專利名稱：一種測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示產(chǎn)品測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法及設(shè)備。
背景技術(shù)：
一直以來，如何克服直流偏壓的影響是LCD液晶顯示屏最大的課題和難點(diǎn)之一。 這種影響主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面上一方面，液晶分子在長(zhǎng)時(shí)間的同一方向的直流電壓下會(huì)發(fā)生變化；另一方面，在玻璃基板上制作的半導(dǎo)體電路也容易受到直流偏壓的影響。即源極上的直流偏壓對(duì)液晶分子的影響和柵極上的直流偏壓對(duì)TFTCThin Film Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)特性的影響，因此，傳統(tǒng)的測(cè)量設(shè)備也分為兩種1)針對(duì)液晶分子在長(zhǎng)時(shí)間的同一方向直流電壓下容易出現(xiàn)變化的問題，使用光學(xué)測(cè)量設(shè)備，測(cè)量液晶屏幕在一定的源極直流偏壓下一段時(shí)間后電壓透過率曲線的變化。2)針對(duì)TFT容易受到直流偏壓的影響的問題，使用半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備測(cè)量TFT特性值曲線在一定的柵極直流偏壓下一段時(shí)間后的變化。在進(jìn)行上述液晶分子受直流偏壓影響的測(cè)量過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中，測(cè)量TFT特性得到的結(jié)果是TFT受到柵極直流偏壓影響的結(jié)果，而測(cè)量液晶屏電壓透過率所得到的結(jié)果卻是來自液晶分子所受源極直流偏壓影響和TFT所受柵極直流偏壓影響的綜合作用。由此可見，現(xiàn)有的測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法得到的并不是正常工作情況下的液晶分子所受的源極直流偏壓的影響，而是一種綜合結(jié)果，因而在此基礎(chǔ)上進(jìn)行分析得到的結(jié)論的可信度也大大降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法及設(shè)備，能夠去除掉TFT所受的柵極直流偏壓的影響，提高了分析的精確性。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法，包括在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后， 測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'；將所述待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載所述直流電壓Ve，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A ；在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與所述A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"；得到所述待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線 T :T = τ' -τ"。一種測(cè)量設(shè)備，包括電壓透過率測(cè)量單元，用于在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'；TFT特性值測(cè)量單元，用于向打開后的所述待測(cè)液晶盒的柵極加載所述直流電壓 Ve，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A ；數(shù)據(jù)庫查找單元，用于在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與所述A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"；計(jì)算單元，用于計(jì)算得到所述待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線T :T = T' -τ"。本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法及設(shè)備，首先測(cè)量待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率，得到電壓透過率曲線T'；再將待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載直流電壓Ve，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間 t后，測(cè)得TFT特性值曲線A ；然后，在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與該A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線T"；則得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線Τ:Τ = Τ' -Τ"。這樣，針對(duì)待測(cè)液晶盒的TFT所受的柵極直流偏壓的影響，通過從數(shù)據(jù)庫中找到該柵極直流偏壓對(duì)應(yīng)的電壓透過率曲線Τ"，并減去該Τ"，從而去除掉了 TFT所受的柵極直流偏壓的影響，由此得到更加準(zhǔn)確的液晶分子在源極直流偏壓下的電壓透過率，進(jìn)而為相關(guān)分析提供了精確數(shù)據(jù)。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意框圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備的切換開關(guān)的示意框圖；圖5為柵極施加25V直流電壓，源極施加-4V直流電壓，1800秒后得到的電壓透過率曲線圖；圖6為柵極加載25V直流電壓，1800秒后的TFT特性值曲線圖；圖7為從數(shù)據(jù)庫中找出的相應(yīng)液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線圖；圖8為源極直流偏壓影響后的電壓透過率圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。