專(zhuān)利名稱(chēng)：像素結(jié)構(gòu)及薄膜晶體管陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)及薄膜晶體管陣列，且特別是有關(guān)于一種可降低薄膜晶體管中閘極-漏極電容(Cgd)的變異值的像素結(jié)構(gòu)及薄膜晶體管陣列。
背景技術(shù)：
液晶顯示器為平面顯示器的一種，其具有高畫(huà)質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動(dòng)、低消耗功率及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，因此，已被廣泛的應(yīng)用在中、小型可攜式電視、行動(dòng)電話(huà)、攝錄放影機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)、桌上型顯示器以及投影電視等消費(fèi)性電子或計(jì)算機(jī)產(chǎn)品。目前液晶顯示器的發(fā)展可略分為主動(dòng)矩陣式液晶顯示器(Active Matrix LCD)與被動(dòng)矩陣式液晶顯示器(Passive Matrix LCD)兩種，其中又以主動(dòng)矩陣式液晶顯示器最被看好成為下一代主要的產(chǎn)品。在主動(dòng)矩陣式液晶顯示器中，主要直接在像素電極處形成薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)或其它主動(dòng)組件來(lái)控制液晶顯示器的資料寫(xiě)入。因此，液晶顯示器中薄膜晶體管或其它主動(dòng)組件已成為各界研發(fā)的重點(diǎn)之一。
圖1A與圖1B是現(xiàn)有一種薄膜晶體管陣列的像素結(jié)構(gòu)的上視圖與I-I′剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A與圖1B，傳統(tǒng)形成于一基板100上的像素結(jié)構(gòu)是由包含一閘極102與一掃描配線(xiàn)104的第一導(dǎo)體層106、一閘極絕緣層108、一信道層110、含有一信號(hào)配線(xiàn)112與源極/漏極114的第二導(dǎo)體層116、一保護(hù)層118以及一像素電極120所構(gòu)成。其中，第一導(dǎo)體層106配置于基板100上。閘極絕緣層108配置于基板100上并覆蓋住第一導(dǎo)體層106。信道層110配置于閘極絕緣層108上且位于閘極102上方。第二導(dǎo)體層116配置于閘極絕緣層108上，且第二導(dǎo)體層116中的源極/漏極114配置于信道層110兩側(cè)。保護(hù)層118配置于閘極絕緣層108上并覆蓋住第二導(dǎo)體層116，且保護(hù)層118中具有接觸開(kāi)口122。像素電極120配置于保護(hù)層118上，其中像素電極120與源極/漏極114的一端(漏極端)利用上述接觸窗開(kāi)口122電性連接，而源極/漏極114的另一端(源極端)與信號(hào)配線(xiàn)112電性連接。
在現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中，由于漏極與像素電極彼此電性連接，故閘極-漏極電容(Cgd)會(huì)受到(1)漏極與閘極的相對(duì)位置地影響；(2)像素電極與閘極的相對(duì)位置而有所變動(dòng)。其中，由于閘極與漏極之間的距離較近，且閘極102與漏極重疊部位124的面積會(huì)因?yàn)椴竭M(jìn)曝光制程中的誤對(duì)準(zhǔn)(misalignment)而有所變動(dòng)，因此閘極-漏極電容(Cgd)的變動(dòng)主要是受到漏極與閘極相對(duì)位置的影響。薄膜晶體管陣列中，閘極-漏極電容(Cgd)的變動(dòng)會(huì)使得顯示時(shí)容易產(chǎn)生stitching block(shot mura)等現(xiàn)象。
此外，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管因制程控制不當(dāng)或其它因素而失效時(shí)，往往會(huì)有亮點(diǎn)產(chǎn)生不易修補(bǔ)，進(jìn)而影響顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在提出一種像素結(jié)構(gòu)及薄膜晶體管陣列，能夠大幅改善閘極-漏極電容(Cgd)的變動(dòng)情況。
本發(fā)明的另一目的在提出一種像素結(jié)構(gòu)及薄膜晶體管陣列，可輕易地將源極端與像素電極熔接，以達(dá)到亮點(diǎn)修補(bǔ)的目的。
