專利名稱:液晶面板的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路,特別是涉及一種柵極線驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù):
目前,液晶面板由于低功率、低輻射等優(yōu)勢(shì),已廣為世人所接受。液晶面板的驅(qū)動(dòng) 主要是由一片薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制一片液晶玻璃內(nèi)各個(gè)液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度,由此 產(chǎn)生各種畫(huà)面。精確的說(shuō),薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路是由多條并列的柵極線(Gate Line),又稱 掃描線(Scan Line),與多條并列的數(shù)據(jù)線(Data Line),又稱信號(hào)線(Signal Line),相互 正交而形成一矩陣控制電路。在幀(Frame)更新時(shí),柵極線會(huì)逐一啟動(dòng),亦即饋入高電位, 然后接收一條柵極線上正交的多條數(shù)據(jù)線的信號(hào),以更新一條柵極線上所對(duì)應(yīng)的多個(gè)像 素。因此,為了控制每一個(gè)像素的信號(hào),多條柵極線的啟動(dòng)信號(hào)是互相錯(cuò)開(kāi)的。參考圖1,其為現(xiàn)有的液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中,驅(qū)動(dòng)芯片10包 括多個(gè)輸出部,如第一輸出部11、第二輸出部12與第三輸出部13 ;液晶面板20則包括多 個(gè)柵極線,如第一柵極線21、第二柵極線22與第三柵極線23。此外,液晶面板20上還有多 條與柵極線正交的數(shù)據(jù)線,因與本發(fā)明無(wú)直接關(guān)系而未示出。在現(xiàn)有技術(shù)中,每一條柵極線 均電性連接到一個(gè)輸出部,如圖1所示,第一輸出部11電性連接第一柵極線21、第二輸出 部12電性連接第二柵極線22且第三輸出部13電性連接第三柵極線23。接下來(lái)參考圖2, 其為現(xiàn)有的液晶面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖。圖中,由于驅(qū)動(dòng)芯片10依次從各個(gè)輸出端 口輸出啟動(dòng)電壓至柵極線;因此,第一柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第一時(shí)段T1呈現(xiàn)高電位的啟動(dòng)狀 態(tài)、第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第二時(shí)段T2呈現(xiàn)高電位的啟動(dòng)狀態(tài),且第三柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在 第三時(shí)段T3呈現(xiàn)高電位的啟動(dòng)狀態(tài)。然而,一個(gè)液晶面板具有動(dòng)輒數(shù)百條的柵極線,即使一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片具有數(shù)十個(gè)輸 出部,一個(gè)液晶面板仍需要數(shù)十個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)完成上述單調(diào)的逐一啟動(dòng)模式,以快速更新 屏幕上的幀來(lái)維持畫(huà)面的流暢。為了能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的各項(xiàng)問(wèn)題,本發(fā)明人基于多年研究開(kāi)發(fā)與諸多實(shí)務(wù)經(jīng) 驗(yàn),提出一種液晶面板的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,以作為改善上述缺點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)方式與依據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種液晶面板的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,以改進(jìn)現(xiàn)有 的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,進(jìn)而減少驅(qū)動(dòng)芯片的使用量。根據(jù)本發(fā)明的目的,提出一種柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其包括驅(qū)動(dòng)芯片,至少包括第一 輸出部及第二輸出部;液晶面板,至少包括第一柵極線、第二柵極線及第三柵極線;第一開(kāi) 關(guān)以及第二開(kāi)關(guān)。