專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種能夠通過(guò)準(zhǔn)確提取驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓來(lái)提高顯示質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
近來(lái)已經(jīng)開發(fā)出其重量和尺寸均小于陰極射線管的各種平板顯示器。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示板(PDP)以及電致發(fā)光器件。 因?yàn)镻DP具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，并且可通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝制造，所以PDP被認(rèn)為是在具有諸如重量輕和外形薄的特點(diǎn)的同時(shí)提供大尺寸屏幕的顯示設(shè)備。然而，PDP具有諸如發(fā)光效率低、亮度低以及功耗高的缺點(diǎn)。使用TFT作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)LCD是應(yīng)用最為廣泛的平板顯示器。但是，由于TFT LCD不是一種自發(fā)射顯示器，因此TFT LCD具有較窄的視角和較低的響應(yīng)速度。依據(jù)發(fā)射層的材料，電致發(fā)光器件分為無(wú)機(jī)發(fā)光二極管顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。由于OLED顯示器是自發(fā)射顯示器，因此OLED顯示器具有諸如響應(yīng)速度快、發(fā)光效率高、亮度高以及視角寬的特點(diǎn)。 如圖1所示，OLED顯示器包括有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管包括陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)化合物層。有機(jī)化合物層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)射層EML、電子傳輸層ETL以及電子注入層EIL。 當(dāng)對(duì)陽(yáng)極與陰極施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，穿過(guò)空穴傳輸層HTL的空穴和穿過(guò)電子傳輸層ETL的電子移動(dòng)到發(fā)射層EML，并且形成激子。因此，發(fā)射層EML生成可見(jiàn)光。
在OLED顯示器中，各包括上述有機(jī)發(fā)光二極管的像素以矩陣形式排列，并且由掃描脈沖選擇的像素的亮度受視頻數(shù)據(jù)的灰度級(jí)控制。在OLED顯示器中，像素是通過(guò)選擇性地導(dǎo)通用作有源元件的TFT來(lái)選擇的，并且因存儲(chǔ)電容器的充電電壓而保持在發(fā)光狀態(tài)。
圖2是相關(guān)技術(shù)OLED顯示器中的像素的等效電路圖。 如圖2所示，相關(guān)技術(shù)有源矩陣型0LED顯示器的各像素包括有機(jī)發(fā)光二極管0LED、數(shù)據(jù)線DL、與所述數(shù)據(jù)線DL相交叉的選通線GL、開關(guān)TFT SW、驅(qū)動(dòng)TFT DR以及存儲(chǔ)電容器Cst。開關(guān)TFT SW和驅(qū)動(dòng)TFT DR中的每一個(gè)可被實(shí)施為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。 當(dāng)響應(yīng)于從選通線GL接收到的掃描脈沖而導(dǎo)通開關(guān)TFT SW時(shí)，接通了開關(guān)TFTSW的源極與漏極之間的電流通路。在開關(guān)TFT SW的導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)，將從數(shù)據(jù)線DL接收到的數(shù)據(jù)電壓施加于驅(qū)動(dòng)TFT DR的柵極和存儲(chǔ)電容器Cst。 驅(qū)動(dòng)TFT DR根據(jù)該驅(qū)動(dòng)TFT DR的柵極與源極之間的電壓差來(lái)控制在有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流動(dòng)的電流。 存儲(chǔ)電容器Cst存儲(chǔ)施加在該存儲(chǔ)電容器Cst —側(cè)的電極上的數(shù)據(jù)電壓，由此使
得施加在驅(qū)動(dòng)TFT DR的柵極上的數(shù)據(jù)電壓在1幀時(shí)段期間保持不變。 有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有如圖1中所示的結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光二極管OLED連接在驅(qū)
4動(dòng)TFT DR的源極與高電位驅(qū)動(dòng)電壓源VDD之間。 圖2所示的像素的亮度與在該有機(jī)發(fā)光二極管0LED中流動(dòng)的電流成正比，如下述等式1中所示。在有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流動(dòng)的電流可通過(guò)驅(qū)動(dòng)TFT DR的柵極與源極之間的電壓差和驅(qū)動(dòng)TFT DR的閾值電壓來(lái)確定。
[等式l] 在上述等式l中，Ioled表示有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流，k是由驅(qū)動(dòng)TFT DR的遷移率和寄生電容決定的常量，Vgs是驅(qū)動(dòng)TFT DR的柵電壓Vg與源電壓Vs之間的電壓差，并且Vth是驅(qū)動(dòng)TFT DR的閾值電壓。 如上述等式1所示，所述有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流Ioled受到驅(qū)動(dòng)TFT DR的閾值電壓Vth的很大影響。 在OLED顯示器中，像素亮度的不均勻性通常是由包括閾值電壓的驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的差異所引起的。驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的差異是由顯示板的背板所引起的。在使用低溫多晶硅(LTPS)背板的顯示板中，驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的差異是由準(zhǔn)分子激光退火(ELA)工藝所引起的。另一方面，在使用非晶硅(a-Si)背板的顯示板中，驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的差異并非由工藝引起，而是由驅(qū)動(dòng)TFT的劣化水平之間的差異所引起的。劣化水平之間的差異是因驅(qū)動(dòng)TFT的柵極的柵偏壓應(yīng)力之間的差異而引起，并且柵偏壓應(yīng)力之間的差異造成了驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的差異。 當(dāng)對(duì)像素施加相同的數(shù)據(jù)時(shí)，在像素的有機(jī)發(fā)光二極管中流動(dòng)的電流之間，存在因驅(qū)動(dòng)TFT的電特性之間的差異而導(dǎo)致的差異。因此，提出了一種方法，所述方法包括以下步驟提取驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓，將提取到的閾值電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，并且將所存儲(chǔ)的閾值電壓反映在顯示數(shù)據(jù)中。如圖3所示，在相關(guān)技術(shù)的方法中，使用采樣和保持塊1、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 2以及存儲(chǔ)器3來(lái)提取驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓。響應(yīng)于采樣時(shí)鐘SC，對(duì)在同一水平線上的像素的閾值電壓Vthl至Vthk同時(shí)采樣，之后響應(yīng)于保持時(shí)鐘HC1至HCk，順次提取這些閾值電壓Vthl至Vthk。經(jīng)由采樣和保持塊1的公共輸出節(jié)點(diǎn)cno，將所提取的閾值電壓Vthl至Vthk輸入到ADC 2中，并且將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字值D1 Dk。之后，將該數(shù)字值Dl Dk存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器3中。采樣和保持塊1包括響應(yīng)于采樣時(shí)鐘SC而同時(shí)操作的多個(gè)采樣開關(guān)，和響應(yīng)于保持時(shí)鐘HC1至HCk而各自操作的多個(gè)保持開關(guān)。
