專利名稱：使用驅(qū)動(dòng)電路的等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路執(zhí)行高擊穿電壓P溝道FET (場(chǎng)效應(yīng)晶體 管)的導(dǎo)通/截止控制。
背景技術(shù)：
圖1示出在專利文獻(xiàn)1 (日本專利公開(JP 2006-101490A))中所示的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電 路的構(gòu)造。第一電源NVDDH和第二電源NVDDL被連接到驅(qū)動(dòng)電路，以提供第一電壓VDDH，和 低于第一電壓VDDH的第二電壓VDDL，并且接地電壓GND也被連接到驅(qū)動(dòng)電路。傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路被提供有低壓控制部件113、電平移位部件111以及緩沖器部件 112。低壓控制部件113被連接在第二電壓NVDDL和接地電壓GND之間。低壓控制部件 113使用第三電壓VDDL作為電源電壓。電平移位部件111被提供有P溝道MOS晶體管MPlOl和MP102，和N溝道MOS晶 體管MNlOl和MN102。P溝道MOS晶體管MPlOl和MP102與第一電壓VDDH相連接。N溝道 MOS晶體管麗101被連接在P溝道MOS晶體管MPlOl和接地電壓GND之間，并且第一輸入信 號(hào)mi被提供到N溝道MOS晶體管麗101的柵極。P溝道MOS晶體管MP102的柵極與P溝 道MOS晶體管MPlOl和N溝道MOS晶體管MNlOl之間的第一節(jié)點(diǎn)AlOl相連接。N溝道MOS 晶體管麗102被連接在P溝道MOS晶體管MP102和接地電壓GND之間，并且第二輸入信號(hào) IN2被提供到晶體管麗102的柵極。P溝道MOS晶體管MPlOl的柵極與P溝道MOS晶體管 MP102和N溝道MOS晶體管MN102之間的第二節(jié)點(diǎn)BlOl相連接。緩沖器部件112被提供有推挽輸出P溝道MOS晶體管MP103和推挽輸出N溝道 MOS晶體管MN103。P溝道MOS晶體管MP103被連接在第一電壓VDDH和輸出節(jié)點(diǎn)OUT之間， 并且其柵極與第二節(jié)點(diǎn)BlOl相連接。N溝道MOS晶體管MN103被連接在輸出節(jié)點(diǎn)OUT和接 地電壓GND之間，并且第三輸入信號(hào)IN3被提供給其柵極。緩沖器部件112響應(yīng)于來(lái)自于低壓控制部件113的第三輸入信號(hào)IN3和第二節(jié)點(diǎn) BlOl的信號(hào)執(zhí)行切換操作。圖2示出在傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路中的第一模式和第二模式下的操作。當(dāng)輸入信號(hào)IN的信號(hào)電平是高電平時(shí)，低壓控制部件113執(zhí)行第一模式。在第一 模式下，低壓控制部件113將第一至第三輸入信號(hào)mi至IN3的信號(hào)電平設(shè)置為低電平、高 電平以及低電平。在該情況下，響應(yīng)于高電平的第二輸入信號(hào)IN2導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗102。同 時(shí)，響應(yīng)于低電平的第一輸入信號(hào)mi截止N溝道MOS晶體管麗101。響應(yīng)于低電平的第 二節(jié)點(diǎn)BlOl的信號(hào)(第二輸出信號(hào))導(dǎo)通P溝道MOS晶體管MP103。響應(yīng)于高電平的第 一節(jié)點(diǎn)AlOl處的信號(hào)(第一輸出信號(hào))截止P溝道MOS晶體管MP102。這時(shí)，因?yàn)榈诙?jié) 點(diǎn)BlOl的電壓下降到接地電壓GND，所以P溝道MOS晶體管MPlOl被導(dǎo)通。因此，輸出節(jié) 點(diǎn)OUT的電壓上升到第一電壓VDDH。而且，響應(yīng)于低電平的第三輸入信號(hào)IN3截止N溝道MOS晶體管麗103，使得輸入信號(hào)IN的電平被反轉(zhuǎn)并且被提供到輸出節(jié)點(diǎn)OUT。另一方面，當(dāng)輸入信號(hào)IN處于低電平時(shí)，低壓控制部件113執(zhí)行第二模式。在第 二模式下，低壓控制部件113分別將第一至第三輸入信號(hào)mi至IN3設(shè)置為高電平、低電平 以及高電平。在該情況下，由于響應(yīng)于高電平的第一輸入信號(hào)導(dǎo)通N溝道MOS晶體管MN101，使 得第一節(jié)點(diǎn)AlOl的電壓下降到接地電壓GND。響應(yīng)于低電平的第一輸出信號(hào)導(dǎo)通P溝道 MOS晶體管MP102。同時(shí)，響應(yīng)于低電平的第二輸入信號(hào)IN2截止N溝道MOS晶體管麗102。 因此，由于第二節(jié)點(diǎn)BlOl的電壓上升到第一電壓VDDH，因此P溝道MOS晶體管MP103被截 止。此外，響應(yīng)于高電平的第三輸入信號(hào)IN3導(dǎo)通N溝道MOS晶體管MN103，使得輸出節(jié)點(diǎn) OUT的電壓下降到接地電壓GND。引用列表:[專利文獻(xiàn)1] JP 2006-101490A