其中,第一柵極線的一端電性連接第一輸出部,另一端電性連接第一開(kāi)關(guān) 的控制端。第三柵極線的一端電性連接第二輸出部,另一端電性連接第二開(kāi)關(guān)的控制端。第 一開(kāi)關(guān)的輸入端電性連接工作電壓,第一開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接第二開(kāi)關(guān)的輸入端,第二 開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接接地點(diǎn)。第二柵極線的一端電性連接于第一開(kāi)關(guān)的輸出端與第二開(kāi)關(guān)的輸入端之間。此外,本發(fā)明的柵極線驅(qū)動(dòng)電路還可包括高電位穩(wěn)定電路及低電位穩(wěn)定電路,以 增進(jìn)本發(fā)明的第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的穩(wěn)定度。其中,高電位穩(wěn)定電路用以穩(wěn)定第二柵極線 的高電位信號(hào),而低電位穩(wěn)定電路用以穩(wěn)定第二柵極線的低電位信號(hào)。承上所述,根據(jù)本發(fā)明的液晶面板的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)此柵極線驅(qū)動(dòng)電路可用兩個(gè)輸出端口來(lái)驅(qū)動(dòng)三個(gè)柵極線,也可用三個(gè)輸出端 口來(lái)驅(qū)動(dòng)五個(gè)柵極線;依此類推,此柵極線驅(qū)動(dòng)電路僅需要現(xiàn)有的像素電路一半數(shù)量的輸 出部即可達(dá)成相同的功效,因此可節(jié)省一半數(shù)量的驅(qū)動(dòng)芯片。(2)此柵極線驅(qū)動(dòng)電路雖然需要增加多個(gè)薄膜晶體管開(kāi)關(guān),然而這些薄膜晶體管 開(kāi)關(guān)在液晶面板驅(qū)動(dòng)電路制造過(guò)程中可通過(guò)修改光罩圖樣而輕易達(dá)成,幾乎不增加額外成 本。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖;圖3為本發(fā)明的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本發(fā)明的柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖;圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖;圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖;圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路及電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖11為本發(fā)明一實(shí)施例的低電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖;圖12為本發(fā)明一實(shí)施例的高電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖;以及圖13為本發(fā)明一實(shí)施例的電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明10 驅(qū)動(dòng)芯片;34 第四開(kāi)關(guān);11 第一輸出部;311、321、331、341 晶體管開(kāi)關(guān);12 第二輸出部;41,411,412 高電位穩(wěn)定電路;13 第三輸出部;42、421、422 低電位穩(wěn)定電路;20 液晶面板;51 晶體管51 ;21 第一柵極線;52 晶體管52 ;22 第二柵極線;53 晶體管53 ;23 第三柵極線;54 電容54 ;24 第四柵極線;55 晶體管55 ;25 第五柵極線;56 晶體管56 ;31 第一開(kāi)關(guān);57 晶體管57 ;32 第二開(kāi)關(guān);58 晶體管58 ;
33第三開(kāi)關(guān);59晶體管59 ;
60晶體管60 ;P2 第二不穩(wěn)定區(qū)段
61第一控制端;T1 第一時(shí)段;
62第二控制端;T2 第二時(shí)段;
63輸入端;T3 第三時(shí)段;
64輸出端;T4:第四時(shí)段;
65電容65 ;T5 第五時(shí)段;以及
P1第一不穩(wěn)定區(qū)段;Vdd 工作電壓。
