專利名稱：處理溶液施用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種處理溶液施用方法，用于將處理溶液如抗蝕劑施用于基片如半導(dǎo)體晶片的表面上。
在這種情況下，提出了一種不同的方法來用于將處理溶液施用于基片的整個(gè)表面上。在這種方法中，當(dāng)旋轉(zhuǎn)基片時(shí)，從其尖端輸送處理溶液的噴嘴在兩個(gè)位置之間移動(dòng)，一個(gè)位置是尖端與基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置，而另一個(gè)位置是尖端與基片的一個(gè)邊緣相對的位置。例如，這種施用方法公開于日本專利公開文本(未審查)No.2000-350955和2001-113217以及美國專利No.6,191,053；5,094,884和5,885,661中。
圖20為一個(gè)放大的不完全剖視圖，示出了施用于晶片W上的處理溶液101、102。
隨晶片W的表面情況而定，晶片表面可能對抗蝕劑具有較差的可濕性。因此，在上面提到的處理溶液的常規(guī)施用方法中，在鄰近旋轉(zhuǎn)中心和其它位置處，晶片W表面上對抗蝕劑或處理溶液的斥力會(huì)使處理溶液101造成遺漏或不勻，因而產(chǎn)生空隙103和104，如圖20中所示。如圖20中的數(shù)字102所標(biāo)示，另外施用大量的處理溶液對處理溶液的遺漏或不勻具有一定效果。然而，這種措施會(huì)產(chǎn)生的不同問題是需要過多的涂敷溶液。
在此以前提出的將處理溶液施用于晶片W的表面上的另外一種方法中，送往晶片W表面的處理溶液停止輸送一次，然后晶片W再次旋轉(zhuǎn)。這個(gè)步驟將處理溶液從晶片W的中心沿徑向向晶片W的邊緣展開，從而使晶片W表面上方的處理溶液的厚度保持一致。根據(jù)這種方法，即使在臨近晶片W的邊緣處發(fā)生溶液遺漏或不勻的情況時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)使得位于鄰近晶片W的中心處的處理溶液的過剩部分沿徑向向晶片W的邊緣展開。這可以產(chǎn)生一定效果而不會(huì)增加處理溶液的總量。然而，當(dāng)在鄰近晶片W的中心處因處理溶液的遺漏或不勻而產(chǎn)生空隙104時(shí)，晶片W的旋轉(zhuǎn)不能消除溶液的遺漏或不勻，因?yàn)闆]有東西來補(bǔ)償鄰近晶片W的中心處的溶液缺乏情況。
在上述的處理溶液常規(guī)施用方法中，從噴嘴輸送處理溶液的定時(shí)和噴嘴的運(yùn)動(dòng)的偏差也會(huì)造成鄰近基片中心處的處理溶液遺漏或不勻的情況。
根據(jù)本發(fā)明，以上目的通過一種包括如下步驟的處理溶液施用方法來實(shí)現(xiàn)，這些步驟是基片旋轉(zhuǎn)步驟，用于使基片以100rpm至500rpm的第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)，第一施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的一個(gè)邊緣相對的位置移向與基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液，第二施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴停止于與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置上而向基片表面供應(yīng)處理溶液，以及薄膜厚度調(diào)整步驟，用于停止從噴嘴輸送處理溶液，并使基片以比第一旋轉(zhuǎn)速度更快的第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)。
利用這種處理溶液施用方法，可以將處理溶液例如抗蝕劑均勻地施用于基片的整個(gè)表面上而不需要大量的溶液。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第二旋轉(zhuǎn)速度為1000rpm至3500rpm。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種處理溶液施用方法包括如下步驟基片旋轉(zhuǎn)步驟，用于使基片以第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)，第一施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的一個(gè)邊緣相對的位置移向與基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液，第二施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴停止于與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置上而向基片表面供應(yīng)處理溶液，第三施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置移向與基片的一個(gè)邊緣相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液，以及薄膜厚度調(diào)整步驟，用于停止從噴嘴輸送處理溶液，并使基片以比第一旋轉(zhuǎn)速度更快的第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)。
在第二施用步驟中，基片優(yōu)選地以比第一旋轉(zhuǎn)速度更慢的第三旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，例如100rpm至300rpm。
通過閱讀對本發(fā)明的實(shí)施例的以下詳細(xì)描述，將會(huì)對本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)有清楚了解。


