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一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置與流程

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一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。



背景技術(shù):

近年來(lái),AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩陣/有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器由于其反應(yīng)速度快、對(duì)比度高等優(yōu)點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用。相應(yīng)的,各種用于驅(qū)動(dòng)AMOLED顯示器像素顯示的像素驅(qū)動(dòng)電路也相繼被開(kāi)發(fā)出來(lái)。

在傳統(tǒng)的像素驅(qū)動(dòng)電路中,一般包括驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容和發(fā)光元件,存儲(chǔ)電容為驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極提供穩(wěn)壓信號(hào),進(jìn)而控制發(fā)光元件處于穩(wěn)定的發(fā)光狀態(tài)?,F(xiàn)有技術(shù)中,通常采用直流信號(hào)作為穩(wěn)壓信號(hào),因而像素驅(qū)動(dòng)電路中就必須存在額外的用于提供直流信號(hào)的信號(hào)線。但這樣一來(lái),就會(huì)使得像素驅(qū)動(dòng)電路中的信號(hào)線更加復(fù)雜,由于像素驅(qū)動(dòng)電路中本身就存在較多數(shù)量的晶體管,信號(hào)線越復(fù)雜,像素驅(qū)動(dòng)電路占用的版圖空間也就越大,顯示器中對(duì)應(yīng)的像素的個(gè)數(shù)就越少,這就不利于AMOLED顯示器向高分辨率發(fā)展。

另一方面,由于傳統(tǒng)像素驅(qū)動(dòng)電路占用的版圖空間較大,導(dǎo)致版圖空間不足,因此,在實(shí)際生產(chǎn)中,像素驅(qū)動(dòng)電路通常采用鏡像設(shè)計(jì),即兩個(gè)子像素在接收其他相同類型的信號(hào)時(shí),共用一根公共信號(hào)線。但是這種結(jié)構(gòu)對(duì)工藝精度比較敏感,很容易使生產(chǎn)出的顯示器亮度不均勻,出現(xiàn)豎條Mura不良的問(wèn)題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置,可提高顯示裝置的分辨率,并避免顯示裝置出現(xiàn)豎條Mura不良的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:

本發(fā)明的第一方面提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路,包括驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容和發(fā)光元件,還包括第一控制模塊和第二控制模塊;

所述第一控制模塊的第一控制端與第一脈沖信號(hào)端子相連,所述第一控制模塊的第二控制端與第二脈沖信號(hào)端子相連,所述第一控制模塊的第一輸入端與供電信號(hào)端子以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連,所述第一控制模塊的第二輸入端與初始信號(hào)端子相連,所述第一模塊的第三輸入端與數(shù)據(jù)線相連,所述第一模塊的第四輸入端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連,所述第一控制模塊的第一輸出端與所述存儲(chǔ)電容的第一極板相連,所述第一控制模塊的第二輸出端與所述存儲(chǔ)電容的第二極板以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連;

所述第一控制模塊用于:在所述第一脈沖信號(hào)端子輸入的第一脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通;在所述第二脈沖信號(hào)端子輸入的第二脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,對(duì)所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓信號(hào)進(jìn)行采樣;

所述第二控制模塊的控制端與第三脈沖信號(hào)端子相連,所述第二控制模塊的第一輸入端與所述第一脈沖信號(hào)端子或所述第二脈沖信號(hào)端子相連,所述第二控制模塊的第二輸入端與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連,所述第二控制模塊的第一輸出端與所述存儲(chǔ)電容的第一極板相連,所述第二控制模塊的第二輸出端與所述發(fā)光元件相連;

所述第二控制模塊用于:在所述第三脈沖信號(hào)端子輸入的第三脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,控制所述第一脈沖信號(hào)或所述第二脈沖信號(hào)傳輸至所述存儲(chǔ)電容的第一極板,穩(wěn)定所述第一極板的電壓,并控制所述發(fā)光元件發(fā)光。

