專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置。更詳細(xì)地，涉及適于具有設(shè)置了用于進(jìn)行與撓性印制電路 (FPC flexible Printed Circuits)的連接等的外部連接端子的顯示裝置用基板的液晶顯示裝置和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(有機(jī)EL顯示器)的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，安裝有液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示器等的便攜式電話、PDA等便攜式電子設(shè)備，被要求進(jìn)一步的小型化和輕量化。隨之，有謀求顯示區(qū)域周邊(邊框區(qū)域)的小型化即窄邊框化的傾向，正在積極地進(jìn)行開(kāi)發(fā)。作為這樣的顯示裝置，例如，公開(kāi)有一種顯示裝置，其包括對(duì)驅(qū)動(dòng)掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路供電的共用配線和對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路供電的共用配線；將上述共用配線的每個(gè)共用配線絕緣的層間絕緣膜；分別位于以使上述每個(gè)共用配線的一部分露出的方式設(shè)置于上述層間絕緣膜的多個(gè)接觸孔上的多個(gè)外部連接端子(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn) 1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平10-282522號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)中，當(dāng)要進(jìn)行窄邊框化時(shí)，在顯示裝置用基板與通常通過(guò)熱壓接安裝于顯示裝置用基板的外部連接部件之間發(fā)生過(guò)接觸不良。本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)狀而完成，目的在于提供能夠防止接觸不良并且窄邊框化的顯
示裝置。用于解決課題的手段本發(fā)明的發(fā)明人對(duì)能夠防止接觸不良并且實(shí)現(xiàn)窄邊框化的顯示裝置進(jìn)行了各種探討后，著眼于如下當(dāng)將外部連接部件熱壓接到顯示裝置用基板的外部連接端子時(shí)，外部連接端子容易被為了將外部連接端子和外部連接部件的連接部電連接而利用的導(dǎo)電部件壓壞，從而引起接觸不良。進(jìn)一步，本發(fā)明的發(fā)明人，得出引起外部連接端子的壓壞的主要原因(1)在顯示裝置用基板中，在外部連接端子的區(qū)域內(nèi)，用于與形成在比上述外部連接端子靠近下層的配線電連接的連接孔，被設(shè)置成貫穿外部連接端子下的層間絕緣膜； (2)構(gòu)成外部連接端子的導(dǎo)電層，與層間絕緣膜的上表面上相比，容易在連接孔的內(nèi)壁面較薄地形成；(3)利用含有導(dǎo)電性微珠(導(dǎo)電性微粒子)的各向異性導(dǎo)電膜和焊料作為導(dǎo)電部件，由此可知，當(dāng)在配置有連接孔的區(qū)域附近對(duì)連接部件進(jìn)行熱壓接時(shí)，容易發(fā)生接觸不良ο于是，本發(fā)明的發(fā)明人，進(jìn)一步討論后，得出以下結(jié)論通過(guò)在外部連接部件的連
4接部和導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域以外配置連接孔，隔著導(dǎo)電部件將外部連接部件熱壓接到顯示裝置用基板的外部連接端子時(shí)，能夠抑制將來(lái)自導(dǎo)電部件的壓力施加到配置有連接孔的區(qū)域，能夠有效地抑制外部連接端子的壓壞，從而想到能夠完美地解決上述課題的方式方法， 完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明是一種顯示裝置(以下也稱(chēng)為本發(fā)明的第一顯示裝置。)，其包括具有外部連接端子和通過(guò)上述外部連接端子的下方的下層配線的顯示裝置用基板；外部連接部件；和將上述顯示裝置用基板與上述外部連接部件電導(dǎo)通的導(dǎo)電部件，上述外部連接部件具有經(jīng)由上述導(dǎo)電部件與上述外部連接端子連接的連接部，上述顯示裝置用基板還具有 形成在上述外部連接端子的下層的層間絕緣膜；和形成在上述層間絕緣膜的下層并且通過(guò)上述層間絕緣膜的第一連接孔與上述外部連接端子連接的配線連接部，上述第一連接孔俯視上述顯示裝置用基板時(shí)配置在上述連接部和上述導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域以外。在本發(fā)明的第一顯示裝置中，由于在外部連接端子的下方設(shè)置有下層配線，所以能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。另外，在本發(fā)明的第一顯示裝置中，即使將外部連接部件熱壓接到顯示裝置用基板上，由于在連接部和導(dǎo)電部件重疊而在熱壓接時(shí)被施加壓力的區(qū)域中沒(méi)有第一連接孔， 所以能夠抑制由導(dǎo)電部件導(dǎo)致的外部連接端子的導(dǎo)電層被壓壞。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一顯示裝置，能夠防止接觸不良并且實(shí)現(xiàn)窄邊框化。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，上是指，遠(yuǎn)離包含于顯示裝置用基板的絕緣基板(例如玻璃基板、塑料基板、有機(jī)硅基板)的方向；另一方面，下是指，靠近包含于顯示裝置用基板的絕緣基板的方向。即，上層是指，遠(yuǎn)離包含于顯示裝置用基板的絕緣基板的層；另一方面，下層是指，靠近包含于顯示裝置用基板的絕緣基板的層。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，連接孔可以是被稱(chēng)為接觸孔、通孔、過(guò)孔的孔。進(jìn)一步，上述連接部是能夠與顯示裝置用基板連接的配線和凸起等連接端子。上述配線連接部是配線的一部分，更詳細(xì)地，是與其他配線和端子等導(dǎo)電部件連接(接觸)的部分，可以是上述下層配線的一部分，也可以是形成在上述層間絕緣膜的下層的上述下層配線以外的配線(例如引繞配線)的一部分。作為本發(fā)明的第一顯示裝置的結(jié)構(gòu)，只要必須含有這樣的構(gòu)成要素即可，也可以不含有其他構(gòu)成要素，并不做特別限定。以下對(duì)本發(fā)明的第一顯示裝置的優(yōu)選方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，以下所示各方式可以適當(dāng)組合。也可以為上述顯示裝置用基板還具有上層配線，該上層配線經(jīng)由上述配線連接部與上述外部連接端子電導(dǎo)通且在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)與上述外部連接部件重疊， 并且包括與構(gòu)成上述外部連接端子的導(dǎo)電層相同的導(dǎo)電層，上述上層配線通過(guò)上述層間絕緣膜的第二連接孔與上述下層配線連接，上述第二連接孔在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)配置在上述連接部和上述導(dǎo)電部件重疊區(qū)域以外。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化，并且實(shí)現(xiàn)顯示裝置用基板的高功能化。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，某部件A和某部件B重疊的方式，可以為部件A的全部與部件B重疊，也可以為部件A的一部分與部件B重疊。另外，上層配線包括與構(gòu)成外部連接端子的導(dǎo)電層相同的導(dǎo)電層，是指處于以下關(guān)系與包含于外部連接端子的導(dǎo)電層和包含于與其對(duì)應(yīng)的上層配線的導(dǎo)電層具有實(shí)質(zhì)上相同的組成，在形成包含于外部連接端子的導(dǎo)電層的工序中，能夠?qū)谏蠈优渚€的導(dǎo)電層一并形成。即，包含于外部連接端子的導(dǎo)電層和包含于上層配線的導(dǎo)電層，如果是在同一工序中形成的情況下能夠產(chǎn)生的程度的差異， 則組成可以不同。也可以為上述顯示裝置用基板還具有與上述外部連接端子和上述上層配線之間的電通路連接的靜電放電保護(hù)電路。由此，能夠抑制來(lái)自外部連接部件的噪聲和由靜電放電導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的劣化和破壞。也可以為上述顯示裝置用基板還具有依次層疊有半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜和柵極電極的薄膜晶體管，上述下層配線與上述柵極電極電導(dǎo)通。由此，能夠更有效地抑制來(lái)自外部連接部件的噪聲和由靜電放電導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的劣化和破壞。也可以為上述顯示裝置用基板具有包括上述下層配線的多個(gè)共用配線。也可以為上述上層配線與上述多個(gè)共用配線交叉。由此，能夠?qū)⑼獠窟B接端子與外部連接端子的下方的任意共用配線連接。也可以為在上述外部連接端子和上述上層配線之間的電通路上，連接有上述多個(gè)共用配線中的至少兩個(gè)配線。由此，能夠?qū)⑼娢坏男盘?hào)傳遞給多個(gè)共用配線。也可以為上述外部連接端子和上述上層配線經(jīng)由兩層以上配線層連接。由此，能夠根據(jù)交叉的其他配線和元件的配置層，更改連接外部連接端子和上層配線的配線的配置層，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化和提高可靠性。也可以為上述顯示裝置還具有將顯示元件密封的密封材料。也可以為上述第一連接孔在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)配置在上述連接部和上述導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域與上述密封材料之間。由此，能夠在密封材料和導(dǎo)電部件之間的余量(margin)區(qū)域中配置連接孔，能夠抑制接觸不良，并且將邊框部的增加抑制在最小限。也可以為上述第一連接孔在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)配置在比上述密封材料靠近上述顯示裝置用基板內(nèi)側(cè)的位置。由此，能夠提高外部連接端子的接觸部分的可靠性。也可以為上述第一連接孔在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)與上述密封材料重疊。 由此，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化。也可以為上述顯示裝置用基板還具有形成在上述密封材料內(nèi)的感光間隔物。由此，能夠抑制接觸不良等不良情況，并且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化和提高可靠性。也可以為上述顯示裝置用基板還具有形成在上述密封材料的下方的絕緣膜。由此，能夠抑制接觸不良等不良情況，并且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化和提高可靠性。也可以為上述絕緣膜配置在上述密封材料的大致全部區(qū)域的下方。由此，在液晶顯示裝置中，能夠抑制起因于絕緣膜的高低不平而發(fā)生的單元厚度不均，從而降低顯示品質(zhì)的情況。也可以為上述導(dǎo)電部件包括導(dǎo)電性微粒子。特別是在使用各向異性導(dǎo)電膜的情況下，外部連接端子的導(dǎo)電層被各向異性導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性微粒子呈環(huán)狀切斷，容易發(fā)生接觸不良。根據(jù)本發(fā)明的第一顯示裝置，在含有導(dǎo)電性微粒子的情況下，能夠特別有效地防止接觸不良等不良情況的發(fā)生。也可以為上述顯示裝置用基板具有多個(gè)上述第一連接孔、多個(gè)上述外部連接端子、多個(gè)上述配線連接部和多個(gè)上述下層配線，上述多個(gè)下層配線在俯視上述顯示裝置用