具體實(shí)施例方式以下將參照相關(guān)附圖,說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的液晶面板的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例, 為了便于理解,下述實(shí)施例中的相同元件以相同的附圖標(biāo)記來(lái)說(shuō)明。參閱圖3,其為本發(fā)明的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中,柵極線驅(qū)動(dòng)電路包 括驅(qū)動(dòng)芯片10,至少包括第一輸出部11及第二輸出部12 ;液晶面板20,至少包括第一柵 極線21、第二柵極線22及第三柵極線23 ;第一開(kāi)關(guān)31以及第二開(kāi)關(guān)32。第一柵極線21的 一端電性連接第一輸出部11,另一端電性連接第一開(kāi)關(guān)31的控制端。第三柵極線23的一 端電性連接第二輸出部12,另一端電性連接第二開(kāi)關(guān)32的控制端。第一開(kāi)關(guān)31的一輸入 端電性連接工作電壓Vdd,第一開(kāi)關(guān)31的一輸出端電性連接第二開(kāi)關(guān)32的一輸入端,第二 開(kāi)關(guān)32的一輸出端電性連接接地點(diǎn)。第二柵極線22的一端則電性連接于第一開(kāi)關(guān)31的 輸出端與第二開(kāi)關(guān)32的輸入端之間。繼續(xù)參閱圖4,其為本發(fā)明的柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖。圖中,當(dāng)?shù)谝惠敵霾?11在第一時(shí)段T1輸出啟動(dòng)電壓至第一柵極線21時(shí),第一柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電位狀態(tài)。 此時(shí),由于第一開(kāi)關(guān)31接收到來(lái)自第一柵極線21的高電位信號(hào),因而使第一開(kāi)關(guān)31的輸 入端與輸出端導(dǎo)通,進(jìn)而使第二柵極線22的一端電性連接到工作電壓Vdd。此時(shí),由于第二 輸出部12僅提供第三柵極線23 —低電位信號(hào),因此第二開(kāi)關(guān)32處于不導(dǎo)通狀態(tài)。于是, 第一柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第一時(shí)段T1內(nèi)均為高電位狀態(tài)。接下來(lái),在 第二時(shí)段T2時(shí),第一輸出部11提供低電位信號(hào)給第一柵極線21因而導(dǎo)致第一開(kāi)關(guān)31不 導(dǎo)通,而第二開(kāi)關(guān)32也仍處于不導(dǎo)通狀態(tài),因此第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第二時(shí)段T2內(nèi)仍處 于高電位狀態(tài)。最后,當(dāng)?shù)诙敵霾?2在第三時(shí)段T3輸出啟動(dòng)電壓至第三柵極線23時(shí), 第三柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電位狀態(tài)。此時(shí),由于第二開(kāi)關(guān)32接收到來(lái)自第三柵極線23的 高電位信號(hào),因而使第二開(kāi)關(guān)32的輸入端與輸出端導(dǎo)通,進(jìn)而使第二柵極線22的一端電性 連接到接地點(diǎn)。由此,即可利用第一開(kāi)關(guān)31與第二開(kāi)關(guān)32,來(lái)使第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第 二時(shí)段T2內(nèi)呈現(xiàn)高電位狀態(tài),并在第三時(shí)段T3時(shí)呈現(xiàn)低電位狀態(tài)。參考圖5,其為本發(fā)明一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中,第一開(kāi)關(guān) 311優(yōu)選為晶體管開(kāi)關(guān),為配合一般液晶面板驅(qū)動(dòng)電路的制造過(guò)程,晶體管開(kāi)關(guān)311優(yōu)選可 為場(chǎng)效晶體管(FET)開(kāi)關(guān),尤其可為薄膜晶體管(TFT FET)開(kāi)關(guān)。由此,晶體管開(kāi)關(guān)311 的實(shí)現(xiàn)手段可為簡(jiǎn)單修改原液晶面板驅(qū)動(dòng)電路的光罩圖樣,因而幾乎不增加額外的材料成 本。此外,由于晶體管開(kāi)關(guān)311僅作為開(kāi)關(guān)使用,因此不必刻意區(qū)分源極(Source)與漏極 (Drain)的組成成分。同理,第二開(kāi)關(guān)321也可為晶體管開(kāi)關(guān)。
