專利名稱：降低反射的液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示(liquid crystal display)單元構(gòu)造及其形成方法。
背景技術(shù)：
圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示單元俯視圖。其中包含有多晶硅(poly-silicon)層104、第一金屬層108以及第二金屬層112?？梢钥吹綖榱嗽黾娱_(kāi)口率(aperture ratio)而裸露部份多晶硅層104。然而多晶硅層104的反射率很高，導(dǎo)致顯示器效能降低，例如對(duì)比度(contrast)下降。另外多晶硅層104露出面積大小不同，或結(jié)晶制程造成多晶硅層104反射率不一致則會(huì)使顯示器關(guān)機(jī)時(shí)有顏色不均(mura)的現(xiàn)象。
一般解決多晶硅層反射率的作法是利用黑色矩陣(black matrix)將多晶硅層遮住。該黑色矩陣可做在彩色濾光片(color filter)側(cè)或薄膜電晶體(thin film transistor)側(cè)。若做在彩色濾光片側(cè)，黑色矩陣須預(yù)留遮罩失準(zhǔn)(misalignment)的容忍面積，所以面積較大。若做在薄膜電晶體側(cè)，則須多一道制作黑色矩陣的制程。
因此需要一種液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法，能解決多晶硅層反射率問(wèn)題，且不須較大面積的黑色矩陣，制程也較簡(jiǎn)便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即提供一種液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法。該構(gòu)造及方法能解決多晶硅層反射率問(wèn)題，且不須較大面積黑色矩陣，制程也較簡(jiǎn)便。
本發(fā)明的主要方面在于提供一種液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法，可解決多晶硅層反射率問(wèn)題。
本發(fā)明的另一方面在于提供一種可解決多晶硅層反射率問(wèn)題的液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法，不須較大面積黑色矩陣，制程也較簡(jiǎn)便。
本發(fā)明提供一種液晶顯示單元構(gòu)造的形成方法。主要利用金屬層延伸而遮住原裸露的多晶硅層。該構(gòu)造的形成方法包含形成一半導(dǎo)體層、形成一絕緣層(insulator)在半導(dǎo)體層上、形成一第一金屬層在絕緣層上、形成一介電層(dielectric)在第一金屬層上，以及形成一第二金屬層在介電層上。其中第一金屬層與第二金屬層都位于半導(dǎo)體層上方。并且第一及/或第二金屬層延伸而遮住半導(dǎo)體層的一部份或全部。此處所述半導(dǎo)體層的一部分是指半導(dǎo)體層面積的百分之七十以上的部分。第一金屬層包含一共同線(common line)或一閘極線(gate line)，而第二金屬層包含一資料線(data line)。
本發(fā)明也提供如上面的方法所形成的液晶顯示單元構(gòu)造。該構(gòu)造包含一半導(dǎo)體層、一第一金屬層，及一第二金屬層。其中第一金屬層與第二金屬層都位于半導(dǎo)體層上方。且第一及/或第二金屬層延伸而遮住半導(dǎo)體層的一部份或全部。此處所述半導(dǎo)體層的一部分是指半導(dǎo)體層面積的百分之七十以上的部分。第一金屬層包含一共同線或一閘極線，而第二金屬層包含一資料線。


為解釋本發(fā)明，附上圖式并做以下的敘述。其中類似的編號(hào)表示類似的元件圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示單元俯視圖；圖2為本發(fā)明的較佳實(shí)施例形成方法剖面示意圖；圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例剖面示意圖；圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例剖面示意圖；圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例剖面示意圖；圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例剖面示意圖；圖7為本發(fā)明第五實(shí)施例剖面示意圖；圖8為本發(fā)明第六實(shí)施例剖面示意圖；圖9為本發(fā)明的較佳實(shí)施例俯視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法。主要利用金屬層延伸而遮住原裸露的多晶硅層。本發(fā)明的較佳實(shí)施例的形成方法剖面示意圖如圖2。首先形成一多晶硅層104在基板102上(步驟20)。再形成一絕緣層106在多晶硅層104上(步驟22)。再形成一第一金屬層208在絕緣層106上(步驟24)。接著形成一介電層110在第一金屬層208上(步驟26)。最后形成一第二金屬層212在介電層110上(步驟28)。其中第一金屬層208與第二金屬層212都位于多晶硅層104上方。該較佳實(shí)施例中第一金屬層208與第二金屬層212都延伸而遮住多晶硅層104的全部。第一金屬層208可包含一共同線214或一閘極線(圖2中未示)，此實(shí)施例為一共同線214。而第二金屬層212包含一資料線218。
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例剖面示意圖。其中第一金屬層208包含一共同線214，且延伸而遮住多晶硅層104的全部。第二金屬層312包含一資料線318，則只遮住多晶硅層104的一部份。此處所述多晶硅層104的一部分是指多晶硅層104面積的百分之七十以上的部分。
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例剖面示意圖。其中第一金屬層408包含一閘極線416，且延伸而遮住多晶硅層104的全部。第二金屬層312則只遮住多晶硅層104的一部份。此處所述多晶硅層104的一部分是指多晶硅層104面積的百分之七十以上的部分。
圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例剖面示意圖。其中第一金屬層508包含一共同線514，而只遮住多晶硅層104的一部份。第二金屬層212包含一資料線218，則延伸而遮住多晶硅層104的全部。此處所述多晶硅層104的一部分是指多晶硅層104面積的百分之七十以上的部分。
圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例剖面示意圖。其中第一金屬層608包含一閘極線616，而只遮住多晶硅層104的一部份。第二金屬層212則延伸而遮住多晶硅層104的全部。此處所述多晶硅層104的一部分是指多晶硅層104面積的百分之七十以上的部分。
圖7為本發(fā)明第五實(shí)施例剖面示意圖。該第五實(shí)施例為較佳實(shí)施例之一。其中第一金屬層208包含一共同線214，第二金屬層212則包含一資料線218。第一金屬層208與第二金屬層212都延伸而遮住多晶硅層104的全部。
圖8為本發(fā)明第六實(shí)施例剖面示意圖。該第六實(shí)施例為較佳實(shí)施例之一。其中第一金屬層808包含一閘極線816。第一金屬層808與第二金屬層212都延伸而遮住多晶硅層104的全部。
圖9為本發(fā)明的一實(shí)施例俯視圖。以該實(shí)施例與圖1相比較可發(fā)現(xiàn)第一金屬層208、808與第二金屬層212均延伸而遮住原本裸露的多晶硅層104(圖9中未示)。如此可不增加黑色矩陣面積或制程而解決多晶硅層104反射率的問(wèn)題。
以上所述是本發(fā)明較佳的實(shí)施例以及設(shè)計(jì)，這些實(shí)施例以及設(shè)計(jì)僅是舉例說(shuō)明，并非用于限制本發(fā)明的范圍，凡以等同的技術(shù)手段或者在權(quán)利要求所涵蓋的范圍內(nèi)的任何變形，均不脫離本發(fā)明的權(quán)利范圍及其范疇。
圖式元件符號(hào)說(shuō)明102基板104多晶硅層106絕緣層108、208、408、508、608、808第一金屬層110介電層112、212、312第二金屬層114、214、514共同線116、416、616、816閘極線118、218、318資料線
權(quán)利要求
1.一種在一基板(substrate)上形成一液晶顯示單元構(gòu)造的方法，其特征在于，所述方法包含形成一半導(dǎo)體層在所述基板上；形成一絕緣層(insulator)在所述半導(dǎo)體層上；形成一第一金屬層在所述絕緣層上，所述第一金屬層位于所述半導(dǎo)體層上方，并且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步特征在于，更包含形成一介電層(dielectric)在所述第一金屬層上；形成一第二金屬層在所述介電層上，所述第二金屬層位于所述半導(dǎo)體層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部；其中，所述第一金屬層包含一共同線(common line)或一閘極線(gate line)，所述第二金屬層包含一資料線(data line)，所述半導(dǎo)體層包含一多晶硅(poly-silicon)層，所述半導(dǎo)體層的一部分是指不少于所述半導(dǎo)體層面積的百分之七十的部分。
3.一種在一基板上形成一液晶顯示單元構(gòu)造的方法，其特征在于，所述方法包含形成一半導(dǎo)體層在所述基板上；形成一絕緣層在所述半導(dǎo)體層上；形成一第一金屬層在所述絕緣層上；形成一介電層在所述第一金屬層上；形成一第二金屬層在所述介電層上，所述第二金屬層位于所述半導(dǎo)體層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步特征在于，其中所述第一金屬層位于所述半導(dǎo)體層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部，所述第一金屬層包含一共同線或一閘極線，所述第二金屬層包含一資料線，所述半導(dǎo)體層包含一多晶硅(poly-silicon)層，所述半導(dǎo)體層的一部分是指不少于所述半導(dǎo)體層面積的百分之七十的部分。
5.一種液晶顯示單元構(gòu)造，其特征在于，包含一半導(dǎo)體層；一第一金屬層，位于所述半導(dǎo)體層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部；其中所述第一金屬層包含一共同線。
6.一種液晶顯示單元構(gòu)造，其特征在于，包含一半導(dǎo)體層；一第一金屬層，位于所述半導(dǎo)體層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部；其中所述第一金屬層包含一閘極線。
7.如權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示單元構(gòu)造，其進(jìn)一步特征在于，更包含一第二金屬層，位于所述第一金屬層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部，其中所述第二金屬層包含一資料線，所述半導(dǎo)體層包含一多晶硅層，所述半導(dǎo)體層的一部分是指不少于所述半導(dǎo)體層面積的百分之七十的部分。
8.一種液晶顯示單元構(gòu)造，其特征在于，包含一半導(dǎo)體層；一第一金屬層，位于所述半導(dǎo)體層上方，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部；其中所述第一金屬層包含一資料線。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示單元構(gòu)造，其進(jìn)一步特征在于，更包含一第二金屬層，位于所述半導(dǎo)體層與所述第一金屬層之間，且遮住所述半導(dǎo)體層的一部分或全部，其中所述第二金屬層包含一共同線或一閘極線，所述半導(dǎo)體層包含一多晶硅層，所述半導(dǎo)體層的一部分是指不少于所述半導(dǎo)體層面積的百分之七十的部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示單元構(gòu)造及其形成方法。此構(gòu)造包含一半導(dǎo)體層、一第一金屬層及一第二金屬層。此形成方法包含形成一半導(dǎo)體層、形成一絕緣層在半導(dǎo)體層上、形成一第一金屬層在絕緣層上、形成一介電層在第一金屬層上，以及形成一第二金屬層在介電層上。其中第一金屬層與第二金屬層都位于半導(dǎo)體層上方。并且第一及/或第二金屬層延伸而遮住半導(dǎo)體層的一部份或全部。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK1515946SQ0310094
公開(kāi)日2004年7月28日 申請(qǐng)日期2003年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月7日
發(fā)明者張世昌, 蔡耀銘 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司