專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，并且更具體地涉及一種包括初始化電極且包括通孔的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該通孔用于將初始化電極電連接至與各個(gè)子像素相對(duì)應(yīng)的開關(guān)器件。
背景技術(shù)：
在視角、對(duì)比度、響應(yīng)速度和功耗方面展示出較好特性的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，已將其應(yīng)用范圍從例如MP3播放器或者移動(dòng)電話之類的個(gè)人便攜式設(shè)備擴(kuò)展到電視機(jī)(TV)。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括至少一個(gè)電容器。在這點(diǎn)上，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備需要確保高充電電容，以便實(shí)現(xiàn)具有較高分辨率的像素。然而，在施加初始化電壓的初始化電極由與柵電極相同的材料制成并且由與柵電極相同的層形成時(shí)，不能保證用于實(shí)現(xiàn)具有高充電電容的電容器的空間。而且，即使為了在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中實(shí)現(xiàn)具有高充電電容的電容器，初始化電極由另一層的布線代替，用于將初始化電極電連接至與各個(gè)子像素相對(duì)應(yīng)的開關(guān)器件的通孔也被形成在子像素中以便施加初始化電壓。因此，像素開口的尺寸可能被降低至與形成通孔的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的范圍。因此，所需要的是針對(duì)增加的電容器電容和增加的像素尺寸而提供的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法的設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其中施加初始化電壓的初始化電極由與有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的像素電極相同的材料制成，并且由與該像素電極相同的層形成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括第一至第三子像素， 各包括至少一個(gè)電容器、至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT)、和有機(jī)發(fā)光器件(OLED);第一至第三開關(guān)器件，包括公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)，所述第一至第三開關(guān)器件電連接至所述第一至第三子像素，以在所述第一至第三開關(guān)器件被接通時(shí)分別向所述第一至第三子像素施加初始化電壓；布置在所述第一至第三開關(guān)器件上的平坦化層；通孔，布置通過(guò)所述平坦化層以暴露所述公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)；以及通過(guò)所述通孔電連接至所述公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)的初始化電極，所述初始化電極用于向所述公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)傳輸所述初始化電壓。
所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)通孔組成。 每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件可以包括像素電極；對(duì)電極；和布置在所述像素電極與所述對(duì)電極之間的有機(jī)層。所述初始化電極可以包括與所述像素電極相同的材料，并且布置在與所述像素電極相同的層上。所述第一開關(guān)器件可以包括用于形成溝道的第一有源層、與所述第一有源層絕緣的第一柵電極、電連接至所述第一有源層的第一源電極、以及第一漏電極；其中所述第二開關(guān)器件可以包括用于形成溝道的第二有源層、與所述第二有源層絕緣的第二柵電極、電連接至所述第二有源層的第二源電極、以及第二漏電極；其中所述第三開關(guān)器件可以包括用于形成溝道的第三有源層、與所述第三有源層絕緣的第三柵電極、電連接至所述第三有源層的第三源電極、以及第三漏電極；并且其中所述第一至第三源電極共同構(gòu)成公共源電極。所述第一至第三有源層可以連接在一起。所述第一至第三柵電極可以連接在一起。所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括布置在所述第一至第三有源層和所述第一至第三柵電極之間的柵絕緣層；布置在所述第一至第三柵電極上的絕緣層間層；以及布置在所述柵絕緣層和所述絕緣層間層中以將所述公共源電極電連接至所述第一至第三有源層的公共接觸孔。所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)公共接觸孔組成。所述公共接觸孔可以被布置為接近所述通孔。