為達(dá)本發(fā)明的上述或其它目的，提供一種薄膜晶體管陣列，由具有數(shù)個(gè)掃描配線(xiàn)的一第一圖案化導(dǎo)體層、一第一介電層、數(shù)個(gè)信道層、包括數(shù)個(gè)信號(hào)配線(xiàn)與數(shù)個(gè)源極/漏極的一第二圖案化導(dǎo)體層、一第二介電層以及數(shù)個(gè)像素電極所組成。其中，第一圖案化導(dǎo)體層配置于一基板上。第一介電層位于基板上并覆蓋住第一圖案化導(dǎo)體層。信道層則配置于第一介電層上且位于掃描配線(xiàn)上方。第二圖案化導(dǎo)體層配置于第一介電層上，第二圖案化導(dǎo)體層中的源極/漏極配置于掃描配線(xiàn)上方且位于信道層兩側(cè)。此外，第二介電層配置于第一介電層上并覆蓋住第二圖案化導(dǎo)體層上，且第二介電層中具有多個(gè)接觸開(kāi)口。像素電極配置于第二介電層上，其中像素電極與源極/漏極的一端(漏極端)電性連接，而源極/漏極的另一端(源極端)與信號(hào)配線(xiàn)電性連接。
本發(fā)明又提供一種像素結(jié)構(gòu)，由一掃描配線(xiàn)、一第一介電層、一信道層、包括一信號(hào)配線(xiàn)與一源極/漏極的導(dǎo)體層、一第二介電層以及一像素電極所構(gòu)成。其中，掃描配線(xiàn)配置于基板上。第一介電層配置于基板上并覆蓋住掃描配線(xiàn)。信道層配置于第一介電層上且位于該掃描配線(xiàn)上方。導(dǎo)體層配置于第一介電層上，導(dǎo)體層中的源極/漏極配置于掃描配線(xiàn)上方且位于該信道層兩側(cè)。此外，第二介電層配置于第一介電層上并覆蓋住導(dǎo)體層上，且第二介電層中具有多個(gè)接觸開(kāi)口。像素電極則配置于第二介電層上，其中像素電極與源極/漏極的一端(漏極端)電性連接，而源極/漏極的另一端(源極端)與信號(hào)配線(xiàn)電性連接。
本發(fā)明因?yàn)閷⒄麄€(gè)薄膜晶體管陣列中的源極/漏極配置于掃描配線(xiàn)上，所以閘極和漏極之間所形成的閘極-漏極電容(Cgd)幾乎不會(huì)有變動(dòng)。
而且，本發(fā)明中的像素電極與掃描配線(xiàn)中作為閘極的部分雖然仍會(huì)形成閘極-漏極電容(Cgd)，但因像素電極與掃描配線(xiàn)作為閘極部分的距離較遠(yuǎn)(相較于漏極與閘極的距離而言)，因此像素電極與閘極之間的閘極-漏極電容(Cgd)值較小，連帶閘極-漏極電容(Cgd)的變動(dòng)也小。換言之，即使像素電極與閘極之間的閘極-漏極電容(Cgd)有所變動(dòng)，整體上其對(duì)于閘極-漏極電容(Cgd)的影響亦十分有限。
此外，因?yàn)楸景l(fā)明可將像素電極延伸至信道層兩側(cè)的源極/漏極，所以當(dāng)某一像素結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管失效時(shí)，可以把像素電極中延伸至漏極上方的部位切斷，以使像素電極與漏極分離，并且把像素電極中延伸至源極上方的部位熔接至源極，而達(dá)到修補(bǔ)的功效。
另外，由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中的源極/漏極是配置于掃描配線(xiàn)上，所以開(kāi)口率很高。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1A與圖1B是現(xiàn)有一種薄膜晶體管陣列的像素結(jié)構(gòu)的上視圖與I-I′剖面示意圖；以及圖2A與圖2B是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列的像素結(jié)構(gòu)的上視圖與II-II′剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明可應(yīng)用于薄膜晶體管陣列，而其中每一像素結(jié)構(gòu)如圖2A與圖2B所示。
圖2A與圖2B是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列的像素結(jié)構(gòu)的上視圖與II-II′剖面示意圖，請(qǐng)參照?qǐng)D2A與圖2B，其繪示的像素結(jié)構(gòu)由具有掃描配線(xiàn)204的一第一圖案化導(dǎo)體層、一第一介電層208、一信道層210、包括一信號(hào)配線(xiàn)212與源極/漏極214的一第二圖案化導(dǎo)體層216、一第二介電層218以及一像素電極220所組成。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2A與圖2B，上述各部分的掃描配線(xiàn)204配置于一基板200上。第一介電層208位于基板200上并覆蓋住掃描配線(xiàn)204。信道層210則配置于第一介電層208上且位于掃描配線(xiàn)204上方。第二圖案化導(dǎo)體層216配置于第一介電層208上，且第二圖案化導(dǎo)體層216中的源極/漏極214配置于掃描配線(xiàn)204上方，且位于信道層210兩側(cè)。第二介電層218配置于第一介電層208上并覆蓋住第二圖案化導(dǎo)體層216，且保護(hù)層218中具有接觸開(kāi)口222。像素電極220則配置于第二介電層218上，其中像素電極220與源極/漏極214的一端(漏極端)利用上述接觸窗開(kāi)口222電性連接，而源極/漏極214的另一端(源極端)與信號(hào)配線(xiàn)212電性連接。
