專利名稱：利用波陣面的形成而實(shí)現(xiàn)的高效率陣列波導(dǎo)光柵路由器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及光波導(dǎo)裝置，更具體地說，本發(fā)明涉及具有小透鏡方陣或非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器的諸如陣列波導(dǎo)光柵(AWG)路由器的AWG裝置，但不僅限于此。
背景技術(shù)：
作為光復(fù)用器/解復(fù)用器(MUX/DEMUX)的陣列波導(dǎo)光柵(AWG)路由器是在密集波分復(fù)用(DWDM)網(wǎng)絡(luò)中常用的裝置。對(duì)于高信道數(shù)(例如多于16個(gè)信道)的MUX/DEMUX應(yīng)用，AWG裝置一般能以技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上令人滿意的方式運(yùn)行。
AWG裝置一般包括一對(duì)星形耦合器(在輸入端和輸出端)和波導(dǎo)陣列。在傳統(tǒng)的AWG設(shè)計(jì)中，由于平面光波回路(PLC)的標(biāo)準(zhǔn)制造技術(shù)的限制，使得難以形成無限尖銳的角/邊，在波導(dǎo)之間就形成了縫隙。這些縫隙出現(xiàn)在星形耦合器的平板(slab)波導(dǎo)部分與波導(dǎo)陣列之間的界面處。這些縫隙的寬度由與特定的蝕刻和沉積/回流(re-flow)過程相關(guān)聯(lián)的并受所述過程限制的最大縱橫比(aspect ratio)決定。
當(dāng)光波陣面通過所述界面?zhèn)鞑r(shí)，所述縫隙將光波陣面功率的一部分散射到陣列波導(dǎo)之間的區(qū)域中。這使得一些傳播的光波變得無法控制。在界面處的散射損耗是AWG裝置的主要損耗之一。所述縫隙還增加在輸出星形耦合器處的衍射損耗，其中更多的功率被傳送到不需要的衍射級(jí)。
降低這些損耗的一種現(xiàn)有辦法是，設(shè)計(jì)其中減小了在陣列波導(dǎo)之間的縫隙寬度的AWG裝置。然而，為了制造這樣的AWG裝置，需要明顯更好的蝕刻過程和更長(zhǎng)的包層沉積/回流過程。這大大增加了生產(chǎn)成本。此外在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，AWG裝置的輸出功率是不一致的(例如，外部的信道/波導(dǎo)有比中心的信道/波導(dǎo)更高的損耗)，因此，如果需要一致的輸出，一般只能使用波導(dǎo)陣列的中心部分。這種信道/波導(dǎo)使用的低效率導(dǎo)致大的裝置尺寸和更低的產(chǎn)量。
參考附圖對(duì)本發(fā)明的非限制性且非窮盡性的實(shí)施例進(jìn)行了描述，其中除非另有說明，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部分。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列波導(dǎo)(AWG)裝置的俯視圖；圖2是圖1的AWG裝置的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的AWG裝置的俯視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于圖3的AWG裝置的一部分小透鏡方陣的透視圖。
具體實(shí)施例方式
在此描述陣列波導(dǎo)(AWG)裝置的實(shí)施例。在以下的描述中給出了許多具體細(xì)節(jié)，以提供對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的全面了解。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，可以在沒有所述具體細(xì)節(jié)中的一個(gè)或多個(gè)的情況下，或者以其它方法、元件、材料等來實(shí)施本發(fā)明。在其它情況下，未詳細(xì)示出或描述公知的結(jié)構(gòu)、材料或操作，以免混淆本發(fā)明的各方面。
在整個(gè)本說明書中，提到“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的意思是，所描述的與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。從而，在整個(gè)本說明書中的各個(gè)位置上出現(xiàn)的短語“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”不必都指相同的實(shí)施例。此外，所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。
另外，在附圖中的本發(fā)明各實(shí)施例的圖示并不一定要按比例繪制或繪制為精確的形狀/輪廓。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的那樣，各實(shí)施例的各個(gè)大小、形狀、輪廓或其它特性可以隨情況的變化而變化。諸如不同的設(shè)計(jì)、制造技術(shù)、材料等因素可以造成這樣的變化。