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括 限定第一至第三子像素，所述第一至第三子像素各包括至少一個(gè)電容器、至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT)、和有機(jī)發(fā)光器件(OLED);形成分別電連接至第一至第三子像素的第一至第三開關(guān)器件，所述第一至第三開關(guān)器件包括公共形成的漏電極和公共形成的源電極中的一個(gè)，所述第一至第三開關(guān)器件用于在所述第一至第三開關(guān)器件被接通時(shí)向所述第一至第三子像素施加初始化電壓；在所述第一至第三開關(guān)器件上形成平坦化層；形成通過(guò)所述平坦化層的通孔，以暴露所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)；并且形成經(jīng)由所述通孔電連接至所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)的初始化電極，以向所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)傳輸所述初始化電壓。所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)通孔組成。 每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件可以包括像素電極；對(duì)電極；和布置在所述像素電極與所述對(duì)電極之間的有機(jī)層。所述初始化電極可以包括與所述像素電極相同的材料，并且可以布置在與所述像素電極相同的層上。所述第一開關(guān)器件可以通過(guò)順序形成用于形成溝道的第一有源層、與所述第一有源層絕緣的第一柵電極、電連接至所述第一有源層的第一源電極、以及第一漏電極而形成；所述第二開關(guān)器件可以通過(guò)順序形成用于形成溝道的第二有源層、與所述第二有源層絕緣的第二柵電極、電連接至所述第二有源層的第二源電極、以及第二漏電極而形成；所述第三開關(guān)器件可以通過(guò)順序形成用于形成溝道的第三有源層、與所述第三有源層絕緣的第三柵電極、電連接至所述第三有源層的第三源電極、以及第三漏電極而形成；并且其中所述第一至第三源電極共同構(gòu)成公共源電極。所述第一至第三有源層可以連接在一起。所述第一至第三柵電極可以連接在一起。所述方法還可以包括在所述第一至第三有源層和所述第一至第三柵電極之間形成柵絕緣層；在所述第一至第三柵電極上形成絕緣層間層；并且在所述柵絕緣層和所述絕緣層間層中形成公共接觸孔以將所述公共源電極電連接至所述第一至第三有源層。所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)公共接觸孔組成。所述公共接觸孔可以被形成在所述通孔附近。


通過(guò)參照以下結(jié)合附圖考慮時(shí)的詳細(xì)描述，本發(fā)明的更完整的理解和其伴隨的許多優(yōu)點(diǎn)將容易明顯，同時(shí)變得更好理解，附圖中相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部件圖I為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括像素電極和有機(jī)層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖2為示出圖I的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的有源層的圖；圖3為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2的進(jìn)一步包括柵電極層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖4為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的進(jìn)一步包括源/漏電極層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖5為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的進(jìn)一步包括像素電極層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖6為沿圖5的線1-1’截取的截面圖；圖7為包括在圖I的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的有機(jī)發(fā)光器件的部分截面圖；圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的比較示例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和圖I所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；以及圖9為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的開關(guān)器件的電路圖。
具體實(shí)施例方式由于本發(fā)明允許各種變化和許多實(shí)施例，因此具體實(shí)施例將在附圖中示出，并且以書面描述的方式被詳細(xì)描述。然而，這并不旨在限制本發(fā)明至具體的實(shí)踐模式，并且應(yīng)當(dāng)理解，不背離本發(fā)明精神和技術(shù)范圍的所有變化、等同物和替代物均被包含在本發(fā)明中。 在本發(fā)明的描述中，當(dāng)認(rèn)為對(duì)相關(guān)技術(shù)的某些詳細(xì)解釋可能不必要地使本發(fā)明的本質(zhì)模糊時(shí)，省略該詳細(xì)解釋。在本申請(qǐng)文件中，例如“第一”和“第二”之類的術(shù)語(yǔ)在這里僅用于描述多種組成元件，但組成元件不受這些術(shù)語(yǔ)限制。使用這些術(shù)語(yǔ)的目的僅在于將一個(gè)組成元件與另一個(gè)組成元件區(qū)分開來(lái)。在本申請(qǐng)文件中使用的術(shù)語(yǔ)僅僅用于描述具體實(shí)施例，并且并不旨在限制本發(fā)明。