專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
廣泛開(kāi)發(fā)了用于顯示信息的設(shè)備。這些顯示設(shè)備包括液晶顯示(IXD)設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)設(shè)備、電泳顯示設(shè)備、場(chǎng)發(fā)射顯示(FED)設(shè)備和等離子體顯示設(shè)備。在這些顯示設(shè)備中，與IXD設(shè)備相比，OLED設(shè)備具有更低的功率消耗、更寬的視角、更輕的重量和更高的亮度。因此，OLED設(shè)備被認(rèn)為是下一代顯示設(shè)備?？梢愿咚衮?qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中所使用的薄膜晶體管。為此，薄膜晶體管通過(guò)使用由多晶硅形成的半導(dǎo)體層來(lái)增加載流子遷移率?？梢酝ㄟ^(guò)結(jié)晶處理從非晶硅得到多晶硅。在結(jié)晶處理中廣泛使用激光掃描方式。在這種結(jié)晶處理中，激光束的功率可能不穩(wěn)定。因此，被激光束掃描的形成在掃描線(xiàn)上的薄膜晶體管可能具有彼此不同的閾值電壓。這可能導(dǎo)致多個(gè)像素區(qū)域之間的圖像質(zhì)量不一致。為了解決這個(gè)問(wèn)題，提出了檢測(cè)像素區(qū)域的閾值電壓并且補(bǔ)償薄膜晶體管的閾值電壓的技術(shù)。然而，為了實(shí)現(xiàn)這種閾值電壓補(bǔ)償，不僅必須在像素區(qū)域中增加用于檢測(cè)閾值電壓的晶體管，而且必須增加用于控制薄膜晶體管的信號(hào)線(xiàn)。為此，像素區(qū)域變得復(fù)雜，而且減小了像素區(qū)域的開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)造成的一個(gè)或者更多個(gè)問(wèn)題的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施方式是提供一種適用于防止由于閾值電壓和遷移率引起的圖像質(zhì)量的不均勻(或者劣化)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式是提供一種能夠使系統(tǒng)對(duì)閾值電壓和遷移率進(jìn)行補(bǔ)償使得像素區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)被簡(jiǎn)化并且像素區(qū)域的開(kāi)口率被增強(qiáng)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。將在以下的說(shuō)明書(shū)中闡述實(shí)施方式的其它特征及優(yōu)點(diǎn)，并且將根據(jù)本說(shuō)明書(shū)部分地變得清楚，或者可以從實(shí)施方式的實(shí)踐獲知。可以通過(guò)在所撰寫(xiě)的描述及其權(quán)利要求書(shū)及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)并獲得實(shí)施方式的眾多優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的總的方面，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括有機(jī)發(fā)光面板，所述有機(jī)發(fā)光面板被限定為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括被配置為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管以及被配置為充入所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的負(fù)載電容器；以及控制器，所述控制器被配置為基于所述閾值電壓計(jì)算偏移信息并且通過(guò)將所述偏移信息反映到第一圖像信號(hào)得到第二圖像信號(hào)。在研讀以下附圖和具體描述之后，其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得明顯。旨在將全部這些附加的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)包括在本說(shuō)明書(shū)中和本公開(kāi)的范圍內(nèi)，并且被以下的權(quán)利要求所保護(hù)。此部分的內(nèi)容均不應(yīng)限制權(quán)利要求。將在下面結(jié)合實(shí)施方式討論其它方面和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)該理解，對(duì)本公開(kāi)的以上概述和以下詳述都是示例性和說(shuō)明性的，并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本公開(kāi)提供進(jìn)一步的說(shuō)明。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的進(jìn)一步的理解，附圖被并入并且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖例示了本公開(kāi)的實(shí)施方式，且與說(shuō)明書(shū)一起用于對(duì)本公開(kāi)進(jìn)行說(shuō)明。在附圖中圖1是根據(jù)本公開(kāi)的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的框圖；圖2是示出了圖1的有機(jī)發(fā)光面板的電路圖；圖3是示出了圖2的像素區(qū)域的電路圖；圖4是例示了用于對(duì)感測(cè)電壓進(jìn)行檢測(cè)的信號(hào)的波形圖；圖5A到圖5C是示出了當(dāng)以時(shí)間間隔驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域時(shí)晶體管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路圖；圖6A到圖6C是例示了用于檢測(cè)遷移率的傾斜度計(jì)算方法的波形圖；圖7是示意性地示出了圖1的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的框圖；圖8是示意性地示出了圖1的控制器的框圖；圖9是示出了圖8的偏移調(diào)整器的框圖；并且圖10是示出了圖8的增益調(diào)整器的框圖。