發(fā)明內(nèi)容
假設(shè)在第一模式下由于諸如短路的任何故障導(dǎo)致輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓快速地從 第一電壓VDDH下降到接地電壓GND。在該情況下，由于P溝道MOS晶體管MP103保持導(dǎo)通狀態(tài)，所以大量電流繼續(xù)從第 一電壓VDDH流到P溝道MOS晶體管麗103。由于大量電流(短路電流)導(dǎo)致P溝道MOS晶 體管MP103本身產(chǎn)生熱。結(jié)果，P溝道MOS晶體管MP103的擊穿電壓下降并且P溝道MOS晶 體管MP103被熱破壞。因此，本發(fā)明的主題是提供使用驅(qū)動(dòng)電路的等離子體顯示裝置，其中輸出節(jié)點(diǎn)的 電壓是穩(wěn)定的并且能夠防止晶體管的毀壞。在本發(fā)明的方面中，驅(qū)動(dòng)電路包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，該第一和第二 P溝道MOS晶體管與第一電壓相連接；第一 N溝道MOS晶體管，該第一 N溝道MOS晶體管被 連接在第一 P溝道MOS晶體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第 一輸入信號(hào)的柵極，其中第二 P溝道MOS晶體管的柵極與第一 P溝道MOS晶體管和第一 N 溝道MOS晶體管之間的第一節(jié)點(diǎn)相連接；第二 N溝道MOS晶體管，該第二 N溝道MOS晶體管 被連接在第二 P溝道MOS晶體管和第二電壓之間并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號(hào)的柵 極，其中第一 P溝道MOS晶體管的柵極與第二P溝道MOS晶體管和第二 N溝道MOS晶體管之 間的第二節(jié)點(diǎn)相連接；輸出P溝道MOS晶體管，該輸出P溝道MOS晶體管被連接在第一電壓 和輸出節(jié)點(diǎn)之間并且具有與第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，該輸出N溝道 MOS晶體管被連接在輸出節(jié)點(diǎn)和第二電壓之間并且具有被提供有其極性與第一輸入信號(hào)的 極性相同的輸入信號(hào)的柵極；以及P溝道MOS晶體管，該P(yáng)溝道MOS晶體管具有與第一節(jié)點(diǎn) 相連接的源極、與輸出節(jié)點(diǎn)相連接的漏極、以及與第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極。在本發(fā)明的另一方面中，等離子體顯示裝置包括多個(gè)放電電極對(duì)，其中所述多個(gè) 放電電極對(duì)中的每一對(duì)中的一個(gè)是保持電極并且另一個(gè)是掃描電極；多個(gè)數(shù)據(jù)電極，所述 多個(gè)數(shù)據(jù)電極被提供為與多個(gè)放電電極對(duì)相對(duì)，其中顯示單元形成在多個(gè)放電電極對(duì)和多 個(gè)數(shù)據(jù)電極的交叉處；掃描驅(qū)動(dòng)器，該掃描驅(qū)動(dòng)器被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)多個(gè)掃描電極；保持驅(qū)動(dòng) 器，該保持驅(qū)動(dòng)器被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)多個(gè)保持電極；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)多個(gè)數(shù)據(jù)電極。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包括輸出控制部件，該輸出控制部件被構(gòu)造為在地址時(shí)段中 輸出基于圖像數(shù)據(jù)確定的數(shù)據(jù)脈沖信號(hào)；和驅(qū)動(dòng)電路，為多個(gè)數(shù)據(jù)電極中的每一個(gè)提供該 驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，該第一和第二 P溝道MOS晶體管 與第一電壓相連接；第一 N溝道MOS晶體管，該第一 N溝道MOS晶體管被連接在第一 P溝道 MOS晶體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第一輸入信號(hào)的柵極， 其中第二 P溝道MOS晶體管的柵極與第一 P溝道MOS晶體管和第一 N溝道MOS晶體管之間 的第一節(jié)點(diǎn)相連接；第二 N溝道MOS晶體管，該第二 N溝道MOS晶體管被連接在第二 P溝道 MOS晶體管和第二電壓之間并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號(hào)的柵極，其中第一 P溝道 MOS晶體管的柵極與第二 P溝道MOS晶體管和第二 