專利名稱：有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素電路及其修補(bǔ)方法，尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路及其修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED)是主動(dòng)發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT -IXD )，OLED具有高對(duì)比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優(yōu)點(diǎn)， 有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。在AMOLED制備過程中，AMOLED顯示器的像素點(diǎn)不良和信號(hào)線斷線不良是制備工藝中不可避免出現(xiàn)的兩類主要缺陷，而且這兩類缺陷大部分集中在陣列工藝末端以后，當(dāng)檢測(cè)出上述不良時(shí)，就需要進(jìn)行相應(yīng)的修復(fù)。對(duì)于封裝之后出現(xiàn)的像素點(diǎn)不良，現(xiàn)有技術(shù)未給出切實(shí)可行的方案。因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路進(jìn)行改進(jìn)，并提供修補(bǔ)方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路及其修補(bǔ)方法，能夠?qū)惓５牧咙c(diǎn)修成灰點(diǎn)，提高產(chǎn)品良率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)施。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，包括多條絕緣交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極，所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； 多條VDD線，沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸，所述VDD線和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極相連，并通過存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極相連；相鄰像素電極之間跨接設(shè)置修補(bǔ)線，所述修補(bǔ)線兩端和像素電極絕緣相交疊。上述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，其中，所述修補(bǔ)線設(shè)置在遠(yuǎn)離開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管一側(cè)的像素電極的邊角處。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題還提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，包括如下步驟a)確認(rèn)異常亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的不良像素點(diǎn)位置；b)將該不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管失效；c)以修補(bǔ)線為橋梁將該不良像素點(diǎn)的像素電極和周圍相鄰像素電極相連在一起，使得該像素電極和周圍相鄰像素電極發(fā)出相同灰階的光。上述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，其中，所述步驟b)采用激光切割方法從顯示器陣列基板的一側(cè)將所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極斷開，使所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管失效。上述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，其中，所述步驟C)采用激光熔接方法使該像素電極和該像素周圍的像素電極熔接在一起。本發(fā)明對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果本發(fā)明提供的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路及其修補(bǔ)方法，通過先將不良像素驅(qū)動(dòng)TFT失效，然后將其像素電極通過修補(bǔ)線熔接到相鄰像素電極上，在顯示過程中，它與相鄰像素顯示相同的灰階，故該點(diǎn)缺陷不明
Mo


圖1為一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)等效電路圖； 圖3為本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明實(shí)施例修補(bǔ)像素的方法的流程圖5為本發(fā)明實(shí)施例中使壞點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)TFT失效的示意圖； 圖6為本發(fā)明以修補(bǔ)線作為橋梁熔接壞點(diǎn)像素的陽(yáng)極和周圍像素電極的示意圖。圖中
1數(shù)據(jù)線2掃描線3存儲(chǔ)電容
4 VDD線5開關(guān)薄膜晶體管6驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管
7像素電極8修補(bǔ)線9切割點(diǎn)
10第一焊接點(diǎn)11第二焊接點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。圖3為本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參見圖3，本發(fā)明提供的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路包括多條絕緣交叉的掃描線2和數(shù)據(jù)線1，所述掃描線2和數(shù)據(jù)線1分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極7，所述掃描線2和數(shù)據(jù)線1交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管5和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6 ；多條VDD線4， 沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸，所述VDD線4和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6的漏極相連，并通過存儲(chǔ)電容3 和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6的柵極相連；另有VSS線(圖未示)和有機(jī)發(fā)光二極管的陰極相連，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6的源極相連；相鄰像素電極7之間跨接設(shè)置修補(bǔ)線8，所述修補(bǔ)線8兩端和像素電極7絕緣相交疊。等效像素電路參見圖2，所述VDD線4和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的漏極相連，并通過存儲(chǔ)電容Cs和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極相連；VSS線(圖未示)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 的陰極相連，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的源極相連，開關(guān)薄膜晶體管Tl的柵極和掃描線2相連接收行掃描信號(hào)Vscan，源極和數(shù)據(jù)線1相連接收數(shù)據(jù)信號(hào) Vdata0為了不影響開口率，所述修補(bǔ)線8優(yōu)選設(shè)置在遠(yuǎn)離開關(guān)薄膜晶體管5和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6 —側(cè)的像素電極的邊角處。圖4為本發(fā)明實(shí)施例修補(bǔ)像素的方法的流程圖。請(qǐng)參見圖4，本發(fā)明提供的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法包括如下步驟
步驟S401 確認(rèn)異常亮點(diǎn)像素位置；步驟S402 采用激光切割方法使所述像素驅(qū)動(dòng)TFT失效；
步驟S403 以修補(bǔ)線8為橋梁將該不良像素點(diǎn)的像素電極和周圍相鄰像素電極相連在一起；
步驟S404:使得該像素電極和周圍相鄰像素電極發(fā)出相同灰階的光，完成異常亮點(diǎn)像素的修復(fù)。上述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，使所述像素驅(qū)動(dòng)TFT失效可采用激光切割方法，從陣列極板的一側(cè)在切割點(diǎn)9處將所述像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)TFT柵極斷開，如圖5所示。優(yōu)選采用激光熔接方法以修補(bǔ)線8作為橋梁將壞掉的像素的陽(yáng)極和周圍像素電極連在一起，這樣這個(gè)壞掉像素電極和周圍像素發(fā)出相同灰階的光，這個(gè)壞點(diǎn)將不明顯，如圖6所示的第一焊接點(diǎn)10和第二焊接點(diǎn)11。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，其特征在于，包括多條絕緣交叉的掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)，所述掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極(7)，所述掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管(5)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6);多條VDD線G)，沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸，所述VDD線(4)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6)的漏極相連，并通過存儲(chǔ)電容(3)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6)的柵極相連；相鄰像素電極(7)之間跨接設(shè)置修補(bǔ)線(8)，所述修補(bǔ)線(8)兩端和像素電極(7)絕緣相交疊。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，其特征在于，所述修補(bǔ)線(8)設(shè)置在遠(yuǎn)離開關(guān)薄膜晶體管(5)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6) —側(cè)的像素電極的邊角處。
3.—種如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，其特征在于，包括如下步驟a)確認(rèn)異常亮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的不良像素點(diǎn)位置；b)將該不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6)失效；c)以修補(bǔ)線(8)為橋梁將該不良像素點(diǎn)的像素電極和周圍相鄰像素電極相連在一起， 使得該像素電極和周圍相鄰像素電極發(fā)出相同灰階的光。
4.如權(quán)利要求3所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，其特征在于， 所述步驟b)采用激光切割方法從顯示器陣列基板的一側(cè)將所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6)的柵極斷開，使所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(6)失效。
5.如權(quán)利要求3所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路修補(bǔ)方法，其特征在于， 所述步驟c)采用激光熔接方法使該像素電極和該像素周圍的像素電極熔接在一起。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路及其修補(bǔ)方法，所述像素電路包括多條絕緣交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極，所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管；相鄰像素電極之間跨接設(shè)置修補(bǔ)線，所述修補(bǔ)線兩端和像素電極絕緣相交疊。本發(fā)明提供的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路及其修補(bǔ)方法，通過先將不良像素驅(qū)動(dòng)TFT失效，然后將其像素電極通過修補(bǔ)線熔接到相鄰像素電極上，從而將異常的亮點(diǎn)修成灰點(diǎn)，提高產(chǎn)品良率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)施。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102402943SQ20111041903
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者張婷婷, 邱勇, 韓珍珍, 高孝裕, 黃秀頎 申請(qǐng)人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司