具體實(shí)施例方式在本公開(kāi)中，將理解的是，當(dāng)諸如基板、層、區(qū)域、薄膜或者電極這樣的元件被稱(chēng)為形成在實(shí)施方式中的另一元件“上”或者“下”時(shí)，它可以直接位于另一元件上或者下，或者可以(間接地)存在中間元件。將基于附圖確定元件的“上”或者“下”的措辭?，F(xiàn)在將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中例示了這些實(shí)施方式的示例。在附圖中，為了清楚和方便說(shuō)明，可以夸大、省略或者簡(jiǎn)化元件的大小和厚度，但是它們不表示元件的實(shí)際大小。圖1是示出了根據(jù)本公開(kāi)的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的框圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本公開(kāi)的一種實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以包括有機(jī)發(fā)光面板10、控制器30、掃描驅(qū)動(dòng)器40和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50。掃描驅(qū)動(dòng)器40可以將第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2施加到有機(jī)發(fā)光面板10。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50可以將數(shù)據(jù)電壓施加到有機(jī)發(fā)光面板10。如圖2所示，有機(jī)發(fā)光面板10可以包括多條掃描線(xiàn)GLl GLn和GL’ I GL’n、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm、多條第一電源線(xiàn)PLl PLm以及多條第二電源線(xiàn)PL’ I PL’m。盡管在附圖中未示出，但是有機(jī)發(fā)光面板10還可以包括多條信號(hào)線(xiàn)。彼此交叉的掃描線(xiàn)GLl GLn和數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm可以定義多個(gè)像素區(qū)域P。這些像素區(qū)域P可以排列為矩陣形狀。各像素區(qū)域P可以電連接到第一掃描線(xiàn)GLl GLn、第二掃描線(xiàn)GL’ I GL’ η、數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm、第一電源線(xiàn)PLl PLm以及第二電源線(xiàn)PL’ I PL，m。例如，第一掃描線(xiàn)GLl GLn和第二掃描線(xiàn)GL’ I GL’ η可以電連接到以水平方向排列的多個(gè)像素區(qū)域P。數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm可以電連接到以垂直方向排列的多個(gè)像素區(qū)域P。這種像素區(qū)域P可以接收第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2、預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre、數(shù)據(jù)電壓Vdata以及第一電源電壓VDD和第二電源電壓VSS。更具體地，可以通過(guò)第一掃描線(xiàn)GLl GLn和第二掃描線(xiàn)GL’ I GL’ η將第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2施加到像素區(qū)域P?？梢越?jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm將預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre和數(shù)據(jù)電壓Vdata施加到像素區(qū)域P?？梢酝ㄟ^(guò)第一電源線(xiàn)PLl PLm和第二電源線(xiàn)PL’I PL’m將第一電源電壓VDD和第二電源電壓VSS施加到像素區(qū)域P。同時(shí)，可以從像素區(qū)域P獲得包括像素區(qū)域P的閾值電壓Vth和遷移率μ的感測(cè)信息Sensingl?？梢酝ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm將感測(cè)信息Sensingl從像素區(qū)域P施加到外部(例如施加到圖1的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50)?？梢栽诟飨袼貐^(qū)域P中形成第一晶體管Tl到第三晶體管Τ3、存儲(chǔ)電容器Cst、負(fù)載電容器Cload和有機(jī)發(fā)光元件0LED，但是本發(fā)明不限于此。換言之，設(shè)計(jì)者可以按照各種形狀修改各像素區(qū)域內(nèi)的晶體管的數(shù)目和其間的連接結(jié)構(gòu)。因此，本實(shí)施方式可以應(yīng)用于可以被設(shè)計(jì)者修改的像素區(qū)域的每一種電路結(jié)構(gòu)。第一晶體管Tl和第二晶體管T2可以成為用于傳遞信號(hào)的開(kāi)關(guān)晶體管。第三晶體管T3可以成為用于產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件OLED的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管。