N溝道MOS晶體管之間的第二節(jié)點(diǎn)相連 接；輸出P溝道MOS晶體管，該輸出P溝道MOS晶體管被連接在第一電壓和輸出節(jié)點(diǎn)之間并 且具有與第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，該輸出N溝道MOS晶體管被連接 在輸出節(jié)點(diǎn)和第二電壓之間并且具有被提供有其極性與第一輸入信號(hào)的極性相同的輸入 信號(hào)的柵極；以及P溝道MOS晶體管，該P(yáng)溝道MOS晶體管具有與第一節(jié)點(diǎn)相連接的源極、 與輸出節(jié)點(diǎn)相連接的漏極、以及與第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極?；跀?shù)據(jù)脈沖信號(hào)作為輸入信 號(hào)產(chǎn)生第一和第二輸入信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路，當(dāng)由于諸如短路的任何故障導(dǎo)致輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓從 第一電壓VDDH快速地減少到接地電壓GND時(shí)，P溝道MOS晶體管MP4被提供在第一節(jié)點(diǎn)Al 和輸出節(jié)點(diǎn)OUT之間用于防止短路電流。第一節(jié)點(diǎn)Al的電壓和輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓被同 時(shí)減少并且P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通。因此，P溝道MOS晶體管MP3被截止。結(jié)果，輸 出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓在接地電壓GND是穩(wěn)定的并且能夠防止P溝道MOS晶體管MP3的損壞。根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路，低壓控制部件執(zhí)行第一模式，然后執(zhí)行第三模式。因此， 除了上述效果之外，貫穿(pass through)電流沒有在P溝道MOS晶體管MP2和N溝道MOS 晶體管麗2之間流動(dòng)。


結(jié)合附圖，根據(jù)某些實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其它目的、優(yōu)點(diǎn)和特征將 更加明顯，其中圖1是示出傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造的框圖；圖2示出兩種模式下的傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路的操作的時(shí)序圖；圖3示出等離子體顯示裝置的構(gòu)造；圖4是示出圖3中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)造的框圖；圖5示出等離子體顯示裝置的操作的時(shí)序圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造的框圖；圖7示出在地址時(shí)段中兩種模式中的驅(qū)動(dòng)電路的操作的時(shí)序圖；以及圖8示出在地址時(shí)段中第三模式中的驅(qū)動(dòng)電路的操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將會(huì)參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 的驅(qū)動(dòng)電路被應(yīng)用于等離子體顯示裝置的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
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圖3示出等離子體顯示裝置的構(gòu)造。等離子體顯示裝置被提供有等離子體顯示面板(PDP) 1、多個(gè)放電電極對(duì)和多個(gè)數(shù) 據(jù)電極D。多個(gè)放電電極對(duì)中的每一對(duì)的一個(gè)放電電極是保持電極X并且其另一放電電極 是掃描電極Yl至Ym(m是等于或者大于2的整數(shù))中的相對(duì)應(yīng)的一個(gè)。多個(gè)數(shù)據(jù)電極D被 布置為與多個(gè)放電電極對(duì)相對(duì)并且作為電容元件的顯示單元2被提供在多個(gè)放電電極對(duì) 和多個(gè)數(shù)據(jù)電極的交叉中的每一個(gè)中。即，當(dāng)數(shù)據(jù)電極D的數(shù)目是η (η是等于或者大于2 的整數(shù))時(shí)，等離子體顯示面板1被提供有m行和η列的矩陣的顯示單元2。等離子體顯示裝置還被提供有驅(qū)動(dòng)多個(gè)掃描電極Yl至Ym的掃描驅(qū)動(dòng)器4、驅(qū)動(dòng)多 個(gè)保持電極X的保持驅(qū)動(dòng)器3、驅(qū)動(dòng)多個(gè)數(shù)據(jù)電極D的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5、以及控制部件7和電 力收集部件8。