本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示基板的測(cè)試方法及應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,簡(jiǎn)稱tft-lcd)是一種重要的平板顯示設(shè)備，它的主體結(jié)構(gòu)為對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線和數(shù)據(jù)線以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor,簡(jiǎn)稱tft)和像素電極。在顯示過程中，tft作為開關(guān)控制對(duì)液晶施加驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，從而控制液晶的旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)畫面的顯示。通常在彩膜基板上形成有黑矩陣，其與陣列基板上的非顯示基板位置對(duì)應(yīng)，用于防止非顯示基板漏光，影響顯示質(zhì)量。

esd(electro-staticdischarge，靜電釋放)通常會(huì)發(fā)生在tft基板制程過程中。esd發(fā)生的地方一般集中在雙層或多層金屬測(cè)試跨線處，特別是靠近tft基板邊緣有測(cè)試跨線的地方極易發(fā)生。例如，mmg43&22是將43寸和22寸兩個(gè)大小不同的基板混合設(shè)計(jì)在同一玻璃基板上，玻璃基板利用率達(dá)到95％以上，故其外圍的光配(hva)測(cè)試走線距離tft玻璃基板的邊緣僅有11mm左右，這甚至超出物理氣相沉積的成膜保證。再者，由于測(cè)試走線數(shù)目比純切產(chǎn)品的數(shù)目增加一倍，測(cè)試跨線的數(shù)目也比純切產(chǎn)品增多很多，所以更加增大了mmg43&22的esd發(fā)生的概率。

如圖5所示，圖5是現(xiàn)有技術(shù)的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖。從圖5可以看到，現(xiàn)有技術(shù)的這種基板包括形成于襯底基板1上的較大顯示基板3和較小顯示基板2，其中跨線和走線交叉的密集區(qū)在較大顯示基板的邊緣，這里恰恰是非成膜保證區(qū)，而跨線和走線交叉的稀疏區(qū)在成膜保證區(qū)，這種線路設(shè)計(jì)會(huì)使得非成膜保證區(qū)容易發(fā)生esd問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要提供一種顯示基板的測(cè)試方法及應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，在組合顯示基板外圍的測(cè)試線路中，由于跨線跨過的走線數(shù)目過多造成的esd問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一技術(shù)方案如下：

一種應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，包括：

基板本體，其一表面形成有多個(gè)矩陣排列的組合顯示基板，每個(gè)所述組合顯示基板包括相互組合的較大顯示基板與較小顯示基板，每個(gè)所述組合顯示基板的外圍區(qū)域設(shè)有測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括成膜保證區(qū)與非成膜保證區(qū)；

其中，對(duì)應(yīng)不同的所述較大顯示基板和所述較小顯示基板的測(cè)試走線及測(cè)試跨線，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案如下：

一種顯示基板的測(cè)試方法，包括以下步驟：

提供一基板本體，所述基板本體的一表面形成有多個(gè)矩陣排列的組合顯示基板，每個(gè)所述組合顯示基板包括相互組合的較大顯示基板與較小顯示基板，每個(gè)所述組合顯示基板的外圍區(qū)域設(shè)有測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括成膜保證區(qū)與非成膜保證區(qū)，其中，對(duì)應(yīng)不同的所述顯示基板的測(cè)試走線及測(cè)試跨線，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)；

對(duì)所述測(cè)試走線/所述測(cè)試跨線施加測(cè)試信號(hào)，使所述測(cè)試信號(hào)通過對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線/所述跨線到達(dá)所述顯示基板進(jìn)行測(cè)試。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的一種應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，通過將對(duì)應(yīng)不同的所述顯示基板的測(cè)試走線及測(cè)試跨線，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)，減少了組合顯示基板外圍的測(cè)試線路中，由于跨線跨過的走線數(shù)目過多造成的esd問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的另一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式排版示意圖，或顯示基板的一實(shí)施方式的排版示意圖；

圖4是本發(fā)明的顯示基板的測(cè)試方法一實(shí)施方式的部分實(shí)施步驟流程圖；

圖5是現(xiàn)有技術(shù)的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖1和圖3，圖1是本實(shí)施例的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是本實(shí)施例的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式排版示意圖。從圖1和圖3可以看到，本發(fā)明的一種應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，包括：

基板本體500，其一表面形成有多個(gè)矩陣排列的組合顯示基板100，每個(gè)所述組合顯示基板100包括相互組合的較大顯示基板12與較小顯示基板11，每個(gè)所述組合顯示基板100的外圍區(qū)域設(shè)有測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括成膜保證區(qū)200與非成膜保證區(qū)300。