如圖4所示，每次當(dāng)保持時(shí)鐘HC1至HCk的邏輯電平發(fā)生變化時(shí)，由于在開關(guān)和線路中存在的諸如寄生電容的影響，保持時(shí)鐘HCl至HCk的邏輯電平并不像由'a'所表示的那樣突變(critically change)，而是像'b'所表示的那樣漸變。因此，在用于提取所述閾值電壓的相關(guān)技術(shù)方法中，當(dāng)保持開關(guān)被接通或斷開時(shí)，相鄰像素的閾值電壓在所述相鄰像素的閾值電壓彼此部分交疊的狀態(tài)下被提取。也就是說(shuō)，產(chǎn)生了閾值電壓的交疊時(shí)段OVP。因?yàn)樵诮化B時(shí)段OVP中，相鄰像素的閾值電壓相混合，所以幾乎不能準(zhǔn)確地提取閾值電壓。
此外，由于在開關(guān)和線路中存在的寄生電容，在采樣和保持塊1的公共輸出節(jié)點(diǎn)cno處相繼輸出的閾值電壓之間會(huì)發(fā)生干擾。因?yàn)樵谙容敵龅拈撝惦妷旱碾姾煞至繗埩粼陂_關(guān)或線路中并起到寄生電容的作用，所以在先輸出的閾值電壓影響當(dāng)前輸出的閾值電
壓。由于提取閾值電壓的相關(guān)技術(shù)方法不執(zhí)行能夠?qū)埩綦姾煞至窟M(jìn)行放電的操作，因此幾乎不能準(zhǔn)確提取閾值電壓。
因此，在提取閾值電壓的相關(guān)技術(shù)方法中，限制了對(duì)顯示質(zhì)量的改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極 管顯示器能夠準(zhǔn)確地提取驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓。 本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種OLED顯示器，該OLED顯示器能夠通過(guò)準(zhǔn)確地提 取驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓并且將所提取到的閾值電壓反映在顯示數(shù)據(jù)中來(lái)提高顯示質(zhì)量。
在一個(gè)方面中，存在一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，所述OLED顯示器包括 顯示板，所述顯示板包括多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)，與所述多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)相交叉的多個(gè)選通線組，以及 各具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和一有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)像素；定時(shí)控制器，所述定時(shí)控制 器生成非交疊信號(hào)；以及采樣和保持塊，所述采樣和保持模塊利用該非交疊信號(hào)去除毗連 生成的第一保持時(shí)鐘之間的交疊時(shí)段，以生成彼此不相交疊的第二保持時(shí)鐘，響應(yīng)于該第 二保持時(shí)鐘將像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的采樣閾值電壓施加于輸出節(jié)點(diǎn)，并且響應(yīng)于所述非 交疊信號(hào)在交疊時(shí)段中對(duì)輸出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行放電。 所述OLED顯示器還包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將通過(guò)所述輸出節(jié) 點(diǎn)輸入的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字閾值電壓；以及存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 所述數(shù)字閾值電壓和所述數(shù)字閾值電壓的位置信息，其中所述定時(shí)控制器基于存儲(chǔ)在所述 存儲(chǔ)器中的信息，利用與從外部接收的顯示數(shù)據(jù)的位置信息相對(duì)應(yīng)的數(shù)字閾值電壓來(lái)控制 顯示數(shù)據(jù)。 所述采樣和保持塊包括采樣開關(guān)陣列，所述采樣開關(guān)陣列包括響應(yīng)于采樣時(shí)鐘 而接通的多個(gè)采樣開關(guān)，所述采樣開關(guān)陣列利用所述采樣開關(guān)對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電 壓進(jìn)行采樣；移位寄存器陣列，所述移位寄存器陣列包括多個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)，所述移位寄存器陣列 利用所述多個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)生成第一保持時(shí)鐘；防交疊單元，所述防交疊單元對(duì)所述非交疊信號(hào) 和所述第一保持時(shí)鐘執(zhí)行"與"(AND)操作，以生成第二保持時(shí)鐘；保持開關(guān)陣列，所述保持 開關(guān)陣列包括響應(yīng)于所述第二保持時(shí)鐘而接通的多個(gè)保持開關(guān)，所述保持開關(guān)陣列利用所 述保持開關(guān)將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的采樣閾值電壓順序輸出到所述輸出節(jié)點(diǎn)；以及放電單元， 所述放電單元響應(yīng)于所述非交疊信號(hào)在所述交疊時(shí)段中對(duì)殘留在所述輸出節(jié)點(diǎn)的電荷進(jìn) 行放電。 所述防交疊單元包括各自連接在所述移位寄存器陣列與所述保持開關(guān)陣列之間 的多個(gè)"與"元件。 所述放電單元包括反相單元，所述反相單元反轉(zhuǎn)所述非交疊信號(hào)的相位；以及 放電開關(guān)，所述放電開關(guān)連接在所述公共輸出節(jié)點(diǎn)與地電平電壓源之間，并且受所述反相 單元的輸出控制。 所述非交疊信號(hào)具有與所述第一保持時(shí)鐘在非交疊時(shí)段中的電平不同的第一邏 輯電平，并且具有與所述第一保持時(shí)鐘在非交疊時(shí)段中的所述電平相同的第二邏輯電平。
所述放電開關(guān)響應(yīng)于所述非交疊信號(hào)的所述第一邏輯電平而導(dǎo)通。
每個(gè)像素包括一數(shù)據(jù)線對(duì)和一選通線組。
每個(gè)選通線組包括四條選通線。
每個(gè)像素還包括四個(gè)開關(guān)薄膜晶體管。 兩個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并聯(lián)連接在有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源之 間。 所述采樣開關(guān)陣列在1幀時(shí)段期間對(duì)1條水平線上的一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值 電壓進(jìn)行同時(shí)采樣，并且在包括n幀時(shí)段的第一時(shí)段期間順序執(zhí)行采樣操作，其中n是垂直 分辨率，其中所述采樣開關(guān)陣列在1幀時(shí)段期間對(duì)1條水平線上的另一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的 閾值電壓進(jìn)行同時(shí)采樣，并且在所述第一時(shí)段后的包括n幀時(shí)段的第二時(shí)段期間順序執(zhí)行
采樣操作。 多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)中的每對(duì)包括用于驅(qū)動(dòng)所述一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一數(shù)據(jù)線和 用于驅(qū)動(dòng)所述另一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二數(shù)據(jù)線，其中所述采樣開關(guān)陣列的采樣開關(guān)交替 連接到所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線，各達(dá)n幀時(shí)段。
附圖被包含以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且并入本說(shuō)明書且構(gòu)成本說(shuō)明書的 一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附 圖中 圖1是用于解釋通常的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的發(fā)光原理的圖；