圖4示出圖3中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5的構(gòu)造。第一電壓VDDH被提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5。 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5被提供有輸出控制部件6和驅(qū)動(dòng)部件10。驅(qū)動(dòng)部件10被提供有分別用于多 個(gè)數(shù)據(jù)電極D的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路14(參見圖6)。多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路14的輸出分別與數(shù)據(jù)輸出節(jié) 點(diǎn)OUT相連接，其中數(shù)據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)OUT與多個(gè)數(shù)據(jù)電極D相連接。多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路14與作為 電源電壓的第一電壓VDDH相連接。圖5示出等離子體顯示裝置的操作。在此，一個(gè)場(chǎng)(field)或者一個(gè)子場(chǎng)包含復(fù) 位時(shí)段、復(fù)位時(shí)段之后的地址時(shí)段以及地址時(shí)段之后的保持時(shí)段。控制部件7在復(fù)位時(shí)段中控制保持驅(qū)動(dòng)器3和掃描驅(qū)動(dòng)器4以將電壓提供給多個(gè) 保持電極X和多個(gè)掃描電極Yl至Ym以調(diào)節(jié)當(dāng)執(zhí)行保持放電時(shí)積累的多個(gè)保持電極X和多 個(gè)掃描電極Yl至Ym之間的電荷的量?？刂茊卧?在地址時(shí)段中控制保持驅(qū)動(dòng)器3、掃描驅(qū)動(dòng)器4、以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5以 將電壓提供給多個(gè)保持電極X、多個(gè)掃描電極Yl至Ym、以及多個(gè)數(shù)據(jù)電極D以通過(guò)多個(gè)掃 描電極Yl至Ym與多個(gè)數(shù)據(jù)電極D之間的放電在顯示單元2中寫入圖像數(shù)據(jù)。例如，控制部 件7控制保持驅(qū)動(dòng)器3以將第一設(shè)定電壓Vc提供給多個(gè)保持電極X?？刂撇考?控制掃描 驅(qū)動(dòng)器4以將高于接地電壓GND的第二設(shè)定電壓Vs提供到多個(gè)掃描電極Yl至Ym。然后， 控制部件7控制掃描驅(qū)動(dòng)器4以按順序從第一個(gè)到最后一個(gè)地將從第二設(shè)定電壓Vs下降 到接地電壓GND的掃描脈沖電壓Vsp提供到多個(gè)掃描電極Yl至Ym。其后，控制部件7基于 用于圖像的圖像數(shù)據(jù)控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5以將數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp提供到多個(gè)數(shù)據(jù)電極D。這 時(shí)，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器5中，首先，輸出控制部件6在控制部件7的控制下將數(shù)據(jù)脈沖電壓轉(zhuǎn)換 為根據(jù)圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp。接下來(lái)，多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路14將數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp的電 壓電平轉(zhuǎn)換為適合于在顯示單元2中寫入的電壓電平并且將其輸出到多個(gè)數(shù)據(jù)電極D。而且，當(dāng)沒有執(zhí)行來(lái)自于顯示單元2的光發(fā)射時(shí)，控制部件7收集在來(lái)自于顯示單 元2的光發(fā)射期間積累的電荷(電力)，并且在來(lái)自于顯示單元2的下一個(gè)光發(fā)射時(shí)重新使 用收集的電荷。因此，控制部件7在地址時(shí)段中控制電力收集部件8以收集通過(guò)顯示單元 2積累的電荷。控制部件7在保持時(shí)段中控制保持驅(qū)動(dòng)器3和掃描驅(qū)動(dòng)器4以將電壓提供到多個(gè) 保持電極X和多個(gè)掃描電極Yl至Yrn以執(zhí)行多個(gè)掃描電極Yl至Ym和多個(gè)保持電極X之間 的保持放電，通過(guò)此顯示單元2進(jìn)行寫入放電發(fā)光。