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電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備的制作方法

文檔序號:2527756閱讀:164來源:國知局
專利名稱:電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備。
背景技術
近年來,提出了各種采用有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱為“OLED”)元件等發(fā)光元件的電光學裝置。在這樣的電光學裝置中通常存在以下結(jié)構(gòu):對應于掃描線與數(shù)據(jù)線的交叉,含有上述發(fā)光元件、晶體管等的像素電路與應該顯示的圖像的像素對應地設置。(例如參照專利文獻I)。專利文獻1:日本特開2007 - 316462號公報近年來,將采用了發(fā)光元件的電光學裝置應用于便捷式設備、頭戴式可視設備等小型設備的需求提高。該情況下,需要將電光學裝置小型化且不使顯示品質(zhì)劣化。另外,為了將制造成本抑制得較低并且實現(xiàn)電光學裝置的小型化,希望使電光學裝置成為簡單的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其目的之一是實現(xiàn)電光學裝置的小型化以及簡單化且不使顯示品質(zhì)劣化。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所涉及的電光學裝置的特征在于,具備:多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、與上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線的交叉對應地設置的多個像素電路、以及驅(qū)動上述多個像素電路的驅(qū)動電路,上述多個像素電路分別具備:驅(qū)動晶體管,其流過與柵極和源極之間的電壓對應的電流;寫入晶體管,其被電連接在上述驅(qū)動晶體管的柵極與上述數(shù)據(jù)線之間;第一保持電容,其一端與上述驅(qū)動晶體管的柵極電連接,對上述驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓進行保`持;以及發(fā)光元件,其以與由上述驅(qū)動晶體管供給的電流的大小對應的亮度進行發(fā)光;上述驅(qū)動電路具備:第一供電線、與上述多條數(shù)據(jù)線電連接的電平移位電路、以及向上述第一供電線供給第一電位或者第二電位并且對上述電平移位電路和上述像素電路的動作進行控制的驅(qū)動控制電路,上述電平移位電路具備:與上述多條數(shù)據(jù)線分別對應設置的多個第二保持電容、和對上述第二保持電容的兩端與上述第一供電線之間的導通與非導通進行切換的切換部,多個上述第二保持電容各自的一端與上述數(shù)據(jù)線連接,并且該第二保持電容的另一端被供給規(guī)定上述發(fā)光元件的亮度的電位的信號,上述驅(qū)動控制電路對上述切換部進行控制,以便在向上述第一供電線供給上述第一電位的期間的一部分或者全部,將上述第一供電線與上述第二保持電容的一端電連接,并且上述驅(qū)動控制電路對上述切換部進行控制,以便在向上述第一供電線供給上述第二電位的期間的一部分或者全部,將上述第一供電線與上述第二保持電容的另一端電連接。根據(jù)本發(fā)明,由于在向第一供電線供給第一電位的期間,第一供電線與第二保持電容的一端電連接,在向第一供電線供給第二電位的期間,第一供電線與第二保持電容的另一端電連接,所以能夠利用I條第一供電線實現(xiàn)向第二保持電容的一端供給第一電位以及向第二保持電容的另一端供給第二電位。由此,與分別獨立地設置向第二保持電容的一端供給第一電位的供電線、和向另一端供給第二電位的供電線的情況相比,能夠?qū)崿F(xiàn)電光學裝置的小型化以及簡單化。另外,在上述電光學裝置中,優(yōu)選上述切換部具備:第一晶體管,其被電連接在上述第二保持電容的一端與上述第一供電線之間;以及第二晶體管,其被電連接在上述第二保持電容的另一端與上述第一供電線之間。根據(jù)該發(fā)明,能夠容易地控制第二保持電容的一端與第一供電線之間的導通和非導通、以及第二保持電容的另一端與第一供電線之間的導通和非導通。另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選具備第三保持電容,該第三保持電容與上述多條數(shù)據(jù)線的每一條對應設置,對上述數(shù)據(jù)線各自的電位進行保持。根據(jù)該發(fā)明,數(shù)據(jù)線與第三保持電容和第二保持電容的一端連接。因此,在第二保持電容的另一端被供給規(guī)定發(fā)光元件的亮度的電位的信號的情況下,數(shù)據(jù)線的電位變動的大小是根據(jù)第二保持電容以及第三保持電容的電容比,將規(guī)定發(fā)光元件的亮度的電位的信號的電位變動的大小壓縮了的值。即,數(shù)據(jù)線的電位的變動范圍與規(guī)定發(fā)光元件的亮度的電位的信號的電位的變動范圍相比變小。由此,即使不以細密的精度標記數(shù)據(jù)信號,也能夠以細密的精度設定驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位,并能夠高精度地向發(fā)光元件供給電流,從而能夠?qū)崿F(xiàn)聞品質(zhì)的顯不。其中,本發(fā)明所涉及的電光學裝置通過從第二保持電容的一端經(jīng)由數(shù)據(jù)線向第一保持電容以及第三保持電容供給電荷,來決定驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位。具體而言,驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位由第一保持電容的電容值、第三保持電容的電容值以及第二保持電容向第一保持電容和第三保持電容供給的電荷量決定。假設在電光學裝置不具備第三保持電容的情況下,驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位由第一保持電容的電容值和第二保持電容所供給的電荷決定。因此,在第一保持電容的電容值由于半導體工藝的誤差而 在每個像素電路中存在相對偏差的情況下,驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位也在每個像素電路中產(chǎn)生偏差。該情況下,產(chǎn)生顯示不均勻,顯示品質(zhì)降低。與此相對,本發(fā)明具備對數(shù)據(jù)線的電位進行保持的第三保持電容。由于第三保持電容與數(shù)據(jù)線分別對應設置,所以和設置于像素電路內(nèi)的第一保持電容相比,能夠構(gòu)成為具有大面積的電極。因此,設置于各列的多個第三保持電容與第一保持電容相比,能夠?qū)⒂砂雽w工藝的誤差引起的電容值的相對偏差抑制為較小。由此,能夠防止在每個像素電路中驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位產(chǎn)生偏差,能夠?qū)崿F(xiàn)防止了顯示不均勻的產(chǎn)生的高品質(zhì)的顯不O另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選上述驅(qū)動控制電路對上述切換部進行控制,以便在第一期間向上述第一供電線供給上述第一電位,并且將上述第一供電線與上述第二保持電容的一端電連接,上述驅(qū)動控制電路對上述切換部進行控制,以便在上述第一期間結(jié)束之后開始的第二期間,以使上述寫入晶體管導通的狀態(tài)向上述第一供電線供給上述第二電位,并且將上述第一供電線與上述第二保持電容的另一端電連接,在上述第二期間結(jié)束之后開始的第三期間,以維持上述寫入晶體管導通的狀態(tài),使上述第一供電線與上述第二保持電容的兩端非電連接,并向上述第二保持電容的另一端供給對上述發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號。
