本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種像素電路、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdisplay,oled)顯示器，是一種電流驅(qū)動(dòng)的顯示器，所以需要穩(wěn)定的電流來驅(qū)動(dòng)其發(fā)光；而由于工藝制程和器件老化等原因，oled顯示器中一般采用具有對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓(vth)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)南袼匮a(bǔ)償電路來驅(qū)動(dòng)oled發(fā)光，通過閾值電壓的補(bǔ)償，可以有效改善因驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移而導(dǎo)致的顯示不均的問題。

但是，如何在現(xiàn)有補(bǔ)償像素電路的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步地提高顯示畫面的均一性，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置，用以解決如何提高顯示畫面的均一性。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)開關(guān)晶體管、以及與各所述開關(guān)晶體管一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第一輔助電極；其中，

所述第一輔助電極與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中的柵極電連接；且所述第一輔助電極在所述襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中的有源層在所述襯底基板上的正投影具有重疊區(qū)域，在所述重疊區(qū)域所述第一輔助電極和所述有源層之間形成電容。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，所述第一輔助電極在所述襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中靠近源極一端的有源層在所述襯底基板上的正投影具有第一重疊區(qū)域，在所述第一重疊區(qū)域所述第一輔助電極和所述有源層之間形成第一電容；和/或，

所述第一輔助電極在所述襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中靠近漏極一端的有源層在所述襯底基板上的正投影圖案具有第二重疊區(qū)域，在所述第二重疊區(qū)域所述第一輔助電極和所述有源層之間形成第二電容。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，所述第一輔助電極與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中的柵極通過過孔電連接。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，還包括：第二輔助電極；所述第二輔助電極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的柵極構(gòu)成存儲(chǔ)電容。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，各所述開關(guān)晶體管中的柵極位于各所述開關(guān)晶體管中的有源層與源漏電極之間的膜層；所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的柵極位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的有源層與源漏電極之間的膜層；

各所述第一輔助電極與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中的源漏電極同材質(zhì)且同層設(shè)置。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，所述第二輔助電極設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的柵極與源漏電極之間的膜層。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，各所述開關(guān)晶體管中的柵極位于各所述開關(guān)晶體管中的有源層與源漏電極之間的膜層；所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的柵極位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的有源層與源漏電極之間的膜層；

各所述第一輔助電極均設(shè)置于對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中的柵極與源漏電極之間的膜層。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，各所述開關(guān)晶體管中的柵極位于各所述開關(guān)晶體管中的有源層與所述襯底基板之間的膜層；所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的柵極位于所述驅(qū)動(dòng)晶體管中的有源層與所述襯底基板之間的膜層；

各所述第一輔助電極均設(shè)置于所述襯底基板與對(duì)應(yīng)所述開關(guān)晶體管中的柵極之間的膜層。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，各所述第一輔助電極與所述第二輔助電極同材質(zhì)且同層設(shè)置。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電致發(fā)光顯示面板，包括：呈陣列排布的多個(gè)如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括：如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電致發(fā)光顯示面板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)開關(guān)晶體管、以及與各開關(guān)晶體管一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第一輔助電極；其中，第一輔助電極與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的柵極電連接；且第一輔助電極在襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的有源層在襯底基板上的正投影具有重疊區(qū)域，在重疊區(qū)域第一輔助電極和有源層之間形成電容。因此，通過將第一輔助電極與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的柵極電連接，使得第一輔助電極與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的柵極具有相同電位，因有源層的電位與柵極的電位不同，使得在第一輔助電極和有源層之間可以形成電容，柵極與有源層之間也可以形成電容，從而形成并聯(lián)的柵極電容；而在驅(qū)動(dòng)晶體管中，因不存在與柵極電連接的第一輔助電極，使得驅(qū)動(dòng)晶體管中串聯(lián)之后的總的柵極電容小于各開關(guān)晶體管中并聯(lián)之后的總的柵極電容，進(jìn)而使得驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅大于各開關(guān)晶體管的亞閾值擺幅，從而提高了顯示畫面的均一性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中提供的像素補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖6分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的部分像素電路的層級(jí)結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖7至圖9分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的開關(guān)晶體管中柵極電容的組成示意圖；