需要說明的是，在以下的各個(gè)實(shí)施例中，針對(duì)液晶盒的源極，在實(shí)際操作中加載的是一交流電壓，由于參考電壓為直流電壓，所以在一定時(shí)間內(nèi)看，其效果相當(dāng)于在源極一直加載了一個(gè)直流電壓。本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法，如圖1所示，該方法步驟包括S101、在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間 t后，測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'；S102、將待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載直流電壓Ve，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A ；S103、在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"；這里所謂的規(guī)定誤差范圍內(nèi)，可以為兩條曲線的上升點(diǎn)、下降點(diǎn)以及拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)相同，對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)的差值小于等于士0. IV;或者，將兩條曲線沿縱軸方向四等分， 上面的三段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的十分之一；下面的一段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的五分之一。S104、得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線 T :T = τ' -τ"。在此，電壓透過率曲線的相減為曲線中每個(gè)電壓值對(duì)應(yīng)的透過率值的相減。本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法，首先測(cè)量待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率，得到電壓透過率曲線T'；再將待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載直流電壓Ve，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)得TFT特性值曲線A ；然后，在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與該A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線T"；則得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線Τ:Τ = Τ' -Τ"。這樣，針對(duì)待測(cè)液晶盒的TFT所受的柵極直流偏壓的影響，通過從數(shù)據(jù)庫中找到該柵極直流偏壓對(duì)應(yīng)的電壓透過率曲線Τ"，并減去該Τ"，從而去除掉了 TFT所受的柵極直流偏壓的影響，由此得到更加準(zhǔn)確的液晶分子在源極直流偏壓下的電壓透過率，進(jìn)而為相關(guān)分析提供了精確數(shù)據(jù)。本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備20，如圖2所示，包括電壓透過率測(cè)量單元201，用于在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'。TFT特性值測(cè)量單元202，用于向打開后的待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A。數(shù)據(jù)庫查找單元203，用于在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"。這里所謂的規(guī)定誤差范圍內(nèi)，可以為兩條曲線的上升點(diǎn)、下降點(diǎn)以及拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)相同，對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)的差值小于等于士0. IV;或者，將兩條曲線沿縱軸方向四等分， 上面的三段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的十分之一；下面的一段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的五分之一。
計(jì)算單元204，用于計(jì)算得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t 后的電壓透過率曲線T :T = T' -τ"。本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備，首先電壓透過率測(cè)量單元測(cè)量待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率，得到電壓透過率曲線T'；再將待測(cè)液晶盒打開，由TFT特性值測(cè)量單元向柵極加載直流電壓Ve，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)得TFT特性值曲線A ；然后，數(shù)據(jù)庫查找單元在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與該A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線 T"；計(jì)算單元計(jì)算得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線Τ:Τ = Τ' -Τ"。這樣，針對(duì)待測(cè)液晶盒的TFT所受的柵極直流偏壓的影響，通過從數(shù)據(jù)庫中找到該柵極直流偏壓對(duì)應(yīng)的電壓透過率曲線Τ"，并減去該Τ"，從而去除掉了 TFT所受的柵極直流偏壓的影響，由此得到更加準(zhǔn)確的液晶分子在源極直流偏壓下的電壓透過率，進(jìn)而為相關(guān)分析提供了精確數(shù)據(jù)。