存儲(chǔ)電容器Cst可以具有將數(shù)據(jù)電壓Vdata維持一個(gè)幀周期的功能。負(fù)載電容器Cload可以充上從外部施加的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre，并且將所充上的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre施加到有機(jī)發(fā)光元件0LED。負(fù)載電容器Cload可以向外部提供包括閾值電壓Vth和遷移率μ的探測(cè)信息Sensingl。有機(jī)發(fā)光元件OLED被配置為發(fā)光。有機(jī)發(fā)光元件OLED可以發(fā)射亮度隨著驅(qū)動(dòng)電流的強(qiáng)度而改變的光。這種有機(jī)發(fā)光元件OLED可以包括被配置為發(fā)射紅色光的紅色有機(jī)發(fā)光元件0LED、被配置為發(fā)射綠色光的綠色有機(jī)發(fā)光元件OLED以及被配置為發(fā)射藍(lán)色光的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光元件OLED。第一晶體管Tl到第三晶體管Τ3可以為PMOS型薄膜晶體管，但是本發(fā)明不限于此?？梢杂玫碗娖叫盘?hào)使第一晶體管Tl到第三晶體管Τ3導(dǎo)通并且用高電平信號(hào)使其關(guān)斷。高電平可以為地電壓或者接近地電壓的電壓。低電平可以為比地電壓更低的電壓。例如，低電平和高電平可以分別是-1OV和0V，但是本發(fā)明不限于此。第一電源電壓VDD可以為高電平信號(hào)。第二電源電壓VSS可以為低電平信號(hào)。第一電源電壓VDD和第二電源電壓VSS可以分別是維持固定電平的DC (直流)電壓。圖3不出了第一掃描線(xiàn)GL和第二掃描線(xiàn)GL’。而且不出了第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2被分別施加到第一掃描線(xiàn)GL和第二掃描線(xiàn)GL’。然而，第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2可以具有大致相同的波形。因此,可以將相同的掃描信號(hào)施加到第一晶體管Tl和第二晶體管Τ2。據(jù)此,可以?xún)H將一條掃描線(xiàn)GL或者GL’提供到像素區(qū)域，并且可以通過(guò)單條掃描線(xiàn)GL或者GL’將單個(gè)掃描信號(hào)施加到第一晶體管Tl和第二晶體管T2。負(fù)載電容器Cload可以連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)DL。因此，負(fù)載電容器Cload可以充上從數(shù)據(jù)線(xiàn)DL施加的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre和數(shù)據(jù)電壓Vdata。另外，當(dāng)檢測(cè)到感測(cè)信息Sensingl時(shí)，負(fù)載電容器Cload可以充上包括閾值電壓Vth的感測(cè)信息Sensingl。可以通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)DL將充在負(fù)載電容器Cload中的感測(cè)信息Sensingl提供到外部?？梢詫⒌谝痪w管Tl的柵極連接到施加了第一掃描信號(hào)SI的第一掃描線(xiàn)GL。第一晶體管Tl的源極可以連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)DL。第一晶體管Tl的漏極可以連接到用于產(chǎn)生第三晶體管T3的源極電壓的第一節(jié)點(diǎn)?？梢杂墒┘拥降谝粧呙杈€(xiàn)GL的低電平的第一掃描信號(hào)SI使該第一晶體管Tl導(dǎo)通，并且使預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre或者數(shù)據(jù)電壓V’ data通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)DL充電到第一節(jié)點(diǎn)?？梢詫⒌谝痪w管Tl的漏極、存儲(chǔ)電容器Cst、第三晶體管T3的源極以及第一電源線(xiàn)PL共同連接到第一節(jié)點(diǎn)?？梢詫⒌诙w管T2的柵極連接到施加了第二掃描信號(hào)S2的第二掃描線(xiàn)GL’?？梢詫⒌诙w管T2的源極連接到施加了基準(zhǔn)電壓Vref的基準(zhǔn)電壓線(xiàn)?？梢詫⒌诙w管T2的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)?？梢杂墒┘拥降诙呙杈€(xiàn)GL’的低電平的第二掃描信號(hào)S2使該第二晶體管T2導(dǎo)通，并且使第二節(jié)點(diǎn)被放電到基準(zhǔn)電壓Vref?？梢詫⒌诙w管T2的漏極和第三晶體管T3的柵極共同連接到第二節(jié)點(diǎn)。存儲(chǔ)電容器Cst可以連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間。存儲(chǔ)電容器Cst可以使第二節(jié)點(diǎn)處的電壓隨第一節(jié)點(diǎn)處的電壓Vs的變化而改變?？梢詫⒌谌w管T3的柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)。第三晶體管T3的源極可以連接到第一節(jié)點(diǎn)和第一電源線(xiàn)PL。第三晶體管T3可以產(chǎn)生隨第二節(jié)點(diǎn)上的電壓而改變的驅(qū)動(dòng)電流。第三晶體管T3可以將驅(qū)動(dòng)電流施加到有機(jī)發(fā)光元件0LED。通過(guò)從第三晶體管T3施加的驅(qū)動(dòng)電流可以使有機(jī)發(fā)光元件OLED發(fā)光。盡管圖3中未示出，但是還可以在第一電源線(xiàn)PL和第三晶體管T3之間布置被發(fā)光信號(hào)所切換的晶體管?？梢酝ㄟ^(guò)具有圖4所示的波形的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)具有圖3中的像素區(qū)域的這種電路結(jié)構(gòu)。