單數(shù)中使用的表達(dá)包含復(fù)數(shù)的表達(dá)，除非在上下文中它具有明顯不同的含義。在本申請(qǐng)文件中，應(yīng)該理解，例如“包括”或者“具有”等的術(shù)語(yǔ)旨在指示申請(qǐng)文件所公開的特征、 數(shù)目、步驟、動(dòng)作、組件、部件或其組合的存在，并且不旨在排除一個(gè)以上其它特征、數(shù)目、步驟、動(dòng)作、組件、部件或其組合可能存在或可能被增加的可能性。將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一個(gè)以上實(shí)施例?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖I為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的像素電極PE 和有機(jī)層OL的圖；圖2為示出圖I的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的有源層130的圖；圖3為示出圖 2的進(jìn)一步包括柵電極GE層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖4為示出圖3的進(jìn)一步包括具有多個(gè)源電極SE和漏電極DE的層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖5為示出圖4的進(jìn)一步包括像素電極PE層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖；圖6為沿圖5的線1-1’截取的截面圖；并且圖7 為包括在圖I的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)的部分截面圖。首先，各自包括第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3和各種電路組件的第一、第二和第三子像素PU P2和P3，形成在基板I上或基板I上形成的緩沖層11上。參見圖1，當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括第一、第二和第三子像素P1、P2和 P3。第一、第二和第三子像素PU P2和P3可以構(gòu)成單個(gè)單元像素P。例如，單個(gè)單元像素 P可以包括紅色子像素R、綠色子像素G和藍(lán)色子像素B，然而本發(fā)明不限于此。下文中，紅色子像素R、綠色子像素G和藍(lán)色子像素B可以分別指代第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。第一至第三子像素Pl至P3中的每個(gè)可以包括至少一個(gè)電容器Cst、至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT)、和0LED。例如，每個(gè)子像素可以包括六個(gè)TFT和兩個(gè)電容器Cst。在這點(diǎn)上，TFT可以包括至少一個(gè)開關(guān)晶體管和電連接至OLED的驅(qū)動(dòng)晶體管。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，包括在每個(gè)子像素中的TFT和電容器Cst可以導(dǎo)通，以電連接至接收初始化電壓或信號(hào)的開關(guān)器件。例如，第一子像素PU第二子像素P2和第三子像素P3分別電連接至第一開關(guān)器件TR1、第二開關(guān)器件TR2和第三開關(guān)器件TR3。在這點(diǎn)上，第一至第三開關(guān)器件 TRl至TR3中的每一個(gè)可以是TFT類型?，F(xiàn)在參見圖4，第一開關(guān)器件TRl包括用于形成溝道的第一有源層131、與第一有源層131絕緣的第一柵電極GE1、電連接至第一有源層131的第一源電極SEl和第一漏電極 DEl0第二開關(guān)器件TR2包括用于形成溝道的第二有源層132、與第二有源層132絕緣的第二柵電極GE2、電連接至第二有源層132的第二源電極SE2和第二漏電極DE2。第三開關(guān)器件TR3包括用于形成溝道的第三有源層133、與第三有源層133絕緣的第三柵電極GE3、電連接至第三有源層133的第三源電極SE3和第三漏電極DE3?，F(xiàn)在參見圖2，第一有源層131、第二有源層132和第三有源層133彼此連接，并且在圖2中示出為有源層130。第一至第三有源層131至133在另一有源層135形成時(shí)一起形成。例如，有源層130可以由非晶硅層、多晶硅層或諸如G-I-Z-O層((In2O3)a(Ga2O3) b (ZnO)。層，其中a、b和c是分別滿足條件a彡0、b彡0和c彡0的實(shí)數(shù))之類的氧化物半導(dǎo)體層制成。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，第一至第三有源層131至133彼此連接，因此從初始化電極VLi (參見圖5)施加的初始化信號(hào)可以被傳輸至第一至第三子像素Pl至P3。現(xiàn)在參見圖3，第一至第三柵電極GEl至GE3彼此連接。在第n_l條柵極線GLn-I 和另一柵電極150形成時(shí)，第一至第三柵電極GEl至GE3—起形成。在這點(diǎn)上，第n-1條柵極線GLn-I傳輸?shù)趎-1掃描信號(hào)Sn-I以導(dǎo)通第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3?，F(xiàn)在參見圖4，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3可以包括公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)。詳細(xì)地說(shuō)，參見圖4，第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3可以公共形成第一源電極SEl、第二源電極SE2和第三源電極SE3。相應(yīng)地， 公共形成的源電極可以稱之為公共源電極SEc。而且，如圖4所示，公共源電極SEc具有島狀，并且可以被布置為與由形成電容器Cst的漏電極和下電極相同的層形成的其它布線間隔開，然而，盡管未示出，但本發(fā)明不限于此。可替代地，第一漏電極DE1、第二漏電極DE2和第三漏電極DE3可以公共形成，其可以稱之為公共漏電極。