圖1是一個(gè)側(cè)視圖，示意性示出了一種用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的處理溶液施用設(shè)備；圖2是一個(gè)平面圖，示意性示出了處理溶液施用設(shè)備；圖3是一個(gè)噴嘴的底視圖；圖4是噴嘴的剖視圖；圖5是一個(gè)說明性視圖，示出了六個(gè)處理溶液出口的一種角度布置方案；圖6是一個(gè)方框圖，示出了處理溶液施用設(shè)備的一種主電子構(gòu)成；圖7是一種處理溶液施用操作過程的流程圖；圖8是處理溶液施用操作過程的流程圖；圖9是一個(gè)說明性視圖，示出了噴嘴上的處理溶液出口的一種改型布置方案；圖10是一個(gè)說明性視圖，示出了噴嘴上的處理溶液出口的另一種改型布置方案；圖11是一個(gè)說明性視圖，示出了噴嘴上的處理溶液出口的又一種改型布置方案；圖12是一個(gè)說明性視圖，示出了噴嘴上的處理溶液出口的另外一種改型布置方案；圖13是一個(gè)說明性視圖，示出了噴嘴上的處理溶液出口的另外一種改型布置方案；圖14是一個(gè)說明性視圖，示出了噴嘴上的處理溶液出口的另外一種改型布置方案；圖15是一個(gè)側(cè)視圖，示意性示出了一種用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的處理溶液施用設(shè)備；圖16是一個(gè)平面圖，示意性示出了處理溶液施用設(shè)備；圖17是一種處理溶液施用操作過程的流程圖；圖18是處理溶液施用操作過程的流程圖；圖19是一個(gè)放大的不完全剖視圖，示出了施用于一個(gè)晶片上的處理溶液；以及圖20是一個(gè)放大的不完全剖視圖，示出了現(xiàn)有技術(shù)中施用于一個(gè)晶片上的處理溶液。
這種處理溶液施用設(shè)備包括一個(gè)旋轉(zhuǎn)卡頭13，用于通過吸引力在其后表面上支承著晶片W。旋轉(zhuǎn)卡頭13通過軸12連接于馬達(dá)11上。這樣，就可以操作馬達(dá)11而使得由旋轉(zhuǎn)卡頭13吸引支承著的晶片W在平行于晶片W的主平面的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
處理溶液施用設(shè)備包括一個(gè)噴嘴17，用于向晶片W的表面供應(yīng)作為處理溶液的抗蝕劑。噴嘴17連接于臂16上。臂16由一個(gè)移動(dòng)裝置45支承著，移動(dòng)裝置45具有一個(gè)內(nèi)置式移動(dòng)機(jī)構(gòu)以便沿導(dǎo)軌44移動(dòng)。這樣，噴嘴17就在移動(dòng)裝置45驅(qū)動(dòng)下在兩個(gè)位置之間平行于晶片W的主平面水平移動(dòng)，其中一個(gè)位置與旋轉(zhuǎn)中的晶片W的一個(gè)邊緣相對，在圖1和2中標(biāo)為(A)，而另一個(gè)位置與旋轉(zhuǎn)中的晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對，在圖1和2中標(biāo)為(B)。
圖3是噴嘴17的底視圖。圖4是噴嘴17的剖視圖。
噴嘴17包括一個(gè)限定了一個(gè)內(nèi)部空腔23的主體22。該空腔22通過形成于一對轉(zhuǎn)角調(diào)整構(gòu)件24和25以及一個(gè)固定式構(gòu)件26中的通道而與處理溶液供應(yīng)管27相連接。供應(yīng)管27通過開關(guān)閥28與一個(gè)圖中未示出的處理溶液源相連接。
噴嘴17的主體22具有六個(gè)處理溶液出口21，它們以固定間隔布置于其底面上。每個(gè)處理溶液出口21具有一個(gè)與主體22的空腔23相連接的排出口。通過一對轉(zhuǎn)角調(diào)整構(gòu)件24和25的作用，可以將主體22調(diào)整至選定的轉(zhuǎn)動(dòng)位置，如圖3中的箭頭所示。這就使得能夠?qū)χ黧w22底面上的六個(gè)處理溶液出口21的布置方向進(jìn)行調(diào)整。
圖5是一個(gè)說明性視圖，用于示出六個(gè)處理溶液出口21的布置方向的一個(gè)角度位置。
在圖5所示的狀態(tài)下，角θ形成于與晶片W的圓周的切線，即繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓的切線成直角延伸的法線和六個(gè)處理溶液出口21的布置方向之間(即噴嘴17的移動(dòng)方向和六個(gè)處理溶液出口21的布置方向之間)。在這種狀態(tài)下，六個(gè)處理溶液出口21的布置方向和與晶片W的圓周(即繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓)相切的方向相交成90度-θ角。通過以上轉(zhuǎn)角調(diào)整構(gòu)件24的作用，主體22可以進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)以調(diào)整角θ，從而調(diào)整六個(gè)處理溶液出口21的布置方向和與繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向相交所成的角。
圖3中所示的噴嘴17具有六個(gè)以固定間隔布置的處理溶液出口21。因此，處理溶液以固定間距從噴嘴17向晶片W供應(yīng)。與沒有間距而向晶片W的整個(gè)表面上供應(yīng)處理溶液的情況相比，通過以固定間距從噴嘴17向晶片W供應(yīng)處理溶液，可以減少消耗的處理溶液，特別是在靠近晶片W的邊緣處。另外，在沒有間距而向晶片W的整個(gè)表面上供應(yīng)處理溶液的情況中，處理溶液易于在旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力作用下而從重疊部分流向晶片W的邊緣。由于在隨后將要描述的薄膜厚度調(diào)整步驟之前的施用步驟中處理溶液從晶片W上溢出，因此處理溶液的消耗量就會(huì)增多并且/或者不勻地施用于晶片W上。通過以固定間距將處理溶液施用于晶片W上，就可以避免這些麻煩。這樣，處理溶液就可以均勻地施用于晶片W的表面上，同時(shí)可以限制處理溶液的消耗。在下文將要描述的薄膜厚度調(diào)整步驟中，以固定間距供應(yīng)的處理溶液在晶片W的整個(gè)表面上展開。
這時(shí)，最好是根據(jù)處理溶液的粘度和晶片W的可濕性來調(diào)整向晶片W供應(yīng)的處理溶液的間隔。為此，這種處理溶液施用設(shè)備通過調(diào)整六個(gè)處理溶液出口21的布置方向和與繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向相交所成的角而調(diào)整向晶片W供應(yīng)的處理溶液的間隔。