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路14的構(gòu)造的電路圖。第一電壓VDDH、接地電壓GND、以及高于接地電壓GND并且低于第一電壓VDDH的第二電壓VDDL與驅(qū) 動(dòng)電路14相連接。驅(qū)動(dòng)電路14被提供有低電壓控制部件13、電平移位部件11、緩沖器部件12以及 P溝道MOS晶體管MP4用于防止短路電流。低壓控制部件13被連接在第二電壓VDDL和接地電壓GND之間。低壓控制部件13 使用第二電壓VDDL作為電源電壓。響應(yīng)于輸入信號(hào)IN，低壓控制部件13將第一和第二輸 入信號(hào)mi和IN2輸出到電平移位部件11并且將第三輸入信號(hào)IN3輸入到緩沖器部件12。電平移位部件11被提供有P溝道MOS晶體管MPl和MP2，和N溝道MOS晶體管麗1 和麗2。P溝道MOS晶體管MPl和MP2與第一電壓VDDH相連接。N溝道MOS晶體管麗1被 連接在P溝道MOS晶體管MPl和接地電壓GND之間并且第一輸入信號(hào)mi被提供到晶體管 麗1的柵極。P溝道MOS晶體管MP2的柵極與P溝道MOS晶體管MPl和N溝道MOS晶體管 麗1之間的第一節(jié)點(diǎn)Al相連接。N溝道MOS晶體管麗2被連接在P溝道MOS晶體管MP2和 接地電壓GND之間并且第二輸入信號(hào)IN2被提供到N溝道MOS晶體管麗2的柵極。P溝道 MOS晶體管MPl的柵極與P溝道MOS晶體管MP2和N溝道MOS晶體管麗2之間的第二節(jié)點(diǎn) Bl相連接。緩沖器部件12被提供有推挽輸出P溝道MOS晶體管MP3和推挽輸出N溝道MOS 晶體管麗3。P溝道MOS晶體管MP3被連接在第一電壓VDDH和輸出節(jié)點(diǎn)OUT之間并且其柵 極與第二節(jié)點(diǎn)Bl相連接。N溝道MOS晶體管麗3被連接在輸出節(jié)點(diǎn)OUT和接地電壓GND之 間并且第三輸入信號(hào)IN3被提供到晶體管MN3的柵極。緩沖器部件12基于第二節(jié)點(diǎn)Bl處的電壓和來(lái)自于低壓控制部件3的第三輸入信 號(hào)IN3執(zhí)行切換操作。用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4具有與第一節(jié)點(diǎn)Al相連接的源極、與 作為輸出節(jié)點(diǎn)OUT的第三節(jié)點(diǎn)Cl相連接的漏極、以及與第二節(jié)點(diǎn)Bl相連接的柵極。圖7示出在地址時(shí)段中的第一和第二模式下的驅(qū)動(dòng)電路14的操作。當(dāng)輸入信號(hào)IN是高電平時(shí)，低壓控制部件13執(zhí)行第一模式。輸入信號(hào)IN示出數(shù) 據(jù)脈沖電壓。在第一模式下，低壓控制部件13將第一至第三輸入信號(hào)mi至IN3設(shè)置為低 電平、高電平以及低電平。即，第二輸入信號(hào)IN2具有與第一輸入信號(hào)mi的極性相反的極 性并且第三輸入信號(hào)IN3具有與第一輸入信號(hào)mi的極性相同的極性。在該情況下，響應(yīng)于高電平的第二輸入信號(hào)IN2導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗2。同 時(shí)，響應(yīng)于低電平的第一輸入信號(hào)mi截止N溝道MOS晶體管麗1。響應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)Bl處 的高電平的電壓(第二輸出信號(hào))導(dǎo)通P溝道MOS晶體管MP3。響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)Al處的高 電平的電壓(第一輸出信號(hào))截止P溝道MOS晶體管MP2。這時(shí)，因?yàn)榈诙?jié)點(diǎn)Bl的電壓 下降到接地電壓GND，大致同時(shí)地導(dǎo)通用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4和P溝道 MOS晶體管MP1。因此，輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓上升到第一電壓VDDH。而且，響應(yīng)于低電平的 第三輸入信號(hào)IN3截止N溝道MOS晶體管麗3，使得輸入信號(hào)IN(數(shù)據(jù)脈沖電壓Vdp)的電 平被轉(zhuǎn)換為向顯示單元2的寫入電平并且通過(guò)輸出節(jié)點(diǎn)OUT提供到數(shù)據(jù)電極D1。另一方面，當(dāng)輸入信號(hào)IN處于低電平時(shí)，低壓控制部件13執(zhí)行第二模式。在第二 模式下，低壓控制部件13分別將第一至第三輸入信號(hào)mi至IN3設(shè)置為高電平、低電平以 及高電平。