根據(jù)該發(fā)明,在第一期間以及第二期間,對第一保持電容、第二保持電容、第三保持電容、數(shù)據(jù)線以及驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位進行了初始化,進而在第三期間,向第二保持電容的另一端供給對發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號。因此,由于驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位被正確地設定為與對發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號對應的值,所以能夠?qū)崿F(xiàn)聞品質(zhì)的顯不。另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選上述電平移位電路具備與上述多條數(shù)據(jù)線分別對應設置的多個第四保持電容,上述多個第四保持電容的每一個在從上述第一期間開始到上述第三期間開始為止的期間,一端被供給與上述驅(qū)動控制電路輸出的數(shù)據(jù)信號對應的電位,在上述第三期間,上述多個第四保持電容的一端與上述第二保持電容的另一端電連接。根據(jù)該發(fā)明,在第一期間以及第二期間,數(shù)據(jù)信號被向第四保持電容的一端供給并暫時保持,然后,在第三期間,被向驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點供給。假設在電光學裝置不具備第四保持電容的情況下,必須在第三期間進行向驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點供給數(shù)據(jù)信號的全部動作,需要將第三期間的時間長度設定為足夠的長度。與此相對,由于本發(fā)明在第一期間以及第二期間中并行進行數(shù)據(jù)信號的供給動作和數(shù)據(jù)線等的初始化動作,所以能夠緩和在一個水平掃描期間應該進行的動作的時間上的制約。由此,能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)信號的供給動作的低速化,并且能夠充分確保進行數(shù)據(jù)線等的初始化的期間。另外,在上述的電光學裝置中也可以是如下的方式:上述驅(qū)動電路具備多個與上述多個第四保持電容分別對應設置的第一開關以及第二開關的組,上述第一開關的輸出端與上述第二保持電容的另一端電連接,上述第一開關的輸入端與上述第四保持電容的一端和上述第二開關的輸出端電連接,上述驅(qū)動控制電路在從上述第一期間開始到上述第三期間開始為止的期間, 以將上述第一開關截止的狀態(tài)使上述第二開關導通,并且向上述第二開關的輸入端供給上述數(shù)據(jù)信號,在上述第三期間,以將上述第二開關截止的狀態(tài)使上述第一開關導通。另外,在上述的電光學裝置中也可以是如下的方式:上述多條數(shù)據(jù)線按規(guī)定數(shù)量被分組,與屬于I組的規(guī)定數(shù)量的數(shù)據(jù)線對應的規(guī)定數(shù)量的上述第二開關的輸入端被共同連接,上述驅(qū)動控制電路使上述屬于I組的規(guī)定數(shù)量的第二開關與上述數(shù)據(jù)信號的供給同步地以規(guī)定的順序?qū)?。另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選上述像素電路具備電連接在上述驅(qū)動晶體管的柵極與漏極之間的閾值補償晶體管,上述驅(qū)動控制電路在上述第二期間使上述閾值補償晶體管成為導通狀態(tài),在上述第二期間以外的期間使上述閾值補償晶體管成為截止狀態(tài)。根據(jù)該發(fā)明,能夠?qū)Ⅱ?qū)動晶體管的柵極的電位設為與驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應的電位,可對每個驅(qū)動晶體管的閾值電壓的偏差進行補償。另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選具備多條第二供電線,這些第二供電線與上述多條數(shù)據(jù)線的每一條對應設置,并供給規(guī)定的復位電位,上述像素電路具備電連接在上述第二供電線與上述發(fā)光元件之間的初始化晶體管,上述驅(qū)動控制電路在上述第一期間、上述第二期間以及上述第三期間中的至少一部分,使上述初始化晶體管成為導通狀態(tài)。
根據(jù)該發(fā)明,能夠抑制在發(fā)光元件寄生的電容的保持電壓的影響。另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選上述多條第二供電線的每一條沿著上述多條數(shù)據(jù)線的每一條設置,上述第三保持電容由上述多條數(shù)據(jù)線以及上述多條第二供電線中相鄰的上述數(shù)據(jù)線以及上述第二供電線形成。根據(jù)該發(fā)明,由于能夠充分增大第三保持電容(即,比第一保持電容以及第二保持電容大),所以數(shù)據(jù)線的電位的變動范圍與對發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號的電位的變動范圍相比,能夠變得十分小,即使不以細密的精度標記數(shù)據(jù)信號,也能夠以細密的精度設定驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位。另外,在充分增大第三保持電容的情況下,能夠防止在每個像素電路中驅(qū)動晶體管的柵極節(jié)點的電位產(chǎn)生偏差,能夠?qū)崿F(xiàn)防止了顯示不均勻的產(chǎn)生的高品質(zhì)的顯示。此外,可以通過將相鄰的數(shù)據(jù)線以及第二供電線設置于同層來形成第三保持電容。另外,也可以通過使相鄰的數(shù)據(jù)線以及第二供電線配置成俯視時重疊來形成第三保持電容。另外,在上述的電光學裝置中,優(yōu)選上述像素電路具備電連接在上述驅(qū)動晶體管與上述發(fā)光元件之間的發(fā)光控制晶體管,上述驅(qū)動控制電路至少在從上述第一期間開始時到上述第三期間結(jié)束時為止的期間,使上述發(fā)光控制晶體管成為截止狀態(tài)。另外,在本發(fā)明所涉及的電光學裝置的驅(qū)動方法中,該電光學裝置具備:多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、與上述多條掃描線和上述多條數(shù)據(jù)線的交叉對應設置的多個像素電路、第一供電線以及一端與上述數(shù)據(jù)線電連接并且向另一端被供給對上述發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號的第二保持電容,上述多個像素電路的每一個具備:驅(qū)動晶體管,其流過與柵極和源極間的電壓對應的電流;寫入晶體管,其被電連接在上述驅(qū)動晶體管的柵極與上述數(shù)據(jù)線之間;第一保持電 容,其一端與上述驅(qū)動晶體管的柵極電連接,并對上述驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓進行保持;以及發(fā)光元件,其以與由上述驅(qū)動晶體管供給的電流的大小對應的亮度進行發(fā)光;在該電光學裝置的驅(qū)動方法中,在第一期間向上述第一供電線供給第一電位,并且將上述第一供電線與上述第二保持電容的一端電連接,在上述第一期間結(jié)束之后開始的第二期間,向上述第一供電線供給第二電位,并且將上述第一供電線與上述第二保持電容的另一端電連接。此外,本發(fā)明除了被用于電光學裝置之外,還能夠用于具有該電光學裝置的電子設備。作為典型的電子設備,可以舉出頭戴式可視設備(HMD)、電子取景器等的顯示裝置。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式所涉及的電光學裝置的構(gòu)成的立體圖。圖2是表示該電光學裝置的構(gòu)成的圖。圖3是表示該電光學裝置中的像素電路的圖。圖4是表示該電光學裝置的動作的時間圖。圖5是該電光學裝置的動作說明圖。圖6是該電光學裝置的動作說明圖。圖7是該電光學裝置的動作說明圖。圖8是該電光學裝置的動作說明圖。
圖9是表示該電光學裝置中的數(shù)據(jù)信號的振幅壓縮的圖。圖10是表示該電光學裝置中的晶體管的特性的圖。圖11是表示第二實施方式所涉及的電光學裝置的構(gòu)成的圖。圖12是表示該電光學裝置的動作的時間圖。圖13是該電光學裝置的動作說明圖。圖14是該電光學裝置的動作說明圖。圖15是該電光學裝置的動作說明圖。圖16是該電光學裝置的動作說明圖。圖17是表示采用了實施方式等所涉及的電光學裝置的HMD的立體圖。圖18是表示HMD的光學構(gòu)成的圖。
具體實施例方式以下,參照附圖,對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。<第一實施方式>圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電光學裝置10的構(gòu)成的立體圖。電光學裝置10例如是在頭戴式可視設備中顯示圖像的微顯示器。詳細內(nèi)容將后述,電光學裝置10是將多個像素電路、驅(qū)動該像素電路的驅(qū)動電路等形成在例如硅基板的有機EL裝置,像素電路采用作為發(fā)光元件的一個例子的0LED。電光學裝置10例如被收納于被顯示部開口的框狀的殼體72,并且與FPC(Flexible Printed Circuits:柔性電路板)基板74的一端連接。在FPC基板74上利用COF (Chip On Film:覆晶薄膜)技術安裝半導體芯片的控制電路5,并且設置有多個端子76來與省略了圖示的上位電路連接。該上位電路經(jīng)由多個端子76與同步信號同步地向電光學裝置10供給圖像數(shù)據(jù)。同步信號包含垂直同步信號、水平同步信號、點時鐘(dot clock)信號。另外,圖像數(shù)據(jù)例如以8位規(guī)定應該顯示的圖像的像素的灰度級??刂齐娐?兼具電光學裝置10的電源電路和數(shù)據(jù)信號輸出電路的功能。S卩,控制電路5除了將根據(jù)同步信號所生成的各種的控制信號、各種電位向電光學裝置10供給之外,還將數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬的數(shù)據(jù)信號,并提供給電光學裝置10。圖2是表示第一實施方式所涉及的電光學裝置10的構(gòu)成的圖。