在本發(fā)明所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中,第一脈沖信號(hào)端子所輸入的第一脈沖信號(hào)和第二脈沖信號(hào)端子所輸入的第二脈沖信號(hào),既可作為第一控制模塊的驅(qū)動(dòng)信號(hào),用來(lái)控制第一控制模塊工作,也可作為第二控制模塊的輸入信號(hào),用來(lái)穩(wěn)定存儲(chǔ)電容的第一極板處的電壓。與現(xiàn)有技術(shù)中采用直流信號(hào)作為穩(wěn)壓信號(hào),來(lái)穩(wěn)定存儲(chǔ)電容的第一極板處的電壓相比,采用本發(fā)明中的像素驅(qū)動(dòng)電路,可直接利用第一控制模塊的驅(qū)動(dòng)信號(hào)作為穩(wěn)壓信號(hào),無(wú)需再額外的接入一根提供直流信號(hào)的信號(hào)線,這樣一來(lái),可節(jié)省像素驅(qū)動(dòng)電路所占用的版圖面積,從而增多版圖空間中的像素的個(gè)數(shù),進(jìn)而提高了顯示裝置的分辨率。另一方面,由于無(wú)需再接入一根提供直流信號(hào)的信號(hào)線,這樣,兩個(gè)子像素在接收其他相同類型的信號(hào)時(shí),可各自對(duì)應(yīng)一根信號(hào)線,不需再為了節(jié)省版圖空間而共用一根公共信號(hào)線,即像素驅(qū)動(dòng)電路也就無(wú)需再采用鏡像設(shè)計(jì),從而避免了鏡像設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的豎條Mura不良的問(wèn)題。

本發(fā)明的第二方面提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)用于如本發(fā)明的第一方面所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中,所述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法包括初始時(shí)段、采樣時(shí)段和發(fā)光時(shí)段;

所述初始時(shí)段,所述第一控制模塊在所述第一脈沖信號(hào)端子輸入的第一脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,控制所述供電信號(hào)端子輸入的供電信號(hào)傳輸至所述存儲(chǔ)電容的第一極板,控制所述初始信號(hào)端子輸入的初始信號(hào)傳輸至所述存儲(chǔ)電容的第二極板,驅(qū)動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通;

所述采樣時(shí)段,所述第一控制模塊在所述第二脈沖信號(hào)端子輸入的第二脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,控制所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至所述存儲(chǔ)電容的第一極板,控制所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓信號(hào)傳輸至所述存儲(chǔ)電容的第二極板,對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)以及所述閾值電壓信號(hào)進(jìn)行采樣;

所述發(fā)光時(shí)段,所述第二控制模塊在所述第三脈沖信號(hào)端子輸入的第三脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,控制所述第一脈沖信號(hào)或所述第二脈沖信號(hào)傳輸至所述存儲(chǔ)電容的第一極板,穩(wěn)定所述第一極板的電壓,并控制所述發(fā)光元件發(fā)光。

本發(fā)明所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的有益效果相同,此處不再贅述。

本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如本發(fā)明的第一方面所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

本發(fā)明所提供的顯示裝置的有益效果與本發(fā)明的第一方面所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的有益效果相同,此處不再贅述。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖一;

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖二;

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖三;

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法中初始時(shí)段的信號(hào)示意圖;

圖5為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法中采樣時(shí)段的信號(hào)示意圖;

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法中發(fā)光時(shí)段的信號(hào)示意圖;

圖7為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路與現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路的仿真對(duì)比圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明:

1-發(fā)光元件; 2-第一控制模塊;

3-第二控制模塊; 21-初始化單元;

22-采樣單元; 31-穩(wěn)壓?jiǎn)卧?/p>

32-導(dǎo)通單元; 4-第一脈沖信號(hào)端子;

5-第二脈沖信號(hào)端子; 6-供電信號(hào)端子;

7-初始信號(hào)端子; 8-數(shù)據(jù)線;

9-第三脈沖信號(hào)端子; 10-負(fù)極信號(hào)端子;

T1~T6-第一晶體管~第六晶體管; VSS-負(fù)極信號(hào);

DTFT-驅(qū)動(dòng)晶體管; C-存儲(chǔ)電容;

RST-第一脈沖信號(hào); GAT-第二脈沖信號(hào);

VDD-供電信號(hào); VINT-初始信號(hào);

DATA-數(shù)據(jù)信號(hào); EM-第三脈沖信號(hào);

OLED-有機(jī)發(fā)光二極管。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

如圖1所示,本實(shí)施例提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路,該像素驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、存儲(chǔ)電容C和發(fā)光元件1,此外,該像素驅(qū)動(dòng)電路還包括第一控制模塊2和第二控制模塊3。

