專利名稱：產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路及其方法，尤指一種 可在任意時(shí)間點(diǎn)產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路及其方法。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為先前技術(shù)說明應(yīng)用在GIP(gate in panel)面板的削角電路100 的示意圖。如圖1所示，削角電路100包含一位準(zhǔn)調(diào)整器102與一削角單元104，其中削角 電路100可內(nèi)建在一電源IC內(nèi)部。位準(zhǔn)調(diào)整器102調(diào)整一輸入電壓LS_I的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生 一第一電壓LS。削角單元104是耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器102，用以接收第一電壓LS，并根據(jù)第 一電壓LS產(chǎn)生一削角電壓LS_0，其中削角電壓LS_0即為GIP面板所使用的薄膜晶體管的 柵極電壓。請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為說明輸入電壓LS_I、第一電壓LS及削角電壓LS_0的波形的 示意圖，其中輸入電壓LS_I的準(zhǔn)位是從0至高電壓VDD。如圖2所示，削角電壓LS_0的放 電時(shí)間是由一外接電容C決定，且一般說來，削角電壓LS_0是削到電壓VDDA。而削角電壓 LS_0的放電斜率是由一外接電阻R決定，其中VEEG為柵極低電壓以及VGH為柵極高電壓。 因此，先前技術(shù)是對(duì)薄膜晶體管的柵極電壓作削角，減輕GIP面板的閃爍現(xiàn)象及改善面板 均勻度，以提高畫面質(zhì)量。但先前技術(shù)的缺點(diǎn)是在第一電壓LS的負(fù)緣才會(huì)開始做削角的動(dòng) 作，無法在第一電壓LS的任意時(shí)間點(diǎn)做削角(例如在第一電壓LS正緣做削角)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路。該削角電路 包含一位準(zhǔn)調(diào)整器、一相位調(diào)整器、一相位比較器及一削角器。該位準(zhǔn)調(diào)整器是用以調(diào)整一 輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一第一電壓；該相位調(diào)整器是耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器，用以接收該第 一電壓，并根據(jù)一相位調(diào)整信號(hào)，調(diào)整該第一電壓的相位，以產(chǎn)生一第二電壓；該相位比較 器是耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器與該相位調(diào)整器，用以接收該第一電壓與該第二電壓，其中該相 位比較器是用以比較該第一電壓與該第二電壓，以產(chǎn)生一比較結(jié)果；該削角器是耦接于該 位準(zhǔn)調(diào)整器、該相位調(diào)整器與該相位比較器，用以根據(jù)該第一電壓、該第二電壓與該比較結(jié) 果，輸出該削角電壓。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的方法。該方法包含調(diào) 整一輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一第一電壓；根據(jù)一相位調(diào)整信號(hào)，調(diào)整該第一電壓的相位， 以產(chǎn)生一第二電壓；比較該第一電壓與該第二電壓，以產(chǎn)生一比較結(jié)果；根據(jù)該第一電壓、 該第二電壓與該比較結(jié)果，輸出該削角電壓。本發(fā)明提供一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路及其方法。該削角電路及 其方法是利用一位準(zhǔn)調(diào)整器調(diào)整一輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一第一電壓，利用一相位調(diào)整 器調(diào)整該輸入電壓的相位，以產(chǎn)生一第二電壓，再利用一相位比較器比較該第一電壓的相 位與該第二電壓的相位，以產(chǎn)生一比較結(jié)果。一削角器的第一削角單元與第二削角單元即 可根據(jù)該第一電壓、該第二電壓與該比較結(jié)果，輸出一削角電壓。因此，本發(fā)明可在任意時(shí)間點(diǎn)上產(chǎn)生削角的動(dòng)作，并可減輕一 GIP面板的閃爍現(xiàn)象及改善該GIP面板均勻度，以提高