如圖4所示，可以根據(jù)三個(gè)單獨(dú)的間隔來(lái)驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域內(nèi)的電路配置。第一間隔Pl是用于將預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre充電到負(fù)載電容器Cload的時(shí)段。第二間隔P2對(duì)應(yīng)于用于感測(cè)閾值電壓Vth的另一個(gè)時(shí)段。第三間隔P3是用于將感測(cè)到的閾值電壓Vth施加到外部的另一個(gè)時(shí)段。下面將參照?qǐng)D5A到圖5C詳細(xì)描述像素區(qū)域的電路配置在第一間隔到第三間隔的各間隔中的操作?！吹谝婚g隔〉如圖5A所不,在第一間隔Pl中，具有高電平的第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2可以被施加到第一掃描線(xiàn)GL和第二掃描線(xiàn)GL’。因此,第一晶體管Tl和第二晶體管T2可以被具有高電平的第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2關(guān)斷。而且，預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre可以被充電到負(fù)載電容器Cload中?！吹诙g隔〉如圖5B所不,在第二間隔P2中，具有低電平的第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2可以被施加到第一掃描線(xiàn)GL和第二掃描線(xiàn)GL’。具有低電平的第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2可以使第一晶體管Tl和第二晶體管T2導(dǎo)通。因此，充電到負(fù)載電容器Cload中的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre可以通過(guò)第一晶體管Tl被充電到第一節(jié)點(diǎn)，并且基準(zhǔn)電壓Vref可以通過(guò)第二晶體管T2被充電到第二節(jié)點(diǎn)。據(jù)此，驅(qū)動(dòng)電流可以從第三晶體管T3施加到有機(jī)發(fā)光元件0LED。在第二間隔P2期間，第一節(jié)點(diǎn)上的電壓Vs可以被放電為第三晶體管T的閾值電壓。閾值電壓Vth可以通過(guò)第一晶體管Tl被充電到負(fù)載電容器Cload。〈第三間隔〉如圖5C所不,在第三間隔P3中，具有高電平的第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2可以被施加到第一掃描線(xiàn)GL和第二掃描線(xiàn)GL’。具有高電平的第一掃描信號(hào)SI和第二掃描信號(hào)S2可以迫使第一晶體管Tl和第二晶體管T2關(guān)斷。另外，在第三間隔P3中，充電到負(fù)載電容器Cload中的閾值電壓Vth可以通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)DL被施加到外部作為感測(cè)信息Sensingl。在本實(shí)施方式中，這樣的第一間隔Pl到第三間隔P3可以允許包括閾值電壓Vth的感測(cè)信息Sensingl被提供到外部。此外，如圖6A到圖6C所示，根據(jù)第一間隔Pl到第三間隔P3被驅(qū)動(dòng)的本實(shí)施方式可以允許包括遷移率μ的感測(cè)信息Sensingl被施加到外部。換言之，如圖6Α所示，針對(duì)第一感測(cè)間隔，包括第一電壓Vml的第一感測(cè)信息可以被施加到外部。如圖6Β所示，在第二間隔中，包括第二電壓Vm2的第二感測(cè)信息可以被施加到外部。要說(shuō)明的是可以獨(dú)立檢測(cè)第一感測(cè)信息和第二感測(cè)信息，但是本實(shí)施方式不限于此。第二感測(cè)間隔可以被設(shè)置為比第一感測(cè)間隔更長(zhǎng)。具體地，第一感測(cè)間隔和第二感測(cè)間隔可以具有相同的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)和不同的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)。在這種情況下，存在可以被稱(chēng)為“遷移率檢測(cè)間隔”的從第一感測(cè)間隔的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)到第二感測(cè)間隔的結(jié)束時(shí)間點(diǎn)之間的時(shí)段?？梢酝ㄟ^(guò)圖1的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50將第一感測(cè)信息和第二感測(cè)信息施加到控制器30。因此，控制器30可以基于第一和第二感測(cè)信息(S卩，第一電壓Vml和第二電壓Vm2)計(jì)算在遷移率檢測(cè)間隔中從第一電壓Vml降落到第二電壓Vm2的斜率S (或者傾斜度)。接著，控制器30可以根據(jù)斜率S獲得遷移率μ。遷移率μ隨斜率S而改變。換言之，隨著斜率S變得更小，遷移率μ更低，并且隨著斜率S變得更大，遷移率μ更高。此外，控制器30可以基于計(jì)算出的斜率S控制增益值。將通過(guò)對(duì)圖8的控制器30的描述來(lái)詳細(xì)說(shuō)明這種操作。如圖7所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50可以包括DAC (數(shù)模轉(zhuǎn)換器)52、ADC (模數(shù)轉(zhuǎn)換器)56和選擇器54。DAC 52可以產(chǎn)生預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre或者數(shù)據(jù)電壓V’ data。