其中,第一控制模塊2的第一控制端與第一脈沖信號(hào)端子4相連,第一控制模塊2的第二控制端與第二脈沖信號(hào)端子5相連;第一控制模塊2的第一輸入端與供電信號(hào)端子6以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極相連,第一控制模塊2的第二輸入端與初始信號(hào)端子7相連,第一模塊的第三輸入端與數(shù)據(jù)線8相連,第一模塊的第四輸入端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極相連;第一控制模塊2的第一輸出端與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連,第一控制模塊2的第二輸出端與存儲(chǔ)電容C的第二極板以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連。

在第一脈沖信號(hào)端子4輸入的第一脈沖信號(hào)RST的驅(qū)動(dòng)下,第一控制模塊2工作,控制供電信號(hào)端子6輸入的供電信號(hào)VDD傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,同時(shí)控制初始信號(hào)端子7輸入的初始信號(hào)VINT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,從而為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極提供了電壓,控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通。像素驅(qū)動(dòng)電路在該時(shí)段處于初始時(shí)段。

在第二脈沖信號(hào)端子5輸入的第二脈沖信號(hào)GAT的驅(qū)動(dòng)下,第一控制模塊2工作,控制數(shù)據(jù)線8提供的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA和閾值電壓信號(hào)的采樣。像素驅(qū)動(dòng)電路在該時(shí)段處于采樣時(shí)段。

像素驅(qū)動(dòng)電路中的第二控制模塊3的控制端與第三脈沖信號(hào)端子9相連,第二控制模塊3的第一輸入端與第一脈沖信號(hào)端子4或第二脈沖信號(hào)端子5相連,第二控制模塊3的第二輸入端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極相連,第二控制模塊3的第一輸出端與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連,第二控制模塊3的第二輸出端與發(fā)光元件1相連。

需要說(shuō)明的是,圖1中僅表示出了第二控制模塊3的第一輸入端與第一脈沖信號(hào)端子4相連,可以理解的是,第二控制模塊3的第一輸入端還可以與第二脈沖信號(hào)端子5相連。

在第三脈沖信號(hào)端子9輸入的第三脈沖信號(hào)EM的驅(qū)動(dòng)下,第二控制模塊3工作,控制第一脈沖信號(hào)RST或第二脈沖信號(hào)GAT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,穩(wěn)定第一極板的電壓,同時(shí)控制供電信號(hào)VDD經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT傳輸至發(fā)光元件1,控制發(fā)光元件1發(fā)光。像素驅(qū)動(dòng)電路在該時(shí)段處于發(fā)光時(shí)段。

在本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中,第一脈沖信號(hào)端子4所輸入的第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)端子5所輸入的第二脈沖信號(hào)GAT,既可作為第一控制模塊2的驅(qū)動(dòng)信號(hào),用來(lái)控制第一控制模塊2工作,也可作為第二控制模塊3的輸入信號(hào),用來(lái)穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓。與現(xiàn)有技術(shù)中采用直流信號(hào)作為穩(wěn)壓信號(hào),來(lái)穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓相比,采用本發(fā)明中的像素驅(qū)動(dòng)電路,可直接利用第一控制模塊2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)作為穩(wěn)壓信號(hào),無(wú)需再額外的接入一根提供直流信號(hào)的信號(hào)線,這樣一來(lái),可節(jié)省像素驅(qū)動(dòng)電路所占用的版圖面積,從而在一定的版圖空間中增多像素的個(gè)數(shù),進(jìn)而提高了顯示裝置的分辨率。

另一方面,由于本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)需再接入一根提供直流信號(hào)的信號(hào)線,這樣,兩個(gè)子像素在接收其他相同類型的信號(hào)時(shí),可各自對(duì)應(yīng)一根信號(hào)線,不需再為節(jié)省版圖空間而共用一根公共信號(hào)線,即像素驅(qū)動(dòng)電路也就無(wú)需再采用鏡像設(shè)計(jì),從而避免了鏡像設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的豎條Mura不良的問(wèn)題。

此外,由于信號(hào)線會(huì)占用發(fā)光元件1的面積,因此,當(dāng)像素驅(qū)動(dòng)電路中存在過(guò)多的信號(hào)線時(shí),會(huì)限制發(fā)光元件1的開(kāi)口率,進(jìn)而降低發(fā)光元件1的顯示亮度或者縮短發(fā)光元件1的使用壽命。采用本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路,減少了一根信號(hào)線,因此可提高發(fā)光元件1的開(kāi)口率,若減少的信號(hào)線為陽(yáng)極信號(hào)線,則能夠更大程度的降低信號(hào)線占用的面積,進(jìn)而更大程度的提高顯示亮度或者延長(zhǎng)發(fā)光元件1的使用壽命。