承上所述,此柵極線驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)在于當(dāng)?shù)谝粬艠O線21所對(duì)應(yīng)的像素接收多 條數(shù)據(jù)線的信號(hào)以進(jìn)行更新時(shí),這些信號(hào)會(huì)在第一時(shí)段T1內(nèi)誤植到第二柵極線22所對(duì)應(yīng) 的像素內(nèi);然后于第二時(shí)段T2時(shí)再更新為正確的像素?cái)?shù)據(jù)。然而,由于像素?cái)?shù)據(jù)更新的速 度極快,此一負(fù)面影響幾乎不可被肉眼所察覺(jué),因而可以忽略不計(jì)。而此柵極線驅(qū)動(dòng)電路在 驅(qū)動(dòng)一整塊液晶面板20的數(shù)百條柵極線時(shí),卻可以節(jié)省下幾乎一半的輸出部,亦即僅需幾 乎一半數(shù)量的驅(qū)動(dòng)芯片10即可達(dá)成與習(xí)知技術(shù)相同的效果,茲詳述如下。請(qǐng)參考第6圖,其為本發(fā)明另一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中,第 一輸出部11與第二輸出端口 12驅(qū)動(dòng)第一柵極線21與第三柵極線23的方式,以及通過(guò)第 一開(kāi)關(guān)31與第二開(kāi)關(guān)32來(lái)控制第二柵極線22的方式,已詳述于前,在此不予贅述。請(qǐng)繼 續(xù)參考第7圖,當(dāng)?shù)诙敵霾?2于第三時(shí)段T3輸出一啟動(dòng)電壓予第三柵極線23時(shí),第三 柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電位狀態(tài)。此時(shí),由于第三開(kāi)關(guān)33接收到來(lái)自第三柵極線23的高電 位信號(hào),因而使第三開(kāi)關(guān)33的輸入端與輸出端導(dǎo)通,進(jìn)而使第四柵極線24 —端電性連接到 工作電壓Vdd。此時(shí),由于第三輸出部13僅提供第五柵極線25 —低電位信號(hào),因此第四開(kāi) 關(guān)34處于不導(dǎo)通狀態(tài)。于是,第三柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)與第四柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第三時(shí)段T3 內(nèi)皆為高電位狀態(tài)。接下來(lái),在第四時(shí)段T4時(shí),第二輸出部12提供低電位信號(hào)給第三柵極 線23因而導(dǎo)致第三開(kāi)關(guān)33不導(dǎo)通,而第四開(kāi)關(guān)34亦仍處于不導(dǎo)通狀態(tài),因此第四柵極線 驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第四時(shí)段T4內(nèi)仍處于高電位狀態(tài)。最后,當(dāng)?shù)谌敵霾?3于第五時(shí)段T5輸出 一啟動(dòng)電壓予第五柵極線25時(shí),第五柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電位狀態(tài)。此時(shí),由于第四開(kāi)關(guān) 34接收到來(lái)自第五柵極線25的高電位信號(hào),因而使第四開(kāi)關(guān)34的輸入端與輸出端導(dǎo)通, 進(jìn)而使第四柵極線24的一端電性連接到接地點(diǎn)。由此,即可利用第三開(kāi)關(guān)33與第四開(kāi)關(guān) 34,來(lái)使第四柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第四時(shí)段T4內(nèi)呈現(xiàn)高電位狀態(tài),并在第五時(shí)段T5時(shí)呈現(xiàn)低 電位狀態(tài)。承上所述,由圖中可以看出,此柵極線驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)在于當(dāng)?shù)谝粬艠O線21與第 三柵極線23所對(duì)應(yīng)的像素接收多條數(shù)據(jù)線的信號(hào)以進(jìn)行更新時(shí),這些信號(hào)會(huì)在第一時(shí)段 T1內(nèi)誤植到第二柵極線22所對(duì)應(yīng)的像素內(nèi),并在第三時(shí)段T3內(nèi)誤植到第四柵極線24所對(duì) 應(yīng)的像素內(nèi);然后分別在第二時(shí)段T2與第四時(shí)段T4時(shí)再更新為正確的像素?cái)?shù)據(jù)。然而,由 于像素?cái)?shù)據(jù)更新的速度極快,這一負(fù)面影響幾乎不可被肉眼所察覺(jué),因而可以忽略不計(jì)。而 此柵極線驅(qū)動(dòng)電路可利用3個(gè)輸出端口來(lái)驅(qū)動(dòng)5個(gè)柵極線,亦即僅需幾乎一半數(shù)量的驅(qū)動(dòng) 芯片10即可達(dá)成與現(xiàn)有技術(shù)相同的效果。接下來(lái),參考圖8,其為本發(fā)明又一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中, 第一開(kāi)關(guān)311優(yōu)選可為晶體管開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)321優(yōu)選可為晶體管開(kāi)關(guān)、第三開(kāi)關(guān)331優(yōu)選 可為晶體管開(kāi)關(guān),而第四開(kāi)關(guān)341也可優(yōu)選為晶體管開(kāi)關(guān)。