畫面質(zhì)量。


圖1為先前技術(shù)說明應(yīng)用在GIP面板的削角電路系統(tǒng)的示意圖。圖2為說明輸入電壓、第一電壓及削角電壓的波形的示意圖。圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例說明一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路的示 意圖。圖4為說明削角器的示意圖。圖5A為說明當(dāng)?shù)谝浑妷旱南辔宦浜蟮诙妷簳r(shí)，削角電路產(chǎn)生的削角電壓的示 意圖。圖5B及圖5C為分段說明當(dāng)?shù)谝浑妷旱南辔宦浜蟮诙妷簳r(shí)，第一削角單元的動(dòng) 作的示意圖。圖6A為說明當(dāng)?shù)谝浑妷旱南辔活I(lǐng)先第二電壓時(shí)，削角電路產(chǎn)生的削角電壓的示 意圖。圖6B及圖6C為分段說明當(dāng)?shù)谝浑妷旱南辔活I(lǐng)先第二電壓時(shí)，第二削角單元的動(dòng) 作的示意圖。圖7為本發(fā)明的另一實(shí)施例說明一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的方法的流程 圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例說明一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削 角電路300的示意圖。削角電路300包含一位準(zhǔn)調(diào)整器302、一相位調(diào)整器304、一相位比 較器306及一削角器308。位準(zhǔn)調(diào)整器302是用以調(diào)整一輸入電壓LS_I的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一 第一電壓LS ；相位調(diào)整器304是耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302，用以接收第一電壓LS，并根據(jù)一相 位調(diào)整信號(hào)PR_I，調(diào)整第一電壓LS的相位，以產(chǎn)生一第二電壓PS ；相位比較器306是耦接 于位準(zhǔn)調(diào)整器302與相位調(diào)整器304，用以接收第一電壓LS與第二電壓PS，其中相位比較 器306是用以比較第一電壓LS的相位與第二電壓PS的相位，以產(chǎn)生一比較結(jié)果PC ；削角 器308是耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302、相位調(diào)整器304與相位比較器306，用以根據(jù)第一電壓LS、 第二電壓PS與比較結(jié)果PC，輸出一削角電壓LS_0。削角器308包含一第一傳輸柵3082、一第一削角單元3084、一第二削角單元3086、 一第二傳輸柵3088及一第三傳輸柵3090。第一傳輸柵3082是耦接于相位調(diào)整器304與相 位比較器306 ；第一削角單元3084是耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302與第一傳輸柵3082 ；第二削角 單元3086是耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302與第一傳輸柵3082 ；第二傳輸柵3088是耦接于第一削 角單元3084、第二削角單元3086及相位比較器306 ；第三傳輸柵3090是耦接于第一削角單 元3084、第二削角單元3086及相位比較器306。請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為說明削角器308的示意圖。第一削角單元3084具有一第一端， 耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302，用以接收第一電壓LS，一第二端，耦接于第一傳輸柵3082，一第三 端，耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302，用以接收第一電壓LS，一第四端，耦接于第二傳輸柵3088，一第五端，用以接收一柵極低電壓VEEG，及一第六端，耦接于第三傳輸柵3090。