專(zhuān)利名稱(chēng)：公共電極驅(qū)動(dòng)方法和電路以及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種公共電極驅(qū)動(dòng)方法和電路以及液晶顯示
O
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示器由矩陣形式排列的多個(gè)像素所組成，圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器中的單位像素的等效電路原理圖，如圖1所示，TFT-IXD工作時(shí)，在陣列基板上， 首先向與柵線相連接的柵電極g施加?xùn)艠O導(dǎo)通電壓，打開(kāi)TFT，從而把數(shù)據(jù)線Dm上的顯示圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)源電極s施加到漏電極d ；漏電極d與像素電極ρ連接，上述數(shù)據(jù)電壓通過(guò)漏電極d施加到像素電極ρ上形成像素電極電壓，其中Cn為公共電極線；在彩膜基板上布設(shè)有公共電極層，像素電極P上的像素電極電壓與公共電極層上的公共電極電壓VO之間的電壓差形成液晶電容Clc，液晶電容Clc施加到液晶分子上，使液晶分子發(fā)生扭轉(zhuǎn)。由于柵電極g與漏電極d之間形成有寄生電容Cgd，柵線接通和斷開(kāi)時(shí)的電壓劇烈波動(dòng)會(huì)通過(guò)該寄生電容Cgd施加到像素電極ρ上，使得像素電極電壓產(chǎn)生跳變電壓AVp，影響了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，引起畫(huà)面閃爍。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種公共電極驅(qū)動(dòng)方法和電路以及液晶顯示器。本發(fā)明提供一種公共電極驅(qū)動(dòng)方法，包括生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量；向各行像素輸入所述第一公共電極信號(hào)，并向所述彩膜基板輸入所述第二公共電極信號(hào)。本發(fā)明提供一種公共電極驅(qū)動(dòng)電路，包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路，用于生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量；公共電極信號(hào)輸出端，用于將所述第一公共電極信號(hào)分別輸出到各行像素，并將所述第二公共電極信號(hào)輸出到所述彩膜基板。本發(fā)明提供一種液晶顯示器，包括液晶面板和驅(qū)動(dòng)器，所述液晶面板由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒而成，其間填充有液晶層，所述驅(qū)動(dòng)器包括柵極驅(qū)動(dòng)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器以及公共電極驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述公共電極驅(qū)動(dòng)器用于生成所述陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和所述彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，并將生成的第一公共電極信號(hào)分別輸入到各行像素，將生成的第二公共電極信號(hào)輸入到所述彩膜基板，其中，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量。本發(fā)明通過(guò)將輸入到各行像素的第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序設(shè)計(jì)為與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量，使得寄生電容和存儲(chǔ)電容上電荷的變化相互抵消，像素電極上的電荷變化量為0，從而使得像素電極的跳變電壓為0，保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器中的單位像素的等效電路原理圖；圖2為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例一的流程圖；圖3為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例一中第一公共電極信號(hào)與柵極信號(hào)的時(shí)序關(guān)系圖；圖4為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例二的流程圖；圖5為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例三的流程圖；圖6為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明液晶顯示器實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖2為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例一的流程圖，如圖2所示，本實(shí)施例的方法包括步驟201、生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反， 且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量。具體來(lái)說(shuō)，像素電極產(chǎn)生跳變電壓AVp的根源在于TFT中柵電極與漏電極之間存在重疊，導(dǎo)致寄生電容Cgd存在。在向柵線輸入關(guān)斷電壓信號(hào)時(shí)，該寄生電容Cgd上存儲(chǔ)的電荷Qgd發(fā)生改變，由于此時(shí)液晶電容Clc、存儲(chǔ)電容Cst和寄生電容Cgd存儲(chǔ)的電荷之和守恒，寄生電容Cgd上存儲(chǔ)電荷Qgd的改變會(huì)引起整個(gè)像素電極上的電荷分布發(fā)生變化，從而使加載在像素電極上的電壓發(fā)生變化，使像素電極產(chǎn)生跳變電壓ΔVp。研究表明，跳變電壓AVp = Cgd (Vgh-Vgl)/(Cgd+Clc+Cst)，其中，Vgh為柵電極的開(kāi)啟電壓，Vgl為柵電極的關(guān)斷電壓。圖3為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例一中第一公共電極信號(hào)與柵極信號(hào)的時(shí)序關(guān)系圖，如圖3所示，對(duì)應(yīng)于同一行像素的第一公共電極信號(hào)Vcom和柵極信號(hào)(iate，其跳變時(shí)序關(guān)系是相反的，即在柵極信號(hào)為高電平時(shí)，第一公共電極信號(hào)為低電平，在柵極信號(hào)為低電平時(shí)，第一公共電極信號(hào)為高電平，也即在柵線開(kāi)啟時(shí)，公共電極線關(guān)閉，在柵線關(guān)閉時(shí)，公共電極線開(kāi)啟。