結(jié)合圖1與圖2,第一控制模塊2具體可包括初始化單元21和采樣單元22。

其中,初始化單元21的控制端與第一脈沖信號(hào)端子4相連,初始化單元21的第一輸入端與供電信號(hào)端子6以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極相連,初始化單元21的第二輸入端與初始信號(hào)端子7相連,初始化單元21的第一輸出端與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連,初始化單元21的第二輸出端與存儲(chǔ)電容C的第二極板以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連。

初始時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST驅(qū)動(dòng)初始化單元21工作,供電信號(hào)VDD傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,同時(shí),初始信號(hào)VINT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,從而為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極提供電壓,控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通。

采樣單元22的控制端與第二脈沖信號(hào)端子5相連,采樣單元22的第一輸入端與數(shù)據(jù)線8相連,采樣單元22的第二輸入端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極相連,采樣單元22的第一輸出端與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連,采樣單元22的第二輸出端與存儲(chǔ)電容C的第二極板以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連。

采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)GAT驅(qū)動(dòng)采樣單元22工作,數(shù)據(jù)信號(hào)DATA傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,同時(shí),驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA和閾值電壓信號(hào)的采樣。

請(qǐng)?jiān)俅谓Y(jié)合圖1和圖2,第二控制模塊3具體可包括穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1和導(dǎo)通單元32。

其中,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1的控制端與第三脈沖信號(hào)端子9相連,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1的輸入端與第一脈沖信號(hào)端子4或第二脈沖信號(hào)端子5相連,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1的輸出端與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連。導(dǎo)通單元32的控制端與第三脈沖信號(hào)端子9相連,導(dǎo)通單元32的輸入端與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極相連,導(dǎo)通單元32的輸出端與發(fā)光元件1相連。

需要說(shuō)明的是,圖2中僅表示出了穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1的輸入端與第一脈沖信號(hào)端子4相連,可以理解的是,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1的輸入端還可與第二脈沖信號(hào)端子5相連。

發(fā)光時(shí)段,第三脈沖信號(hào)EM驅(qū)動(dòng)穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1工作,第一脈沖信號(hào)RST或第二脈沖信號(hào)GAT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,穩(wěn)定第一極板處的電壓。同時(shí),第三脈沖信號(hào)EM驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通單元32工作,供電信號(hào)VDD經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和導(dǎo)通單元32傳輸至發(fā)光元件1,控制發(fā)光元件1發(fā)光。

需要說(shuō)明的是,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1和導(dǎo)通單元32的控制端均與第三脈沖信號(hào)端子9相連,因此,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1和導(dǎo)通單元32同時(shí)受到第三脈沖信號(hào)EM的控制,即穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1和導(dǎo)通單元32在同一時(shí)刻處于相同的工作狀態(tài)。當(dāng)導(dǎo)通單元32工作,控制發(fā)光元件1發(fā)光時(shí),穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1也處于工作狀態(tài),利用第一脈沖信號(hào)RST或第二脈沖信號(hào)GAT穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板的電壓,進(jìn)而保證發(fā)光元件1處于穩(wěn)定的發(fā)光狀態(tài)。

下面結(jié)合具體的電路結(jié)構(gòu),對(duì)本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路以及工作原理進(jìn)行介紹,其中,以穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1的輸入端與第一脈沖信號(hào)端子4相連為例進(jìn)行說(shuō)明。

結(jié)合圖2和圖3,初始化單元21可包括第一晶體管T1和第二晶體管T2。其中,第一晶體管T1的柵極與第一脈沖信號(hào)端子4相連,第一晶體管T1的源極與供電信號(hào)端子6以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源極相連,第一晶體管T1的漏極與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連。第二晶體管T2的柵極與第一脈沖信號(hào)端子4相連,第二晶體管T2的漏極與初始信號(hào)端子7相連,第二晶體管T2的源極與存儲(chǔ)電容C的第二極板以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連。

初始時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST處于低電平狀態(tài),驅(qū)動(dòng)第一晶體管T1導(dǎo)通,供電信號(hào)VDD經(jīng)第一晶體管T1傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,同時(shí),第一脈沖信號(hào)RST還驅(qū)動(dòng)第二晶體管T2導(dǎo)通,初始信號(hào)VINT經(jīng)第二晶體管T2傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極提供電壓,由于初始信號(hào)VINT通常為-2V~-3V,因而可控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通。此時(shí),第二脈沖信號(hào)GAT和第三脈沖信號(hào)EM處于高電平狀態(tài),第三晶體管T3~第六晶體管T6均關(guān)斷。