6基板時(shí)橫穿上述多個(gè)外部連接端子而并行，并且從外側(cè)的下層配線依次相對(duì)于延伸方向 (橫穿多個(gè)外部連接端子的方向)向同一方向一側(cè)彎曲，上述多個(gè)配線連接部的每個(gè)配線連接部是上述多個(gè)下層配線中的任一個(gè)的彎曲的前端的部分。在該方式中，由于在下層配線橫穿外部連接端子的部分沒(méi)有配置第一連接孔，所以能夠縮小下層配線的配線間隔。因此，能夠配置在外部連接端子的下方的下層配線的數(shù)量增加，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化。另外，多個(gè)下層配線并行，不需要以多個(gè)下層配線嚴(yán)密地平行的方式排列設(shè)置。另外，多個(gè)下層配線向同一方向一側(cè)彎曲，并不需要多個(gè)下層配線嚴(yán)密地向相同方向彎曲，例如，可以列舉多個(gè)下層配線向顯示裝置用基板的內(nèi)側(cè)和外周側(cè)中的任一側(cè)一致彎曲的方式。進(jìn)一步，外側(cè)的下層配線，可以是位于顯示裝置用基板的外周側(cè)的下層配線，也可以是位于顯示裝置用基板的內(nèi)側(cè)的下層配線。也可以為上述多個(gè)第一連接孔在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)設(shè)置在同一直線上。由此，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化。本發(fā)明還可以是一種顯示裝置(以下，也稱(chēng)為本發(fā)明的第二顯示裝置。)，其包括 具有外部連接端子和通過(guò)上述外部連接端子的下方的下層配線的顯示裝置用基板；第一外部連接部件和第二外部連接部件，上述第一外部連接部件和上述第二外部連接部件經(jīng)由上述下層配線連接，并且沿著上述顯示裝置用基板的外周并列配置。在本發(fā)明的第二顯示裝置中，在外部連接端子的下方設(shè)置有下層配線，并且第一外部連接部件和第二外部連接部件沿著顯示裝置用基板的外周并列設(shè)置，因此能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。作為本發(fā)明的第二顯示裝置的結(jié)構(gòu)，只要必須含有這樣的構(gòu)成要素即可，也可以不含有其他構(gòu)成要素，并不做特別限定。另外，本發(fā)明的第二顯示裝置和本發(fā)明的第一顯示裝置及其各種方式，可以適當(dāng)組合，由此，能夠防止接觸不良并且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)窄邊框化。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的第一顯示裝置，能夠防止接觸不良并且能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。根據(jù)本發(fā)明的第二顯示裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。


圖1是表示實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2是表示實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)部的截面示意圖，(a)是沿著圖1中的A-B線的截面圖，(b)是沿著圖1中的C-D線的截面圖。圖3-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖3-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的截面示意圖，是沿著圖3-1中的E-F線的截面圖。圖4是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖5-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖5-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖5-1中的G-H線的截面圖。
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圖6-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖6-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖6-1中的I-J線的截面圖。圖7-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖7-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖7-1中的K-L線的截面圖。圖8-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖8-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖8-1中的M-N線的截面圖。圖9是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖10是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖11是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖12是表示實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖13是表示實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)部的截面示意圖，(a)是沿著圖12中的P-Q線的截面圖，(b)是沿著圖12中的R-S線的截面圖。圖14-1是表示比較方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖14-2是表示比較方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的截面示意圖，是沿著圖14-1中的T-U線的截面圖。圖15是表示比較方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖16是表示實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的另一個(gè)俯視示意圖。圖17是表示比較方式的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式以下揭示實(shí)施方式，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施方式。(實(shí)施方式1)圖1是表示實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的邊框部(顯示區(qū)域外的外周部)的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2是表示實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)部的截面示意圖， (a)是沿著圖1中的A-B線的截面圖，(b)是沿著圖1中的C-D線的截面圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100，如圖1、圖2所示，具有以下結(jié)構(gòu)作為顯示裝置用基板的薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)基板111、作為外部連接部件的 FPC(Flexible Printed Circuits 撓性印制電路)170和IC芯片175，在液晶顯示裝置的邊框部處通過(guò)ACF(Anisotropic Conductive Film 各向異性薄膜)180連接。FPC170和 IC芯片175，沿著在俯視時(shí)為矩形狀的TFT基板111的一邊排列配置。在本實(shí)施方式和后述的其他實(shí)施方式中，F(xiàn)PC170可以?xún)H由具有柔軟性的基材構(gòu)成，也可以是對(duì)具有柔軟性的基材賦予硬質(zhì)的部件(剛性)的剛性FPC，但以下，以剛性FPC為例進(jìn)行說(shuō)明。將由聚酰亞
8胺等構(gòu)成的具有柔軟性的基材部分稱(chēng)為FPC，將構(gòu)成液晶控制器的各種芯片、電阻、電容器等電子部件的裝載部分稱(chēng)為剛性部，將基材部分和剛性部合稱(chēng)為剛性FPC。液晶顯示裝置100，除了 TFT基板111以外，還具有與TFT基板111相對(duì)配置的CF 基板。CF基板在絕緣基板上，從絕緣基板側(cè)依次具有(1)由遮光部件構(gòu)成的黑矩陣，紅、綠和藍(lán)的彩色濾光片；(2)覆蓋層；(3)由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的共用電極；和⑷取向膜。TFT基板111和CF基板的外周部，通過(guò)呈框狀設(shè)置的密封材料密封，進(jìn)一步，在TFT基板111和CF 基板之間充填有液晶材料。剛性FPC170和IC芯片175，配置在比TFT基板111和CF基板相對(duì)的區(qū)域靠近外側(cè)的TFT基板111上。剛性FPC170在基材172上，形成有相互平行排列設(shè)置的多個(gè)配線171，該配線171 作為剛性FPC170的連接端子(連接部)起作用。在剛性FPC170上，裝載有構(gòu)成液晶控制器等的各種芯片和電阻、電容器等電子部件。IC芯片175具有信號(hào)輸入用凸點(diǎn)(bump) 176和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177，該凸點(diǎn)176、 177作為IC芯片175的連接端子(連接部)起作用。IC芯片175通過(guò)COG (Chip On Glass 玻璃基芯片)方式裸芯片安裝于TFT基板111。另外，在IC芯片175上，通常形成有源極驅(qū)動(dòng)器、柵極驅(qū)動(dòng)器、電源電路、傳感器電路等，但形成于IC芯片175的電路，由形成在TFT基板111上的TFT的性能決定。S卩，由于形成在TFT基板111上的TFT的性能根據(jù)其材質(zhì)例如是LPS(低溫多晶硅)、CGS(連續(xù)粒狀結(jié)晶硅)、非晶硅中的任一種而不同，考慮通過(guò)形成在TFT基板111上的TFT能否使電路工作，電路規(guī)模會(huì)不會(huì)變大，成品率是否會(huì)降低等，決定IC芯片175和形成在TFT基板111上的電路。信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176排列設(shè)置，信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177交錯(cuò)設(shè)置即相互錯(cuò)開(kāi)設(shè)置成兩列。另外，IC芯片175當(dāng)然可以是LSI芯片。在TFT基板111上形成與剛性FPC170的配線171對(duì)應(yīng)，相互平行地排列設(shè)置成一列的多個(gè)外部連接端子141 ；與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176對(duì)應(yīng)，相互平行地排列設(shè)置成一列的多個(gè)外部連接端子142;和與信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177對(duì)應(yīng)，設(shè)置成長(zhǎng)條狀的外部連接端子143。ACF180以覆蓋外部連接端子141、142、143的方式設(shè)置。外部連接端子141通過(guò) ACF 180中的作為導(dǎo)電部件的導(dǎo)電性微珠(導(dǎo)電性微粒子)181與剛性FPC170的配線171 連接；外部連接端子142通過(guò)導(dǎo)電性微珠181與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176連接；外部連接端子 143通過(guò)導(dǎo)電性微珠181與信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177連接。外部連接端子141，通過(guò)設(shè)置在形成于其下層的層間絕緣膜152的接觸孔131，與位于形成在層間絕緣膜152的下層的作為下層配線的配線112的一個(gè)端部的配線連接部連接。另外，配線連接部是配線的一部分，更詳細(xì)地，是與其他配線和端子等導(dǎo)電部件連接 (接觸)的部分。配線112從外部連接端子141的下方延伸到外部連接端子142的下方，位于配線112的另一個(gè)端部的配線連接部，通過(guò)設(shè)置于層間絕緣膜152的接觸孔132，與外部連接端子142連接。