為此，DAC 52可以將與數(shù)字信號(hào)相對(duì)應(yīng)的預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)Dpre或者用于顯示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換為與模擬信號(hào)相對(duì)應(yīng)的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre或者數(shù)據(jù)電壓V’ data。ADC 56可以將從像素區(qū)域P獲得的作為模擬信號(hào)的感測(cè)信號(hào)Sensingl轉(zhuǎn)換為作為數(shù)字信號(hào)的感測(cè)信息Sensing2。 選擇器54可以將有機(jī)發(fā)光面板10的數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm電連接到DAC 52或者ADC56。可以由選擇信號(hào)Sel控制選擇器54。例如，響應(yīng)于具有低電平的選擇信號(hào)Sel，可以控制選擇器54以將數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm電連接到DAC 52。響應(yīng)于具有高電平的選擇信號(hào)，可以控制選擇器54以將數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm電連接到ADC 56。在圖4的第一間隔中，可以用DAC 52將與數(shù)字信號(hào)相對(duì)應(yīng)的預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)Dpre轉(zhuǎn)換為與模擬信號(hào)相對(duì)應(yīng)的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre。并且，響應(yīng)于具有低電平的選擇信號(hào)Sel，可以控制選擇器54以將數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm電連接到DAC 52。因此，可以通過(guò)各條數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm將預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre從DAC 52施加到各像素區(qū)域P。據(jù)此，預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre可以被充電到各個(gè)像素區(qū)域P的負(fù)載電容器Cload中。在圖4的第三間隔P3中，被充電到各像素區(qū)域P內(nèi)的負(fù)載電容器Cload中的作為模擬信號(hào)的感測(cè)信息Sensingl可以通過(guò)各條數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm被施加到選擇器54。響應(yīng)于具有高電平的選擇信號(hào)，可以控制選擇器54以將數(shù)據(jù)線(xiàn)DLl DLm電連接到ADC 56。因此，作為模擬信號(hào)的感測(cè)信息Sensingl可以被施加到ADC 56。此外，作為模擬信號(hào)的感測(cè)信息Sensingl可以被ADC 56轉(zhuǎn)換為作為數(shù)字信號(hào)的感測(cè)信息Sensing2。包括數(shù)字信號(hào)的經(jīng)轉(zhuǎn)換的感測(cè)信息Sensing2可以被施加到圖1的控制器30。盡管在圖7中未示出，但是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50還可以包括移位寄存器、采樣電路、第一鎖存器和第二鎖存器等，以處理用于顯示圖像的數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50可以包括用于對(duì)作為模擬信號(hào)的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓Vpre或作為模擬信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓V’ data進(jìn)行緩沖的緩沖器。如圖8所示，控制器30可以包括偏移調(diào)整器32、增益調(diào)整器34、數(shù)據(jù)調(diào)整器36和定時(shí)控制器38。如圖9所示，偏移調(diào)整器32可以包括偏移計(jì)算器110、偏移LUT (查找表)120和偏移控制器130。偏移計(jì)算器110可以接收包括在有機(jī)發(fā)光面板10中產(chǎn)生的并且通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50傳送的閾值電壓Vth的感測(cè)信息Sensing2。另外，偏移計(jì)算器110可以在偏移調(diào)整器32的控制下根據(jù)包括在感測(cè)信息Sensing2中的閾值電壓Vth來(lái)獲得偏移值。一種實(shí)施方式的偏移調(diào)整器32可以直接根據(jù)閾值電壓Vth獲得偏移值。另外，偏移計(jì)算器110可以將所獲得的偏移值存儲(chǔ)在偏移LUT 120中。另選地，不同于圖9中所示的情形，在另一實(shí)施方式中，偏移計(jì)算器110可以連接至IJ其中以表的形狀存儲(chǔ)了與多個(gè)閾值電壓相對(duì)應(yīng)的偏移信息的偏移LUT 120。在這種情況下，偏移計(jì)算器110可以基于感測(cè)信息Sensing2的閾值電壓Vth從偏移LUT120讀出與包括在感測(cè)信息Sensing2中的閾值電壓Vth相對(duì)應(yīng)的偏移值。在圖1的有機(jī)發(fā)光面板10內(nèi)的各像素區(qū)域P中產(chǎn)生的感測(cè)信息Sensingl被施加到偏移計(jì)算器110。因此，偏移計(jì)算器110可以計(jì)算針對(duì)全部像素區(qū)域P的偏移值。并且，可以按照與各個(gè)像素區(qū)域P相對(duì)應(yīng)的方式將計(jì)算出的偏移值建立或者存儲(chǔ)在偏移LUT 120中。例如，偏移值可以用于增大或者減小用于顯示圖像的數(shù)據(jù)電壓。