其中，對(duì)應(yīng)不同的所述較大顯示基板12和所述較小顯示基板11的測(cè)試走線及測(cè)試跨線13，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線13與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)200。

在本實(shí)施例中，所述外圍區(qū)域還設(shè)有測(cè)試墊(未標(biāo)示)，所述測(cè)試墊包括光配測(cè)試墊(未標(biāo)示)與陣列測(cè)試墊(未標(biāo)示)，每個(gè)所述光配測(cè)試墊電連接多條所述測(cè)試走線(圖中僅畫出一條)，每個(gè)所述陣列測(cè)試墊電連接多條所述測(cè)試跨線13(圖中僅畫出一條)，所述測(cè)試走線和與其對(duì)應(yīng)的顯示基板內(nèi)部的信號(hào)引腳連接，所述信號(hào)引腳包括和較小顯示基板11對(duì)應(yīng)的第一光配信號(hào)引腳113和第一陣列信號(hào)引腳114，以及和較大顯示基板12對(duì)應(yīng)的第二光配信號(hào)引腳123和第二陣列信號(hào)引腳124，所述測(cè)試跨線13和與其對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線連接。

其中，一部分所述測(cè)試跨線13的一端連接一條所述測(cè)試走線，另一端連接所述陣列測(cè)試墊，另一部分所述測(cè)試跨線13的一端連接一條所述測(cè)試走線，另一端跨過至少另一條所述測(cè)試走線而到達(dá)所述信號(hào)引腳，且位于所述成膜保證區(qū)200的所述測(cè)試跨線13的數(shù)量多于位于所述非成膜保證區(qū)300的所述測(cè)試跨線13的數(shù)量。

在本實(shí)施例中，每個(gè)所述組合顯示基板100中，所述測(cè)試線路部分包圍所述組合顯示基板100的外邊緣，所述成膜保證區(qū)200位于所述組合顯示基板100同一側(cè)的所述較大顯示基板12與所述較小顯示基板11所述外圍區(qū)域的交集區(qū)，所述非成膜保證區(qū)300位于所述成膜保證區(qū)200之外的所述測(cè)試線路。

在本實(shí)施例中，光配測(cè)試墊包括第一光配測(cè)試墊111和第二光配測(cè)試墊121，陣列測(cè)試墊包括第一陣列測(cè)試墊112和第二陣列測(cè)試墊122。所述較小顯示基板11的遠(yuǎn)離所述較大顯示基板12一側(cè)設(shè)有與所述較小顯示基板11對(duì)應(yīng)的第一光配測(cè)試墊111，以及與所述較大顯示基板12對(duì)應(yīng)的第二光配測(cè)試墊121。所述第一光配測(cè)試墊111與所述第二光配測(cè)試墊121的排列方向平行于所述較小顯示基板11的所述一側(cè)，且所述第一光配測(cè)試墊111和所述成膜保證區(qū)200相鄰，所述第二光配測(cè)試墊121位于所述第一光配測(cè)試墊111遠(yuǎn)離所述成膜保證區(qū)200的一側(cè)。

所述成膜保證區(qū)200沿對(duì)應(yīng)的所述較小顯示基板11的另外一側(cè)分別設(shè)有與其對(duì)應(yīng)的第一陣列測(cè)試墊112，和與所述較大顯示基板12對(duì)應(yīng)的第二陣列測(cè)試墊122，所述第二陣列測(cè)試墊122位于所述第一陣列測(cè)試墊112遠(yuǎn)離所述第一光配測(cè)試墊111的一側(cè)，與所述較小顯示基板11對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線為第一測(cè)試走線115，與所述較大顯示基板12對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線為第二測(cè)試走線125，所述第二測(cè)試走線125設(shè)于所述第一測(cè)試走線115與所述組合顯示基板100之間。

在本實(shí)施例中，不同的所述測(cè)試走線至少部分互相平行排列。

本發(fā)明的一種應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，通過將對(duì)應(yīng)不同的所述顯示基板的測(cè)試走線及測(cè)試跨線13，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線13與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)200，減少了組合顯示基板100外圍的測(cè)試線路中，由于測(cè)試跨線13跨過的測(cè)試走線數(shù)目過多造成的esd問題。

實(shí)施例二

請(qǐng)參閱圖2和圖3，圖2是本實(shí)施例的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是本實(shí)施例的應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板的一實(shí)施方式排版示意圖。從圖2和圖3可以看到，本發(fā)明的一種應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，包括：