第一削角單元 3084包含一第一 N型金氧半晶體管30842、一第二 N型金氧半晶體管30844、一第一 P型金 氧半晶體管30846、一第三N型金氧半晶體管30848及一第二 P型金氧半晶體管30850。第 一 N型金氧半晶體管30842具有一第一端，耦接于第一削角單元3084的第一端，一第二端， 耦接于第一 N型金氧半晶體管30842的第一端，及一第三端；第二 N型金氧半晶體管30844 具有一第一端，耦接于第一 N型金氧半晶體管30842的第三端，一第二端，耦接于第一削角 單元3084的第二端，及一第三端，耦接于第一削角單元3084的第六端；第一 P型金氧半晶 體管30846具有一第一端，耦接于第二 N型金氧半晶體管30844的第三端，一第二端，耦接 于第二 N型金氧半晶體管30844的第二端，及一第三端；第三N型金氧半晶體管30848具有 一第一端，耦接于第一 P型金氧半晶體管30846的第三端，一第二端，耦接于第一削角單元 3084的第三端，及一第三端，耦接于第一削角單元3084的第四端；第二 P型金氧半晶體管 30850具有一第一端，耦接于第二N型金氧半晶體管30844的第三端，一第二端，耦接于第一 削角單元3084的第三端，及一第三端，耦接于第一削角單元3084的第五端。如圖4所示，第二削角單元3086具有一第一端，耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302，用以接收 第一電壓LS，一第二端，耦接于第三傳輸柵3090，一第三端，耦接于位準(zhǔn)調(diào)整器302，用以接 收第一電壓LS，一第四端，耦接于第一傳輸柵3082，一第五端，耦接于第二傳輸柵3088，及 一第六端，用以接收柵極低電壓VEEG。第二削角單元3086包含一第四N型金氧半晶體管 30862、一第三P型金氧半晶體管30864、一第四P型金氧半晶體管30866、一第五N型金氧半 晶體管30868及一第五P型金氧半晶體管30870。第四N型金氧半晶體管30862具有一第 一端，耦接于第二削角單元3086的第一端，一第二端，耦接于第二削角單元3086的第一端， 及一第三端，耦接于第二削角單元3086的第二端；第三P型金氧半晶體管30864具有一第 一端，耦接于第四N型金氧半晶體管30862的第三端，一第二端，耦接于第二削角單元3086 的第三端，及一第三端；第四P型金氧半晶體管30866具有一第一端，耦接于第四N型金氧 半晶體管30862的第三端，一第二端，耦接于第二削角單元3086的第三端，及一第三端；第 五N型金氧半晶體管30868具有一第一端，耦接于第三P型金氧半晶體管30864的第三端， 一第二端，耦接于第二削角單元3086的第四端，及一第三端，耦接于第二削角單元3086的 第五端 ’第五P型金氧半晶體管30870具有一第一端，耦接于第四P型金氧半晶體管30866 的第三端，一第二端，耦接于第二削角單元3086的第四端，及一第三端，耦接于第二削角單 元3086的第六端。如圖4所示，第一傳輸柵3082具有一第一端，耦接于相位調(diào)整器304，用以接收第 二電壓PS，一第二端，耦接于相位比較器306，用以接收比較結(jié)果PC，一第三端，耦接于第一 削角單元3084的第二端，及一第四端，耦接于第二削角單元3086的第四端，其中第一傳輸 柵3082是用以根據(jù)比較結(jié)果PC，傳送第二電壓PS至第一削角單元3084或第二削角單元 3086。第一傳輸柵3082包含一第六N型金氧半晶體管30822及一第六P型金氧半晶體管 30824。第六N型金氧半晶體管30822具有一第一端，耦接于第一傳輸柵3082的第一端，一 第二端，耦接于第一傳輸柵3082的第二端，及一第三端，耦接于第一傳輸柵3082的第三端； 第六P型金氧半晶體管30擬4具有一第一端，耦接于第一傳輸柵3082的第一端，一第二端， 耦接于第一傳輸柵3082的第二端，及一第三端，耦接于第一傳輸柵3082的第四端。如圖4所示，第二傳輸柵3088具有一第一端，耦接于第一削角單元3084的第四端，一第二端，耦接于一外接電阻R，一第三端，耦接于相位比較器306，用以接收比較結(jié)果 PC,及一第四端，耦接于該第二削角單元的第五端，其中第二傳輸柵3088是用以根據(jù)比較 結(jié)果PC，將第一削角單元3084的第六端的電位或第二削角單元3086的第二端的電位透過 外接電阻R放電至一電壓VDDA。第二傳輸柵3088包含一第七N型金氧半晶體管30882及 一第七P型金氧半晶體管30884。第七N型金氧半晶體管30882具有一第一端，耦接于第二 傳輸柵3088的第一端，一第二端，耦接于第二傳輸柵3088的第三端，及一第三端，耦接于第 二傳輸柵3088的第二端；第七P型金氧半晶體管30884具有一第一端，耦接于第二傳輸柵 3088的第四端，一第二端，耦接于第二傳輸柵3088的第三端，及一第三端，耦接于第二傳輸 柵3088的第二端。