因此，可以根據(jù)像素區(qū)域P單獨(dú)地增大或者減小與數(shù)字信號(hào)相對(duì)應(yīng)的偏移值，從而針對(duì)像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)R、G和B的各像素適當(dāng)?shù)卦O(shè)置針對(duì)圖像信號(hào)的經(jīng)調(diào)制的像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)R’、G’和B’。在下文中，將像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)R、G和B稱(chēng)為第一圖像信號(hào)，并且將經(jīng)調(diào)制的像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)R’、G’和B’稱(chēng)為
第二圖像信號(hào)。為了便于說(shuō)明，可以以模擬信號(hào)形狀說(shuō)明偏移值。例如，可以對(duì)5V的數(shù)據(jù)電壓增加0.5V的偏移值或者-0.7V的另一個(gè)偏移值。在這種情況下，經(jīng)調(diào)制的數(shù)據(jù)電壓可以是
5.5V 或者 4.3V。偏移值的范圍可以隨設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)規(guī)格而改變，但是這不限于此。因此,偏移LUT 120可以存儲(chǔ)單個(gè)巾貞的偏移值,但是本發(fā)明不限于此。參照?qǐng)D10，增益調(diào)整器34可以包括增益計(jì)算器210、增益LUT 220和增益控制器230。增益計(jì)算器210可以從圖1的有機(jī)發(fā)光面板10接收如圖6A所示的針對(duì)第一感測(cè)間隔產(chǎn)生的包括第一電壓Vml的第一感測(cè)信息以及如圖6B所示的針對(duì)第二感測(cè)間隔產(chǎn)生的包括第二電壓Vm2的第二感測(cè)信息。而且，增益計(jì)算器210可以在增益控制器230的控制下根據(jù)第一電壓Vml和第二電壓Vm2計(jì)算在如圖6C所示的遷移率檢測(cè)間隔中從第一電壓Vml降落到第二電壓Vm2的斜率S (或者傾斜度)。接著，可以從計(jì)算出的斜率S估算遷移率μ。如果斜率S平緩，則遷移率μ可以變得更小。相反地，當(dāng)斜率S陡峭時(shí)，遷移率μ可以變得更大。增益計(jì)算器210可以從計(jì)算出的斜率S直接獲得增益值。可以通過(guò)增益計(jì)算器210將所獲得的增益值存儲(chǔ)在增益LUT 220中。在一種實(shí)施方式中，控制器30可以根據(jù)斜率S來(lái)調(diào)整增益值。作為另一種實(shí)施方式，與圖10所示的不同，增益計(jì)算器210可以連接到其中以表的形狀存儲(chǔ)了與多個(gè)斜率S相對(duì)應(yīng)的增益信息的增益LUT 220。在這種情況下，增益計(jì)算器210可以基于分別包括在第一感測(cè)信息和第二感測(cè)信息中的第一電壓Vml和第二電壓Vm2來(lái)計(jì)算斜率S，并且從另一增益LUT 220讀出與計(jì)算出的斜率S相對(duì)應(yīng)的增益值。在圖1的有機(jī)發(fā)光面板10中的各像素區(qū)域P中產(chǎn)生的包括第一電壓Vml的第一感測(cè)信息和包括第二電壓Vm2的第二感測(cè)信息可以被施加到增益計(jì)算器210。因此，增益計(jì)算器210可以計(jì)算針對(duì)全部像素區(qū)域P的增益值。并且，可以按照與各個(gè)像素區(qū)域P相對(duì)應(yīng)的方式將計(jì)算出的增益值建立或者存儲(chǔ)在增益LUT 220中。之后可以將增益值乘以用于顯示圖像的數(shù)據(jù)電壓的幅度。換言之，可以針對(duì)各個(gè)像素適當(dāng)?shù)卦O(shè)置與數(shù)字信號(hào)相對(duì)應(yīng)的增益值并且將其乘以針對(duì)各個(gè)像素的數(shù)據(jù)信號(hào)的幅度。例如，5V的數(shù)據(jù)電壓可以乘以0.5的增益值或者5V的數(shù)據(jù)電壓乘以1.3的增益值。增益值的范圍可以隨設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)規(guī)格而改變，但是本發(fā)明不限于此。因此，增益LUT 220可以存儲(chǔ)單個(gè)幀的增益信息。參照?qǐng)D8，數(shù)據(jù)調(diào)整器36可以基于從偏移調(diào)整器32計(jì)算出的偏移信息和在增益調(diào)整器34中計(jì)算的增益信息來(lái)調(diào)整圖像信號(hào)R’、G’和B’。例如，可以將單個(gè)幀的偏移信息從偏移調(diào)整器32施加到數(shù)據(jù)調(diào)整器36。因此，數(shù)據(jù)調(diào)整器36可以將偏移信息反映到第一圖像信號(hào)R、G和B并且輸出第二圖像信號(hào)R’、G’和B’。通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50將第二圖像信號(hào)R’、G’和B’施加到有機(jī)發(fā)光面板10。因此，可以顯示針對(duì)閾值電壓Vth進(jìn)行了補(bǔ)償?shù)膱D像。因而，不產(chǎn)生亮度的不均勻。針對(duì)另一示例，可以將單個(gè)幀的增益信息從增益調(diào)整器34施加到數(shù)據(jù)調(diào)整器36。因此，數(shù)據(jù)調(diào)整器36可以將增益信息反映到第一圖像信號(hào)R、G和B并且輸出第二圖像信號(hào)R’、G’和B’。通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器50將第二圖像信號(hào)R’、G’和B’施加到有機(jī)發(fā)光面板10。因此，可以顯示針對(duì)遷移率μ進(jìn)行了補(bǔ)償?shù)膱D像。據(jù)此，不產(chǎn)生亮度的不均勻。本實(shí)施方式可以將偏移信息和增益信息中的至少一種反映到圖像信號(hào)R、G和B。作為實(shí)施方式，可以逐幀地計(jì)算或者更新偏移信息或者增益信息。