圖6是一個(gè)方框圖，示出了以上處理溶液施用設(shè)備的一種主電子構(gòu)成。
這種處理溶液施用設(shè)備包括一個(gè)控制單元30，該控制單元30具有一個(gè)用于存儲(chǔ)控制設(shè)備所需的操作程序的只讀存儲(chǔ)器31、一個(gè)用于在控制操作過程中臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)等等的隨機(jī)存儲(chǔ)器32、以及一個(gè)用于執(zhí)行邏輯運(yùn)算的中央處理器33?？刂茊卧?0通過一個(gè)接口34與前文提到的開關(guān)閥28、馬達(dá)11和移動(dòng)裝置45相連接。這樣，控制單元30控制著旋轉(zhuǎn)卡頭13的旋轉(zhuǎn)速度、臂16的移動(dòng)速度以及處理溶液從噴嘴17的輸送定時(shí)。
明確地說，控制單元30控制著旋轉(zhuǎn)卡頭13的旋轉(zhuǎn)速度和移動(dòng)裝置45的移動(dòng)速度以便使得在由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的一次轉(zhuǎn)動(dòng)中，如圖5所示，噴嘴17移動(dòng)L+P的距離，即沿垂直于和繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向的方向(即噴嘴移動(dòng)方向)觀察的噴嘴17上的六個(gè)處理溶液出口21的布置長度L和沿噴嘴17的移動(dòng)方向觀察的每對鄰近出口21之間的間距或節(jié)距P之和。如果處理溶液出口21的數(shù)目為n，則P＝L/(n-1)。另外，控制單元30根據(jù)噴嘴17相對于隨旋轉(zhuǎn)卡頭13旋轉(zhuǎn)的晶片W的位置而控制著開關(guān)閥28的打開和關(guān)閉。
下面，將對通過使用以上處理溶液施用設(shè)備向晶片W施用處理溶液的操作進(jìn)行描述。圖7和8是處理溶液施用操作過程的流程圖。
當(dāng)啟動(dòng)處理溶液施用操作時(shí)，噴嘴17位于與由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的邊緣相對的位置，在圖1和2中標(biāo)為(A)。
在這種狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于主平面的平面中旋轉(zhuǎn)(步驟S1)。優(yōu)選地，第一旋轉(zhuǎn)速度為100rpm至500rpm的量級。
然后，打開開關(guān)閥28以便從噴嘴17輸送處理溶液(步驟S2)，并且臂16隨移動(dòng)裝置45一起移動(dòng)以便將噴嘴17移向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心(步驟S3)。在這種狀態(tài)下，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度大約為100rpm至500rpm以防處理溶液向晶片W之外散開。這樣，就能夠適當(dāng)?shù)毓?yīng)處理溶液而同時(shí)能夠避免處理溶液過多消耗并且不會(huì)在晶片W表面上留下處理溶液遺漏或不勻的情況。
如前文中所提到的那樣，控制單元30控制著旋轉(zhuǎn)卡頭13的旋轉(zhuǎn)速度和移動(dòng)裝置45的移動(dòng)速度以便使得在由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的一次旋轉(zhuǎn)中，噴嘴17移動(dòng)L+P的距離，即沿垂直于和繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向的方向(即噴嘴移動(dòng)方向)觀察的噴嘴17上的六個(gè)處理溶液出口21的布置長度L和沿噴嘴17的移動(dòng)方向觀察的每對鄰近出口21之間的間距或節(jié)距P之和(圖5)。此處處理溶液出口21的數(shù)目為n，則P＝L/(n-1)。這種控制方法能夠有效地向晶片W的整個(gè)表面供應(yīng)處理溶液而同時(shí)可以避免處理溶液重復(fù)供向晶片W表面上的相同位置。因此，就可以進(jìn)行下文中將要述及的薄膜厚度調(diào)整步驟而不會(huì)遇到處理溶液已從溶液重復(fù)供應(yīng)的位置處散開的現(xiàn)象，因此不可能在鄰近這些位置的區(qū)域上形成處理溶液均勻的情況。這樣，就可以利用少量的處理溶液來高效地對晶片W進(jìn)行處理。
當(dāng)噴嘴17到達(dá)與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖1和2中標(biāo)為(B)的位置(步驟S4)時(shí)，噴嘴17停止移動(dòng)(步驟S5)。在這種狀態(tài)下經(jīng)過大約0.1至1秒以便向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍供應(yīng)所需數(shù)量的處理溶液(步驟S6)的時(shí)候，開關(guān)閥28關(guān)閉以便停止從噴嘴17輸送處理溶液(步驟S7)。在這種狀態(tài)下，所需數(shù)量的處理溶液已從保持靜止的噴嘴17供向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的區(qū)域，易于造成施用處理溶液不勻的情況。
這時(shí)，優(yōu)選地，噴嘴17的位置使得處理溶液出口21中的任一個(gè)與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對。這種設(shè)置能夠保證向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心供應(yīng)處理溶液。
然后，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于主平面的平面中旋轉(zhuǎn)(步驟S8)。優(yōu)選地，第二旋轉(zhuǎn)速度為1000rpm至3500rpm的量級。結(jié)果，已供的處理溶液在離心力作用下在晶片W的表面上展開，從而在晶片W的表面上形成均勻的處理溶液薄膜。