如圖4所示，第三傳輸柵3090具有一第一端，耦接于第二削角單元3086的第二 端，一第二端，耦接于相位比較器306，用以接收比較結(jié)果PC，一第三端，耦接于第一削角單 元3084的第六端，及一第四端，用以輸出削角電壓LS_0，其中第三傳輸柵3090是用以根據(jù) 比較結(jié)果PC，決定第一削角單元3084的第六端或第二削角單元3086的第二端輸出削角電 壓LS_0。第三傳輸柵3090包含一第八P型金氧半晶體管30902及一第八N型金氧半晶體 管30904。第八P型金氧半晶體管30902具有一第一端，耦接于第三傳輸柵3090的第一端， 一第二端，耦接于第三傳輸柵3090的第二端，及一第三端，耦接于第三傳輸柵3090的第四 端；第八N型金氧半晶體管30904具有一第一端，耦接于第三傳輸柵3090的第三端，一第二 端，耦接于3090第三傳輸柵的第二端，及一第三端，耦接于第三傳輸柵3090的第四端。請(qǐng)參照?qǐng)D5A、圖5B及圖5C，圖5A為說明當(dāng)?shù)谝浑妷篖S的相位落后第二電壓PS 時(shí)，削角電路300產(chǎn)生的削角電壓LS_0的示意圖，圖5B及圖5C為分段說明當(dāng)?shù)谝浑妷篖S 的相位落后第二電壓PS時(shí)，第一削角單元3084的動(dòng)作的示意圖。如圖5A所示，當(dāng)?shù)谝浑?壓LS落后第二電壓PS時(shí)間Tl時(shí)，比較結(jié)果PC為一邏輯高電位，且削角電壓LS_0根據(jù)第 二電壓PS的負(fù)緣開始放電，并于第一電壓LS的負(fù)緣結(jié)束放電，亦即可藉由時(shí)間Tl控制削 角電壓LS_0的放電時(shí)間(削角的時(shí)間)。因?yàn)楸容^結(jié)果PC為邏輯高電位，所以第六N型金 氧半晶體管30822、第七N型金氧半晶體管30882及第八N型金氧半晶體管30904開啟，因 此第一削角單元3084的第二端透過第一傳輸柵3082接收第二電壓PS、第一削角單元3084 的第四端透過第二傳輸柵3088耦接于外接電阻R及第一削角單元3084的第六端透過第三 傳輸柵3090輸出削角電壓LS_0。另外，削角電壓LS_0的放電斜率是由第一削角單元3084 的寄生電容與外接電阻R所決定。但因?yàn)榈谝幌鹘菃卧?084的寄生電容很小，所以可藉由 外接電阻R控制削角電壓LS_0的放電斜率。另外，在圖5C中，柵極高電壓VGH以“ 1”表示 以及柵極低電壓VEEG以“0”表示。如圖4、圖5B及第5C圖所示，在圖5B的I區(qū)，第一電 壓LS為“0”以及第二電壓PS為“1”，所以第一 N型金氧半晶體管30842關(guān)閉、第二 N型金 氧半晶體管30844開啟、第一 P型金氧半晶體管30846關(guān)閉、第三N型金氧半晶體管30848 關(guān)閉及第二 P型金氧半晶體管30850開啟。因?yàn)?，第?P型金氧半晶體管30850開啟，所以 削角電壓LS_0經(jīng)由第一削角單元3084的第五端被下拉至“0”。在圖5B的II區(qū)，第一電壓 LS為“ 1，，以及第二電壓PS為“ 1 ”，所以第一 N型金氧半晶體管30842開啟、第二 N型金氧 半晶體管30844開啟、第一 P型金氧半晶體管30846關(guān)閉、第三N型金氧半晶體管30848開 啟及第二 P型金氧半晶體管30850關(guān)閉。因?yàn)?，第?N型金氧半晶體管30842開啟和第二 N型金氧半晶體管30844開啟，所以削角電壓LS_0經(jīng)由第一削角單元3084的第一端被上拉至“1”。在圖5B的III區(qū)，第一電壓LS為“1”以及第二電壓PS為“0”，所以第一 N型金 氧半晶體管30842開啟、第二 N型金氧半晶體管30844關(guān)閉、第一 P型金氧半晶體管30846 開啟、第三N型金氧半晶體管30848開啟及第二 P型金氧半晶體管30850關(guān)閉。因?yàn)?，第?P型金氧半晶體管30846開啟及第三N型金氧半晶體管30848開啟，所以削角電壓LS_0經(jīng) 由第一削角單元3084的第四端透過第二傳輸柵3088被外接電阻R放電至電壓VDDA。在圖 5B的IV區(qū)，第一電壓LS為“0”以及第二電壓PS為“0”，所以第一 N型金氧半晶體管30842 關(guān)閉、第二 N型金氧半晶體管30844關(guān)閉、第一 P型金氧半晶體管30846開啟、第三N型金 氧半晶體管30848關(guān)閉及第二 P型金氧半晶體管30850開啟。因?yàn)?，第?P型金氧半晶體 管30850開啟，所以削角電壓LS_0經(jīng)由第一削角單元3084的第五端被下拉至“0”。