圖10和圖11分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的驅(qū)動(dòng)晶體管中柵極電容的組成示意圖；

圖12a和圖12b分別為本發(fā)明實(shí)施例中提供的電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。需要說明的是，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為了進(jìn)一步提高oled顯示器的顯示畫面的均一性，可以通過調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管的亞閾值擺幅的方式來實(shí)現(xiàn)；其中，亞閾值擺幅，是指漏極電流變化一個(gè)數(shù)量級(jí)時(shí)所需要的柵極電壓增量，即在相同電壓的變化量時(shí)電流的變化量越小，亞閾值擺幅的數(shù)值越大，顯示畫面越均一；因此，可以通過增加驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅，或減少開關(guān)晶體管的亞閾值擺幅來提高顯示畫面的均一性。

并且，根據(jù)亞閾值擺幅的定義和理論計(jì)算可知，晶體管的亞閾值擺幅與柵極電容存在一定的對(duì)應(yīng)關(guān)系，如公式(1)和公式(2)所示，且將公式(1)求導(dǎo)后可以得到公式(2)；其中，id表示晶體管的漏極電流，w表示晶體管中的溝道深度，l表示晶體管中的溝道長度，μ表示晶體管的有源層中的載流子遷移率，vg表示晶體管的柵極電壓，vth表示晶體管的閾值電壓，vd表示晶體管的漏極電壓，c表示柵極電容；并且，在公式(2)中，等式左邊表示亞閾值擺幅，等式右邊表示各參數(shù)之間的關(guān)系。

因此，從公式(2)可以得知，當(dāng)晶體管的柵極電容c增加時(shí)，晶體管的亞閾值擺幅減??；而當(dāng)晶體管的柵極電容c減小時(shí)，晶體管的亞閾值擺幅增加；同時(shí)，晶體管的亞閾值擺幅影響著顯示畫面的均一性，即驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅在相同電壓的變化量時(shí)漏極電流的變化量越小，亞閾值擺幅的數(shù)值越大，顯示畫面越均一；基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，通過增加各開關(guān)晶體管的柵極電容，來減小各開關(guān)晶體管的亞閾值擺幅，間接地提高了驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅，從而提高了整個(gè)顯示畫面的均一性。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路，如圖1所示，且與圖1對(duì)應(yīng)的部分像素電路的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖如圖2至圖6所示，可以包括：驅(qū)動(dòng)晶體管10、多個(gè)開關(guān)晶體管20、以及與各開關(guān)晶體管20一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第一輔助電極30，圖2至圖6中僅示出了一個(gè)開關(guān)晶體管20和驅(qū)動(dòng)晶體管10的層級(jí)結(jié)構(gòu)；其中，

第一輔助電極30與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21電連接；且第一輔助電極30在襯底基板40上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的有源層22在襯底基板40上的正投影具有重疊區(qū)域，在重疊區(qū)域第一輔助電極30和有源層22之間形成電容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路，通過將第一輔助電極30與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21電連接，使得第一輔助電極30與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21具有相同電位，因有源層22的電位與柵極21的電位不同，使得在第一輔助電極30和有源層22之間可以形成電容(如圖7至圖9中所示的c1和/或c2)，柵極21與有源層22之間也可以形成電容(如圖7至圖9中所示的cg)，從而形成并聯(lián)的柵極電容cm(cm的具體計(jì)算過程可見下文)；而在驅(qū)動(dòng)晶體管10中，因不存在與柵極11電連接的第一輔助電極，使得驅(qū)動(dòng)晶體管10中串聯(lián)之后的總的柵極電容cn(cn的具體計(jì)算過程可見下文)小于各開關(guān)晶體管20中并聯(lián)之后的總的柵極電容cm，進(jìn)而使得驅(qū)動(dòng)晶體管10的亞閾值擺幅大于各開關(guān)晶體管20的亞閾值擺幅，從而提高了顯示畫面的均一性。

在具體實(shí)施時(shí)，第一輔助電極在襯底基板上的正投影，與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的有源層在襯底基板上的正投影，具有重疊區(qū)域的方式可以有多種，因此，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖2至圖6所示，第一輔助電極30在襯底基板40上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中靠近源極23a一端的有源層22a在襯底基板40上的正投影具有第一重疊區(qū)域，在第一重疊區(qū)域第一輔助電極30和有源層(即靠近源極23a一端的有源層22a)之間形成第一電容c1；和/或，