圖2是相關(guān)技術(shù)OLED顯示器中的像素的等效電路圖； 圖3是例示了用于提取相關(guān)技術(shù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓的方法的框 圖； 圖4是例示了用于提取相關(guān)技術(shù)驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓的控制信號(hào)的波形和依據(jù)該波 形的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的輸出的圖； 圖5是例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED顯示器的框圖；
圖6是像素的等效電路圖； 圖7是施加于像素上的控制信號(hào)、數(shù)據(jù)電壓，以及驅(qū)動(dòng)電壓的定時(shí)圖； 圖8是例示了采樣和保持塊的框圖； 圖9是例示了所述采樣和保持塊的電路圖；以及 圖10是例示了用于提取驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓的控制信號(hào)的波形和依據(jù)該波形的模 數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的輸出的圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做出詳細(xì)介紹，其示例在附圖中例示出。
圖5是例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的框圖。
如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的OLED顯示器包括顯示板10、定時(shí)控制器 11、包括采樣和保持塊121的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12、選通驅(qū)動(dòng)器13、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 14，以及存儲(chǔ) 器16。 顯示板10包括多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)14a和14b、與多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)14a和14b交叉的多 個(gè)選通線組15a至15d，以及以矩陣形式排列在多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)14a和14b與多個(gè)選通線組 15a至15d的各交叉點(diǎn)處的像素P。各像素P接收高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和低電位驅(qū)動(dòng)電壓
7Vss，并且連接到數(shù)據(jù)線對(duì)14a和14b以及選通線組15a至15d。各數(shù)據(jù)線對(duì)包括第一數(shù)據(jù) 線14a和第二數(shù)據(jù)線14b。第一數(shù)據(jù)線14a和第二數(shù)據(jù)線14b分別在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT) 的閾值電壓的提取路徑和顯示數(shù)據(jù)的寫入路徑中使用。第一數(shù)據(jù)線14a和第二數(shù)據(jù)線14b 的功能每預(yù)定時(shí)間段彼此對(duì)換。更具體來(lái)說(shuō)，在第一至第n幀時(shí)段期間(其中，n是垂直分 辨率)，第一數(shù)據(jù)線14a被用于驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的提取路徑，而在第(n+1)至第2n幀 時(shí)段期間，第一數(shù)據(jù)線14a被用于顯示數(shù)據(jù)的寫入路徑。另一方面，在第一至第n幀時(shí)段期 間，第二數(shù)據(jù)線14b被用于顯示數(shù)據(jù)的寫入路徑，而在第(n+1)至第2n幀時(shí)段期間，第二數(shù) 據(jù)線14b被用于驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的提取路徑。選通線組15a至15d包括第一掃描線 15a、第二掃描線15b、第一感測(cè)線15c，以及第二感測(cè)線15d。高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd由高電位 驅(qū)動(dòng)電壓源VDD生成，并且具有一致的電位電平(即DC電平)。低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss由低 電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS生成，并且低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的電位水平在高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd與 地電平電壓之間周期性變化，從而感測(cè)驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓。 定時(shí)控制器11基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器16中的信息，諸如數(shù)字閾值電壓Dl至Dk和與 每個(gè)數(shù)字閾值電壓Dl至Dk有關(guān)的位置信息，對(duì)從外部接收到的顯示數(shù)據(jù)RGB的灰度級(jí)進(jìn) 行控制，之后依照顯示板10的分辨率，對(duì)所控制的顯示數(shù)據(jù)RGB進(jìn)行重新排列，以將經(jīng)重新 排列的顯示數(shù)據(jù)RGB提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12。定時(shí)控制器11利用與從外部接收到的顯示數(shù) 據(jù)RGB的位置信息相對(duì)應(yīng)的閾值電壓，對(duì)所述顯示數(shù)據(jù)RGB的灰度級(jí)進(jìn)行控制。在此情況 下，當(dāng)閾值電壓增加時(shí)，控制顯示數(shù)據(jù)RGB的灰度級(jí)以使其增加。 定時(shí)控制器11生成用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12中的數(shù)據(jù)寫入定時(shí)的數(shù)據(jù)寫入控制 信號(hào)DDC，用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12中的閾值電壓提取定時(shí)的閾值電壓提取控制信號(hào)，以及 用于基于定時(shí)信號(hào)(諸如水平同步信號(hào)Hsync和垂直同步信號(hào)Vsync、數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE、點(diǎn) 時(shí)鐘DCLK)來(lái)控制選通驅(qū)動(dòng)器13的操作定時(shí)的選通控制信號(hào)GDC。數(shù)據(jù)寫入控制信號(hào)DDC 包括源采樣時(shí)鐘SSC和源輸出使能信號(hào)SOE等，所述源采樣時(shí)鐘SSC基于上升沿或下降沿 指示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12內(nèi)部的顯示數(shù)據(jù)的鎖存操作，所述源輸出使能信號(hào)SOE指示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 12的輸出。閾值電壓提取控制信號(hào)包括采樣時(shí)鐘SC，其用于對(duì)閾值電壓進(jìn)行采樣；保持起 始脈沖HSP，其指示閾值電壓的保持起始時(shí)間點(diǎn)；移位寄存器時(shí)鐘SRC，其用于對(duì)保持起始 脈沖HSP進(jìn)行順序移位；以及非交疊信號(hào)N0S，其用于防止水平相鄰像素的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值 電壓彼此交疊并以交疊狀態(tài)被提取。選通控制信號(hào)GDC包括選通起始脈沖GSP、選通移位 時(shí)鐘GSC、選通輸出使能信號(hào)G0E等。選通起始脈沖GSP指示了在顯示一個(gè)畫面期間的一幀 時(shí)段內(nèi)的掃描起始水平線。選通移位時(shí)鐘GSC被輸入到選通驅(qū)動(dòng)器13的移位寄存器以對(duì) 選通起始脈沖GSP進(jìn)行順序移位，并且選通移位時(shí)鐘GSC具有與TFT的導(dǎo)通時(shí)段相對(duì)應(yīng)的 脈沖寬度。選通輸出使能信號(hào)GOE指示選通驅(qū)動(dòng)器13的輸出。 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12在定時(shí)控制器11的控制下將顯示數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)電壓 (此后稱為數(shù)據(jù)電壓)，以將該數(shù)據(jù)電壓提供給數(shù)據(jù)線對(duì)14a和14b。包括采樣和保持塊121 的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12將從像素P提取的模擬閾值電壓Vthl至Vthk提供給ADC 14。如圖8中 所示，采樣和保持塊121包括防交疊單元1213，其防止水平相鄰像素的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電 壓彼此交疊并以交疊的狀態(tài)被提取；以及放電單元1215，其防止通過(guò)公共輸出節(jié)點(diǎn)cno順 次輸出的閾值電壓的干擾。稍后將參照?qǐng)D8至10對(duì)采樣和保持塊121進(jìn)行詳細(xì)描述。
