本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種柵極驅(qū)動電路、柵極驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

由于液晶顯示屏器件中某些像素點內(nèi)的薄膜晶體管本身具有不穩(wěn)定性，閾值電壓負漂嚴(yán)重，在接收到關(guān)閉電壓時未完全關(guān)閉而產(chǎn)生漏電流，使周圍像素單元的信號進入到此像素單元中，導(dǎo)致屏幕畫面有云紋(mura)產(chǎn)生。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種柵極驅(qū)動電路、柵極驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置，可以自動控制向柵極輸出相應(yīng)的關(guān)閉電壓，以解決液晶顯示屏中某些像素點內(nèi)的薄膜晶體管在接收到關(guān)閉電壓時未完全關(guān)閉而產(chǎn)生漏電流的問題，有效改善顯示畫面的顯示質(zhì)量。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種可調(diào)節(jié)關(guān)閉電壓的柵極驅(qū)動電路，包括：信號輸出單元和信號檢測單元；

所述信號輸出單元用于向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；

所述信號檢測單元與對應(yīng)的所述像素單元內(nèi)的所述薄膜晶體管的漏極連接，用于在所述信號輸出單元向?qū)?yīng)的所述像素單元內(nèi)的所述薄膜晶體管的柵極輸出所述關(guān)閉電壓時，檢測對應(yīng)的所述薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號，并在檢測出有所述電流信號時，向所述信號輸出單元發(fā)送反饋控制信號，以供所述信號輸出單元根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)整所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時，所述信號輸出單元根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)低輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時，所述信號輸出單元包括：第一信號接收模塊、第一控制模塊和第一電壓輸出模塊；所述第一信號接收模塊用于接收所述信號檢測單元發(fā)送的所述反饋控制信號；所述第一控制模塊用于在所述第一信號接收模塊接收到所述反饋控制信號時控制所述第一電壓輸出模塊將待輸出的所述關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值；所述第一電壓輸出模塊用于輸出所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時，所述信號輸出單元根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)高輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時，所述信號輸出單元包括：第二信號接收模塊、第二控制模塊和第二電壓輸出模塊；所述第二信號接收模塊用于接收所述信號檢測單元發(fā)送的所述反饋控制信號；所述第二控制模塊用于在所述第二信號接收模塊接收到所述反饋控制信號時控制所述第二電壓輸出模塊將待輸出的所述關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值；所述第二電壓輸出模塊用于輸出所述關(guān)閉電壓。

可選的，所述信號輸出單元為柵極陣列行驅(qū)動單元或柵極驅(qū)動芯片。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括：柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路采用上述的柵極驅(qū)動電路。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括：陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種柵極驅(qū)動方法，包括:

向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；檢測對應(yīng)的所述薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號，并在檢測出存在所述電流信號時，發(fā)送反饋控制信號；根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)整所述關(guān)閉電壓。

可選的，當(dāng)所述薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時，根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)整所述柵極電路電壓的步驟包括：根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)低輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

當(dāng)所述薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時，根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)整所述柵極電路電壓的步驟包括：根據(jù)所述反饋控制信號調(diào)高輸出至所述薄膜晶體管的柵極的所述關(guān)閉電壓。

本發(fā)明具有以下有益效果：該發(fā)明提出了一種柵極驅(qū)動電路、柵極驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置，通過在信號輸出單元向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓時，信號檢測單元檢測對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號，并在檢測出存在電流信號時，向信號輸出單元發(fā)送反饋控制信號，以供信號輸出單元根據(jù)反饋控制信號調(diào)整關(guān)閉電壓，從而可有效防止薄膜晶體管的漏電流的產(chǎn)生，進而能有效改善顯示面板的顯示質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種柵極驅(qū)動電路的電路示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例四提供的一種柵極驅(qū)動方法的流程圖。

圖3為本發(fā)明實施例五提供的一種柵極驅(qū)動方法的流程圖。

圖4為本發(fā)明實施例六提供的一種柵極驅(qū)動方法的流程圖。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路、柵極驅(qū)動方法、陣列基板和顯示裝置進行詳細描述。

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種柵極驅(qū)動電路的電路示意圖，如圖1所示，該柵極驅(qū)動電路包括：信號輸出單元1和信號檢測單元2。

信號輸出單元1與對應(yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極連接，向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；信號檢測單元2與對應(yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的漏極連接，用于在信號輸出單元1向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓時，檢測對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號，并在檢測出有電流信號時，向信號輸出單元1發(fā)送反饋控制信號，以供信號輸出單元1根據(jù)反饋控制信號調(diào)整關(guān)閉電壓。

本實施例中，信號檢測單元2檢測出對應(yīng)的薄膜晶體管有電流信號時，向信號輸出單元1發(fā)送反饋控制信號，以調(diào)節(jié)向?qū)?yīng)薄膜晶體管的柵極輸出的關(guān)閉電壓，使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號后能夠呈現(xiàn)真正的關(guān)閉狀態(tài)，信號檢測單元2檢測到不存在電流信號。