請(qǐng)?jiān)俅谓Y(jié)合圖2和圖3,采樣單元22可包括第三晶體管T3和第四晶體管T4。第三晶體管T3的柵極與第二脈沖信號(hào)端子5相連,第三晶體管T3的源極與數(shù)據(jù)線8相連,第三晶體管T3的漏極與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連。第四晶體管T4的柵極與第二脈沖信號(hào)端子5相連,第四晶體管T4的源極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極相連,第四晶體管T4的漏極與存儲(chǔ)電容C的第二極板以及驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極相連。

采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)GAT處于低電平狀態(tài),驅(qū)動(dòng)第三晶體管T3導(dǎo)通,數(shù)據(jù)信號(hào)DATA經(jīng)第三晶體管T3傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA的采樣。同時(shí),第二脈沖信號(hào)GAT還驅(qū)動(dòng)第四晶體管T4導(dǎo)通,供電信號(hào)VDD和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)經(jīng)第四晶體管T4傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)的采樣。此時(shí),第一脈沖信號(hào)RST和第三脈沖信號(hào)EM處于高電平狀態(tài),第一晶體管T1、第二晶體管T2、第五晶體管T5和第六晶體管T6均關(guān)斷。

請(qǐng)?jiān)俅谓Y(jié)合圖2和圖3,穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1包括第五晶體管T5,第五晶體管T5的柵極與第三脈沖信號(hào)端子9相連,第五晶體管T5的源極與第一脈沖信號(hào)端子4相連,第五晶體管T5的漏極與存儲(chǔ)電容C的第一極板相連。導(dǎo)通單元32可包括第六晶體管T6,第六晶體管T6的柵極與第三脈沖信號(hào)端子9相連,第六晶體管T6的源極與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的漏極相連,第六晶體管T6的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極相連。

發(fā)光時(shí)段,第三脈沖信號(hào)EM處于低電平狀態(tài),驅(qū)動(dòng)第五晶體管T5導(dǎo)通,第一脈沖信號(hào)RST經(jīng)第五晶體管T5傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,用以穩(wěn)定第一極板的電壓。同時(shí),第三脈沖信號(hào)EM還驅(qū)動(dòng)第六晶體管T6導(dǎo)通,從而使得供電信號(hào)端子6與有機(jī)發(fā)光二極管OLED之間的通路導(dǎo)通,供電信號(hào)VDD經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT以及第六晶體管T6傳輸至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極,控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。此時(shí),第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平狀態(tài),第一晶體管T1~第四晶體管T4均關(guān)斷。

綜上,在發(fā)光時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平狀態(tài),控制第一晶體管T1~第四晶體管T4關(guān)斷,只有第三脈沖信號(hào)EM處于低電平狀態(tài),控制第五晶體管T5和第六晶體管T6導(dǎo)通,由于第五晶體管T5的源極與第一脈沖信號(hào)端子4相連,因此,高電平的第一脈沖信號(hào)RST可傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,作為穩(wěn)壓信號(hào)來(lái)穩(wěn)定第一極板的電壓。

可見(jiàn),在本實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路中,第一脈沖信號(hào)RST在不同時(shí)段所起的作用不同,在初始時(shí)段和采樣時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST作為晶體管的導(dǎo)通信號(hào),在發(fā)光時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST作為存儲(chǔ)電容C的第一極板處的穩(wěn)壓信號(hào)??梢?jiàn),采用本實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路,可省略現(xiàn)有技術(shù)中用來(lái)提供直流信號(hào)的信號(hào)線,且最終仍能達(dá)到穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓,以及驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件1發(fā)光的效果。

可以理解的是,當(dāng)?shù)谖寰w管T5的源極與第二脈沖信號(hào)端子5相連時(shí),在初始時(shí)段和采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)GAT無(wú)法傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板處,而在發(fā)光時(shí)段,為保證第一晶體管T1~第四晶體管T4關(guān)斷,第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平,由于第五晶體管導(dǎo)通,因而高電平的第二脈沖信號(hào)GAT能夠傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板處,穩(wěn)定第一極板的電壓??梢?jiàn),第五晶體管T5的源極無(wú)論與第一脈沖信號(hào)端子4相連,還是與第二脈沖信號(hào)端子5相連,都能夠到達(dá)穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓的效果。