另外，該測(cè)量設(shè)備也可以分別進(jìn)行電壓透過率的測(cè)量和TFT特性值的測(cè)量，能夠?qū)F(xiàn)有的需多個(gè)設(shè)備進(jìn)行的測(cè)量工作融合到一個(gè)設(shè)備上來，方便了測(cè)量工作，節(jié)省了硬件成本。本發(fā)明另一實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備30，如圖3所示在測(cè)量設(shè)備30的最上方使用金屬或其他遮光材料制作一個(gè)暗室32，為電壓透過率的測(cè)量提供測(cè)量環(huán)境。測(cè)量時(shí)的待測(cè)樣品液晶盒(Panel)40放置于暗室32中。在暗室 32之下，本實(shí)施例的整個(gè)測(cè)量設(shè)備30自上而下可以分成四層，分別是背光模塊33、光學(xué)測(cè)量模塊34、光學(xué)測(cè)量模塊34和電源/處理/計(jì)算模塊36。具體的，第一層為背光模塊33，由于液晶盒40多為透射型設(shè)計(jì)，因此需要測(cè)量設(shè)備30為其提供背光照明。最上層的背光模塊33可以采用性能比較穩(wěn)定的鹵化燈或其他穩(wěn)定光源，為待測(cè)液晶盒40提供背光源。第二層為光學(xué)測(cè)量模塊34，例如采用光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)DMS900，其中包括光電放大器、光學(xué)處理器等部分(圖中未表示)。光學(xué)測(cè)量模塊34通過精密傳導(dǎo)線連接探針38 (第一探針)，探針38 (第一探針)用于向液晶盒40的柵極、源極加載電壓；光學(xué)測(cè)量模塊34 還通過光纖和鏡頭37連接在一起。鏡頭37對(duì)液晶盒40進(jìn)行光學(xué)測(cè)量，得到的數(shù)據(jù)通過光學(xué)測(cè)量模塊34發(fā)送至電源/處理/計(jì)算模塊36 (數(shù)據(jù)處理模塊)，電源/處理/計(jì)算模塊 36(數(shù)據(jù)處理模塊)處理后得到液晶盒40的電壓透過率電壓曲線。在本實(shí)施例中，可以將為設(shè)備各個(gè)模塊提供電源的電源功能、進(jìn)行數(shù)據(jù)處理得到電壓透過率曲線和TFT特性值曲線的數(shù)據(jù)處理功能、以及最后計(jì)算得到受源極直流偏壓影響下的電壓透過率曲線的計(jì)算功能和在一個(gè)模塊中，即本實(shí)施例中的電源/處理/計(jì)算模塊36，可以采用PC機(jī)和各種驅(qū)動(dòng)電源。這樣可以節(jié)省測(cè)量設(shè)備空間，降低測(cè)量設(shè)備成本。第三層為半導(dǎo)體測(cè)量模塊35，例如采用安捷倫公司的4156C，通過精密傳導(dǎo)線連接探針38(第二探針)，用于向打開后的待測(cè)液晶盒40的柵極加載電壓，測(cè)量源極、漏極間的電流大小，得出高精度的TFT特性數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)通過半導(dǎo)體測(cè)量模塊35發(fā)送至電源/處理/計(jì)算模塊36 (數(shù)據(jù)處理模塊)，電源/處理/計(jì)算模塊36 (數(shù)據(jù)處理模塊)處理后得到 TFT的特性值曲線。在此，需說明的是，半導(dǎo)體測(cè)量模塊35除采用安捷倫公司的4156C外，還可以使用其他半導(dǎo)體特性測(cè)量?jī)x器。在本實(shí)施例中，可以將光學(xué)測(cè)量模塊34所用所用的第一探針和半導(dǎo)體測(cè)量模塊 35所用的第二探針，利用切換開關(guān)39合為一個(gè)探針38使用。切換開關(guān)39如圖4所示，在測(cè)量電壓透過率時(shí)，探針38的切換開關(guān)39的動(dòng)觸點(diǎn)391與靜觸點(diǎn)392電連接，進(jìn)而與光學(xué)測(cè)量模塊34電連接；在測(cè)量TFT特性時(shí)，探針38的切換開關(guān)39的動(dòng)觸點(diǎn)391與靜觸點(diǎn)393 電連接，進(jìn)而與半導(dǎo)體測(cè)量模塊35電連接，從而實(shí)現(xiàn)了探針的復(fù)用。探針38可以針對(duì)源、 漏、柵極至少有三個(gè)。同樣，鏡頭37也可以通過同樣構(gòu)造的切換開關(guān)39進(jìn)行復(fù)用，在進(jìn)行電壓透過率測(cè)量時(shí)作為測(cè)量鏡頭，在進(jìn)行TFT特性測(cè)量時(shí)作為觀察鏡頭。因此切換開關(guān)39構(gòu)造動(dòng)作與上述探針38的切換開關(guān)39相同，不再贅述。第四層為電源/處理/計(jì)算模塊36，一方面通過驅(qū)動(dòng)線路與背光模塊33、光學(xué)測(cè)量模塊34、光學(xué)測(cè)量模塊34相連，為其提供電源；另一方面通過GPIB(General Purpose Interface Bus，通用接口總線)與光學(xué)測(cè)量模塊34、光學(xué)測(cè)量模塊34相連，進(jìn)行相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理，得到電壓透過率曲線和TFT特性值曲線。最后還通過對(duì)數(shù)據(jù)庫的查找，計(jì)算得到最后的結(jié)果。此外，可以使用立體電子箱31對(duì)整個(gè)測(cè)量設(shè)備30的各個(gè)組件進(jìn)行封裝，使其更好地避免外界的電磁干擾，整體上更加整齊和美觀，同時(shí)有利于設(shè)備備件及耗材更換。利用本實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備30進(jìn)行的測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的過程如下在進(jìn)行測(cè)量時(shí)，首先將待測(cè)液晶盒40放置在暗室32中的測(cè)試平臺(tái)中，打開背光源。對(duì)待測(cè)液晶盒40的某一個(gè)區(qū)域進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，由于沒有外圍驅(qū)動(dòng)電路，因此只能對(duì)其施加直流和交流兩種電壓，柵極正常工作的脈沖電壓是無法實(shí)現(xiàn)的，因此在本實(shí)施例中，可以通過探針38對(duì)柵極施加25V (Ve)的直流電壓，使柵極一直保持在打開的狀態(tài)。