作為概述，本發(fā)明的實(shí)施例通過使用插入陣列波導(dǎo)之間的非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器陣列來降低AWG路由器的界面損耗、衍射損耗和物理尺寸。非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器操作以將泄漏的光功率耦合回陣列波導(dǎo)。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，使用小透鏡方陣來預(yù)先引導(dǎo)光波陣面的各部分。小透鏡方陣包括與在陣列波導(dǎo)之間的縫隙對(duì)齊的小透鏡列，使得光波陣面的各部分被導(dǎo)向陣列波導(dǎo)而非縫隙。
首先參考圖1，在10處一般地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的AWG裝置的俯視圖。AWG裝置10可以包括光路由器、復(fù)用器、解復(fù)用器等。AWG裝置10包括多個(gè)由標(biāo)準(zhǔn)芯部材料制成的光波導(dǎo)13，將其排列成陣列12。光波導(dǎo)13之間的縫隙14以標(biāo)準(zhǔn)包層材料填充，并隔開光波導(dǎo)13。縫隙14延伸至界面區(qū)域16。星形耦合器18位于AWG裝置10的輸入端，星形耦合器18在界面區(qū)域16處與光波導(dǎo)13的陣列12相耦合。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，多個(gè)插入元件位于界面區(qū)域1 6附近。在圖1所示的實(shí)施例中，多個(gè)插入元件包括插入(或者以其它形式)在光波導(dǎo)13之間的縫隙14中的非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20。可以將非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20拉長(zhǎng)，使得它們具有隨著遠(yuǎn)離界面區(qū)域16而增加的橫截面積(例如，其橫截面積從窄變寬，并且因此波導(dǎo)耦合器20在形狀上不對(duì)稱)。
如圖1所示，包層材料將波導(dǎo)耦合器20中的每一個(gè)與附近的光波導(dǎo)13隔開。AWG裝置10的實(shí)施例還將波導(dǎo)耦合器20中的每一個(gè)與界面區(qū)域16隔開。之后將在下文描述這些間隔(在22處示出)的目的。
圖2是圖1的AWG裝置10的橫截面視圖。為了圖示的簡(jiǎn)單，在圖2中未示出非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20的錐形結(jié)構(gòu)。光波導(dǎo)13和非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20在它們側(cè)面和頂部被上包層材料24覆蓋，并且在它們底部被下包層材料26覆蓋。下包層材料26形成于襯底28上。如圖2所示，非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20的使用增加了可以將光耦合到光波導(dǎo)的區(qū)域。
在實(shí)施例中，光波導(dǎo)13和非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20可以具有大致類似矩形的形狀或其它形狀，所述形狀是由用來形成它們的特定制造過程決定的。非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20的末端可以是圓形，這也由用來形成它們的特定制造過程決定的。在實(shí)施例中，非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20可以由與形成光波導(dǎo)13相同的制造過程來形成。即，沉積芯部材料，然后蝕刻選定區(qū)域以限定光波導(dǎo)13和非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20。隨后使用沉積/回流過程，以包層材料填充所蝕去的區(qū)域。
光波導(dǎo)13的示例寬度是6微米。非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20可以在界面區(qū)域16附近具有4微米的寬度，并在遠(yuǎn)離界面區(qū)域16處具有7微米的寬度。在實(shí)施例中，非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20可以全部具有基本相等的長(zhǎng)度，例如200-300微米的長(zhǎng)度。間隔22(以包層材料填充)的長(zhǎng)度可以是10微米。特定的非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20與附近的光波導(dǎo)13之間的距離可以在4微米和5微米之間。應(yīng)當(dāng)理解，這些尺寸是近似的，并且可以隨AWG裝置10的不同而變化。
在圖1中，象征性地示出了非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20減少界面損耗和衍射損耗的操作?？招募^30表示導(dǎo)波，虛線箭頭32表示耦合回的波，而實(shí)心箭頭34表示散射波。通過參數(shù)(例如非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20的長(zhǎng)度、寬度和幾何形狀，以及間隔22的長(zhǎng)度)的具體選擇，將泄漏或散射的光功率從非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20耦合回光波導(dǎo)13。