基板本體500，其一表面形成有多個(gè)矩陣排列的組合顯示基板100，每個(gè)所述組合顯示基板100包括相互組合的較大顯示基板22與較小顯示基板21，每個(gè)所述組合顯示基板100的外圍區(qū)域設(shè)有測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括成膜保證區(qū)200與非成膜保證區(qū)300。

其中，對(duì)應(yīng)不同的所述較大顯示基板22和所述較小顯示基板21的測(cè)試走線及測(cè)試跨線23，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線23與所述測(cè)試走線的交叉稀疏區(qū)設(shè)于所述非成膜保證區(qū)300。

在本實(shí)施例中，所述外圍區(qū)域還設(shè)有測(cè)試墊(未標(biāo)示)，所述測(cè)試墊包括光配測(cè)試墊(未標(biāo)示)與陣列測(cè)試墊(未標(biāo)示)，每個(gè)所述光配測(cè)試墊電連接多條所述測(cè)試走線(圖中僅畫出一條)，每個(gè)所述陣列測(cè)試墊電連接多條所述測(cè)試跨線23(圖中僅畫出一條)，所述測(cè)試走線和與其對(duì)應(yīng)的顯示基板內(nèi)部的信號(hào)引腳連接，所述信號(hào)引腳包括和較小顯示基板21對(duì)應(yīng)的第一光配信號(hào)引腳213和第一陣列信號(hào)引腳214，以及和較大顯示基板22對(duì)應(yīng)的第二光配信號(hào)引腳223和第二陣列信號(hào)引腳224，所述測(cè)試跨線23和與其對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線連接。

其中，一部分所述測(cè)試跨線23的一端連接一條所述測(cè)試走線，另一端連接所述陣列測(cè)試墊，另一部分所述測(cè)試跨線23的一端連接一條所述測(cè)試走線，另一端跨過至少另一條所述測(cè)試走線而到達(dá)所述信號(hào)引腳，且位于所述成膜保證區(qū)200的所述測(cè)試跨線23的數(shù)量多于位于所述非成膜保證區(qū)300的所述測(cè)試跨線23的數(shù)量。

在本實(shí)施例中，每個(gè)所述組合顯示基板100中，所述測(cè)試線路部分包圍所述組合顯示基板100的外邊緣，所述成膜保證區(qū)200位于所述組合顯示基板100同一側(cè)的所述較大顯示基板22與所述較小顯示基板21所述外圍區(qū)域的交集區(qū)，所述非成膜保證區(qū)300位于所述成膜保證區(qū)200之外的所述測(cè)試線路。

在本實(shí)施例中，光配測(cè)試墊包括第三光配測(cè)試墊211和第四光配測(cè)試墊221，陣列測(cè)試墊包括第三陣列測(cè)試墊212和第四陣列測(cè)試墊222。所述較小顯示基板21的遠(yuǎn)離所述較大顯示基板22一側(cè)設(shè)有與所述較小顯示基板21對(duì)應(yīng)的第三光配測(cè)試墊211，以及與所述較大顯示基板22對(duì)應(yīng)的第四光配測(cè)試墊221。

所述第三光配測(cè)試墊211與所述第四光配測(cè)試墊221的排列方向平行于所述較小顯示基板21的所述一側(cè)，且所述第四光配測(cè)試墊221和所述成膜保證區(qū)200相鄰，所述第三光配測(cè)試墊211位于所述第四光配測(cè)試墊221遠(yuǎn)離所述成膜保證區(qū)200的一側(cè)。

所述成膜保證區(qū)200沿對(duì)應(yīng)的所述較小顯示基板21的另外一側(cè)分別設(shè)有與其對(duì)應(yīng)的第三陣列測(cè)試墊212，和與所述較大顯示基板22對(duì)應(yīng)的第四陣列測(cè)試墊222，所述第四陣列測(cè)試墊222位于所述第三陣列測(cè)試墊212遠(yuǎn)離所述第四光配測(cè)試墊221的一側(cè)，與所述較小顯示基板21對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線為第三測(cè)試走線215，與所述較大顯示基板22對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線為第四測(cè)試走線225。

在所述成膜保證區(qū)200，所述第三測(cè)試走線215設(shè)于所述第四測(cè)試走線225和所述組合顯示基板100之間，在所述非成膜保證區(qū)300，所述第四測(cè)試走線225設(shè)于所述三測(cè)試走線215和所述組合顯示基板100之間，在所述成膜保證區(qū)200與所述非成膜保證區(qū)300的交叉區(qū)，所述第三測(cè)試走線215與所述第四測(cè)試走線225交叉排列，形成交叉區(qū)24。