在該情況下，由于響應(yīng)于高電平的第一輸入信號(hào)mi導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗1， 使得第一節(jié)點(diǎn)Al的電壓下降到接地電壓GND。因此，響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)Al處的低電平的電 壓(第一輸出信號(hào))導(dǎo)通P溝道MOS晶體管MP2。同時(shí)，由于響應(yīng)于低電平的第二輸入信 號(hào)IN2截止N溝道MOS晶體管麗2，使得第二節(jié)點(diǎn)Bl的電壓上升到第一電壓VDDH。因此， 大致同時(shí)地截止用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4和P溝道MOS晶體管MP3。此 外，響應(yīng)于高電平的第三輸入信號(hào)IN3導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗3，使得輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電 壓變成接地電壓GND。假定當(dāng)在第一模式下已經(jīng)出現(xiàn)諸如短路的任何故障時(shí)，輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓從第 一電壓VDDH快速地減少到接地電壓GND。在該情況下，通過(guò)P溝道MOS晶體管MP4使第一節(jié)點(diǎn)Al的電壓與輸出節(jié)點(diǎn)OUT的 電壓同時(shí)地減少，從而P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通。由于P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通， 因此P溝道MOS晶體管MP3被截止。結(jié)果，輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓穩(wěn)定到接地電壓GND使得 能夠防止P溝道MOS晶體管MP3的損壞。這時(shí)，如果輸入信號(hào)IN2處于高電平使得N溝道MOS晶體管MN2保持導(dǎo)通狀態(tài)，那 么通過(guò)導(dǎo)通狀態(tài)下的P溝道MOS晶體管MP2和導(dǎo)通狀態(tài)下的N溝道MOS晶體管麗2從第一 電壓VDDH到接地電壓GND形成路徑。因此，存在由于熱導(dǎo)致?lián)p壞P溝道MOS晶體管MP2或 者N溝道MOS晶體管MN2的可能性。為了防止此可能性，低壓控制部件13執(zhí)行下述第三模式。圖8示出在地址時(shí)段中第三模式下的驅(qū)動(dòng)電路14的操作。低壓控制部件13在第一模式和所述第二模式之間執(zhí)行第三模式。具體地，當(dāng)輸入 信號(hào)IN處于高電平時(shí)，低壓控制部件13僅執(zhí)行第一模式預(yù)定的時(shí)間段并且然后執(zhí)行第三 模式，從而電流沒有流過(guò)P溝道MOS晶體管MP2和N溝道MOS晶體管麗2。在第一模式下，低壓控制部件13僅在預(yù)定的時(shí)間段將第一至第三輸入信號(hào)mi至 IN3設(shè)置為低電平、高電平以及低電平。預(yù)定的時(shí)間段表示從當(dāng)響應(yīng)于高電平的第二輸入信 號(hào)IN2導(dǎo)通N溝道MOS晶體管麗2使得P溝道MOS晶體管MP3被導(dǎo)通時(shí)到當(dāng)?shù)谌?jié)點(diǎn)Cl (輸 出節(jié)點(diǎn)OUT)處的電壓變得足夠高時(shí)的時(shí)間段。因此，即使輸入信號(hào)IN2變成低電平并且N 溝道MOS晶體管MN2被截止使得P溝道MOS晶體管MP3的柵極被設(shè)置為高阻抗?fàn)顟B(tài)，輸出 端子OUT也能夠保持高電平并且能夠防止輸出端子OUT被設(shè)置為中間電壓或者低電平。在第三模式下，低壓控制部件13將第一至第三輸入信號(hào)mi至IN3設(shè)置為低電 平。即，低電壓控制部件13將第二輸入信號(hào)IN2的信號(hào)電平設(shè)置為低電平。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路，由于在第一節(jié)點(diǎn)Al和第三節(jié)點(diǎn) Cl (輸出節(jié)點(diǎn)OUT)之間提供用于防止短路電流的P溝道MOS晶體管MP4，因此即使當(dāng)由于 諸如短路的故障導(dǎo)致輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓從第一電壓VDDH快速地減少到接地電壓GND時(shí)， 第一節(jié)點(diǎn)Al的電壓和輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓被同時(shí)減少使得P溝道MOS晶體管MP2被導(dǎo)通。 因此，P溝道MOS晶體管MP3被截止。結(jié)果，輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓被穩(wěn)定為接地電壓GND以 防止P溝道MOS晶體管MP3的損壞。而且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路，低壓控制部件13僅執(zhí)行第一模式預(yù)定 的時(shí)間段并且然后執(zhí)行第三模式。因此，除了上述效果之外，能夠防止電流流過(guò)P溝道MOS 晶體管MP2和N溝道MOS晶體管MN2。