圖19是一個(gè)放大的不完全剖視圖，示出了施用于晶片W上的處理溶液100的情況。
在這個(gè)實(shí)施例中，如圖19所示，供向旋轉(zhuǎn)中心周圍處的處理溶液數(shù)量大于晶片W的其它區(qū)域。處理溶液按固定間隔供向晶片W，這就可能在晶片W表面上產(chǎn)生未被處理溶液覆蓋的區(qū)域。然而，晶片W的旋轉(zhuǎn)使處理溶液從鄰近旋轉(zhuǎn)中心處向晶片W的周邊區(qū)域展開。這樣就可以在晶片表面上形成均勻薄膜而不會(huì)產(chǎn)生施用遺漏或不勻的情況，并且不會(huì)增加處理溶液的總體數(shù)量。即使在晶片W具有很差的可濕性和處理溶液施用步驟在鄰近晶片W的中心處留下施用遺漏或不勻的情況時(shí)，遺漏或不勻情況也可以在隨后的薄膜厚度調(diào)整步驟中通過向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的區(qū)域增加供應(yīng)處理溶液而得以消除。另外，如圖19中所示，處理溶液的供應(yīng)可以使得其線寬從晶片W的邊緣向中心逐漸增大。這就使得處理溶液在隨后的厚度調(diào)整步驟中能夠均勻有效地展開于晶片表面上。
在經(jīng)過一個(gè)固定時(shí)間(步驟S9)從而在晶片W的表面上形成均勻的處理溶液薄膜后，旋轉(zhuǎn)卡頭13停止旋轉(zhuǎn)(步驟S10)以便結(jié)束處理溶液施用操作。
下面，將對本發(fā)明的另一個(gè)不同實(shí)施例中的處理溶液施用設(shè)備進(jìn)行描述。
如圖3中所示，上述處理溶液施用設(shè)備的噴嘴17具有六個(gè)以固定間隔布置在主體22的底面上的處理溶液出口21。如圖9中所示，本實(shí)施例的處理溶液施用設(shè)備包括的一個(gè)噴嘴17具有布置于主體22的底面上的七個(gè)處理溶液出口21，它們位于一個(gè)正六邊形的各個(gè)頂點(diǎn)上和連接這些頂點(diǎn)的圓的中心處。這種處理溶液施用設(shè)備的其它方面與前述實(shí)施例相同，因而將不進(jìn)行具體描述。
如圖9所示，在本實(shí)施例的噴嘴17中，布置于正六邊形的頂點(diǎn)上的處理溶液出口21之一與噴嘴17的移動(dòng)方向(圖9中的水平方向)成角θ2。布置于正六邊形的頂點(diǎn)上的處理溶液出口21彼此相隔60度，在圖9中由θ1表示。
此處七個(gè)處理溶液出口21按照這種方式布置于噴嘴17上并且θ2的值大約為10.89度，并且這些處理溶液出口21在噴嘴17的移動(dòng)方向(圖9中的水平方向)上相隔固定間距，在圖9中用P表示。
具有本實(shí)施例的噴嘴17的處理溶液施用設(shè)備也按照圖7和8的流程圖中所示的順序執(zhí)行將處理溶液施用于晶片W上的操作。
這樣，當(dāng)啟動(dòng)處理溶液施用操作時(shí)，噴嘴17位于與由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的邊緣相對的位置，在圖1和2中標(biāo)為(A)。在這種狀態(tài)下，噴嘴17的定向使得圖9中的水平方向與噴嘴17的移動(dòng)方向相對應(yīng)。在這種狀態(tài)下，七個(gè)處理溶液出口21在噴嘴17的移動(dòng)方向上相隔固定節(jié)距P。這樣，處理溶液將能夠以固定節(jié)距從該噴嘴17供向晶片W。
在這種狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于主平面的平面中旋轉(zhuǎn)(步驟S1)。優(yōu)選地，與前述實(shí)施例一樣，第一旋轉(zhuǎn)速度為100rpm至500rpm的量級。
然后，打開開關(guān)閥28以便從噴嘴17輸送處理溶液(步驟S2)，并且臂16隨移動(dòng)裝置45一起移動(dòng)以便將噴嘴17移向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心(步驟S3)。在這種狀態(tài)下，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度大約為100rpm至500rpm以防處理溶液向晶片W之外散開。這樣，就能夠適當(dāng)?shù)毓?yīng)處理溶液而同時(shí)能夠避免處理溶液過多消耗并且不會(huì)在晶片W表面上留下處理溶液遺漏或不勻的情況。
如前文中所提到的那樣，與沒有間距而向晶片W的整個(gè)表面上供應(yīng)處理溶液的情況相比，通過以固定間距從噴嘴17向晶片W供應(yīng)處理溶液，可以減少消耗的處理溶液，特別是在靠近晶片W的邊緣處。另外，在沒有間距而向晶片W的整個(gè)表面上供應(yīng)處理溶液的情況中，處理溶液易于在旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力作用下而從重疊部分流向晶片W的邊緣。在隨后將要描述的薄膜厚度調(diào)整步驟之前的施用步驟中，處理溶液可能從晶片W上溢出并且/或者不勻地施用于晶片W上。通過以固定間距將處理溶液施用于晶片W上，就可以避免這些麻煩。這樣，就可以在減少處理溶液數(shù)量的情況下，均勻地覆蓋晶片W的表面。在下文將要描述的薄膜厚度調(diào)整步驟中，以固定間距供應(yīng)的處理溶液在晶片W的整個(gè)表面上展開。
控制單元30控制著旋轉(zhuǎn)卡頭13的旋轉(zhuǎn)速度和移動(dòng)裝置45的移動(dòng)速度以便使得在由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的一次旋轉(zhuǎn)中，噴嘴17移動(dòng)L+P的距離，即沿垂直于和繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向的方向(即噴嘴移動(dòng)方向)觀察的噴嘴17上的六個(gè)出口21的布置長度L和沿噴嘴17的移動(dòng)方向觀察的每對鄰近出口21之間的間距或節(jié)距P之和(圖5)。此處出口21的數(shù)目為n，則P＝L/(n-1)。這種控制方法能夠有效地向晶片W的整個(gè)表面供應(yīng)處理溶液而同時(shí)可以避免處理溶液重復(fù)供向晶片W表面上的相同位置。因此，就可以進(jìn)行下文中將要述及的薄膜厚度調(diào)整步驟而不會(huì)遇到處理溶液已從溶液重復(fù)供應(yīng)的位置處散開的現(xiàn)象，因此不可能在鄰近這些位置的區(qū)域上形成處理溶液均勻的情況。這樣，就可以利用少量的處理溶液來高效地對晶片W進(jìn)行處理。