選通驅(qū)動(dòng)器13在定時(shí)控制器11的控制下生成第一和第二掃描信號(hào)SCAN1和
8SCAN2以及第一和第二感測(cè)信號(hào)SEN1和SEN2。如圖6所示，將第1掃描信號(hào)SCAN1提供給
第一掃描線15a，而將第2掃描信號(hào)SCAN2提供給第二掃描線15b。將第一感測(cè)信號(hào)SEN1
提供給第一感測(cè)線15c，而將第二感測(cè)信號(hào)SEN2提供給第二感測(cè)線15d。 ADC 14將從采樣和保持塊121接收到的模擬閾值電壓Vthl至Vthk轉(zhuǎn)換為數(shù)字閾
值電壓D1至Dk，之后將所述數(shù)字閾值電壓Dl至Dk提供給存儲(chǔ)器16。 存儲(chǔ)器16以查找表的形式存儲(chǔ)來(lái)自ADC 14的數(shù)字閾值電壓D1至Dk，以及關(guān)于各
數(shù)字閾值電壓Dl至Dk的位置信息。存儲(chǔ)器16可安裝在定時(shí)控制器11內(nèi)部。 圖6是圖5的像素P的等效電路圖。圖7是施加于像素P的控制信號(hào)、數(shù)據(jù)電壓
以及驅(qū)動(dòng)電壓的定時(shí)圖。 如圖6所示，像素P包括有機(jī)發(fā)光二極管0LED、第一驅(qū)動(dòng)器DP (L)，以及第二驅(qū)動(dòng) 器DP(R)。 有機(jī)發(fā)光二極管OLED連接在高電位驅(qū)動(dòng)電壓源VDD與公共節(jié)點(diǎn)nc之間。由有機(jī) 發(fā)光二極管OLED發(fā)射的光的量受在高電位驅(qū)動(dòng)電壓源VDD與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間 流動(dòng)的電流量的控制，所述電流量由第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)或第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)確定。因此有 機(jī)發(fā)光二極管OLED表示基于當(dāng)前電流量的灰度級(jí)。 第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)包括第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1、第一和第二開關(guān)TFTST1和ST2，以及 第一存儲(chǔ)電容器SC1。第一驅(qū)動(dòng)TFT DTl連接在公共節(jié)點(diǎn)nc與低電位驅(qū)動(dòng)電壓VSS之間， 并且利用第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的柵極與源極之間的電壓差來(lái)控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流 動(dòng)的電流量。第一開關(guān)TFT ST1連接在第一數(shù)據(jù)線14a與第一節(jié)點(diǎn)nl之間，并且響應(yīng)于來(lái) 自第一掃描線15a的第一掃描信號(hào)SCAN1，接通第一數(shù)據(jù)線14a與第一節(jié)點(diǎn)nl之間的電流 通路。第二開關(guān)TFT ST2連接在第一數(shù)據(jù)線14a與公共節(jié)點(diǎn)nc之間，并且響應(yīng)于來(lái)自于第 一感測(cè)線15c的第一感測(cè)信號(hào)SEN1，接通第一數(shù)據(jù)線14a與公共節(jié)點(diǎn)nc之間的電流通路。 第一存儲(chǔ)電容器SC1連接在第一節(jié)點(diǎn)nl與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間。
第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)每預(yù)定時(shí)間段(例如，每n幀時(shí)段的掃描時(shí)段的總和，其中n 是垂直分辨率)交替執(zhí)行閾值電壓感測(cè)操作和顯示數(shù)據(jù)寫入操作。更具體來(lái)說(shuō)，對(duì)于所述 閾值電壓感測(cè)操作，第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)在第一幀至第n幀期間(其中n是垂直分辨率)的 一幀時(shí)段期間執(zhí)行第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的閾值電壓感測(cè)操作，而在其它幀時(shí)段期間執(zhí)行負(fù) (negative)數(shù)據(jù)寫入操作，以降低第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的柵偏壓應(yīng)力。負(fù)數(shù)據(jù)寫入操作包括， 比如將負(fù)數(shù)據(jù)ND寫入到第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)/第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)。對(duì)于顯示數(shù)據(jù)寫入操作，在 第(n+l)幀至第2n幀時(shí)段期間，第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)執(zhí)行顯示數(shù)據(jù)寫操作以允許有機(jī)發(fā)光二 極管OLED發(fā)光。 第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)包括第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2、第三和第四開關(guān)TFTST3和ST4，以及 第二存儲(chǔ)電容器SC2。第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2連接在公共節(jié)點(diǎn)nc與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之 間，并且利用第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的柵極與源極之間的電壓差來(lái)控制發(fā)光二極管OLED中流動(dòng) 的電流量。第三開關(guān)TFT ST3連接在第二數(shù)據(jù)線14b與第二節(jié)點(diǎn)n2之間，并且響應(yīng)于來(lái)自 第二掃描線15b的第二掃描信號(hào)SCAN2，接通第二數(shù)據(jù)線14b與第二節(jié)點(diǎn)n2之間的電流通 路。第四開關(guān)TFT ST4連接在第二數(shù)據(jù)線14b與公共節(jié)點(diǎn)nc之間，并且響應(yīng)于來(lái)自第二感 測(cè)線15d的第二感測(cè)信號(hào)SEN2，接通第二數(shù)據(jù)線14b與公共節(jié)點(diǎn)nc之間的電流通路。第二 存儲(chǔ)電容器SC2連接在第二節(jié)點(diǎn)n2與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之 。