根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括僅僅單個(gè)通孔VH，該通孔VH被形成以提供至公共源電極SEc的電連接，從而向第一至第三子像素Pl至P3中的每一個(gè)傳遞初始化信號(hào)。而且，掃描信號(hào)被傳輸給第一至第三柵電極GEl至GE3，因此第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3中的每一個(gè)導(dǎo)通。然后，初始化信號(hào)被施加于公共源電極SEc，并且溝道被形成在第一至第三有源層131至133中的每一個(gè)中，因此初始化信號(hào)可以被傳輸給第一至第三漏電極DEl至DE3。也就是說(shuō)，由于公共源電極SEc，第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3 可以同時(shí)將初始化信號(hào)傳輸給第一至第三子像素Pl至P3?，F(xiàn)在參見圖6，用于使有源層130與柵電極GE層絕緣的柵絕緣層13可以形成在有源層130與柵電極GE之間。而且，絕緣層間層15形成在柵電極GE上。柵絕緣層13和絕緣層間層15可以由氧化硅、氧化鉭、氧化鋁等制成，但本發(fā)明不限于此。現(xiàn)在參見圖4和圖6，公共接觸孔CTc可以形成在柵絕緣層13和絕緣層間層15 中，以將公共源電極SEc電連接至有源層130。也就是說(shuō)，公共接觸孔CTc形成在柵絕緣層 13和絕緣層間層15被部分去除的部分中，以對(duì)應(yīng)待形成公共源電極SEc的區(qū)域暴露有源層 130。由于公共接觸孔CTc與公共源電極SEc相關(guān)，因此僅需要一個(gè)公共接觸孔CTc以提供從公共源電極SEc到第一至第三子像素Pl至P3中每一個(gè)的電連接?，F(xiàn)在參見圖4，第一至第三漏電極DEl至DE3也可以電連接至有源層130。盡管圖 4中未示出，但第一至第三漏電極DEl至DE3中的每一個(gè)接觸并電連接至與第一至第三有源層131至133連接的其它有源層135，然而本發(fā)明不限于此。實(shí)際上，第一至第三漏電極 DEl至DE3中的每一個(gè)可以接觸并電連接至有源層130的任意部分?，F(xiàn)在參見圖6，平坦化層17形成在第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3上。詳細(xì)地說(shuō)，平坦化層17形成在第一至第三漏電極DEl至DE3和公共源電極SEc中的每一個(gè)上。平坦化層17可以被形成為平坦化由于底層結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的不均勻的表面，然而，本發(fā)明不限于此。用于保護(hù)開關(guān)器件的鈍化層可以進(jìn)一步形成在平坦化層17下方。通孔VH形成在平坦化層17中。通孔VH形成在平坦化層17被部分去除的部分中，以對(duì)應(yīng)布置有公共源電極SEc的區(qū)域暴露公共源電極SEc。通孔VH布置在與公共源電極SEc對(duì)應(yīng)的位置，因此僅僅需要一個(gè)通孔VH來(lái)提供到第一至第三子像素Pl至P3中每一個(gè)的電連接。初始化電極VLi經(jīng)由通孔VH接觸并電連接至公共源電極SEc。參見圖5，通孔VH 可以形成在公共接觸孔CTc附近。通孔VH允許初始化電極VLi電連接至公共源電極SEc， 并且公共接觸孔CTc允許公共源電極SEc電連接至有源層130。也就是說(shuō)，通孔VH被形成以與公共源電極SEc對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，公共源電極SEc被形成以具有島狀， 因此通孔VH和公共接觸孔CTc被形成為彼此接近。現(xiàn)在參見圖5，初始化電極VLi從外部接收初始化電壓或初始化信號(hào)，并將初始化電壓或初始化信號(hào)傳輸至與其電連接的公共源電極SEc。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，初始化電極VLi可以由與像素電極PE相同的層形成?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖7，圖7示出包括在每個(gè)子像素中的OLED。OLED包括形成在平坦化層 17上的像素電極PE、形成在像素電極PE上的有機(jī)發(fā)光層0L，以及覆蓋有機(jī)層OL并形成在整個(gè)子像素上的對(duì)電極200。盡管圖7中未示出，但OLED電連接至包括在子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管(未示出)。詳細(xì)地說(shuō)，與第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3類似，平坦化層17形成在驅(qū)動(dòng)晶體管上，并且像素電極PE和驅(qū)動(dòng)晶體管通過(guò)形成在平坦化層17中的孔彼此接觸。 在形成像素電極PE之后，像素限定層19形成在像素電極PE的至少一部分上，以由像素開口 OA暴露像素電極PE的至少一部分。有機(jī)發(fā)光層OL形成在由像素開口 OA暴露的像素電極PE上，使得像素開口 OA包括有機(jī)發(fā)光層。