通過探針38向源極施加交流的士6V，模擬實(shí)際工作情況，同時(shí)參考電壓設(shè)定為2V，在這種情況下，液晶分子所感受到的電壓是第一幀為+6-2 = +4V，第二幀為-6-2 = -8V，依次循環(huán)下去，在一定時(shí)間內(nèi)看，相當(dāng)于在源極一直加載一個(gè)-4V(Vd)的直流電壓。液晶分子受到其影響很有可能發(fā)生變化，在規(guī)定時(shí)間后，本實(shí)施例中例如1800秒⑴后測(cè)量器電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'，如圖5所示。將該T'發(fā)送至電源/處理/計(jì)算模塊36。然后，將待測(cè)液晶盒40打開，測(cè)量相應(yīng)區(qū)域的TFT特性值在柵極直流偏壓影響下的變化情況。由于上一步驟中，柵極加載了 25V的直流電壓，且加載了 1800秒，則本步驟就對(duì)應(yīng)取得柵極加載25V(Ve)直流電壓1800秒(t)后的TFT特性值曲線。首先利用一個(gè)探針 38向柵極施加25V(Ve)的直流電壓，加載1800秒(t)后，再利用兩個(gè)探針分別接觸在待測(cè)區(qū)域的源極和漏極區(qū)域，測(cè)量源漏之間的電流大小，并最終得到柵極加載25V(Ve)直流電壓 1800秒⑴后的TFT特性值曲線，記為A，如圖6所示。將該A發(fā)送至電源/處理/計(jì)算模塊36。接著，在電源/處理/計(jì)算模塊36中，從數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與該A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"， 如圖7所示。這里所謂的規(guī)定誤差范圍內(nèi)，可以為兩條曲線的上升點(diǎn)、下降點(diǎn)以及拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)相同，對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)的差值小于等于士0. IV ；或者，將兩條曲線沿縱軸方向四等分， 上面的三段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的十分之一；下面的一段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的五分之一。最后，在電源/處理/計(jì)算模塊36中計(jì)算得到該待測(cè)液晶盒40在源極加載直流電壓-4V (Vd)，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間1800秒(t)后的電壓透過率曲線T :T = T' -Τ"。即圖5中的曲線減去圖7中的曲線，得到。在此，電壓透過率曲線的相減為曲線中每個(gè)電壓值對(duì)應(yīng)的透過率值的相減。本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量設(shè)備及測(cè)量方法，首先測(cè)量待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓25V(Ve)，源極加載直流電壓-4V(VD)，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間1800秒(t)后的電壓透過率，得到電壓透過率曲線T'；再將待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載直流電壓25V(Ve)，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間 1800秒⑴后，測(cè)得TFT特性值曲線A;然后，在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與該A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線T"；則得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓-4V(Vd)，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間1800秒(t)后的電壓透過率曲線 T=T = T' -T"。這樣，針對(duì)待測(cè)液晶盒的TFT所受的柵極直流25V偏壓的影響，通過從數(shù)據(jù)庫中找到該柵極直流偏壓對(duì)應(yīng)的電壓透過率曲線T"，并減去該T"，從而去除掉了 TFT 所受的柵極直流25V偏壓的影響，由此得到更加準(zhǔn)確的液晶分子在源極直流偏壓下的電壓透過率，進(jìn)而為相關(guān)分析提供了精確數(shù)據(jù)。另外，該測(cè)量設(shè)備也可以分別進(jìn)行電壓透過率的測(cè)量和TFT特性值的測(cè)量，能夠?qū)F(xiàn)有的需多個(gè)設(shè)備進(jìn)行的測(cè)量工作融合到一個(gè)設(shè)備上來，方便了測(cè)量工作，節(jié)省了硬件成本。需要說明的是，本實(shí)施例只是列舉了一種情況，柵極、源極還可以加載其他電壓值，如向柵極加載-8V等，向源極加載1.8V、2V、2. 2V、2. 4V等，規(guī)定的時(shí)間也不僅是1800 秒，還可以是10秒、100秒、7200秒等等。其測(cè)量計(jì)算過程與本實(shí)施例相同。如圖8所示， 即為不同的源極電壓(1.8V、2V、2. 2V、2.4V)影響不同時(shí)間(0分鐘、30分鐘、60分鐘……) 后的電壓透過率曲線。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法，其特征在于，包括在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'；將所述待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載所述直流電壓Ve，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量 TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A ；在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與所述A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"；得到所述待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線 T :T = T' -Τ"。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述規(guī)定誤差范圍內(nèi)包括兩條曲線的上升點(diǎn)、下降點(diǎn)以及拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)相同，對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)的差值小于等于士 0. IV;或者將兩條曲線沿縱軸方向四等分，上面的三段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的十分之一；下面的一段曲線對(duì)應(yīng)的橫坐標(biāo)相同時(shí)，其所對(duì)應(yīng)的縱坐標(biāo)的差值小于等于縱軸刻度的五分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，電壓透過率曲線的相減為曲線中每個(gè)電壓值對(duì)應(yīng)的透過率值的相減。