由此，從剛性FPC170將信號(hào)和電源供給到IC芯片175。接觸孔131與位于TFT基板111的外周側(cè)的外部連接端子141的端部對(duì)應(yīng)，設(shè)置在同一軸上(與配線112的延伸方向平行的軸上)。接觸孔131處于與剛性FPC 170的配線171重疊但不與ACF 180重疊的位置，配置在配線171和ACF180相互重疊的區(qū)域以外。 因此，外部連接端子141分別在配線171和ACF180相互重疊的區(qū)域以外與配線112中的任一個(gè)連接。即，外部連接端子141與剛性FPC170的配線171連接的部分(與導(dǎo)電性微珠 181接觸的部分)，和與配線112連接的部分(與配線112的配線連接部接觸的部分)，設(shè)置在不同的位置。然后，與配線112連接的部分，配置成不同時(shí)與剛性FPC170的配線171和 ACF180這兩者重疊。接觸孔132與位于TFT基板111的外周側(cè)的外部連接端子142的端部對(duì)應(yīng)，設(shè)置在同一軸上(與配線112的延伸方向平行的軸上)。接觸孔132位于不與信號(hào)輸入用凸點(diǎn) 176和ACF 180中的任一個(gè)重疊的位置。因此，外部連接端子142分別在信號(hào)輸入用凸點(diǎn) 176和ACF180相互重疊的區(qū)域以外與配線112中的任一個(gè)連接。即，外部連接端子142與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176連接的部分(與導(dǎo)電性微珠181接觸的部分)，和與配線112連接的部分(與配線112的配線連接部接觸的部分)，設(shè)置在不同的位置。并且，與配線112連接的部分，配置成不同時(shí)與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176和ACF180這兩者重疊。外部連接端子141和外部連接端子142，沿著ACF180的配置區(qū)域排列，配線112在外部連接端子141、142的下方，主要沿著外部連接端子141、142的排列方向排列設(shè)置。配線 112在一個(gè)端部附近，從位于TFT基板111的外周側(cè)的配線，依次向同一方向一側(cè)(在TFT 基板111的外周側(cè)，且與配線112的延伸方向正交的方向)彎曲。并且，在彎曲的前端設(shè)置有與外部連接端子141接觸的配線連接部。另外，配線112在另一個(gè)端部附近，從位于TFT 基板111的外周側(cè)的配線，依次向同一方向一側(cè)(TFT基板111的外周側(cè)，且與配線112的延伸方向正交的方向)彎曲。然后，在彎曲前端設(shè)置有與外部連接端子142接觸的配線連接部。像這樣，配線112具有俯視時(shí)為二字的形狀。另一方面，外部連接端子143通過(guò)設(shè)置于層間絕緣膜152的接觸孔133，與位于形成在層間絕緣膜152的下層的作為下層配線的共用配線115的一個(gè)端部的配線連接部連接。共用配線115從外部連接端子143的下方通過(guò)外部連接端子141的下方延伸，與形成于TFT基板111的元件例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻連接。上述半導(dǎo)體元件通常是晶體管，更詳細(xì)地，是TFT。共用配線115的每一個(gè)都與兩個(gè)以上元件例如半導(dǎo)體元件、電容器、 電阻連接，供給共用的信號(hào)和電源。由此，將在IC芯片175生成的輸出信號(hào)和輸出電源，供給到形成于TFT基板111的各元件例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻。接觸孔133與位于TFT基板111的內(nèi)側(cè)的外部連接端子143的端部對(duì)應(yīng)，交錯(cuò)設(shè)置。接觸孔133位于不與信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177和ACF180中的任一個(gè)重疊的位置。因此，外部連接端子143分別在信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177和ACF180相互重疊的區(qū)域以外與共用配線115 中的任一個(gè)連接。即，外部連接端子143與信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177連接的部分(與導(dǎo)電性微珠181接觸的部分)，和與共用配線115連接的部分(與共用配線115的配線連接部接觸的部分)，設(shè)置在不同的位置。然后，與共用配線115連接的部分，配置成不同時(shí)與信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177和ACF180這兩者重疊。外部連接端子141和外部連接端子143，沿著ACF180的配置區(qū)域排列，共用配線 115在外部連接端子141、143的下方，主要沿著外部連接端子141、143的排列方向排列設(shè)置。共用配線115在一個(gè)端部附近，從位于TFT基板111的內(nèi)側(cè)的配線，依次向同一方向一側(cè)(TFT基板111的內(nèi)側(cè)，且與共用配線115的延伸方向正交的方向)彎曲。然后，在彎曲的前端設(shè)置有與外部連接端子143接觸的配線連接部。像這樣，共用配線115具有俯視時(shí)為L(zhǎng)字的形狀。另外，在與TFT基板111的剛性FPC170重疊的區(qū)域和與IC芯片175重疊的區(qū)域， 直接形成有包括TFTU9和引繞配線130的電路塊146。在電路塊146內(nèi)，形成有不與源極
10驅(qū)動(dòng)器、柵極驅(qū)動(dòng)器、電源電路等IC芯片175重復(fù)的電路。以下，對(duì)液晶顯示裝置100的截面構(gòu)造進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。TFT基板111如圖2(a)和圖2(b)所示，在邊框部中，在絕緣基板121上，具有從絕緣基板121側(cè)依次層疊有覆蓋膜122、半導(dǎo)體層123、柵極絕緣膜124、第一配線層161、層間絕緣膜151、第二配線層162、層間絕緣膜152、第三配線層163、透明導(dǎo)電層164的結(jié)構(gòu)。 TFTU9包括半導(dǎo)體層123、柵極絕緣膜124、由第一配線層161構(gòu)成的柵極電極125，在半導(dǎo)體層123的源極/漏極區(qū)域，通過(guò)貫穿層間絕緣膜151和柵極絕緣膜124的接觸孔，與由第二配線層162構(gòu)成的源極/漏極配線1 連接。另外，由第一配線層161形成有引繞配線130。配線112和共用配線115，由第二配線層162形成；外部連接端子141、142、143，用第三配線層163和透明導(dǎo)電層164的層疊體來(lái)形成。TFT基板111和剛性FPC170，以及TFT基板111和IC芯片175，分別隔著ACF 180 被熱壓接，由此由包含于ACF180中的導(dǎo)電性微珠181連接，并且通過(guò)由包含在ACF180中的熱硬化性樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接成分182固接。另外，在外部連接端子141、142、143，以及與它們對(duì)應(yīng)的剛性FPC170的配線171、 IC芯片175的信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177，在熱壓接時(shí)隔著導(dǎo)電性微珠181 被施加壓力。因此，在該被施加壓力的區(qū)域(配線171、信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177與導(dǎo)電性微珠181重疊的區(qū)域)，假設(shè)設(shè)置有接觸孔131、132、133的情況下，在接觸孔內(nèi)第三配線層163和透明導(dǎo)電層164的層疊體的膜厚變得比其他部分薄，有可能在熱壓接時(shí)在該區(qū)域中外部連接端子141、142、143被壓壞，發(fā)生接觸不良。特別是在用包含于 ACF180中的導(dǎo)電性微珠181作為導(dǎo)電部件的情況下，有可能外部連接端子141、142、143被環(huán)狀切斷，頻繁地發(fā)生接觸不良。與之相對(duì)地，在液晶顯示裝置100中，接觸孔131、132、133在俯視TFT基板111時(shí)配置在剛性FPC170的配線171、IC芯片175的信號(hào)輸入用凸點(diǎn)176和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)177 與導(dǎo)電性微珠181分別重疊的區(qū)域以外。因此，熱壓接時(shí)使導(dǎo)電性微珠181只與外部連接端子141、142、143的上表面比較厚的部分接觸，熱壓接時(shí)能夠防止在接觸孔131、132、133 內(nèi)的膜厚較薄部分的外部連接端子141、142、143隔著導(dǎo)電性微珠181被施加壓力。其結(jié)果是，能夠抑制起因于外部連接端子141、142、143的壓壞，在TFT基板111、剛性FPC170、TFT 基板111和IC芯片175之間發(fā)生接觸不良。另外，在當(dāng)前的量產(chǎn)化技術(shù)的水準(zhǔn)中，配線112、共用配線115等配線組的配線寬度和配線間隔(線和空間)的微細(xì)化，在使用干蝕刻的微細(xì)加工技術(shù)中，能夠到2μπι程度。 另一方面，在使用感光性有機(jī)絕緣膜作為設(shè)置在配線組的上層的層間絕緣膜152來(lái)進(jìn)行光刻的情況下，4μπι程度的微細(xì)加工是極限。因此，在該配線組上，為了形成用于連接外部連接端子141、142、143的接觸孔131、132、133，出于接觸孔131、132、133的位置控制精度、接觸孔131、132、133的微細(xì)加工精度的方面考慮，實(shí)際上，需要使接觸孔131、132、133形成得比配線組的寬度大。因此當(dāng)假設(shè)只在配線組的延伸部分上配置接觸孔131、132、133時(shí)，又可能各配線間的距離也變大，能夠配置在外部連接端子141、142、143的下方的配線數(shù)有減少。與之相對(duì)，在液晶顯示裝置100中，配線112在俯視TFT基板111時(shí)，橫穿外部連接端子141、142而并行，并且從外側(cè)開(kāi)始依次相對(duì)于延伸方向向同一方向一側(cè)彎曲，在彎曲的前端(配線連接部)與接觸孔131和接觸孔132連接。另外，共用配線115在俯視TFT 基板111時(shí)，橫穿外部連接端子141、143而并行，并且相對(duì)于延伸方向向同一方向一側(cè)彎曲，在彎曲的前端(配線連接部)與接觸孔133連接。像這樣，通過(guò)不在配線112和共用配線115的延伸部分上配置接觸孔131、132、133，即使用感光性有機(jī)絕緣膜作為層間絕緣膜 152，也能夠?qū)⑴渚€112和共用配線115等的配線組的線和空間(line and space)保持得盡可能小。另外，能夠與配線組的個(gè)數(shù)無(wú)關(guān)地將線和空間保持得盡可能小。因此，由于不需要減少能夠配置在外部連接端子141、142、143的下方的配線數(shù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。另外，由于接觸孔131、132在俯視TFT基板111時(shí)設(shè)置在同一直線上(更優(yōu)選的是在與配線112的延伸方向平行的軸上)，與將接觸孔131、132散亂配置，例如曲折配置的情況相比，能夠確保接觸孔131、132每個(gè)的大小，并且能夠抑制配置有接觸孔131、132的區(qū)域整體的面積。即，能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的窄邊框化。另外，接觸孔131、132、133的平面形狀并不做特別限定，另外，接觸孔131、132、 133可以被分割成多個(gè)孔。另外，在液晶顯示裝置100中，剛性FPC170和IC芯片175，通過(guò)作為下層配線的配線112連接，并且如圖16所示，沿著TFT基板111的外周并列配置。由此，如圖17所示的比較方式，與將剛性FPC 170和IC芯片175從TFT基板111的外周側(cè)開(kāi)始依次配置的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。在液晶顯示裝置100中，通過(guò)在外部連接端子的下層形成配線， 由于不需要從外部連接端子向面板內(nèi)側(cè)的引繞配線，而在端子下引繞引出配線，所以能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。