具體地，發(fā)明人對(duì)像素電極產(chǎn)生跳變電壓的機(jī)理進(jìn)行了深入分析和研究，發(fā)現(xiàn)在柵線信號(hào)加載關(guān)斷電壓時(shí)，液晶電容Clc、存儲(chǔ)電容Cst、寄生電容Cgd三者存儲(chǔ)的電荷總量在關(guān)閉前后相等。關(guān)閉前，寄生電容Cgd上存儲(chǔ)的電荷量為Qgdl = Cgd (Vpl-Vgh)；關(guān)閉后，寄生電容Cgd上存儲(chǔ)的電荷量為Qgd2 = Cgd (Vp2-Vgl)；關(guān)閉前后寄生電容Cgd上存儲(chǔ)電荷的變化量Δ Qgd為Δ Qgd = Qgd2-Qgdl= Cgd [(Vp2-Vgl)-(Vpl-Vgh)]= Cgd(AVp+Vgh-Vgl)；其中，Vpl為T(mén)FT關(guān)閉前的像素電極電壓，Vp2為T(mén)FT關(guān)閉后的像素電極電壓，且 AVp = Vp2-Vpl0在該行公共電極線加載開(kāi)啟電壓時(shí)，開(kāi)啟前存儲(chǔ)電容Cst上存儲(chǔ)的電荷量為Qstl = Cst(Vpl-Vcl)；開(kāi)啟后存儲(chǔ)電容Cst上存儲(chǔ)的電荷量為Qst2 = Cst (Vp2-Vch)；開(kāi)啟前后存儲(chǔ)電容Cst上存儲(chǔ)電荷的變化量AQst為AQst = Qst2-Qstl= Cst[(Vp2-Vch)-(Vpl-Vcl)]= Cst(AVp+Vcl-Vch)；其中，Vch為公共電極線開(kāi)啟電壓，Vcl為公共電極線關(guān)閉電壓。由于本實(shí)施例中，第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量，也即本實(shí)施例中生成的第一公共電極信號(hào)可以使得Δ Qgd = - Δ Qst，此時(shí)液晶電容Clc、存儲(chǔ)電容Cst和寄生電容Cgd存儲(chǔ)的電荷之和守恒，因此有Δ Qlc+ Δ Qgd+ AQst = 0,因此，Δ Qlc = 0，其中Δ Qlc是液晶電容Clc 在柵極關(guān)斷前后的電荷變化量，AQlc = Clc (Vp2_Vpl)。由于液晶電容Clc為恒定值，則 Vp2 = Vpl, AVp = Vp2-Vpl = 0，即像素電壓在柵極關(guān)斷前后不發(fā)生變化。其實(shí)質(zhì)是TFT 關(guān)閉前后其寄生電容Cgd上存儲(chǔ)電荷的變化量AQgd與公共電極線信號(hào)打開(kāi)前后存儲(chǔ)電容 Cst上存儲(chǔ)電荷的變化量AQst大小相等，但變化方向相反，從而使兩個(gè)電容上存儲(chǔ)電荷的總變化量為0，兩個(gè)電容上存儲(chǔ)電荷的變化互相抵消，所以像素電極上電荷變化量為0，因此像素電極的跳變電壓AVp為0。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例可以在現(xiàn)有技術(shù)生成的用于輸入到陣列基板一級(jí)彩膜基板上的恒定的公共電極信號(hào)的基礎(chǔ)上疊加一跳變時(shí)序信號(hào)，從而生成輸入到陣列基板上的第一公共電極信號(hào)，而輸入到彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)仍為恒定的公共電極信號(hào)。步驟202、向各行像素輸入所述第一公共電極信號(hào)，并向所述彩膜基板輸入所述第二公共電極信號(hào)。在分別生成陣列基板上各行像素所需的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上所述的第二公共電極信號(hào)后，驅(qū)動(dòng)電路可以將第一公共電極信號(hào)對(duì)應(yīng)地輸入到各行像素，并將第二公共電極信號(hào)輸入到彩膜基板。本實(shí)施例將步驟201所生成的第一公共電極信號(hào)輸入到各行像素，從而使得各像素電極不會(huì)產(chǎn)生跳變電壓Δ Vp，從而保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。本實(shí)施例，通過(guò)將輸入到各行像素的第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序設(shè)計(jì)為與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量，使得寄生電容和存儲(chǔ)電容上電荷的變化相互抵消，像素電極上的電荷變化量為0，從而使得像素電極的跳變電壓為0，保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。圖4為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例二的流程圖，如圖4所示，本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容Cst可以為在公共電極線(Cst On Common)上的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的方法可以包括步驟401、生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，
所述第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于^^^^，其中，Cgd為所述
Lst
寄生電容，Cst為所述存儲(chǔ)電容，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。本實(shí)施例為了使第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量，將第一公共電極信號(hào)的高
電平與低電平的差值設(shè)計(jì)為等于Cgd x Z8h ‘Vgl)。
Cst具體來(lái)說(shuō)，柵極信號(hào)關(guān)斷前后，也即公共電極線跳變前后，液晶電容Clc、存儲(chǔ)電容 Cst和寄生電容Cgd存儲(chǔ)的電荷之和守恒，即Qpl = Qp2，其中Qpl為柵極信號(hào)跳變前三個(gè)電容上存儲(chǔ)的電荷之和，Qp2為柵極信號(hào)跳變后三個(gè)電容上存儲(chǔ)的電荷之和。其中，Qpl= Qlcl+Qstl+Qgdl= Clc (Vpl-VO)+Cst(Vpl-Vcl)+Cgd (Vpl-Vgh)；Qp 2 = Qlc2+Qst2+Qgd2= Clc(Vp2-V0)+Cst(Vp2-Vch)+Cgd(Vp2-Vgl)；因此，Clc (Vpl-VO)+Cst (Vpl-Vcl)+Cgd (Vpl-Vgh)= Clc (Vp2-V0)+Cst(Vp2_Vch)+Cgd (Vp2_Vgl)；BP, Clc(Vp2-Vpl)+Cst(Vp2-Vpl+Vcl-Vch)+Cgd(Vp2-Vpl+Vgh-Vgl) = 0也即，(Clc+Cst+Cgd)(Vp2_Vpl)+Cst (Vcl-Vch)+Cgd(Vgh-Vgl) =0由于，(Vch-Vcl) = Cgd(Vgh-Vgl)/Cst ；