需要說(shuō)明的是,如上所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的溝道類型均相同。優(yōu)選的,以圖3所示的電路結(jié)構(gòu)為例,驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、第一晶體管T1~第六晶體管T6均為P型晶體管,且第一脈沖信號(hào)RST、第二脈沖信號(hào)GAT和第三脈沖信號(hào)EM處于低電平狀態(tài)時(shí),驅(qū)動(dòng)各自對(duì)應(yīng)的晶體管導(dǎo)通。

可選的,以圖3所示的電路結(jié)構(gòu)為例,像素驅(qū)動(dòng)電路中的發(fā)光元件1具體可為有機(jī)發(fā)光二極管OLED,有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極與第六晶體管T6的漏極相連,有機(jī)發(fā)光二極管OLED的負(fù)極與負(fù)極信號(hào)端子10相連,負(fù)極信號(hào)端子10提供的負(fù)極信號(hào)VSS通常為-2V~-3V。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供了一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,該像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法應(yīng)用于如實(shí)施例一所述的像素驅(qū)動(dòng)電路中。

請(qǐng)?jiān)俅螀⒁?jiàn)圖1,像素驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、存儲(chǔ)電容C、發(fā)光元件1、第一控制模塊2和第二控制模塊3,像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法具體包括初始時(shí)段、采樣時(shí)段和發(fā)光時(shí)段。

其中,初始時(shí)段,第一脈沖信號(hào)端子4輸入的第一脈沖信號(hào)RST控制第一控制模塊2工作,控制供電信號(hào)端子6輸入的供電信號(hào)VDD傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,控制初始信號(hào)端子7輸入的初始信號(hào)VINT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通。

采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)端子5輸入的第二脈沖信號(hào)GAT控制第一控制模塊2工作,控制數(shù)據(jù)線8輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA以及閾值電壓信號(hào)進(jìn)行采樣。

發(fā)光時(shí)段,第三脈沖信號(hào)端子9輸入的第三脈沖信號(hào)EM控制第二控制模塊3工作,控制第一脈沖信號(hào)RST或第二脈沖信號(hào)GAT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,穩(wěn)定第一極板的電壓,并控制發(fā)光元件1發(fā)光。

利用本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,第一脈沖信號(hào)端子4所輸入的第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)端子5所輸入的第二脈沖信號(hào)GAT,既可作為第一控制模塊2的驅(qū)動(dòng)信號(hào),用來(lái)控制第一控制模塊2工作,也可作為第二控制模塊3的輸入信號(hào),用來(lái)穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓。且采用本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,最終同樣能夠達(dá)到穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓以及驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件1發(fā)光的效果。因此,采用該驅(qū)動(dòng)方法,無(wú)需額外的利用直流信號(hào)作為穩(wěn)壓信號(hào),即可以省略用來(lái)提供直流信號(hào)的信號(hào)線,這樣一來(lái),節(jié)省了像素驅(qū)動(dòng)電路所占用的版圖面積,從而增多了版圖空間中對(duì)應(yīng)的像素的個(gè)數(shù),進(jìn)而提高了顯示裝置的分辨率。

另一方面,采用本實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,由于無(wú)需利用直流信號(hào)也同樣能夠達(dá)到穩(wěn)定存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓效果,因而對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路也就無(wú)需再接入用來(lái)提供直流信號(hào)的信號(hào)線,這樣,兩個(gè)子像素在接收其他相同類型的信號(hào)時(shí),可各自對(duì)應(yīng)一根信號(hào)線,不需再共用一根公共信號(hào)線,即像素驅(qū)動(dòng)電路也就不用再采用鏡像設(shè)計(jì),從而避免了鏡像設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的豎條Mura不良的問(wèn)題。

具體的,請(qǐng)結(jié)合圖1和圖2,當(dāng)?shù)谝豢刂颇K2包括初始化單元21和采樣單元22,且第二控制模塊3包括穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1和導(dǎo)通單元32時(shí),像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法具體包括:

初始時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST驅(qū)動(dòng)初始化單元21工作,供電信號(hào)VDD傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,同時(shí),初始信號(hào)VINT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,從而為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極提供電壓,控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通。

采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)GAT驅(qū)動(dòng)采樣單元22工作,數(shù)據(jù)信號(hào)DATA傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,控制驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA和閾值電壓信號(hào)的采樣。