另選地，可以在每一固定的幀周期計(jì)算或者更新偏移信息或者增益信息。在這種情況下，固定的巾貞周期可以為5個(gè)巾貞周期、10個(gè)巾貞周期和20個(gè)巾貞周期中的任意一種,但是本發(fā)明不限于此。另外，定時(shí)控制器38可以從垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync和使能信號(hào)得到定時(shí)信號(hào)。定時(shí)信號(hào)可以用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光面板10。另外，定時(shí)信號(hào)可以包括SCS和DCS。SCS是掃描控制信號(hào)，DCS是數(shù)據(jù)控制信號(hào)。另外，定時(shí)控制器38可以使用選擇信號(hào)Al和A2產(chǎn)生并且輸出TCS和MCS。TCS可以為控制信號(hào)。TCS可以用于不僅控制從各像素區(qū)域P獲得的感測(cè)信息Sensingl，并且還控制要計(jì)算的偏移信息或者增益信息。MCS也可以為控制信號(hào)。MCS可以用于不僅控制要針對(duì)偏移信息或者增益信息進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膱D像信號(hào)R、G和B，而且控制要由經(jīng)補(bǔ)償?shù)膱D像信號(hào)R’、G’和B’顯示的圖像。據(jù)此，當(dāng)計(jì)算偏移信息或者增益信息時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)的全部部件可以被TCS控制。并且，當(dāng)顯示圖像時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)的全部部件可以被MCS控制。盡管附圖中未示出，但是定時(shí)控制器38可以產(chǎn)生施加到圖7的選擇器54的選擇信號(hào)。然而，定時(shí)控制器38不限于此。該實(shí)施方式使對(duì)像素區(qū)域P的閾值電壓Vth的補(bǔ)償不在像素區(qū)域P內(nèi)進(jìn)行。另選地，在該實(shí)施方式中，關(guān)于像素區(qū)域P內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的感測(cè)信息Sensingl被施加到控制器30，用于補(bǔ)償閾值電壓Vth的偏移信息被控制器30計(jì)算并且被反映到圖像信號(hào)R、G和B中，并且通過(guò)反映了偏移信息的圖像信號(hào)在有機(jī)發(fā)光面板10中顯示圖像。因此，像素區(qū)域P的電路結(jié)構(gòu)可以被簡(jiǎn)化，并且可以進(jìn)一步使像素區(qū)域P的開(kāi)口率(apertureratio)最大化。另外，該實(shí)施方式能夠檢測(cè)到不僅包括像素區(qū)域內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓而且包括遷移率μ的感測(cè)信息Sensingl。因此，可以從感測(cè)信息Sensingl獲得偏移值和增益信息并將它們反映到圖像信號(hào)R、G和B。將反映了偏移值和增益信息的圖像信號(hào)R’、G’和B’顯示在有機(jī)發(fā)光面板10上。通過(guò)這種方式，閾值電壓Vth和遷移率μ兩者都可以被反映到圖像信號(hào)R、G和B。因此，可以提供更均勻的亮度。在本說(shuō)明書(shū)中對(duì)“一種實(shí)施方式”、“實(shí)施方式”、“示例性實(shí)施方式”等的引用是表示結(jié)合該實(shí)施方式描述的具體特性、結(jié)構(gòu)或者特性被包括在本發(fā)明的至少一種實(shí)施方式中。在說(shuō)明書(shū)中多個(gè)位置出現(xiàn)的這些詞語(yǔ)并不一定全部指代同一實(shí)施方式。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施方式描述具體特性、結(jié)構(gòu)或者特征時(shí)，承認(rèn)結(jié)合其它實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)這些特性、結(jié)構(gòu)或者特征是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的眼界之內(nèi)。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想出落入本公開(kāi)的精神和原理范圍內(nèi)的許多其他修改例和實(shí)施方式。更具體地，可以在本公開(kāi)、附圖及所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)該主題組合裝置的組成部件和/或裝置進(jìn)行各種變換和修改。除對(duì)組成部件和/或裝置的變換和修改外，替代性使用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員也是明顯的。本申請(qǐng)要求2011年10月4日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2011-0100875號(hào)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括: 有機(jī)發(fā)光面板，所述有機(jī)發(fā)光面板被限定為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括被配置為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管以及被配置為充入所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的負(fù)載電容器；以及 控制器，所述控制器被配置為基于所述閾值電壓計(jì)算偏移信息并且通過(guò)將所述偏移信息反映到第一圖像信號(hào)得到第二圖像信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中， 