當(dāng)噴嘴17到達(dá)與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖1和2中標(biāo)為(B)的位置(步驟S4)時(shí)，噴嘴17停止移動(dòng)(步驟S5)。在這種狀態(tài)下經(jīng)過大約0.1至1秒以便向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍供應(yīng)所需數(shù)量的處理溶液(步驟S6)的時(shí)候，開關(guān)閥28關(guān)閉以便停止從噴嘴17輸送處理溶液(步驟S7)。在這種狀態(tài)下，所需數(shù)量的處理溶液已從保持靜止的噴嘴17供向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的區(qū)域，易于造成施用處理溶液不勻的情況。
這時(shí)，優(yōu)選地，噴嘴17的位置使得處理溶液出口21中的任一個(gè)與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對。這種設(shè)置能夠保證向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心供應(yīng)處理溶液。
在這種情況下特別優(yōu)選的是噴嘴17的位置使得位于中心的處理溶液出口21(即位于連接六邊形的頂點(diǎn)的圓的中心處的出口21)與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對。也就是說，當(dāng)如前述實(shí)施例那樣處理溶液出口21線性布置時(shí)，由于晶片W的轉(zhuǎn)角不同，因此從噴嘴17停止運(yùn)動(dòng)直到停止輸送處理溶液為止，晶片W的轉(zhuǎn)數(shù)的整數(shù)發(fā)生任何偏差都會(huì)導(dǎo)致供向與噴嘴17相對的區(qū)域的處理溶液的數(shù)量發(fā)生變化。通過定位噴嘴17以便使得位于中心處的處理溶液出口21與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對，可以避免這種麻煩。
隨后，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于主平面的平面中旋轉(zhuǎn)(步驟S8)。優(yōu)選地，與前述實(shí)施例一樣，第二旋轉(zhuǎn)速度為1000rpm至3500rpm的量級。結(jié)果，已供的處理溶液在離心力作用下在晶片W的表面上展開，從而在晶片W的表面上形成均勻的處理溶液薄膜。
另外在本實(shí)施例中，如圖19所示，供向旋轉(zhuǎn)中心周圍處的處理溶液數(shù)量大于晶片W的其它區(qū)域。處理溶液按固定間隔供向晶片W，這就可能在晶片W表面上產(chǎn)生未被處理溶液覆蓋的區(qū)域。然而，晶片W的旋轉(zhuǎn)使處理溶液從鄰近旋轉(zhuǎn)中心處向晶片W的周邊區(qū)域展開。這樣就可以在晶片表面上形成均勻薄膜而不會(huì)產(chǎn)生施用遺漏或不勻的情況，并且不會(huì)增加處理溶液的總體數(shù)量。即使在晶片W具有很差的可濕性和處理溶液施用步驟在鄰近晶片W的中心處留下施用遺漏或不勻的情況時(shí)，遺漏或不勻情況也可以在隨后的薄膜厚度調(diào)整步驟中通過向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的區(qū)域增加供應(yīng)處理溶液而得以消除。另外，如圖19中所示，處理溶液的供應(yīng)可以使得其線寬從晶片W的邊緣向中心逐漸增大。這就使得處理溶液在隨后的厚度調(diào)整步驟中能夠均勻有效地展開于晶片表面上。
在經(jīng)過固定時(shí)間(步驟S9)從而在晶片W的表面上形成均勻的處理溶液薄膜后，旋轉(zhuǎn)卡頭13停止旋轉(zhuǎn)(步驟S10)以便結(jié)束處理溶液施用操作。
本實(shí)施例中的噴嘴17具有布置于一個(gè)正六邊形的各個(gè)頂點(diǎn)上和連接這些頂點(diǎn)的圓的中心處的處理溶液出口21。圖9中的角θ2設(shè)置成10.89度左右，并且這些處理溶液出口21可以在噴嘴17的移動(dòng)方向(圖9中的水平方向)上相隔固定節(jié)距P。然而，本發(fā)明并不限于這種布置方案。
舉例來說，本發(fā)明可以使用如圖10中所示的噴嘴17。該噴嘴17具有總共11個(gè)處理溶液出口21，它們布置于一個(gè)圓上的十邊形頂點(diǎn)和圓的中心處。該十邊形并非正十邊形，以便使得各個(gè)出口21可在噴嘴17的移動(dòng)方向(圖10中的水平方向)上相隔恒定的節(jié)距P。
同樣，如圖11中所示，所使用的噴嘴17可具有總共九個(gè)處理溶液出口21，它們布置于一個(gè)圓上的八邊形頂點(diǎn)和圓的中心處。該八邊形并非正八邊形，以便使得各個(gè)出口21可在噴嘴17的移動(dòng)方向(圖11中的水平方向)上相隔恒定的節(jié)距P。
在每個(gè)以上實(shí)例中，處理溶液出口21都布置于一個(gè)多邊形的頂點(diǎn)和連接這些頂點(diǎn)的圓的中心處。然而，位于連接這些頂點(diǎn)的圓的中心處的出口21可以省掉。
圖12是一個(gè)說明性視圖，示出了這種噴嘴17上的處理溶液出口21的一種布置方案。該處理溶液施用設(shè)備的噴嘴17的處理溶液出口21布置于主體22的底面上的五邊形的頂點(diǎn)上。這些處理溶液出口21布置在公共的圓上。這些處理溶液出口21關(guān)于直線對稱，其中圖12中所示的角θ3設(shè)定為72.25度，θ4設(shè)定為79.32度而θ5設(shè)定為56.87度。利用這種布置方案，各個(gè)處理溶液出口21就可在噴嘴17的移動(dòng)方向(圖12中的水平方向)上相隔恒定的節(jié)距P。
同樣，如圖13中所示，處理溶液出口21可以布置于某個(gè)圓上的六邊形頂點(diǎn)上。如圖14中所示，出口21可以布置于某個(gè)圓上的七邊形頂點(diǎn)上。