因此，(Clc+Cst+Cgd) (Vp2-Vpl) = 0 ；而由于，(Clc+Cst+Cgd)Φ 0 ；貝lj，Vp2-Vpl= 0，也即 AVp = 0。步驟402、向各行像素輸入所述第一公共電極信號(hào)，并向所述彩膜基板輸入所述第二公共電極信號(hào)。本實(shí)施例將步驟401所生成的第一公共電極信號(hào)輸入到各行像素，從而使得各像素電極不會(huì)產(chǎn)生跳變電壓Δ Vp，從而保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。本實(shí)施例，通過(guò)將輸入到各行像素的第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序設(shè)計(jì)為與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于 Cgd(Vgh-Vgl)/Cst，使得寄生電容和存儲(chǔ)電容上電荷的變化相互抵消，像素電極上的電荷變化量為0，從而使得像素電極的跳變電壓為0，保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。圖5為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例三的流程圖，如圖5所示，本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容Cst可以為在公共電極線和柵線上(Cst on Common+Cst ongate)的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的方法可以包括步驟501、生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，
所述第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于，其中，Cgd為所述
Cstl
寄生電容，Cst 1為所述存儲(chǔ)電容在公共電極線上的電容部分，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。對(duì)于存儲(chǔ)電容Cst同時(shí)存在on common和on gate的情況，本實(shí)施例可以將存儲(chǔ)電容Cst分為兩部分Cstl和Cst2，其中，Cstl為on common部分，Cst2為on gate部分。 因此，保持電荷守恒的電容變?yōu)橐壕щ娙軨lc，寄生電容Cgd，Cstl和Cst2，其中公共電極線所加載的動(dòng)態(tài)信號(hào)只影響Cstl部分，因此，本實(shí)施例與本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例二的區(qū)別在于，只需將實(shí)施例二中的Cst換成Cstl，而將Cst2考慮為液晶電容Clc的一部分即可。其實(shí)現(xiàn)原理與本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)方法實(shí)施例二的實(shí)現(xiàn)原理相同，此處不再贅述。步驟502、向各行像素輸入所述第一公共電極信號(hào)，并向所述彩膜基板輸入所述第二公共電極信號(hào)。本實(shí)施例將步驟501所生成的第一公共電極信號(hào)輸入到各行像素，從而使得各像素電極不會(huì)產(chǎn)生跳變電壓Δ Vp，從而保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。本實(shí)施例，通過(guò)將輸入到各行像素的第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序設(shè)計(jì)為與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cst 1，使得寄生電容和存儲(chǔ)電容上電荷的變化相互抵消，像素電極上的電荷變化量為0，從而使得像素電極的跳變電壓為0，保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。圖6為本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路11和公共電極信號(hào)輸出端12，其中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路11用于生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量；公共電極信號(hào)輸出端12用于將所述第一公共電極信號(hào)分別輸出到各行像素，并將所述第二公共電極信號(hào)輸出到所述彩膜基板。本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路可以設(shè)置在現(xiàn)有公共電極驅(qū)動(dòng)電路上，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路所實(shí)現(xiàn)的功能自行設(shè)計(jì)具體的電路實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路可以用于執(zhí)行圖2所示的公共電極驅(qū)動(dòng)方法，其實(shí)現(xiàn)原理類(lèi)似，此處不再贅述。本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)將輸入到各行像素的第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序設(shè)計(jì)為與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量，使得寄生電容和存儲(chǔ)電容上電荷的變化相互抵消，像素電極上的電荷變化量為 0，從而使得像素電極的跳變電壓為0，保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。在本發(fā)明公共電極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例二中，其結(jié)構(gòu)也可以采用圖6所示的電路結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步地，本實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容Cst為on common結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路11生成的
第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于，其中，Cgd為所述寄生
Cst
電容，Cst為所述存儲(chǔ)電容，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路可以用于執(zhí)行圖4所示的公共電極驅(qū)動(dòng)方法，其實(shí)現(xiàn)原理類(lèi)似，此處不再贅述。本實(shí)施例的公共電極驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)將輸入到各行像素的第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序設(shè)計(jì)為與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于