第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)每預(yù)定時(shí)間段(例如，每n幀時(shí)段的掃描時(shí)段的總和，其中n是 垂直分辨率)交替執(zhí)行閾值電壓感測(cè)操作和顯示數(shù)據(jù)寫入操作。在相同的幀時(shí)段期間，第 二驅(qū)動(dòng)器DP(R)的操作與第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)的操作是相反的。更具體來(lái)說(shuō)，在第一驅(qū)動(dòng)器 DP(L)執(zhí)行閾值電壓感測(cè)操作的第一至第n幀時(shí)段期間，第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)執(zhí)行允許有機(jī)發(fā) 光二極管OLED發(fā)光的顯示數(shù)據(jù)寫入操作。在第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)執(zhí)行顯示數(shù)據(jù)寫入操作的 第(n+1)至第2n幀時(shí)段期間，第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)在第(n+1)至第2n幀時(shí)段的一幀時(shí)段期 間執(zhí)行第二驅(qū)動(dòng)TFTDT2的閾值電壓感測(cè)操作，并在其它幀時(shí)段期間執(zhí)行負(fù)數(shù)據(jù)寫入操作 以降低第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的柵偏壓應(yīng)力。 下面參照?qǐng)D7的定時(shí)圖對(duì)圖6中所示的像素P的操作進(jìn)行描述。在圖7中，P1至 P4指示了通過(guò)對(duì)第一至第n幀時(shí)段(其中n是垂直分辨率)的一幀時(shí)段進(jìn)行劃分而獲得的 時(shí)段。更具體來(lái)說(shuō)，P1指示用于對(duì)第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)的各節(jié)點(diǎn)處的電壓進(jìn)行初始化的時(shí)段， P2指示用于感測(cè)第一驅(qū)動(dòng)TFT DTI的閾值電壓的時(shí)段，P3指示用于將負(fù)數(shù)據(jù)ND寫入到第 一驅(qū)動(dòng)器DP(L)并且利用顯示數(shù)據(jù)DATA對(duì)第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)進(jìn)行編程的時(shí)段，而P4指示使 用第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)使得有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光的時(shí)段。P5至P8指示通過(guò)對(duì)第(n+1) 至第2n幀時(shí)段的一幀時(shí)段進(jìn)行劃分而獲得的時(shí)段。更具體來(lái)說(shuō)，P5指示用于對(duì)第二驅(qū)動(dòng) 器DP(R)的各節(jié)點(diǎn)處的電壓進(jìn)行初始化的時(shí)段，P6指示用于感測(cè)第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的閾值 電壓的時(shí)段，P7指示用于將負(fù)數(shù)據(jù)ND寫入到第二驅(qū)動(dòng)器DP(R)并且利用顯示數(shù)據(jù)DATA對(duì) 第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)進(jìn)行編程的時(shí)段，而P8指示使用第一驅(qū)動(dòng)器DP(L)使得有機(jī)發(fā)光二極管 0LED發(fā)光的時(shí)段。 在時(shí)段P1期間，由低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS生成與高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd具有相同電 平的低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss，并且將與高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的最大閾值電 壓的總和相對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)電壓DATA1提供給第一數(shù)據(jù)線14a。例如，假設(shè)高電位驅(qū)動(dòng)電壓 Vdd為18V，并且第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的最大閾值電壓為7V，則將25V的第一數(shù)據(jù)電壓DATA1 提供給第一數(shù)據(jù)線14a。在時(shí)段P1期間，生成了高邏輯電平的第一掃描信號(hào)SCAN1和高邏 輯電平的第一感測(cè)信號(hào)SEN1，并由此導(dǎo)通第一和第二開關(guān)TFT ST1和ST2。因此，通過(guò)公共 節(jié)點(diǎn)nc與第一節(jié)點(diǎn)nl的連接，將第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1 二極管式連接。在時(shí)段P1期間，生成 了低邏輯電平的第二掃描信號(hào)SCAN2和低邏輯電平的第二感測(cè)信號(hào)SEN2，并由此截止第三 和第四開關(guān)TFT ST3和ST4。 在時(shí)段P2期間，通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的內(nèi)部開關(guān)進(jìn)行操作，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12允許 第一數(shù)據(jù)線14a被浮置。在時(shí)段P2期間，第一掃描信號(hào)SCAN1和第一感測(cè)信號(hào)SEN1保持 在高邏輯電平，由此使得第一和第二開關(guān)TFT ST1和ST2持續(xù)保持在導(dǎo)通狀態(tài)。低電位驅(qū) 動(dòng)電壓Vss的電平保持在高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的電平。因此，第一節(jié)點(diǎn)nl的電壓從與高電 位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的最大閾值電壓的總和相對(duì)應(yīng)的電壓電平，降至與高 電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的實(shí)際閾值電壓的總和相對(duì)應(yīng)的電壓電平。第一驅(qū) 動(dòng)TFT DT1的最大閾值電壓大于第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的實(shí)際閾值電壓。第一節(jié)點(diǎn)nl與低電 位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間的電壓差是第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的實(shí)際閾值電壓，并且將第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的實(shí)際閾值電壓存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)電容器SC1中。隨后，通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的內(nèi)部開 關(guān)進(jìn)行操作，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12將第一數(shù)據(jù)線14a連接到采樣和保持塊121。因此，存儲(chǔ)在第一 存儲(chǔ)電容器SC1中的第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的實(shí)際閾值電壓經(jīng)由第一數(shù)據(jù)線14a被傳送到采樣和保持塊121 。在時(shí)段P2期間，第二掃描信號(hào)SCAN2和第二感測(cè)信號(hào)SEN2保持在低邏輯電 平，由此第三和第四開關(guān)TFT ST3和ST4持續(xù)保持在截止?fàn)顟B(tài)。 在時(shí)段P3期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12通過(guò)操作數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的內(nèi)部開關(guān)，將與負(fù) 數(shù)據(jù)ND具有相同電平的第一數(shù)據(jù)電壓DATA1提供給第一數(shù)據(jù)線14a，并且將設(shè)置電平 (programming level)的第二數(shù)據(jù)電壓DATA2提供給第二數(shù)據(jù)線14b。低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss 的電平保持在高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的電平。在時(shí)段P3期間，第一掃描信號(hào)SCAN1保持在高 邏輯電平，由此第一開關(guān)TFT ST1持續(xù)保持在導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面，第一感測(cè)信號(hào)SEN1的 電平被反轉(zhuǎn)為低邏輯電平，由此截止第二開關(guān)TFT ST2。因此，將與負(fù)數(shù)據(jù)ND具有相同電平 的第一數(shù)據(jù)電壓DATA1提供給第一節(jié)點(diǎn)nl。在時(shí)段P3期間，第二掃描信號(hào)SCAN2的電平被 反轉(zhuǎn)為高邏輯電平，由此導(dǎo)通第三開關(guān)TFT ST3。另一方面，第二感測(cè)信號(hào)SEN2保持在低邏 輯電平，由此第四開關(guān)TFT ST4持續(xù)保持在截止?fàn)顟B(tài)。