4.一種測(cè)量設(shè)備，其特征在于，包括電壓透過率測(cè)量單元，用于在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓Ve，源極加載直流電壓 VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T'；TFT特性值測(cè)量單元，用于向打開后的所述待測(cè)液晶盒的柵極加載所述直流電壓Ve，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A ；數(shù)據(jù)庫查找單元，用于在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與所述A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T"；計(jì)算單元，用于計(jì)算得到所述待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t 后的電壓透過率曲線T :T = T' -T “。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)量設(shè)備，其特征在于，所述電壓透過率測(cè)量單元，包括 暗室，由遮光材料構(gòu)成，用于提供電壓透過率測(cè)量環(huán)境；背光模塊，位于所述暗室內(nèi)，用于為待測(cè)液晶盒提供背光； 第一探針，與光學(xué)測(cè)量模塊電連接，用于向待測(cè)液晶盒的柵極、源極加載電壓； 鏡頭，通過光纖與光學(xué)測(cè)量模塊連接，用于對(duì)所述待測(cè)液晶盒進(jìn)行光學(xué)測(cè)量； 光學(xué)測(cè)量模塊，用于在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓\，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量電壓透過率，將測(cè)量數(shù)據(jù)傳送到數(shù)據(jù)處理模塊；數(shù)據(jù)處理模塊，與所述光學(xué)測(cè)量模塊電連接，用于對(duì)所述光學(xué)測(cè)量模塊傳送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，得到電壓透過率曲線，記為T'。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)量設(shè)備，其特征在于，所述TFT特性值測(cè)量單元，包括第二探針，與半導(dǎo)體測(cè)量模塊電連接，用于向打開后的所述待測(cè)液晶盒的柵極加載電壓；測(cè)量源極、漏極間的電流大?。话雽?dǎo)體測(cè)量模塊，用于在打開后的所述待測(cè)液晶盒的柵極加載所述直流電壓Ve，經(jīng)過所述規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，將測(cè)量數(shù)據(jù)傳送到所述數(shù)據(jù)處理模塊；所述數(shù)據(jù)處理模塊，還與所述半導(dǎo)體測(cè)量模塊電連接，還用于對(duì)所述半導(dǎo)體測(cè)量模塊傳送的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，得到TFT特性值曲線，記為A。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)量設(shè)備，其特征在于，所述第一探針、第二探針為包括切換開關(guān)的一個(gè)探針；在測(cè)量TFT特性值時(shí)，所述探針通過切換開關(guān)與所述半導(dǎo)體測(cè)量模塊電連接；在測(cè)量電壓透過率時(shí)，所述探針通過切換開關(guān)與所述光學(xué)測(cè)量模塊電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求書7所述的測(cè)量設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)量設(shè)備的各個(gè)模塊位于電子箱內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種測(cè)量直流偏壓影響下的電壓透過率的方法及設(shè)備，涉及液晶顯示產(chǎn)品測(cè)試領(lǐng)域，能夠去除掉TFT所受的柵極直流偏壓的影響。其方案為在待測(cè)液晶盒的柵極加載直流電壓VG，源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量電壓透過率，得到電壓透過率曲線，記為T′；將待測(cè)液晶盒打開，向柵極加載直流電壓VG，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后，測(cè)量TFT特性值，得到TFT特性值曲線，記為A；在數(shù)據(jù)庫中找到TFT特性值曲線與A在規(guī)定誤差范圍內(nèi)的液晶盒，并得到該液晶盒的無直流偏壓影響的電壓透過率曲線，記為T″；得到待測(cè)液晶盒在源極加載直流電壓VD，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間t后的電壓透過率曲線TT＝T′-T″。
文檔編號(hào)G09G3/00GK102542959SQ20101058543
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者吳昊 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司