所述負(fù)載電容器在第一感測(cè)間隔中充入第一電壓并且在第二感測(cè)間隔中充入第二電壓，并且 所述控制器根據(jù)所述第一電壓和所述第二電壓獲得增益信息并且將所述增益信息反映到所述第一圖像信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括: 掃描驅(qū)動(dòng)器，所述掃描驅(qū)動(dòng)器被配置為將掃描信號(hào)施加到所述有機(jī)發(fā)光面板；以及 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器被配置為將預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓和數(shù)據(jù)電壓中的一種施加到所述有機(jī)發(fā)光面板， 其中，所述預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓用于檢測(cè)所述閾值電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包括: 數(shù)模轉(zhuǎn)換器，所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器被配置為將分別與數(shù)字信號(hào)相對(duì)應(yīng)的預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)和所述第二圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為分別與模擬信號(hào)相對(duì)應(yīng)的所述預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓和所述數(shù)據(jù)電壓中的一種； 模數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器被配置為將分別與所述模擬信號(hào)相對(duì)應(yīng)的包括所述閾值電壓以及所述第一電壓和所述第二電壓的第一感測(cè)信息轉(zhuǎn)換為與所述數(shù)字信號(hào)相對(duì)應(yīng)的第二感測(cè)信息；以及 選擇器，所述選擇器被配置為將所述有機(jī)發(fā)光面板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)選擇性地連接到所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述控制器包括: 偏移調(diào)整器，所述偏移調(diào)整器被配置為根據(jù)所述閾值電壓計(jì)算偏移信息并且存儲(chǔ)所述偏移信息；以及 數(shù)據(jù)調(diào)整器，所述數(shù)據(jù)調(diào)整器被配置為通過(guò)將所述偏移信息反映到所述第一圖像信號(hào)來(lái)產(chǎn)生所述第二圖像信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述偏移調(diào)整器被配置為包括偏移LUT，在所述偏移LUT中將與多個(gè)閾值電壓相對(duì)應(yīng)的偏移信息存儲(chǔ)在表中，并且所述偏移調(diào)整器從所述偏移LUT獲得與閾值電壓相對(duì)應(yīng)的偏移信息。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述控制器還包括: 增益調(diào)整器，所述增益調(diào)整器被配置為基于所述第一電壓和所述第二電壓計(jì)算斜率、從計(jì)算出的斜率獲得增益信息并且存儲(chǔ)所述增益信息， 其中，所述數(shù)據(jù)調(diào)整器將所述增益信息反映到所述第一圖像信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，在由所述第一感測(cè)間隔和所述第二感測(cè)間隔之間的差限定的遷移率檢測(cè)間隔中根據(jù)所述第一電壓和所述第二電壓得到所述斜率。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中， 針對(duì)第一間隔，所述預(yù)充 電數(shù)據(jù)電壓被充電到所述像素區(qū)域內(nèi)的所述負(fù)載電容器中，針對(duì)第二間隔，通過(guò)使所述驅(qū)動(dòng)晶體管對(duì)要被驅(qū)動(dòng)的預(yù)充電數(shù)據(jù)電壓進(jìn)行響應(yīng)來(lái)檢測(cè)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述閾值電壓，以及 針對(duì)第三間隔，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器通過(guò)所述數(shù)據(jù)線(xiàn)接收檢測(cè)到的閾值電壓。
全文摘要
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括被限定為多個(gè)像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光面板，所述像素區(qū)域均包括被配置為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管和被配置為充電驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的負(fù)載電容器；以及被配置為基于所述閾值電壓計(jì)算偏移信息并且通過(guò)將所述偏移信息反映到第一圖像信號(hào)來(lái)導(dǎo)出第二圖像信號(hào)的控制器。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103077662SQ20121036961
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月4日
發(fā)明者鄭義澤 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司