因此，第二節(jié)點(diǎn)n2被設(shè)置為與顯示 數(shù)據(jù)DATA相對(duì)應(yīng)的第二數(shù)據(jù)電壓DATA2。 在時(shí)段P4期間，低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的電平被降低為地電平，因此在高電位驅(qū)動(dòng) 電壓源VDD與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間形成了電流通路。在時(shí)段P4期間，第一和第二掃 描信號(hào)SCAN1和SCAN2的電平被反轉(zhuǎn)為低邏輯電平，由此截止第一和第三開關(guān)TFT ST1和 ST3。另一方面，第一和第二感測(cè)信號(hào)SEN1和SEN2保持在低邏輯電平，由此第二和第四開 關(guān)TFT ST2和ST4持續(xù)保持在截止?fàn)顟B(tài)。從而，第一節(jié)點(diǎn)nl的電壓從負(fù)數(shù)據(jù)ND的電平降 低了低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的改變量，由此減小了第一驅(qū)動(dòng)TFT DT1的柵偏壓應(yīng)力。第二節(jié) 點(diǎn)n2的電壓從顯示數(shù)據(jù)DATA的電平降低了低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的改變量。第二節(jié)點(diǎn)n2 與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間的電壓差存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)電容器SC2中，并且通過(guò)所存儲(chǔ)的 電壓差確定在有機(jī)發(fā)光二極管OLED中流動(dòng)的電流量。有機(jī)發(fā)光二極管OLED根據(jù)所確定的 電流量來(lái)發(fā)光，以表示灰階(gray scale)。 在時(shí)段P5期間，由低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS生成了與高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd具有相同 電平的低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss，并且將與高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd和第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的最大閾值 電壓之和相對(duì)應(yīng)的第二數(shù)據(jù)電壓DATA2提供給第二數(shù)據(jù)線14b。例如，假設(shè)高電位驅(qū)動(dòng)電壓 Vdd為18V，并且第二驅(qū)動(dòng)器TFT DT2的最大閾值電壓為7V，則將25V的第二數(shù)據(jù)電壓DATA2 提供給第二數(shù)據(jù)線14b。在時(shí)段P5期間，生成了高邏輯電平的第二掃描信號(hào)SCAN2和高邏 輯電平的第二感測(cè)信號(hào)SEN2，由此導(dǎo)通第三和第四開關(guān)TFT ST3和ST4。因此，通過(guò)連接公 共節(jié)點(diǎn)nc與第二節(jié)點(diǎn)n2，將第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2二極管式連接。在時(shí)段P5期間，生成了低邏 輯電平的第一掃描信號(hào)SCAN1和低邏輯電平的第一感測(cè)信號(hào)SEN1，由此截止第一和第二開 關(guān)TFT ST1和ST2。 在時(shí)段P6期間，通過(guò)操作數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的內(nèi)部開關(guān)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12允許第二數(shù) 據(jù)線14b被浮置。在時(shí)段P6期間，第二掃描信號(hào)SCAN2和第二感測(cè)信號(hào)SEN2保持在高邏 輯電平，由此第三和第四開關(guān)TFT ST3和ST4持續(xù)保持在導(dǎo)通狀態(tài)。低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss 的電平保持在高電位驅(qū)動(dòng)電壓Vdd的電平。因此，第二節(jié)點(diǎn)n2的電壓從與高電位驅(qū)動(dòng)電壓 Vdd和第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的最大閾值電壓的總和相對(duì)應(yīng)的電壓電平，降至與高電位驅(qū)動(dòng)電 壓Vdd和第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的實(shí)際閾值電壓的總和相對(duì)應(yīng)的電壓電平。第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2 的最大閾值電壓大于第二驅(qū)動(dòng)TFTDT2的實(shí)際閾值電壓。第二節(jié)點(diǎn)n2與低電位驅(qū)動(dòng)電壓 源VSS之間的電壓差是第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的實(shí)際閾值電壓，并且將第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的實(shí)際閾值電壓存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)電容器SC2中。隨后，通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的內(nèi)部開關(guān)進(jìn)行操 作，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12將第二數(shù)據(jù)線14b連接到采樣和保持塊121。因此，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)電容 器SC2中的第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的實(shí)際閾值電壓經(jīng)由第二數(shù)據(jù)線14b被傳送到采樣和保持塊 121。在時(shí)段P6期間，第一掃描信號(hào)SCAN1和第一感測(cè)信號(hào)SEN1保持在低邏輯電平，由此 第一和第二開關(guān)TFT ST1和ST2持續(xù)保持在截止?fàn)顟B(tài)。 在時(shí)段P7期間，通過(guò)操作數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的內(nèi)部開關(guān)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12將與負(fù)數(shù)據(jù) ND具有相同電平的第二數(shù)據(jù)電壓DATA2提供給第二數(shù)據(jù)線14b，并且將設(shè)置電平的第一數(shù) 據(jù)電壓DATA1提供給第一數(shù)據(jù)線14a。低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的電平保持在高電位驅(qū)動(dòng)電壓 Vdd的電平。在時(shí)段P7期間，第二掃描信號(hào)SCAN2保持在高邏輯電平，由此第三開關(guān)TFTST3 持續(xù)保持在導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面，第二感測(cè)信號(hào)SEN2的電平被反轉(zhuǎn)為低邏輯電平，由此截 止第四開關(guān)TFT ST4。因此，與負(fù)數(shù)據(jù)ND具有相同電平的第二數(shù)據(jù)電壓DATA2被提供給第 二節(jié)點(diǎn)n2。在時(shí)段P7期間，第一掃描信號(hào)SCAN1的電平被反轉(zhuǎn)為高邏輯電平，由此導(dǎo)通第 一開關(guān)TFT ST1。另一方面，第一感測(cè)信號(hào)SEN1保持在低邏輯電平，由此第二開關(guān)TFT ST2 持續(xù)保持在截止?fàn)顟B(tài)。因此，第一節(jié)點(diǎn)nl被設(shè)置為與顯示數(shù)據(jù)DATA相對(duì)應(yīng)的第一數(shù)據(jù)電 壓DATA1。 在時(shí)段P8期間，低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的電平被降至地電平，因此形成高電位驅(qū)動(dòng) 電壓源VDD與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間的電流通路。在時(shí)段P8期間，第一和第二掃描信 號(hào)SCAN1和SCAN2的電平被反轉(zhuǎn)為低邏輯電平，由此截止第一和第三開關(guān)TFT ST1和ST3。 另一方面，第一和第二感測(cè)信號(hào)SEN1和SEN2保持在低邏輯電平，由此第二和第四開關(guān)TFT ST2和ST4持續(xù)保持在截止?fàn)顟B(tài)。因此，第二節(jié)點(diǎn)n2的電壓從負(fù)數(shù)據(jù)ND的電平降低了低 電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的改變量，由此減小了第二驅(qū)動(dòng)TFT DT2的柵偏壓應(yīng)力。第一節(jié)點(diǎn)nl的 電壓從顯示數(shù)據(jù)DATA的電平降低了低電位驅(qū)動(dòng)電壓Vss的改變量。第一節(jié)點(diǎn)nl與低電位 驅(qū)動(dòng)電壓源VSS之間的電壓差存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)電容器SC1中，并且通過(guò)所存儲(chǔ)的電壓差確 定在有機(jī)發(fā)光二極管0LED中流動(dòng)的電流量。有機(jī)發(fā)光二極管OLED基于所確定的電流量發(fā) 光，以表示灰階。 圖8和圖9分別是例示了采樣和保持塊121的框圖和電路圖。圖10是例示了用 于提取驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓的控制信號(hào)的波形以及依據(jù)該波形的ADC的輸出的圖。