其中,晶體管開(kāi)關(guān)321與晶體管 開(kāi)關(guān)331可利用同一條導(dǎo)線驅(qū)動(dòng)。參考圖9,其為本發(fā)明另一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的信號(hào)波形圖。由于第二柵極 線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第二時(shí)段T2內(nèi),與工作電壓Vdd及接地點(diǎn)均通過(guò)第一開(kāi)關(guān)31與第二開(kāi)關(guān)32 進(jìn)行電性隔離。因此,第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第二時(shí)段T2內(nèi)會(huì)呈現(xiàn)不穩(wěn)定的高電位,如第 一不穩(wěn)定區(qū)段P1所示;此外,雖然第二柵極線驅(qū)動(dòng)信號(hào)在第三時(shí)段T3時(shí)已經(jīng)通過(guò)第二開(kāi)關(guān) 32電性連接到接地點(diǎn),但是仍可能因?yàn)榈诙_(kāi)關(guān)32受到電磁干擾而產(chǎn)生浮動(dòng)接地等現(xiàn)象, 如第二不穩(wěn)定區(qū)段P2所示。因此,為解決信號(hào)不穩(wěn)定問(wèn)題,本發(fā)明提出解決方法如下。
參考圖10,其為本發(fā)明一實(shí)施例的柵極線驅(qū)動(dòng)電路及電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意 圖。圖中,本發(fā)明另提出一高電位穩(wěn)定電路41與一低電位穩(wěn)定電路42,以解決第一不穩(wěn)定 區(qū)段P1與第二不穩(wěn)定區(qū)段P2的電位浮動(dòng)現(xiàn)象。為方便解釋,圖中省略驅(qū)動(dòng)芯片及其輸出 端口的圖示。其中,高電位穩(wěn)定電路41可簡(jiǎn)單地由薄膜晶體管開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn),此薄膜晶體管 開(kāi)關(guān)的控制端可電性連接于第一開(kāi)關(guān)31的輸出端,而此薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的輸入端則電性 連接于工作電壓Vdd,且此薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接于第二柵極線22。由此,當(dāng)?shù)?一柵極線21在第二時(shí)段T2內(nèi)呈現(xiàn)低電位狀態(tài)而導(dǎo)致第一開(kāi)關(guān)31關(guān)閉時(shí),由于第二柵極線 22仍處于高電位狀態(tài)而觸發(fā)高電位穩(wěn)定電路41,進(jìn)而使得第二柵極線22與工作電壓Vdd 通過(guò)高電位穩(wěn)定電路41的輸出端與輸出端而電性連接。因此,第二柵極線22在第二時(shí)段 T2的高電位狀態(tài)可得到工作電壓Vdd的補(bǔ)充而避免浮動(dòng)。同理,低電位穩(wěn)定電路42優(yōu)選可為薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān)。此薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān) 的輸入端63電性連接于第二柵極線22,此薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān)的輸出端64電性連接于接 地點(diǎn),然后此薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān)的第一控制端61電性連接于第二柵極線22,此薄膜晶體 管邏輯開(kāi)關(guān)的第二控制端62則電性連接于第三柵極線23。由此,當(dāng)?shù)诙艠O線22的信號(hào) 為邏輯低電位且第三柵極線23的信號(hào)為邏輯高電位時(shí),亦即第三時(shí)段T3時(shí),此薄膜晶體管 邏輯開(kāi)關(guān)的輸入端63與輸出端64導(dǎo)通,而將第二柵極線22電性連接到接地點(diǎn),以消除第 二不穩(wěn)定區(qū)段P2。接下來(lái),為求周詳,本發(fā)明在一實(shí)施例中提供一種薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān)的詳細(xì)結(jié) 構(gòu)如下。參考圖11,其為本發(fā)明一實(shí)施例的低電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖。為方便解釋, 圖中僅示出第二柵極線22、第三柵極線23與低電位穩(wěn)定電路421。其中,低電位穩(wěn)定電路 421包括晶體管51、晶體管52、晶體管53及電容54。其詳細(xì)連接關(guān)系如圖11所示,在此不 再贅述?,F(xiàn)解釋其工作方式如下,在第二時(shí)段T2時(shí),第二柵極線22處于高電位而第三柵極 線23處于低電位。