如該圖所示,電光學裝置10大致被分為掃描線驅(qū)動電路20、多路輸出選擇器(demultiplexer) 30、電平移位電路40、和顯示部100。其中,在顯示部100中,以矩陣狀排列有與應該顯示的圖像的像素對應的像素電路110。詳細而言,在顯示部100中,m行掃描線12在圖中沿橫向(X方向)延伸設置,而且,以3列為一組的(3n)列數(shù)據(jù)線14在圖中沿縱向(Y方向)延伸并且被設成確保與各掃描線12相互電絕緣。而且,對應于m行掃描線12與(3n)列數(shù)據(jù)線14的交叉部,設置有像素電路110。因此,在本實施方式中,像素電路110被以縱m行X橫(3n)列排列為矩陣狀。這里,m、n都是自然數(shù)。在掃描線12以及像素電路110的矩陣中,為了區(qū)別行(排),有時在圖中從上朝下按順序稱為1、2、3、…、(m - l)、m行。同樣,為了區(qū)別數(shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列(縱列),有時在圖中從左向右按順序稱為1、2、3、…、(3n — I)、(3n)列。另外,為 了將數(shù)據(jù)線14的組一般化來進行說明,若使用I以上η以下的整數(shù)j,則第(3j - 2)列、第(3j -1)列以及第(3j)列的數(shù)據(jù)線14屬于從左數(shù)的第j組。其中,同一行的掃描線12和屬于同一組的3列數(shù)據(jù)線14的交叉所對應的3個像素電路110分別對應于R (紅)、G (綠)、B (藍)的像素,來表現(xiàn)上述3個像素應該顯示的彩色圖像的I個點。即,在本實施方式中構(gòu)成為,通過與RGB對應的OLED的發(fā)光并利用加色混合來表現(xiàn)I點的彩色。另外,如圖2所示,在顯示部100中,(3n)列供電線16 (第二供電線)沿縱向延伸并且被設成確保與各掃描線12相互電絕緣。對各供電線16共同供給作為復位電位的規(guī)定電位Vorst。這里,為了區(qū)別供電線16的列,有時在圖中從左向右按順序稱為第1、2、3、…、(3n)、(3n + I)列供電線16。沿著第I列 第(3n)列的各個數(shù)據(jù)線14設置第I列 第(3n)列的供電線16的每一個。S卩,在將I以上(3n)以下的整數(shù)設為P時,第P列的供電線16以及第P列的數(shù)據(jù)線14被設置成相互相鄰。另外,在電光學裝置10中與第I列 第(3n)列的數(shù)據(jù)線14的各個對應地設置有(3n)個保持電容50。保持電容50的一端與數(shù)據(jù)線14連接,另一端與供電線16連接。SP,保持電容50作為保持數(shù)據(jù)線14的電位的第三保持電容發(fā)揮作用。優(yōu)選保持電容50通過相鄰的供電線16以及數(shù)據(jù)線14夾持絕緣體(電介質(zhì))而形成。該情況下,將相鄰的供電線16與數(shù)據(jù)線14之間的距離設定為能夠得到所需大小的電容。其中,以下將保持電容50的電容值標記為Cdt。在圖2中,保持電容50被設置于顯示部100的外側(cè),但這只是等效電路,也可以設置于顯示部100的內(nèi)側(cè)。另外,也可以從顯示部100的內(nèi)側(cè)到外側(cè)來設置保持電容50??刂齐娐?向電光學裝置10供給各種控制信號。具體而言,控制·電路5向電光學裝置10供給用于控制掃描線驅(qū)動電路20的控制信號Ctr、用于控制多路輸出選擇器30中的選擇的控制信號Sel (l)、Sel (2)、Sel (3)、與上述信號處于邏輯反轉(zhuǎn)關系的控制信號/Sel (I)VSel (2),/Sel (3)、用于控制電平移位電路40的負邏輯的控制信號/Gini以及正邏輯的控制信號Gref。需要說明的是,實際上控制信號Ctr中包括脈沖信號、時鐘信號、使能信號等多種信號。另外,控制電路5向電光學裝置10供給數(shù)據(jù)信號Vd (l)、Vd (2)、…、Vd (η)。具體而言,控制電路5與多路輸出選擇器30中的選擇定時對應地向第1、2、…、η組供給數(shù)據(jù)信號Vd (l)、Vd (2)、…、Vd (η)。其中,將數(shù)據(jù)信號Vd (I廠Vd (η)能取得的電位的最高值設為Vmax,將能取得的電位的最低值設為Vmin。掃描線驅(qū)動電路20根據(jù)控制信號Ctr生成用于遍及幀的期間逐行按順序?qū)呙杈€12進行掃描的掃描信號。這里,將向第1、2、3、…、(m — l)、m行掃描線12供給的掃描信號分別標記為 Gwr (l)、Gwr (2) > Gwr (3)、…、Gwr Cm — 1)> Gwr (m)。此外,掃描線驅(qū)動電路20除了生成掃描信號Gwr (I廣Gwr Cm)之外,還按每一行生成與上述掃描信號同步的各種控制信號并向顯示部100供給,但在圖2中省略了圖示。另夕卜,幀的期間是指電光學裝置10顯示I個鏡頭(片段)量的圖像所需要的期間,例如若同步信號所含的垂直同步信號的頻率為120Hz,則幀的期間是其I個周期量的8.3毫秒的期間。多路輸出選擇器30是按每一列設置的傳輸門34 (第二開關)的集合體,對構(gòu)成各組的3列依次供給數(shù)據(jù)信號。這里,與屬于第j組的(3j - 2)、(3j -1)、(3j)列對應的傳輸門34的輸入端相互共同連接,分別向其共用端子供給數(shù)據(jù)信號Vd (j)。在第j組中設置于左端列即(3j - 2)列的傳輸門34在控制信號Sel( I)為H電平時(控制信號/Sel (I)為L電平時)導通(接通)。同樣,在第j組中設置于中央列即(3j —I)列的傳輸門34在控制信號Sel (2)為H電平時(控制信號/Sel (2)為L電平時)導通,在第j組中設置于右端列即(3j)列的傳輸門34在控制信號Sel (3)為H電平時(控制信號/Sel (3)為L電平時)導通。電平移位電路40按每一列具有保持電容44、P溝道MOS型的晶體管45 (第一晶體管)與N溝道MOS型的晶體管43 (第二晶體管)的組合,對從各列的傳輸門34的輸出端輸出的數(shù)據(jù)信號的電位進行移位。這里,保持電容44的一端與對應的列的數(shù)據(jù)線14及晶體管45的漏極節(jié)點連接,另一方面,保持電 容44的另一端與傳輸門34的輸出端及晶體管43的漏極節(jié)點連接。即,保持電容44作為一端與數(shù)據(jù)線14連接的第二保持電容發(fā)揮作用。在圖2中雖然省略了圖示,但設保持電容44的電容值為Crfl。各列的晶體管45的源極節(jié)點遍及各列與供電線61 (第一供電線)共同連接,遍及各列而向柵極節(jié)點共同供給控制信號/Gini。因此,晶體管45在控制信號/Gini為L電平時將保持電容44的一端(以及數(shù)據(jù)線14)與供電線61電連接,在控制信號/Gini為H電平時使保持電容44的一端(以及數(shù)據(jù)線14)與供電線61不電連接。另外,各列的晶體管43的源極節(jié)點遍及各列與供電線61共同連接,遍及各列向柵極節(jié)點共同供給控制信號Gref。因此,晶體管43在控制信號Gref為H電平時將作為保持電容44的另一端的節(jié)點h與供電線61電連接,在控制信號Gref為L電平時使作為保持電容44的另一端的節(jié)點h與供電線61不電連接。S卩,晶體管45以及晶體管43作為對保持電容44的兩端與供電線61之間的導通以及非導通進行切換的切換部發(fā)揮作用。其中,控制電路5向供電線61施加電位Vref_H (第一電位)或者電位Vref_L (第二電位)中任意一方的電位。此外,以下有時將電位Vref_H以及電位Vref_L統(tǒng)稱為電位Vref0這樣,控制電路5、掃描線驅(qū)動電路20、多路輸出選擇器30以及電平移位電路40作為驅(qū)動像素電路110的驅(qū)動電路而發(fā)揮作用。另外,有時將控制電路5以及掃描線驅(qū)動電路20稱為對像素電路110、多路輸出選擇器30以及電平移位電路40的動作進行控制的驅(qū)動控制電路。參照圖3,對像素電路110進行說明。由于各像素電路110從電的角度考慮是相同的結(jié)構(gòu),所以這里以第i行的、位于第j組中的左端列的第(3j - 2)列的i行(3j - 2)列的像素電路110為例進行說明。其中,i是一般性表示像素電路110所排列的行時的符號,是I以上m以下的整數(shù)。如圖3所示,像素電路110包含:P溝道MOS型的晶體管121 125、0LED130以及保持電容132。該像素電路110被供給掃描信號Gwr (i)、控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst(i)。這里,掃描信號Gwr (i)、控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)分別是與第i行對應地由掃描線驅(qū)動電路20供給的信號。因此,如果是第i行,則掃描信號Gwr (i)、控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)也向所關注的(3j — 2)列以外的其他列的像素電路供
5口 O