在操作中，光波陣面36通過星形耦合器18傳播，并到達(dá)界面區(qū)域16，在那里光波陣面36被分成多個(gè)部分。一些部分以被導(dǎo)(guided)方式通過光波導(dǎo)13前進(jìn)，而其它部分在界面區(qū)域16處散射，并傳播進(jìn)入間隔22中。然后這些散射部分從間隔22傳播到非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20，并且通過它們。
已知光信號(hào)通過材料的速度取決于該材料的折射率和該材料的寬度。當(dāng)在光波導(dǎo)13和非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20中傳播光信號(hào)的速度相等時(shí)，耦合最強(qiáng)。從而，隨著非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20的寬度從窄變寬，在非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20中傳播的光信號(hào)的速度從與在光波導(dǎo)13中傳播的光信號(hào)的速度非常不同變到在某個(gè)諧振點(diǎn)處兩者速度相等。在諧振點(diǎn)處或諧振點(diǎn)附近耦合變得最強(qiáng)，并且就在諧振點(diǎn)附近在非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20中傳播的部分被耦合回光波導(dǎo)13。也可以這樣選擇(例如縮短)非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20的長(zhǎng)度，使得在諧振點(diǎn)后當(dāng)速度又開始變得不等時(shí)，沒有(或最小)逆耦合(從光波導(dǎo)13到非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20)能發(fā)生。
間隔22的目的是為光波陣面36傳播到光波導(dǎo)13中的部分和傳播到非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20中的部分提供不同的折射率。通過提供不同的折射率，光波陣面36的這些部分獲得不同的初相。改變光信號(hào)之間的相對(duì)相位允許耦合的進(jìn)一步優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)更大的能量傳送，并且也降低逆耦合。
可以將類似于圖1的星形耦合器18的另一星形耦合器與AWG裝置10的輸出端相耦合。在此輸出星形耦合器處，非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20修改每個(gè)光波導(dǎo)13的輸出光場(chǎng)以降低衍射損耗。輸出光譜也由于使用非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器20而變平，引起輸出功率在每個(gè)信道中更加一致，這又引起更高的信道利用率。利用此特性，與傳統(tǒng)AWG設(shè)計(jì)相比，AWG裝置10的更小型設(shè)計(jì)(例如，大約為傳統(tǒng)AWG設(shè)計(jì)的70％)可以實(shí)現(xiàn)相同或更好的性能。
除了降低在輸入星形耦合器18處由在光波導(dǎo)13之間的大縫隙14造成的界面散射損耗，以及降低在輸出星形耦合器處的衍射損耗之外，AWG裝置10的實(shí)施例還可以使用更短并且更簡(jiǎn)單的制造過程來形成。這是因?yàn)橛捎诳梢杂梅菍?duì)稱波導(dǎo)耦合器20來“恢復(fù)”不然可能被散射浪費(fèi)的光功率，縫隙14的寬度可以保持不變或變得更大。通過使AWG裝置10更小但具有更高的信道利用率，可以降低生產(chǎn)成本并增加產(chǎn)量。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的AWG裝置40的俯視圖。AWG裝置40中的與圖1的AWG裝置10類似的元件有相同的標(biāo)注。在AWG裝置40的實(shí)施例中，位于界面區(qū)域16附近的多個(gè)插入元件包括位于輸入端星形耦合器46的平板波導(dǎo)部分44中的小透鏡方陣42。
小透鏡方陣42包括與在陣列12中的光波導(dǎo)13之間的縫隙14對(duì)齊的小透鏡列48。在實(shí)施例中，小透鏡列48具有大致圓形的形狀，并且可以由與縫隙14中所存在的相同的包層材料制成。也可以由與在填充縫隙14中使用的相同的沉積/回流過程來形成小透鏡方陣42的小透鏡列48。
圖4是小(凹)透鏡方陣42的實(shí)施例的一部分的透視圖。如圖4的象征性所示，可以將小透鏡列48中的每一個(gè)蝕刻到平板波導(dǎo)部分44中，然后以包層材料填充。在實(shí)施例中，在小透鏡列48之間的通道與光波導(dǎo)13的中心對(duì)齊。
利用參數(shù)的具體選擇，例如曲率半徑、寬度、位置、小透鏡列48的數(shù)量和它們之間的距離，可以預(yù)先引導(dǎo)光波陣面36的各部分。小透鏡列48的示例直徑可以是4微米。小透鏡列48之間的通道間距對(duì)應(yīng)于光波導(dǎo)13的寬度，與縫隙14對(duì)齊的小透鏡列48之間的間距可以是相隔10微米。應(yīng)當(dāng)理解，這些尺寸是近似的，并且可以隨AWG裝置40的不同而變化。