雖然已經(jīng)結(jié)合若干實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯然的 是，提供這些實(shí)施例僅用于示出本發(fā)明，并且不應(yīng)依賴于這些實(shí)施例在限制的意義上解釋 權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，所述第一和第二 P溝道MOS晶體管與第一電壓相連接； 第一 N溝道MOS晶體管，所述第一 N溝道MOS晶體管被連接在所述第一 P溝道MOS晶 體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第一輸入信號(hào)的柵極，其中 所述第二 P溝道MOS晶體管的柵極與所述第一 P溝道MOS晶體管和所述第一 N溝道MOS晶 體管之間的第一節(jié)點(diǎn)相連接；第二 N溝道MOS晶體管，所述第二 N溝道MOS晶體管被連接在所述第二 P溝道MOS晶體 管和所述第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號(hào)的柵極，其中所述第一 P溝 道MOS晶體管的柵極與所述第二 P溝道MOS晶體管和所述第二 N溝道MOS晶體管之間的第 二節(jié)點(diǎn)相連接；輸出P溝道MOS晶體管，所述輸出P溝道MOS晶體管被連接在所述第一電壓和輸出節(jié) 點(diǎn)之間，并且具有與所述第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，所述輸出N溝道MOS晶體管被連接在所述輸出節(jié)點(diǎn)和所述第 二電壓之間，并且具有被提供有極性與第一輸入信號(hào)的極性相同的輸入信號(hào)的柵極；以及P溝道MOS晶體管，所述P溝道MOS晶體管具有與所述第一節(jié)點(diǎn)相連接的源極、與所述 輸出節(jié)點(diǎn)相連接的漏極、以及與所述第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)一步包括低壓控制部件，所述低壓控制部件被構(gòu)造為響應(yīng)于輸入信號(hào)生成所述第一和第二輸入信號(hào)，其中所述低壓控制部件執(zhí)行第一至第三模式，其中當(dāng)輸入信號(hào)處于第一電平時(shí)，第一 和第二輸入信號(hào)在第一模式下處于低電平和高電平；當(dāng)輸入信號(hào)處于與第一電平相反的第 二電平時(shí)，第一和第二輸入信號(hào)在第二模式下處于高電平和低電平；并且第一和第二輸入 信號(hào)在第三模式下處于低電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中在當(dāng)所述輸入信號(hào)處于第一電平時(shí)，執(zhí)行第 一模式預(yù)定的時(shí)間段之后，所述低壓控制部件執(zhí)行第三模式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述預(yù)定的時(shí)間段是從當(dāng)響應(yīng)于高電平的第 二輸入信號(hào)導(dǎo)通所述第二N溝道MOS晶體管時(shí)到當(dāng)所述輸出節(jié)點(diǎn)的電壓充分地接近高電平 時(shí)。
5.一種等離子體顯示裝置，包括多個(gè)放電電極對(duì)，其中所述多個(gè)放電電極對(duì)中的每一對(duì)中的一個(gè)是保持電極并且另一 個(gè)是掃描電極；多個(gè)數(shù)據(jù)電極，所述多個(gè)數(shù)據(jù)電極被提供為與所述多個(gè)放電電極對(duì)相對(duì)，其中顯示單 元形成在所述多個(gè)放電電極對(duì)和所述多個(gè)數(shù)據(jù)電極的交叉處；掃描驅(qū)動(dòng)器，所述掃描驅(qū)動(dòng)器被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)掃描電極； 保持驅(qū)動(dòng)器，所述保持驅(qū)動(dòng)器被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)保持電極；以及 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)數(shù)據(jù)電極， 其中所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包括輸出控制部件，所述輸出控制部件被構(gòu)造為在地址時(shí)段中輸出基于圖像數(shù)據(jù)確定的數(shù) 據(jù)脈沖信號(hào)；和驅(qū)動(dòng)電路，為所述多個(gè)數(shù)據(jù)電極中的每一個(gè)提供所述驅(qū)動(dòng)電路， 其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括第一和第二 