下面對本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中的處理溶液施用方法進(jìn)行描述。圖15是一個(gè)側(cè)視圖，示意性示出了一種用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的處理溶液施用設(shè)備。圖16為該設(shè)備的平面圖。
在前述實(shí)施例中，噴嘴17從與旋轉(zhuǎn)卡頭13上的晶片W的邊緣相對的在圖1和2中標(biāo)為(A)的位置向與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖1和2中標(biāo)為(B)的位置移動(dòng)。在本實(shí)施例中，噴嘴17從與旋轉(zhuǎn)卡頭13上的晶片W的邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(A)的位置向與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖15和16中標(biāo)為(B)的位置移動(dòng)，并繼續(xù)向與晶片W的另一相對邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(C)的位置移動(dòng)。本實(shí)施例中所使用的處理溶液施用設(shè)備和噴嘴17具有與前述實(shí)施例中相同的構(gòu)型。
圖17和18是根據(jù)本實(shí)施例的處理溶液施用操作過程的流程圖。
當(dāng)啟動(dòng)本實(shí)施例的處理溶液施用操作時(shí)，噴嘴17位于與由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的邊緣相對的位置，在圖15和16中標(biāo)為(A)。
在這種狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于主平面的平面中旋轉(zhuǎn)(步驟S11)。優(yōu)選地，第一旋轉(zhuǎn)速度為100rpm至500rpm的量級。
然后，打開開關(guān)閥28以便從噴嘴17輸送處理溶液(步驟S12)，并且移動(dòng)臂16以便將噴嘴17移向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心(步驟S13)。在這種狀態(tài)下，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度大約為100rpm至500rpm，這樣就能夠適當(dāng)?shù)毓?yīng)處理溶液而不會(huì)消耗大量處理溶液。
當(dāng)噴嘴17到達(dá)與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖15和16中標(biāo)為(B)的位置(步驟S14)時(shí)，噴嘴17停止移動(dòng)(步驟S15)并且驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第三旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)(步驟S16)。
優(yōu)選地，第三旋轉(zhuǎn)速度為100rpm至300rpm的數(shù)量級。在這種狀態(tài)下，所需數(shù)量的處理溶液已從保持靜止的噴嘴17供向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的區(qū)域，易于造成施用處理溶液不勻的情況。晶片W的100rpm至300rpm的旋轉(zhuǎn)速度就會(huì)產(chǎn)生減小用于展開施用于晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的處理溶液的離心力的作用的效果。
在這種狀態(tài)下經(jīng)過大約0.1至1秒(步驟S17)，噴嘴17從與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖15和16中標(biāo)為(B)的位置移向與晶片W的邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(C)的位置(步驟S18)。這時(shí)，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便再次使晶片以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)(步驟S19)。同樣，在這種狀態(tài)下，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度大約為100rpm至500rpm，這樣就能夠適當(dāng)?shù)毓?yīng)處理溶液而不會(huì)消耗大量處理溶液。
當(dāng)噴嘴17到達(dá)與旋轉(zhuǎn)卡頭13上的晶片W的邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(C)的位置(步驟S20)時(shí)，開關(guān)閥28關(guān)閉以便停止從噴嘴17輸送處理溶液(步驟S21)，并且噴嘴17的運(yùn)動(dòng)也停止(步驟22)。
然后，驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)卡頭13以便使晶片W以第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于主平面的平面中旋轉(zhuǎn)(步驟S23)。優(yōu)選地，第二旋轉(zhuǎn)速度為1000rpm至3500rpm的量級。結(jié)果，已供的處理溶液在離心力作用下在晶片W的表面上展開，從而在晶片W的表面上形成均勻的處理溶液薄膜。
在經(jīng)過固定時(shí)間(步驟S24)從而在晶片W的表面上形成均勻的處理溶液薄膜后，旋轉(zhuǎn)卡頭13停止旋轉(zhuǎn)(步驟S25)以便結(jié)束處理溶液施用操作。