此時(shí),晶體管51因?yàn)榈诙艠O線22而導(dǎo)通且晶體管52因?yàn)榈谌龞艠O 線23不導(dǎo)通,進(jìn)而導(dǎo)致晶體管53不導(dǎo)通,因此第二柵極線22在第二時(shí)段T2時(shí),仍維持高 電位狀態(tài),不會(huì)因?yàn)榈碗娢环€(wěn)定電路421而產(chǎn)生負(fù)面影響。在第三時(shí)段T3時(shí),第二柵極線 22處于低電位而第三柵極線23處于高電位。此時(shí),晶體管51因?yàn)榈诙艠O線22而不導(dǎo) 通,晶體管52因?yàn)榈谌龞艠O線23而導(dǎo)通,進(jìn)而將第三柵極線23的高電位饋入晶體管53的 柵極以導(dǎo)通之。由此,第二柵極線22通過(guò)晶體管53電性連接到接地點(diǎn),以解決第二不穩(wěn)定 區(qū)段P2的電位浮動(dòng)現(xiàn)象。當(dāng)然,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員,可基于上述的詳細(xì)結(jié)構(gòu)而輕易推知 其它種類結(jié)構(gòu)的低電位穩(wěn)定電路42,而不脫離本發(fā)明的精神。接下來(lái),為了確認(rèn)高電位穩(wěn)定電路41與低電位穩(wěn)定電路42可共存而不產(chǎn)生拮抗。 本發(fā)明在一實(shí)施例中提出電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖12所示。圖中,各構(gòu)件的連接 關(guān)系及局部工作方式已經(jīng)在前面詳細(xì)描述,在此不再贅述。僅描述實(shí)際工作狀態(tài)如下在第 一時(shí)段T1時(shí),第一柵極線21處于高電位而導(dǎo)致晶體管開(kāi)關(guān)311導(dǎo)通,第三柵極線23處于 低電位而導(dǎo)致晶體管開(kāi)關(guān)321不導(dǎo)通,此時(shí)高電位穩(wěn)定電路411導(dǎo)通而低電位穩(wěn)定電路421 不導(dǎo)通。在第二時(shí)段T2時(shí),第一柵極線21與第三柵極線23均處于低電位而導(dǎo)致晶體管開(kāi) 關(guān)311與晶體管開(kāi)關(guān)321不導(dǎo)通,然而由于第二柵極線22仍處于高電位狀態(tài)而導(dǎo)致高電位 穩(wěn)定電路411導(dǎo)通。在第三時(shí)段T3時(shí),由于晶體管開(kāi)關(guān)321導(dǎo)通而將第二柵極線22的電位 往下拉,導(dǎo)致高電位穩(wěn)定電路411的柵極驅(qū)動(dòng)電壓不足而關(guān)閉,因此高電位穩(wěn)定電路411不導(dǎo)通高電位而低電位穩(wěn)定電路421則導(dǎo)通低電位。最后,本發(fā)明還在一實(shí)施例中提出另一 種電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示意圖,參考圖13,其為本發(fā)明一實(shí)施例的電位穩(wěn)定電路的結(jié)構(gòu)示 意圖。該電位穩(wěn)定電路包括一高電位穩(wěn)定電路412及一低電位穩(wěn)定電路422。該高電位穩(wěn) 定電路412包括晶體管55及晶體管56 ;該低電位穩(wěn)定電路422包括晶體管57、晶體管58、 晶體管59、晶體管60及電容65。其中晶體管55的輸入端與控制端均電性連結(jié)于第一柵極 線21,晶體管55的輸出端則電性連結(jié)于晶體管57的輸入端、晶體管56的控制端與第二柵 極線22。晶體管56的輸入端電性連接于工作電壓Vdd,晶體管56的輸出端則電性連接于 第二柵極線22。晶體管57、晶體管58與晶體管60的輸出端接地。晶體管57與晶體管60 的控制端、晶體管58的輸入端與晶體管59的輸出端均電性連接于電容65的一端,電容65 的另一端則接地。晶體管57與晶體管60的輸入端電性連接于第二柵極線22,晶體管59的 控制端與輸入端則電性連接于第三柵極線23。承上所述,現(xiàn)解釋其穩(wěn)定電位的工作方式如下在第一時(shí)段T1時(shí),第一柵極線21 處于高電位而導(dǎo)致晶體管開(kāi)關(guān)311導(dǎo)通,第三柵極線23處于低電位而導(dǎo)致晶體管開(kāi)關(guān)321 不導(dǎo)通。此時(shí),晶體管55與晶體管56均導(dǎo)通而導(dǎo)致第二柵極線22處于高電位。與此同時(shí), 由于第二柵極線22處于高電位,晶體管58導(dǎo)通;且由于第三柵極線23處于低電位,晶體管 59不導(dǎo)通。因此,晶體管58將接地電壓傳遞到晶體管57與晶體管60的控制端;進(jìn)而導(dǎo)致 晶體管57與晶體管60不導(dǎo)通。在第二時(shí)段T2時(shí),第一柵極線21與第三柵極線23均處于 低電位,然而由于第二柵極線22仍處于高電位狀態(tài)而導(dǎo)致晶體管56導(dǎo)通,進(jìn)而使第二柵極 線22在第二時(shí)段T2時(shí)仍穩(wěn)定地維持在高電位狀態(tài)。在第三時(shí)段T3時(shí),第三柵極線23處 于高電位,因而導(dǎo)致晶體管59導(dǎo)通;晶體管59導(dǎo)通后,晶體管57與晶體管60也跟著導(dǎo)通, 其中電容65的目的為穩(wěn)定第三柵極線23的高電位。此時(shí),晶體管57與晶體管60將第二 柵極線22的電位往下拉,導(dǎo)致晶體管56的柵極驅(qū)動(dòng)電壓不足而關(guān)閉,因此高電位穩(wěn)定電路 412不導(dǎo)通高電位而低電位穩(wěn)定電路422則導(dǎo)通低電位。以上所述僅為示例性,而非為限制性的。任何未脫離本發(fā)明的精神與范圍,而對(duì)其 進(jìn)行的等效修改或變更,均應(yīng)包括于所附的權(quán)利要求書(shū)的范圍中。