請(qǐng)參照?qǐng)D6A、圖6B及圖6C，圖6A為說明當(dāng)?shù)谝浑妷篖S的相位領(lǐng)先第二電壓PS 時(shí)，削角電路300產(chǎn)生的削角電壓LS_0的示意圖，圖6B及圖6C為分段說明當(dāng)?shù)谝浑妷篖S 的相位領(lǐng)先第二電壓PS時(shí)，第二削角單元3086的動(dòng)作的示意圖。如圖6A所示，當(dāng)?shù)谝浑?壓LS領(lǐng)先第二電壓PS時(shí)間T2時(shí)，比較結(jié)果PC為一邏輯低電位，且削角電壓LS_0根據(jù)第 一電壓LS的負(fù)緣開始放電，并于第二電壓PS的負(fù)緣結(jié)束放電，亦即可藉由時(shí)間T2控制削 角電壓LS_0的放電時(shí)間(削角的時(shí)間)。因?yàn)楸容^結(jié)果PC為邏輯低電位，所以第六P型金 氧半晶體管30824、第七P型金氧半晶體管30884及第八P型金氧半晶體管30902開啟，因 此第二削角單元3086的第四端透過第一傳輸柵3082接收第二電壓PS、第二削角單元3086 的第五端透過第二傳輸柵3088耦接于外接電阻R及第二削角單元3086的第二端透過第三 傳輸柵3090輸出削角電壓LS_0。另外，削角電壓LS_0的放電斜率是由第二削角單元3086 的寄生電容與外接電阻R所決定。但因?yàn)榈诙鹘菃卧?086的寄生電容很小，所以可藉由 外接電阻R控制削角電壓LS_0的放電斜率。另外，在圖6C中，柵極高電壓VGH以“1”表示 以及柵極低電壓VEEG以“0”表示。如圖4、圖6B及圖6C所示，在圖6B的I，區(qū)，第一電壓 LS為“1”以及第二電壓PS為“0”，所以第四N型金氧半晶體管30862開啟、第三P型金氧 半晶體管30864關(guān)閉、第四P型金氧半晶體管30866關(guān)閉、第五N型金氧半晶體管30868關(guān) 閉及第五P型金氧半晶體管30870開啟。因?yàn)?，第四N型金氧半晶體管30862開啟，所以削 角電壓LS_0經(jīng)由第二削角單元3086的第一端被上拉至“1”。在圖6B的II，區(qū)，第一電壓 LS為“ 1，，以及第二電壓PS為“ 1 ”，所以第四N型金氧半晶體管30862開啟、第三P型金氧 半晶體管30864關(guān)閉、第四P型金氧半晶體管30866關(guān)閉、第五N型金氧半晶體管30868開 啟及第五P型金氧半晶體管30870關(guān)閉。因?yàn)椋谒腘型金氧半晶體管30862開啟，所以削 角電壓LS_0經(jīng)由第二削角單元3086的第一端被上拉至“1”。在圖6B的III，區(qū)，第一電 壓LS為“0”以及第二電壓PS為“1”，所以第四N型金氧半晶體管30862關(guān)閉、第三P型金 氧半晶體管30864開啟、第四P型金氧半晶體管30866開啟、第五N型金氧半晶體管30868 開啟及第五P型金氧半晶體管30870關(guān)閉。因?yàn)椋谌齈型金氧半晶體管30864開啟及第 五N型金氧半晶體管30868開啟，所以削角電壓LS_0經(jīng)由第二削角單元3086的第五端透 過第二傳輸柵3088被外接電阻R放電至電壓VDDA。在圖6B的IV，區(qū)，第一電壓LS為“0” 以及第二電壓PS為“0”，所以第四N型金氧半晶體管30862關(guān)閉、第三P型金氧半晶體管 30864開啟、第四P型金氧半晶體管30866開啟、第五N型金氧半晶體管30868關(guān)閉及第五 P型金氧半晶體管30870開啟。因?yàn)?，第四P型金氧半晶體管30866開啟及第五P型金氧半 晶體管30870開啟，所以削角電壓LS_0經(jīng)由第二削角單元3086的第六端被下拉至“0”。
請(qǐng)參照?qǐng)D7，圖7為本發(fā)明的另一實(shí)施例說明一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的 方法的流程圖。圖7的方法是利用圖3的削角電路300說明，詳細(xì)步驟如下
步驟700:開始;
步驟702 調(diào)整輸入電壓LS_I的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生第一電壓LS ； 步驟704 根據(jù)相位調(diào)整信號(hào)PR_I，調(diào)整第一電壓LS的相位，以產(chǎn)生第二電壓PS ； 步驟706 比較第一電壓LS的相位是否領(lǐng)先第二電壓PS的相位，并產(chǎn)生比較結(jié)果PC ； 如果是，進(jìn)行步驟708 ；如果否，跳至步驟710 ；
步驟708 第二削角單元3086根據(jù)第一電壓LS、第二電壓PS與比較結(jié)果PC，輸出削角 電壓LS_0 ；