晶體管122的柵極節(jié)點與第i行的掃描線12連接,漏極或者源極節(jié)點的一方與第(3j - 2)列的數(shù)據(jù)線14連接,另一方與晶體管121中的柵極節(jié)點g、保持電容132的一端、晶體管123的源極節(jié)點或者漏極節(jié)點的一方分別連接。即,晶體管122電連接于晶體管121的柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14之間,作為對晶體管121的柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14之間的電連接進行控制的寫入晶體管發(fā)揮作用。這里,為了區(qū)別于其他的節(jié)點,將晶體管121的柵極節(jié)點標記為g。晶體管121的源極節(jié)點與供電線116連接,漏極節(jié)點與晶體管123的源極節(jié)點或者漏極節(jié)點的另一方、以及晶體管124的源極節(jié)點分別連接。這里,供電線116被供給在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位Vel。g卩,晶體管121作為流過與晶體管121的柵極節(jié)點以及源極節(jié)點之間的電壓對應的電流的驅(qū)動晶體管發(fā)揮作用。晶體管123的柵極節(jié)點被供給控制信號Gcmp(i)。該晶體管123作為對晶體管121的源極節(jié)點以及柵極節(jié)點g之間的電連接進行控制的閾值補償晶體管而發(fā)揮作用。晶體管124的柵極節(jié)點被供給控制信號Gel(i),漏極節(jié)點與晶體管125的源極節(jié)點以及0LED130的陽極分別連接。即,晶體管124作為對晶體管121的漏極節(jié)點與0LED130的陽極之間的電連接進行控制的發(fā)光控制晶體管而發(fā)揮作用。晶體管125的柵極節(jié)點被供給與第i行對應的控制信號Gorst(i),漏極節(jié)點與第(3j -1)列的供電線16連接而保持為電位Vorst。該晶體管125作為對供電線16與0LED130的陽極之間的電連接進行控制的初始化晶體管而發(fā)揮作用。在本實施方式中,由于電光學裝置10形成于娃基板,所以晶體管121 125的基板電位為電位Vel。保持電容132的一端與晶體管121的柵極節(jié)點g連接,另一端與供電線116連接。因此,保持電容132作為保持晶 體管121的柵極一源極之間的電壓的第一保持電容而發(fā)揮作用。其中,將保持電容132的電容值標記為Cpix。此時,保持電容50的電容值Cdt、保持電容44的電容值Crf1、保持電容132的電容值Cpix被設定為Cdt > Crfl >> Cpix。即,被設定為Cdt大于Crfl,Cpix遠小于Cdt以及Crfl。此外,作為保持電容132,也可以使用在晶體管121的柵極節(jié)點g寄生的電容,還可以使用在硅基板上由相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。OLED130的陽極是按每個像素電路110分別獨立設置的像素電極。與此相對,OLED130的陰極是遍及像素電路110的全部而共用的共用電極118,被確保為在像素電路110中作為電源的低位側(cè)的電位Vet。OLED130是在上述硅基板中由陽極和具有透光性的陰極夾持了白色有機EL層而形成的元件。而且,與RGB中任意一個對應的濾色器重疊在0LED130的出射側(cè)(陰極側(cè))。在這樣的0LED130中,若電流從陽極流向陰極,則從陽極注入的空穴與從陰極注入的電子在有機EL層再結(jié)合而生成激子,并產(chǎn)生白色光。成為此時產(chǎn)生的白色光從與硅基板(陽極)相反側(cè)的陰極透過,經(jīng)過濾色器的著色而在觀察者側(cè)被視覺確認的構(gòu)成。<第一實施方式的動作>參照圖4,對電光學裝置10的動作進行說明。圖4是用于說明電光學裝置10中的各部分的動作的時間圖。如該圖所示,掃描線驅(qū)動電路20將掃描信號Gwr (I)^Gwr Cm)依次切換為L電平,在I幀的期間中在每一個水平掃描期間(H)按順序掃描第f第m行的掃描線12。一個水平掃描期間(H)中的動作在各行的像素電路110中是相同的。因此,以下在水平掃描第i行的掃描期間,特別著眼于i行(3j - 2)列的像素電路110來對動作進行說明。在本實施方式中,第i行的掃描期間大致分為圖4中由(b)表示的初始化期間、由
(c)表示的補償期間以及由(d)表示的寫入期間。而且,在(d)的寫入期間之后,成為由(a)表示的發(fā)光期間,經(jīng)過I幀的期間后再次到達第i行的掃描期間。因此,按照時間的順序是(發(fā)光期間)一初始化期間一補償期間一寫入期間一(發(fā)光期間)這一循環(huán)的反復。其中,在圖4中,與比第i行靠前一行的第(i 一 I)行對應的掃描信號Gwr (i —
I)、控制信號Gel (i — l)、Gcmp (i — l)、Gorst (i — I)的每一個成為相比于與第i行對應的掃描信號Gwr (i)、控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i ),分別在時間上提前一個水平掃描期間(H)的波形。<發(fā)光期間>為了便于說明,從作為初始化期間的前提的發(fā)光期間開始進行說明。如圖4所示,在第i行的發(fā)光期間,掃描線驅(qū)動電路20將掃描信號Gwr (i)設定為H電平,將控制信號Gel (i)設定為L電平,將控制信號Gcmp (i)設定為H電平,將控制信號Gorst (i)設定為H電平?!ひ虼?,如圖5所示,在i行(3j - 2)列的像素電路110中,晶體管124導通,另一方面,晶體管122、123、125截止。因此,晶體管121將與柵極一源極間的電壓Vgs對應的電流Ids供給給0LED130。如后所述,在本實施方式中,發(fā)光期間中的電壓Vgs是從晶體管121的閾值電壓根據(jù)數(shù)據(jù)信號的電位而進行了電平移位后的值。因此,在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下,向0LED130供給與灰度級對應的電流。其中,由于第i行的發(fā)光期間是水平掃描第i行以外的期間,所以數(shù)據(jù)線14的電位適當變動。但是,在第i行的像素電路Iio中,由于晶體管122處于截止,所以這里不考慮數(shù)據(jù)線14的電位變動。另外,在圖5中,用粗線表示了動作說明中的重要路徑(在以下的圖6 圖8、圖13 圖16中也如此)?!闯跏蓟陂g〉接下來,若到達第i行的掃描期間,則首先開始(b)的初始化期間,作為第一期間。在初始化期間,如圖4所示,掃描線驅(qū)動電路20將控制信號Gel (i)設定為H電平,將控制信號Gorst (i)設定為L電平,另一方面,將控制信號Gcmp (i)維持為H電平。因此,如圖6所示,在i行(3j - 2)列的像素電路110中,晶體管124截止,晶體管125導通。由此,向0LED130供給的電流的路徑被切斷,并且0LED130的陽極被復位到電位 Vorst0由于如上所述,0LED130是利用陽極和陰極夾持有機EL層的結(jié)構(gòu),所以在陽極一陰極之間,如圖中用虛線所示那樣,并聯(lián)寄生出電容Coled。當在發(fā)光期間0LED130中流過電流時,該0LED130的陽極一陰極之間的兩端電壓由該電容Coled保持,但該保持電壓由于晶體管125的導通而被復位。因此,在本實施方式中,當在之后的發(fā)光期間0LED130中再次流過電流時,難以受到由該電容Coled保持的電壓的影響。
詳細而言,例如在從高亮度的顯示狀態(tài)轉(zhuǎn)為低亮度的顯示狀態(tài)時,如果是不復位的結(jié)構(gòu),則由于保持高亮度(流過大電流)時的高電壓,所以接下來即使想要流過小電流,也會流過過量的電流而無法成為低亮度的顯示狀態(tài)。與此相對,在本實施方式中,由于晶體管125的導通而使0LED130的陽極的電位被復位,所以能使低亮度側(cè)的再現(xiàn)性提高。其中,在本實施方式中,電位Vorst被設定為該電位Vorst與共用電極118的電位Vct之差小于0LED130的發(fā)光閾值電壓。因此,在初始化期間(接下來說明的補償期間以及寫入期間),OLED130為截止(非發(fā)光)狀態(tài)。另一方面,在初始化期間,控制電路5如圖4所示那樣,將控制信號/Gini設定為L電平,將控制信號Gref設定為L電平,另一方面,向供電線61供給電位VrefJL因此,如圖6所示,在電平移位電路40中,晶體管45成為導通的狀態(tài),另一方面,晶體管43成為截止的狀態(tài)。由此,保持電容44的一端與供電線61電連接,作為保持電容44的一端的數(shù)據(jù)線14被初始化為電位VrefJL此外,如圖4所示,掃描線驅(qū)動電路20在初始化期間的開始到結(jié)束的期間,將掃描信號Gwr (i)從H電平 變更為L電平。由此,由于晶體管122導通,晶體管121的柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14電連接,所以柵極節(jié)點g被設定為電位VrefJL在本實施方式中,將電位Vref_H被設定為(Vel — Vref_H)比晶體管121的閾值電壓I Vth I大。其中,由于晶體管121是P溝道型,所以以源極節(jié)點的電位為基準的閾值電壓Vth為負。鑒于此,為了防止在高低關系的說明時產(chǎn)生混亂,用絕對值I Vth I表示閾值電壓,按照大小關系進行規(guī)定。此外,在本實施方式中,掃描線驅(qū)動電路20在開始了第i行的初始化期間之后,直到該初始化期間結(jié)束為止的期間,將掃描信號GwKi)從H電平變更為L電平,但本發(fā)明不限定于這樣的方式,只要在從初始化期間的開始時到補償期間的開始時為止的期間,變更為L電平即可。