本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路可解決液晶顯示屏中某些像素點內(nèi)的薄膜晶體管在接收到關(guān)閉電壓時未完全關(guān)閉而產(chǎn)生明顯漏電流的問題，從而有效改善顯示畫面的顯示質(zhì)量。

需要說明的是，在實際應(yīng)用中，以薄膜晶體管為非晶硅薄膜晶體管為例，即便非晶硅薄膜晶體管處于完全關(guān)閉狀態(tài)，其漏極端也會存在一個極其微小的電流，該電流的數(shù)量級一般小于10e-12(氧化物薄膜晶體管處于完全關(guān)閉狀態(tài)時其漏極端的電流會更小)。因此，在實際檢測非晶硅薄膜晶體管的漏極是否存在漏電流時，可采用靈敏度為10e-12的數(shù)量級的信號檢測單元進行檢測。當(dāng)然，也可以采用更為靈敏的信號檢測單元去檢測該電流信號，并設(shè)定一個參考閾值，若信號檢測單元檢測到的電流信號的電流值小于該參考閾值，則認為非晶硅薄膜晶體管的漏極不存在漏電流，反之，則認為非晶硅薄膜晶體管的漏極存在漏電流。

一般而言，柵極驅(qū)動電路輸出至非晶硅薄膜晶體管(n型晶體管)的關(guān)閉電壓的初始設(shè)定值在-8v～-10v之間，若此時非晶硅薄膜晶體管未完全關(guān)閉，則可將關(guān)閉電壓調(diào)低，一般將關(guān)閉電壓調(diào)低至-15v左右時，則非晶硅薄膜晶體管完全關(guān)閉。當(dāng)然，也可將關(guān)閉電壓調(diào)低至更低的水平，但會導(dǎo)致高功耗以及影響薄膜晶體管的開啟速度。

作為本發(fā)明的一種可選方案，當(dāng)薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時，信號輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號調(diào)低輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓。

具體地，信號輸出單元1包括：第一信號接收模塊、第一控制模塊和第一電壓輸出模塊；第一信號接收模塊接收信號檢測單元2發(fā)送的反饋控制信號；第一控制模塊在第一信號接收模塊接收到反饋控制信號時控制第一電壓輸出模塊將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值；第一電壓輸出模塊輸出關(guān)閉電壓。

由此可見，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路中，當(dāng)薄膜晶體管為n型薄膜晶體管時，信號輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號調(diào)低輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓，以使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號后能夠呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)，信號檢測單元2檢測到不存在電流信號。

需要說明的是，上述通過第一控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第一電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第一預(yù)設(shè)值調(diào)低。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路中信號輸出模塊還可采用其他方式調(diào)低關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

作為本發(fā)明的一種可選方案，當(dāng)薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時，信號輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號調(diào)高輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓。

具體地，信號輸出單元1包括：第二信號接收模塊、第二控制模塊和第二電壓輸出模塊；第二信號接收模塊接收信號檢測單元2發(fā)送的反饋控制信號；第二控制模塊在第二信號接收模塊接收到反饋控制信號時控制第二電壓輸出模塊將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值；第二電壓輸出模塊輸出關(guān)閉電壓。

由此可見，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路中，當(dāng)薄膜晶體管為p型薄膜晶體管時，信號輸出單元1將根據(jù)反饋控制信號調(diào)高輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓，以使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號后能夠呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)，信號檢測單元2檢測到不存在電流信號。

需要說明的是，上述通過第二控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第二電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第二預(yù)設(shè)值調(diào)高。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路中信號輸出模塊還可采用其他方式調(diào)高關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

可選的，信號輸出單元1為柵極陣列行驅(qū)動單元或柵極驅(qū)動芯片，其中柵極陣列行驅(qū)動單元可通過半導(dǎo)體工藝形成于陣列基板上，柵極驅(qū)動芯片可通過覆晶薄膜(chiponflex，簡稱cof)工藝與陣列基板上的柔性電路結(jié)合。

本發(fā)明實施例二提供了一種陣列基板，該陣列基板采用上述實施例一中的柵極驅(qū)動電路，具體內(nèi)容可參見上述實施例一中的描述，此處不再贅述。

需要說明的是，該陣列基板具體可以為液晶顯示面板或有機發(fā)光顯示面板中的陣列基板。

本發(fā)明實施例三提供了一種顯示裝置，該顯示裝置采用上述實施例二中的陣列基板，具體內(nèi)容可參見上述實施例二中的描述，此處不再贅述。

需要說明的是，該顯示裝置具體可以為液晶面板、電子紙、oled面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實施例四提供了一種柵極驅(qū)動方法，該柵極驅(qū)動方法基于柵極驅(qū)動電路，其中該柵極驅(qū)動電路采用上述實施例一中的柵極驅(qū)動電路，該柵極驅(qū)動電路的具體結(jié)構(gòu)可參見上述實施例一中的描述。