如圖8和圖9所示，采樣和保持塊121包括采樣開關(guān)陣列1211、保持開關(guān)陣列 1212、防交疊單元1213、移位寄存器陣列1214，以及放電單元1215。 采樣開關(guān)陣列1211包括多個(gè)采樣開關(guān)SSW1至SSWk，這些采樣開關(guān)響應(yīng)于來(lái)自定 時(shí)控制器11的采樣時(shí)鐘SC而被接通。采樣開關(guān)陣列1211通過(guò)接通的采樣開關(guān)SSW1至 SSWk，在1幀時(shí)段期間對(duì)在1條水平線上的第一驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓Vthl至Vthk同時(shí)采 樣。也就是說(shuō)，采樣開關(guān)陣列1211每一幀時(shí)段執(zhí)行1條水平線上的采樣操作。因此，對(duì)顯示 板10的第一驅(qū)動(dòng)TFT的全部閾值電壓的采樣需要n幀時(shí)段(其中n是垂直分辨率)。采樣 開關(guān)陣列1211在n幀時(shí)段期間，順序地執(zhí)行采樣操作。采樣開關(guān)陣列1211通過(guò)接通的采 樣開關(guān)SSW1至SSWk，在一幀時(shí)段期間對(duì)在1條水平線上的第二驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓Vthl 至Vthk同時(shí)采樣。采樣開關(guān)陣列1211在所述n幀時(shí)段之后的n幀時(shí)段期間，順序地執(zhí)行 采樣操作。為了對(duì)第一和第二驅(qū)動(dòng)TFT中的每一個(gè)的閾值電壓Vthl至Vthk進(jìn)行采樣，多 個(gè)采樣開關(guān)SSW1至SSWk被交替地連接到k個(gè)第一數(shù)據(jù)線14a和k個(gè)第二數(shù)據(jù)線14b，各達(dá)n個(gè)幀時(shí)段。 保持開關(guān)陣列1212包括多個(gè)保持開關(guān)HSW1至HSWk，這些保持開關(guān)響應(yīng)于第二保 持時(shí)鐘HC1'至HCk'中的各保持時(shí)鐘而被接通。保持開關(guān)陣列1212利用接通的保持開關(guān) HSW1至HSWk，將所采樣的閾值電壓Vthl至Vthk順次輸出到公共輸出節(jié)點(diǎn)cno。
移位寄存器陣列1214包括多個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)Sl至Sk。移位寄存器陣列1214響應(yīng)于來(lái) 自定時(shí)控制器11的移位寄存器時(shí)鐘SRC，將保持起始脈沖HSP從第一級(jí)Sl順次移位到第k 級(jí)Sk，以生成第一保持時(shí)鐘HC1至HCk。如圖10中所示，由于諸如存在于開關(guān)和線路中的 寄生電容的影響，每次當(dāng)?shù)谝槐３謺r(shí)鐘HC1至HCk的邏輯電平改變時(shí)，第一保持時(shí)鐘HC1至 HCk的邏輯電平并不像'a'所表示的那樣突變，而是像'b'所表示的那樣漸變。因此，第一 保持時(shí)鐘HC1至HCk彼此部分交疊。 防交疊單元1213包括分別連接到多個(gè)級(jí)Sl至Sk的輸出端子的多個(gè)"與"元件A/ G1至A/Gk。防交疊單元1213對(duì)來(lái)自定時(shí)控制器11的非交疊信號(hào)N0S和第一保持時(shí)鐘HC1 至HCk執(zhí)行"與"操作，以生成彼此不相交疊的第二保持時(shí)鐘HCl'至HCk'。在相鄰的第 一保持時(shí)鐘的交疊時(shí)段中生成與第一保持時(shí)鐘的電平相反的低邏輯電平的非交疊信號(hào)NOS 的同時(shí)，在相鄰的第一保持時(shí)鐘的非交疊時(shí)段中生成與第一保持時(shí)鐘相同的高邏輯電平的 非交疊信號(hào)N0S。因此，由于保持開關(guān)HSW1至HSWk響應(yīng)于彼此不相交疊的第二保持時(shí)鐘 HC1'至HCk'進(jìn)行操作，如圖IO中所示，能夠在相鄰像素的閾值電壓之間無(wú)部分交疊的情 況下，準(zhǔn)確地提取閾值電壓Vthl至Vthk。 放電單元1215包括相位反轉(zhuǎn)單元INV，其用于反轉(zhuǎn)來(lái)自定時(shí)控制器ll的非交疊 信號(hào)N0S的相位；以及放電開關(guān)T，其連接在公共輸出節(jié)點(diǎn)cno與地電平電壓源GND之間， 并且受相位反轉(zhuǎn)單元INV的輸出信號(hào)控制。相位反轉(zhuǎn)單元INV可包括"與"門和反相器，或 可包括"與非"門。在其中生成低邏輯電平的非交疊信號(hào)NOS的交疊時(shí)段中接通放電開關(guān) T，由此對(duì)殘留在公共輸出節(jié)點(diǎn)cno中的電荷分量放電。因此消除了順次輸出的閾值電壓之 間的干擾。結(jié)果，能夠更準(zhǔn)確地提取閾值電壓Vthl全Vthk。 如上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的0LED顯示器包括在采樣和保持塊之中 的防交疊單元和放電單元，因此能夠在順次輸出的閾值電壓之間不存在干擾的情況下，準(zhǔn) 確地提取閾值電壓。 此外，由于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的0LED顯示器準(zhǔn)確地提取了驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電
壓，并且將所提取的閾值電壓反應(yīng)在顯示數(shù)據(jù)中，因此能夠顯著地改進(jìn)顯示質(zhì)量。 本說(shuō)明書中，對(duì)"一個(gè)實(shí)施方式"、"一實(shí)施方式"、"示例實(shí)施方式"等的任何提及都
表示結(jié)合所述實(shí)施方式描述的具體特性、結(jié)構(gòu)，或特征被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方
式中。這種短語(yǔ)在本說(shuō)明書中的各位置出現(xiàn)并不必然都指示相同的實(shí)施方式。此外，當(dāng)結(jié)
合任意實(shí)施方式描述具體特性、結(jié)構(gòu)或特征時(shí)，應(yīng)該認(rèn)為其落入了下述范圍內(nèi)即本領(lǐng)域技
術(shù)人員能夠結(jié)合其它實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)這種特性、結(jié)構(gòu)或特征。 盡管已經(jīng)參照多個(gè)示例性實(shí)施方式描述了實(shí)施方式，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人 員仍然能夠設(shè)計(jì)出落入本公開的原理范圍內(nèi)的大量其它修改和實(shí)施方式。更具體來(lái)說(shuō)，在 本公開、附圖以及所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，能夠?qū)χ黧w組合結(jié)構(gòu)的組成部分和/或結(jié)構(gòu)進(jìn) 行各種變形和修改。除了組成部分和/或結(jié)構(gòu)上的變形和修改之外，其它另選應(yīng)用對(duì)于本 領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也是明顯的。