如之前結(jié)合圖I所述的那樣，第一至第三子像素Pl至P3可以形成為具有不同類型的有機(jī)發(fā)光層。對(duì)電極200形成在有機(jī)層OL和像素電極PE上。對(duì)電極200被形成為整個(gè)覆蓋包括像素限定層19和有機(jī)層OL的層。相應(yīng)地， 如果電壓從驅(qū)動(dòng)晶體管向像素電極PE施加，則合適的電壓條件被形成在像素電極PE與對(duì)電極200之間，OLED中出現(xiàn)發(fā)光。在其中圖像朝向?qū)﹄姌O200顯示的頂發(fā)射型顯示器中，像素電極PE可以是反射電極，而對(duì)電極200可以是透光型電極。在這種情況下，對(duì)電極200可以包括由從Ag、Mg、Al、 Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca所組成的組中選擇的任意一種材料制成的、且形成得薄的半透射反射層，或者可以包括諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)之類的透光金屬氧化物。在底發(fā)射型顯示器中，對(duì)電極200可以通過(guò)被沉積有從Ag、Mg、Al、Pt、 Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca所組成的組中選擇的任意一種材料而具有反射功能。在像素電極PE用作陽(yáng)極時(shí)，像素電極PE可以包括由具有高功函數(shù)(絕對(duì)值)的金屬氧化物，例如IT0、IZ0或ZnO制成的層。在像素電極PE用作陰極時(shí)，像素電極PE可以包括具有低功函數(shù)的高導(dǎo)電金屬，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca。在像素電極PE用作陽(yáng)極時(shí)，對(duì)電極200可以用作陰極，或反之亦然。而且，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，初始化電極VLi可以由與像素電極PE相同的材料制成，并且被布置在與像素電極PE相同的層上。也就是說(shuō)，在形成構(gòu)成像素電極PE的金屬層之后，初始化電極VLi和像素電極PE同時(shí)被圖案化。如圖5和圖6所示，像素電極PE 和初始化電極VLi兩者都形成在平坦化層17上，因此都可以由同一層形成。首先，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，在初始化電極VLi和OLED的像素電極PE由同一層形成時(shí)，可獲得空間增益(spatial gain)，其中由與像素電極PE不同的層布置的電容器 Cst可以形成為具有高電容。在初始化電極VLi由與柵極布線相同的層形成時(shí)，子像素的縱向長(zhǎng)度被減少，以便保證以行方向布置初始化電極VLi的空間。電容器Cst通過(guò)將由與子像素的柵電極相同的層形成的其它柵電極150用作下電極，并將由與源/漏電極相同的層形成的布線用作上電極而形成。相應(yīng)地，在子像素的縱向長(zhǎng)度被減少，以便保證用于初始化電極VLi的空間時(shí)，電容器Cst的區(qū)域被減少。相應(yīng)地，高分辨率像素可能不保證足夠的充電電容。然而，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，電容器Cst的區(qū)域不會(huì)通過(guò)由像素電極PE層形成初始化電極VLi 而減少?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖8，圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的比較示例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和圖I所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的圖?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D8描述根據(jù)本發(fā)明的比較示例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和圖I所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備之間的區(qū)別。圖8(a)示出有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中與每個(gè)子像素相對(duì)應(yīng)的第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3不具有公共源電極SEc，因此通孔VH針對(duì)每個(gè)子像素而形成。圖8(b)示出圖I所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中公共源電極SEc被形成為對(duì)于分別與第一至第三子像素Pl至P3相對(duì)應(yīng)的第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3是公共的，因此單個(gè)通孔VH被形成為對(duì)于第一至第三子像素Pl至P3是公共的。參見圖8 (b)，形成圖8 (a)的通孔VH的區(qū)域可以提供使像素開口 OA可形成得較大的空間。在這點(diǎn)上，如上所述的像素開口 OA為像素限定層19從像素電極PE的上部的一部分中去除，以暴露像素電極PE的至少部分并且出現(xiàn)發(fā)光的部分，其中像素開口 OA被有機(jī)發(fā)光層OL覆蓋。實(shí)驗(yàn)上，與圖8(a)相比，圖8(b)的第一和第二子像素Pl和P2的開口率增加大約11.7%。而且，與圖8(a)相比，圖8(b)的第三子像素P3的開口率增加大約13. 5%。 如此，被設(shè)計(jì)以增加開口率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有較長(zhǎng)的壽命和增加的圖像質(zhì)量。而且，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備根據(jù)上述操作被制造。簡(jiǎn)而言之，基板I被制備，并且緩沖層11被形成在基板I上，然后有源層130形成在緩沖層11上，如圖