以往的情況，由于即使排列設(shè)置，也需要向面板內(nèi)側(cè)的引繞配線，所以沒(méi)有窄邊框化的效果。以下，對(duì)實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的制造方法例進(jìn)行說(shuō)明。首先，作為前處理，對(duì)絕緣基板121進(jìn)行洗凈和預(yù)退火。絕緣基板121不做特別限定，但出于成本等觀點(diǎn)，適宜為玻璃基板、樹(shù)脂基板等。接著，進(jìn)行以下(1) (1 的工序。(1)底涂膜的形成工序在絕緣基板121上，通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition =PECVD)法，依次形成膜厚50nm的SiON膜和膜厚IOOnm的SiOx膜，從而形成底涂膜122。作為用于形成SiON膜的原料氣體，可以列舉甲硅烷(SiH4)、一氧化二氮?dú)怏w(N2O)和氨氣(NH3)的混合氣體等。另外，SiOx膜，作為原料優(yōu)選用正硅酸乙酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate =TEOS)氣體形成。另外，底涂膜122可以含有作為原料氣體使用甲硅烷(SiH4)和氨氣(NH3)的混合氣體等形成的氮化硅(SiNx)膜。(2)半導(dǎo)體層的形成工序通過(guò)PECVD法，形成膜厚50nm的非晶硅(a-Si)膜。作為用于形成a_Si膜的原料氣體，可以列舉SiH4、乙硅烷(Si2H6)等。由于通過(guò)PECVD法形成的a-Si膜含有氫，所以在約 500°C進(jìn)行減少a-Si膜中的氫濃度的處理(脫氫處理)。接著，進(jìn)行激光退火，通過(guò)使a-Si 膜熔融、冷卻和結(jié)晶化，形成多晶硅(多晶，P-Si)膜。激光退火例如使用準(zhǔn)分子激光器。在 P-Si膜的形成中，作為激光退火的前處理，(為了進(jìn)行連續(xù)粒狀結(jié)晶硅(CG-硅)化)，也可以不進(jìn)行脫氫處理，而涂敷鎳等金屬觸媒，進(jìn)行基于熱處理的固相生長(zhǎng)。另外，作為a-Si膜的結(jié)晶化，可以只進(jìn)行基于熱處理的固相生長(zhǎng)。接著，通過(guò)四氟化碳(CF4)和氧氣(O2)的混合氣體進(jìn)行干蝕刻，對(duì)P-Si膜進(jìn)行圖案形成，形成半導(dǎo)體層123。
(3)柵極絕緣膜的形成工序接著，使用TEOS作為原料氣體，形成由膜厚45nm的氧化硅構(gòu)成的柵極絕緣膜124。 作為柵極絕緣膜124的材質(zhì)并不做特別限定，可以使用SiOx膜、SiON膜等。作為用于形成 SiOx膜和SiON膜的原料氣體，可以列舉與底涂膜的形成工序中所述的相同的原料氣體。另外，柵極絕緣膜1 可以是由上述多種材料構(gòu)成的層疊體。(4)離子摻雜工序?yàn)榱丝刂芓FTU9的閾值，通過(guò)離子摻雜法、離子注入法等，對(duì)半導(dǎo)體層123摻雜硼等雜質(zhì)。更具體地，在對(duì)由N溝道型TFT和P溝道型TFT構(gòu)成的半導(dǎo)體層摻雜了硼等雜質(zhì)之后(第一摻雜工序)，在通過(guò)抗蝕劑將由P溝道型TFT構(gòu)成的半導(dǎo)體層遮掩的狀態(tài)下，對(duì)由N溝道型TFT構(gòu)成的半導(dǎo)體層進(jìn)一步摻雜硼等雜質(zhì)(第二摻雜工序)。另外，在不需要P 溝道型TFT的閾值控制的情況下，也可以不進(jìn)行第一摻雜工序。(5)第一配線層的形成工序接著，使用濺射法，依次形成膜厚30nm的氮化鉭(TaN)膜和膜厚370nm的鎢(W) 膜。接著，在通過(guò)光刻法將抗蝕膜圖案形成為期望的形狀后，將調(diào)整氬氣(Ar)、六氟化硫 (SF6)、四氟化碳(CF4)、氧氣(O2)、氯氣(Cl2)等的份量而制作成的混合氣體用作蝕刻氣體進(jìn)行干蝕刻，形成第一配線層161。作為第一配線層161的材料，可以列舉鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢鉬合金(MoW)等表面平坦且特性穩(wěn)定的高熔點(diǎn)金屬和鋁(Al)等低電阻金屬。另外，第一配線層161也可以是由上述多種材料構(gòu)成的層疊體。(6)源極/漏極區(qū)域的形成工序接著，為了形成TFTU9的源極/漏極區(qū)域，將柵極電極125作為掩模，在N溝道型 TFT的情況下通過(guò)離子摻雜法、離子注入法等對(duì)半導(dǎo)體層123高濃度地?fù)诫s磷等雜質(zhì)，在P 溝道型TFT的情況下通過(guò)離子摻雜法、離子注入法等對(duì)半導(dǎo)體層123高濃度地?fù)脚鸬入s質(zhì)。 此時(shí)，根據(jù)需要，也可以形成LDD (Lightly Doped Drain:輕摻雜漏極)區(qū)域。接著，為了使存在于半導(dǎo)體層123中的雜質(zhì)離子活性化，在約700°C下，進(jìn)行6小時(shí)的熱活性化處理。由此，能夠提高源極/漏極區(qū)域的電傳導(dǎo)性。另外，作為活性化的方法，可以列舉照射準(zhǔn)分子激光的方法等。(7)層間絕緣膜和接觸孔的形成工序接著，在絕緣基板121整面上，通過(guò)PECVD法，形成膜厚100 400nm (適宜200 300nm)的SiNx膜和膜厚500 IOOOnm(適宜600 800nm)的TEOS膜，由此形成層間絕緣膜151。作為層間絕緣膜151，也可以使用SiON膜等。另外，為了抑制TFT特性因瞬時(shí)劣化等而降低，并且穩(wěn)定TFTU9的電特性，可以在層間絕緣膜151的下層形成50nm程度的薄蓋膜(例如TEOS膜等)。接著，通過(guò)光刻法將抗蝕膜圖案形成為期望的形狀，由此形成抗蝕劑掩模之后，用氫氟酸類(lèi)的蝕刻溶液進(jìn)行柵極絕緣膜1 和層間絕緣膜151的濕蝕刻，在柵極絕緣膜1 和層間絕緣膜151形成接觸孔。另外，蝕刻也可以使用干蝕刻。(8)氫化工序接著，為了通過(guò)從層間絕緣膜151的SiNx膜供給的氫，進(jìn)行半導(dǎo)體層123的Si晶的缺陷修正，在約400°C下進(jìn)行1小時(shí)熱處理。(9)第二配線層的形成工序接著，通過(guò)濺射法等，依次形成膜厚IOOnm的鈦(Ti)膜、膜厚500nm的鋁(Al)膜、膜厚IOOnm的Ti膜。接著，在通過(guò)光刻法將抗蝕膜圖案形成為規(guī)定的形狀，由此形成抗蝕劑掩模之后，通過(guò)干蝕刻對(duì)Ti/Al/Ti的金屬層疊膜進(jìn)行圖案形成，形成第二配線層162。另外，作為構(gòu)成第二配線層162的金屬，也可以用Al-Si合金替代Al。另外，雖然在這里為了配線的低電阻化使用了 Al，但在需要高耐熱性且電阻值允許一定程度的增加(例如較短配線結(jié)構(gòu)的情況)的情況下，作為構(gòu)成第二配線層162的金屬，也可以使用上述第一配線層 161 的材料(Ta、Mo, Moff, W、TaN 等)。(10)層間絕緣膜和接觸孔的形成工序接著，在絕緣基板121整面通過(guò)旋涂法等涂敷法，形成膜厚1 5 μ m(適宜2 3ym)的感光性丙烯酸樹(shù)脂等感光性樹(shù)脂膜，由此形成層間絕緣膜152。作為層間絕緣膜 152的材料，可以使用非感光性丙烯酸樹(shù)脂等非感光性樹(shù)脂、感光性或非感光性的聚烷基硅氧烷類(lèi)、聚硅氮烷類(lèi)、聚酰亞胺類(lèi)聚對(duì)二甲苯類(lèi)的樹(shù)脂等。另外，作為層間絕緣膜152的材料，也可以列舉含甲基的聚硅氧烷(MSQ)類(lèi)材料和多孔質(zhì)MSQ類(lèi)材料。在使用感光性樹(shù)脂作為層間絕緣膜152的材料的情況下，首先，通過(guò)形成期望形狀的遮光圖案的光掩模，將感光性樹(shù)脂膜感光(曝光)之后，通過(guò)進(jìn)行蝕刻(顯影處理)，除去成為接觸孔131、132、133 的區(qū)域的感光性樹(shù)脂。接著，進(jìn)行感光性樹(shù)脂膜的烘烤工序(例如200°C下30分鐘)。由此，層間絕緣膜152的開(kāi)口部(孔部)的形狀變得平滑，能夠降低接觸孔131、132、133的縱橫比。另外，最開(kāi)始除去層間絕緣膜152的接觸部(成為接觸孔131、132、133的部分)時(shí)， 不需要灰化(剝離)工序。另外，層間絕緣膜152，可以層疊有由不同材料構(gòu)成的多個(gè)膜。(11)第三配線層的形成工序接著，通過(guò)濺射法等，依次形成膜厚IOOnm的鈦(Ti)膜、膜厚500nm的鋁(Al)膜、 膜厚IOOnm的Ti膜。接著，在通過(guò)光刻法將抗蝕膜圖案形成為規(guī)定的形狀，由此形成抗蝕劑掩模之后，通過(guò)干蝕刻對(duì)Ti/Al/Ti的金屬層疊膜進(jìn)行圖案形成，形成第三配線層163。另外，構(gòu)成第三配線層163的金屬，也可以使用Al-Si合金等替代Al。另外，雖然在這里為了配線的低電阻化使用了 Al，但在需要高耐熱性且電阻值允許一定程度的增加(例如短的配線結(jié)構(gòu)的情況)的情況下，作為構(gòu)成第三配線層163的金屬，也可以使用上述第一配線層 161 的材料(Ta、Mo, Moff, W、TaN 等)。(12)有機(jī)絕緣膜的形成工序接著，通過(guò)旋涂法等，形成膜厚1 3 μ m (優(yōu)選2 3 μ m)的感光性丙烯酸樹(shù)脂膜，由此在TFT基板111的顯示區(qū)域形成有機(jī)絕緣膜。作為有機(jī)絕緣膜，可以使用非感光性丙烯酸樹(shù)脂等非感光性樹(shù)脂、感光性或非感光性的聚烷基硅氧烷類(lèi)、聚硅氮烷類(lèi)、聚酰亞胺類(lèi)聚對(duì)二甲苯(Parellin)類(lèi)的樹(shù)脂等。另外，作為有機(jī)絕緣膜的材料，也可以列舉含甲基的聚硅氧烷(MSQ)類(lèi)材料和多孔質(zhì)MSQ類(lèi)材料。在這里，在基板121整面通過(guò)旋涂法等，涂敷膜厚1 5 μ m(優(yōu)選2 3 μ m)的感光性丙烯酸樹(shù)脂，例如二疊氮基萘醌 (naphthoquinonediazide)類(lèi)的紫外線硬化型樹(shù)脂，由此形成有機(jī)絕緣膜。接著，通過(guò)形成期望形狀的遮光圖案的光掩模，將感光性樹(shù)脂膜感光(曝光)之后，通過(guò)進(jìn)行蝕刻(顯影處理)，除去成為接觸孔的區(qū)域的有機(jī)絕緣膜。接著，進(jìn)行感光性樹(shù)脂膜的烘烤工序(例如 200°C下30分鐘)。由此，有機(jī)絕緣膜51的開(kāi)口部(孔部)的形狀變得平滑，能夠降低接觸孔的縱橫比。另外，最早除去有機(jī)絕緣膜的接觸部(成為接觸孔的部分)時(shí)，不需要灰化 (剝離)工序。
(13)透明導(dǎo)電層的形成工序接著，通過(guò)濺射法等，依次形成膜厚50 200nm(優(yōu)選100 150nm)的ITO (氧化銦錫)膜和IZO(氧化銦鋅)膜之后，通過(guò)光刻法圖案形成為期望的形狀，形成透明導(dǎo)電層 164。此時(shí)，在TFT基板111的顯示區(qū)域，與各像素對(duì)應(yīng)地呈矩陣狀形成有像素電極。此后， 通過(guò)在顯示區(qū)域涂敷取向膜，并且進(jìn)行取向膜的取向處理，完成TFT基板111。另外，雖然外部連接端子141、142、143，可以由透明導(dǎo)電層164的單層形成，但出于降低外部連接端子141、142、143的電阻的觀點(diǎn)，優(yōu)選是作為最上層導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電層 164和作為最上層導(dǎo)電層的下一層的導(dǎo)電層的第三配線層163的層疊體。在只由最上層導(dǎo)電層形成外部連接端子141、142、143的情況下，最上層導(dǎo)電層通常是ITO膜等透明導(dǎo)電層， 雖然片電阻值高，但通過(guò)做成與下層的更低電阻的導(dǎo)電層層疊的結(jié)構(gòu)，能夠期待降低外部連接端子141、142、143的片電阻值。另外，在除去下一層的導(dǎo)電層而做成最上層導(dǎo)電層和下二層(最上層導(dǎo)電層的下方第二層)的導(dǎo)電層(本實(shí)施方式中是第二配線層16 的層疊結(jié)構(gòu)的情況下，由于下二層的導(dǎo)電層的表面因干蝕刻等受到損傷，所以下二層的導(dǎo)電層和最上層導(dǎo)電層的接觸電阻增大，結(jié)果是有可能端子電阻增加。因此，出于降低外部連接端子141、142、143的端子電阻的觀點(diǎn)，在透明導(dǎo)電層164(最上層導(dǎo)電層)的下方，留有第三配線層163(下一層的導(dǎo)電層)。(14)面板組裝工序接著，通過(guò)進(jìn)行TFT基板111和CF基板的貼合工序、液晶材料的注入工序、偏光板的粘貼工序，制作液晶顯示面板。作為注入液晶材料的方法，能夠列舉滴下注入法、真空注入法等。在真空注入法中，在TFT基板111和CF基板的貼合所用的密封材料的一部分設(shè)置液晶注入口，從那里注入液晶材料，其后，用紫外線硬化樹(shù)脂等將液晶注入口密封。另外，作為液晶顯示面板的液晶模式并沒(méi)有特別限定，可以列舉例如扭曲向列 (TN =Twisted Nematic)模式、面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS :In Plane Switching)模式、垂直取向模式 (VA Vertical Alignment) > VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic
向列)模式、PSA(Polymer Sustained Alignment 聚合物穩(wěn)定取向)模式等。另外，液晶顯示面板，可以被取向分割，在像素內(nèi)形成有多個(gè)疇。進(jìn)一步，液晶顯示面板可以是透過(guò)型，可以是反射型，也可以是半透過(guò)型(反射透過(guò)兩用型)。然后，液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)方式，也可以更改為單純矩陣型。(15)剛性FPC和IC芯片的粘貼工序接著，隔著在粘接成分182 (例如熱硬化性環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂等熱硬化性樹(shù)脂)中分散有導(dǎo)電性微珠181的ACF (各向異性導(dǎo)電膜)180，對(duì)TFT基板111和剛性FPC170進(jìn)行熱壓接， 并且對(duì)TFT基板111和IC芯片175進(jìn)行熱壓接。其后，通過(guò)將液晶顯示面板和背光源單元組合，能夠完成本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100。(實(shí)施方式2)圖3-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部(顯示區(qū)域外的外周部)的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖3-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的截面示意圖， 是沿著圖3-1中的E-F線的截面圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置200，如圖3-1、圖3-2所示，具有將作為顯示裝置用基板的TFT基板211和作為外部連接部件的剛性FPC270在邊框部中通過(guò)ACF280連接的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置200，除了 TFT基板211以外，還具有與TFT基板211相對(duì)配置的CF 基板。CF基板在絕緣基板上從絕緣基板側(cè)依次具有(1)由遮光部件構(gòu)成的黑矩陣，紅、綠和藍(lán)的彩色濾光片；(2)覆蓋層；(3)由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的共用電極；和⑷取向膜。TFT基板211和CF基板的外周部，由呈框狀設(shè)置的密封材料255密封，進(jìn)一步，在TFT基板211和 CF基板之間充填有液晶材料。剛性FPC270配置在比TFT基板211和CF基板相對(duì)的區(qū)域靠近外側(cè)的TFT基板211上。剛性FPC270在基材272上形成有相互平行排列設(shè)置的多個(gè)配線271，該配線271 作為剛性FPC270的連接端子(連接部)起作用。在剛性FPC270，形成有構(gòu)成液晶控制器、 電源IC等的各種芯片和電阻、電容器等電子部件。在TFT基板211上形成有與剛性FPC270的配線271對(duì)應(yīng)，相互平行地排列設(shè)置成一列的多個(gè)外部連接端子對(duì)1。ACF280以覆蓋外部連接端子241的方式設(shè)置。外部連接端子M1，通過(guò)ACF280中的作為導(dǎo)電部件的導(dǎo)電性微珠(導(dǎo)電性微粒子)281，與剛性FPC270的配線271連接。外部連接端子M1，通過(guò)設(shè)置在形成于其下層的層間絕緣膜252上的接觸孔231， 與位于形成在層間絕緣膜252的下層的作為下層配線的共用配線215的一個(gè)端部的配線連接部連接。共用配線215沿著TFT基板211的外周，從外部連接端子Ml的下方延伸到?jīng)]有外部連接端子Ml的TFT基板211的其他邊框部，與形成于TFT基板211的元件例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻連接。上述半導(dǎo)體元件通常是晶體管，更詳細(xì)地，是TFT。共用配線 215的每一個(gè)都與兩個(gè)以上元件，例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻連接，供給共用的信號(hào)和電源。由此，從剛性FPC270將輸出信號(hào)和輸出電源供給到形成于TFT基板211上的各元件例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻。接觸孔231與位于TFT基板211的內(nèi)側(cè)的外部連接端子Ml的端部對(duì)應(yīng)，設(shè)置在同一軸上(與共用配線215的延伸方向平行的軸上)。接觸孔231位于不與ACF280和剛性 FPC的配線271中的任一個(gè)重疊的位置，配置在配線271和ACF280相互重疊的區(qū)域以外。因此，外部連接端子241分別在配線271和ACF280相互重疊的區(qū)域以外與共用配線215中的任一個(gè)連接。即，外部連接端子241與剛性FPC270的配線271連接的部分(與導(dǎo)電性微珠 281接觸的部分)，和與共用配線215連接的部分(與共用配線215的配線連接部接觸的部分)，設(shè)置在不同的位置。并且，與共用配線215連接的部分，配置成不同時(shí)與剛性FPC270 的配線271和ACF280這兩者重疊。另外，接觸孔231設(shè)置在ACF280和密封材料255之間，更詳細(xì)地，在剛性FPC270 的配線271和ACF280相互重疊的區(qū)域和密封材料255之間。外部連接端子241沿著ACF180的配置區(qū)域排列，共用配線215在外部連接端子 241的下方，主要沿著外部連接端子241的排列方向排列設(shè)置。共用配線215在一個(gè)端部附近，從位于TFT基板211的內(nèi)側(cè)的配線，依次向同一方向一側(cè)(TFT基板211的內(nèi)側(cè)，且與共用配線215的延伸方向正交的方向，圖3-1中的右方向)彎曲。并且，在彎曲的前端設(shè)置有與外部連接端子241接觸的配線連接部。像這樣，共用配線215在一個(gè)端部附近具有俯視 L字形狀。以下，對(duì)液晶顯示裝置200的截面構(gòu)造進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
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TFT基板211如圖3_2所示，在邊框部，具有在絕緣基板221上從絕緣基板221側(cè)依次層疊有第二配線層262、層間絕緣膜252、第三配線層沈3、透明導(dǎo)電層沈4的結(jié)構(gòu)。另外，在第二配線層沈2的下層側(cè)，與實(shí)施方式1同樣地，依次層疊有底涂膜、半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜、第一配線層和層間絕緣膜。共用配線215由第二配線層262形成；外部連接端子Ml由第三配線層263和透明導(dǎo)電層264的層疊體形成。TFT基板211和剛性FPC270隔著ACF280被熱壓接，由此通過(guò)包含在ACM80中的導(dǎo)電性微珠281連接，并且通過(guò)由包含在ACM80中的熱硬化性樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接成分觀2固接。在外部連接端子Ml和與其對(duì)應(yīng)的剛性FPC270270的配線271，在熱壓接時(shí)隔著導(dǎo)電性微珠281被施加壓力。因此，在該被施加壓力的區(qū)域(配線271和導(dǎo)電性微珠281重疊的區(qū)域)，假設(shè)設(shè)置有接觸孔231的情況下，在位于接觸孔231內(nèi)，且通常膜厚變薄了的部分的外部連接端子241處，也被施加壓力。其結(jié)果是，有可能在熱壓接時(shí)該部分的外部連接端子241被壓壞，發(fā)生接觸不良。特別是在使用包含于ACF280中的導(dǎo)電性微珠281作為導(dǎo)電部件的情況下，有可能外部連接端子241被環(huán)狀切斷，頻繁地發(fā)生接觸不良。與之相對(duì)，在液晶顯示裝置200中，接觸孔231在俯視TFT基板211時(shí)配置在分別與剛性FPC270的配線271和導(dǎo)電性微珠281重疊的區(qū)域以外。因此，熱壓接時(shí)使導(dǎo)電性微珠觀1只與外部連接端子241的上表面比較厚的部分接觸，能夠防止熱壓接時(shí)在接觸孔231 內(nèi)的膜厚較薄部分的外部連接端子Ml隔著導(dǎo)電性微珠281被施加壓力。其結(jié)果是，能夠抑制起因于外部連接端子Ml的壓壞，在TFT基板211和剛性FPC270之間發(fā)生接觸不良。另外，在當(dāng)前的量產(chǎn)化技術(shù)的水準(zhǔn)中，共用配線215等配線組的配線寬度和配線間隔(線和空間)的微細(xì)化，在使用干蝕刻的微細(xì)加工技術(shù)中，能夠到2μπι程度。另一方面，在使用感光性有機(jī)絕緣膜作為設(shè)置在配線組的上層的層間絕緣膜252而進(jìn)行光刻的情況下，4μπι程度的微細(xì)加工是極限。因此，在該配線組上，為了形成用于與外部連接端子 241連接的接觸孔231，出于接觸孔231的位置控制精度、接觸孔231的微細(xì)加工精度的方面考慮，實(shí)際上，需要使接觸孔231形成得比配線組的寬度大。因此假設(shè)只在配線組的延伸部分上配置接觸孔231，則有可能各配線間的距離也變大，能夠配置在外部連接端子231的下方的配線數(shù)有減少。與之相對(duì)，在液晶顯示裝置200中，共用配線215在俯視TFT基板211時(shí)橫穿外部連接端子241而并行，并且從外側(cè)依次相對(duì)于延伸方向向相同方向一側(cè)彎曲，在彎曲的前端(配線連接部)與接觸孔231連接。像這樣，通過(guò)不在共用配線215的延伸部分上配置接觸孔231，即使使用感光性有機(jī)絕緣膜作為層間絕緣膜252，也能夠?qū)⒐灿门渚€215等的線和空間保持得盡可能小。另外，能夠與共用配線215的個(gè)數(shù)無(wú)關(guān)地將線和空間保持得盡可能小。因此，由于不需要減少能夠配置在外部連接端子241的下方的配線數(shù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化。另外，由于接觸孔231在俯視TFT基板211時(shí)設(shè)置在同一直線上(更優(yōu)選的是在與共用配線215的延伸方向平行的軸上)，與將接觸孔231散亂地，例如曲折配置的情況相比，能夠確保接觸孔231每個(gè)的大小，并且能夠抑制配置接觸孔231的區(qū)域整體的面積。即， 能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的窄邊框化。進(jìn)一步，接觸孔231在俯視TFT基板211時(shí)設(shè)置在剛性FPC270的配線271和ACF280相互重疊的區(qū)域和密封材料255之間。ACF280和密封材料255之間，是作為由于 ACF粘貼的位置校準(zhǔn)精度和密封材料(seal)描繪位置精度而需要的余量區(qū)域而設(shè)計(jì)的，是通常熱壓接時(shí)不被施加壓力的區(qū)域。因此，通過(guò)在該余量區(qū)域配置接觸孔231，能夠抑制接觸不良，并且將邊框部的增加抑制在最小限。另外，接觸孔231的平面形狀并不做特別限定，另外，接觸孔231可以被分割成多個(gè)孔。另外，實(shí)施方式2的液晶顯示裝置，用與實(shí)施方式1的液晶顯示裝置相同的制造方法制作，所以省略對(duì)其制造方法的說(shuō)明。以下，對(duì)本實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖4是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。 如圖4所示，接觸孔231也可以配置在外部連接端子241的外側(cè)(TFT基板211的外周側(cè))。圖5-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖5-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖5-1中的G-H線的截面圖。