向)以速度v移動(dòng)，以使投影射束PB掃描掩膜圖象；同時(shí)，襯底臺(tái)WT以速度V＝Mv沿相同或相反方向同時(shí)移動(dòng)，其中，M是透鏡PL的放大系數(shù)(一般，M＝1/4或1/5)。這樣，一相對(duì)較大的目標(biāo)區(qū)域C將被曝光，而并未損失分辨率。
如上所述，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有許多優(yōu)點(diǎn)。具體的說(shuō)，通過(guò)提供自動(dòng)形成原始掩膜設(shè)計(jì)的方法，使現(xiàn)在的掩膜設(shè)計(jì)者不用通過(guò)反復(fù)試驗(yàn)來(lái)進(jìn)行掩膜設(shè)計(jì)。因而，可有效減少與掩膜設(shè)計(jì)相關(guān)的時(shí)間和花費(fèi)的精力。并且，已不需要技術(shù)嫻熟的掩膜設(shè)計(jì)者來(lái)制造一高質(zhì)量的掩膜，將本發(fā)明的方法生產(chǎn)的原始掩膜優(yōu)化所需的技術(shù)水平低于設(shè)計(jì)一完整掩膜所需要的技術(shù)水平。
雖然本發(fā)明中公開(kāi)了一些具體的實(shí)例，但本發(fā)明仍可能應(yīng)用在其他涵蓋了本發(fā)明的精髓和實(shí)質(zhì)特征的實(shí)例中。當(dāng)前實(shí)施例從任何一點(diǎn)來(lái)看，均僅具有說(shuō)明性，而不具有限制性，本發(fā)明的范圍通過(guò)從屬權(quán)利要求予以表明，在與權(quán)利要求書(shū)相等的范圍內(nèi)的所有變化均在其范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于生成用于成像系統(tǒng)的一掩膜的方法，所述方法包括以下步驟(a)確定將要印制在一襯底上表示一電路設(shè)計(jì)的一目標(biāo)圖案；(b)通過(guò)使用小于1的系數(shù)縮所述小目標(biāo)圖案來(lái)生成一第一圖案；以及(c)通過(guò)執(zhí)行結(jié)合所述目標(biāo)圖案與所述第一圖案的布爾操作來(lái)生成第二圖案。
2.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于所述目標(biāo)圖案按照系數(shù)為0.5進(jìn)行縮小，以生成所述第一圖案。
3.如權(quán)利要求2所述方法，其特征在于所述目標(biāo)圖案具有空間頻率成分，且所述第一圖案具有為所述目標(biāo)圖案的空間頻率成分二倍的空間頻率成分。
4.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于所述目標(biāo)圖案為一具有若干線(xiàn)和間隔的線(xiàn)間隔圖案，每個(gè)所述線(xiàn)與所述間隔寬度相等。
5.如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于所述第二圖案表示用于印制所述目標(biāo)圖案的掩膜圖案。
6.一種生成一用于在一襯底上印制一目標(biāo)圖案的掩膜的設(shè)備，所述方法包括以下步驟用于確定表示要在襯底上印制的電路設(shè)計(jì)的目標(biāo)圖案的裝置；用于根據(jù)小于1的系數(shù)縮小所述目標(biāo)圖案來(lái)生成第一圖案的裝置；以及用于通過(guò)執(zhí)行合并所述目標(biāo)圖案與第一圖案的布爾操作來(lái)生成第二圖案的裝置。
7.如權(quán)利要求6所述設(shè)備，其特征在于所述目標(biāo)圖案按照系數(shù)為0.5進(jìn)行縮小，以生成所述第一圖案。
8.如權(quán)利要求7所述設(shè)備，其特征在于所述目標(biāo)圖案具有空間頻率成分，且所述第一圖案具有為所述目標(biāo)圖案的空間頻率成分二倍的空間頻率成分。
9.如權(quán)利要求6所述設(shè)備，其特征在于所述目標(biāo)圖案為一具有若干線(xiàn)和間隔的線(xiàn)間隔圖案，每個(gè)所述線(xiàn)與所述間隔寬度相等。
10.如權(quán)利要求6所述設(shè)備，其特征在于所述第二圖案表示用于印制所述目標(biāo)圖案的掩膜圖案。
11.一用于控制一計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括一可由計(jì)算機(jī)讀取的記錄介質(zhì)，記錄在該記錄介質(zhì)上的單元，該單元用于指導(dǎo)計(jì)算機(jī)生成至少一個(gè)相應(yīng)于光刻成像處理中所用掩膜的文件，所述文件的生成包括如下步驟(a)確定將要印制在一襯底上表示一電路設(shè)計(jì)的一目標(biāo)圖案；(b)通過(guò)使用小于1的系數(shù)縮小所述目標(biāo)圖案來(lái)生成一第一圖案；以及(c)通過(guò)執(zhí)行結(jié)合所述目標(biāo)圖案與所述第一圖案的布爾操作來(lái)生成第二圖案。
12.如權(quán)利要求11所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于所述目標(biāo)圖案按照系數(shù)為0.5進(jìn)行縮小，以生成所述第一圖案。
13.如權(quán)利要求2所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于所述目標(biāo)圖案具有空間頻率成分，且所述第一圖案具有為所述目標(biāo)圖案的空間頻率成分二倍的空間頻率成分。
14.如權(quán)利要求1所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于所述目標(biāo)圖案為一具有若干線(xiàn)和間隔的線(xiàn)間隔圖案，每個(gè)所述線(xiàn)與所述間隔寬度相等。
15.如權(quán)利要求1所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于所述第二圖案表示用于印制所述目標(biāo)圖案的掩膜圖案。
全文摘要
一種生成在一襯底上刻印目標(biāo)圖案時(shí)使用的掩膜的方法。該方法包括以下步驟(a)確定將要刻印在一襯底上表示一電路設(shè)計(jì)的一目標(biāo)圖案；(b)所述目標(biāo)圖案按照系數(shù)為0.5縮小，以生成第一圖案；以及(c)執(zhí)行布爾操作，結(jié)合目標(biāo)圖案與所述第一圖案，生成第二圖案。第二圖案作為目標(biāo)圖案被刻印于襯底上。
文檔編號(hào)G03F1/00GK1450406SQ0313076
公開(kāi)日2003年10月22日 申請(qǐng)日期2003年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月25日
發(fā)明者D·范登布雷克, J·F·陳 申請(qǐng)人:Asml蒙片工具有限公司