在以上實(shí)施例中，噴嘴17從與旋轉(zhuǎn)卡頭13上的晶片W的邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(A)的位置向與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖15和16中標(biāo)為(B)的位置移動(dòng)，并繼續(xù)向與晶片W的另一相對邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(C)的位置移動(dòng)。然而，噴嘴17也可以從與旋轉(zhuǎn)卡頭13上的晶片W的邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(A)的位置向與晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖15和16中標(biāo)為(B)的位置移動(dòng)，并隨后移回至與旋轉(zhuǎn)卡頭13上的晶片W的邊緣相對的在圖15和16中標(biāo)為(A)的位置。
在每個(gè)前述實(shí)施例中，噴嘴17線性地沿隨著旋轉(zhuǎn)卡頭13一起旋轉(zhuǎn)的晶片W的直徑移動(dòng)。相反，臂16可以適于繞垂直軸線擺動(dòng)以便使噴嘴17沿弓形軌跡擺動(dòng)。
在前述實(shí)施例中，噴嘴17在與旋轉(zhuǎn)晶片W的邊緣相對的在圖1和2中標(biāo)為(A)的位置和與旋轉(zhuǎn)晶片W的旋轉(zhuǎn)中心相對的在圖1和2中標(biāo)為(B)的位置之間移動(dòng)。噴嘴17的運(yùn)動(dòng)范圍并不限于以上范圍。舉例來說，位置(A)可以由在與旋轉(zhuǎn)晶片W的邊緣相對的位置內(nèi)側(cè)的位置所代替。
在前述實(shí)施例中，所述的處理溶液的線寬從晶片W的邊緣向中心逐漸增大，如圖19中所示。然而，本發(fā)明并不限于這種實(shí)施例。舉例來說，處理溶液可以按恒量供向遠(yuǎn)離晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的區(qū)域，而只向鄰近晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的區(qū)域增加供應(yīng)量。只要增加向鄰近晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的區(qū)域供應(yīng)的處理溶液數(shù)量，鄰近晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的增加數(shù)量的處理溶液就能有效消除晶片W的旋轉(zhuǎn)中心周圍的任何溶液遺漏或不勻情況并在薄膜厚度調(diào)整步驟中將溶液展開于晶片W的整個(gè)表面上。
在前述實(shí)施例中，所述的控制單元30控制著馬達(dá)11的轉(zhuǎn)動(dòng)速度和移動(dòng)裝置45的移動(dòng)速度以便使得在由旋轉(zhuǎn)卡頭13所支承的晶片W的一次旋轉(zhuǎn)中，噴嘴17沿垂直于和繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向的方向移動(dòng)L+P的距離(圖5)。然而，本發(fā)明并不限于這種實(shí)施例。舉例來說，控制單元30可以控制馬達(dá)11的轉(zhuǎn)動(dòng)速度和移動(dòng)裝置45的移動(dòng)速度以便使得在晶片W的一次旋轉(zhuǎn)中，噴嘴17沿垂直于和繞著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心的圓相切的方向的方向移動(dòng)至少L+P或者最多L+P的距離。
在前述實(shí)施例中，優(yōu)選地，從噴嘴17的每個(gè)處理溶液出口21供應(yīng)的處理溶液的線寬基本上大于每個(gè)出口21的直徑。假定從噴嘴17的每個(gè)處理溶液出口21供應(yīng)的處理溶液的線寬等于每個(gè)出口21的直徑，則各線之間的間隔必須減小到一定程度以便覆蓋晶片W的整個(gè)表面，盡管在晶片W中心周圍處理溶液的供應(yīng)量增加。然后，晶片W的旋轉(zhuǎn)速度和噴嘴17的移動(dòng)速度必須增大以便在不增加處理溶液總量的情況下將處理溶液供向晶片W上所有各處。增大晶片W的旋轉(zhuǎn)速度將會(huì)使大量的處理溶液從晶片W上散開。通過以基本上大于每個(gè)出口21的直徑的線寬從噴嘴17的每個(gè)處理溶液出口21供應(yīng)處理溶液，就可以高效地將處理溶液施用于晶片W的整個(gè)表面上而同時(shí)使晶片W低速旋轉(zhuǎn)。
在不背離其精神或基本屬性的情況下，本發(fā)明可以以其它具體形式實(shí)現(xiàn)，并且，相應(yīng)地，在指示本發(fā)明的范圍時(shí)，應(yīng)當(dāng)參照所附權(quán)利要求，而非以上說明書。
權(quán)利要求
1.一種處理溶液施用方法，包括基片旋轉(zhuǎn)步驟，用于使基片以100rpm至500rpm的第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)；第一施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使所述噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的一邊緣相對的位置移向與基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液；第二施用步驟，用于通過在從所述噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使所述噴嘴停止于與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置上而向基片表面供應(yīng)處理溶液；以及薄膜厚度調(diào)整步驟，用于停止從所述噴嘴輸送處理溶液，并使基片以比所述第一旋轉(zhuǎn)速度更快的第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括多個(gè)處理溶液出口，所述處理溶液出口沿著與相切于繞著基片的旋轉(zhuǎn)中心的圓的方向相交的方向布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴可以進(jìn)行調(diào)整以便改變所述處理溶液出口的布置方向與相切于繞著基片的旋轉(zhuǎn)中心的