例如,掃描線驅(qū)動電路20可以在開始初始化期間的同時將掃描信號Gwr (i)從H電平變更為L電平,也可以在開始補償期間的同時將掃描信號Gwr (i)從H電平變更為L電平。〈補償期間〉在第i行的掃描期間,接下來成為(C)的補償期間,作為第二期間。在補償期間,控制電路5如圖4所示那樣將控制信號/Gini設定為H電平,將控制信號Gref設定為H電平,另一方面,向供電線61供給電位Vref_L。因此,如圖7所示,在電平移位電路40中,晶體管43成為導通的狀態(tài),另一方面,晶體管45成為截止的狀態(tài)。由此,保持電容44的另一端與供電線61電連接,節(jié)點h被設定為電位Vref_L。其中,在本實施方式中,電位Vref_L被設定為節(jié)點h的電位相對于數(shù)據(jù)信號Vd(I)>d (η)能取得的電位,在之后的寫入期間上升變化那樣的值,例如被設定為比最低值Vmin低。另外,在補償期間,掃描線驅(qū)動電路20如圖4所示將控制信號Gcmp (i)設定為L電平,另一方面,將掃描信號Gwr (i)維持為L電平,將控制信號Gel (i)維持為H電平,將控制信號Gorst (i)維持為L電平。因此,如圖7所示,由于晶體管123導通,所以晶體管121成為二極管連接。由此,漏極電流流過晶體管121,對柵極節(jié)點g以及數(shù)據(jù)線14進行充電。詳細而言,電流按照供電線116 —晶體管121 —晶體管123 —晶體管122 —第(3j — 2)列數(shù)據(jù)線14這一路徑流動。從而,因晶體管121的導通而成為相互連接的狀態(tài)的數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g從電位Vref_H 上升。但是,由于上述路徑中流動的電流隨著柵極節(jié)點g接近于電位(Vel — I Vth I)而難以流動,所以在到達補償期間結(jié)束之前,數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點g以電位(Vel -1Vth I )飽和。因此,保持電容132在到達補償期間結(jié)束之前,保持晶體管121的閾值電壓IVth I?!磳懭肫陂g〉在初始化期間之后,作為第三期間,到達(d)的寫入期間。在寫入期間,由于掃描線驅(qū)動電路20如圖4所示將掃描信號Gwr (i)維持為L電平,將控制信號Gel (i)維持為H電平,將控制信號Gorst (i)維持為L電平,另一方面,將控制信號Gcmp (i)設定為H電平,所以晶體管121的二極管連接被解除。另外,如圖4所示,由于控制電路5將控制信號/Gini設定為H電平,將控制信號Gref設定為L電平,所以晶體管45維持截止的狀態(tài),并且晶體管43也為截止的狀態(tài)。因此,雖然從第(3j - 2)列的數(shù)據(jù)線14至i行(3j — 2)列的像素電路110中的柵極節(jié)點g為止的路徑成為浮置狀態(tài),但該路徑中的電位被保持電容50、132維持為(Vel -1 Vth I )。在第i行的寫入期間,控制電路5將第j組中的數(shù)據(jù)信號Vd (j)按順序切換為與i行(3j - 2)列、i行(3j -1)列、i行(3j)列的像素的灰度級對應的電位。另一方面,控制電路5與數(shù)據(jù)信號的電位的切換同步地使控制信號Sel (I)、Sel (2)、Sel (3)按順序排他地成為H電平。雖然在圖4中省略了圖示,但控制電路5還輸出與控制信號Sel (I)、Sel (2)、Sel (3)處于邏輯反轉(zhuǎn)的關系的控制信號/Sel (1)、/Sel (2),/Sel (3)。由此,通過多路輸出選擇器30,在各組中的傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序?qū)?。這里,在左端列的傳輸門34通過控制信號Sel (1)、/Sel (I)被導通時,如圖8所示,作為保持電容44的另一端的節(jié)點h從在補償期間被設定的電位Vref_L變化為數(shù)據(jù)信號Vd (j)的電位、即變化為與i行(3j — 2)列的像素的灰度級對應的電位。將此時的節(jié)點h的電位變化量表示為八¥,將變化后的電位表示為(¥1*社_1^+ Λ V)。另一方面,由于柵極節(jié)點g經(jīng)由數(shù)據(jù)線14與保持電容44的一端連接,所以成為從補償期間中的電位(Vel — I Vth I )朝上升方向移位了對節(jié)點h的電位變化量AV乘以了電容比kl的值的值(Vel -1 Vth I + kl.AV)0此時,若用絕對值表現(xiàn)晶體管121的電壓Vgs,則成為從閾值電壓I Vth I減去了柵極節(jié)點g的電位上升的移位量的值(I Vth I —kl.AV)。其中,電容比kl為Crfl八Cdt+ Crfl)。嚴格來說,雖然還必須考慮保持電容132的電容值Cpix,但由于電容值Cpix被設定為遠小于電容值Crfl、Cdt,故可忽略。圖9是表示寫入期間中的數(shù)據(jù)信號的電位與柵極節(jié)點g的電位的關系的圖。如上所述,從控制電路5供給的數(shù)據(jù)信號根據(jù)像 素的灰度級而能取從最小值Vmin到最大值Vmax的電位范圍。在本實施方式中,該數(shù)據(jù)信號不被直接寫入柵極節(jié)點g,而如圖所示那樣進行電平移位,然后被寫入柵極節(jié)點g。
此時,柵極節(jié)點g的電位范圍AVgate被壓縮為對數(shù)據(jù)信號的電位范圍AVdata(=Vmax - Vmin)乘以了電容比kl的值。例如,在將保持電容44、50的電容設定為Crfl:Cdt = 1:9時,能夠?qū)艠O節(jié)點g的電位范圍AVgate壓縮為數(shù)據(jù)信號的電位范圍AVdata的 1/10。另外,關于使柵極節(jié)點g的電位范圍AVgate相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍AVdata朝哪個方向移位多少,可由電位Vp (= Vel — I Vth I )、電位決定。這是因為數(shù)據(jù)信號的電位范圍Λ Vdata將電位Vref_L為基準被以電容比kl壓縮,并且該壓縮范圍以電位Vp為基準而被移位的范圍成為柵極節(jié)點g的電位范圍AVgate。這樣,在第i行的寫入期間,向第i行的像素電路110的柵極節(jié)點g寫入從補償期間中的電位(Vel -1 Vth I )移位了對節(jié)點h的電位變化量AV乘以電容比kl的量的電位(Vel — I Vth I + kl.ΔV)0〈發(fā)光期間〉在第i行的寫入期間結(jié)束后,開始發(fā)光期間。在發(fā)光期間,由于掃描線驅(qū)動電路20如上所述將掃描信號GwKi)設定為H電平,所以將晶體管122截止。由此,柵極節(jié)點g的電位被維持為移位后的電位(Vel — I Vth I +kl.AV)。另外,在發(fā)光期間,由于掃描線驅(qū)動電路20如上所述將控制信號Gel (i)設定為L電平,所以在i行(3j - 2)列的像素電路110中,晶體管124導通。由于柵極一源極間的電壓Vgs為(I Vth I — kl.AV),所以如之前的圖5所示,與灰度級對應的電流以補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)被供給0LED130。這樣的動作在第i行的掃描期間,也在第(3j - 2)列像素電路110以外的第i行之外的像素電路110中時間上并行地進行。并且,這樣的第i行的動作實際上在I幀的期間按第1、2、3、…、(m — l)、m行的順序進行,并且以幀為單位重復。根據(jù)本實施方式,由于柵極節(jié)點g處的電位范圍AVgate相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍AVdata變小 ,所以即使不以細密的精度標記數(shù)據(jù)信號,也能夠?qū)⒎从沉嘶叶燃壍碾妷菏┘佑诰w管121的柵極一源極之間。因此,即使在像素電路110中相對于晶體管121的柵極一源極間的電壓Vgs的變化,流過0LED130的微小電流相對大幅變化的情況下,也能夠高精度地控制向0LED130供給的電流。另外,如在圖3中用虛線所示那樣,存在數(shù)據(jù)線14與像素電路110中的柵極節(jié)點g之間寄生出電容Cprs的情況。該情況下,若數(shù)據(jù)線14的電位變化幅度很大,則會經(jīng)由該電容Cprs向柵極節(jié)點g傳播,產(chǎn)生所謂的串擾、不均勻等而導致顯示品質(zhì)降低。該電容Cprs的影響在像素電路110被微細化時顯著顯現(xiàn)。與此相對,在本實施方式中,由于數(shù)據(jù)線14的電位變化范圍相對于數(shù)據(jù)信號的電位范圍AVdata變小,所以能夠抑制因電容Cprs所產(chǎn)生的影響。另外,根據(jù)本實施方式,控制電路5在初始化期間向供電線61供給電位Vref_H來使晶體管45導通,另一方面,在補償期間向供電線61供給電位Vref_L來使晶體管43導通。因此,能夠通過I條供電線61來實現(xiàn)在初始化期間向保持電容44的一端供給電位Vref_H,而在補償期間向保持電容44的另一端供給電位Vref_L。由此,與分別獨立地設置向保持電容44的一端供給電位Vref_H的供電線、和向保持電容44的另一端供給電位Vref_L的供電線的情況相比,能夠?qū)崿F(xiàn)電光學裝置10的小型化、簡單化。另外,根據(jù)本實施方式,由晶體管121向OLED130供給的電流Ids抵消閾值電壓的影響。