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本申請(qǐng)要求享有于2008年10月7日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2008-098317的 優(yōu)先權(quán)，為了所有目的，如在此進(jìn)行充分闡述一樣，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其包括顯示板，所述顯示板包括多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)、與所述多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)相交叉的多個(gè)選通線組，以及各具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和一有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)像素；定時(shí)控制器，所述定時(shí)控制器生成非交疊信號(hào)；以及采樣和保持塊，所述采樣和保持塊利用所述非交疊信號(hào)去除毗連生成的第一保持時(shí)鐘之間的交疊時(shí)段，以生成彼此不相交疊的第二保持時(shí)鐘；響應(yīng)于所述第二保持時(shí)鐘，將所述像素的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的采樣閾值電壓提供給輸出節(jié)點(diǎn)；并且響應(yīng)于所述非交疊信號(hào)在所述交疊時(shí)段中對(duì)所述輸出節(jié)點(diǎn)放電。
2. 權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其進(jìn)一步包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器將通過(guò)所述輸出節(jié)點(diǎn)輸入的所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字閾值電壓；以及存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)所述數(shù)字閾值電壓和所述數(shù)字閾值電壓的位置信息， 其中，所述定時(shí)控制器基于所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的信息，使用與從外部接收的顯示數(shù)據(jù)的位置信息相對(duì)應(yīng)的所述數(shù)字閾值電壓來(lái)控制所述顯示數(shù)據(jù)。
3. 權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述采樣和保持塊包括 采樣開關(guān)陣列，所述采樣開關(guān)陣列包括多個(gè)響應(yīng)于采樣時(shí)鐘而接通的采樣開關(guān)，所述采樣開關(guān)陣列利用所述采樣開關(guān)對(duì)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓進(jìn)行采樣；移位寄存器陣列，所述移位寄存器陣列包括多個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)，所述移位寄存器陣列利用所 述多個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)生成所述第一保持時(shí)鐘；防交疊單元，所述防交疊單元對(duì)所述非交疊信號(hào)和所述第一保持時(shí)鐘執(zhí)行"與"操作， 以生成所述第二保持時(shí)鐘；保持開關(guān)陣列，所述保持開關(guān)陣列包括多個(gè)響應(yīng)于所述第二保持時(shí)鐘而接通的保持開 關(guān)，所述保持開關(guān)陣列利用所述保持開關(guān)將所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的采樣閾值電壓順序輸出 到所述輸出節(jié)點(diǎn)；以及放電單元，所述放電單元響應(yīng)于所述非交疊信號(hào)，對(duì)在所述交疊時(shí)段內(nèi)殘留在所述輸 出節(jié)點(diǎn)處的電荷進(jìn)行放電。
4. 權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述防交疊單元包括各自連接在 所述移位寄存器陣列與所述保持開關(guān)陣列之間的多個(gè)"與"元件。
5. 權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述放電單元包括 反相單元，所述反相單元反轉(zhuǎn)所述非交疊信號(hào)的相位；以及放電開關(guān)，所述放電開關(guān)連接在所述公共輸出節(jié)點(diǎn)與地電平電壓源之間，并且受所述 反相單元的輸出控制。
6. 權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述非交疊信號(hào)具有與所述第一 保持時(shí)鐘在非交疊時(shí)段中的電平不同的第一邏輯電平，并且具有與所述第一保持時(shí)鐘在所 述非交疊時(shí)段中的電平相同的第二邏輯電平。
7. 權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述放電開關(guān)響應(yīng)于所述非交疊 信號(hào)的所述第一邏輯電平而被導(dǎo)通。
8. 權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，每個(gè)像素包括一數(shù)據(jù)線對(duì)和一選 通線組。
9. 權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，每個(gè)選通線組包括四條選通線。
10. 權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，每個(gè)像素還包括四個(gè)開關(guān)薄膜晶 體管。
11. 權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并聯(lián)連接在 所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與低電位驅(qū)動(dòng)電壓源之間。
12. 權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述采樣開關(guān)陣列在1幀時(shí)段期 間對(duì)1條水平線上的一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓同時(shí)采樣，并且在包括n幀時(shí)段的第 一時(shí)段期間順序執(zhí)行采樣操作，其中n是垂直分辨率，其中，所述采樣開關(guān)陣列在1幀時(shí)段期間對(duì)1條水平線上的另一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的 閾值電壓同時(shí)采樣，并且在所述第一時(shí)段之后的包括n幀時(shí)段的第二時(shí)段期間順序執(zhí)行采樣操作。
13. 權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)中的每對(duì)包 括用于驅(qū)動(dòng)所述一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一數(shù)據(jù)線和用于驅(qū)動(dòng)所述另一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管的第二數(shù)據(jù)線，其中，所述采樣開關(guān)陣列的所述采樣開關(guān)交替連接到所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù) 線，各達(dá)n幀時(shí)段。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括顯示板，所述顯示板包括多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)、與所述多個(gè)數(shù)據(jù)線對(duì)相交叉的多個(gè)選通線組、以及各具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和一有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)像素；定時(shí)控制器，所述定時(shí)控制器生成非交疊信號(hào)；以及采樣和保持塊，所述采樣和保持塊利用非交疊信號(hào)去除毗連生成的第一保持時(shí)鐘之間的交疊時(shí)段以生成彼此不相交疊的第二保持時(shí)鐘，響應(yīng)于第二保持時(shí)鐘將所述像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的采樣閾值電壓提供給輸出節(jié)點(diǎn)，并且響應(yīng)于非交疊信號(hào)來(lái)在交疊時(shí)段中對(duì)輸出節(jié)點(diǎn)放電。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101714329SQ20091014656
公開日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日
發(fā)明者李在度, 柳相鎬, 洪榮晙, 禹景敦 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司