步驟710 第一削角單元3084根據(jù)第一電壓LS、第二電壓PS與比較結(jié)果PC，輸出削角 電壓LS_0。在步驟702中，位準(zhǔn)調(diào)整器302調(diào)整輸入電壓LS_I的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生第一電壓LS。 在步驟704中，相位調(diào)整器304根據(jù)相位調(diào)整信號(hào)PR_I，調(diào)整第一電壓LS的相位，以產(chǎn)生 第二電壓PS。在步驟706中，相位比較器306比較第一電壓LS的相位與第二電壓PS的相 位，以產(chǎn)生比較結(jié)果PC。在步驟708中，當(dāng)?shù)谝浑妷篖S的相位領(lǐng)先第二電壓PS的相位時(shí)， 第二削角單元3086根據(jù)比較結(jié)果PC透過第一傳輸柵3082接收第二電壓PS。然后第二削 角單元3086根據(jù)第二電壓PS、第一電壓LS與比較結(jié)果PC，輸出削角電壓LS_0。在步驟710 中，當(dāng)?shù)谝浑妷篖S的相位落后第二電壓PS的相位時(shí)，第一削角單元3084根據(jù)比較結(jié)果PC 透過第一傳輸柵3082接收第二電壓PS。然后第一削角單元3084根據(jù)第二電壓PS、第一電 壓LS與比較結(jié)果PC，輸出削角電壓LS_0。綜上所述，本發(fā)明所提供的產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路及其方法，是 利用位準(zhǔn)調(diào)整器調(diào)整輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生第一電壓，利用相位調(diào)整器調(diào)整輸入電壓的 相位，以產(chǎn)生第二電壓，再利用相位比較器比較第一電壓的相位與第二電壓的相位，以產(chǎn)生 比較結(jié)果。削角器的第一削角單元與第二削角單元即可根據(jù)第一電壓、第二電壓與比較結(jié) 果，輸出削角電壓。因此，本發(fā)明可在任意時(shí)間點(diǎn)上產(chǎn)生削角的動(dòng)作，并可減輕GIP面板的 閃爍現(xiàn)象及改善GIP面板均勻度，以提高畫面質(zhì)量。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與 修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路，其特征在于，包含 一位準(zhǔn)調(diào)整器，用以調(diào)整一輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一第一電壓；一相位調(diào)整器，耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器，用以接收該第一電壓，并根據(jù)一相位調(diào)整信號(hào)， 調(diào)整該第一電壓的相位，以產(chǎn)生一第二電壓；一相位比較器，耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器與該相位調(diào)整器，用以接收該第一電壓與該第二 電壓，其中該相位比較器是用以比較該第一電壓與該第二電壓，以產(chǎn)生一比較結(jié)果；及一削角器，耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器、該相位調(diào)整器與該相位比較器，用以根據(jù)該第一電 壓、該第二電壓與該比較結(jié)果，輸出該削角電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的削角電路，其特征在于，該削角器包含 一第一傳輸柵，耦接于該相位調(diào)整器與該相位比較器； 一第一削角單元，耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器與該第一傳輸柵； 一第二削角單元，耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器與該第一傳輸柵；一第二傳輸柵，耦接于該第一削角單元、該第二削角單元及該相位比較器；及 一第三傳輸柵，耦接于該第一削角單元、該第二削角單元及該相位比較器。