發(fā)光時(shí)段,第三脈沖信號(hào)EM驅(qū)動(dòng)穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1和導(dǎo)通單元32工作,第一脈沖信號(hào)RST或第二脈沖信號(hào)GAT傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,穩(wěn)定第一極板的電壓;供電信號(hào)VDD經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和導(dǎo)通單元32傳輸至發(fā)光元件1,驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件1發(fā)光。

為了更清楚的敘述像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法,下面結(jié)合圖3所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路圖以及圖4~圖6的時(shí)序圖對(duì)驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)?jiān)俅螀⒁?jiàn)圖2和圖3,初始化單元21具體可包括第一晶體管T1和第二晶體管T2、采樣單元22具體可包括第三晶體管T3和第四晶體管T4、穩(wěn)壓?jiǎn)卧?1具體可包括第五晶體管T5、導(dǎo)通單元32具體可包括第六晶體管T6。

結(jié)合圖4所示的初始時(shí)段的信號(hào)時(shí)序圖,在初始時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST由高電平變?yōu)榈碗娖?,第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平,第三脈沖信號(hào)EM由低電平變?yōu)楦唠娖?。第一晶體管T1和第二晶體管T2在低電平的第一脈沖信號(hào)RST的驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通,第三晶體管T3~第六晶體管T6在高電平的第二脈沖信號(hào)GAT和高電平的第三脈沖信號(hào)EM的作用下均關(guān)斷。此時(shí),供電信號(hào)VDD經(jīng)第一晶體管T1傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,初始信號(hào)VINT經(jīng)第二晶體管T2傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極提供電壓,驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT導(dǎo)通。

初始時(shí)段下,VN1=VDD,VN2=VINT,驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT為導(dǎo)通狀態(tài),有機(jī)發(fā)光二極管OLED不發(fā)光。其中,VN1為存儲(chǔ)電容C第一極板處的電壓,VN2為存儲(chǔ)電容C第二極板處的電壓,VDD為供電信號(hào)對(duì)應(yīng)的供電電壓,VINT為初始信號(hào)對(duì)應(yīng)的初始電壓。

需要說(shuō)明的是,初始時(shí)段時(shí),第一脈沖信號(hào)RST由高電平變?yōu)榈碗娖?,此時(shí),存儲(chǔ)電容C的第二極板存儲(chǔ)初始信號(hào)VINT。在該時(shí)段,即使第一脈沖信號(hào)RST再次發(fā)生跳變,由于第五晶體管T5關(guān)斷,第一脈沖信號(hào)RST不會(huì)由第五晶體管T5傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板處,進(jìn)而不會(huì)影響存儲(chǔ)電容C的第二極板處的電壓。

結(jié)合圖5所示的采樣時(shí)段的信號(hào)時(shí)序圖,在采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)GAT由高電平變?yōu)榈碗娖?,第一脈沖信號(hào)RST和第三脈沖信號(hào)EM處于高電平。第三晶體管T3和第四晶體管T4在低電平的第二脈沖信號(hào)GAT的驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通,第一晶體管T1和第二晶體管T2在高電平的第一脈沖信號(hào)RST的作用下關(guān)斷,第五晶體管T5和第六晶體管T6在高電平的第三脈沖信號(hào)EM的作用下關(guān)斷。此時(shí),數(shù)據(jù)信號(hào)DATA經(jīng)第三晶體管T3傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA的采樣,供電信號(hào)VDD和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)經(jīng)第四晶體管T4傳輸至存儲(chǔ)電容C的第二極板,實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)的采樣。

采樣時(shí)段下,VN1=VDATA,VN2=VDD+Vth,驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT保持導(dǎo)通狀態(tài),有機(jī)發(fā)光二極管OLED不發(fā)光。其中,VDATA為數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓,Vth為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。

結(jié)合圖6所示的發(fā)光時(shí)段的信號(hào)時(shí)序圖,在發(fā)光時(shí)段,第三脈沖信號(hào)EM由高電平變?yōu)榈碗娖?,第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平狀態(tài)。此時(shí),第五晶體管T5和第六晶體管T6在低電平的第三脈沖信號(hào)EM的驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通,第一晶體管T1~第四晶體管T4在高電平的第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)GAT的作用下均關(guān)斷。此時(shí),第一脈沖信號(hào)RST傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,穩(wěn)定第一極板的電壓,供電信號(hào)VDD經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT和第六晶體管T6傳輸至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的正極,控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