因此,根據(jù)本實施方式,即使晶體管121的閾值電壓在每個像素電路110中偏差,該偏差也能被補償,從而向0LED130供給與灰度級對應的電流,所以能夠抑制損壞顯示畫面的均勻性那樣的顯示不均勻的產(chǎn)生,結(jié)果能夠?qū)崿F(xiàn)高品質(zhì)的顯示。參照圖10,對該抵消進行說明。如該圖所示,晶體管121為了控制向0LED130供給的微小電流,在弱反轉(zhuǎn)區(qū)域(亞閾值區(qū)域)進行動作。圖中,A表不閾值電壓I Vth I大的晶體管,B表不閾值電壓I Vth I小的晶體管。需要說明的是,在圖10中,柵極一源極間的電壓Vgs是用實線表示的特性與電位Vel之差。另外,在圖10中,縱刻度的電流被以從源極朝向漏極的方向為負(下)的對數(shù)表示。在補償期間,柵極節(jié)點g從電位Vref_H變?yōu)殡娢?Vel — I Vth I)。因此,閾值電壓I Vth I大的晶體管A的動作點從S向Aa移動,另一方面,閾值電壓I Vth I小的晶體管B的動作點從S向Ba移動。接下來,在朝向2個晶體管所屬的像素電路110的數(shù)據(jù)信號的電位相同的情況下、即被指定了相同的灰度級的情況下,在寫入期間,來自動作點Aa、Ba的電位移位量均為相同的kl.AV0因此,對于晶體管A而言,動作點從Aa向Ab移動,對于晶體管B而言,動作點從Ba向Bb移動,但電位移位后的動作點的電流在晶體管A、B中都是大致相同的Ids而
一致。 〈第二實施方式〉在第一實施方式中,是利用多路輸出選擇器30向各列的保持電容44的另一端、SP節(jié)點h直接供給數(shù)據(jù)信號的結(jié)構(gòu)。因此,由于在各行的掃描期間,從控制電路5供給數(shù)據(jù)信號的期間等同為寫入期間,所以在時間上制約很大。鑒于此,接下來對能夠緩和這樣的時間上的制約的第二實施方式進行說明。其中,以下為了避免說明的重復,以與第一實施方式的不同的部分為中心進行說明。圖11是表示第二實施方式所涉及的電光學裝置10的構(gòu)成的圖。該圖所示的第二實施方式與圖2所示的第一實施方式的不同點主要在于,在電平移位電路40的各列中設置有保持電容41 (第四保持電容)以及傳輸門42 (第一開關)。詳細而言,在各列中,傳輸門42電介于傳輸門34的輸出端與保持電容44的另一端之間。即,傳輸門42的輸入端與傳輸門34的輸出端連接,傳輸門42的輸出端與保持電容44的另一端連接。其中,各列的傳輸門42在從控制電路5供給的控制信號Gcpl為H電平時(控制信號/Gcpl為L電平時)同時導通。另外,在各列中,保持電容41的一端與傳輸門34的輸出端(傳輸門42的輸入端)連接,保持電容41的另一端與固定電位、例如電位Vss共同接地。在圖11中雖然省略了圖示,但將保持電容41的電容值設為Crf2。其中,電位Vss相當于作為邏輯信號的掃描信號、控制信號的L電平。<第二實施方式的動作>參照圖12,對第二實施方式所涉及的電光學裝置10的動作進行說明。圖12是用于對第二實施方式中的動作進行說明的時間圖。
如該圖所示,與第一實施方式相同,掃描信號Gwr (ITGwr (m)依次被切換為L電平,在I幀的期間,第Γπι行的掃描線12在每一個水平掃描期間(H)被按順序掃描。另外,在第二實施方式中,第i行的掃描期間成為(b)所示的初始化期間、(c)所示的補償期間以及(d)所示的寫入期間的順序這一點也與第一實施方式相同。此外,在第二實施方式中,(d)的寫入期間是從控制信號Gcpl由L電平變?yōu)镠電平時(控制信號/Gcpl為L電平時)到掃描信號由L電平變?yōu)镠電平時的期間。在第二實施方式中,也與第一實施方式相同,時間的順序是(發(fā)光期間)一初始化期間一補償期間一寫入期間一(發(fā)光期間)這一循環(huán)反復。但是,在第二實施方式中,與第一實施方式相比,不同之處在于數(shù)據(jù)信號的供給期間不等同于寫入期間,數(shù)據(jù)信號的供給比寫入期間靠前。詳細而言,在第二實施方式中,與第一實施方式的不同之處在于,遍及(a)的初始化期間和(b)的補償期間來供給數(shù)據(jù)信號。〈發(fā)光期間〉如圖12所示,在第i行的發(fā)光期間,掃描線驅(qū)動電路20將掃描信號Gwr (i)設定為H電平,將控制信號Gel (i)設定為L電平,將控制信號Gcmp (i)設定為H電平,將控制信號Gorst (i)設定為H電平。因此,如圖13所示,由于在i行(3j - 2)列的像素電路110中,晶體管124導通,另一方面,晶體管122、123、125截止,所以該像素電路110中的動作基本上與第一實施方式相同。S卩,晶體管121將與柵極一源極間的電壓Vgs對應的電流Ids供給給0LED130?!闯跏蓟陂g〉到達第i行的掃描期間,首先開始(b)的初始化期間。在初始化期間,掃描線驅(qū)動電路20如圖12所示將控制信號Gel (i)設定為H電平,將控制信號Gorst (i)設定為L電平,另一方面,將控制信號Gcmp (i)維持為H電平。因此,如圖14所示,在i行(3j - 2)列的像素電路110中,晶體管124截止,晶體管125導通。由此,由于向0LED130供給的電流的路徑被切斷,并且晶體管124的導通使得OLED130的陽極被復位為電位Vorst,所以該像素電路110中的動作基本上與第一實施方式相同。另一方面,在初始化期間,控制電路5如圖12所示將控制信號/Gini設定為L電平,將控制信號Gref設定為L電平,另一方面,向供電線61供給電位VrefJL因此,如圖14所示,晶體管45成為導通的狀態(tài),另一方面,晶體管43成為截止的狀態(tài)。由此,保持電容44的一端與供電線61電連接,作為保持電容44的一端的數(shù)據(jù)線14被初始化為電位VrefJL另外,掃描線驅(qū)動電路20在從初始化期間的開始到結(jié)束的期間(或者從初始化期間的開始到補償期間的開始的期間)將掃描信號Gwr (i)從H電平變更為L電平。由此,由于晶體管122導通,晶體管121的柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14電連接,所以柵極節(jié)點g被設定為電位VrefJL其中,在第二實施方式中,電位Vref_H也設定為(Vel — Vef_H)比晶體管121的閾值電壓I Vth I大。如上所述,在 第二實施方式中,控制電路5遍及初始化期間以及補償期間來供給數(shù)據(jù)信號。即,控制電路5將第j組的數(shù)據(jù)信號Vd (j)按順序切換為與i行(3j — 2)列、i行(3j -1)列、i行(3j)列的像素的灰度級對應的電位,另一方面,與數(shù)據(jù)信號的電位的切換對應地使控制信號Sel (l)、Sel (2)、Sel (3)按順序排他地成為H電平。由此,通過多路輸出選擇器30,在各組中傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序?qū)?。這里,在初始化期間,當屬于第j組的左端列的傳輸門34通過控制信號Sel (I)而被導通時,如圖14所示,由于數(shù)據(jù)信號Vd (j)被供給給保持電容41的一端,所以該數(shù)據(jù)信號由保持電容41保持。〈補償期間〉在第i行的掃描期間,接下來成為(C)的補償期間。在補償期間,掃描線驅(qū)動電路20如圖12所示將控制信號Gcmp (i)設定為L電平,另一方面,將掃描信號Gwr (i)維持為L電平,將控制信號Gel (i)維持為H電平,將控制信號Gorst (i)維持為L電平。因此,如圖15所示,在i行(3j — 2)列的像素電路110中,晶體管122導通,柵極節(jié)點g與數(shù)據(jù)線14電連接,另一方面,晶體管121因晶體管123的導通而成為二極管連接。因此,由于電流以供電線116 —晶體管121 —晶體管123 —晶體管122 —第(3j —
2)列的數(shù)據(jù)線14這一路徑流動,所以柵極節(jié)點g從電位Vref_H上升,不久以(Vel — IVth I )飽和。因此,在第二實施方式中,保持電容132也在到達補償期間的結(jié)束之前,保持晶體管121的閾值電壓I Vth I。另外,在補償期間,控制電路5如圖12所示將控制信號/Gini設定為H電平,將控制信號Gref設定為H電平,另一方面,向供電線61供給電位Vref_L。因此,如圖15所示,在電平移位電路40中,晶體管43成為導通的狀態(tài),另一方面,晶體管45成為截止的狀態(tài)。由此,保持電容44的另一端與供電線61電連接,節(jié)點h被設定為電位Vref_L。其中,在第二實施方式`中,電位Vref_L也被設定為節(jié)點h的電位相對于數(shù)據(jù)信號Vd (ITVd (η)能取得的電位在之后的寫入期間上升變化那樣的值,例如比最低值Vmin低。另外,在補償期間,當屬于第j組的左端列的傳輸門34通過控制信號Sel (I)而被導通時,如圖15所示,數(shù)據(jù)信號Vd (j)由保持電容41保持。此外,當在初始化期間,屬于第j組的左端列的傳輸門34已經(jīng)通過控制信號Sel(I)而被導通時,在補償期間,該傳輸門34雖然不導通,但數(shù)據(jù)信號Vd (j)也會被被保持電容41保持。由于掃描線驅(qū)動電路20在補償期間結(jié)束時,將控制信號Gcmp (i)從L電平變更為H電平,所以晶體管121的二極管連接被解除。另外,由于控制電路5在補償期間結(jié)束時,將控制信號Gref從H電平變更為L電平,所以晶體管43截止。