3.如權(quán)利要求2所述的削角電路，其特征在于，該第一削角單元具有一第一端，耦接于 該位準(zhǔn)調(diào)整器，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接于該第一傳輸柵，一第三端，耦接于該 位準(zhǔn)調(diào)整器，用以接收該第一電壓，一第四端，耦接于該第二傳輸柵，一第五端，用以接收一 柵極低電壓，及一第六端，耦接于該第三傳輸柵，其中該第一削角單元包含一第一 N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第一削角單元的第一端，一第二 端，耦接于該第一端，及一第三端；一第二 N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第一 N型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第一削角單元的第二端，及一第三端，耦接于該第一削角單元的第六 端；一第一 P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第二 N型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第二 N型金氧半晶體管的第二端，及一第三端；一第三N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第一 P型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第一削角單元的第三端，及一第三端，耦接于該第一削角單元的第四 端；及一第二 P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第二 N型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第一削角單元的第三端，及一第三端，耦接于該第一削角單元的第五 端。
4.如權(quán)利要求2所述的削角電路，其特征在于，該第二削角單元具有一第一端，耦接于 該位準(zhǔn)調(diào)整器，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接于該第三傳輸柵，一第三端，耦接于該 位準(zhǔn)調(diào)整器，用以接收該第一電壓，一第四端，耦接于該第一傳輸柵，一第五端，耦接于該第 二傳輸柵，及一第六端，用以接收該柵極低電壓，其中該第二削角單元包含一第四N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第二削角單元的第一端，一第二 端，耦接于該第一端，及一第三端，耦接于該第二削角單元的第二端；一第三P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第四N型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第二削角單元的第三端，及一第三端；一第四P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第四N型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第二削角單元的第三端，及一第三端；一第五N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第三P型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第二削角單元的第四端，及一第三端，耦接于該第二削角單元的第五 端；及一第五P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第四P型金氧半晶體管的第三端， 一第二端，耦接于該第二削角單元的第四端，及一第三端，耦接于該第二削角單元的第六 端。
5.如權(quán)利要求2所述的削角電路，其特征在于，該第一傳輸柵具有一第一端，耦接于該 相位調(diào)整器，用以接收該第二電壓，一第二端，耦接于該相位比較器，用以接收該比較結(jié)果， 一第三端，耦接于該第一削角單元的第二端，及一第四端，耦接于該第二削角單元的第四 端，其中該第一傳輸柵是用以根據(jù)該比較結(jié)果，傳送該第二電壓至該第一削角單元或該第 二削角單元，該第一傳輸柵包含一第六N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第一傳輸柵的第一端，一第二端， 耦接于該第一傳輸柵的第二端，及一第三端，耦接于該第一傳輸柵的第三端；及一第六P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第一傳輸柵的第一端，一第二端， 耦接于該第一傳輸柵的第二端，及一第三端，耦接于該第一傳輸柵的第四端。
