專利名稱：一種boost驅(qū)動電路、驅(qū)動裝置及l(fā)ed液晶模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于電源領(lǐng)域，尤其涉及一種BOOST驅(qū)動電路、驅(qū)動裝置及LED液晶模組。
背景技術(shù)：
BOOST驅(qū)動電路廣泛應(yīng)用于LED背光燈等領(lǐng)域。依特性和用途不同，BOOST驅(qū)動電 路可分為多種類型，其中一種BOOST驅(qū)動電路的開關(guān)管為低壓驅(qū)動高壓MOS管。這種電路 的原理如圖1所示，包括，電壓輸入端VIN、濾波電容Cl、濾波電容C2、升壓電感L、低壓驅(qū)動 高壓MOS管Q11、工作電阻R1、肖特基二極管D以及電壓輸出端V0UT。其中，在DRV引腳處 輸入低壓的PWM(Pulse Width Modulation，脈寬調(diào)制)信號，即可驅(qū)動低壓驅(qū)動高壓MOS管 Q11。上述BOOST驅(qū)動電路的缺點在于，由于目前低壓驅(qū)動高壓MOS管的技術(shù)不成熟，所 以這一類型的BOOST驅(qū)動電路在使用中存在較大的技術(shù)風(fēng)險，而且低壓驅(qū)動高壓MOS管價 格較高，使得制造該類型BOOST驅(qū)動電路以及相應(yīng)的裝置，需要比較高的生產(chǎn)成本。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種BOOST驅(qū)動電路，旨在解決現(xiàn)有以低壓驅(qū)動高壓 MOS管的技術(shù)中，技術(shù)風(fēng)險大、生產(chǎn)成本高等問題。本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種BOOST驅(qū)動電路，包括升壓電感L、肖特基二極管 D、濾波電容Cl、濾波電容C2、工作電阻Rl，所述BOOST驅(qū)動電路還包括漏極連接于所述升壓電感L以及所述肖特基二極管D之間的高壓驅(qū)動MOS管Q21 ；與所述高壓驅(qū)動MOS管Q21的柵極與源極分別連接的工作電阻R2 ；漏極與所述高壓驅(qū)動MOS管Q21的源極連接，源極與所述工作電阻Rl連接的MOS 管 Q22。進(jìn)一步地，所述BOOST驅(qū)動電路還包括與所述MOS管Q22源極連接的源極管腳ISffo本實用新型的另一目的是提供一種包括所述BOOST驅(qū)動電路的驅(qū)動裝置。進(jìn)一步地，所述BOOST驅(qū)動電路還包括與所述MOS管Q22源極連接的源極管腳ISffo本實用新型的另一目的是提供一種包括所述BOOST驅(qū)動電路的LED液晶模組。進(jìn)一步地，所述BOOST驅(qū)動電路還包括與所述MOS管Q22源極連接的源極管腳ISffo本實用新型以兩個技術(shù)更為成熟的普通MOS管代替低壓驅(qū)動高壓MOS管，先以一 個MOS管將輸入的信號從低壓升至高壓后，再以升壓后的信號驅(qū)動高壓MOS管。與現(xiàn)有的 直接以低壓驅(qū)動高壓MOS管作為開關(guān)管的BOOST驅(qū)動電路相比，本實用新型以更小的技術(shù) 風(fēng)險以及更低的價格成本達(dá)到了同樣的效果。
圖1是現(xiàn)有的BOOST驅(qū)動電路的電路圖；圖2是本實用新型實施例提供的BOOST驅(qū)動電路的電路圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施 例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋 本實用新型，并不用于限定本實用新型。本實用新型實施例提供了 一種BOOST驅(qū)動電路，包括升壓電感L、肖特基二極管D、 濾波電容Cl、濾波電容C2、工作電阻R1，所述BOOST驅(qū)動電路還包括漏極連接于所述升壓電感L以及所述肖特基二極管D之間的高壓驅(qū)動MOS管Q21 ；與所述高壓驅(qū)動MOS管Q21的柵極與源極分別連接的工作電阻R2 ；漏極與所述高壓驅(qū)動MOS管Q21的源極連接，源極與所述工作電阻Rl連接的MOS 管 Q22。本實用新型實施例以兩個技術(shù)更為成熟的普通MOS管代替低壓驅(qū)動高壓MOS管， 先以一個MOS管將輸入的信號從低壓升至高壓后，再以升壓后的信號驅(qū)動高壓MOS管。與 現(xiàn)有的直接以低壓驅(qū)動高壓MOS管作為開關(guān)管的BOOST驅(qū)動電路相比，本實用新型實施例 以更小的技術(shù)風(fēng)險以及更低的價格成本達(dá)到了同樣的效果。實施例一圖2示出了本實用新型實施例提供的BOOST驅(qū)動電路，為了便于說明只示出了與 本實用新型實施例相關(guān)的部分。該電路包括升壓電感L、肖特基二極管D、濾波電容Cl、濾波電容C2、工作電阻R1， 工作電阻R2、高壓驅(qū)動MOS管Q21以及MOS管Q22。其中，升壓電感L分別與直流電壓輸入端VIN以及肖特基二極管D的陽極連接。肖特基二極管D的陰極與直流電壓輸出端VOUT連接。濾波電容Cl作為支路，一端連接于直流電壓輸入端VIN與升壓電感L之間，另一 端接地。