因此,雖然從第(3j - 2)列的數(shù)據(jù)線14到i行(3j - 2)列的像素電路110中的柵極節(jié)點g的路徑成為浮置狀態(tài),但該路徑的電位由保持電容50、132維持為(Vel -1 Vth I )。此外,在本實施方式中,控制電路5在補償期間結(jié)束時將控制信號Gref從H電平變更為L電平,但也可以從補償期間結(jié)束到接下來的寫入期間開始之前的期間,將控制信號Gref變更為L電平?!磳懭肫陂g〉在第i行的掃描期間,接下來成為(d)的寫入期間。在寫入期間,控制電路5如圖12所示將控制信號/Gini設定為H電平,將控制信號Gref設定為L電平,并且將控制信號Gcpl設定為H電平(將控制信號/Gcpl設定為L電平)。因此,如圖16所示,由于在電平移位電路40中,傳輸門42導通,所以由保持電容41保持的數(shù)據(jù)信號被供給給作為保持電容44的另一端的節(jié)點h。由此,節(jié)點h從補償期間中的電位Vref_L移位。即,節(jié)點h變化為電位(Vref_L + Λ V)。另外,在寫入期間,掃描線驅(qū)動電路20如圖12所示將掃描信號Gwr (i)維持為L電平,將控制信號Gel (i)維持為H電平,將控制信號Gorst (i)維持為L電平,另一方面,將控制信號Gcmp (i)設定為H電平。此時,由于柵極節(jié)點g經(jīng)由數(shù)據(jù)線14與保持電容44的一端連接,所以成為從補償期間中的電位(Vel — I Vth I )朝上升方向移位了隊節(jié)點h的電位變化量AV乘以電容比k2的值后的值。即,柵極節(jié)點g的電位成為從補償期間電位(Vel -1 Vth I )朝上升方向移位了對節(jié)點h的電位變化量Λ V乘以電容比k2的值后的值(Vel -1 Vth I + k2.AV)。其中,在第二實施方式中,電容比k2是Cdt、Crfl、Crf2的電容比。如上所述,忽略了保持電容132的電容值Cpix。另外,此時若用絕對值表現(xiàn)晶體管121的電壓Vgs,則成為從閾值電壓I Vth I減去了柵極節(jié)點g的電位上升了的移位量的值(I Vth I — k2.Λν)?!窗l(fā)光期間〉

在第二實施方式中,在第i行的寫入期間結(jié)束后,開始發(fā)光期間。在發(fā)光期間,由于掃描線驅(qū)動電路20如上所述將控制信號Gel (i)設定為L電平,所以在i行(3j — 2)列的像素電路110中,晶體管124導通。柵極一源極間的電壓Vgs為(I Vth I + k2.AV),是從晶體管121的閾值電壓以數(shù)據(jù)信號的電位進行了電平移位后的值。因此,如圖13所示,以補償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)向0LED130供給與灰度級對應的電流。這樣的動作在第i行的掃描期間,還在第(3j - 2)列的像素電路110以外的第i行之外的像素電路110中時間上并行地進行。并且,這樣的第i行的動作實際上在I幀的期間,按第1、2、3、…、(m — l)、m行的順序進行,并且按每一幀重復。根據(jù)第二實施方式,與第一實施方式相同,即使在像素電路110中流向0LED130的微小電流相對于晶體管121的柵極一源極間的電壓Vgs相對大幅變化的情況下,也能夠高精度地控制向0LED130供給的電流。根據(jù)第二實施方式,除了與第一實施方式相同,能夠充分地將在發(fā)光期間由OLED130的寄生電容保持的電壓初始化之外,即使晶體管121的閾值電壓在每個像素電路110中偏差,也能夠抑制損壞顯示畫面的均勻性那樣的顯示不均勻的產(chǎn)生,結(jié)果能夠?qū)崿F(xiàn)高品質(zhì)的顯示。根據(jù)第二實施方式,從初始化期間到補償期間執(zhí)行使保持電容41保持從控制電路5經(jīng)由多路輸出選擇器30供給的數(shù)據(jù)信號的動作。因此,對于應該在一個水平掃描期間進行的動作,能夠緩和時間上的制約。例如,由于在補償期間,隨著柵極一源極間電壓Vgs接近于閾值電壓,晶體管121中流過的電流減少,所以將柵極節(jié)點g收斂為電位(Vel — I Vth I)需要時間,但在第二實施方式中,如圖12所示,與第一實施方式比較,能夠確保補償期間較長。因此,根據(jù)第二實施方式,與第一實施方式比較,能夠高精度地補償晶體管121的閾值電壓的偏差。
另外,對于數(shù)據(jù)信號的供給動作,也能夠?qū)崿F(xiàn)低速化?!磻?變形例〉本發(fā)明不限定于上述的實施方式、應用例等實施方式等,例如能夠進行如下所述的各種變形。其中,如下所述的變形的方式可以任意選擇的一個或者將多個適當?shù)亟M合?!纯刂齐娐贰翟趯嵤┓绞街?,供給數(shù)據(jù)信號的控制電路5與電光學裝置10獨立,但控制電路5也可以和掃描線驅(qū)動電路20、多路輸出選擇器30、電平移位電路40 —起集成于硅基板。另外,電光學裝置10也可以包含控制電路5。該情況下,電光學裝置10具備驅(qū)動像素電路110的驅(qū)動電路,而且,驅(qū)動電路具備對像素電路110、多路輸出選擇器30以及電平移位電路40的動作進行控制的驅(qū)動控制電路。< 基板 >在上述的實施方式等中,是將電光學裝置10集成于硅基板的結(jié)構(gòu),但也可以是集成于其他的半導體基板的結(jié)構(gòu)。例如,也可以是SOI基板。另外,也可以應用多晶硅工序而形成于玻璃基板等??傊軐⑾袼仉娐稩io微細化,對在晶體管121中,漏極電流相對于柵極電壓Vgs的變化而以指數(shù)函數(shù)的方式大幅變化的結(jié)構(gòu)是有效的。另外,在不需要進行像素電路的微細化的情況下,也可以應用本發(fā)明。<多路輸出選擇器>在上述的實施方式等中,是將數(shù)據(jù)線14按每3列為一組并且在各組中按順序選擇數(shù)據(jù)線14來供給數(shù)據(jù)信 號的結(jié)構(gòu),但構(gòu)成組的數(shù)據(jù)線數(shù)只要為“2”以上“3η”以下的規(guī)定數(shù)量即可。例如,構(gòu)成組的數(shù)據(jù)線數(shù)可以是“2”,也可以是“4”以上。另外,也可以不分組,即成為不采用多路輸出選擇器30地向各列的數(shù)據(jù)線14同時按線的順序供給數(shù)據(jù)信號的結(jié)構(gòu)。<晶體管的溝道型>在上述的實施方式等中,將像素電路110中的晶體管12廣125統(tǒng)一為P溝道型,但也可以統(tǒng)一為N溝道型。量外,也可以將P溝道型以及N溝道型適當?shù)亟M合。另外,在上述的實施方式等中,晶體管45為P溝道型,晶體管43為N溝道型,但也可以統(tǒng)一為P溝道型或者N溝道型。另外,也可以是晶體管45為N溝道型,晶體管43為P溝道型?!雌渌翟谏鲜龅膶嵤┓绞降戎校玖税l(fā)光元件OLED作為電光學元件,但例如只要是無機發(fā)光二極管、LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等以與電流對應的的亮度進行發(fā)光的元件即可?!措娮釉O備〉接下來,對應用了實施方式等或應用例所涉及的電光學裝置10的電子設備進行說明。電光學裝置10適用于像素為小尺寸且高精細顯示的用途。鑒于此,例舉頭戴式可視設備作為電子設備來進行說明。圖17是表示頭戴式可視設備的外觀的圖,圖18是表示其光學構(gòu)成的圖。首先,如圖17所示,頭戴式可視設備300在外觀上與通常的眼鏡相同具有鏡腿310、鼻梁架(bridge) 320、透鏡301L、301R。另外,如圖18所示,頭戴式可視設備300在鼻梁架320附近的透鏡301L、301R的內(nèi)側(cè)(圖中的下偵彳)設置有左眼用的電光學裝置IOL和右眼用的電光學裝置10R。電光學裝置IOL的圖像顯示面被配置成在圖18中為左側(cè)。由此,電光學裝置IOL的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302L在圖中朝9點鐘方向射出。半反射鏡303L使電光學裝置IOL的顯示圖像朝6點鐘方向反射,另一方面,使從12點鐘方向入射的光透過。電光學裝置IOR的圖像顯示面被配置成與電光學裝置IOL相反的右側(cè)。由此,電光學裝置IOR的顯示圖像經(jīng)由光學透鏡302R在圖中朝3點鐘方向出射。半反射鏡(halfmirror) 303R將電光學裝置IOR的顯示圖像朝6點鐘方向反射,另一方面,使從12點鐘方向入射的光透過。在該結(jié)構(gòu)中,頭戴式可視設備300的配戴者能夠以與外界的樣子重疊的透視(see-through)狀態(tài)觀察電光學裝置10LU0R的顯示圖像。量外,在該頭戴式可視設備300中,如果使電光學裝置IOL顯示伴有視差的兩眼圖像中的左眼用圖像,使電光學裝置IOR顯示右眼用圖像,則能夠使配戴者以宛如具有深度、立體感的方式感知所顯示的圖像(3D顯示)。此外,電光學裝置10除了能夠應用于頭戴式可視設備300之外,還能夠應用于攝像機、可更換鏡頭的數(shù)碼相機等中的電子取景器。符號說明:5...控制電路,10...電光學裝置,12...掃描線,14...數(shù)據(jù)線,20...掃描線驅(qū)動電路,30…多路輸出選擇器,40...電平移位電路,41、44、50…保持電容,43、45…晶體管,61...供電線,100...顯不部,110...像素電路,116...供電線,118...共用電極,121 125...晶體管,130...0LED,132… 保持電容,300…頭戴式可視設備。
權(quán)利要求