第一輔助電極30在襯底基板40上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中靠近漏極23b一端的有源層22c在襯底基板40上的正投影圖案具有第二重疊區(qū)域，在第二重疊區(qū)域第一輔助電極30和有源層(即靠近漏極23b一端的有源層22c)之間形成第二電容c2。

具體地，第一種，與圖2所示的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的柵極電容的組成示意圖如圖7所示，第一輔助電極30在襯底基板40上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中靠近源極23a一端的有源層22a在襯底基板40上的正投影具有第一重疊區(qū)域，使得在第一重疊區(qū)域第一輔助電極30和有源層(即靠近源極23a一端的有源層22a)之間形成第一電容c1；再加上柵極21與有源層(即有源層22中與柵極21正對(duì)的部分22b)之間形成的電容cg，因此，第一電容c1與電容cg形成并聯(lián)電容；因并聯(lián)電容等于各電容之和，所以當(dāng)以cm1表示開關(guān)晶體管20的柵極電容時(shí)，此時(shí)cm1＝c1+cg。

具體地，第二種，與圖3所示的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的柵極電容的組成示意圖如圖8所示，第一輔助電極30在襯底基板40上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中靠近漏極23b一端的有源層22c在襯底基板40上的正投影圖案具有第二重疊區(qū)域，使得在第二重疊區(qū)域第一輔助電極30和有源層(即靠近漏極23b一端的有源層22c)之間形成第二電容c2；再加上柵極21與有源層(即有源層22中與柵極21正對(duì)的部分22b)之間形成的電容cg，因此，第二電容c2與電容cg形成并聯(lián)電容；因并聯(lián)電容等于各電容之和，所以當(dāng)以cm2表示開關(guān)晶體管20的柵極電容時(shí)，此時(shí)cm2＝c2+cg。

具體地，第三種，與圖4所示的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的柵極電容的組成示意圖如圖9所示，第一輔助電極30在襯底基板40上的正投影，不僅與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中靠近源極23a一端的有源層22a在襯底基板40上的正投影具有第一重疊區(qū)域，還與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中靠近漏極23b一端的有源層22c在襯底基板40上的正投影圖案具有第二重疊區(qū)域，因此，在第一重疊區(qū)域內(nèi)第一輔助電極30和有源層(即靠近源極23a一端的有源層22a)之間形成第一電容c1，在第二重疊區(qū)域第一輔助電極30和有源層(即靠近漏極23b一端的有源層22c)之間形成第二電容c2，再加上柵極21與有源層(即有源層22中與柵極21正對(duì)的部分22b)之間形成的電容cg，因此，第一電容c1、第二電容c2與電容cg形成并聯(lián)電容；因并聯(lián)電容等于各電容之和，所以當(dāng)以cm3表示開關(guān)晶體管20的柵極電容時(shí)，此時(shí)cm3＝c1+c2+cg。

進(jìn)一步地，為了實(shí)現(xiàn)第一輔助電極與對(duì)應(yīng)晶體管中的柵極電連接，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖2至圖6所示，第一輔助電極30與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21一般通過過孔電連接。

在具體實(shí)施時(shí)，為了間接增加驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅，則無需改變驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電容；因此，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖2至圖6所示，還可以包括：第二輔助電極50；第二輔助電極50與驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11構(gòu)成存儲(chǔ)電容cs。

具體地，為了能夠簡化制作工藝，可以在制作第一輔助電極時(shí)，同時(shí)制作第二輔助電極，且第一輔助電極的面積大小可以與第二輔助電極的面積大小相同，以簡化制作掩膜板的工藝和制作難度；因此，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖2至圖4所示的驅(qū)動(dòng)晶體管，第二輔助電極50在襯底基板40上的正投影與有源層12在襯底基板40上的正投影具有重疊區(qū)域，具體的柵極電容的組成如圖10所示，其中，第二輔助電極50與靠近源極13a一端的有源層12a形成的電容用c3表示，第二輔助電極50與靠近漏極13b一端的有源層12c形成的電容用c4表示，且柵極11與有源層(即有源層12中與柵極11正對(duì)的部分12b)之間形成的電容為cg，因此，因并聯(lián)電容等于各電容之和，串聯(lián)電容等于各電容的倒數(shù)之和，所以當(dāng)以cn1表示驅(qū)動(dòng)晶體管10的柵極電容時(shí)，此時(shí)cn1＝c3+c4+(1/cs+1/cg)；且c1＝c3，c2＝c4。