在本實(shí)施例中，在水平方向上及在垂直方向上，所述第三測(cè)試走線215和所述第四測(cè)試走線225至少部分互相平行排列。

本發(fā)明的一種應(yīng)用于顯示設(shè)備的基板，通過將對(duì)應(yīng)不同的所述顯示基板的測(cè)試走線及測(cè)試跨線23，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線23與所述測(cè)試走線的交叉稀疏區(qū)設(shè)于所述非成膜保證區(qū)300，減少了組合顯示基板100外圍的測(cè)試線路中，由于測(cè)試跨線23跨過的測(cè)試走線數(shù)目過多造成的esd問題。

實(shí)施例三

請(qǐng)參閱圖3和圖4，圖3是本發(fā)明的顯示基板的一實(shí)施方式排版示意圖，圖4是本實(shí)施例的顯示基板的測(cè)試方法一實(shí)施方式的部分實(shí)施步驟流程圖。從圖4可以看到，本發(fā)明的一種顯示基板的測(cè)試方法，包括以下步驟：

步驟s101：提供一基板本體500，所述基板本體500的一表面形成有多個(gè)矩陣排列的組合顯示基板100，每個(gè)所述組合顯示基板100包括相互組合的較大顯示基板與較小顯示基板，每個(gè)所述組合顯示基板100的外圍區(qū)域設(shè)有測(cè)試線路，所述測(cè)試線路包括成膜保證區(qū)200與非成膜保證區(qū)300，其中，對(duì)應(yīng)不同的所述顯示基板的測(cè)試走線及測(cè)試跨線，設(shè)置于所述測(cè)試線路，且所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)200。

步驟s102：對(duì)所述測(cè)試走線/所述測(cè)試跨線施加測(cè)試信號(hào)，使所述測(cè)試信號(hào)通過對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線/所述跨線到達(dá)所述顯示基板進(jìn)行測(cè)試。

步驟s103：測(cè)試完成后將所述測(cè)試電路去除。

在其他實(shí)施例中，還將所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉稀疏區(qū)設(shè)于所述非成膜保證區(qū)300。

本發(fā)明的所述組合顯示基板100的外圍區(qū)域還設(shè)有測(cè)試墊(未標(biāo)示)，該測(cè)試墊包括光配測(cè)試墊和陣列測(cè)試墊。所述較大顯示基板和較小顯示基板各自的顯示區(qū)域內(nèi)均設(shè)有對(duì)應(yīng)的信號(hào)引腳，所述測(cè)試走線/所述測(cè)試跨線和與其對(duì)應(yīng)的顯示基板內(nèi)部的信號(hào)引腳連接。所述信號(hào)引腳包括和較小顯示基板對(duì)應(yīng)的光配信號(hào)引腳和陣列信號(hào)引腳，以及和較大顯示基板對(duì)應(yīng)的光配信號(hào)引腳和陣列信號(hào)引腳，所述測(cè)試跨線和與其對(duì)應(yīng)的所述測(cè)試走線連接，并與其對(duì)應(yīng)的所述信號(hào)引腳連接。

本發(fā)明的顯示基板的測(cè)試主要包括光配測(cè)試和陣列測(cè)試。在進(jìn)行光配測(cè)試時(shí)，從光配測(cè)試墊引出光配信號(hào)至對(duì)應(yīng)的測(cè)試走線，經(jīng)過對(duì)應(yīng)的測(cè)試跨線到達(dá)對(duì)應(yīng)的光配信號(hào)引腳進(jìn)行測(cè)試。在進(jìn)行陣列測(cè)試時(shí)，從陣列測(cè)試墊引出陣列信號(hào)至對(duì)應(yīng)的測(cè)試跨線，經(jīng)過對(duì)應(yīng)的測(cè)試走線到達(dá)對(duì)應(yīng)的陣列信號(hào)引腳進(jìn)行測(cè)試。

本發(fā)明通過在待測(cè)試顯示基板的外圍邊緣區(qū)域上設(shè)置用于測(cè)試的測(cè)試墊與測(cè)試電路，并根據(jù)測(cè)試內(nèi)容使用所述測(cè)試墊與所述測(cè)試電路對(duì)所述待測(cè)試顯示面板進(jìn)行測(cè)試，將所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉密集區(qū)設(shè)于所述成膜保證區(qū)200，將所述測(cè)試跨線與所述測(cè)試走線的交叉稀疏區(qū)設(shè)于所述非成膜保證區(qū)300，減少了組合顯示基板100外圍的測(cè)試線路中，由于測(cè)試跨線跨過的測(cè)試走線數(shù)目過多造成的esd問題。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。