6.如權(quán)利要求2所述的削角電路，其特征在于，該第二傳輸柵具有一第一端，耦接于該 第一削角單元的第四端，一第二端，耦接于一外接電阻，一第三端，耦接于該相位比較器，用 以接收該比較結(jié)果，及一第四端，耦接于該第二削角單元的第五端，其中該第二傳輸柵是用 以根據(jù)該比較結(jié)果，將該第一削角單元的第六端的電位或該第二削角單元的第二端的電位 透過該外接電阻放電至一電壓，該第二傳輸柵包含一第七N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第二傳輸柵的第一端，一第二端， 耦接于該第二傳輸柵的第三端，及一第三端，耦接于該第二傳輸柵的第二端；及一第七P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第二傳輸柵的第四端，一第二端， 耦接于該第二傳輸柵的第三端，及一第三端，耦接于該第二傳輸柵的第二端。
7.如權(quán)利要求2所述的削角電路，其特征在于，該第三傳輸柵具有一第一端，耦接于該 第二削角單元的第二端，一第二端，耦接于該相位比較器，用以接收該比較結(jié)果，一第三端， 耦接于該第一削角單元的第六端，及一第四端，用以輸出該削角電壓，其中該第三傳輸柵是 用以根據(jù)該比較結(jié)果，決定該第一削角單元的第六端或該第二削角單元的第二端輸出該削 角電壓，該第三傳輸柵包含一第八P型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第三傳輸柵的第一端，一第二端， 耦接于該第三傳輸柵的第二端，及一第三端，耦接于該第三傳輸柵的第四端；及一第八N型金氧半晶體管，具有一第一端，耦接于該第三傳輸柵的第三端，一第二端， 耦接于該第三傳輸柵的第二端，及一第三端，耦接于該第三傳輸柵的第四端。
8.—種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的方法，其特征在于，包含調(diào)整一輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一第一電壓；根據(jù)一相位調(diào)整信號(hào)，調(diào)整該第一電壓的相位，以產(chǎn)生一第二電壓；比較該第一電壓的相位與該第二電壓的相位，以產(chǎn)生一比較結(jié)果；及根據(jù)該第一電壓、該第二電壓與該比較結(jié)果，輸出該削角電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，當(dāng)該比較結(jié)果顯示該第一電壓的相位落后 該第二電壓的相位時(shí)，一削角器的第一削角單元根據(jù)該第一電壓、該第二電壓與該比較結(jié) 果，輸出該削角電壓。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，當(dāng)該比較結(jié)果顯示該第一電壓的相位領(lǐng)先 該第二電壓的相位時(shí)，該削角器的第二削角單元根據(jù)該第一電壓、該第二電壓與該比較結(jié) 果，輸出該削角電壓。
全文摘要
一種產(chǎn)生液晶顯示器的削角電壓的削角電路及其方法；包含一位準(zhǔn)調(diào)整器、一相位調(diào)整器、一相位比較器及一削角器。該位準(zhǔn)調(diào)整器是用以調(diào)整一輸入電壓的準(zhǔn)位，以產(chǎn)生一第一電壓；該相位調(diào)整器是耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器，用以根據(jù)一相位調(diào)整信號(hào)，調(diào)整該第一電壓的相位，以產(chǎn)生一第二電壓；該相位比較器是耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器與該相位調(diào)整器，用以比較該第一電壓與該第二電壓，以產(chǎn)生一比較結(jié)果；該削角器是耦接于該位準(zhǔn)調(diào)整器、該相位調(diào)整器與該相位比較器，用以根據(jù)該第一電壓、該第二電壓與該比較結(jié)果，輸出一削角電壓。
文檔編號(hào)G09G3/36GK102136259SQ201110075339
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2011年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月28日
發(fā)明者侯俊成 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司