另外，圖5-1中，被施加壓力的導(dǎo)電性微珠281用虛線圍著。如圖5-1、圖5-2所示，接觸孔231也可以配置在剛性FPC270的相鄰的配線271間。這種情況，也能夠防止熱壓接時(shí)隔著導(dǎo)電性微珠281被施加壓力到接觸孔231內(nèi)的膜厚較薄部分的外部連接端子對(duì)1。圖6-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖6-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖6-1中的I-J線的截面圖。如圖6-1、圖6-2所示，接觸孔231在俯視TFT基板211 時(shí)也可以配置在比密封材料255靠近TFT基板211的內(nèi)側(cè)(TFT基板211的中心側(cè))。艮口， 接觸孔231在俯視TFT基板211時(shí)位于液晶層內(nèi)。由此，能夠提高外部連接端子241和共用配線215的接觸部分的可靠性。圖7-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖7-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖7-1中的K-L線的截面圖。如圖7-1、圖7-2所示，接觸孔231在俯視TFT基板211 時(shí)與密封材料255重疊，TFT基板211可以具有形成在密封材料255內(nèi)的感光間隔物256。 密封材料255中雖然含有玻璃纖維作為間隔物，但當(dāng)為了提高窄邊框化和可靠性而將接觸孔231與密封材料255重疊配置時(shí)，有可能接觸孔231內(nèi)的膜厚較薄部分的外部連接端子 241因玻璃纖維而損傷，發(fā)生接觸不良等不良情況。另一方面，由于感光間隔物256通過(guò)使用光刻法對(duì)感光性樹(shù)脂或非感光性樹(shù)脂進(jìn)行圖案形成而形成，所以容易進(jìn)行精密的位置控制。因此，即使以與接觸孔231重疊的方式設(shè)置密封材料255，也可以通過(guò)用感光間隔物256 作為間隔，使接觸孔231和感光間隔物256不重疊。如上所述，根據(jù)本變形例，能夠抑制接觸不良等不良情況，并且提高窄邊框化和可靠性。另外，在本變形例中，接觸孔231可以全部與密封材料255重疊，也可以一部分與密封材料255重疊。另外，感光間隔物256也可以形成在CF基板側(cè)。另外，本變形例是半透過(guò)型的液晶顯示裝置，以與外部連接端子241相同的結(jié)構(gòu)， 形成反射透過(guò)兩用型的像素電極265。像素電極沈5，由兼做構(gòu)成反射部的反射性導(dǎo)電膜的下層導(dǎo)電膜266和兼做構(gòu)成透過(guò)部的透明導(dǎo)電膜的上層導(dǎo)電膜267層疊而成。下層導(dǎo)電膜
18沈6，在通過(guò)濺射法等形成膜厚350nm的鋁(Al)膜之后，通過(guò)用光刻法進(jìn)行圖案形成而形成。另外，上層導(dǎo)電膜沈7，在通過(guò)濺射法等形成膜厚IOOnm的IZO膜之后，通過(guò)用光刻法進(jìn)行圖案形成而形成。圖8-1是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。圖8-2是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的截面示意圖，是沿著圖8-1中的M-N線的截面圖。如圖8-1、圖8-2所示，可以為接觸孔231在俯視TFT 基板211時(shí)與密封材料255重疊，TFT基板211在密封材料255的下方具有絕緣膜257，更詳細(xì)地，至少在接觸孔231和密封材料255重疊的區(qū)域中具有絕緣膜257。另外，在密封材料255中含有玻璃纖維258作為間隔物。由此，即使以與接觸孔231重疊的方式設(shè)置密封材料255，也能夠抑制接觸孔231內(nèi)的膜厚較薄部分的外部連接端子241因玻璃纖維258而損傷，發(fā)生接觸不良等不良情況。即，根據(jù)該方式，也能夠抑制接觸不良等不良情況，并且提高窄邊框化和可靠性。由有機(jī)絕緣膜形成層間絕緣膜252的情況，當(dāng)通過(guò)CVD法形成絕緣膜257時(shí)，有機(jī)絕緣膜會(huì)受到損傷。于是，絕緣膜257優(yōu)選通過(guò)濺射法等不會(huì)賦予層間絕緣膜損傷的方法形成。作為絕緣膜257的材質(zhì)，可以列舉例如氧化硅(S^2等)，絕緣膜257例如能夠在用濺射法形成S^2膜之后，通過(guò)光刻法進(jìn)行圖案形成而形成。另外，絕緣膜257除了對(duì)置基板和接觸部分以外，配置在密封材料255的大致全部區(qū)域之下。由此，能夠抑制起因于絕緣膜257的臺(tái)階而發(fā)生的單元(cell)厚度不均，抑制顯示品質(zhì)的降低。另外，在本變形例中，接觸孔231可以全部與密封材料255重疊，也可以一部分與密封材料255重疊。圖9 11是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。如圖9所示，可以在TFT基板211上連接IC芯片275。IC芯片275具有信號(hào)輸入用凸點(diǎn)276和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)277，該凸點(diǎn)276、277作為IC芯片275的連接端子(連接部) 起作用。IC芯片275通過(guò)COG (Chip On Glass 玻璃基芯片)方式裸芯片安裝在TFT基板 211 上。外部連接端子241與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)276和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)277連接，并且被引出到ACM80的外側(cè)。在不與ACF280重疊的區(qū)域，通過(guò)接觸孔231與共用配線215連接。由此，也能夠防止在熱壓接時(shí)壓力經(jīng)由導(dǎo)電性微珠281被施加到接觸孔231內(nèi)的膜厚較薄的部分的外部連接端子對(duì)1。由于接觸孔231只要不同時(shí)與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)276和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)277以及 ACF280這兩者重疊即可，所以如圖10所示，外部連接端子M1，可以通過(guò)只與ACF280重疊的接觸孔231與共用配線215連接。進(jìn)一步，如圖11所示，在與IC芯片275重疊的區(qū)域之中，在除了同時(shí)與信號(hào)輸入用凸點(diǎn)276和信號(hào)輸出用凸點(diǎn)277以及ACF280這兩者重疊的區(qū)域以外的區(qū)域設(shè)置接觸孔 231，在該區(qū)域中，可以將外部連接端子241和共用配線215連接。由此，由于能夠在與IC 芯片275重疊區(qū)域內(nèi)配置外部連接端子對(duì)1，所以能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的窄邊框化。(實(shí)施方式3)圖12是表示實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的邊框部(顯示區(qū)域外的外周部)的結(jié)構(gòu)
19的俯視示意圖。圖13是表示實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)部的截面示意圖， 圖13(a)是沿著圖12中的P-Q線的截面圖，圖13(b)是沿著圖12中的R-S線的截面圖。本實(shí)施方式的液晶顯示裝置300，如圖12、圖13(a)和(b)所示，具有將作為顯示裝置用基板的TFT基板311和作為外部連接部件的剛性FPC370在邊框部中通過(guò)ACF380連接的結(jié)構(gòu)。TFT基板311如圖13(a)和(b)所示，在邊框部中，在絕緣基板321上，具有從絕緣基板321側(cè)依次層疊有覆蓋膜322、半導(dǎo)體層323、柵極絕緣膜324、第一配線層361、層間絕緣膜351、第二配線層362、層間絕緣膜352、第三配線層363、透明導(dǎo)電層364的結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置300，除了 TFT基板311以外，還具有與TFT基板311相對(duì)配置的CF 基板。CF基板在絕緣基板上，從絕緣基板側(cè)依次具有(1)由遮光部件構(gòu)成的黑矩陣，紅、綠和藍(lán)的彩色濾光片；(2)覆蓋層；(3)由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的共用電極；和⑷取向膜。TFT基板311和CF基板的外周部，由呈框狀設(shè)置的密封材料密封，進(jìn)一步，在TFT基板311和CF 基板之間充填有液晶材料。剛性FPC370配置在比TFT基板311和CF基板相對(duì)的區(qū)域更靠近外側(cè)的TFT基板311上。剛性FPC370在基材372上形成有相互平行排列設(shè)置的多個(gè)配線371，該配線371 作為剛性FPC370的連接端子(連接部)起作用。在剛性FPC370上形成有構(gòu)成液晶控制器、 電源IC等的各種芯片和電阻、電容器等電子部件。在TFT基板311上形成與剛性FPC370的配線371對(duì)應(yīng)，相互平行地排列設(shè)置成一列的多個(gè)外部連接端子341。另外，在相鄰的外部連接端子341之間，設(shè)置有由與外部連接端子341相同層形成的上層配線313。上層配線313設(shè)置在不與剛性FPC370的配線371 重疊的區(qū)域。ACF380以覆蓋外部連接端子341的方式設(shè)置(圖12中的比粗虛線更上側(cè)的區(qū)域)。外部連接端子341，通過(guò)ACF380中的作為導(dǎo)電部件的導(dǎo)電性微珠(導(dǎo)電性微粒子)381，與剛性FPC370的配線371連接。外部連接端子341和上層配線313，用第三配線層363和透明導(dǎo)電層364的層疊體形成，通過(guò)設(shè)置在剛性FPC370的配線371和ACF380重疊區(qū)域外的引繞配線330連接。引繞配線330由第一配線層361和第二配線層362形成。更詳細(xì)地，引繞配線330的兩端部由第二配線層362形成，引繞配線330的一個(gè)端部，通過(guò)設(shè)置在層間絕緣膜352上的接觸孔 331，與形成在層間絕緣膜352的上層的外部連接端子341連接，引繞配線330的另一個(gè)端部，通過(guò)設(shè)置在層間絕緣膜352的接觸孔332，與形成在層間絕緣膜352的上層的上層配線 313連接。像這樣，引繞配線330的兩端部作為配線連接部起作用。接觸孔331，與位于TFT基板311的內(nèi)側(cè)的外部連接端子341的端部對(duì)應(yīng)，設(shè)置在同一軸上，并且設(shè)置在不與ACF380重疊的區(qū)域。另外，接觸孔331，配置在剛性FPC370的配線371和ACF380重疊的區(qū)域以外，外部連接端子341分別在配線371和ACF380相互重疊的區(qū)域以外與引繞配線330中的任一個(gè)連接。即，外部連接端子341與剛性FPC370的配線 371連接的部分(與導(dǎo)電性微珠381接觸的部分)，和與引繞配線330連接的部分(與引繞配線330的配線連接部接觸的部分)，設(shè)置在不同的位置。并且，與引繞配線330連接的部分，配置成不同時(shí)與剛性FPC370的配線371和ACF380這兩者重疊。接觸孔332，與位于TFT基板311的內(nèi)側(cè)的上層配線313的端部對(duì)應(yīng)，設(shè)置在同一軸上，并且設(shè)置在不與ACF380重疊的區(qū)域。另外，接觸孔332配置在剛性FPC370的配線 371和ACF380重疊的區(qū)域以外，上層配線313分別在配線371和ACF380重疊的區(qū)域以外與引繞配線330中的任一個(gè)連接。即，上層配線313與引繞配線330連接的部分，配置成不同時(shí)與配線371和ACF380這兩者重疊。另外，上層配線313，通過(guò)設(shè)置在層間絕緣膜352的接觸孔333，與形成在層間絕緣膜352的下層的作為下層配線的共用配線315中的任一個(gè)的配線連接部連接。共用配線315 沿著TFT基板311的外周、即外部連接端子341的排列方向(圖12中的左右方向)橫穿外部連接端子341的下方排列設(shè)置，與形成于TFT基板311的元件例如半導(dǎo)體元件、電容器、 電阻連接。上述半導(dǎo)體元件通常是晶體管，更詳細(xì)地，是TFT。上層配線313在俯視TFT基板311時(shí)與共用配線315大致正交。