需要說(shuō)明的是,發(fā)光時(shí)段下,存儲(chǔ)電容C的第二極板處于浮接狀態(tài),即沒(méi)有通路使電荷流出,這時(shí),第一極板處電壓的跳變會(huì)存儲(chǔ)至第二極板。

可以理解的是,當(dāng)?shù)谖寰w管T5的源極與第二脈沖信號(hào)端子5相連時(shí),在初始時(shí)段和采樣時(shí)段,第二脈沖信號(hào)GAT雖有電壓跳變,但無(wú)法傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板處,在發(fā)光階段,第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平,高電平的第二脈沖信號(hào)GAT能夠通過(guò)第五晶體管傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板處,穩(wěn)定第一極板的電壓。因此,第二脈沖信號(hào)GAT與第一脈沖信號(hào)RST具有相同的特性,都能夠代替直流信號(hào),達(dá)到穩(wěn)定第一極板電壓的效果。

當(dāng)?shù)谖寰w管T5的源極與第一脈沖信號(hào)端子4相連時(shí),第五晶體管T5的源極接收第一脈沖信號(hào)RST,發(fā)光階段VN1=VRST,VN2=VDD+Vth-(VDATA-VRST)。其中,VRST為第一脈沖信號(hào)RST對(duì)應(yīng)的電壓,VDATA-VRST為存儲(chǔ)電容C的第一極板處的跳變電壓。

有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流方程如公式(1)所示:

其中,μ為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的載流子遷移率,COX為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT中絕緣層的電容率,W為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT中溝道的寬度,L為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT中溝道的長(zhǎng)度。

當(dāng)?shù)谖寰w管T5的源極與第二脈沖信號(hào)端子5相連時(shí),VN1=VRST,VN2=VDD+Vth-(VDATA-VGAT)。其中,VGAT為第二脈沖信號(hào)GAT對(duì)應(yīng)的電壓。

有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流方程如公式(2)所示:

在發(fā)光時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST或第二脈沖信號(hào)GAT保持高電平,存儲(chǔ)電容C的第一極板處的電壓就會(huì)處于穩(wěn)定狀態(tài),進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光二極管OLED處于穩(wěn)定的發(fā)光狀態(tài)。

綜上,在發(fā)光時(shí)段,第一脈沖信號(hào)RST和第二脈沖信號(hào)GAT處于高電平狀態(tài),控制第一晶體管T1~第四晶體管T4關(guān)斷,只有第三脈沖信號(hào)EM處于低電平狀態(tài),控制第五晶體管T5和第六晶體管T6導(dǎo)通,由于第五晶體管T5的源極與第一脈沖信號(hào)端子4或第二脈沖信號(hào)端子5相連,因此,高電平的第一脈沖信號(hào)RST或高電平的第二脈沖信號(hào)GAT可傳輸至存儲(chǔ)電容C的第一極板,作為穩(wěn)壓信號(hào)來(lái)穩(wěn)定第一極板的電壓。

進(jìn)一步的,圖7為本發(fā)明中第五晶體管T5的源極接收第一脈沖信號(hào)RST與現(xiàn)有技術(shù)中第五晶體管T5的源極接收直流信號(hào)Ref的仿真對(duì)比圖,其中,實(shí)線對(duì)應(yīng)本發(fā)明的仿真曲線,虛線對(duì)應(yīng)現(xiàn)有技術(shù)的仿真曲線?;趫D7可知,當(dāng)利用第一脈沖信號(hào)RST代替直流信號(hào)時(shí),像素驅(qū)動(dòng)電路正常運(yùn)行,即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA和驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓信號(hào)的正常采樣,且當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光時(shí),有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流與現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管所對(duì)應(yīng)的電流也趨于相同。本發(fā)明中第五晶體管T5的源極接收第二脈沖信號(hào)GAT時(shí)同理。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括如實(shí)施例一所述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

由于實(shí)施例一提供的像素驅(qū)動(dòng)電路減少了用于提供直流信號(hào)的信號(hào)線,因此,像素驅(qū)動(dòng)電路占用的版圖面積減小,版圖空間中對(duì)應(yīng)的像素個(gè)數(shù)相應(yīng)增多。因此,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)施例提供的顯示裝置能夠達(dá)到較高的分辨率,且能夠避免豎條Mura不良的問(wèn)題,提高所顯示的畫(huà)面的亮度均勻度。

以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

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