在實(shí)施例中，小透鏡方陣42并不占據(jù)整個(gè)平板波導(dǎo)部分44。例如，小透鏡方陣42可以包括位于界面區(qū)域16附近的10行小透鏡列48，從而僅占據(jù)平板波導(dǎo)部分44的一部分。小透鏡列48的折射率低于周圍材料(例如，制成平板波導(dǎo)部分44的芯部材料)的折射率。此特征使得小透鏡列48擔(dān)當(dāng)將光從它們發(fā)散出去的散焦透鏡。
因此在操作中，小透鏡方陣42的小透鏡列48將光波陣面36的部分50預(yù)先引導(dǎo)向光波導(dǎo)13。即，在部分50到達(dá)界面區(qū)域16之前，部分50作為被小透鏡列48導(dǎo)向光波導(dǎo)13的預(yù)先引導(dǎo)波52，通過小透鏡方陣42傳播。在圖4中也示出了預(yù)先引導(dǎo)波52通過小透鏡方陣42的傳播。因?yàn)樾⊥哥R列48與縫隙14對(duì)齊，所以減少了光波陣面36中在界面區(qū)域16處進(jìn)入縫隙14的部分一所述部分50被導(dǎo)向光波導(dǎo)13而非縫隙14。
根據(jù)實(shí)施例，可以將小透鏡方陣42形成的“虛擬”波導(dǎo)的模式設(shè)計(jì)為與光波導(dǎo)13的陣列12的模式相匹配。此模式匹配降低或消除了插入損耗(insertion loss)。與圖1-2的AWG裝置10一樣，圖3的AWG裝置40也可以包括可以與AWG裝置40的輸出端相耦合的另一星形耦合器。在此輸出星形耦合器處，小透鏡方陣42修改在每個(gè)光波導(dǎo)13處的輸出光場(chǎng)以降低衍射損耗。輸出光譜也由于使用小透鏡方陣42而變平，引起輸出功率在每個(gè)信道中更加一致，這又引起更高的信道利用率。利用此特性，與傳統(tǒng)AWG設(shè)計(jì)相比，AWG裝置40的更小型設(shè)計(jì)(例如，大約為傳統(tǒng)AWG設(shè)計(jì)的50％)可以實(shí)現(xiàn)相同或更好的性能。
除了降低在輸入星形耦合器46處由在光波導(dǎo)13之間的大縫隙14造成的界面散射損耗，以及降低在輸出星形耦合器處的衍射損耗之外，AWG裝置40的實(shí)施例還可以使用更短并且更簡(jiǎn)單的制造過程來形成。這是因?yàn)橥ㄟ^使用小透鏡方陣42，縫隙14的寬度可以保持不變或變得更大。通過使AWG裝置40更小但具有更高的信道利用率，可以降低生產(chǎn)成本并增加產(chǎn)量。
前面對(duì)本發(fā)明所示出的實(shí)施例的描述，包括在摘要中所描述的，并非要窮盡或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的精確形式。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到的那樣，雖然在此為說明性目的而描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例和例子，但在本發(fā)明范圍內(nèi)，各種等同的修改都是可能的。
例如，雖然圖3-4示出了基本圓形的小透鏡列48，但也可以提供其它的實(shí)施例，其中小透鏡列48具有不同的形狀，例如橢圓或矩形。在另一實(shí)施例中，代替單個(gè)小透鏡列48的使用或作為對(duì)其的補(bǔ)充，在小透鏡方陣42中可以使用連續(xù)的條或斷續(xù)的條來限定通道。
根據(jù)前面的詳細(xì)描述，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行這些修改。在本發(fā)明的權(quán)利要求中所使用的術(shù)語不應(yīng)被解釋為將本發(fā)明限制為本說明書和本發(fā)明的權(quán)利要求中公開的特定實(shí)施例。相反，本發(fā)明的權(quán)利要求完全確定了本發(fā)明的范圍，應(yīng)根據(jù)已確立的權(quán)利要求解釋原則來解釋本發(fā)明的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括排列成陣列的多個(gè)光波導(dǎo)；在界面區(qū)域處與所述光波導(dǎo)陣列相耦合的星形耦合器；位于所述界面區(qū)域附近的多個(gè)插入元件，安置所述多個(gè)插入元件以將所述界面區(qū)域附近的光波陣面的各部分基本上引導(dǎo)為沿所述光波導(dǎo)傳播。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述星形耦合器包括與所述光波導(dǎo)陣列的輸入端相耦合的第一星形耦合器，并且所述界面區(qū)域包括在所述第一星形耦合器與所述輸入端之間的第一界面區(qū)域，所述裝置還包括在第二界面區(qū)域處與所述光波導(dǎo)陣列的輸出端相耦合的第二星形耦合器。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)插入元件包括插入在所述光波導(dǎo)之間的縫隙中的波導(dǎo)耦合器。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述波導(dǎo)耦合器包括具有隨著遠(yuǎn)離所述界面區(qū)域而增加的橫截面積的細(xì)長(zhǎng)的非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述波導(dǎo)耦合器包括由與所述光波導(dǎo)的芯部類似的材料制成的波導(dǎo)耦合器。
6.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中將所述波導(dǎo)耦合器的末端與所述界面區(qū)域隔開。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)插入元件包括位于所述星形耦合器的平板波導(dǎo)部分中的小透鏡方陣。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述小透鏡方陣包括與在所述陣列中的所述光波導(dǎo)之間的縫隙對(duì)齊的列，以將所述光波陣面的各部分預(yù)先引導(dǎo)向所述光波導(dǎo)。