另外，共用配線315是傳遞信號(hào)的信號(hào)配線，共用配線 315的每一個(gè)都與兩個(gè)以上元件，例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻連接，供給共用的信號(hào)。由此，將從剛性FPC370供給的各種信號(hào)，通過(guò)外部連接端子341、引繞配線330、上層配線313 和共用配線315，傳遞給TFT基板311上的各元件，例如半導(dǎo)體元件、電容器、電阻。另外， 共用配線315，也可以與依次層疊有半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜和柵極電極的TFT的柵極電極連接。接觸孔333設(shè)置在與ACF380重疊的區(qū)域。但是，接觸孔333配置在剛性FPC370 的配線371和ACF380這兩者重疊的區(qū)域以外，上層配線313分別在配線371和ACF380重疊的區(qū)域以外與共用配線315中的任一個(gè)連接。即，上層配線313與共用配線315連接的部分，配置成不同時(shí)與剛性FPC370的配線371和ACF380這兩者重疊。在引繞配線330上，連接有設(shè)置在比外部連接端子341更靠近TFT基板311的內(nèi)側(cè)的ESD(靜電放電)保護(hù)電路345。進(jìn)一步，引繞配線330通過(guò)設(shè)置在層間絕緣膜352的接觸孔334，與由第二配線層362形成的共用配線316中的任一個(gè)連接。另外，ESD保護(hù)電路345與連接由第一配線層361形成的各個(gè)ESD電路的共用配線327連接。另外，ESD保護(hù)電路345，設(shè)置在與共用配線315和共用配線316等共用配線平行的同一軸上。引繞配線 330直到與ESD保護(hù)電路345連接的部分，由第一配線層361形成，作為高電阻區(qū)域339起作用。另外，在與TFT基板311的剛性FPC370重疊的區(qū)域，直接形成有含有TFT3^和引繞配線的電路塊346、347，并且在TFT基板311的比外部連接端子341更近內(nèi)側(cè)的位置直接形成有電路塊；348。在電路塊346、347、348內(nèi)，形成有源極驅(qū)動(dòng)器、柵極驅(qū)動(dòng)器和電源電路。TFT3^如圖13 (a)所示，含有半導(dǎo)體層323、柵極絕緣膜324、由第一配線層361構(gòu)成的柵極電極325，在半導(dǎo)體層323的源極/漏極區(qū)域，經(jīng)由貫穿層間絕緣膜351和柵極絕緣膜 324的接觸孔，與由第二配線層362構(gòu)成的源極/漏極配線3 連接。另外，由第二配線層362形成且將圖像信號(hào)傳輸給各像素的源極線326，從電路塊 348開(kāi)始延伸。另外，在TFT基板311上，設(shè)置有由第二配線層362形成且作為電源配線起作用的共用配線317、318，和由第三配線層363形成且作為電源配線起作用的共用配線319等。TFT基板311和剛性FPC370隔著ACF380被熱壓接，由此通過(guò)包含在ACF380中的導(dǎo)電性微珠381連接，并且通過(guò)由包含在ACF380中的熱硬化性樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接成分382固接。
外部連接端子341和與其對(duì)應(yīng)的剛性FPC370的配線371，熱壓接時(shí)隔著導(dǎo)電性微珠381被施加壓力。因此，在該被施加壓力的區(qū)域(配線371和導(dǎo)電性微珠381重疊的區(qū)域)，在假設(shè)設(shè)置有接觸孔331的情況下，在位于接觸孔331內(nèi)且通常膜厚變薄的部分的外部連接端子341也被施加壓力。其結(jié)果是，有可能在熱壓接時(shí)該部分的外部連接端子341 被壓壞，發(fā)生接觸不良。特別是在使用包含在ACF380中的導(dǎo)電性微珠381作為導(dǎo)電部件的情況下，有可能外部連接端子341被環(huán)狀切斷，頻繁地發(fā)生接觸不良。與之相對(duì)，在液晶顯示裝置300中，接觸孔331在俯視TFT基板311時(shí)配置在分別與剛性FPC370的配線371和導(dǎo)電性微珠381重疊的區(qū)域以外。因此，熱壓接時(shí)使導(dǎo)電性微珠381只與外部連接端子341的上表面比較厚的部分接觸，能夠防止熱壓接時(shí)在接觸孔331 內(nèi)的膜厚較薄部分的外部連接端子341隔著導(dǎo)電性微珠381被施加壓力。其結(jié)果是，能夠抑制起因于外部連接端子；341的壓壞，在TFT基板311和剛性FPC370之間發(fā)生接觸不良。另外，上層配線313設(shè)置在不與剛性FPC370的配線371重疊的區(qū)域，配置成不與配線371直接接觸。因此，即使在上層配線313上重疊有導(dǎo)電性微珠381 (ACF380)，熱壓接時(shí)也不會(huì)隔著導(dǎo)電性微珠381，在接觸孔333內(nèi)的膜厚較薄部分的上層配線313施加有壓力。另外，上層配線313通過(guò)引繞配線330的配線連接部與外部連接端子341電導(dǎo)通， 并且在俯視TFT基板311時(shí)與剛性FPC370重疊，且含有與構(gòu)成外部連接端子341的導(dǎo)電層相同的導(dǎo)電層。進(jìn)一步，上層配線313，通過(guò)層間絕緣膜352的接觸孔333，與作為下層配線的共用配線315連接。由此，在外部連接端子341和共用配線315之間的電通路(本實(shí)施方式中是引繞配線330)，能夠連接ESD保護(hù)電路345等各種電路。即，能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框化和TFT基板311的高功能化。例如，通過(guò)設(shè)置與外部連接端子341和上層配線313之間的電通路連接的ESD保護(hù)電路345，能夠抑制來(lái)自剛性FPC370的噪聲和由靜電放電導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的劣化和破壞，從剛性FPC370將信號(hào)供給到TFT基板311上的半導(dǎo)體元件。另外，在作為下層配線的共用配線315與TFT的柵極電極連接的情況下，由于通常膜厚較薄的柵極絕緣膜容易受到噪聲和靜電放電的影響，所以容易發(fā)生半導(dǎo)體元件的劣化和破壞。因此，在與外部連接端子341和上層配線313連接的共用配線315與TFT的柵極電極電導(dǎo)通的方式中，ESD保護(hù)電路345能夠特別有效地抑制半導(dǎo)體元件的劣化和破壞。共用配線315優(yōu)選分別與兩個(gè)以上半導(dǎo)體元件連接。上述半導(dǎo)體元件通常是晶體管，更詳細(xì)地，是TFT。另外，與共用配線315連接的TFT，可以是從絕緣基板側(cè)依次層疊有半導(dǎo)體層、 柵極絕緣膜和柵極電極的頂柵型，也可以是從絕緣基板側(cè)依次層疊有柵極電極、柵極絕緣膜和半導(dǎo)體層的背柵(底柵)型。另外，在作為電源配線起作用的共用配線317和共用配線318、共用配線319中，通常不需要連接ESD保護(hù)電路。另外，在液晶顯示裝置300中，上層配線313與共用配線315交叉。由此，能夠連接外部連接端子341和外部連接端子341下的任意共用配線315。進(jìn)一步，在液晶顯示裝置300中，上層配線313與共用配線315連接，并且，引繞配線330與共用配線316連接。即，在外部連接端子341和上層配線313之間的電通路中，連接有共用配線315、316之中的至少兩個(gè)配線。由此，能夠?qū)⑼娢坏男盘?hào)傳遞給多個(gè)共用配線 315,3160
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另外，與共用配線316交叉部分的引繞配線330，由比共用配線316更下層的第一配線層361形成。S卩，引繞配線330遍及兩層以上配線層形成，外部連接端子341和上層配線313經(jīng)由2層以上的連接層連接。由此，能夠?qū)⒃O(shè)置在引繞配線330的上層的配線316 用作共用配線。另外，接觸孔331、332、333、334的平面形狀并不做特別限定，另外，接觸孔331、 332可以只由一個(gè)孔形成，接觸孔333、334可以被分割為多個(gè)孔。另外，ESD保護(hù)電路345可以設(shè)置在比外部連接端子341更靠近TFT基板311的外周側(cè)。另外，實(shí)施方式3的液晶顯示裝置，能夠用與實(shí)施方式1的液晶顯示裝置相同的制造方法制作，所以省略對(duì)其制造方法的說(shuō)明。以上，用實(shí)施方式1 3對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但各實(shí)施方式在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以適當(dāng)組合。另外，在實(shí)施方式1 3中以液晶顯示裝置為例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也能夠適用于例如有機(jī)EL顯示器、等離子體顯示器、無(wú)機(jī)EL顯示器等，特別適用于具有排列了多個(gè)像素的顯示區(qū)域的顯示裝置。另外，形成在邊框部的電路塊(周邊電路)并不做特別限定，除了含有傳輸門(mén)、鎖存電路、定時(shí)發(fā)生器、基于電源電路等的逆變器等電路的驅(qū)動(dòng)器電路以外，還可以是緩沖電路、數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換電路(DAC電路)、移位寄存器、取樣存儲(chǔ)器等電路等。進(jìn)一步，作為外部連接部件，只要是主動(dòng)元件、被動(dòng)元件、集成安裝有被動(dòng)元件的組件、配線基板(電路基板)等被組合進(jìn)顯示裝置中的部件即可，并不做特別限定。作為主動(dòng)元件，可以列舉半導(dǎo)體集成電路(IC芯片)、大規(guī)模集成電路(LSI芯片)等半導(dǎo)體元件。作為被動(dòng)元件，可以列舉電阻、LED (Light Emitting Diode 發(fā)光二極管)、電容器、傳感器等。配線基板是在絕緣基板(基材)上或內(nèi)設(shè)置有配線的電子部件，例如PWB(Printed Wiring Board 印制電路板)、FPC基板等印刷基板和TCP(Tape Carrier Package 卷帶式封裝)等。另外，PWB也可以是被稱(chēng)為PCB (Printed Circuit Board:印制電路板)的部件。然后，作為導(dǎo)電部件，只要能夠?qū)FT基板等顯示裝置用基板和外部連接部件連接即可，并不做特別限定，除了各向異性導(dǎo)電膜和各向異性導(dǎo)電糊等各向異性導(dǎo)電材料所含的導(dǎo)電性微粒子(導(dǎo)電性微珠)以外，也可以用焊料(solder)。(比較方式1)圖14-1是表示比較方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖14-2 是表示比較方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的截面示意圖，是沿著圖14-1中的T-U 線的截面圖。本比較方式的液晶顯示裝置1100，如圖14-1、圖14_2所示，具有將作為顯示裝置用基板的TFT基板1111和作為外部連接部件的FPC基板1170在邊框部通過(guò)ACFl 180連接的結(jié)構(gòu)。FPC基板1170在基材1172上，形成相互平行排列設(shè)置的多個(gè)配線1171，該配線 1171作為FPC基板1170的連接端子(連接部)起作用。在TFT基板1111上，形成有與FPC基板1170的配線1171對(duì)應(yīng)，相互平行排列設(shè)置成一列的外部連接端子1141。