此外，于本實(shí)施例中，掃描配線(xiàn)204的延伸方向垂直于信號(hào)配線(xiàn)212的延伸方向，且于第二介電層218中還具有一接觸窗開(kāi)口222，以使得像素電極220與源極/漏極214電性連接。當(dāng)應(yīng)用本發(fā)明于薄膜晶體管陣列時(shí)，因?yàn)橐粋€(gè)薄膜晶體管陣列均具有數(shù)個(gè)像素結(jié)構(gòu)，所以其中每一條掃描配線(xiàn)204的延伸方向彼此平行，而每一條信號(hào)配線(xiàn)212的延伸方向也是彼此平行。
而且，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2A與圖2B，本實(shí)施例中的像素電極220包括一顯示區(qū)塊221a，以及可選擇性地具有由顯示區(qū)塊221a突出的一電接觸區(qū)塊221b以及由顯示區(qū)塊221a突出且位于源極/漏極214上方的一預(yù)備修補(bǔ)區(qū)塊221c，其中電接觸區(qū)塊221b是用以使像素電極220與源極/漏極214電性連接。而當(dāng)某一像素結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管失效時(shí)，可以利用如雷射由切線(xiàn)224處將像素電極220中延伸至漏極214上方的電接觸區(qū)塊221b切斷，以使像素電極220與漏極214分離，并且把像素電極220中延伸至源極214上方的預(yù)備修補(bǔ)區(qū)塊221c中的熔接點(diǎn)226熔接至源極214，以達(dá)到修補(bǔ)的功效。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列特點(diǎn)1.本發(fā)明因?yàn)閷⒄麄€(gè)薄膜晶體管陣列中的源極/漏極配置于掃描配線(xiàn)上，所以閘極和漏極之間所形成的閘極-漏極電容(Cgd)幾乎不會(huì)有變動(dòng)。
2.本發(fā)明中的像素電極與掃描配線(xiàn)中作為閘極的部分雖然仍會(huì)形成閘極-漏極電容(Cgd)，但因像素電極與掃描配線(xiàn)作為閘極部分的距離較遠(yuǎn)(相較于漏極與閘極的距離而言)，因此像素電極與閘極之間的閘極-漏極電容(Cgd)值較小，連帶閘極-漏極電容(Cgd)的變動(dòng)也小。換言之，即使像素電極與閘極之間的閘極-漏極電容(Cgd)有所變動(dòng)，整體上其對(duì)于閘極-漏極電容(Cgd)的影響亦十分有限。
3.本發(fā)明因?yàn)榭蓪⑾袼仉姌O延伸至信道層兩側(cè)的源極/漏極，所以當(dāng)某一像素結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管失效時(shí)，可以把像素電極中延伸至漏極上方的部位切斷，以使像素電極與漏極分離，并且把像素電極中延伸至源極上方的部位熔接至源極，而達(dá)到修補(bǔ)的功效。
4.由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中的源極/漏極是配置于掃描配線(xiàn)上，所以開(kāi)口率很高。
雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。
附圖參考標(biāo)記說(shuō)明100，200基板102閘極104，204掃描配線(xiàn)106，116，216導(dǎo)體層108閘極絕緣層
110，210信道層112，212信號(hào)配線(xiàn)114，214源極/漏極118保護(hù)層120，220像素電極122，222接觸窗開(kāi)口124重疊部位208，218介電層221a顯示區(qū)塊221b電接觸區(qū)塊221c預(yù)備修補(bǔ)區(qū)塊224切線(xiàn)226熔接點(diǎn)