權(quán)利要求
一種柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其包括驅(qū)動(dòng)芯片,至少包括第一輸出部及第二輸出部;液晶面板,至少包括第一柵極線、第二柵極線及第三柵極線;第一開(kāi)關(guān);以及第二開(kāi)關(guān);其中,所述第一柵極線的一端電性連接所述第一輸出部,另一端電性連接所述第一開(kāi)關(guān)的控制端,而所述第三柵極線的一端電性連接所述第二輸出部,另一端電性連接所述第二開(kāi)關(guān)的控制端,而所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端電性連接工作電壓,所述第一開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接所述第二開(kāi)關(guān)的輸入端,所述第二開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接接地點(diǎn),而所述第二柵極線的一端電性連接于所述第一開(kāi)關(guān)的所述輸出端與所述第二開(kāi)關(guān)的所述輸入端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第一開(kāi)關(guān)為薄膜晶體管開(kāi)關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其中所述第二開(kāi)關(guān)為薄膜晶體管開(kāi)關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,還包括高電位穩(wěn)定電路,以穩(wěn)定所述第二 柵極線的高電位信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其中所述高電位穩(wěn)定電路可為薄膜晶體管 開(kāi)關(guān),所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的控制端電性連接于所述第一開(kāi)關(guān)的所述輸出端,而所述薄膜 晶體管開(kāi)關(guān)的輸入端電性連接于所述工作電壓,所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接于 所述第二柵極線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,還包括低電位穩(wěn)定電路,以穩(wěn)定所述第二 柵極線的低電位信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其中所述低電位穩(wěn)定電路可為薄膜晶體管 邏輯開(kāi)關(guān),所述薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān)的輸入端電性連接于所述第二柵極線,所述薄膜晶體 管邏輯開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接于所述接地點(diǎn),所述薄膜晶體管邏輯開(kāi)關(guān)的控制端電性連接 于所述第三柵極線。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種柵極線驅(qū)動(dòng)電路,其包括驅(qū)動(dòng)芯片,至少包括第一輸出部及第二輸出部;液晶面板,至少包括第一柵極線、第二柵極線及第三柵極線;第一開(kāi)關(guān)以及第二開(kāi)關(guān)。第一柵極線的一端電性連接第一輸出部,另一端電性連接第一開(kāi)關(guān)的控制端。第三柵極線的一端電性連接第二輸出部,另一端電性連接第二開(kāi)關(guān)的控制端。第一開(kāi)關(guān)的輸入端電性連接工作電壓,第一開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接第二開(kāi)關(guān)的輸入端,第二開(kāi)關(guān)的輸出端電性連接接地點(diǎn)。第二柵極線的一端電性連接于第一開(kāi)關(guān)的輸出端與第二開(kāi)關(guān)的輸入端之間。
文檔編號(hào)G09G3/36GK101989412SQ20091016509
公開(kāi)日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者王宏仁, 陳彥州 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司