2所示。在有源層130被圖案化時(shí)，第一至第三有源層131至133可以彼此連接。而且，待用作電容器Cst的下電極的其它有源層135可以被圖案化以連接至第一至第三有源層131 至 133。接下來(lái)，柵絕緣層13被形成在有源層130上。然后，如圖3所示，柵電極GE層形成在柵絕緣層13上，然后被圖案化。在這點(diǎn)上，第一至第三柵電極GEl至GE3和柵極線GLn-I 可以被圖案化以彼此連接。接下來(lái)，絕緣層間層15被形成在柵電極上。然后，公共接觸孔CTc通過(guò)部分去除絕緣層間層15和柵絕緣層13而形成。然后，如圖4所示，金屬層形成于其上，然后被圖案化以形成源電極SE和漏電極DE。在這點(diǎn)上，金屬層被圖案化以形成與電容器Cst的上電極、公共源電極SEc和第一至第三漏電極DEl至DE3對(duì)應(yīng)的布線。公共源電極SEc經(jīng)由公共接觸孔CTc接觸有源層130。接下來(lái)，平坦化層17被形成在源/漏金屬上，并且通孔VH被形成在平坦化層17 中。然后，如圖5所示，金屬像素電極PE層被形成在平坦化層17上，以通過(guò)圖案化金屬像素電極PE層而形成像素電極PE和初始化電極VLi。在這點(diǎn)上，初始化電極VLi經(jīng)由通孔 VH接觸公共源電極SEc。接下來(lái)，像素限定層19被形成在像素電極PE金屬上。在這點(diǎn)上，像素開口 OA被形成在像素電極PE的、通過(guò)部分去除像素限定層19而將形成發(fā)光單元的區(qū)域中。有機(jī)發(fā)光層OL被沉積在由像素開口 OA暴露的像素電極PE上。然后，對(duì)電極200整個(gè)形成在有機(jī)發(fā)光層OL和像素限定層19上?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖9，圖9為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的開關(guān)器件的電路圖。參見圖9，與圖I不同，僅僅單個(gè)通孔VH被形成，并且第一至第三開關(guān)器件TRl至TR3中每一個(gè)的源端被連接至公共節(jié)點(diǎn)。在公共節(jié)點(diǎn)中被示出為電阻器R的部分為通過(guò)有源層130彼此電連接的部分。在圖9中，Vi表示初始化電壓，而Sn-I表示用于導(dǎo)通第一至第三開關(guān)器件TRl至 TR3中每一個(gè)的第n-1掃描信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明，在初始化電極和OLED的像素電極由同一層形成時(shí)，可獲得空間增益，其中布置在與像素電極不同層上的電容器可以形成為具有高電容。而且，根據(jù)本發(fā)明，與每個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的開關(guān)器件的漏電極和源電極中的任意一個(gè)被公共形成，因而通孔被形成為對(duì)于多個(gè)子像素是公共的，使得在每個(gè)子像素中形成通孔的區(qū)域可以提供使像素開口可形成得較大的空間，從而增加有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的開口率。
盡管參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例已具體示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此處對(duì)形式和細(xì)節(jié)方面做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，包括第一至第三子像素，各包括至少一個(gè)電容器、有機(jī)發(fā)光器件和至少一個(gè)薄膜晶體管；第一至第三開關(guān)器件，包括公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)，所述第一至第三開關(guān)器件電連接至所述第一至第三子像素，以在所述第一至第三開關(guān)器件被導(dǎo)通時(shí)分別向所述第一至第三子像素施加初始化電壓；布置在所述第一至第三開關(guān)器件上的平坦化層；通孔，布置通過(guò)所述平坦化層以暴露所述公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)；以及初始化電極，通過(guò)所述通孔電連接至所述公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)，所述初始化電極用于向所述公共源電極和公共漏電極中的一個(gè)傳輸所述初始化電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)通孔組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件包括像素電極；對(duì)電極；和布置在所述像素電極與所述對(duì)電極之間的有機(jī)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述初始化電極由與所述像素電極相同的材料組成，并且布置在與所述像素電極相同的層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一開關(guān)器件包括用于形成溝道的第一有源層、與所述第一有源層絕緣的第一柵電極、電連接至所述第一有源層的第一源電極、以及第一漏電極；其中所述第二開關(guān)器件包括用于形成溝道的第二有源層、與所述第二有源層絕緣的第二柵電極、電連接至所述第二有源層的第二源電極、以及第二漏電極； 