圓的方向相交而成的角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括布置于一多邊形的各頂點(diǎn)上的多個(gè)處理溶液出口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括布置于一多邊形的各頂點(diǎn)和連接所述這些頂點(diǎn)的圓的中心上的多個(gè)處理溶液出口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括布置于一正六邊形的各頂點(diǎn)和連接所述這些頂點(diǎn)的圓的中心上的多個(gè)處理溶液出口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理溶液施用方法，其特征在于，在所述第一施用步驟中的基片的一次旋轉(zhuǎn)中，所述噴嘴移動(dòng)的量與所述噴嘴上的多個(gè)出口沿所述噴嘴的移動(dòng)方向的布置長度和所述出口沿所述噴嘴的移動(dòng)方向的節(jié)距之和相對應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述第二旋轉(zhuǎn)速度為1000rpm至3500rpm。
9.一種處理溶液施用方法，包括基片旋轉(zhuǎn)步驟，用于使基片以第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)；第一施用步驟，用于通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使所述噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的一邊緣相對的位置移向與基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液；第二施用步驟，用于通過在從所述噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使所述噴嘴停止于與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置上而向基片表面供應(yīng)處理溶液；第三施用步驟，用于通過在從所述噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使所述噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置移向與基片的一邊緣相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液；以及薄膜厚度調(diào)整步驟，用于停止從所述噴嘴輸送處理溶液，并使基片以比所述第一旋轉(zhuǎn)速度更快的第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括多個(gè)處理溶液出口，所述處理溶液出口沿著與相切于繞著基片的旋轉(zhuǎn)中心的圓的方向相交的方向布置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括布置于一多邊形的各頂點(diǎn)上的多個(gè)處理溶液出口。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括布置于一多邊形的各頂點(diǎn)和連接所述這些頂點(diǎn)的圓的中心上的多個(gè)處理溶液出口。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述噴嘴包括布置于一正六邊形的各頂點(diǎn)和連接所述這些頂點(diǎn)的圓的中心上的多個(gè)處理溶液出口。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，在所述第一施用步驟中的基片的一次旋轉(zhuǎn)中，所述噴嘴移動(dòng)的量與所述噴嘴上的多個(gè)出口沿所述噴嘴的移動(dòng)方向的布置長度和所述出口沿所述噴嘴的移動(dòng)方向的節(jié)距之和相對應(yīng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，在所述第二施用步驟中，基片以比所述第一旋轉(zhuǎn)速度更慢的第三旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述第三旋轉(zhuǎn)速度為100rpm至300rpm。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述第一旋轉(zhuǎn)速度為100rpm至500rpm。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理溶液施用方法，其特征在于，所述第二旋轉(zhuǎn)速度為1000rpm至3500rpm。
全文摘要
執(zhí)行基片旋轉(zhuǎn)步驟以便使基片以100rpm至500rpm的第一旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)。然后，執(zhí)行第一施用步驟以便通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴從與旋轉(zhuǎn)中的基片的一個(gè)邊緣相對的位置移至與基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置而向基片表面供應(yīng)處理溶液。接著，執(zhí)行第二施用步驟以便通過在從噴嘴輸送處理溶液的同時(shí)使噴嘴停止于與旋轉(zhuǎn)中的基片的旋轉(zhuǎn)中心相對的位置上而向基片表面供應(yīng)處理溶液。最后，執(zhí)行薄膜厚度調(diào)整步驟以便停止從噴嘴輸送處理溶液，并使基片以比第一旋轉(zhuǎn)速度更快的第二旋轉(zhuǎn)速度在平行于其主平面的平面中旋轉(zhuǎn)。
文檔編號(hào)G03F7/16GK1467793SQ03120119
公開日2004年1月14日 申請日期2003年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月10日
發(fā)明者茂森和士, 真田雅和, 和 申請人:大日本屏影象制造株式會(huì)社