濾波電容C2作為支路，一端連接于肖特基二極管D與直流電壓輸出端VOUT之間， 另一端接地。高壓驅(qū)動MOS管Q21作為支路，漏極連接于升壓電感L與肖特基二極管D之間。工作電阻R2，與高壓驅(qū)動MOS管Q21的柵極與源極分別連接。MOS管Q22的漏極與高壓驅(qū)動MOS管Q21的源極連接，MOS管Q22的源極與工作電 阻Rl連接。工作電阻Rl的另一端接地。在實際工作中，在低壓的DRV引腳處輸入低壓的PWM信號，利用MOS管Q22的放大 效用，將低壓的PWM信號轉(zhuǎn)換為高壓的PWM信號，并將高壓的PWM信號輸出至高壓驅(qū)動MOS 管Q21的柵極，該高壓的PWM信號將驅(qū)動高壓驅(qū)動MOS管Q21工作。通過整個過程，從而達(dá) 到利用低壓信號驅(qū)動高壓驅(qū)動MOS管的效果。4[0035]本實用新型實施例以兩個技術(shù)更為成熟的普通MOS管代替低壓驅(qū)動高壓MOS管， 先以一個MOS管將輸入的信號從低壓升至高壓后，再以升壓后的信號驅(qū)動高壓MOS管。與 現(xiàn)有的直接以低壓驅(qū)動高壓MOS管作為開關(guān)管的BOOST驅(qū)動電路相比，本實用新型實施例 以更小的技術(shù)風(fēng)險以及更低的價格成本達(dá)到了同樣的效果。實施例二 本實用新型的上述實施例中的BOOST驅(qū)動電路還包括一個源極管腳ISW，與MOS管 Q22的源極連接，用于配合BOOST驅(qū)動電路進(jìn)行保護(hù)控制。具體而言，源極管腳ISW在設(shè)定 的范圍內(nèi)，驅(qū)動PWM信號提供給MOS管Q22的DRV引腳。如果超出了這個范圍，則馬上關(guān)斷 提供的信號，以保護(hù)電路的安全。實施例三本實用新型實施例中提供的BOOST驅(qū)動電路可以廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動裝置中，這 些驅(qū)動裝置可以應(yīng)用于LED液晶模組等領(lǐng)域。本實用新型實施例以兩個技術(shù)更為成熟的普通MOS管代替低壓驅(qū)動高壓MOS管， 先以一個MOS管將輸入的信號從低壓升至高壓后，再以升壓后的信號驅(qū)動高壓MOS管。與 現(xiàn)有的直接以低壓驅(qū)動高壓MOS管作為開關(guān)管的BOOST驅(qū)動電路相比，本實用新型實施例 以更小的技術(shù)風(fēng)險以及更低的價格成本達(dá)到了同樣的效果。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本 實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種BOOST驅(qū)動電路，包括升壓電感L、肖特基二極管D、濾波電容Cl、濾波電容C2 以及工作電阻Rl，其特征在于，所述BOOST驅(qū)動電路還包括漏極連接于所述升壓電感L以及所述肖特基二極管D之間的高壓驅(qū)動MOS管Q21 ；與所述高壓驅(qū)動MOS管Q21的柵極與源極分別連接的工作電阻R2 ；漏極與所述高壓驅(qū)動MOS管Q21的源極連接，源極與所述工作電阻Rl連接的MOS管Q22。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述BOOST驅(qū)動電路還包括與所述MOS管 Q22源極連接的源極管腳ISW。
3.—種驅(qū)動裝置，其特征在于，所述驅(qū)動裝置包括權(quán)利要求1所述的BOOST驅(qū)動電路。
4.如權(quán)利要求3所述的驅(qū)動裝置，其特征在于，所述BOOST驅(qū)動電路還包括與所述MOS 管Q22源極連接的源極管腳ISW。
5.一種LED液晶模組，包括驅(qū)動裝置，其特征在于，所述驅(qū)動裝置包括權(quán)利要求1所述 的BOOST驅(qū)動電路。
6.如權(quán)利要求5所述的LED液晶模組，其特征在于，所述BOOST驅(qū)動電路還包括與所述 MOS管Q22源極連接的源極管腳ISW。
專利摘要本實用新型適用于電源領(lǐng)域，提供了一種BOOST驅(qū)動電路、驅(qū)動裝置及LED液晶模組，所述BOOST驅(qū)動電路包括升壓電感L、肖特基二極管D、濾波電容C1、濾波電容C2、工作電阻R1，工作電阻R2、高壓驅(qū)動MOS管Q21、MOS管Q22。本實用新型以兩個技術(shù)更為成熟的普通MOS管代替低壓驅(qū)動高壓MOS管，先以一個MOS管將輸入的信號從低壓升至高壓后，再以升壓后的信號驅(qū)動高壓MOS管。與現(xiàn)有的直接以低壓驅(qū)動高壓MOS管作為開關(guān)管的BOOST驅(qū)動電路相比，本實用新型以更小的技術(shù)風(fēng)險以及更低的價格成本達(dá)到了同樣的效果。
文檔編號G09G3/34GK201830140SQ20102057263
公開日2011年5月11日 申請日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月22日
發(fā)明者畢權(quán)武 申請人:廣州創(chuàng)維平面顯示科技有限公司