ACFl 180以覆蓋外部連接端子1141的方式設(shè)置。外部連接端子1141，通過(guò)ACFl 180 中的作為導(dǎo)電部件的導(dǎo)電性微珠(導(dǎo)電性微粒子)1181，與FPC基板1700的配線1171連接。外部連接端子1141，通過(guò)設(shè)置在層間絕緣膜1152的接觸孔1131，與位于形成在層間絕緣膜1152的下層的作為下層配線的共用配線1115的一個(gè)端部的配線連接部連接。共用配線1115沿著TFT基板1111的外周，從外部連接端子1141的下方延伸到?jīng)]有外部連接端子1141的TFT基板1111的其他邊框部，與形成于TFT基板1111的元件連接。上述半導(dǎo)體元件通常是晶體管，更詳細(xì)地，是TFT。共用配線1115在外部連接端子1141的下方，沿著外部連接端子1141的排列方向排列設(shè)置。然后，接觸孔1131與共用配線1115的延伸方向的共用配線1115的前端對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且設(shè)置在與ACF1180重疊的區(qū)域。另外，接觸孔1131配置在FPC基板1170的配線1171和ACF1180重疊的區(qū)域，外部連接端子1141分別在FPC基板1170的配線1171和 ACF1180重疊區(qū)域，與共用配線1115中的任一個(gè)連接。即，外部連接端子1141與FPC基板 1170的配線1171連接的部分(與導(dǎo)電性微珠1181接觸的部分)，和與共用配線1115連接的部分(與共用配線1115的配線連接部接觸的部分)重疊。并且，與共用配線1115連接的部分，配置成同時(shí)與FPC基板1170的配線1171和ACF1180這兩者重疊。TFT基板1111和FPC基板1170隔著ACF 1180被熱壓接，由此通過(guò)包含在ACFl 180 中的導(dǎo)電性微珠1181連接，并且通過(guò)由包含在ACF1180中的熱硬化性樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接成分1182固接。另外，外部連接端子1141和與其對(duì)應(yīng)的FPC基板1170的配線1171，在熱壓接時(shí)通過(guò)導(dǎo)電性微珠1181被施加壓力。另外，由于在該被施加壓力的區(qū)域(配線1171和導(dǎo)電性微珠1181重疊的區(qū)域)中存在接觸孔1131，所以在位于接觸孔1131內(nèi)，且通常膜厚變薄的部分的外部連接端子1141上，也施加有壓力。其結(jié)果是，在本比較方式的液晶顯示裝置中， 有可能在熱壓接時(shí)該部分的外部連接端子1141被壓壞，發(fā)生接觸不良。特別是在使用包含在ACF1180中的導(dǎo)電性微珠1181作為導(dǎo)電部件的情況下，有可能外部連接端子1141被環(huán)狀切斷，頻繁地發(fā)生接觸不良。圖15是表示比較方式1的液晶顯示裝置的邊框部的結(jié)構(gòu)的變形例的俯視示意圖。 在本變形例中，共用配線1115的配線連接部(共用配線1115的前端)，設(shè)定成比共用配線 1115的寬度大。另外，接觸孔1131也比上述比較方式的情況大。在當(dāng)前的量產(chǎn)化技術(shù)的水準(zhǔn)中，共用配線1115等配線組的配線寬度和配線間隔 (線和空間)的微細(xì)化，在使用干蝕刻的微細(xì)加工技術(shù)中，能夠到2 μ m程度。但是，在使用感光性有機(jī)絕緣膜作為設(shè)置在配線組的上層的層間絕緣膜1152而進(jìn)行光刻的情況下，4μπι 程度的微細(xì)加工是極限。因此，在該配線組上，為了形成用于連接外部連接端子1141的接觸孔1131，出于接觸孔1131的位置控制精度、接觸孔1131的微細(xì)加工精度的方面考慮，如圖15所示，需要形成比配線組的寬度大的接觸孔1131。另外，由于在配線組的延伸部分上配置有接觸孔1131，所以各共用配線1115間的距離B，變得比圖14-1所示情況的距離A大， 能夠配置在外部連接端子1141的下方的配線數(shù)減少。另外，本申請(qǐng)以2008年11月沈日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)2008-301159號(hào)為基礎(chǔ)， 基于巴黎條約或進(jìn)入國(guó)的法規(guī)，主張優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容被納入本申請(qǐng)中作為參照。
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附圖符號(hào)說(shuō)明100、200、300 液晶顯示裝置111、211、311 :TFT 基板112:配線(下層配線)115、215、315、316、317、318、319、327 共用配線121、221、321 絕緣基板122,322 底涂膜123,323 半導(dǎo)體層124,324 柵極絕緣膜125、325 柵極電極128,328 源極/漏極電極129、329 =TFT130、330:引繞配線131、132、133、231、331、332、333、334 接觸孔141、142、143、241、341 外部連接端子146、346、347、348 電路塊151、152、252、351、352 層間絕緣膜161,361 第一配線層162、262、362 第二配線層163、263、363 第三配線層164J64、364 透明導(dǎo)電層170,270,370 (剛性)FPC170171、271、371 配線(FPC 的配線)172、272、372 基材175、275:IC 芯片176、276:信號(hào)輸入用凸點(diǎn)177、277:信號(hào)輸出用凸點(diǎn)180、280、380 =ACF181、281、381 導(dǎo)電性微珠(導(dǎo)電性微粒子)182、,282,382 粘接成分
255密封材料
256感光間隔物
257絕緣膜
258玻璃纖維
265像素電極
266下層導(dǎo)電膜
267上層導(dǎo)電膜
313上層配線
326源極線
339 高電阻區(qū)域345 ESD (靜電放電)保護(hù)電路
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置包括具有外部連接端子和通過(guò)所述外部連接端子的下方的下層配線的顯示裝置用基板；外部連接部件；和將所述顯示裝置用基板和所述外部連接部件電導(dǎo)通的導(dǎo)電部件，所述外部連接部件具有經(jīng)由所述導(dǎo)電部件與所述外部連接端子連接的連接部， 所述顯示裝置用基板還具有形成在所述外部連接端子的下層的層間絕緣膜；和形成在所述層間絕緣膜的下層并且通過(guò)所述層間絕緣膜的第一連接孔與所述外部連接端子連接的配線連接部，所述第一連接孔在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)配置在所述連接部和所述導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域以外。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置用基板還具有上層配線，該上層配線經(jīng)由所述配線連接部與所述外部連接端子電導(dǎo)通且在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)與所述外部連接部件重疊，并且包括與構(gòu)成所述外部連接端子的導(dǎo)電層相同的導(dǎo)電層，所述上層配線通過(guò)所述層間絕緣膜的第二連接孔與所述下層配線連接， 所述第二連接孔在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)配置在所述連接部和所述導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域以外。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置用基板還具有與所述外部連接端子和所述上層配線之間的電通路連接的靜電放電保護(hù)電路。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置用基板還具有依次層疊有半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜和柵極電極的薄膜晶體管，所述下層配線與所述柵極電極電導(dǎo)通。
5.如權(quán)利要求2至4中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述顯示裝置用基板具有包括所述下層配線的多個(gè)共用配線。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于 所述上層配線與所述多個(gè)共用配線交叉。
7.如權(quán)利要求5或6所述的顯示裝置，其特征在于在所述外部連接端子和所述上層配線之間的電通路上，連接有所述多個(gè)共用配線中的至少兩個(gè)配線。
8.如權(quán)利要求2至7中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述外部連接端子和所述上層配線經(jīng)由兩層以上的配線層連接。
9.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于 所述顯示裝置還具有將顯示元件密封的密封材料。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于所述第一連接孔在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)配置在所述連接部和所述導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域與所述密封材料之間。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于所述第一連接孔在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)配置在比所述密封材料靠近所述顯示裝置用基板的內(nèi)側(cè)的位置。
12.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于所述第一連接孔在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)與所述密封材料重疊。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置用基板還具有形成在所述密封材料內(nèi)的感光間隔物。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置用基板還具有形成在所述密封材料的下方的絕緣膜。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于所述絕緣膜配置在所述密封材料的大致所有區(qū)域的下方。
16.如權(quán)利要求1至15中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電部件包括導(dǎo)電性微粒子。
17.如權(quán)利要求1至16中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置用基板具有多個(gè)所述第一連接孔、多個(gè)所述外部連接端子、多個(gè)所述配線連接部和多個(gè)所述下層配線，所述多個(gè)下層配線在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)橫穿所述多個(gè)外部連接端子而并行， 并且從外側(cè)的下層配線依次相對(duì)于延伸方向向同一方向一側(cè)彎曲，所述多個(gè)配線連接部的每個(gè)配線連接部是所述多個(gè)下層配線中的任一個(gè)的彎曲的前端的部分。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于所述多個(gè)第一連接孔在俯視所述顯示裝置用基板時(shí)設(shè)置在同一直線上。
19.一種顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置包括具有外部連接端子和通過(guò)所述外部連接端子的下方的下層配線的顯示裝置用基板；和第一外部連接部件和第二外部連接部件，所述第一外部連接部件和所述第二外部連接部件經(jīng)由所述下層配線連接，并且沿著所述顯示裝置用基板的外周并列配置。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠防止接觸不良并且窄邊框化的顯示裝置。本發(fā)明是一種顯示裝置，其包括具有外部連接端子和通過(guò)上述外部連接端子的下方的下層配線的顯示裝置用基板；外部連接部件；和將上述顯示裝置用基板和上述外部連接部件電導(dǎo)通的導(dǎo)電部件，上述外部連接部件具有經(jīng)由上述導(dǎo)電部件與上述外部連接端子連接的連接部，上述顯示裝置用基板還具有形成在上述外部連接端子的下層的層間絕緣膜；和形成在上述層間絕緣膜的下層并且通過(guò)上述層間絕緣膜的第一連接孔與上述外部連接端子連接的配線連接部，上述第一連接孔在俯視上述顯示裝置用基板時(shí)配置在上述連接部和上述導(dǎo)電部件重疊的區(qū)域以外。
文檔編號(hào)G09F9/30GK102203841SQ20098014392
公開(kāi)日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2009年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月26日
發(fā)明者森脅弘幸 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社