權(quán)利要求
1.一種公共電極驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量；向各行像素輸入所述第一公共電極信號(hào)，并向所述彩膜基板輸入所述第二公共電極信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的公共電極驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容為在公共電極線上的結(jié)構(gòu)，所述第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于,其Cst中，Cgd為所述寄生電容，Cst為所述存儲(chǔ)電容，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的公共電極驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容為在公共電極線和柵線上的結(jié)構(gòu)，所述第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于Cgdx(Vgh-Vgl),其中，Cgd為所述寄生電容，Cstl為所述存儲(chǔ)電容在公共電極線上的電容 Cstl部分，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。
4.一種公共電極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路，用于生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量；公共電極信號(hào)輸出端，用于將所述第一公共電極信號(hào)分別輸出到各行像素，并將所述第二公共電極信號(hào)輸出到所述彩膜基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的公共電極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容為在公共電極線上的結(jié)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路生成的第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等干Cgd χ (l^gh-Vgl),其中，d為所述寄生電容，est為所述存儲(chǔ)電容，Vgh和Vgl分別為 Cst柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的公共電極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容為在公共電極線和柵線上的結(jié)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路生成的第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于X=g^W),其中，Cgd為所述寄生電容，Cstl為所述存儲(chǔ)電容在公共電極 Cstl線上的電容部分，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求4 6中任一權(quán)利要求所述的公共電極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成電路，包括第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成單元，用于生成所述第二公共電極信號(hào)；第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成單元，用于生成跳變時(shí)序信號(hào)，并將所述跳變時(shí)序信號(hào)疊加在所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成單元生成的第二公共電極信號(hào)上，生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量。
8.一種液晶顯示器，包括液晶面板和驅(qū)動(dòng)器，所述液晶面板由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒而成，其間填充有液晶層，所述驅(qū)動(dòng)器包括柵極驅(qū)動(dòng)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器以及公共電極驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述公共電極驅(qū)動(dòng)器用于生成所述陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和所述彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，并將生成的第一公共電極信號(hào)分別輸入到各行像素，將生成的第二公共電極信號(hào)輸入到所述彩膜基板，其中，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容為在公共電極線上的結(jié)構(gòu)，所述第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于，其中，CgdLst為所述寄生電容，Cst為所述存儲(chǔ)電容，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容為在公共電極線和柵線上的結(jié)構(gòu)，所述第一公共電極信號(hào)的高電平與低電平的差值等于^^“(，”^^)，其Csfl中，Cgd為所述寄生電容，Cstl為所述存儲(chǔ)電容在公共電極線上的電容部分，Vgh和Vgl分別為柵電極的開(kāi)啟電壓和關(guān)閉電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種公共電極驅(qū)動(dòng)方法和電路以及液晶顯示器。公共電極驅(qū)動(dòng)方法包括生成陣列基板上各行像素的第一公共電極信號(hào)和彩膜基板上的第二公共電極信號(hào)，所述第一公共電極信號(hào)的跳變時(shí)序與該行像素的柵極信號(hào)的跳變時(shí)序相反，且所述第一公共電極信號(hào)跳變前后所引起的存儲(chǔ)電容上的電荷變化量等于所述柵極信號(hào)跳變前后所引起的寄生電容上的電荷變化量；向各行像素輸入所述第一公共電極信號(hào)，并向所述彩膜基板輸入所述第二公共電極信號(hào)。本發(fā)明可以使得寄生電容和存儲(chǔ)電容上電荷的變化相互抵消，像素電極上的電荷變化量為0，從而使得像素電極的跳變電壓為0，保證了像素電極電壓的準(zhǔn)確性，避免畫(huà)面閃爍。
文檔編號(hào)G09G3/36GK102222456SQ201010152188
公開(kāi)日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月16日
發(fā)明者占紅明, 張紀(jì)棟, 徐宇博, 李成, 薛海林 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司