同時(shí)，在第二輔助電極在襯底基板上的正投影與有源層在襯底基板上的正投影具有重疊區(qū)域時(shí)，同樣可以如圖2至圖4所示，可以僅在有源層的一側(cè)與第二輔助電極具有重疊區(qū)域，還可以在有源層的兩側(cè)均與第二輔助電極具有重疊區(qū)域，在此不作具體限定。

當(dāng)然，在制作第二輔助電極時(shí)，也可以使得第二輔助電極的面積大小與第一輔助電極的面積大小不相同，因此，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖5和圖6所示的驅(qū)動(dòng)晶體管，第二輔助電極50在襯底基板40上的正投影與有源層12在襯底基板40上的正投影無重疊區(qū)域，即只有第二輔助電極50與驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11構(gòu)成的存儲(chǔ)電容cs，以及柵極11與有源層(即有源層12中與柵極11正對(duì)的部分12b)之間形成的電容cg，以免第二輔助電極50與有源層12之間形成的電容對(duì)柵極信號(hào)產(chǎn)生影響；但需要說明的是，因開關(guān)晶體管中20的第一輔助電極30與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極22電連接，使得第一輔助電極30與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21為同一電位，因此第一電容c1和第二電容c2對(duì)柵極信號(hào)的影響要遠(yuǎn)小于驅(qū)動(dòng)晶體管10中的c3和c4對(duì)柵極信號(hào)的影響；因此，因并聯(lián)電容等于各電容之和，串聯(lián)電容等于各電容的倒數(shù)之和，所以當(dāng)以cn2表示驅(qū)動(dòng)晶體管10的柵極電容時(shí)，此時(shí)cn2＝1/cs+1/cg。

綜上，通過上述描述可知，開關(guān)晶體管20的柵極電容可以為：cm1＝c1+cg、cm2＝c2+cg、cm3＝c1+c2+cg、并且驅(qū)動(dòng)晶體管10的柵極電容可以為：cn1＝c3+c4+(1/cs+1/cg)，且c1＝c3，c2＝c4、以及cn2＝1/cs+1/cg；因此，不管cs、c1(或c3)、c2(或c4)與cg的數(shù)值誰大誰小，但1/cs+1/cg一定小于cg，所以最終開關(guān)晶體管20的柵極電容一定大于驅(qū)動(dòng)晶體管10的柵極電容，因此，開關(guān)晶體管20的亞閾值擺幅一定小于驅(qū)動(dòng)晶體管10的亞閾值擺幅，因此，提高了顯示畫面的顯示的均一性。

當(dāng)然，對(duì)于各電容，如c1、c2、c3和c4的數(shù)值大小，以及開關(guān)晶體管中柵極在襯底基板上的正投影與有源層在襯底基板上的正投影的重疊比例大小，均可以按照實(shí)際的需要進(jìn)行相應(yīng)地設(shè)計(jì)和調(diào)整，只要能夠通過柵極電容的設(shè)計(jì)，增加驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅，提高顯示畫面的顯示均一性即可，在此不作具體限定。

在具體實(shí)施時(shí)，像素電路中的各開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管可以為頂柵型晶體管，也可以為底柵型晶體管，同時(shí)，因不同類型的晶體管中，柵極與有源層和源漏電極之間的位置關(guān)系不同，因此，第一輔助電極和第二輔助電極的位置也會(huì)隨之發(fā)生變化，所以需要分情況進(jìn)行討論，具體情況如下：

具體地，當(dāng)各開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管為頂柵型晶體管時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖2至圖4所示，各開關(guān)晶體管20中的柵極21位于各開關(guān)晶體管20中的有源層22與源漏電極之間的膜層；驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11位于驅(qū)動(dòng)晶體管10中的有源層12與源漏電極之間的膜層；并且，各第一輔助電極30可以均設(shè)置于對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21與源漏電極之間的膜層；同時(shí)，因第二輔助電極50也位于驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11與源漏電極之間的膜層，所以，第一輔助電極30與第二輔助電極50可以同材質(zhì)且同層設(shè)置，以簡化制作流程，降低制作成本。