1.一種電光學裝置,其特征在于, 該電光學裝置具備:掃描線、數(shù)據(jù)線、與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉對應設置的像素電路、以及驅(qū)動所述像素電路的驅(qū)動電路, 所述像素電路具備: 驅(qū)動晶體管,其流過與柵極和源極之間的電壓對應的電流; 寫入晶體管,其被電連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線之間; 第一保持電容,其一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接,并對所述驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓進行保持;以及 發(fā)光元件,其以與由所述驅(qū)動晶體管供給的電流的大小對應的亮度進行發(fā)光; 所述驅(qū)動電路具備: 第一供電線; 電平移位電路,其與所述數(shù)據(jù)線電連接;以及 驅(qū)動控制電路,其向所述第一供電線供給第一電位或者第二電位,并且對所述電平移位電路和所述像素電路的動作進行控制; 所述電平移位電路具備第二保持電容和切換部, 所述第二保持電容的一端與所述數(shù)據(jù)線連接,并且另一端被供給對所述發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號, 所述驅(qū)動控制電路對所述切換`部進行控制,以便在向所述第一供電線供給所述第一電位的期間的一部分或者全部,將所述第一供電線與所述第二保持電容的一端電連接,并且所述驅(qū)動控制電路對所述切換部進行控制,以便在向所述第一供電線供給所述第二電位的期間的一部分或者全部,將所述第一供電線與所述第二保持電容的另一端電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學裝置,其特征在于, 所述切換部具備: 第一晶體管,其被電連接在所述第二保持電容的一端與所述第一供電線之間;以及 第二晶體管,其被電連接在所述第二保持電容的另一端與所述第一供電線之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學裝置,其特征在于, 具備對所述數(shù)據(jù)線的電位進行保持的第三保持電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光學裝置,其特征在于, 所述驅(qū)動控制電路對所述切換部進行控制,以便在第一期間向所述第一供電線供給所述第一電位,并且將所述第一供電線與所述第二保持電容的一端電連接, 所述驅(qū)動控制電路對所述切換部進行控制,以便在所述第一期間結(jié)束之后開始的第二期間,以使所述寫入晶體管導通的狀態(tài)向所述第一供電線供給所述第二電位,并且將所述第一供電線與所述第二保持電容的另一端電連接, 在所述第二期間結(jié)束之后開始的第三期間,以維持使所述寫入晶體管導通的狀態(tài),使所述第一供電線與所述第二保持電容的兩端非電連接,并向所述第二保持電容的另一端供給對所述發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學裝置,其特征在于, 所述電平移位電路具備第四保持電容, 在從所述第一期間開始到所述第三期間開始為止的期間,所述第四保持電容的一端被供給與所述驅(qū)動控制電路輸出的數(shù)據(jù)信號對應的電位, 在所述第三期間,所述第四保持電容的一端與所述第二保持電容的另一端電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學裝置,其特征在于, 所述驅(qū)動電路具備與所述第四保持電容對應設置的第一開關以及第二開關, 所述第一開關的輸出端與所述第二保持電容的另一端電連接, 所述第一開關的輸入端與所述第四保持電容的一端和所述第二開關的輸出端電連接,所述驅(qū)動控制電路在從所述第一期間開始到所述第三期間開始為止的期間,以將所述第一開關截止的狀態(tài)使所述第二開關導通,并且向所述第二開關的輸入端供給所述數(shù)據(jù)信號, 在所述第三期間,以將所述第二開關截止的狀態(tài)使所述第一開關導通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學裝置,其特征在于, 所述電光學裝置具備規(guī)定數(shù)量的所述數(shù)據(jù)線, 所述驅(qū)動電路與所述規(guī)定數(shù)量的數(shù)據(jù)線對應地分別具備規(guī)定數(shù)量的所述第二保持電容、所述第四保持電容、所述第一開關、所述第二開關, 所述規(guī)定數(shù)量的第二開關的輸入端被共同連接, 所述驅(qū)動控制電路與所述數(shù)據(jù)信號的供給同步地以規(guī)定的順序使所述規(guī)定數(shù)量的第二開關導通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光學裝置,其特征在于, 所述驅(qū)動控制電路在所述第三期間使所述規(guī)定數(shù)量的第一開關同時導通。
9.根據(jù)權(quán)利要求Γ8中任意一項所述的電光學裝置,其特征在于, 所述像素電路具備電連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極與漏極之間的閾值補償晶體管, 所述驅(qū)動控制電路在所述第二期間使所述閾值補償晶體管成為導通狀態(tài), 在所述第二期間以外的期間使所述閾值補償晶體管成為截止狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求Γ9中任意一項所述的電光學裝置,其特征在于, 具備供給規(guī)定的復位電位的第二供電線, 所述像素電路具備電連接在所述第二供電線與所述發(fā)光元件之間的初始化晶體管,所述驅(qū)動控制電路在所述第一期間、所述第二期間以及所述第三期間中的至少一部分,使所述初始化晶體管成為導通狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光學裝置,其特征在于, 所述第二供電線沿著所述數(shù)據(jù)線設置, 所述第三保持電容由所述數(shù)據(jù)線以及所述第二供電線形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求Γ11中任意一項所述的電光學裝置,其特征在于, 所述像素電路具備電連接在所述驅(qū)動晶體管與所述發(fā)光元件之間的發(fā)光控制晶體管,所述驅(qū)動控制電路至少在從所述第一期間開始時到所述第三期間結(jié)束時為止的期間,使所述發(fā)光控制晶體管成為截止狀態(tài)。
13.一種電光學裝置的驅(qū)動方法,其特征在于, 該電光學裝置具備:掃描線、數(shù)據(jù)線、與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的交叉對應設置的像素電路、第一供電線以及一端與所述數(shù)據(jù)線電連接并且另一端供給被對所述發(fā)光元件的亮度進行規(guī)定的電位的 信號的第二保持電容,所述像素電路具備: 驅(qū)動晶體管,其流過與柵極和源極之間的電壓對應的電流; 寫入晶體管,其被電連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線之間; 第一保持電容,其一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接,并對所述驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓進行保持;以及 發(fā)光元件,其以與由所述驅(qū)動晶體管供給的電流的大小對應的亮度進行發(fā)光; 在該電光學裝置的驅(qū)動方法中, 在第一期間向所述第一供電線供給第一電位,并且將所述第一供電線與所述第二保持電容的一端電連接, 在所述第一期間結(jié)束之后開始的第二期間,向所述第一供電線供給第二電位,并且將所述第一供電線與所述第二保持電容的另一端電連接。
14.一種電子設備,其特征在于, 具備權(quán)利要求廣12中 任意一項所述的電光學裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供電光學裝置、電光學裝置的驅(qū)動方法以及電子設備。電光學裝置具備數(shù)據(jù)線、像素電路以及驅(qū)動上述像素電路的驅(qū)動電路。上述驅(qū)動電路具備第一供電線、與上述數(shù)據(jù)線電連接的電平移位電路、以及向上述第一供電線供給第一電位或者第二電位并且對上述電平移位電路和上述像素電路的動作進行控制的驅(qū)動控制電路。上述電平移位電路具備第二保持電容、以及對上述第二保持電容與上述第一供電線之間的連接狀態(tài)進行切換的切換部。
文檔編號G09G3/32GK103247257SQ20131003660
公開日2013年8月14日 申請日期2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月13日
發(fā)明者太田人嗣, 藤田伸 申請人:精工愛普生株式會社
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