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列，適于配置于一基板上，該薄膜晶體管陣列包括第一圖案化導(dǎo)體層，配置于該基板上，該第一圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)掃描配線(xiàn)；第一介電層，配置于該基板上并覆蓋住該第一圖案化導(dǎo)體層；多個(gè)信道層，配置于該第一介電層上，且這些信道層位于這些掃描配線(xiàn)上方；第二圖案化導(dǎo)體層，配置于該第一介電層上，該第二圖案化導(dǎo)體層包括多個(gè)信號(hào)配線(xiàn)與多個(gè)源極/漏極，其中這些源極/漏極配置于這些掃描配線(xiàn)上方，且這些源極/漏極位于該信道層兩側(cè)；第二介電層，配置于該第二導(dǎo)體層上；以及多個(gè)像素電極，配置于該第二介電層上，其中這些像素電極與這些源極/漏極的一端電性連接，而這些源極/漏極的另一端與這些信號(hào)配線(xiàn)電性連接。
2.如其權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，這些掃描配線(xiàn)的延伸方向彼此平行。
3.如其權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，這些信號(hào)配線(xiàn)的延伸方向彼此平行。
4.如其權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，這些掃描配線(xiàn)的延伸方向垂直于這些信號(hào)配線(xiàn)的延伸方向。
5.如其權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該第二介電層具有多個(gè)接觸窗開(kāi)口，以使得這些像素電極與這些源極/漏極電性連接。
6.如其權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，這些像素電極的每一個(gè)包括顯示區(qū)塊；以及電接觸區(qū)塊，該電接觸區(qū)塊由該顯示區(qū)塊突出，以使得這些像素電極與這些源極/漏極電性連接。
7.如其權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，這些像素電極的每一個(gè)包括顯示區(qū)塊；電接觸區(qū)塊，該電接觸區(qū)塊由該顯示區(qū)塊突出，以使得這些像素電極與這些源極/漏極電性連接；以及預(yù)備修補(bǔ)區(qū)塊，該預(yù)備修補(bǔ)區(qū)塊由該顯示區(qū)塊突出，且該修補(bǔ)區(qū)塊位于這些源極/漏極上方。
8.一種像素結(jié)構(gòu)，適于配置于一基板上，該像素結(jié)構(gòu)包括一掃描配線(xiàn)，配置于該基板上；一第一介電層，配置于該基板上并覆蓋住該掃描配線(xiàn)；一信道層，配置于該第一介電層上，且該信道層位于該掃描配線(xiàn)上方；一導(dǎo)體層，配置于該第一介電層上，該導(dǎo)體層包括一信號(hào)配線(xiàn)與一源極/漏極，其中該源極/漏極配置于該掃描配線(xiàn)上方，且該源極/漏極位于該信道層兩側(cè)；一第二介電層，配置于該導(dǎo)體層上；以及一像素電極，配置于該第二介電層上，其中該像素電極與該源極/漏極的一端電性連接，而該源極/漏極的另一端與該信號(hào)配線(xiàn)電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描配線(xiàn)的延伸方向垂直于該信號(hào)配線(xiàn)的延伸方向。
10.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二介電層具有一接觸窗開(kāi)口，以使得該像素電極與該源極/漏極的一端電性連接。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)及薄膜晶體管陣列，由具有掃描配線(xiàn)的第一圖案化導(dǎo)體層、第一介電層、數(shù)個(gè)信道層、包括信號(hào)配線(xiàn)與源極/漏極的第二圖案化導(dǎo)體層、第二介電層以及數(shù)個(gè)像素電極所組成。其中，第一圖案化導(dǎo)體層位于一基板上。第一介電層位于基板上并覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層。信道層位于掃描配線(xiàn)上方的第一介電層上。第二圖案化導(dǎo)體層位于第一介電層上，其源極/漏極位于掃描配線(xiàn)上的信道層兩側(cè)。第二介電層位于第一介電層上并覆蓋住第二圖案化導(dǎo)體層上。像素電極置于第二介電層上，其中像素電極與源極/漏極的一端電性連接，而源極/漏極的另一端與信號(hào)配線(xiàn)電性連接。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1515945SQ0310094
公開(kāi)日2004年7月28日 申請(qǐng)日期2003年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月8日
發(fā)明者洪孟逸 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司