圖2為本發(fā)明實施例四提供的一種柵極驅(qū)動方法的流程圖，如圖2所示，本實施例中提供的驅(qū)動方法包括：

步驟101：向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓。

步驟101由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的信號輸出單元執(zhí)行。具體地，信號輸出單元向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓；薄膜晶體管的源極輸入有源極信號。

需要說明的是，當(dāng)薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接時，該源極信號為其他行像素單元所對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號。

步驟102：檢測薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號。

步驟102由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的信號檢測單元執(zhí)行。具體地，信號檢測單元在信號輸出單元向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓時，檢測對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號，若檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號，則表明信號輸出單元輸出的關(guān)閉電壓可使得薄膜晶體管完全關(guān)閉；若檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號，則進入步驟103。

步驟103：發(fā)送反饋控制信號。

步驟103由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的信號檢測單元執(zhí)行。具體地，在檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號后，信號檢測單元向信號輸出單元發(fā)送反饋控制信號。

步驟104：根據(jù)反饋控制信號調(diào)整關(guān)閉電壓。

步驟104由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的信號輸出單元執(zhí)行。具體地，信號輸出單元調(diào)整輸出至薄膜晶體管的柵極的關(guān)閉電壓，使得薄膜晶體管接收到調(diào)整后的關(guān)閉電壓信號后能夠呈現(xiàn)真正的關(guān)閉狀態(tài)，信號檢測單元檢測到薄膜晶體管的漏極不存在電流信號。

本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動方法可解決液晶顯示屏中某些像素點內(nèi)的薄膜晶體管在接收到關(guān)閉電壓時未完全關(guān)閉而產(chǎn)生漏電流的問題，從而有效改善顯示畫面的顯示質(zhì)量。

圖3為本發(fā)明實施例五提供的一種柵極驅(qū)動方法的流程圖，如圖3所示，在本實施例中，薄膜晶體管為n型薄膜晶體管。本實施例中提供的驅(qū)動方法包括：

步驟101a：向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓。

步驟101a由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中第一電壓輸出模塊執(zhí)行。

步驟102：檢測薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號。

若檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號，則表明輸出的關(guān)閉電壓可使得薄膜晶體管完全關(guān)閉；若檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號，則進入步驟103。

步驟103：發(fā)送反饋控制信號。

步驟102、103均由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的信號檢測單元執(zhí)行。

步驟1041a：接收反饋控制信號。

步驟1041a由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的第一信號接收模塊執(zhí)行。

步驟1042a：在接收到反饋控制信號時將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值。

步驟1042a由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的第一控制模塊執(zhí)行。

在步驟1042a結(jié)束后繼續(xù)執(zhí)行步驟101a，直至步驟102中檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號。

需要說明的是，在步驟1042a中，上述通過第一控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)低第一預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第一電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第一預(yù)設(shè)值調(diào)低。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路中信號輸出模塊還可采用其他方式調(diào)低關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

圖4為本發(fā)明實施例六提供的一種柵極驅(qū)動方法的流程圖，如圖4所示，在本實施例中，薄膜晶體管為p型薄膜晶體管。本實施例中提供的驅(qū)動方法包括：

步驟101b：向?qū)?yīng)的像素單元內(nèi)的薄膜晶體管的柵極輸出關(guān)閉電壓。

步驟101b由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中第二電壓輸出模塊執(zhí)行。

步驟102：檢測薄膜晶體管的漏極是否存在電流信號。

若檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號，則表明信號輸出單元輸出的關(guān)閉電壓可使得薄膜晶體管完全關(guān)閉；若檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極存在電流信號，則進入步驟103。

步驟103：發(fā)送反饋控制信號。

步驟102、103均由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的信號檢測單元執(zhí)行。

步驟1041b：接收反饋控制信號。

步驟1041b由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的第二信號接收模塊執(zhí)行。

步驟1042b：在接收到反饋控制信號時將待輸出的關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值。

步驟1042b由上述實施例一所提供的柵極驅(qū)動電路中的第二控制模塊執(zhí)行。

在步驟1042b結(jié)束后繼續(xù)執(zhí)行步驟101b，直至步驟102中檢測到對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極不存在電流信號。

需要說明的是，在步驟1042b中，上述通過第二控制模塊將關(guān)閉電壓調(diào)高第二預(yù)設(shè)值的技術(shù)手段是本發(fā)明中的一種優(yōu)選技術(shù)手段，其可使得第二電壓輸出模塊輸出的關(guān)閉電壓按照第二預(yù)設(shè)值調(diào)高。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，在本發(fā)明提供的柵極驅(qū)動電路中信號輸出模塊還可采用其他方式調(diào)高關(guān)閉電壓，具體方案不再一一描述。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。