9.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述小透鏡方陣的列由與在所述陣列中的所述光波導(dǎo)的芯部材料不同的包層材料制成。
10.一種裝置，包括排列成陣列的多個(gè)光波導(dǎo)；在界面區(qū)域處與所述光波導(dǎo)陣列相耦合的耦合器；在所述耦合器中位于所述界面區(qū)域附近的小透鏡方陣，所述小透鏡方陣包括所安置的小透鏡列以將光波陣面的各部分預(yù)先引導(dǎo)為向所述光波導(dǎo)傳播。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述耦合器包括星形耦合器。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述小透鏡方陣的所述小透鏡列與在所述陣列中的所述光波導(dǎo)之間的縫隙對(duì)齊。
13.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述小透鏡方陣的所述小透鏡列由與在所述陣列中的所述光波導(dǎo)的芯部材料不同的包層材料制成。
14.一種裝置，包括排列成陣列的多個(gè)光波導(dǎo)；在界面區(qū)域處與所述光波導(dǎo)陣列相耦合的耦合器；插入在所述光波導(dǎo)之間的縫隙中，并位于所述界面區(qū)域附近的多個(gè)波導(dǎo)耦合器，使所述多個(gè)波導(dǎo)耦合器成形為能將在所述界面區(qū)域附近散射的光波陣面部分耦合為通過所述光波導(dǎo)傳播。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述耦合器包括星形耦合器。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述波導(dǎo)耦合器包括具有隨著遠(yuǎn)離所述界面區(qū)域而增加的橫截面積的細(xì)長(zhǎng)的非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述波導(dǎo)耦合器包括由與所述光波導(dǎo)的芯部類似的材料制成的波導(dǎo)耦合器。
18.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中將所述波導(dǎo)耦合器的末端與所述界面區(qū)域隔開。
19.一種方法，包括在耦合器處接收光波陣面；以及在所述耦合器與光波導(dǎo)陣列之間的界面區(qū)域附近，在減少所述光波陣面在所述光波導(dǎo)之間的縫隙中傳播的部分的同時(shí)，將所述光波陣面的各部分基本上引導(dǎo)為沿所述光波導(dǎo)傳播。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中將所述光波陣面的各部分基本上引導(dǎo)為沿所述光波導(dǎo)傳播的步驟包括預(yù)先引導(dǎo)所述光波陣面，以在所述的各部分到達(dá)所述界面區(qū)域之前將所述光波陣面的各部分導(dǎo)向所述光波導(dǎo)。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中將所述光波陣面的各部分基本上引導(dǎo)為沿所述光波導(dǎo)傳播的步驟包括將在所述界面區(qū)域附近散射、并且最初在光波導(dǎo)耦合器中傳播的所述光波陣面的部分耦合為通過所述光波導(dǎo)傳播。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括給最初在所述光波導(dǎo)中傳播、并且在所述光波導(dǎo)耦合器中傳播的所述光波陣面的部分提供不同的初相。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括使所述波導(dǎo)耦合器成形為具有隨著遠(yuǎn)離所述界面區(qū)域而增加的橫截面。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中將所述光波陣面部分耦合為通過所述光波導(dǎo)傳播的步驟包括在所述波導(dǎo)耦合器的諧振點(diǎn)附近，將所述光波陣面部分耦合為通過所述光波導(dǎo)傳播。
全文摘要
諸如陣列波導(dǎo)(AWG)路由器的AWG裝置(10)的界面損耗、衍射損耗和物理尺寸通過使用插入到陣列波導(dǎo)(13)之間的非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器(20)陣列(12)而被降低。非對(duì)稱波導(dǎo)耦合器(20)操作以將泄漏的光功率耦合回陣列波導(dǎo)(13)。還可以使用小透鏡方陣來預(yù)先引導(dǎo)光波陣面的各部分。小透鏡方陣包括與在陣列波導(dǎo)(13)之間的縫隙對(duì)齊的小透鏡列，使得光波陣面的各部分被導(dǎo)向陣列波導(dǎo)(13)而非縫隙(14)。
文檔編號(hào)G02B6/34GK1507573SQ02809379
公開日2004年6月23日 申請(qǐng)日期2002年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月18日
發(fā)明者德米特里·尼科諾夫, 容鐘·田, 德米特里 尼科諾夫, 田 申請(qǐng)人:英特爾公司