其中所述第三開關(guān)器件包括用于形成溝道的第三有源層、與所述第三有源層絕緣的第三柵電極、電連接至所述第三有源層的第三源電極、以及第三漏電極；并且其中所述第一至第三源電極共同構(gòu)成所述公共源電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一至第三有源層連接在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一至第三柵電極連接在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在所述第一至第三有源層和所述第一至第三柵電極之間的柵絕緣層；布置在所述第一至第三柵電極上的絕緣層間層；以及布置在所述柵絕緣層和所述絕緣層間層中以將所述公共源電極電連接至所述第一至第三有源層的公共接觸孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)公共接觸孔組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述公共接觸孔被布置為接近所述通孔。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括限定第一至第三子像素，所述第一至第三子像素各包括至少一個(gè)電容器、有機(jī)發(fā)光器件和至少一個(gè)薄膜晶體管；形成分別電連接至所述第一至第三子像素的第一至第三開關(guān)器件，所述第一至第三開關(guān)器件包括公共形成的漏電極和公共形成的源電極中的一個(gè)，所述第一至第三開關(guān)器件用于在所述第一至第三開關(guān)器件被導(dǎo)通時(shí)向所述第一至第三子像素施加初始化電壓；在所述第一至第三開關(guān)器件上形成平坦化層；形成通過(guò)所述平坦化層的通孔，以暴露所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)；并且形成經(jīng)由所述通孔電連接至所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)的初始化電極，以向所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個(gè)傳輸所述初始化電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)通孔組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件包括像素電極；對(duì)電極；和布置在所述像素電極與所述對(duì)電極之間的有機(jī)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述初始化電極由與所述像素電極相同的材料組成，并且布置在與所述像素電極相同的層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述第一開關(guān)器件通過(guò)順序形成用于形成溝道的第一有源層、與所述第一有源層絕緣的第一柵電極、電連接至所述第一有源層的第一源電極、以及第一漏電極而形成；所述第二開關(guān)器件通過(guò)順序形成用于形成溝道的第二有源層、與所述第二有源層絕緣的第二柵電極、電連接至所述第二有源層的第二源電極、以及第二漏電極而形成；所述第三開關(guān)器件通過(guò)順序形成用于形成溝道的第三有源層、與所述第三有源層絕緣的第三柵電極、電連接至所述第三有源層的第三源電極、以及第三漏電極而形成；并且其中所述第一至第三源電極共同構(gòu)成所述公共源電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述第一至第三有源層連接在一起。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述第一至第三柵電極連接在一起。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，進(jìn)一步包括在所述第一至第三有源層和所述第一至第三柵電極之間形成柵絕緣層；在所述第一至第三柵電極上形成絕緣層間層；并且在所述柵絕緣層和所述絕緣層間層中形成公共接觸孔以將所述公共源電極電連接至所述第一至第三有源層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個(gè)公共接觸孔組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述公共接觸孔被形成在所述通孔附近。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的設(shè)計(jì)，其通過(guò)在與電容器的電極不同的層上形成初始化電壓電極并針對(duì)三個(gè)子像素的整個(gè)集合僅僅形成一個(gè)通孔來(lái)增加電容器電容并增加開口率。這三個(gè)子像素的開關(guān)晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)與開關(guān)晶體管的柵電極一起共同形成。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102593147SQ20111039383
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月10日
發(fā)明者辛惠真, 郭源奎 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社