當(dāng)然，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，當(dāng)各開關(guān)晶體管20與驅(qū)動(dòng)晶體管10為頂柵型晶體管時(shí)，還可以如圖5所示，即各開關(guān)晶體管20中的柵極21位于各開關(guān)晶體管20中的有源層22與源漏電極之間的膜層，驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11位于驅(qū)動(dòng)晶體管10中的有源層12與源漏電極之間的膜層；并且，各第一輔助電極30可以與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的源漏電極同材質(zhì)且同層設(shè)置；因此，由于第二輔助電極50設(shè)置于驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11與源漏電極之間的膜層，可以在制作第二輔助電極50時(shí)不需要改變掩膜板的圖案，只是在制作源漏電極時(shí)改變掩膜板的圖案，使得在制作源漏電極時(shí)同時(shí)制作各第一輔助電極30，以簡化制作工藝，降低制作成本。

具體地，當(dāng)各開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管為底柵型晶體管時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖6所示，各開關(guān)晶體管20中的柵極21位于各開關(guān)晶體管20中的有源層22與襯底基板40之間的膜層；驅(qū)動(dòng)晶體管10中的柵極11位于驅(qū)動(dòng)晶體管10中的有源層12與襯底基板40之間的膜層；并且，各第一輔助電極30可以均設(shè)置于襯底基板40與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管20中的柵極21之間的膜層；同時(shí)，因第二輔助電極50也位于柵極11與襯底基板40之間的膜層，所以，第一輔助電極30與第二輔助電極50可以同材質(zhì)且同層設(shè)置，以簡化制作流程，降低制作成本。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，圖2至圖6所示的部分像素電路的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖，是與圖1所示的像素電路對(duì)應(yīng)的，其中，開關(guān)晶體管20可以對(duì)應(yīng)于像素電路中的第五開關(guān)晶體管t5，所以其漏極23b與發(fā)光單元的陽極電連接；當(dāng)然，像素電路的結(jié)構(gòu)并不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)，還可以是其他結(jié)構(gòu)；若在像素電路中驅(qū)動(dòng)晶體管與發(fā)光二極管之間未設(shè)置開關(guān)晶體管時(shí)，則發(fā)光單元的陽極與驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電連接，在此不作具體限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電致發(fā)光顯示面板，可以包括：呈陣列排布的多個(gè)如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路；具體地，如圖12a所示的側(cè)視圖，以及如圖12b所示的俯視圖，且圖12b中未示出封裝基板，電致發(fā)光顯示面板100包括：相對(duì)而置的陣列基板101和封裝基板102，呈陣列排布的多個(gè)像素電路103設(shè)置于陣列基板101面向封裝基板102的一側(cè)。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，可以包括：如本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電致發(fā)光顯示面板。該顯示裝置可以為：手機(jī)(如圖13所示)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述電致發(fā)光顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、多個(gè)開關(guān)晶體管、以及與各開關(guān)晶體管一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第一輔助電極；其中，第一輔助電極與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的柵極電連接；且第一輔助電極在襯底基板上的正投影與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的有源層在襯底基板上的正投影具有重疊區(qū)域，在重疊區(qū)域第一輔助電極和有源層之間形成電容。因此，通過將第一輔助電極與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的柵極電連接，使得第一輔助電極與對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管中的柵極具有相同電位，因有源層的電位與柵極的電位不同，使得在第一輔助電極和有源層之間可以形成電容，柵極與有源層之間也可以形成電容，從而形成并聯(lián)的柵極電容；而在驅(qū)動(dòng)晶體管中，因不存在與柵極電連接的第一輔助電極，使得驅(qū)動(dòng)晶體管中串聯(lián)之后的總的柵極電容小于各開關(guān)晶體管中并聯(lián)之后的總的柵極電容，進(jìn)而使得驅(qū)動(dòng)晶體管的亞閾值擺幅大于各開關(guān)晶體管的亞閾值擺幅，從而提高了顯示畫面的均一性。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。