P溝道MOS晶體管，所述第一和第二 P溝道MOS晶體管與第一電壓相連接； 第一 N溝道MOS晶體管，所述第一 N溝道MOS晶體管被連接在所述第一 P溝道MOS晶 體管和低于第一電壓的第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第一輸入信號(hào)的柵極，其中 所述第二 P溝道MOS晶體管的柵極與所述第一 P溝道MOS晶體管和所述第一 N溝道MOS晶 體管之間的第一節(jié)點(diǎn)相連接；第二 N溝道MOS晶體管，所述第二 N溝道MOS晶體管被連接在所述第二 P溝道MOS晶體 管和所述第二電壓之間，并且具有被構(gòu)造為接收第二輸入信號(hào)的柵極，其中所述第一 P溝 道MOS晶體管的柵極與所述第二 P溝道MOS晶體管和所述第二 N溝道MOS晶體管之間的第 二節(jié)點(diǎn)相連接；輸出P溝道MOS晶體管，所述輸出P溝道MOS晶體管被連接在所述第一電壓和輸出節(jié) 點(diǎn)之間，并且具有與所述第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極；輸出N溝道MOS晶體管，所述輸出N溝道MOS晶體管被連接在所述輸出節(jié)點(diǎn)和所述第 二電壓之間，并且具有被提供有極性與第一輸入信號(hào)的極性相同的輸入信號(hào)的柵極；以及P溝道MOS晶體管，所述P溝道MOS晶體管具有與所述第一節(jié)點(diǎn)相連接的源極、與所述 輸出節(jié)點(diǎn)相連接的漏極、以及與所述第二節(jié)點(diǎn)相連接的柵極，并且其中基于作為輸入信號(hào)的數(shù)據(jù)脈沖信號(hào)生成所述第一和第二輸入信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示裝置，進(jìn)一步包括控制部件， 其中所述控制部件在復(fù)位時(shí)段中，控制所述保持驅(qū)動(dòng)器和所述掃描驅(qū)動(dòng)器，以將下述電壓提供到所述多 個(gè)保持電極和所述多個(gè)掃描電極，其中所述電壓與在所述多個(gè)保持電極和所述多個(gè)掃描電 極之間進(jìn)行調(diào)節(jié)的保持放電期間積累的電荷相對(duì)應(yīng)，在所述復(fù)位時(shí)段之后的所述地址時(shí)段中，控制所述保持驅(qū)動(dòng)器、所述掃描驅(qū)動(dòng)器、以及 所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，以將下述電壓分別提供到所述多個(gè)保持電極、所述多個(gè)掃描電極、以及所 述多個(gè)數(shù)據(jù)電極，其中所述電壓用于寫入放電以在所述顯示單元中寫入圖像數(shù)據(jù)，并且在所述地址時(shí)段之后的保持時(shí)段中，控制所述保持驅(qū)動(dòng)器和所述掃描驅(qū)動(dòng)器，以將用 于在所述多個(gè)掃描電極和所述多個(gè)保持電極之間保持放電的電壓分別提供到所述多個(gè)保 持電極和所述多個(gè)掃描電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等離子體顯示裝置，其中所述控制部件在所述地址時(shí)段中，控制所述保持驅(qū)動(dòng)器，以將第一設(shè)定電壓提供到所述多個(gè)保持電極，在將高于所述第二電壓的第二設(shè)定電壓提供到所述多個(gè)掃描電極之后，控制所述掃描 驅(qū)動(dòng)器，以將從所述第二設(shè)定電壓下降到所述第二電壓的掃描脈沖電壓順序地提供到所述 多個(gè)掃描電極，并且控制所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，以將所述數(shù)據(jù)脈沖信號(hào)提供到所述多個(gè)數(shù)據(jù)電極。
全文摘要
使用驅(qū)動(dòng)電路的等離子體顯示裝置，驅(qū)動(dòng)電路包括與第一電壓相連接的第一和第二P溝道MOS晶體管；第一N溝道MOS晶體管，連接在第一P溝道MOS晶體管和接地電壓之間，具有與第一節(jié)點(diǎn)連接的柵極且接收第一輸入信號(hào)；和第二N溝道MOS晶體管，連接在第二P溝道MOS晶體管和接地電壓之間且具有與第二節(jié)點(diǎn)連接的柵極并接收第二輸入信號(hào)。輸出P溝道MOS晶體管被連接在第一電壓和輸出節(jié)點(diǎn)之間且具有與第二節(jié)點(diǎn)連接的柵極，且輸出N溝道MOS晶體管被連接在輸出節(jié)點(diǎn)和第二電壓之間且具有被提供有極性與第一輸入信號(hào)的極性相同的輸入信號(hào)的柵極。P溝道MOS晶體管具有與第一節(jié)點(diǎn)連接的源極、與輸出節(jié)點(diǎn)連接的漏極和與第二節(jié)點(diǎn)連接的柵極。
文檔編號(hào)G09G3/28GK102087828SQ20101058345
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月8日
發(fā)明者村川真一 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社